TWI731912B - 基於介電質鏡的多光譜濾光器陣列 - Google Patents

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Abstract

一種光學感測器裝置可以包含一組光學感測器。該光學感測器裝置可以包含一基板。該光學感測器裝置可以包含一被設置在該基板上的一多光譜濾光器陣列。該多光譜濾光器陣列可以包含一被設置在該基板上的第一介電質鏡。該多光譜濾光器陣列可以包含一被設置在該第一介電質鏡上的分隔片。該分隔片可以包含一組層。該多光譜濾光器陣列可以包含一被設置在該分隔片上的第二介電質鏡。該第二介電質鏡可以對準一組感測器元件中的二或更多個感測器元件。

Description

基於介電質鏡的多光譜濾光器陣列
本申請案關於一種基於介電質鏡的多光譜濾光器陣列。
多光譜成像裝置可被用來捕捉多光譜影像資料。舉例來說，多光譜成像裝置可以捕捉和一組電磁頻率有關的影像資料。多光譜成像裝置可以包含用以捕捉影像資料的一組感測器元件(舉例來說，光學感測器、光譜感測器、及/或影像感測器)。舉例來說，一感測器元件陣列可被用來捕捉和多個頻率有關的資訊。該感測器元件陣列中的一特殊感測器元件可能和一濾光器相關聯，其會限定被引導至該特殊感測器元件的頻率範圍。
根據某些可能施行方式，一光學感測器裝置可以包含一組光學感測器。該光學感測器裝置可以包含一基板。該光學感測器裝置可以包含一被設置在該基板上的一多光譜濾光器陣列。該多光譜濾光器陣列可以包含一被設置在該基板上的第一介電質鏡。該多光譜濾光器陣列可以包含一被設置在該第一介電質鏡上的分隔片。該分隔片可以包含一組層。該多光譜濾光器陣列可以包含一被設置在該分隔片上的第二介電質鏡。該第二介電質鏡可以對準一組感測器元件中的二或更多個感測器元件。
根據某些可能施行方式，一光學濾光器可以包含一第一層。 該第一層可以為一第一介電質鏡，用以反射被引導至該第一層的光的一部分。該第一層可以被沉積在一和一組光學感測器相關聯的基板上。該光學濾光器可以包含一第二組層。該第二組層可以單獨被沉積在該第一層上。該第二組層可以和對應於一組感測器元件的一組通道相關聯。該組通道中的一通道可以和一特殊厚度相關聯，該厚度對應於要被引導至該組光學感測器中的一特殊光學感測器的光的特殊波長。該光學濾光器可以包含一第三層。該第三層可以為一第二介電質鏡，用以反射被引導至該第三層的光的一部分。該第三層可以被沉積在和該第二組層相關聯的感測器元件組中的複數個感測器元件上。
根據某些可能施行方式，一系統可以包含被埋置在一基板之中的一組光學感測器。該系統可以包含一被沉積在該基板上的多光譜濾光器陣列。該多光譜濾光器陣列可以包含一第一介電質鏡，用以部分反射來自一光源的光。該第一介電質鏡可以包含一由高折射率層與低折射率層組成的第一四分之一波長堆疊。該多光譜濾光器陣列可以包含一第二介電質鏡，用以部分反射來自該光源的光。該第二介電質鏡可以包含一由高折射率層與低折射率層組成的第二四分之一波長堆疊。該多光譜濾光器陣列可以包含被設置在該第一介電質鏡與該第二介電質鏡之間的複數個高折射率分隔層。
100:範例施行方式
105:多光譜濾光器
110-1:第一介電質鏡
110-2:第二介電質鏡
120:分隔片
130-1:分隔層
130-2:分隔層
130-3:分隔層
130-4:分隔層
130-5:分隔層
306:基板
308:感測器元件
312:第一鏡結構
316:第一分隔層
320:第二分隔層
324:第三分隔層
328:鏡結構
330:透鏡
332:帶外阻隔層
334:抗反射塗佈層
401:濾光器陣列
402:層
404:層
406:層
408:層
421:濾光器陣列
422:層
424:層
426:層
428:層
441:濾光器陣列
442:層
444:層
446:層
448:層
501:濾光器陣列
502:層
504:層
506:層
508:層
511:通道
512:通道
513:通道
514:通道
522:層
524:層
526:層
528:層
532:通道
533:通道
534:通道
602:玻璃晶圓
604:層
圖1係本文中所述範例施行方式略圖；圖2係用於製造一具有多光譜濾光器陣列的感測器裝置的範例製程圖； 圖3A至3C係和圖2中所示範例製程有關的範例施行方式圖；圖4A至4C係和圖2中所示範例製程有關的另一範例施行方式圖；圖5A與5B係和圖2中所示範例製程有關的另一範例施行方式圖；以及圖6A與6B係和圖2中所示範例製程有關的另一範例施行方式圖。
下面的範例施行方式詳細說明參考附圖。不同圖式中的相同元件符號可以表示相同或雷同元件。
感測器元件(舉例來說，光學感測器)可以被併入於一光學感測器裝置之中，用以取得關於一組電磁頻率的資訊(舉例來說，光譜資料)。舉例來說，光學感測器裝置可以包含一特殊的感測器元件，例如，一影像感測器、一多光譜感測器、或是類似物，其實施被引導至該特殊感測器元件的光的感測器測量。於此情況中，該光學感測器裝置可以運用一或更多個影像感測器技術，例如，使用互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)技術的影像感測器、使用電荷耦合裝置(Charge-Coupled Device，CCD)技術的影像感測器、或是類似技術。該光學感測器裝置可以包含多個感測器元件(舉例來說，一感測器元件陣列、一感測器元件超陣列、一分散式感測器元件陣列等)，每一個皆被配置成用以取得影像資料。除此之外，或替代地，該光學感測器裝置可以包含一組感測器元件(舉例來說，多個光學感測器)，其被配置成用以取得一組影像，每一個影像皆和一不同的光波長相關聯。
一感測器元件可以和一濾光器相關聯，其會過濾該感測器元 件的光。舉例來說，該感測器元件可以對準一線性可變濾光器(Linear Variable Filter，LVF)、一圓形可變濾光器(Circular Variable Filter，CVF)、一法布里-珀羅濾光器、或是類似物，用以過濾被引導至該光學感測器的光的一部分。然而，可能難以利用LVF或CVF來整合一濾光器陣列或是配合一半導體來圖案化一濾光器。又，用於多光譜感測的某些濾光器組可能有相對高的角度偏移值、相對小的光譜範圍、或是類似缺點，其可能縮小能夠被捕捉的資訊的光譜範圍或是降低被捕捉的資訊的精確性。再者，諸如溫度或類似物的環境條件亦可能因導致濾光器偏移被引導至該感測器元件的光波長而影響感測器元件的操作。
本文中所述的施行方式可以運用一利用介電質鏡的有環境耐用性多光譜濾光器陣列，例如，用於多光譜感測的四分之一波長堆疊型鏡或分散式布拉格反射型鏡。依此方式，一光學濾光器可讓一光學感測器裝置相對於一或更多種其它類型濾光器具備改良的耐用性、改良的光譜範圍、改良的熱偏移、改良的透射率、以及低角度偏移。又，亦可相對於一或更多種其它類型濾光器減低將一濾光器併入於基於半導體的感測器元件或感測器元件陣列上的困難度。
圖1所示的係本文中所述範例施行方式100的略圖。如圖1中所示，一多光譜濾光器105可以包含一第一介電質鏡110-1、一第二介電質鏡110-2、以及一分隔片120。
如圖1中進一步所示，第一介電質鏡110-1與第二介電質鏡110-2可以夾住分隔片120。換言之，分隔片120可以分離第一介電質鏡110-1與第二介電質鏡110-2一臨界距離，及/或分隔片120的面可被第一介電質鏡 110-1與第二介電質鏡110-2至少部分封閉。於某些施行方式中，介電質鏡110可以和一特殊材料相關聯。舉例來說，介電質鏡110可以為介電材料的沉積層，用以形成一四分之一波長堆疊(舉例來說，一組被沉積的氫化矽層或二氧化矽層)。介電質鏡110-2可以對準和該多光譜濾光器陣列的每一條通道相關聯的一感測器元件陣列中的每一個感測器元件。
於某些施行方式中，分隔片120可以包含一或更多個分隔層130。舉例來說，分隔片120可以包含一組分隔層130-1至130-5(舉例來說，介電層)。於某些施行方式中，一或更多層130的厚度可以和確保一特殊波長之最小分隔片厚度相關聯。
於某些範例中，例如，要被引導至一或更多個感測器的842奈米(nm)波長，層130-1可以和厚度108.5nm相關聯。依此方式，分隔片120為要被引導至一或更多個感測器元件的光波長確保介電質鏡110之間的最小分離距離。於某些施行方式中，一或更多個分隔層130的厚度可以二元級數(binary progression)為基礎相關。舉例來說，分隔層130-2可以和約26.9奈米(nm)的厚度相關聯，分隔層130-3可以和約13.5nm的厚度相關聯，分隔層130-4可以和約6.7nm的厚度相關聯，以及分隔層130-5可以和約3.4nm的厚度相關聯。
於某些施行方式中，多光譜濾光器105可以被沉積在和感測器系統的光學感測器裝置相關聯的一基板上。舉例來說，介電質鏡110-1可以被沉積在(舉例來說，透過沉積製程及/或光微影剝離製程)一基板上，其包含一用以捕捉資訊(舉例來說，光譜資料)的感測器元件陣列。於某些施行方式中，分隔片120可以允許捕捉和多個波長有關的資訊。舉例來說，對準 第一感測器元件(舉例來說，一背照射光學感測器或前照射光學感測器)的第一部分分隔片120可以和第一厚度相關聯，以及對準第二感測器元件的第二部分分隔片120可以和第二厚度相關聯。於此情況中，被引導至該第一感測器元件和該第二感測器元件的光可以對應以該第一厚度為基礎的第一感測器元件處的第一波長以及以該第二厚度為基礎的第二感測器元件處的第二波長。於某些施行方式中，介電質鏡110-1及/或110-2可以對準該感測器系統的感測器元件，例如，該些感測器元件中的多數、全部、或是類似數量。依此方式，多光譜濾光器105允許藉由一光學感測器裝置進行多光譜感測，該光學感測器裝置使用一和對準該光學感測器裝置的多個感測器元件的多個部分(該些部分和多個厚度相關聯)相關聯的分隔片(舉例來說，分隔片120)。
如上面所示，圖1僅被提供為範例。可能有其它範例並且可以不同於針對圖1所述範例。
圖2所示的係用於製造一具有多光譜濾光器陣列(例如，圖1中所示的多光譜濾光器105)的光學成感測器置的範例製程200的流程圖。製程200可以應用於設計一具有多光譜濾光器陣列的光學感測器裝置，其被用來捕捉關於一光譜測量的資訊。圖3A至3C所示的係和圖2中所示範例製程200有關的範例施行方式圖300。
如圖2中所示，製程200可以包含於一光學感測器裝置上開始製造(方塊210)。舉例來說，如圖3A中和元件符號304所示，一基板306可以包含被埋置在基板306之中的一組感測器元件308。於某些施行方式中，基板306可以和一特殊組成物相關聯。舉例來說，基板306可以包含一 基於矽的基板。於另一範例中，基板306可以包含一基於玻璃的基板，並且感測器元件308被設置在一基於矽的晶圓之中，該晶圓被黏接至該基於玻璃的基板，如本文中針對圖8A與8B的說明。除此之外，或替代地，基板306可以和一多光譜濾光器陣列相關聯，該陣列在相對高溫條件下和一相對低角度偏移相關聯(舉例來說，耐熱濾光器陣列)。
於某些施行方式中，基板306可以包含一或更多條導體路徑(圖中並未顯示)，用以提供由該組感測器元件308所取得的資訊。舉例來說，基板306可以包含一組導體路徑，其允許基板306被鑲嵌至另一裝置並且從該組感測器元件308提供資料至該另一裝置，例如，相機裝置、掃描裝置、測量裝置、處理器裝置、微控制器裝置、或類似物。於某些施行方式中，基板306可以和多個基板材料層相關聯。舉例來說，基板306可以包含一多層基板，其中一層和接收該組感測器元件308相關聯。
於某些施行方式中，基板306可以和一特殊類型感測器元件308相關聯。舉例來說，基板306可以和一或更多個光二極體(舉例來說，光二極體陣列)、一感測器陣列中的一或更多個感測器元件相關聯，用以塗佈或是靠近CMOS技術、CCD技術、或是類似技術。於某些施行方式中，感測器元件308可以包含一組背照射光學感測器。於此情況中，基板306可以薄於其它組態，從而允許光經由一矽表面被引導至該些光學感測器。
如圖2中進一步所示，製程200可以包含沉積一多光譜濾光器陣列中的多層於一和該光學感測器裝置相關聯的基板上(方塊220)。舉例來說，如圖3A中進一步和元件符號310所示，一第一鏡結構312可以被沉積在基板306上。於某些施行方式中，第一鏡結構312可以為一介電質鏡， 其被設置成對準該光學感測器裝置的一組感測器元件(舉例來說，感測器元件308)。於某些施行方式中，第一鏡結構312可以和一均勻厚度相關聯。於某些施行方式中，第一鏡結構312可以被設置在基板306的一臨界鄰近區域內，例如，被設置在基板306和第一鏡結構312之間的一中間層上。換言之，第一鏡結構312未必被設置在基板306上，而可以被設置在基板306和第一鏡結構312之間的一中間層上。
於某些施行方式中，鏡結構312可以和一特殊組成物相關聯，例如，介電質組成物。舉例來說，第一鏡結構312可以運用基於氧化物的材料(舉例來說，高折射率氧化物，例如，Nb2O5、Ta2O5、TiO2、HfO2、或類似物，或是低折射率氧化物，例如，SiO2、Al2O3、或類似物)、基於氮化物的材料(舉例來說，Si3N4)、基於鍺的材料、基於矽的材料(舉例來說，基於氫化矽的材料或基於碳化矽的材料)、或是類似物。
於某些施行方式中，鏡結構312可以包含部分透明的材料。舉例來說，鏡結構312可以允許第一部分的光(舉例來說，第一波長帶)被引導至該組感測器元件308並且允許第二部分的光(舉例來說，第二波長帶)被重新引導離開該組感測器元件308。於某些施行方式中，鏡結構312及/或一或更多個其它層可以利用脈衝磁控濺鍍沉積製程、剝離製程、或是類似製程被沉積在基板306上或是另一層上。舉例來說，一塗佈平台可以和以選擇材料的折射率及鏡的所希望波長為基礎的厚度相關聯。同樣地，一塗佈平台可以和一特殊半導體晶圓尺寸(舉例來說，200毫米(mm)晶圓或300mm晶圓)相關聯，並且可以運用脈衝磁控來實施本文中所述之具有一特殊厚度的層的沉積(舉例來說，某些分隔層為小於5奈米(nm)的厚度、小於2nm的 厚度、或是小於1nm的厚度、以及其它厚度，例如，其它分隔層為大於5nm、或是大於100nm的厚度)。
於某些施行方式中，一分隔片的一組分隔層可以被沉積用以分離鏡結構312和另一鏡結構。舉例來說，如圖3A中進一步和元件符號314所示，一凹部的一第一分隔層316可以被沉積在鏡結構312上(舉例來說，利用脈衝磁控濺鍍沉積製程)。於某些施行方式中，第一分隔層316可以圖案化技術為基礎被沉積在鏡結構312上。舉例來說，可以運用剝離製程來形成具有特殊厚度的第一分隔層316。第一分隔層316及/或另一分隔層可以完全被設置在鏡結構312上。舉例來說，第一分隔層316可以包含一或更多個離散部分，它們在一連續介電質鏡上形成一連續的分隔層。於此情況中，第一分隔層316及/或一或更多個其它分隔層可以形成對準該組感測器元件308的複數條通道，成為一組具有第一鏡結構312和另一鏡結構的完整層，如本文中所述，將光引導至對應複數個感測器元件308。
於某些施行方式中，如本文中所述，和第一鏡結構312及另一鏡結構相關聯的第一分隔層316可以和實施一特殊濾光功能相關聯。於某些施行方式中，以來自一光源的所希望光譜範圍(舉例來說，被傳導至該些光學感測器的介於約380奈米和約1100奈米之間)或低角度偏移需求為基礎，第一分隔層316及/或一或更多個其它分隔層可以運用基於氧化物的材料(舉例來說，針對可見光譜範圍的氧化鈮鈦(NbTiOx)、氧化鈮、氧化鈦、氧化鉭、或是它們的組合)、基於氮化物的材料(舉例來說，氮化矽)、基於矽的材料(舉例來說，用在大於650nm的光譜範圍中的氫化矽(SiH)、碳化矽(SiC)、或是矽(Si))、基於鍺(Ge)的材料(舉例來說，針對紅外光譜範圍)、或 是類似物。於某些施行方式中，第一分隔層316可以運用一特殊材料而相對於其它材料達成角度偏移降低。舉例來說，相對於使用基於二氧化矽(SiO2)的材料，運用基於Si-H的材料可以導致低角度偏移。於另一範例中，第一分隔層316可以運用另一類型的氧化物材料、氮化物材料、氟化物材料、或是類似物。於某些施行方式中，該光源可以在特殊光譜範圍處(舉例來說，介於約700奈米和約1100奈米之間)產生光。
於某些施行方式中，鏡結構312及/或一或更多個其它鏡結構以及第一分隔層316及/或一或更多個其它分隔層可以選擇為用以最大化一組分隔層和一組鏡之間的折射率比。舉例來說，該光學感測器裝置可以運用基於二氧化矽(SiO2)的材料(在890nm處的折射率約1.47)作為該介電質鏡中的低折射率層材料，並且可以運用基於氫化矽(Si：H)的材料(在890nm處的折射率約3.66)作為該介電質鏡中的高折射率層材料。同樣地，該光學感測器裝置可以運用基於氧化鈮鈦(NbTiOx)的材料(在890nm處的折射率約2.33)。舉例來說，鏡結構312及/或一或更多個其它鏡結構可以運用基於二氧化矽的材料及/或基於氫化矽的材料來提供相對大的光譜範圍，而第一分隔層316及/或一或更多個其它分隔層可以運用基於氫化矽的材料或基於氧化鈮鈦、氧化鉭、氧化鈮、氧化鈦、或它們的混合物、或類似物的材料來提供相對低的熱偏移。
如圖3B中和元件符號318所示，一第二分隔層320可以被沉積在第一分隔層316上。舉例來說，第二分隔層320可以利用下面製程被沉積：反應磁控濺鍍製程、脈衝磁控濺鍍製程、離子束輔助沉積製程、離子束濺鍍製程、雙離子束濺鍍製程、反應直流濺鍍製程、交流濺鍍製程、 射頻濺鍍製程、原子層沉積製程、或是類似製程。本文中雖然已經說明特殊的層沉積順序；不過，亦可以運用其它層沉積順序。
於某些施行方式中，第二分隔層320可以和與第一分隔層316有關的厚度相關聯。舉例來說，當第一分隔層316和第一厚度t0相關聯時，第二分隔層320可以被沉積為第二厚度t1。於某些施行方式中，第二分隔層320可以被沉積在一部分的第一分隔層316上。舉例來說，以一組通道(舉例來說，針對和該組通道相關聯的一組感測器元件308)所希望的分隔片厚度排列為基礎，第二分隔層320可以被沉積在第一分隔層316的一表面的一子集上，用以讓一第一感測器元件308和一第一分隔片厚度相關聯並且讓一第二感測器元件308和一第二分隔片厚度相關聯，從而允許第一感測器元件308捕捉和第一波長相關聯的資訊並且允許第二感測器元件308捕捉和第二波長相關聯的資訊。除此之外，或替代地，一第一層可以被沉積並且可以覆蓋一組感測器元件，一第二層可以被沉積並且可以覆蓋該組感測器元件的一半，一第三層可以被沉積並且可以覆蓋該組感測器元件的一部分，…等。關於一組分隔層之圖案化的進一步細節會參考圖4A至4C以及圖5A與5B來說明。
如圖3B中進一步和元件符號322所示，一第三分隔層324可以被沉積在第二分隔層320及/或第一分隔層316上。舉例來說，第三分隔層324及/或一或更多個接續分隔層(圖中並未顯示)可以被沉積。於某些施行方式中，第三分隔層324(及/或一或更多個其它分隔層n，其中，n
Figure 105143892-A0305-02-0014-2
2)可以和前一層(對第三分隔層324來說為第二分隔層320)的一半厚度相關聯。換言之，第三分隔層324可以有第二分隔層320的厚度的1/2厚度。於某些施 行方式中，第三分隔層324可以選擇性被沉積在第一分隔層316及/或第二分隔層320的一部分上。舉例來說，第三分隔層324的第一部分可以被沉積在第一分隔層316的一部分上並且第三分隔層324的第二部分可以被沉積在第二分隔層320的一部分上，從而允許多個感測器元件308和多個分隔片厚度相關聯並且捕捉和多個波長相關聯的資訊。
如圖3B中進一步和元件符號326所示，一鏡結構328可以被沉積。舉例來說，鏡結構328可以被沉積在一或更多層(舉例來說，第一分隔層316、第二分隔層320、第三分隔層324、或是其它接續層)的一或更多個部分上。於某些施行方式中，鏡結構328可以為一介電質鏡，其被設置對準該光學感測器裝置的光學感測器(舉例來說，感測器元件308)。以被沉積的分隔層316、320、以及324為基礎，鏡結構328會藉由一凹部與鏡結構312分離。依此方式，光可以一或更多個波長被引導至一或更多個感測器元件308。於某些施行方式中，另一層可以被沉積在鏡結構328與分隔層324之間。舉例來說，一薄膜層或類似物可以被沉積用以實施一或更多項功能。
如圖3C中所示，在沉積透鏡330之前可以先沉積一組帶外阻隔層332(舉例來說，一組用於形成經圖案化阻隔器的層)。或者，可以沉積一組抗反射塗佈層334。於此情況中，如圖3C中所示，鏡結構328可以被沉積在抗反射塗佈層334上。於某些施行方式中，可以沉積多個離散的濾光器塗層。除此之外，或替代地，可以沉積單一阻隔器用以抑制多個波長、多條通道、或類似物的帶外光。
如圖2中進一步所示，於某些施行方式中，製程200可以包 含沉積和該多光譜濾光器陣列相關聯的一或更多個其它層(方塊230)。舉例來說，一濾光器，例如，抗反射塗層濾光器(舉例來說，抗反射塗層)、帶外阻隔濾光器(舉例來說，帶外阻隔層)、高階抑制濾光器(舉例來說，高階抑制層)、或是類似物可以被沉積在鏡結構328上，如本文中的詳細說明。如圖2中的進一步所示，製程200可以包含以多光譜濾光器陣列來完成該光學感測器裝置(方塊240)。舉例來說，如圖3B中進一步和元件符號326所示，一組透鏡330可以被附接至鏡結構328。舉例來說，一特殊透鏡330(例如，玻璃透鏡、塑膠透鏡、或是類似透鏡)可以被附接至鏡結構328，用以改變被引導至一對應感測器元件308的光的特徵，例如，用以聚焦光、扭曲光、引導光、提高可以進入該光學感測器裝置的光的角耐性、提高被引導至該光學感測器裝置的感測器元件308的光的數額、或是類似特徵。
依此方式，可以利用介電質鏡及/或四分之一波長堆疊建構一多光譜法布里-珀羅濾光器陣列。除此之外，或替代地，以運用介電質鏡為基礎可以相對於運用不同類型的鏡達成相對大的光譜範圍。除此之外，或替代地，以利用氧化鈮鈦分隔層為基礎可以相對於運用不同類型分隔片達成相對低的熱偏移而不會實質上縮減該多光譜濾光器陣列的阻隔範圍。除此之外，或替代地，以運用脈衝磁控濺鍍製程及/或剝離製程為基礎，該濾光器陣列可以被併入於一具有半導體基板的光學感測器裝置之中，不會有太多製造難度。
圖2雖然顯示製程200的範例方塊；但是，於某些施行方式中，製程200可以包含額外方塊、較少方塊、不同方塊、或是不同圖2中所示排列的方塊。除此之外，或替代地，製程200的方塊中的二或更多者可 以平行實施。如上面所示，圖3A至3C僅被提供作為範例。其它範例亦為可能並且可以不同於參考圖3A至3C所述的範例。
圖4A至4C所示的係和圖2中所示範例製程200有關的範例施行方式圖400。圖4A至4C所示的係一多光譜濾光器的濾光器陣列佈局範例。
如圖4A中所示，一濾光器陣列401可以和一組層相關聯。濾光器陣列401可以為一4x4濾光器陣列，其包含對應於16個感測器元件的16條通道(舉例來說，光學通道)。於某些施行方式中，濾光器陣列401對應於圖1中以剖面所示的範例多光譜濾光器105。於某些施行方式中，每一條通道可以和一感測器陣列相關聯。舉例來說，一通道可以包含一感測器陣列，其具有和捕捉關於利用該通道被引導的光的資訊相關聯的一組感測器元件。於某些施行方式中，每一條通道可以和每一分隔層的一特殊厚度相關聯。一通道的一組分隔層的厚度可以要被對應於該通道的光學感測器捕捉的資訊的所希望波長為基礎來選擇。於某些施行方式中，該4x4濾光器陣列(舉例來說，或是其它維度的濾光器陣列)可以和一特殊圖案化相關聯，例如，馬賽克圖案(舉例來說，快照拜耳馬賽克圖案)、拼磚圖案(舉例來說，快照拼磚圖案)、直線圖案(舉例來說，連續直線掃描圖案或不連續直線掃描圖案)、或是類似圖案。
以要被該光學感測器捕捉的光譜範圍為基礎可以決定被該4x4濾光器陣列的鏡夾住的分隔層的厚度：t max =2 * (λ max /(4 * n ref ))；t min =2 * (λ min /(4 * n ref ))； 其中，tmax代表用以分離資訊要被捕捉的最高中央波長的一組鏡結構的分隔層的總厚度，λmax代表影像資料要被捕捉的最高中央波長，nref代表分隔層的折射率，tmin代表用以分離影像資料要被捕捉的最低中央波長的一組鏡結構的分隔層的總厚度，以及λmin代表影像資料要被捕捉的最低中央波長。
要被沉積用以形成該組通道(舉例來說，該4x4濾光器陣列的16條通道)的分隔層的層數可以下面公式來決定：c=2x；其中，c代表能夠針對要被沉積的給定數量(x)分隔層所創造的通道的最大數量。於某些施行方式中可能會針對一特殊數量分隔層選擇小於最大數量的通道。舉例來說，沉積4個分隔層雖然可能創造最多16條通道；不過，亦可以為該4個分隔層選擇其它數量的通道，例如，9條通道、10條通道、或是類似數量。於此情況中，一或更多條通道可以被省略或複製。舉例來說，當一特殊光學感測器和捕捉關於一特殊波長的影像資料的不良效能相關聯的話，關於該特殊波長的資訊可以被和多條通道相關聯的多個光學感測器捕捉，以便改良該資訊的精確性。
一特殊通道(舉例來說，於一組等距通道中)的該些分隔層中的每一層的厚度可以下面公式來決定：t0=tmin；t1=(c/2)/((c-1)*2*nref)*(λmax-λmin)；tn=tn-1/2；n=log2(c)；其中，tn代表第n層的厚度(舉例來說，t0為第一層的厚度而t1為第二層的厚 度)以及c代表一組通道中的一通道的通道數量。於某些施行方式中可以運用一組非等距通道。舉例來說，可以選擇通道的不連續圖案化，用以取得關於第一組波長和與該第一組波長不連續的第二組波長的資訊。於此情況中，仍然可以決定tmin和tmax，但是，可以選擇一不同組的中間層。於某些施行方式中可以運用不同數量的通道。除此之外，或替代地，可以配合具有共同厚度的多條通道來運用通道的圖案化，從而允許多個光學感測器捕捉關於一共同光波長的資訊。
如元件符號402所示，濾光器陣列401包含一層402(舉例來說，介於第一鏡結構與第二鏡結構之間的一分隔層的層)，N，其每一條通道皆與一特殊厚度相關聯，以便讓一特殊波長的光被引導至一對應光學感測器。舉例來說，層402的第一群通道和厚度8*t4相關聯，其表示一厚度為8*t4(其中，t4代表第四層的厚度)的層會被沉積(舉例來說，被沉積在一第一鏡結構上或另一層上(例如，要被沉積在該第一鏡結構上的基於氧化物的保護層))。同樣地，層402的第二群通道和厚度0*t4相關聯，其表示對此些通道來說，沉積會被實施，但是會使用剝離來移除所沉積的材料。
如圖4A中進一步和元件符號404所示，一層404，N+1，被沉積在層402上。層404包含和厚度4*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。於某些施行方式中，層404的厚度係以層402的厚度為基礎來選擇。舉例來說，當製造一多光譜濾光器時(舉例來說，和一二元級數濾光層相關聯的濾光器)，層404的厚度可以被選為層402的厚度的一半。於另一範例中可以運用層402與層404之間的另一種關係。舉例來說，層404可以為層402的厚度的75%，而接續層可以為層404的厚度的33%、 25%等。於另一範例中，層404可以為層402的厚度的50%，而接續層可以為層404的厚度的33%、層404的厚度的10%、或是類似關係。
如圖4A中進一步和元件符號406所示，一層406，N+2，被沉積在層404上。層406包含和厚度2*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號408所示，一層408，N+3，被沉積在層406上。層408包含和厚度1*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號410所示，濾光器陣列401的層N至N+3的厚度係以加總每一條通道中每一層的厚度為基礎來確認。舉例來說，以該二元級數以及濾光層排列為基礎，每一條通道可以和一不同的厚度相關聯，從而允許每一個對應的光學感測器捕捉關於一不同波長的資訊。其上設置著t1至tn的層厚度t0(舉例來說，tmin)可以和一關於哪個資訊(舉例來說，光譜資料)要被捕捉的光波長有關。
如圖4B中所示，一雷同的濾光器陣列421可以和一組層相關聯，該組層中的每一層和一或更多個厚度相關聯。如元件符號422所示，一層422，M，包含和厚度8*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號424所示，一層424，M+1，包含和厚度4*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號426所示，一層426，M+2，包含和厚度2*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號428所示，一層428，M+3，包含和厚度1*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號430所示，沉積層422、424、426、以及428的結果為濾光器陣列421的一組通道的一組厚度，其允許濾光器陣列421的光學感測器捕捉和一組波長 有關的影像資料。
如圖4C中所示，另一濾光器陣列441可能運用16條通道的線性排列，而非濾光器陣列401和濾光器陣列421的4x4排列。如元件符號442所示，一層442，L，包含和厚度8*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號444所示，一層444，L+1，包含和厚度4*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號446所示，一層446，L+2，包含和厚度2*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號448所示，一層448，L+3，包含和厚度1*t4相關聯的第一群通道以及和厚度0*t4相關聯的第二群通道。如元件符號450所示，沉積層442、444、446、以及448的結果為濾光器陣列441的一組通道的一組厚度，以便讓一組光學感測器捕捉和一組波長有關的影像資料。
如上面所示，圖4A至4C僅被提供作為範例。其它範例亦為可能並且可以不同於參考圖4A至4C所述的範例。
圖5A與5B所示的係和圖2中所示範例製程200有關的範例施行方式圖500。圖5A與5B所示的係一具有不均勻通道分隔距離的多光譜濾光器的濾光器陣列佈局範例。
如圖5A中所示，一濾光器陣列501(舉例來說，多光譜濾光器)可以運用非等距的通道佈局。舉例來說，如元件符號502至508所示，層502可以包含具有厚度10*t4的一群通道，層504可以包含具有厚度5*t4的一群通道，層506可以包含具有厚度3*t4的一群通道，以及層508可以包含具有厚度1*t4的一群通道。如元件符號510所示，沉積層502、504、506、 以及508的結果為每一條通道為非等距的一組厚度。舉例來說，通道511和厚度0*t4相關聯，通道512和厚度1*t4相關聯，通道513和厚度4*t4相關聯，以及通道514和厚度3*t4相關聯(舉例來說，和厚度2*t4相關聯的通道被省略)。依此方式，濾光器陣列501可以允許和濾光器陣列501相關聯的一組光學感測器捕捉關於一組不連續波長的資訊(舉例來說，沒有等距分離的一組波長)。
如圖5B中所示，一雷同的濾光器陣列521可以運用另一非等距的通道分隔距離。舉例來說，如元件符號522至528所示，層522可以包含具有厚度15*t4的一群通道，層524可以包含具有厚度4*t4的一群通道，層526可以包含具有厚度2*t4的一群通道，以及層528可以包含具有厚度1*t4的一群通道。如元件符號530所示，沉積層522、524、526、以及528的結果為非等距的一組通道的一組厚度。舉例來說，通道531和厚度2*t4相關聯，通道532和厚度6*t4相關聯，通道533和厚度21*t4相關聯，以及通道534和厚度17*t4相關聯(舉例來說，厚度8*t4至14*t4(含)的通道被省略)。通道532和通道533之間的不連續性允許和濾光器陣列521相關聯的一組光學感測器捕捉關於被分離一光譜量的兩個波長範圍的資訊，該光譜量不等於濾光器陣列521的其它通道之間的分離距離。
如上面所示，圖5A與5B僅被提供作為範例。其它範例亦為可能並且可以不同於參考圖5A與5B所述的範例。
圖6A與6B所示的係和圖2中所示範例製程200有關的範例施行方式圖600。
如圖6A中所示，感測器元件308可以在本文中所述的光學 感測器裝置的製造期間被設置在基板306中。一玻璃晶圓602可以被提供，其上可以沉積一組濾光器和分隔層，如本文中所述。
如圖6B中所示，在沉積一組層604於玻璃晶圓602上之後，玻璃晶圓602和層604會被黏接至基板306，如元件符號606所示。依此方式，層會被形成在一與感測器元件308分離的基板上並且被附接至感測器元件308。
如上面所示，圖6A與6B僅被提供作為範例。其它範例亦為可能並且可以不同於參考圖6A與6B所述的範例。
依此方式，可以為一光學感測器裝置製造一多光譜濾光器陣列，其被整合於該光學感測器裝置的一半導體基板上，其相對於其它濾光器結構提供低角度偏移、高光譜範圍，以及環境耐用性。
前面的揭示內容提供圖解與說明，但是並沒有竭盡性或限制施行方式於已揭刻版形式的用意。遵照上面的本揭示內容可以進行修正和變化，或者，可以從該些施行方式的實行中獲得修正和變化。
本文中配合臨界值說明某些施行方式。如本文中的用法，滿足一臨界值可以指一數值大於該臨界值、多於該臨界值、高於該臨界值、大於等於該臨界值、小於該臨界值、少於該臨界值、低於該臨界值、小於等於該臨界值、等於該臨界值等。
即使在申請專利範圍中敘述及/或在說明書中揭示多項特點的特殊組合，此些組合仍沒有限制可能施行方式之揭示內容的意圖。事實上，許多此些特點可以沒有在申請專利範圍中明確敘述及/或在說明書中揭示的方式組合。下面所列的每一依附申請項雖然可能僅直接依附於其中一 申請項；不過，可能施行方式的揭示內容則包含結合該申請項組之中的其它申請項的每一依附申請項。
除非另外明確說明；否則，本文中所使用的元件、動作、或指令不應被視為關鍵或基礎。另外，如本文中的用法，冠詞「一」有包含一或更多個項目的用意，並且可以和「一或更多個」互換使用。再者，如本文中的用法，「組」一詞有包含一或更多個項目的用意(舉例來說，相關項目、不相關項目、相關項目的組合、不相關項目的組合等)，並且可以和「一或更多個」互換使用。當為僅係其中一個項目的用意時，會使用「其中一」或雷同語言。另外，如本文中的用法，「具有」或類似語詞有開放性語詞的用意。進一步言之，除非另外明確敘述；否則，「以…為基礎」一詞有「至少部分以…為基礎」的用意。
100‧‧‧範例施行方式
105‧‧‧多光譜濾光器
110-1‧‧‧第一介電質鏡
110-2‧‧‧第二介電質鏡
120‧‧‧分隔片
130-1‧‧‧分隔層
130-2‧‧‧分隔層
130-3‧‧‧分隔層
130-4‧‧‧分隔層
130-5‧‧‧分隔層

Claims (20)

  1. 一種光學感測器裝置，其包括：一組光學感測器；基板；以及被設置在該基板上的多光譜濾光器陣列，該多光譜濾光器陣列包含：被設置在該基板上的第一介電質鏡，被設置在該第一介電質鏡上的分隔片，該分隔片包含一組層，被設置在該分隔片上的第二介電質鏡；以及其中，該第二介電質鏡對準一組感測器元件中的二或更多個感測器元件。
  2. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該第一介電質鏡有均勻的厚度。
  3. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該分隔片完全被設置在該第一介電質鏡上。
  4. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該第二介電質鏡對準該組感測器元件中的多數。
  5. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該第二介電質鏡覆蓋該組感測器元件中的全部。
  6. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該組層包括：一組分隔層， 該組分隔層中的第一層對應於對準該組光學感測器的一組光學通道中的第一通道並且和第一厚度相關聯，以及該組分隔層中的第二層對應於該組光學通道中的第二通道並且和不同於該第一厚度的第二厚度相關聯。
  7. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該第一介電質鏡和該第二介電質鏡包含下面至少其中一者：基於氫化矽的鏡；或基於二氧化矽的鏡。
  8. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該分隔片包含下面至少其中一者：基於氧化物的材料，基於氮化物的材料，基於鍺(Ge)的材料，或基於矽(Si)的材料。
  9. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該多光譜陣列的一或更多層為被沉積層，這些被沉積層利用脈衝磁控濺鍍製程或剝離製程被沉積在該基板上。
  10. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該基板為半導體基板或是基於玻璃的基板；以及其中，該組光學感測器進一步包括下面至少其中一者：被設置在該基板上的光二極體陣列，被設置在該基板上的電荷耦合裝置(CCD)感測器陣列，或 被設置在該基板上的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)感測器陣列。
  11. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其進一步包括：被設置在該多光譜濾光片陣列上的一或更多個濾光層，用以過濾被引導至該組光學感測器的光，該一或更多個濾光層包含下面至少其中一者：一組帶外阻隔層，一組抗反射塗佈層，或一組高階抑制層。
  12. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該第一介電質鏡和該第二介電質鏡中的至少一者為四分之一波長堆疊鏡。
  13. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，當該光學感測器裝置曝露於光源時被引導至該組光學感測器的光的光譜範圍介於約700奈米和約1100奈米之間。
  14. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該第二組層包含基於氧化鈮鈦的材料。
  15. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該組層和一組通道相關聯；以及該組通道和一不均勻通道分離距離相關聯。
  16. 根據申請專利範圍第1項的光學感測器裝置，其中，該組光學感測器為一超陣列的複數個光學感測器。
  17. 一種光學濾光器，其包括： 第一層，該第一層為第一介電質鏡，用以反射被引導至該第一層的光的一部分，以及該第一層被沉積在和一組光學感測器相關聯的基板上；第二組層，該第二組層單獨被沉積在該第一層上，以及該第二組層和對應於一組感測器元件的一組通道相關聯，該組通道中的一通道和一特殊厚度相關聯，該厚度對應於要被引導至該組光學感測器中的一特殊光學感測器的光的特殊波長；以及第三層，該第三層為第二介電質鏡，用以反射被引導至該第三層的光的一部分，以及該第三層被沉積在和該第二組層相關聯的該組感測器元件中的複數個感測器元件上。
  18. 一種系統，其包括：被埋置在基板之中的一組光學感測器；以及被沉積在該基板上的多光譜濾光片陣列，該多光譜濾光片陣列包含：第一介電質鏡，用以部分反射來自光源的光，該第一介電質鏡包含由高折射率層與低折射率層組成的第一四分之一波長堆疊， 第二介電質鏡，用以部分反射來自該光源的光，該第二介電質鏡包含由高折射率層與低折射率層組成的第二四分之一波長堆疊；以及被設置在該第一介電質鏡與該第二介電質鏡之間的複數個高折射率分隔層。
  19. 根據申請專利範圍第18項的系統，其中，這些高折射率層為氫化層，而這些低折射率層為二氧化矽層。
  20. 根據申請專利範圍第18項的系統，其中，這些高折射率分隔層為下面至少其中一者：氫化矽層，氧化鉭層，氧化鈮層，或氧化鈦層。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10495516B2 (en) * 2015-06-30 2019-12-03 Imec Vzw Dedicated transformation spectroscopy
US9923007B2 (en) 2015-12-29 2018-03-20 Viavi Solutions Inc. Metal mirror based multispectral filter array
US9960199B2 (en) * 2015-12-29 2018-05-01 Viavi Solutions Inc. Dielectric mirror based multispectral filter array
US10247865B2 (en) 2017-07-24 2019-04-02 Viavi Solutions Inc. Optical filter
US10802185B2 (en) * 2017-08-16 2020-10-13 Lumentum Operations Llc Multi-level diffractive optical element thin film coating
US10712475B2 (en) 2017-08-16 2020-07-14 Lumentum Operations Llc Multi-layer thin film stack for diffractive optical elements
EP3462148B1 (en) * 2017-09-28 2023-09-06 ams AG Optical sensing device and method for manufacturing the optical sensing device
US10677972B2 (en) * 2017-12-08 2020-06-09 Viavi Solutions Inc. Multispectral sensor response balancing
US11009636B2 (en) * 2018-03-13 2021-05-18 Viavi Solutions Inc. Sensor window to provide different opacity and transmissivity at different spectral ranges
US10948640B2 (en) 2018-03-13 2021-03-16 Viavi Solutions Inc. Sensor window with a set of layers configured to a particular color and associated with a threshold opacity in a visible spectral range wherein the color is a color-matched to a surface adjacent to the sensor window
US11143803B2 (en) * 2018-07-30 2021-10-12 Viavi Solutions Inc. Multispectral filter
US10962694B2 (en) * 2018-11-02 2021-03-30 Viavi Solutions Inc. Stepped structure optical filter
US11366011B2 (en) 2019-02-13 2022-06-21 Viavi Solutions Inc. Optical device
CN109932058A (zh) * 2019-03-28 2019-06-25 浙江大学 一种基于阵列滤光片的微型光谱仪
CN110190078A (zh) * 2019-05-29 2019-08-30 中国科学院微电子研究所 一种高光谱图像传感器的单片集成方法
US11789188B2 (en) 2019-07-19 2023-10-17 Viavi Solutions Inc. Optical filter
KR20210014491A (ko) * 2019-07-30 2021-02-09 삼성전자주식회사 광 필터 및 이를 포함하는 분광기
US11914181B2 (en) 2020-04-08 2024-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical filter and spectrometer including the same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4756602A (en) * 1987-06-05 1988-07-12 Rockwell International Corporation Narrowband optical filter with partitioned cavity
JPH1062247A (ja) * 1996-08-26 1998-03-06 Yokogawa Electric Corp 分光装置
US6631033B1 (en) * 1999-01-29 2003-10-07 Qinetiq Limited Multilayer optical filters
US6841238B2 (en) * 2002-04-05 2005-01-11 Flex Products, Inc. Chromatic diffractive pigments and foils
US20070058182A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-15 Texas Instruments Incorporated Multiple spatial light modulators in a package
US20120327248A1 (en) * 2009-11-30 2012-12-27 Imec Integrated circuit for spectral imaging system
US20140014838A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-16 Karen Denise Hendrix Optical filter and sensor system
US8715443B2 (en) * 2010-11-22 2014-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method for producing spectroscopic sensor

Family Cites Families (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3442572A (en) 1964-08-25 1969-05-06 Optical Coating Laboratory Inc Circular variable filter
US3617331A (en) 1964-08-25 1971-11-02 Optical Coating Laboratory Inc Method for manufacture of rotatable variable filter
US3530824A (en) 1964-08-25 1970-09-29 Optical Coating Laboratory Inc Deposition apparatus including rotatable and orbital masking assembly
JPS57184937A (en) 1981-05-08 1982-11-13 Omron Tateisi Electronics Co Color discriminating element
US4822998A (en) * 1986-05-15 1989-04-18 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Spectral sensor with interference filter
JPH0785034B2 (ja) 1986-05-15 1995-09-13 ミノルタ株式会社 分光測定センサ
JPS6342429A (ja) * 1986-08-08 1988-02-23 Minolta Camera Co Ltd 分光測定センサ
US4957371A (en) 1987-12-11 1990-09-18 Santa Barbara Research Center Wedge-filter spectrometer
US5144498A (en) 1990-02-14 1992-09-01 Hewlett-Packard Company Variable wavelength light filter and sensor system
US5246803A (en) 1990-07-23 1993-09-21 Eastman Kodak Company Patterned dichroic filters for solid state electronic image sensors
US5784507A (en) 1991-04-05 1998-07-21 Holm-Kennedy; James W. Integrated optical wavelength discrimination devices and methods for fabricating same
US5872655A (en) 1991-07-10 1999-02-16 Optical Coating Laboratory, Inc. Monolithic linear variable filter and method of manufacture
US5337191A (en) 1993-04-13 1994-08-09 Photran Corporation Broad band pass filter including metal layers and dielectric layers of alternating refractive index
MY110915A (en) 1993-06-07 1999-06-30 Casio Computer Co Ltd Liquid crystal display device
US5905571A (en) 1995-08-30 1999-05-18 Sandia Corporation Optical apparatus for forming correlation spectrometers and optical processors
US5986808A (en) 1996-10-11 1999-11-16 California Institute Of Technology Surface-plasmon-wave-coupled tunable filter
US6297907B1 (en) 1997-09-02 2001-10-02 California Institute Of Technology Devices based on surface plasmon interference filters
EP0933925A3 (en) 1997-12-31 2002-06-26 Texas Instruments Inc. Photofinishing utilizing modulated light source array
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
JP4111288B2 (ja) * 1998-07-09 2008-07-02 Ｔｄｋ株式会社 波長選択型光検出器
US6215802B1 (en) 1999-05-27 2001-04-10 Blue Sky Research Thermally stable air-gap etalon for dense wavelength-division multiplexing applications
JP3383942B2 (ja) 1999-08-02 2003-03-10 Ｈｏｙａ株式会社 Ｗｄｍ光学フィルター用ガラス基板、ｗｄｍ光学フィルター、ｗｄｍ用光合分波器
US6638668B2 (en) 2000-05-12 2003-10-28 Ocean Optics, Inc. Method for making monolithic patterned dichroic filter detector arrays for spectroscopic imaging
US6574490B2 (en) 2001-04-11 2003-06-03 Rio Grande Medical Technologies, Inc. System for non-invasive measurement of glucose in humans
US6912330B2 (en) 2001-05-17 2005-06-28 Sioptical Inc. Integrated optical/electronic circuits and associated methods of simultaneous generation thereof
US6891685B2 (en) 2001-05-17 2005-05-10 Sioptical, Inc. Anisotropic etching of optical components
US20030087121A1 (en) 2001-06-18 2003-05-08 Lawrence Domash Index tunable thin film interference coatings
US7002697B2 (en) 2001-08-02 2006-02-21 Aegis Semiconductor, Inc. Tunable optical instruments
US6850366B2 (en) 2002-10-09 2005-02-01 Jds Uniphase Corporation Multi-cavity optical filter
CN1314949C (zh) 2003-04-09 2007-05-09 重庆大学 微型集成化法－珀腔阵列光谱探测器
JP2007501391A (ja) 2003-08-06 2007-01-25 ユニバーシティー オブ ピッツバーグ 表面プラズモンを増強するナノ光学素子及びこの製造方法
JP2005107010A (ja) 2003-09-29 2005-04-21 Hitachi Metals Ltd 多層膜光学フィルターの製造方法および多層膜光学フィルター
EP1671177A1 (en) 2003-10-07 2006-06-21 Aegis Semiconductor, Inc. Tunable optical filter with heater on a cte-matched transparent substrate
US7123796B2 (en) 2003-12-08 2006-10-17 University Of Cincinnati Light emissive display based on lightwave coupling
CN100405029C (zh) 2003-12-09 2008-07-23 重庆大学 微型集成化变折射率法-珀腔光谱探测器
EP1592067A4 (en) 2004-01-15 2007-05-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd TUBE-FREE PICTURE DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING A TUBE-FREE PICTURE DEVICE AND CAMERA THEREWITH
US7133197B2 (en) 2004-02-23 2006-11-07 Jds Uniphase Corporation Metal-dielectric coating for image sensor lids
KR20050103027A (ko) 2004-04-23 2005-10-27 매그나칩 반도체 유한회사 노치 필터를 갖는 이미지센서 및 그 제조 방법
US7879209B2 (en) 2004-08-20 2011-02-01 Jds Uniphase Corporation Cathode for sputter coating
US7521666B2 (en) 2005-02-17 2009-04-21 Capella Microsystems Inc. Multi-cavity Fabry-Perot ambient light filter apparatus
CN1306288C (zh) 2005-04-27 2007-03-21 中国科学院上海技术物理研究所 具有平整谐振腔层的滤光片列阵
US8084728B2 (en) 2005-07-06 2011-12-27 Capella Microsystems, Corp. Optical sensing device
JP2007019143A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置及びカメラ
US7406394B2 (en) 2005-08-22 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Spectra based endpointing for chemical mechanical polishing
US7315667B2 (en) 2005-12-22 2008-01-01 Palo Alto Research Center Incorporated Propagating light to be sensed
WO2007086155A1 (ja) * 2006-01-24 2007-08-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 固体撮像装置、信号処理方法及びカメラ
US7378346B2 (en) 2006-03-22 2008-05-27 Motorola, Inc. Integrated multi-wavelength Fabry-Perot filter and method of fabrication
KR100762204B1 (ko) 2006-04-25 2007-10-02 전자부품연구원 광학 다층 박막 제조방법
JP2007317750A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置
US8766385B2 (en) * 2006-07-25 2014-07-01 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Filtering matrix structure, associated image sensor and 3D mapping device
FR2904432B1 (fr) 2006-07-25 2008-10-24 Commissariat Energie Atomique Structure matricielle de filtrage optique et capteur d'images associe
US7701024B2 (en) * 2006-12-13 2010-04-20 Panasonic Corporation Solid-state imaging device, manufactoring method thereof and camera
KR100819706B1 (ko) 2006-12-27 2008-04-04 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법
WO2008085385A2 (en) 2006-12-29 2008-07-17 Nanolambda, Inc. Plasmonic fabry-perot filter
JP4958594B2 (ja) 2007-03-22 2012-06-20 富士フイルム株式会社 反射防止膜、光学素子および光学系
US7576860B2 (en) 2007-05-11 2009-08-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light filter having a wedge-shaped profile
CN102519589B (zh) 2007-06-08 2014-10-29 浜松光子学株式会社 分光器
JP4891841B2 (ja) 2007-06-08 2012-03-07 浜松ホトニクス株式会社 分光モジュール
WO2009009077A2 (en) 2007-07-10 2009-01-15 Nanolambda, Inc. Digital filter spectrum sensor
JP5017193B2 (ja) * 2008-06-30 2012-09-05 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びカメラ
US8896839B2 (en) 2008-07-30 2014-11-25 Pason Systems Corp. Multiplex tunable filter spectrometer
FR2937425B1 (fr) * 2008-10-22 2010-12-31 Commissariat Energie Atomique Structure de filtrage optique en longueur d'onde et capteur d'images associe
FR2939887B1 (fr) * 2008-12-11 2017-12-08 Silios Tech Dispositif de spectroscopie optique comportant une pluralite de sources d'emission
WO2010108086A2 (en) 2009-03-20 2010-09-23 Nanolambda, Inc. Nano-optic filter array based sensor
JP5440110B2 (ja) 2009-03-30 2014-03-12 株式会社リコー 分光特性取得装置、分光特性取得方法、画像評価装置、及び画像形成装置
WO2010146510A2 (en) 2009-06-17 2010-12-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Interference filters with high transmission and large rejection range for mini-spectrometer
CN101959091B (zh) 2009-07-15 2013-12-18 华为技术有限公司 一种数据传输方法、系统以及运营商边缘节点
US8730219B2 (en) 2009-10-30 2014-05-20 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US8559113B2 (en) * 2009-12-10 2013-10-15 Raytheon Company Multi-spectral super-pixel filters and methods of formation
JP2011198853A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Fujifilm Corp マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
JP5619666B2 (ja) 2010-04-16 2014-11-05 ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーションＪＤＳ Ｕｎｉｐｈａｓｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するためのリング・カソード
EP2593819B1 (de) 2010-07-15 2014-11-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Optisches bandpass-filtersystem, insbesondere für mehrkanalige spektralselektive messungen
JP2012042584A (ja) 2010-08-17 2012-03-01 Seiko Epson Corp 光フィルター、光フィルターモジュール、分光測定器および光機器
CN102798918B (zh) 2011-05-25 2016-08-03 苏州大学 一种反射式彩色滤光片
FR2977684A1 (fr) * 2011-07-08 2013-01-11 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation par impression d'un filtre pour une radiation electromagnetique
TW201317665A (zh) 2011-10-28 2013-05-01 Subtron Technology Co Ltd 光學觸控結構及其製作方法
AU2012330761B2 (en) 2011-11-03 2016-01-21 Verifood Ltd. Low-cost spectrometry system for end-user food analysis
CA2854605A1 (en) 2011-11-04 2013-05-10 Qiaoqiang Gan Photonic bandgap structures for multispectral imaging devices
EP2773929B1 (en) 2011-11-04 2023-12-13 IMEC vzw Spectral camera with mosaic of filters for each image pixel
JP6082401B2 (ja) 2011-11-04 2017-02-15 アイメックＩｍｅｃ センサアレイ上にインターリーブ配置された画像コピーのオーバーラップしたセグメントを備えたスペクトルカメラ
WO2013064511A1 (en) 2011-11-04 2013-05-10 Imec Spectral camera with integrated filters and multiple adjacent image copies projected onto sensor array
JP2013190580A (ja) 2012-03-13 2013-09-26 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP5710526B2 (ja) 2012-03-14 2015-04-30 株式会社東芝 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
JP2015532725A (ja) 2012-08-13 2015-11-12 プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ 光学装置、光フィルタの製造方法、画像形成装置およびその製造方法
US9793098B2 (en) 2012-09-14 2017-10-17 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
US9448346B2 (en) 2012-12-19 2016-09-20 Viavi Solutions Inc. Sensor device including one or more metal-dielectric optical filters
US10197716B2 (en) 2012-12-19 2019-02-05 Viavi Solutions Inc. Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method
EP2746740B1 (en) 2012-12-21 2019-05-08 IMEC vzw Spectral imaging device and method to calibrate the same
EP2951621B1 (en) 2013-01-29 2021-01-27 Viavi Solutions Inc. A variable optical filter and a wavelength-selective sensor based thereon
WO2014123522A1 (en) 2013-02-06 2014-08-14 Empire Technology Development Llc Thermo-optic tunable spectrometer
TWI612649B (zh) 2013-03-18 2018-01-21 Sony Corp 半導體裝置及電子機器
US9443993B2 (en) 2013-03-28 2016-09-13 Seiko Epson Corporation Spectroscopic sensor and method for manufacturing same
US20140320611A1 (en) 2013-04-29 2014-10-30 nanoLambda Korea Multispectral Multi-Camera Display Unit for Accurate Color, Multispectral, or 3D Images
EP3028020B1 (en) 2013-08-02 2021-11-24 Verifood Ltd. Spectrometry system
US9212996B2 (en) 2013-08-05 2015-12-15 Tellspec, Inc. Analyzing and correlating spectra, identifying samples and their ingredients, and displaying related personalized information
US9635228B2 (en) 2013-08-27 2017-04-25 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with interconnects in cover layer
WO2015064749A1 (ja) 2013-10-31 2015-05-07 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP6390090B2 (ja) 2013-11-19 2018-09-19 セイコーエプソン株式会社 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器
US9645075B2 (en) 2013-11-26 2017-05-09 nanoLambda Korea Multispectral imager with hybrid double layer filter array
KR102163727B1 (ko) 2014-04-03 2020-10-08 삼성전자주식회사 광 이용 효율이 향상된 이미지 센서
CN110515149B (zh) 2014-06-18 2023-02-03 唯亚威通讯技术有限公司 金属-电介质滤光器、传感器设备及制造方法
US10247604B2 (en) 2014-10-30 2019-04-02 Infineon Technologies Ag Spectrometer, method for manufacturing a spectrometer, and method for operating a spectrometer
KR102323208B1 (ko) 2014-11-03 2021-11-08 삼성전자주식회사 수직 적층 구조를 갖는 분광기 및 이를 포함하는 비침습형 생체 센서
KR102583883B1 (ko) 2015-02-18 2023-09-27 마테리온 코포레이션 개선된 투과를 갖는 근적외선 광학 간섭 필터
EP3112828B1 (en) * 2015-06-30 2022-10-05 IMEC vzw Integrated circuit and method for manufacturing integrated circuit
US9923007B2 (en) * 2015-12-29 2018-03-20 Viavi Solutions Inc. Metal mirror based multispectral filter array
US9960199B2 (en) * 2015-12-29 2018-05-01 Viavi Solutions Inc. Dielectric mirror based multispectral filter array

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4756602A (en) * 1987-06-05 1988-07-12 Rockwell International Corporation Narrowband optical filter with partitioned cavity
JPH1062247A (ja) * 1996-08-26 1998-03-06 Yokogawa Electric Corp 分光装置
US6631033B1 (en) * 1999-01-29 2003-10-07 Qinetiq Limited Multilayer optical filters
US6841238B2 (en) * 2002-04-05 2005-01-11 Flex Products, Inc. Chromatic diffractive pigments and foils
US20070058182A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-15 Texas Instruments Incorporated Multiple spatial light modulators in a package
US20120327248A1 (en) * 2009-11-30 2012-12-27 Imec Integrated circuit for spectral imaging system
US8715443B2 (en) * 2010-11-22 2014-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Method for producing spectroscopic sensor
US20140014838A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-16 Karen Denise Hendrix Optical filter and sensor system

Also Published As

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