TWI746143B - Ｘ射線產生裝置及ｘ射線拍攝裝置 - Google Patents
Ｘ射線產生裝置及ｘ射線拍攝裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI746143B TWI746143B TW109129973A TW109129973A TWI746143B TW I746143 B TWI746143 B TW I746143B TW 109129973 A TW109129973 A TW 109129973A TW 109129973 A TW109129973 A TW 109129973A TW I746143 B TWI746143 B TW I746143B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- insulating member
- ray generating
- insulating
- ray
- generating device
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/02—Constructional details
- H05G1/04—Mounting the X-ray tube within a closed housing
- H05G1/06—X-ray tube and at least part of the power supply apparatus being mounted within the same housing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
- G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/20—Sources of radiation
Abstract
X射線產生裝置，具備：X射線產生部、收納前述X射線產生部的收納容器、配置在前述收納容器的內面與前述X射線產生部的至少一部分之間的絕緣零件。前述絕緣零件，含有第1絕緣構件與第2絕緣構件。前述第1絕緣構件，含有：具有第1面的第1部分與具有第2面的第2部分。藉由前述第1面與前述第2面而形成有高低差。前述第2部分的厚度比前述第1部分還薄。含有第2部分，其具有與前述第1面之間形成高低差的第2面且厚度比前述第1部分還薄。前述第2絕緣構件的接著面與前述第1絕緣構件的前述第2面是藉由接著材料來結合，前述第2面的平面度，是比前述第1面的平面度還好。
Description
本發明，關於X射線產生裝置及X射線拍攝裝置。
於專利文獻1記載的X射線產生裝置，具有：收納X射線產生管的絕緣性容器、收容絕緣性容器之接地的收納容器，在絕緣性容器與收納容器之間配置有絕緣性液體。
在X射線產生部與收納此的收納容器之間所配置的絕緣零件，例如具有箱形狀、筒形狀等的形狀。作為便宜地製造這種絕緣零件的方法，是將複數個構件以接著材料來結合的方法為有利。但是，組裝有以這種方法製造之絕緣零件的X射線產生裝置，會發生貫通接著材料的放電。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-100290號公報
本發明，提供X射線產生裝置，其具有利於抑制通過接著材料之放電產生的構造。
本發明的一個型態，是關於X射線產生裝置，前述X射線產生裝置，具備：X射線產生部、收納前述X射線產生部的收納容器、配置在前述收納容器的內面與前述X射線產生部的至少一部之間的絕緣零件，前述絕緣零件，含有第1絕緣構件與第2絕緣構件，前述第1絕緣構件，含有具有第1面的第1部分與具有第2面的第2部分，藉由前述第1面與前述第2面來形成有高低差，前述第2部分的厚度比前述第1部分還薄，前述第2絕緣構件的接著面與前述第1絕緣構件的前述第2面是藉由接著材料來結合，前述第2面的平面度，是比前述第1面的平面度還好。
以下，參照附加圖式來詳細說明實施形態。又，以下的實施形態並不限定申請專利範圍所請發明。雖於實施形態記載有複數個特徵，但發明並不一定需要該等複數個特徵的全部，且，複數個特徵亦可任意組合。此外，在附加圖式中，對相同或一樣的構造附上相同的參考符號，省略重複的說明。
於圖1，示意表示出一實施形態之X射線產生裝置100的構造。X射線產生裝置100，具備：X射線產生部10、收容X射線產生部10的收納容器20、配置在收納容器20的內面與X射線產生部10的至少一部分之間的絕緣零件50。X射線產生部10，含有：X射線產生管12、透過電纜16來將電壓供給至X射線產生管12的電壓供給部14。X射線產生管12，具有陰極121與陽極122，該陰極121含有發射電子的電子發射部，該陽極122含有標靶，該標靶是與從該電子發射部所放射的電子碰撞而藉此產生X射線。收納容器20，是被接地，X射線產生管的陽極122，是對收納容器20電性連接。電壓供給部14，是透過電纜16來對X射線產生管12的陰極121供給負電位。電纜16，雖含有導電性構件與覆蓋該導電性構件的絕緣材，但不具有該絕緣材亦可。在收納容器20與絕緣零件50之間的空間、以及絕緣零件50與X射線產生部10之間的空間，填充有絕緣性液體（例如絕緣油）。X射線產生部10的陰極121與收納容器20，是電性絕緣。
絕緣零件50，構成包圍X射線產生部10的容器。在一例之中，絕緣零件50，含有：具有第1開口的第1容器30、具有第2開口的第2容器40。第2容器40，在其第2開口之中收容第1容器30的一部分，且配置成覆蓋第1容器30的第1開口。第1容器30，是將複數個絕緣構件31、32、33以接著材料AM來結合藉此構成。第2容器40，是將複數個絕緣構件41、42以接著材料AM來結合藉此構成。
絕緣構件31、32、33、41、42，是加熱加壓成形的樹脂浸漬玻璃布疊層體（例如疊層板、疊層管）為佳。樹脂浸漬玻璃布疊層體，例如，是將對玻璃不織布浸漬環氧樹脂或酚醛樹脂等之樹脂而成的構件（預浸料）予以疊層、捲繞之後，進行加熱加壓成形藉此來構成。絕緣構件31、32、33、41、42，例如以環氧玻璃所構成。絕緣構件31、32、33、41、42，具有在25℃之體積電阻為1×105
Ωm以上的絕緣性為佳。作為絕緣構件31、32、33、41、42所舉例的絕緣構件，是板狀構件或筒狀構件。板狀構件，具有：與玻璃不織布的延伸方向平行的兩個主面、與玻璃不織布的疊層方向（與玻璃不織布的延伸方向正交的方向）平行之一個以上的端面（四角形狀之板狀構件的四個端面）。筒狀構件，具有：沿著玻璃不織布之延伸方向的兩個主面（外面及內面）、與玻璃不織布的疊層方向（與玻璃不織布的延伸方向正交的方向）平行的兩個端面。在以下參照的圖2～圖9，玻璃不織布的延伸方向，是以雙向箭頭表示。
於圖2，示意表示出絕緣零件50的基本構造。絕緣零件50，作為複數個絕緣構件，含有第1絕緣構件1210與第2絕緣構件1220。第1絕緣構件1210，含有：具有第1面1211的第1部分1215、具有與第1面1211之間形成高低差的第2面1212且厚度比第1部分1215還薄的第2部分1216。第1面，例如可為市售之環氧玻璃的素材面。第2絕緣構件1220的接著面（圖2之例為端面1221）與第1絕緣構件1210的第2面1212，是藉由接著材料AM來結合。第2面1212的平面度，是比第1面1211的平面度還好。第2絕緣構件1220之接著面（端面1221）的平面度，是比第1絕緣構件1210之第1面1211的平面度還好為佳。在此，面的平面度，是指該面距離幾何學上正確平面之偏差量的大小，平面度較好就代表著表示平面度的大小（偏差量的大小）較小。
以下，參照圖3至圖8來說明絕緣零件50之更具體的構造例。於圖3表示有第1實施形態之絕緣零件50之一部分的構造。在此，代表性地舉例出絕緣構件41與絕緣構件42的結合構造，但該結合構造之例，亦可適用於其他絕緣構件的結合構造。在第1實施形態，為了區別絕緣構件41與絕緣構件42彼此，方便上是將絕緣構件41稱為第1絕緣構件，將絕緣構件42稱為第2絕緣構件。
絕緣零件50，含有第1絕緣構件41與第2絕緣構件42。第1絕緣構件41，含有：具有第1面411的第1部分415、具有與第1面411之間形成高低差的第2面412且厚度比第1部分415還薄的第2部分416。第2絕緣構件42的接著面（圖3之例為端面429）與第1絕緣構件41的第2面412，是藉由接著材料AM來結合。第2面412的平面度，是比第1面411的平面度還好。第2絕緣構件42之接著面（端面429）的平面度，是比第1絕緣構件41之第1面411的平面度還好為佳。典型來說，接著材料AM的絕緣性能，是比第1絕緣構件41及第2絕緣構件42的絕緣性能還低。接著材料AM，只要至少硬化後的狀態為絕緣性的固體即可，例如環氧樹脂或酚醛樹脂。
第1絕緣構件41的第1面411，構成第1絕緣構件41的一個主面。第1絕緣構件41，是以樹脂浸漬玻璃布疊層體構成的絕緣構件，具有彎曲、及／或不均勻的厚度。另一方面，第1絕緣構件41的第2面412，是將用來製作第1絕緣構件41的材料予以加工而形成。因此，第2面412的平面度，是比構成第1絕緣構件41之主面的第1面411的平面度還好。第2面412，亦可稱為切缺面。且，第2絕緣構件42的接著面亦即端面429，是將用來製作第2絕緣構件42的材料予以切斷而形成。因此，第2絕緣構件42之端面429的平面度，是比構成第1絕緣構件41之主面的第1面411的平面度還好。
於是，將第1絕緣構件41的第2面412與第2絕緣構件42的接著面（端面429）藉由接著材料AM來結合的構造，有利於使接著材料AM的厚度變薄，以及抑制氣泡對接著材料AM的混入。這能發揮出抑制絕緣零件50之透過接著材料AM之放電的效果。第1面411與第2面412之間具有高低差的構造，是使沿面距離變長而有利，這是因為可使絕緣性能提升。另一方面，在第1絕緣構件41的第1面411與第2絕緣構件42的接著面以接著材料來結合的比較例，為了補償第1面411之平面度的不良而有必要使接著材料AM的厚度變厚，這會導致絕緣性能的降低。且，會誘發氣泡的混入。於是，在這種比較例，會透過接著材料AM發生放電。
於圖4表示有第2實施形態之絕緣零件50之一部分的構造。在此，代表性地舉例出絕緣構件41與絕緣構件42的結合構造，但該結合構造之例，亦可適用於其他絕緣構件的結合構造。在第2實施形態，為了區別絕緣構件41與絕緣構件42彼此，方便上是將絕緣構件41稱為第1絕緣構件，將絕緣構件42稱為第2絕緣構件。第2實施形態，是第1實施形態的變形例，在第2實施形態中沒有言及的事項，是依照第1實施形態。第1絕緣構件41，除了第1部分415及第2部分416以外，還具有：具有在與第2面412之間形成高低差的第3面413且厚度比第2部分416還厚的第3部分417。第2部分416，是以構成第1絕緣構件41之凹部的方式配置在第1部分415與第3部分417之間。
於圖5表示有第3實施形態之絕緣零件50之一部分的構造。在此，絕緣構件33，是舉例出具有藉由接著材料AM來結合之四個絕緣構件33a、33b、33c、33d的構造。絕緣構件33a，與第1實施形態同樣地，含有具有第1面33a1的第1部分及具有第2面33a2的第2部分，絕緣構件33b的接著面（端面）與絕緣構件33a的第2面33a2是藉由接著材料AM來結合。絕緣構件33b，與第1實施形態同樣地，含有具有第1面的第1部分及具有第2面的第2部分，絕緣構件33c的接著面（端面）與絕緣構件33b的第2面是藉由接著材料AM來結合。絕緣構件33c，與第1實施形態同樣地，含有具有第1面的第1部分及具有第2面的第2部分，絕緣構件33d的接著面（端面）與絕緣構件33c的第2面是藉由接著材料AM來結合。絕緣構件33d，與第1實施形態同樣地，含有具有第1面的第1部分及具有第2面的第2部分，絕緣構件33a的接著面（端面）與絕緣構件33d的第2面是藉由接著材料AM來結合。
於圖6表示有第4實施形態之絕緣零件50之一部分的構造。在此，絕緣構件33，是舉例出具有藉由接著材料AM來結合之四個絕緣構件33a、33b、33c、33d的構造。絕緣構件33a，與第1實施形態同樣地，含有具有第1面33a1的一個第1部分及具有第2面33a2的兩個第2部分，絕緣構件33b、33d的接著面（端面）與絕緣構件33a的兩個第2面33a2是藉由接著材料AM來結合。絕緣構件33c，與第1實施形態同樣地，含有具有第1面的一個第1部分及具有第2面的兩個第2部分，絕緣構件33b、33d的接著面（端面）與絕緣構件33c的兩個第2面是藉由接著材料AM來結合。
第3、4實施形態，亦可適用於絕緣構件42的構造。例如，可將圖3所示之第1實施形態的絕緣構件42，取代成如圖5或圖6所示般將四個絕緣構件33a、33b、33c、33d以接著材料AM來結合而構成之框狀的絕緣構件。該情況時，可將作為第2絕緣構件42之框狀之絕緣構件的端面透過接著材料AM來對第1絕緣構件41的第2面412強力地抵接。這有利於使接著材料AM的厚度變薄，以及抑制氣泡對接著材料AM的混入。這能發揮出抑制絕緣零件50之透過接著材料AM之放電的效果。
於圖7表示有第5實施形態之絕緣零件50之一部分的構造。在此，絕緣構件33，是舉例出具有藉由接著材料AM來結合之四個絕緣構件33a、33b、33c、33d的構造。第5實施形態，亦可適用於絕緣構件42的構造。絕緣構件33a，與第2實施形態同樣地，含有具有第1面33a1的一個第1部分及具有第2面33a2的兩個第2部分及具有第3面33a3的兩個第3部分，絕緣構件33b、33d的接著面（端面）與絕緣構件33a的兩個第2面33a2是藉由接著材料AM來結合。絕緣構件33c，與第2實施形態同樣地，含有具有第1面的一個第1部分及具有第2面的兩個第2部分及具有第3面的兩個第3部分，絕緣構件33b、33d的接著面（端面）與絕緣構件33c的兩個第2面是藉由接著材料AM來結合。
於圖8表示有第6實施形態之絕緣零件50之一部分的構造。在此，代表性地舉例出絕緣構件31與絕緣構件32的結合構造，但該結合構造之例，亦可適用於其他絕緣構件的結合構造。在第6實施形態，為了區別絕緣構件31與絕緣構件32彼此，方便上是將絕緣構件31稱為第1絕緣構件，將絕緣構件32稱為第2絕緣構件。
絕緣零件50，含有第1絕緣構件31與第2絕緣構件32。第1絕緣構件31，是具有供電纜16通過之開口的板狀構件。第2絕緣構件32，是圓筒構件等的筒狀構件。第1絕緣構件31，含有：具有第1面311的第1部分、具有與第1面311之間形成高低差的第2面312且厚度比第1部分還薄的第2部分。第2絕緣構件32的接著面（圖8之例為端面329）與第1絕緣構件31的第2面312，是藉由接著材料AM來結合。第2面312的平面度，是比第1面311的平面度還好。第2絕緣構件32之接著面（端面329）的平面度，是比第1絕緣構件31之第1面311的平面度還好為佳。典型來說，接著材料AM的絕緣性能，是比第1絕緣構件31及第2絕緣構件32的絕緣性能還低。接著材料AM，例如為環氧樹脂或酚醛樹脂。
第1絕緣構件31的第1面311，構成第1絕緣構件31的一個主面。第1絕緣構件31，是以樹脂浸漬玻璃布疊層體構成的絕緣構件，具有彎曲、及／或不均勻的厚度。另一方面，第1絕緣構件31的第2面312，是將用來製作第1絕緣構件31的材料予以加工而形成。因此，第2面312的平面度，是比構成第1絕緣構件31之主面的第1面311的平面度還好。且，第2絕緣構件32的接著面亦即端面329，是將用來製作第2絕緣構件32的材料予以切斷而形成。因此，第2絕緣構件32之端面329的平面度，是比構成第1絕緣構件31之主面的第1面311的平面度還好。
於是，將第1絕緣構件31的第2面312與第2絕緣構件32的接著面（端面329）藉由接著材料AM來結合的構造，有利於使接著材料AM的厚度變薄，以及抑制氣泡對接著材料AM的混入。這能發揮出抑制絕緣零件50之透過接著材料AM之放電的效果。第1面311與第2面312之間具有高低差的構造，是使沿面距離變長而有利，這是因為可使絕緣性能提升。
於圖9表示有第7實施形態之絕緣零件50之一部分的構造。在此，代表性地舉例出絕緣構件31與絕緣構件32的結合構造，但該結合構造之例，亦可適用於其他絕緣構件的結合構造。在第7實施形態，為了區別絕緣構件31與絕緣構件32彼此，方便上是將絕緣構件31稱為第1絕緣構件，將絕緣構件32稱為第2絕緣構件。第7實施形態，是第6實施形態的變形例。
在第7實施形態，藉由接著構件AM來與第1絕緣構件31之第2面312結合的第2絕緣構件32之接著面，是設在切缺部327的面328，該切缺部327是設在第2絕緣構件32。面328的平面度，是比第1絕緣構件31之第1面311的平面度還好為佳。且，面328的平面度，是比第2絕緣構件32之端面329的平面度還好為佳。第7實施形態的該構造，亦可適用於第1至第5實施形態。也就是說，接著面，不在第2絕緣構件的端面，而是配置在切缺部亦可。
於圖10，表示出一實施形態之X射線拍攝裝置200的構造。X射線拍攝裝置200，具備：X射線產生裝置100、將從X射線產生裝置100放射而穿透物體191的X射線192予以檢測的X射線檢測裝置210。X射線拍攝裝置200，進一步具備控制裝置220及顯示裝置230亦可。X射線檢測裝置210，含有X射線檢測器212與訊號處理部214。控制裝置220，控制X射線產生裝置100及X射線檢測裝置210。X射線檢測器212，將從X射線產生裝置100放射而穿透物體191的X射線192予以檢測或拍攝。訊號處理部214，處理從X射線檢測器212輸出的訊號，將被處理的訊號供給至控制裝置220。控制裝置220，基於由訊號處理部214供給的訊號，來將圖像顯示於顯示裝置230。
發明並不受上述實施形態限制，只要沒有從發明的精神及範圍脫離的話，可進行各種變更及變形。於是，附上將發明的範圍予以公開用的請求項。
50:絕緣零件
1210:第1絕緣構件
1211:第1面
1212:第2面
1215:第1部分
1216:第2部分
1220:第2絕緣構件
1221:端面
AM:接著材料
[圖1]表示一實施形態之X射線產生裝置之構造的示意圖。
[圖2]示意表示絕緣零件之基本構造的圖。
[圖3]表示第1實施形態之絕緣零件之構造的圖。
[圖4]表示第2實施形態之絕緣零件之構造的圖。
[圖5]表示第3實施形態之絕緣零件之構造的圖。
[圖6]表示第4實施形態之絕緣零件之構造的圖。
[圖7]表示第5實施形態之絕緣零件之構造的圖。
[圖8]表示第6實施形態之絕緣零件之構造的圖。
[圖9]表示第7實施形態之絕緣零件之構造的圖。
[圖10]表示一實施形態之X射線拍攝裝置之構造的圖。
50:絕緣零件
1210:第1絕緣構件
1211:第1面
1212:第2面
1215:第1部分
1216:第2部分
1220:第2絕緣構件
1221:端面
AM:接著材料
Claims (14)
- 一種X射線產生裝置，其特徵為，具備： X射線產生部、 收納前述X射線產生部的收納容器、 配置在前述收納容器的內面與前述X射線產生部的至少一部之間的絕緣零件， 前述絕緣零件，含有第1絕緣構件與第2絕緣構件，前述第1絕緣構件，含有具有第1面的第1部分與具有第2面的第2部分，藉由前述第1面與前述第2面來形成有高低差，前述第2部分的厚度比前述第1部分還薄， 前述第2絕緣構件的接著面與前述第1絕緣構件的前述第2面是藉由接著材料來結合， 前述第2面的平面度，是比前述第1面的平面度還好。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述接著面的平面度，是比前述第1面的平面度還好。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述第1絕緣構件，具有第3部分，其具有在與前述第2面之間形成高低差的第3面且厚度比前述第2部分還厚，前述第2部分，是以構成前述第1絕緣構件之凹部的方式配置在前述第1部分與前述第3部分之間。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述第1絕緣構件為板狀構件。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述第2絕緣構件為板狀構件。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述第2絕緣構件為筒狀構件。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述第1絕緣構件，是由浸漬樹脂的玻璃布疊層體所構成，前述第2面，是與前述玻璃布疊層體的疊層方向正交。
- 如請求項7所述之X射線產生裝置，其中， 前述第2絕緣構件，是由浸漬樹脂的玻璃布疊層體所構成，前述接著面，是與構成前述第2絕緣構件的前述玻璃布疊層體的疊層方向平行。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述X射線產生部，含有X射線產生管，前述X射線產生管，具有陰極及陽極，該陰極含有電子發射部，該陽極含有標靶，該標靶是與從前述電子發射部所放射的電子碰撞而藉此產生X射線。
- 如請求項9所述之X射線產生裝置，其中， 前述X射線產生部，進一步含有對前述X射線產生管供給電壓的電壓供給部。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述接著材料為環氧樹脂。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述第2絕緣構件的前述接著面，是前述第2絕緣構件的端面。
- 如請求項1所述之X射線產生裝置，其中， 前述第2絕緣構件，具有切缺部，前述第2絕緣構件的前述接著面，是設在前述切缺部的面。
- 一種X射線拍攝裝置，其特徵為，具備： 請求項1至13中任一項所述之X射線產生裝置、 將從前述X射線產生裝置放射而穿透物體的X射線予以檢測的X射線檢測裝置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2019/034640 WO2021044525A1 (ja) | 2019-09-03 | 2019-09-03 | Ｘ線発生装置およびｘ線撮影装置 |
| WOPCT/JP2019/034640 | 2019-09-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202118353A TW202118353A (zh) | 2021-05-01 |
| TWI746143B true TWI746143B (zh) | 2021-11-11 |
Family
ID=70858075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109129973A TWI746143B (zh) | 2019-09-03 | 2020-09-02 | Ｘ射線產生裝置及ｘ射線拍攝裝置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11140763B2 (zh) |
| EP (1) | EP4006950A4 (zh) |
| JP (1) | JP6704100B1 (zh) |
| KR (1) | KR102496079B1 (zh) |
| CN (1) | CN114303222B (zh) |
| TW (1) | TWI746143B (zh) |
| WO (1) | WO2021044525A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7430296B1 (ja) | 2022-03-31 | 2024-02-09 | キヤノンアネルバ株式会社 | Ｘ線発生装置およびｘ線撮像装置 |
| WO2023188336A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 電気部品、ｘ線発生装置およびｘ線撮像装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10228875A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Hitachi Medical Corp | 金属外囲器回転陽極ｘ線管 |
| JP2003142567A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Kyocera Corp | ウエハ載置ステージ |
| TW200723341A (en) * | 2005-10-07 | 2007-06-16 | Hamamatsu Photonics Kk | X-ray tube and nondestructive inspection equipment |
| JP2016100290A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | キヤノン株式会社 | Ｘ線発生装置及びそれを用いたｘ線撮影システム |
| CN107068519A (zh) * | 2013-03-15 | 2017-08-18 | 尼康计量公众有限公司 | x射线源、高电压发生器、电子束枪、旋转靶组件、旋转靶以及旋转真空密封件 |
| TW201817285A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-01 | 日商佳能股份有限公司 | Ｘ射線產生設備 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19824008C2 (de) * | 1998-05-29 | 2000-04-13 | Juergen Ziehm | Röntgenstrahler |
| WO2002048428A1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Konica Corporation | Method for forming thin film, article having thin film, optical film, dielectric coated electrode, and plasma discharge processor |
| US7145987B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-12-05 | Nikon Corporation | X-ray-generating devices and exposure apparatus comprising same |
| JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
| JP6381269B2 (ja) | 2014-04-21 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | ターゲットおよび前記ターゲットを備えるｘ線発生管、ｘ線発生装置、ｘ線撮影システム |
| JP6573380B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2019-09-11 | キヤノン株式会社 | Ｘ線発生装置及びｘ線撮影システム |
-
2019
- 2019-09-03 CN CN201980099916.8A patent/CN114303222B/zh active Active
- 2019-09-03 WO PCT/JP2019/034640 patent/WO2021044525A1/ja unknown
- 2019-09-03 KR KR1020227008129A patent/KR102496079B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-03 JP JP2020508068A patent/JP6704100B1/ja active Active
- 2019-09-03 EP EP19944554.5A patent/EP4006950A4/en active Pending
-
2020
- 2020-09-02 TW TW109129973A patent/TWI746143B/zh active
-
2021
- 2021-03-08 US US17/194,767 patent/US11140763B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10228875A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Hitachi Medical Corp | 金属外囲器回転陽極ｘ線管 |
| JP2003142567A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Kyocera Corp | ウエハ載置ステージ |
| TW200723341A (en) * | 2005-10-07 | 2007-06-16 | Hamamatsu Photonics Kk | X-ray tube and nondestructive inspection equipment |
| CN107068519A (zh) * | 2013-03-15 | 2017-08-18 | 尼康计量公众有限公司 | x射线源、高电压发生器、电子束枪、旋转靶组件、旋转靶以及旋转真空密封件 |
| JP2016100290A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | キヤノン株式会社 | Ｘ線発生装置及びそれを用いたｘ線撮影システム |
| TW201817285A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-01 | 日商佳能股份有限公司 | Ｘ射線產生設備 |
| US20190150255A1 (en) * | 2016-10-28 | 2019-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210212188A1 (en) | 2021-07-08 |
| JPWO2021044525A1 (ja) | 2021-09-30 |
| KR20220037526A (ko) | 2022-03-24 |
| JP6704100B1 (ja) | 2020-06-03 |
| EP4006950A4 (en) | 2022-11-16 |
| EP4006950A1 (en) | 2022-06-01 |
| CN114303222B (zh) | 2022-07-08 |
| US11140763B2 (en) | 2021-10-05 |
| KR102496079B1 (ko) | 2023-02-06 |
| TW202118353A (zh) | 2021-05-01 |
| CN114303222A (zh) | 2022-04-08 |
| WO2021044525A1 (ja) | 2021-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI746143B (zh) | Ｘ射線產生裝置及ｘ射線拍攝裝置 | |
| US20130028386A1 (en) | Electric field emission x-ray tube apparatus equipped with a built-in getter | |
| US8014121B2 (en) | Electrical discharge countermeasure device | |
| US10270081B2 (en) | Protective battery casing | |
| JP2012049123A (ja) | 工業用ｘ線発生装置 | |
| WO2019098231A1 (ja) | バッテリーカバー | |
| JP2016143602A5 (zh) | ||
| JP2019196944A (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
| JP3961262B2 (ja) | Ｘ線発生装置 | |
| JP2017099504A (ja) | 超音波プローブ及び超音波画像表示装置 | |
| JP2019060757A (ja) | シンチレータパネル及び放射線検出器 | |
| KR20120044654A (ko) | 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법, 및 유기 발광 표시 장치 | |
| WO2013118393A1 (ja) | 電子線照射装置及び電子線透過ユニット | |
| KR101533060B1 (ko) | 이온 발생 장치 | |
| US10458816B2 (en) | Sensor including an electrode, insulator, pressure receiver, and pressure imparting unit, and a system including the sensor | |
| JP2015185236A (ja) | 固定陽極型ｘ線管装置及びその製造方法 | |
| TW202408317A (zh) | Ｘ射線產生裝置及ｘ射線攝像裝置 | |
| US20160064640A1 (en) | Power supply device and power supply method | |
| JP2015173232A (ja) | 半導体モジュール用熱伝導性シート、及び、半導体モジュール | |
| KR102039581B1 (ko) | 액화수소 저장탱크 손상 감지 장치 및 방법 | |
| JP7251667B2 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
| CN214027531U (zh) | 一种医疗放射线体检设备用精密碳纤维面板 | |
| JP6027827B2 (ja) | 音響発生器、音響発生装置および電子機器 | |
| JP6683903B1 (ja) | Ｘ線発生装置およびｘ線撮像装置 | |
| US11259398B2 (en) | Electrical circuit board with low thermal conductivity and method of constructing thereof |