TWI744934B - 波導結構 - Google Patents

Abstract

一種波導結構，包括一介電層、多層線路層、多層絕緣層以及一導體連接層。介電層具有一開口。線路層配置於介電層上。絕緣層與線路層交替堆疊。導體連接層以垂直於線路層的方向覆蓋開口的外壁且連接位於開口相對兩側的至少二層線路層。至少導體連接層與部分線路層於對應開口處定義出用以傳遞訊號的一空氣腔。

Description

波導結構

本發明是有關於一種半導體結構，且特別是有關於一種波導結構。

目前的基板整合波導（Substrate Integrated Waveguide，SIW）結構常用於高頻電路，其中以剖面觀之，基板整合波導是由介質材料、位於介質材料相對兩表面的上、下金屬面以及貫穿介質材料且連接至上、下金屬面的銅柱所組成。然而，上述的結構中，上、下金屬面及銅柱所包覆的介質材料會造成訊號傳遞時能量的損耗，尤其是愈高頻時損耗愈大。因此，在介質材料的選擇上往往受限於損耗係數(Dissipation Factor, Df)，易增加電路實現成本。

本發明提供一種波導結構，其具有用以傳遞訊號的一空氣腔，可降低訊號傳遞時的能量耗損，且具有較高的平均功率容量（Average power handling），以及不受空氣腔外的介質材料的影響。

本發明的波導結構，包括一介電層、多層線路層、多層絕緣層以及一導體連接層。介電層具有一開口。線路層配置於介電層上。絕緣層與線路層交替堆疊。導體連接層以垂直於線路層的方向覆蓋開口的外壁且連接位於開口相對兩側的至少二層線路層。至少導體連接層與部分線路層於對應開口處定義出用以傳遞訊號的一空氣腔。

在本發明的一實施例中，上述的介電層具有彼此相對的一第一表面與一第二表面。線路層包括一第一內層線路層、一第二內層線路層、一第一增層線路層與一第二增層線路層。絕緣層包括一第一絕緣層與一第二絕緣層。導體連接層連接第一內層線路層與第二內層線路層。

在本發明的一實施例中，上述的第一內層線路層配置於介電層的第一表面上。第一絕緣層位於第一增層線路層與第一內層線路層之間。第一絕緣層具有連通開口的一第一開口。第二內層線路層配置於介電層的第二表面上。第二絕緣層位於第二增層線路層與第二內層線路層之間。第二絕緣層具有連通開口的一第二開口。第一開口的內壁與第二開口的內壁切齊導體連接層。第一增層線路層延伸覆蓋第一開口，而第二增層線路層延伸覆蓋第二開口。部分第一增層線路層、第一開口的內壁、導體連接層、第二開口的內壁以及部分第二增層線路層定義出空氣腔。

在本發明的一實施例中，上述的波導結構還包括：多個導電通孔，配置於空氣腔的相對兩側，且貫穿第一增層線路層、第一絕緣層、第一內層線路層、介電層、第二內層線路層、第二絕緣層以及第二增層線路層。導電通孔電性連接第一增層線路層、第一內層線路層、第二內層線路層以及第二增層線路層。

在本發明的一實施例中，上述的第一絕緣層與第二絕緣層分別位於介電層的第一表面與第二表面上。第一增層線路層與第二增層線路層分別覆蓋第一絕緣層與第二絕緣層。第一絕緣層延伸覆蓋開口的一第一部分位於第一內層線路層與第一增層線路層之間。第二絕緣層延伸覆蓋開口的一第二部分位於第二內層線路層與第二增層線路層之間。部分第一增層線路層、部分第二增層線路層以及導體連接層定義出空氣腔。

在本發明的一實施例中，上述的第一絕緣層位於第一增層線路層與第一內層線路層之間。第二絕緣層位於第二增層線路層與第二內層線路層之間。第二增層線路層覆蓋介電層的第二表面且具有連通開口的一耦合開口。導體連接層連接第一內層線路層、第一增層線路層以及第二增層線路層。

在本發明的一實施例中，上述的線路層更包括一第三增層線路層，而絕緣層還包括一第三絕緣層。第三絕緣層覆蓋第二增層線路層，而第三增層線路層覆蓋部分第三絕緣層。第二增層線路層、第三絕緣層與第三增層線路層定義出一微帶線部。

在本發明的一實施例中，上述的波導結構更包括：多個導電通孔，配置於空氣腔的周圍，且貫穿第一增層線路層、第一絕緣層、第一內層線路層、第二內層線路層以及第二絕緣層。導電通孔電性連接第一增層線路層、第一內層線路層、第二內層線路層以及第二增層線路層。

在本發明的一實施例中，上述的波導結構更包括：一饋入部以及一保護層。饋入部貫穿第三絕緣層且穿過耦合開口而電性連接第一內層線路層與第三增層線路層。保護層包覆饋入部的周圍表面，其中饋入部透過保護層電性絕緣於第二增層線路結構。

在本發明的一實施例中，上述的波導結構更包括：一天線組件，包括至少一天線元件。絕緣層還包括一第三絕緣層，且第三絕緣層覆蓋第二增層線路層且具有連通開口與耦合開口的一絕緣開口。天線組件覆蓋第三絕緣層，且天線元件對應絕緣開口設置。導體連接層連接第一內層線路層、第一增層線路層、第二內層線路層以及第二增層線路層。

基於上述，本發明的波導結構包括介電層、多層線路層、多層絕緣層以及導體連接層，其中介電層、多層線路層及多層絕緣層可視為是多層電路板，且至少導體連接層與部分線路層於對應介電層的開口處可定義出用以傳遞訊號的空氣腔。藉由空氣腔的設計，可降低訊號傳遞時的能量耗損。因此，本發明的波導結構除了具有低耗損之外，亦具有較高的平均功率容量，且不受空氣腔之外的介質材料的影響。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是本發明的一實施例的一種波導結構的俯視示意圖。圖1B是沿圖1A的線A-A的剖面示意圖。圖1C是沿圖1A的線A’-A’的剖面示意圖。請先同時參考圖1A與圖1B，在本實施例中，波導結構100a包括一介電層110a、多層線路層120a、多層絕緣層130a以及一導體連接層140a。介電層110a具有一開口112a。線路層120a配置於介電層110a上，而絕緣層130a與線路層120a交替堆疊。導體連接層140a以垂直於線路層120a的方向覆蓋開口112a的外壁且連接位於開口112a相對兩側的至少二層線路層120a。至少導體連接層140a與部分線路層120a於對應開口112a處定義出用以傳遞訊號的一空氣腔SA。

詳細來說，本實施例的波導結構100a可適用於高頻(如微波、毫米波)無線通訊、車用雷達系統、5G通訊系統或衛星通訊系統等，但不以此為限。介電層110a例如是一核心介電層，其具有彼此相對的一第一表面111a與一第二表面113a，其中介電層110a的厚度例如是50微米，其材質例如是高分子材料，但不以此為限。線路層120a包括一第一內層線路層122a、一第二內層線路層124a、一第一增層線路層126a與一第二增層線路層128a。第一內層線路層122a及第二內層線路層124a的厚度（如20微米）可大於第一增層線路層126a及第二增層線路層128a的厚度（如15微米），但不以此為限。第一內層線路層122a與第二內層線路層124a的材質例如是銅箔，而第一增層線路層126a與一第二增層線路層128a的材質例如是銅，但不以此為限。絕緣層130a包括一第一絕緣層132a與一第二絕緣層134a，其中第一絕緣層132a與第二絕緣層134a的厚度例如是25微米，但不以此為限。

如圖1B所示，本實施例的導體連接層140a連接第一內層線路層122a與第二內層線路層124a。第一內層線路層122a於介電層110a的第一表面111a上，而第一絕緣層132a位於第一增層線路層126a與第一內層線路層122a之間，其中第一絕緣層132a具有連通開口112a的一第一開口133a。第二內層線路層124a配置於介電層110a的第二表面113a上，且第二絕緣層124a位於第二增層線路層128a與第二內層線路層124a之間，其中第二絕緣層134a具有連通開口112a的一第二開口135a。第一開口133a的內壁與第二開口135a的內壁切齊導體連接層140a。第一增層線路層126a延伸覆蓋第一開口133a，而第二增層線路層128a延伸覆蓋第二開口135a。部分第一增層線路層126a、第一開口133a的內壁、導體連接層140a、第二開口135a的內壁以及部分第二增層線路層128a定義出空氣腔SA。更具體來說，本實施例所定義的空氣腔SA實質上為一六面體（如立方體），其中的兩面是導體連接層140a，另兩面是空氣腔SA與介質層110a的交界面，而剩下的兩面則是線路層。

本實施例的介電層110a、線路層120a及絕緣層130a的堆疊方式可視為是一種多層電路板。也就是說，本實施例是透過多層電路層的製程技術，來實現具有空氣腔SA的基板整合結構。因此，本實施例的波導結構100a可視為是一種空腔基板整合波導（Empty substrate Integrated Waveguide, ESIW）結構。再者，部分第一增層線路層126a、部分第二增層線路層128a以及導體連接層140a構成上、下、左、右的導體環狀結構，可作為多層電路板元件之間訊號傳遞使用。除此之外，上述的導體環狀結構亦可視為是支撐空氣腔SA的支撐結構。

再者，本實施例的波導結構100a還可包括多個導電通孔T，其中導電通孔T配置於空氣腔SA的相對兩側，且貫穿第一增層線路層126a、第一絕緣層132a、第一內層線路層122a、介電層110a、第二內層線路層124a、第二絕緣層134a以及第二增層線路層128a。導電通孔結構性且電性連接第一增層線路層126a、第一內層線路層122a、第二內層線路層124a以及第二增層線路層128a。如圖1B所示，導電通孔T連接空氣腔SA與空氣腔SA的支撐結構，使波導結構100a中的導體（即第一增層線路層126a、第二增層線路層128a以及導體連接層140a）具有同電位的參考平面（即共地平面），以維持訊號傳輸。

此外，波導結構100a亦包括饋入點F1、F2，可透過饋入點F1、F2將訊號傳遞至波導結構100a內。舉例來說，可透過電磁饋入傳輸、天線無線傳輸或整合多種傳輸方式，利用空氣腔SA內的空氣做為介質，來達到低損耗的效果。

於另一視角來看，請參考圖1C，本實施例的第一絕緣層132a與第二絕緣層134a分別位於介電層110a的第一表面111a與第二表面113a上。第一增層線路層126a與第二增層線路層128a分別覆蓋第一絕緣層132a與第二絕緣層134a。第一絕緣層132a延伸覆蓋開口112a的一第一部分B1位於第一內層線路層122a與第一增層線路層126a之間。第二絕緣層134a延伸覆蓋開口112a的一第二部分B2位於第二內層線路層124a與第二增層線路層128a之間。此處，介電層110a、覆蓋在第一表面111a上的第一絕緣層132a及第一增層線路結構126a以及覆蓋在第二表面113a上的第二絕緣層134a及第二增層線路結構128a可定義出一微帶線部M1。透過微帶線部M1可將信號水平饋入空氣腔SA內，可作為訊號傳輸使用。

在製程上，本實施例的波導結構100a可透過透過印刷電路板的製程方式，將單一或數個例如是高分子銅箔基板或高分子材料及金屬銅箔進行蝕刻、電鍍、壓合等方式製作，形成單一或雙層以上的空氣腔SA。由於空氣腔SA是透過壓合的方式形成，因此空氣腔SA內僅為空氣。於其他實施例中，空氣腔SA內亦可為真空低耗損無實體的介質。

簡言之，本實施例的波導結構100a是透過多層電路板的製程技術來實現空腔基板整合波導（ESIW）結構。藉由空氣腔SA的設計，可降低訊號傳遞時的能量耗損。此外，本實施例的波導結構100a因具有低耗損特性，能量傳遞過程中因損耗產生的熱能，相比其他基板合成波導(SIW)小。因此，在相同的材料之下(相同的玻璃轉化溫度（glass transition temperature）)，結構可承受更高的信號平均功率，仍可維持其完整性，意即本實施例具有較高的平均功率容量。此外因信號電磁場強度較強之處皆包覆於金屬結構之中，因此信號傳遞的特性不受空氣腔SA之外的介質材料的影響。此外，由於本實施例的波導結構100a不受空氣腔SA之外的界質材料的影響，因此介質材料的選擇彈性較高。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2是本發明的另一實施例的一種波導結構的剖面示意圖。請同時參考圖1B以及圖2，本實施例的波導結構100c與圖1B的波導結構100a相似，兩者的差異在於：本實施例的介電層110c、覆蓋在第一表面111c上的第一內層線路層122c、第一絕緣層132c及第一增層線路結構126c以及覆蓋在第二表面113c上的第二內層線路層124c、第二絕緣層134c及第二增層線路結構128c可定義出一基板整合波導部SIW。透過基板整合波導部SIW可將信號水平饋入空氣腔SC內，可作為訊號傳輸使用。

圖3A是本發明的另一實施例的一種波導結構的局部俯視示意圖。圖3B是沿圖3A的線B-B的剖面示意圖。圖3C是沿圖3A的線C-C的剖面示意圖。請同時參考圖1A、圖1B、圖1C、圖3A、圖3B以及圖3C，本實施例的波導結構100d與圖1B的波導結構100a相似，兩者的差異在於：本實施例的第一絕緣層132d位於第一增層線路層126d與第一內層線路層122d之間。第二絕緣層134d位於第二增層線路層128d與第二內層線路層124d之間。第二增層線路層128d覆蓋介電層110d的第二表面113d且具有連通開口112e的一耦合開口CO。導體連接層140d連接第一內層線路層122d、第一增層線路層126d以及第二增層線路層128d。

再者，本實施例的線路層120d還更包括一第三增層線路層129d，而絕緣層130d還更包括一第三絕緣層136d。第三絕緣層136d覆蓋第二增層線路層128d，而第三增層線路層129d覆蓋部分第三絕緣層136d。第二增層線路層128d、第三絕緣層136d與第三增層線路層129d定義出一微帶線部M2。

此外，本實施例的波導結構100d還更包括多個導電通孔T’，配置於空氣腔SD的周圍，且貫穿第一增層線路層126d、第一絕緣層132d、第一內層線路層122d、第二內層線路層124d以及第二絕緣層134d。導電通孔T’電性連接第一增層線路層126d、第一內層線路層122d、第二內層線路層124d以及第二增層線路層128d。此處，空氣腔SD被第一增層線路層126d以及第二增層線路層128d所包圍。

簡言之，本實施例的波導結構100d是採用多層結構，將訊號由下方的微帶線部M2，經由耦合開口CO與/或導電通孔T’’至上方空氣腔SD，作為信號傳輸使用。

圖4A是本發明的另一實施例的一種波導結構的局部俯視示意圖。圖4B是沿圖4A的線D-D的剖面示意圖。圖4C是沿圖4A的線E-E的剖面示意圖。請同時參考圖1A、圖1B、圖1C、圖4A、圖4B以及圖4C，本實施例的波導結構100e與上述實施例的波導結構100a相似，兩者的差異在於：本實施例的第一絕緣層132e位於第一增層線路層126e與第一內層線路層122e之間。第二絕緣層134e位於第二增層線路層128e與第二內層線路層124e之間。第二增層線路層128e覆蓋介電層110e的第二表面113e且具有連通開口112e的一耦合開口CO’。導體連接層140e連接第一內層線路層122e、第一增層線路層126e以及第二增層線路層128e。

再者，本實施例的線路層120e還更包括一第三增層線路層129e，而絕緣層130e還包括一第三絕緣層136e。第三絕緣層136e覆蓋第二增層線路層128e，而第三增層線路層129e覆蓋部分第三絕緣層136e。第二增層線路層128e、第三絕緣層136e與第三增層線路層129e定義出一微帶線部M3。

此外，本實施例的波導結構100e還更包括多個導電通孔T’’，配置於空氣腔SE的周圍，且貫穿第一增層線路層126e、第一絕緣層132e、第一內層線路層122e、第二內層線路層124e以及第二絕緣層134e。導電通孔T’’電性連接第一增層線路層126e、第一內層線路層122e、第二內層線路層124e以及第二增層線路層128e。此處，空氣腔SE被第一增層線路層126e以及第二增層線路層128e所包圍。

另外，本實施例的波導結構100e還可更包括一饋入部150以及一保護層160。饋入部150貫穿第三絕緣層129e且穿過耦合開口CO’而電性連接第一內層線路層122e與第三增層線路層129e。保護層160包覆饋入部150的周圍表面，其中饋入部150透過保護層160電性絕緣於第二增層線路結構128e。此處，保護層160的材質可與介電層110e的材質相同或不同。

簡言之，本實施例的波導結構100e是採用多層結構，將訊號由下方的微帶線部M3，經由耦合開口CO’ 與/或饋入部150與/或導電通孔T’’至上方空氣腔SE，作為信號傳輸使用。

圖5A是本發明的另一實施例的一種波導結構的局部俯視示意圖。圖5B是沿圖5A的線F-F的剖面示意圖。請同時參考圖3A、圖3C、圖5A以及圖5B，本實施例的波導結構100e與上述實施例的波導結構100d相似，兩者的差異在於：本實施例的波導結構100f更包括一天線組件170，且天線組件170包括至少一天線元件172，其中天線元件172例如是貼片天線（Patch Antenna），但不以此為限。絕緣層130f還包括一第三絕緣層136f，且第三絕緣層136f覆蓋第二增層線路層128f且具有連通開口112f與耦合開口OC’’的一絕緣開口IO。天線組件170覆蓋第三絕緣層136f，且天線元件172對應絕緣開口IO設置。覆蓋在介電層110f的開口112f的內壁的導體連接層140f連接第一內層線路層122f、第一增層線路層126f、第二內層線路層124f以及第二增層線路層128f。

簡言之，本實施例的波導結構100f是透過相互連通的空氣腔SF、耦合開口OC’’及絕緣開口IO來降低訊號傳遞時的能量耗損。此處，空氣腔SF被第一增層線路層126f以及第二增層線路層128f所包圍。此外，本實施的波導結構100f整合了空腔基板整合波導（ESIW）結構及天線結構，因此利於5G等高頻高速的傳輸應用。

值得一提的是，於其他未繪示的實施例中，線路層及導體連接層相對遠離於空氣腔的表面亦可進行表面處理程序。例如是，透過化學（如化金或化鈀金）、電鍍（如鍍金或鍍銀）或物理（如噴砂）等的方式進行表面處理，使金屬導體表面粗糙度（如Rz）降低，可提高抗氧化能力。

綜上所述，本發明的波導結構包括介電層、多層線路層、多層絕緣層以及導體連接層，其中介電層、多層線路層及多層絕緣層可視為是多層電路板，且至少導體連接層與部分線路層於對應介電層的開口處可定義出用以傳遞訊號的空氣腔。藉由空氣腔的設計，可降低訊號傳遞時的能量耗損。因此，本發明的波導結構除了具有低耗損之外，亦具有較高的平均功率容量，且不受空氣腔之外的介質材料的影響。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100a、100c、100d、100e、100f:波導結構 110a、110c、110d、110e:介電層 111a、110c:第一表面 112a、112d、112e:開口 113a、113c、113d、113e:第二表面 120a、120d、120e:線路層 122a、122c、122d、122e、122f:第一內層線路層 124a、124c、124d、124e、124f:第二內層線路層 126a、126c、126d、126e、126f:第一增層線路層 128a、128c、128d、128e、128f:第二增層線路層 129d、129e:第三增層線路層 130a、130d、130e、130f:絕緣層 132a、132c、132d、132e:第一絕緣層 133a:第一開口 134a、134c、134d、134e:第二絕緣層 135a:第二開口 136d、136e、136f:第三絕緣層 140a、、140d、140e、140f:導體連接層 150:饋入部 160:保護層 170:天線組件 172:天線元件 B1:第一部分 B2:第二部分 CO、CO’ 、CO’’:耦合開口 F1、F2:饋入點 IO:絕緣開口 M1、M2、M3:微帶線部 SA、SC、SD、SE、SF:空氣腔 SIW:基板整合波導部 T、T’ 、T’’:導電通孔 :

圖1A是本發明的一實施例的一種波導結構的俯視示意圖。 圖1B是沿圖1A的線A-A的剖面示意圖。 圖1C是沿圖1A的線A’-A’的剖面示意圖。 圖2是本發明的另一實施例的一種波導結構的剖面示意圖。 圖3A是本發明的另一實施例的一種波導結構的局部俯視示意圖。 圖3B是沿圖3A的線B-B的剖面示意圖。 圖3C是沿圖3A的線C-C的剖面示意圖。 圖4A是本發明的另一實施例的一種波導結構的局部俯視示意圖。 圖4B是沿圖4A的線D-D的剖面示意圖。 圖4C是沿圖4A的線E-E的剖面示意圖。 圖5A是本發明的另一實施例的一種波導結構的局部俯視示意圖。 圖5B是沿圖5A的線F-F的剖面示意圖。

100a:波導結構

110a:介電層

111a:第一表面

112a:開口

113a:第二表面

120a:線路層

122a:第一內層線路層

124a:第二內層線路層

126a:第一增層線路層

128a:第二增層線路層

130a:絕緣層

132a:第一絕緣層

133a:第一開口

134a:第二絕緣層

135a:第二開口

140a:導體連接層

T:導電通孔

SA:空氣腔

Claims (8)

1. 一種波導結構，包括：一介電層，具有一開口；多層線路層，配置於該介電層上；多層絕緣層，與該些線路層交替堆疊；以及一導體連接層，以垂直於該些線路層的方向覆蓋該開口的外壁且連接位於該開口相對兩側的該些線路層至少其中二個，其中至少該導體連接層與部分該些線路層於對應該開口處定義出用以傳遞訊號的一空氣腔；其中該介電層具有彼此相對的一第一表面與一第二表面，該些線路層包括一第一內層線路層、一第二內層線路層、一第一增層線路層與一第二增層線路層，而該些絕緣層包括一第一絕緣層與一第二絕緣層，該導體連接層連接該第一內層線路層與該第二內層線路層；其中該第一內層線路層配置於該介電層的該第一表面上，而該第一絕緣層位於該第一增層線路層與該第一內層線路層之間，該第一絕緣層具有連通該開口的一第一開口，該第二內層線路層配置於該介電層的該第二表面上，而該第二絕緣層位於該第二增層線路層與該第二內層線路層之間，該第二絕緣層具有連通該開口的一第二開口，且該第一開口的內壁與該第二開口的內壁切齊該導體連接層，而該第一增層線路層延伸覆蓋該第一開口，該第二增層線路層延伸覆蓋該第二開口，且部分該第一增層線路層、 該第一開口的內壁、該導體連接層、該第二開口的內壁以及部分該第二增層線路層定義出該空氣腔。
2. 如請求項1所述的波導結構，還包括：多個導電通孔，配置於該空氣腔的相對兩側，且貫穿該第一增層線路層、該第一絕緣層、該第一內層線路層、該介電層、該第二內層線路層、該第二絕緣層以及該第二增層線路層，其中該些導電通孔電性連接該第一增層線路層、該第一內層線路層、該第二內層線路層以及該第二增層線路層。
3. 一種波導結構，包括：一介電層，具有一開口；多層線路層，配置於該介電層上；多層絕緣層，與該些線路層交替堆疊；以及一導體連接層，以垂直於該些線路層的方向覆蓋該開口的外壁且連接位於該開口相對兩側的該些線路層至少其中二個，其中至少該導體連接層與部分該些線路層於對應該開口處定義出用以傳遞訊號的一空氣腔；其中該介電層具有彼此相對的一第一表面與一第二表面，該些線路層包括一第一內層線路層、一第二內層線路層、一第一增層線路層與一第二增層線路層，而該些絕緣層包括一第一絕緣層與一第二絕緣層，該導體連接層連接該第一內層線路層與該第二內層線路層； 其中該第一絕緣層與該第二絕緣層分別位於該介電層的該第一表面與該第二表面上，該第一增層線路層與該第二增層線路層分別覆蓋該第一絕緣層與該第二絕緣層，該第一絕緣層延伸覆蓋該開口的一第一部分位於該第一內層線路層與該第一增層線路層之間，該第二絕緣層延伸覆蓋該開口的一第二部分位於該第二內層線路層與該第二增層線路層之間，而部分該第一增層線路層、部分該第二增層線路層以及該導體連接層定義出該空氣腔。
4. 如請求項1或3所述的波導結構，其中該第一絕緣層位於該第一增層線路層與該第一內層線路層之間，該第二絕緣層位於該第二增層線路層與該第二內層線路層之間，該第二增層線路層覆蓋該介電層的該第二表面且具有連通該開口的一耦合開口，而該導體連接層連接該第一內層線路層、該第一增層線路層以及該第二增層線路層。
5. 如請求項4所述的波導結構，其中該些線路層更包括一第三增層線路層，而該絕緣層還包括一第三絕緣層，該第三絕緣層覆蓋該第二增層線路層，而該第三增層線路層覆蓋部分該第三絕緣層，且該第二增層線路層、該第三絕緣層與該第三增層線路層定義出一微帶線部。
6. 如請求項5所述的波導結構，更包括：多個導電通孔，配置於該空氣腔的周圍，且貫穿該第一增層線路層、該第一絕緣層、該第一內層線路層、該第二內層線路層以及該第二絕緣層，其中該些導電通孔電性連接該第一增層線路 層、該第一內層線路層、該第二內層線路層以及該第二增層線路層。
7. 如請求項5所述的波導結構，更包括：一饋入部，貫穿該第三絕緣層且穿過該耦合開口而電性連接該第一內層線路層與該第三增層線路層；以及一保護層，包覆該饋入部的周圍表面，其中該饋入部透過該保護層電性絕緣於該第二增層線路結構。
8. 如請求項4所述的波導結構，更包括：一天線組件，包括至少一天線元件，該絕緣層還包括一第三絕緣層，該第三絕緣層覆蓋該第二增層線路層且具有連通該開口與該耦合開口的一絕緣開口，而該天線組件覆蓋該第三絕緣層，且該天線元件對應該絕緣開口設置，而該導體連接層連接該第一內層線路層、該第一增層線路層、該第二內層線路層以及該第二增層線路層。

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