TWI736737B - 極紫外光（ｅｕｖ）微影光罩 - Google Patents
極紫外光（ｅｕｖ）微影光罩 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI736737B TWI736737B TW107102967A TW107102967A TWI736737B TW I736737 B TWI736737 B TW I736737B TW 107102967 A TW107102967 A TW 107102967A TW 107102967 A TW107102967 A TW 107102967A TW I736737 B TWI736737 B TW I736737B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- extreme ultraviolet
- buffer layer
- alternating
- layers
- Prior art date
Links
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本發明關於一種半導體結構，特別是關於極紫外光(EUV)微影光罩及製造方法。EUV光罩結構包含：一反射層；一覆蓋材料於反射層上；一緩衝層於覆蓋材料上；交替吸收層於緩衝層上；以及一覆蓋層於交替吸收層的頂部。
Description
本發明關於半導體結構，特別是關於極紫外光(EUV)微影光罩及製造方法。
極紫外光微影(EUV)為下一代的微影技術，其使用極紫外光(EUV)波長，例如13.5nm。更特別地，在許多關鍵水平上，圖案化更小的技術節點的微影圖案化將需要EUV微影。由於EUV掃描器中的所有光學元件都必須具有反射性，因此EUV光罩必須以與其法線成一角度的方式進行照明。EUV光罩的非正交照明造成：(i)垂直於入射光束的線的遮蔽；(ii)遠心誤差的出現，其導致通過焦點的圖案偏移；以及(iii)由於光罩中的反射多層塗層所引起的變跡(apodization)而造成的影像對比耗損。
EUV反射光罩由沉積在一含蓋多層反射體(如Mo/Si)上的圖案化吸收體(如TaN、TaBN)所組成。圖案化吸收體需為非常厚，以保持EUV反射率在約2%或低於約2%，這是高影像對比所需。傳統吸收體的最小厚度為50nm至70nm。然而，此厚度增加了遮蔽效應，特別是當光束以與法線成大約6度的入射角被導向至反射體時。
在本發明的一態樣中，極紫外光光罩結構包含：一反射層； 一覆蓋材料於反射層上；一緩衝層於覆蓋材料上；交替吸收層於緩衝層上；以及一覆蓋層於交替吸收層的頂部。
在本發明的一態樣中，極紫外光光罩結構包含：一Mo/Si的多層反射層；一覆蓋材料，直接在多層反射層上；一緩衝層，直接在覆蓋材料上；Ni基材料及Ta基材料的交替吸收層於緩衝層上；以及一覆蓋層於交替吸收層的頂部。
在本發明的一態樣中，方法包含：直接在一反射層上形成一覆蓋材料；直接在覆蓋材料上形成一緩衝層；形成Ni基材料及Ta基材料的交替吸收層於緩衝層上；形成一阻抗層於一最上層的Ta基吸收層上；以及選擇性地蝕刻緩衝層及交替吸收層以形成一圖案。
100‧‧‧EUV光罩
105‧‧‧反射基層
110‧‧‧覆蓋層
115‧‧‧緩衝層
120‧‧‧Ni層
125‧‧‧TaN層
130‧‧‧Ni層
135‧‧‧TaN層
140‧‧‧阻抗層
145‧‧‧圖案
在下面的詳細描述中，將透過本發明的範例性具體實施例的非限制性範例、參考所提到的複數個圖式來描述本發明。
圖1顯示根據本發明態樣的EUV光罩及相應的製造程序；圖2顯示根據本發明態樣的具有阻抗層的EUV光罩及相應的製造程序；圖3顯示根據本發明態樣的圖案化EUV光罩及相應的製造程序；圖4顯示根據本發明態樣的具有從反射表面所反射的入射光的EUV光罩。
本發明關於半導體結構，特別是關於極紫外光(EUV)微影光罩及製造方法。更特別地，本發明關於具有薄吸收層及緩衝層的EUV光罩，其提供高度吸收的圖案化吸收層於光罩上(相較於傳統系統)。有利地，本文 所揭露的EUV光罩顯著地降低了EUV特定問題的嚴重程度，包含例如遮蔽效應。
本發明的EUV光罩可使用多種不同的工具、以多種方式來製造。然而，一般而言，使用方法和工具係用以形成尺寸在微米及奈米尺度的結構。用以製造本發明的EUV光罩的方法(即技術)採用自積體電路(IC)技術。舉例來說，結構係建立於晶圓上並實現於晶圓頂部上由光學微影製程所圖案化的材料薄膜中。特別地，EUV光罩的製造使用三個基本的建構部分：(i)在基板上沉積材料的薄膜，(ii)藉由光學微影成像在薄膜頂部施加圖案化光罩，以及(iii)對光罩選擇性地蝕刻薄膜。
圖1顯示根據本發明態樣的EUV光罩及相應的製造程序。在具體實施例中，EUV光罩100包含沉積於反射基層105上的覆蓋層110。在具體實施例中，覆蓋層110為由傳統沉積製程(例如化學氣相沉積(CVD)製程)所沉積的Ru覆蓋層。反射基層105可為其上具有反射塗層的Mo/Si。
仍參考圖1，緩衝層115沉積於覆蓋層110上。在具體實施例中，作為一範例，緩衝層115為TaN，其可藉由傳統沉積方法(如CVD)沉積至約1nm至20nm的厚度。緩衝層115也可為其他的吸收體材料，其將位在Ru覆蓋層110及隨後形成的吸收層(如Ni層120)之間。在具體實施例中，緩衝層115可為其他的Ta基材料，例如TaBN，其任一者用以在隨後的蝕刻製程期間保護底下的反射基層105。
在具體實施例中，使用傳統的沉積方法(如CVD)沉積Ni基材料及Ta基材料的交替吸收層於緩衝層115上。舉例來說，Ni層120沉積於緩衝層115上，接著為TaN層125、Ni層130及TaN層135(例如覆蓋層)。熟此技藝者應理解到，可有更多或更少的交替吸收材料(例如1到10對)。再者，在具體實施例中，層120、125、130、135的每一層可沉積至約1nm至10nm的厚度，較佳在2nm到4nm之間。在具體實施例中，層115、120、125、130、135的總厚度的範圍可在約25nm到45nm或更少，更佳在例如15nm到40 nm，其將為EUV光罩100提供有效的吸收。此外，在具體實施例中，Ni層120、130的厚度將避免Ni材料的結晶化並使薄膜應力可受控制。
如圖2所進一步顯示，阻抗材料140沉積於上覆蓋層135上。在具體實施例中，阻抗材料140可為已知阻抗材料(包含例如硬式光罩材料及抗反射塗層)的堆疊。上覆蓋層135將避免鎳從Ni層130(如最上層的Ni層)擴散到阻抗層140。熟此技藝者應理解到，Ni可能擴散至阻抗中並阻礙阻抗被洗去。
圖3顯示根據本發明態樣的圖案化光罩及相應的製造程序。在具體實施例中，形成於上覆蓋層135上的阻抗層140暴露在能量(光)下，以形成一圖案(開口)。使用具有選擇性化學作用的蝕刻製程(如反應性離子蝕刻(RIE))在吸收層120、125、130、135及緩衝層115中形成一或多個圖案145。在具體實施例中，F或CL2的化學作用可用以圖案化(蝕刻)Ta基材料(例如層115、125及135)；另一方面，使用CH4的更具侵蝕性的化學作用來圖案化(蝕刻)Ni基材料(例如120、130)。熟此技藝者應認識到，緩衝層115將在更具侵蝕性的Ni蝕刻期間保護底下的層105、110。以此方式，在吸收層(例如Ni層120)的圖案化期間，反射基層105不會被損壞。在圖案化之後，可接著藉由傳統的氧氣灰化製程或其他已知的剝除程序(stripants)來移除阻抗層140。
圖4顯示根據本發明態樣的具有從反射表面所反射的入射光的EUV光罩。如此圖所示，6°的入射EUV光將從層105的表面反射，其中由吸收層120、125、130、135的降低高度的吸收所引起的遮蔽效應較少。以此方式，EUV光罩100將降低EUV特定問題的嚴重程度，包含例如遮蔽效應及對比耗損。
由上述方法所製成的光罩用於積體電路晶片的製造。所產生的積體電路晶片可由製造者以原始晶片的形式(即作為具有多個未封裝晶片的單晶圓)作為裸晶粒分送、或以封裝形式分送。在後者情況中，晶片安 裝於單一晶片封裝(例如塑料載體，具有固定至主機板或其他更高階載體的引線)中或安裝於多晶片封裝(如具有表面內連線或埋層內連線的其中一或兩者的陶瓷載體)中。在任何情況下，晶片接著與其他晶片、離散電路元件及/或其他信號處理裝置整合為(a)中間產品(例如主機板)、或(b)終端產品的部分。終端產品可為包含積體電路晶片的任何產品，其範圍從玩具到其他低端應用到具有顯示器、鍵盤或其他輸入裝置、及中央處理器的高級電腦產品。
已出於說明目的提出本發明的各種具體實施例的描述，但其並不意圖為詳盡的或受限於所揭露的具體實施例。在不偏離所述具體實施例的範疇及精神下，許多修改及變化對熟此技藝者而言是明顯的。本文所使用的術語係選擇以最佳地解釋具體實施例的原理、實際應用或針對市場上所發現技術的技術改良、或使其他熟此技藝者能夠理解本文所揭露的具體實施例。
100‧‧‧EUV光罩
105‧‧‧反射基層
110‧‧‧覆蓋層
115‧‧‧緩衝層
120‧‧‧Ni層
125‧‧‧TaN層
130‧‧‧Ni層
135‧‧‧TaN層
Claims (20)
- 一種極紫外光光罩結構，包含：一反射層；一覆蓋材料於該反射層上；一緩衝層於該覆蓋材料上；以及多個交替吸收層於該緩衝層上，其中該等交替吸收層為多個成對層；其中該等交替吸收層與該緩衝層的一總厚度是設定以提供用於在0度至6度之間的入射極紫外光的最小遮蔽。
- 如申請專利範圍第1項所述的極紫外光光罩結構，其中該反射層為Mo/Si且該覆蓋材料為Ru。
- 如申請專利範圍第1項所述的極紫外光光罩結構，其中該緩衝層為Ta材料的一吸收層。
- 如申請專利範圍第3項所述的極紫外光光罩結構，其中該緩衝層為TaN或TaBN材料。
- 如申請專利範圍第1項所述的極紫外光光罩結構，其中該等交替吸收層包含Ni及Ta基材料。
- 如申請專利範圍第1項所述的極紫外光光罩結構，其中Ni直接沉積於該緩衝層上且該緩衝層直接沉積於該覆蓋材料上。
- 如申請專利範圍第1項所述的極紫外光光罩結構，其中該等交 替吸收層的每一者具有約1nm至10nm的一厚度。
- 如申請專利範圍第7項所述的極紫外光光罩結構，其中該等交替吸收層的每一者各具有約2nm至4nm的一厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述的極紫外光光罩結構，更包含一覆蓋層於該等交替吸收層的頂部。
- 一種極紫外光光罩結構，包含：一Mo/Si的多層反射層；一覆蓋材料，直接在該多層反射層上；一緩衝層，直接在該覆蓋材料上；以及多個Ni基材料及Ta基材料的交替吸收層於該緩衝層上，其中該等交替吸收層為多個成對層；其中該等交替吸收層與該緩衝層的一總厚度是設定以提供用於在0度至6度之間的入射極紫外光的最小遮蔽。
- 如申請專利範圍第10項所述的極紫外光光罩結構，其中該覆蓋材料為Ru。
- 如申請專利範圍第10項所述的極紫外光光罩結構，其中該緩衝層為Ta基材料。
- 如申請專利範圍第10項所述的極紫外光光罩結構，其中該等交替吸收層包含多個Ta基層與多個Ni層交替。
- 如申請專利範圍第13項所述的極紫外光光罩結構，其中Ni直接地沉積於該緩衝層上。
- 如申請專利範圍第10項所述的極紫外光光罩結構，其中該等交替吸收層的每一者具有約1nm至10nm的一厚度。
- 如申請專利範圍第15項所述的極紫外光光罩結構，其中該等交替吸收層的每一者各具有約2nm至4nm的一厚度。
- 如申請專利範圍第16項所述的極紫外光光罩結構，其中該等交替吸收層及該緩衝層的該總厚度為約25nm至約45nm。
- 如申請專利範圍第10項所述的極紫外光光罩結構，更包含一覆蓋層於該等交替吸收層的頂部。
- 一種製造一半導體結構的方法，包含：直接在一反射層上形成一覆蓋材料；直接在該覆蓋材料上形成一緩衝層；在該緩衝層上形成多個Ni基材料及Ta基材料的交替吸收層；形成一阻抗層於一最上層的Ta基吸收層上；以及選擇性地蝕刻該緩衝層及該等交替吸收層以形成一圖案，其中該最上層的Ta基吸收層避免Ni擴散至該阻抗層。
- 如申請專利範圍第19項所述的方法，其中該緩衝層在Ni的該等交替吸收層的一選擇性蝕刻期間保護該反射層。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/784,408 US10802393B2 (en) | 2017-10-16 | 2017-10-16 | Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask |
| US15/784,408 | 2017-10-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201917773A TW201917773A (zh) | 2019-05-01 |
| TWI736737B true TWI736737B (zh) | 2021-08-21 |
Family
ID=65909993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107102967A TWI736737B (zh) | 2017-10-16 | 2018-01-26 | 極紫外光（ｅｕｖ）微影光罩 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10802393B2 (zh) |
| CN (1) | CN109669318B (zh) |
| DE (1) | DE102017222103B4 (zh) |
| TW (1) | TWI736737B (zh) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI774375B (zh) | 2016-07-27 | 2022-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
| TW202026770A (zh) | 2018-10-26 | 2020-07-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料 |
| TW202028495A (zh) | 2018-12-21 | 2020-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收器及用於製造的方法 |
| TW202035792A (zh) | 2019-01-31 | 2020-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收體材料 |
| US11249390B2 (en) | 2019-01-31 | 2022-02-15 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| TWI828843B (zh) | 2019-01-31 | 2024-01-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法 |
| US11275303B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-03-15 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber matertals |
| TW202104667A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| US11366379B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-06-21 | Applied Materials Inc. | Extreme ultraviolet mask with embedded absorber layer |
| TW202104666A (zh) | 2019-05-22 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
| TW202111420A (zh) | 2019-05-22 | 2021-03-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| US11385536B2 (en) | 2019-08-08 | 2022-07-12 | Applied Materials, Inc. | EUV mask blanks and methods of manufacture |
| US11630385B2 (en) | 2020-01-24 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| TW202131087A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收劑材料 |
| TWI817073B (zh) | 2020-01-27 | 2023-10-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料 |
| TW202129401A (zh) | 2020-01-27 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料 |
| TW202141165A (zh) | 2020-03-27 | 2021-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| US11644741B2 (en) | 2020-04-17 | 2023-05-09 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| TWI776398B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-09-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 光罩的形成方法 |
| US11300871B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-04-12 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| US11500282B2 (en) | 2020-06-18 | 2022-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV photo masks and manufacturing method thereof |
| TW202202641A (zh) | 2020-07-13 | 2022-01-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外線遮罩吸收劑材料 |
| US11609490B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| US11513437B2 (en) | 2021-01-11 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| US11592738B2 (en) | 2021-01-28 | 2023-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201327669A (zh) * | 2011-10-13 | 2013-07-01 | Applied Materials Inc | 蝕刻用於形成光罩之ｅｕｖ反射多重材料層之方法 |
| TW201518855A (zh) * | 2013-11-15 | 2015-05-16 | S&S Tech Co Ltd | 極紫外線微影用空白罩幕以及使用該空白罩幕的光罩 |
| TW201706708A (zh) * | 2015-05-29 | 2017-02-16 | 先進遮罩科技中心有限兩合公司 | 反射型光罩及對應其之反射型遮罩空白板 |
| TW201830122A (zh) * | 2016-07-27 | 2018-08-16 | 應用材料股份有限公司 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5371162B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2013-12-18 | 三星電子株式会社 | 反射型フォトマスク |
| KR100455383B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 반사 포토마스크, 반사 포토마스크의 제조방법 및 이를이용한 집적회로 제조방법 |
| US7049035B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Method for controlling linewidth in advanced lithography masks using electrochemistry |
| JP4923465B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2012-04-25 | 凸版印刷株式会社 | 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク及びその製造方法並びにパターン転写方法 |
| KR101308838B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2013-09-13 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 및 그 마스크블랭크용 도전막 부착 기판 |
| US7771895B2 (en) * | 2006-09-15 | 2010-08-10 | Applied Materials, Inc. | Method of etching extreme ultraviolet light (EUV) photomasks |
| JP5470633B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2014-04-16 | 国立大学法人東北大学 | 光電変換素子及び太陽電池 |
| JP5507876B2 (ja) * | 2009-04-15 | 2014-05-28 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
| KR20140004057A (ko) * | 2010-08-24 | 2014-01-10 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
| JP5921953B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-05-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
| US20140254001A1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Globalfoundries Inc. | Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making |
| US9298081B2 (en) * | 2013-03-08 | 2016-03-29 | Globalfoundries Inc. | Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making |
| KR102101837B1 (ko) * | 2013-06-11 | 2020-04-17 | 삼성전자 주식회사 | 포토마스크, 포토마스크의 레지스트레이션 에러 보정 방법, 포토마스크를 이용하여 제조된 집적 회로 및 그 제조 방법 |
| US9075316B2 (en) * | 2013-11-15 | 2015-07-07 | Globalfoundries Inc. | EUV mask for use during EUV photolithography processes |
| JP6301127B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| US9195132B2 (en) * | 2014-01-30 | 2015-11-24 | Globalfoundries Inc. | Mask structures and methods of manufacturing |
| US9581889B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor |
| JP6601118B2 (ja) * | 2014-10-20 | 2019-11-06 | Ａｇｃ株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ならびに、その検査方法および製造方法 |
| KR102296739B1 (ko) * | 2014-10-27 | 2021-09-01 | 삼성전자 주식회사 | 포토마스크용 세정 조성물을 이용한 집적회로 소자 제조 방법 |
| TWI774375B (zh) * | 2016-07-27 | 2022-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
| US10996553B2 (en) * | 2017-11-14 | 2021-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask with reduced wafer neighboring effect and method of manufacturing the same |
-
2017
- 2017-10-16 US US15/784,408 patent/US10802393B2/en active Active
- 2017-12-07 DE DE102017222103.8A patent/DE102017222103B4/de active Active
-
2018
- 2018-01-15 CN CN201810034864.3A patent/CN109669318B/zh active Active
- 2018-01-26 TW TW107102967A patent/TWI736737B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201327669A (zh) * | 2011-10-13 | 2013-07-01 | Applied Materials Inc | 蝕刻用於形成光罩之ｅｕｖ反射多重材料層之方法 |
| TW201518855A (zh) * | 2013-11-15 | 2015-05-16 | S&S Tech Co Ltd | 極紫外線微影用空白罩幕以及使用該空白罩幕的光罩 |
| TW201706708A (zh) * | 2015-05-29 | 2017-02-16 | 先進遮罩科技中心有限兩合公司 | 反射型光罩及對應其之反射型遮罩空白板 |
| TW201830122A (zh) * | 2016-07-27 | 2018-08-16 | 應用材料股份有限公司 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10802393B2 (en) | 2020-10-13 |
| US20190113836A1 (en) | 2019-04-18 |
| DE102017222103A1 (de) | 2019-04-18 |
| CN109669318B (zh) | 2022-09-06 |
| TW201917773A (zh) | 2019-05-01 |
| DE102017222103B4 (de) | 2020-12-24 |
| CN109669318A (zh) | 2019-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI736737B (zh) | 極紫外光（ｅｕｖ）微影光罩 | |
| CN104820339B (zh) | 掩膜结构及其制法 | |
| US9612523B2 (en) | Structure and method for reflective-type mask | |
| KR102331865B1 (ko) | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP4532533B2 (ja) | Ｅｕｖ露光用マスクブランクおよびｅｕｖ露光用マスク | |
| US20190146331A1 (en) | Extreme ultraviolet mask with reduced mask shadowing effect and method of manufacturing the same | |
| US20110244378A1 (en) | Device and method for providing wavelength reduction with a photomask | |
| US11846880B2 (en) | Extreme ultraviolet mask and method for forming the same | |
| US9436078B2 (en) | Method for a low profile etchable EUV absorber layer with embedded particles in a photolithography mask | |
| KR100998670B1 (ko) | 극자외선리소그래피에 사용되는 마스크 및 제조 방법, 노광방법 | |
| TWI777355B (zh) | 用於極紫外光之反射式空白罩幕以及光罩 | |
| WO2004032204A3 (en) | Method of making an integrated circuit using a photomask having a dual antireflective coating | |
| JP2010122304A (ja) | 反射型マスクブランクス、反射型マスク、反射型マスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法 | |
| KR102285099B1 (ko) | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 포토마스크 | |
| US9069253B2 (en) | Mask structure | |
| JP2017054070A (ja) | Ｅｕｖマスクの製造方法 | |
| CN114859650A (zh) | Euv光刻用表膜及其制造方法 | |
| CN107526246B (zh) | 掩模及形成掩模的方法 | |
| JP2018146760A5 (zh) | ||
| US20130071778A1 (en) | Extreme ultraviolet mask and method of manufacturing the same | |
| JP2014204065A (ja) | Ｅｕｖマスクブランクの作製方法、ｅｕｖマスクブランクの製造装置およびｅｕｖマスクブランク | |
| KR100884978B1 (ko) | 반사형 마스크 및 그 제조 방법 | |
| JP2010224296A (ja) | マスク、マスクの作成方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR20100019706A (ko) | Ｅｕｖ 노광마스크 및 그 형성 방법 | |
| JP2018013616A (ja) | 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法 |