TWI730245B - 用於製造含水包覆用物質之多成分組合物 - Google Patents

用於製造含水包覆用物質之多成分組合物 Download PDF

Info

Publication number
TWI730245B
TWI730245B TW107126033A TW107126033A TWI730245B TW I730245 B TWI730245 B TW I730245B TW 107126033 A TW107126033 A TW 107126033A TW 107126033 A TW107126033 A TW 107126033A TW I730245 B TWI730245 B TW I730245B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
component
water
components
aqueous
magnesium
Prior art date
Application number
TW107126033A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201920046A (zh
Inventor
馬克斯 席爾伯
Original Assignee
德商賀利氏德國有限責任兩合公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 德商賀利氏德國有限責任兩合公司 filed Critical 德商賀利氏德國有限責任兩合公司
Publication of TW201920046A publication Critical patent/TW201920046A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI730245B publication Critical patent/TWI730245B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B28/00—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
    • C04B28/34—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing cold phosphate binders
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B1/00—Producing shaped prefabricated articles from the material
    • B28B1/24—Producing shaped prefabricated articles from the material by injection moulding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B11/00—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
    • B28B11/24—Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for curing, setting or hardening
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B12/00—Cements not provided for in groups C04B7/00 - C04B11/00
    • C04B12/02—Phosphate cements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
    • C04B14/02—Granular materials, e.g. microballoons
    • C04B14/04—Silica-rich materials; Silicates
    • C04B14/046—Zircon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
    • C04B14/02—Granular materials, e.g. microballoons
    • C04B14/04—Silica-rich materials; Silicates
    • C04B14/06—Quartz; Sand
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
    • C04B14/02—Granular materials, e.g. microballoons
    • C04B14/04—Silica-rich materials; Silicates
    • C04B14/06—Quartz; Sand
    • C04B14/062—Microsilica, e.g. colloïdal silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
    • C04B14/02—Granular materials, e.g. microballoons
    • C04B14/30—Oxides other than silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
    • C04B14/02—Granular materials, e.g. microballoons
    • C04B14/30—Oxides other than silica
    • C04B14/303—Alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
    • C04B14/02—Granular materials, e.g. microballoons
    • C04B14/30—Oxides other than silica
    • C04B14/304—Magnesia
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
    • C04B14/02—Granular materials, e.g. microballoons
    • C04B14/30—Oxides other than silica
    • C04B14/308—Iron oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
    • C04B14/02—Granular materials, e.g. microballoons
    • C04B14/30—Oxides other than silica
    • C04B14/309—Copper oxide or solid solutions thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B22/00—Use of inorganic materials as active ingredients for mortars, concrete or artificial stone, e.g. accelerators, shrinkage compensating agents
    • C04B22/06—Oxides, Hydroxides
    • C04B22/062—Oxides, Hydroxides of the alkali or alkaline-earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B22/00—Use of inorganic materials as active ingredients for mortars, concrete or artificial stone, e.g. accelerators, shrinkage compensating agents
    • C04B22/06—Oxides, Hydroxides
    • C04B22/062—Oxides, Hydroxides of the alkali or alkaline-earth metals
    • C04B22/064—Oxides, Hydroxides of the alkali or alkaline-earth metals of the alkaline-earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B24/00—Use of organic materials as active ingredients for mortars, concrete or artificial stone, e.g. plasticisers
    • C04B24/04—Carboxylic acids; Salts, anhydrides or esters thereof
    • C04B24/06—Carboxylic acids; Salts, anhydrides or esters thereof containing hydroxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B24/00—Use of organic materials as active ingredients for mortars, concrete or artificial stone, e.g. plasticisers
    • C04B24/12—Nitrogen containing compounds organic derivatives of hydrazine
    • C04B24/126—Urea
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B40/00—Processes, in general, for influencing or modifying the properties of mortars, concrete or artificial stone compositions, e.g. their setting or hardening ability
    • C04B40/06—Inhibiting the setting, e.g. mortars of the deferred action type containing water in breakable containers ; Inhibiting the action of active ingredients
    • C04B40/0641—Mechanical separation of ingredients, e.g. accelerator in breakable microcapsules
    • C04B40/065—Two or more component mortars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06—Hermetically-sealed casings
    • H05K5/065—Hermetically-sealed casings sealed by encapsulation, e.g. waterproof resin forming an integral casing, injection moulding
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00034—Physico-chemical characteristics of the mixtures
    • C04B2111/00086—Mixtures with prolonged pot-life
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00482—Coating or impregnation materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00482—Coating or impregnation materials
    • C04B2111/00525—Coating or impregnation materials for metallic surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)
  • Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)
  • Dental Preparations (AREA)

Abstract

本案發明書及請求項揭露一種雙成分或多成分組合物，其可以藉由與水混合而轉化成含水的水力可固化製劑，該製劑可用作包覆用物質。該含水包覆用物質可以用於製造電子組件之水力地固化之罩殼。

Description

用於製造含水包覆用物質之多成分組合物
本發明係關於一種雙成分或多成分組合物，其可以藉由與水混合而轉化成含水的水力可固化製劑，該製劑可用作包覆用物質。該含水包覆用物質可以用於製造電子組件之水力地固化之罩殼。
GB 2 186 227 A揭示一種可用於製造可固化黏固劑之雙成分系統，其包括含磷酸、磷酸二氫鋁及至少與磷酸一樣強之酸之鹼金屬、鹼土金屬或鋁鹽的水溶液作為第一成分及諸如氧化鎂之金屬氧化物固化劑作為第二成分。
US 2015/239784 A1揭示可固化黏固劑，其可用於封閉深海鑽孔且可以藉由將包含氧化鎂之液體含水混合物與包含磷酸或磷酸氫鹽之另一液體含水混合物混合來製造。
在例如WO 2015/193035 A1中揭示粉末狀組合物及可以由其製造的呈磷酸鹽黏固劑形式之含水封閉用物質。由該等含水磷酸鹽黏固劑包覆用物質製造的電子組件之罩殼特別適用於電絕緣及在操作過程中自電子組件向外部散熱。
已意外地發現且自以下揭示內容顯而易知的是，提供呈雙成分或多成分系統形式的組合物可能係有利的，特別是考慮到含水磷酸鹽黏固劑包覆用物質之製造及其用於在工業規模上製造罩殼，特別是電子組件之罩殼的用途，自該等組合物可以製造出可用作磷酸鹽黏固劑包覆用物質之含水製劑。
本發明係關於一種組合物，其由以下組分組成： (a) 1至30 wt%(重量百分比)的至少一種選自由以下組成之群之磷酸氫鹽：鈉、鉀、銨、鎂、鈣、鋁、鋅、鐵、鈷及銅之磷酸一氫鹽及磷酸二氫鹽；若適用，與1至90 wt%的磷酸水溶液(H3 PO4 )組合； (b) 1至40 wt%的至少一種選自由以下組成之群的化合物：鎂、鈣、鐵、鋅及銅之氧化物、氫氧化物及氧化物水合物； (c) 40至95 wt%的至少一種選自由以下組成之群的粒狀填充劑：玻璃；鎂、鈣、鋇及鋁之單磷酸鹽、寡磷酸鹽及多磷酸鹽；硫酸鈣；硫酸鋇；包含鈉、鉀、鈣、鋁、鎂、鐵及/或鋯之簡單及複合矽酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鎂及/或鋯之簡單及複合鋁酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鋁、鎂、鋇及/或鋯之簡單及複合鈦酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鋁及/或鎂之簡單及複合鋯酸鹽；二氧化鋯；二氧化鈦；氧化鋁；二氧化矽；碳化矽；氮化鋁；氮化硼及氮化矽；以及 (d) 0至25 wt%的至少一種不同於組分(a)至(c)之組分； 其中相對於組分(a)之總量，組分(a)可以包含至多10 wt%自由水； 其中相對於組分(d)之總量，組分(d)可以包含至多10 wt%自由水； 其中該組合物係以雙成分或多成分系統存在，且其中組分(a)與(b)係基本上彼此分開存在，或在組分(a)包含磷酸時，其彼此分開存在。
因此，由組分(a)至(c)或(a)至(d)組成之組合物係以兩種或兩種以上成分，亦即彼此不同且分開之成分(彼此分開儲存或欲彼此分開儲存之成分)的形式存在。
本文中使用之術語「電子組件」除被動電子組件以外，亦特定地包含半導體模組且就後者而言，特定地為電力電子次總成。
半導體模組在本文中應理解為包含至少一個基板(作為電路載體)、至少一個半導體組件(半導體)及若適用，至少一個被動電子組件之電子或電力電子次總成。在此情形下，該至少一個半導體組件本身可以部分或完全地經例如基於環氧樹脂之夾套預包覆。
基板之實例包括絕緣金屬基板(IMS基板)、直接覆銅基板(DCB基板)、活性金屬硬焊基板(AMB基板)、陶瓷基板、金屬陶瓷基板、印刷電路板(PCB)及引線框架。
半導體組件之實例包括二極體、發光二極體(LED)、晶粒(半導體晶片)、絕緣-閘極雙極電晶體(insulated-gate bipolar transistor，IGBT)、積體電路(IC)及金氧半導體場效電晶體(MOSFET)。該一或多個半導體組件特定地為在其預定操作過程中因功率損耗而釋放大量熱的半導體，亦即在無罩殼或包封存在下達到例如100至＞200℃之自毀溫度的半導體。
被動電子組件之實例包括感測器、底板、冷卻體、電阻器、電容器、變壓器、節流閥及線圈。
本文中使用之術語「水力固化」包含在水存在下或在添加水之後凝固之程序。
換言之，本發明係關於一種具有兩種或兩種以上不同成分之系統，其僅包含以下組分： (a) 1至30 wt%的至少一種選自由以下組成之群之磷酸氫鹽：鈉、鉀、銨、鎂、鈣、鋁、鋅、鐵、鈷及銅之磷酸一氫鹽及磷酸二氫鹽；若適用，與1至90 wt%之磷酸水溶液組合； (b) 1至40 wt%的至少一種選自由以下組成之群的化合物：鎂、鈣、鐵、鋅及銅之氧化物、氫氧化物及氧化物水合物； (c) 40至95 wt%的至少一種選自由以下組成之群的粒狀填充劑：玻璃；鎂、鈣、鋇及鋁之單磷酸鹽、寡磷酸鹽及多磷酸鹽；硫酸鈣；硫酸鋇；包含鈉、鉀、鈣、鋁、鎂、鐵及/或鋯之簡單及複合矽酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鎂及/或鋯之簡單及複合鋁酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鋁、鎂、鋇及/或鋯之簡單及複合鈦酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鋁及/或鎂之簡單及複合鋯酸鹽；二氧化鋯；二氧化鈦；氧化鋁；二氧化矽；碳化矽；氮化鋁；氮化硼及氮化矽；以及 (d) 0至25 wt%的至少一種不同於組分(a)至(c)之組分； 其中相對於組分(a)之總量，組分(a)可以包含至多10 wt%自由水； 其中相對於組分(d)之總量，組分(d)可以包含至多10 wt%自由水； 其中組分(a)及(b)係基本上彼此分開存在，或在組分(a)包含磷酸時，其彼此分開存在。
因此，本發明係關於一種雙成分或多成分組合物，其由該組分(a)至(c)以及(若存在)(d)組成。一般而言，成分之數量將不超過五種。雙成分組合物較佳。該等成分一起包含所有組分(a)至(c)或可能地包含(a)至(d)。該等成分係彼此分開儲存，直至將其用於製造包含所有組分(a)至(c)或可能地(a)至(d)之含水的水力可固化製劑。該製劑之製造需要添加水及/或與水混合。
若組分(a)包含磷酸，則組分(a)至(c)或可能地(a)至(d)或其子組分可以自由地分佈於根據本發明之雙成分或多成分組合物之成分，只要滿足在此例示性實施例中需要組分(a)及(b)在不同成分中彼此分開存在，亦即全部彼此分開的本發明之基本條件即可。在一個實施例中，本發明特定地係關於一種多成分系統，其由以下組成：包含整個含磷酸組分(a)之成分；包含90 wt%或更高百分比組分(b)，較佳全部組分(b)之另一成分；以及若適用，一或多種其他成分，其中該等成分中之至少一種包含組分(c)及(若存在)(d)或其子組分。在一個實施例中，本發明特定地係關於一種雙成分系統，其由以下組成：包含所有含磷酸組分(a)之成分及包含90 wt%或更高百分比組分(b)，較佳全部組分(b)之另一成分，其中該兩種成分中之至少一種包含組分(c)及(若存在)(d)或其子組分。
若組分(a)不包含磷酸，則組分(a)至(c)或可能地(a)至(d)或其子組分可以自由地分佈於根據本發明之雙成分或多成分組合物之成分，只要滿足在此例示性實施例中需要組分(a)及(b)至少基本上彼此分開存在的本發明之基本條件即可。「基本上」應理解為意謂所有不含磷酸之組分(a)中之至少90 wt%，較佳所有不含磷酸之組分(a)係與組分(b)分開存在且反之亦然。換言之，各成分中可以存在最多10 wt%的不含磷酸之組分(a)，其亦含有一定分數之組分(b)；此類似地適用於組分(b)。較佳地，組分(a)及(b)係在不同成分中彼此分開存在，亦即彼此完全分開。在一個實施例中，本發明特定地係關於一種多成分系統，其由以下組成：包含90 wt%或更高百分比的不含磷酸之組分(a)，但較佳所有不含磷酸之組分(a)的成分；包含90 wt%或更高百分比之組分(b)，較佳所有組分(b)之另一成分；以及若適用，一或多種其他成分，其中該等成分中之至少一種包含組分(c)及(若存在)(d)或其子組分。較佳地，此關於一種雙成分系統，其由以下組成：包含90 wt%或更高百分比的不含磷酸之組分(a)，但較佳所有不含磷酸之組分(a)的成分，及包含90 wt%或更高百分比之組分(b)，較佳所有組分(b)之另一成分，其中該兩種成分中之至少一種包含組分(c)及(若存在)(d)或其子組分。
組分(a)至(d)各自可以包含一或多種不同配料(ingredient)，其在下文中應稱為子組分。
為了避免混淆，本文中對組分(a)至(d)、該等組分之子組分與本發明之雙成分或多成分組合物之成分進行區別。
佔根據本發明之雙成分或多成分組合物之1至30 wt%，較佳2至15 wt%的組分(a)係至少一種選自由以下組成之群的物質：磷酸一氫鈉、磷酸一氫鉀、磷酸一氫銨、磷酸一氫鎂、磷酸一氫鹽鈣、磷酸一氫鋁、磷酸一氫鋅、磷酸一氫鐵、磷酸一氫鈷、磷酸一氫銅、磷酸二氫鈉、磷酸二氫鉀、磷酸二氫銨、磷酸二氫鎂、磷酸二氫鈣、磷酸二氫鋁、磷酸二氫鋅、磷酸二氫鐵、磷酸二氫鈷及磷酸二氫銅；若適用，與1至90 wt%磷酸水溶液(由1至90 wt%磷酸及合計總量為100 wt%之分數之水組成的水溶液)組合。換言之，此關於至少一種選自由以下組成之群之磷酸氫鹽：鈉、鉀、銨、鎂、鈣、鋁、鋅、鐵、鈷及銅之磷酸一氫鹽及磷酸二氫鹽；若適用，與1至90 wt%磷酸水溶液組合。具體而言，此關於至少一種選自由鎂、鉀、鋁及銨之磷酸一氫鹽及磷酸二氫鹽組成之群的磷酸氫鹽。
不含磷酸之組分(a)或其子組分較佳由例如粒度在至多1 mm範圍內之固體顆粒組成。
相對於組分(a)之總量，組分(a)可以包含至多10 wt%自由水。參看組分(a)，自由水特定地係在該至少一種磷酸氫鹽中不以結晶水形式結合的水。自由水特定地可以源自於可能存在之磷酸水溶液。較佳地，組分(a)不含水或至少不含自由水。具體而言，組分(a)既不包含有意地添加的水，亦不包含磷酸水溶液。
佔根據本發明之雙成分或多成分組合物之1至40 wt%，較佳2至15 wt%的組分(b)係至少一種選自由鎂、鈣、鐵、鋅及銅之氧化物、氫氧化物及氧化物水合物組成之群的化合物，特別是至少一種選自由氧化鎂、氧化鐵及氧化鈣組成之群的化合物。氧化鎂尤佳。
組分(b)或其子組分較佳由例如粒度在至多0.3 mm範圍內之固體顆粒組成。
組分(b)不含自由水且較佳亦無結合水。在此情形下，可以在高溫下自氧化物水合物排出之水不應視為結合水。
佔根據本發明之雙成分或多成分組合物之40至95 wt%，較佳65至90 wt%的組分(c)係至少一種選自由以下組成之群的粒狀填充劑：玻璃；鎂、鈣、鋇及鋁之單磷酸鹽、寡磷酸鹽及多磷酸鹽；硫酸鈣；硫酸鋇；包含鈉、鉀、鈣、鋁、鎂、鐵及/或鋯之簡單及複合矽酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鎂及/或鋯之簡單及複合鋁酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鋁、鎂、鋇及/或鋯之簡單及複合鈦酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鋁及/或鎂之簡單及複合鋯酸鹽；二氧化鋯；二氧化鈦；氧化鋁；二氧化矽，特別是呈矽酸及石英形式；碳化矽；氮化鋁；氮化硼及氮化矽。矽酸鋯、矽酸及石英較佳。
在前一部分中提及單磷酸鹽、寡磷酸鹽及多磷酸鹽；為避免混淆，應理解，該等磷酸鹽係不同於組分(a)之磷酸氫鹽的不含氫之磷酸鹽。
前一部分對簡單與複合矽酸鹽、鋁酸鹽、鈦酸鹽及鋯酸鹽進行區分。其代表性複合物係具有多於一種類型之陽離子的矽酸鹽、鋁酸鹽、鈦酸鹽及鋯酸鹽，諸如矽酸鋁鈉、矽酸鋁鈣、鈦酸鋯鉛等，而非錯合化合物。
組分(c)或其子組分之粒度係在例如20 nm至0.3 mm或甚至20 nm至1 mm之範圍內。
組分(c)不含自由水且較佳亦無結合水。
佔根據本發明之雙成分或多成分組合物之0至25 wt%，較佳0至15 wt%或2至15 wt%的組分(d)係至少一種不同於組分(a)至(c)之組分或子組分。實例特定地包括添加劑，諸如流動改進劑、緩凝劑(適用期延長劑)、消泡劑、濕潤劑及黏著促進劑。相對於組分(d)之總量，組分(d)可以包含至多10 wt%自由水。較佳地，組分(d)不含水，或更特定言之，不含有意地添加之水。
組分(d)或其子組分較佳由例如粒度在至多0.3 mm或甚至是至多1 mm範圍內之固體顆粒組成。組分(d)不為固體，而是例如為液體或包含非固體，例如液體子組分係可行的，但非較佳的。
下表示出根據本發明之雙成分或多成分組合物之較佳實施例的一些例示性配方。
Figure 107126033-A0304-0001
根據本發明之雙成分或多成分組合物由組分(a)至(c)或(a)至(d)組成，亦即，該等組分之wt%分數合計為總計100 wt%的根據本發明之雙成分或多成分組合物。若不存在組分(d)，則組分(a)至(c)之wt%分數合計為100 wt%的根據本發明之雙成分或多成分組合物。
在一個實施例中，根據本發明之雙成分或多成分系統的成分係以對應於上文所提及的組分(a)至(c)或(a)至(d)之定量比率的所提供之量提供；換言之，該等成分已分成等分且因此可以直接彼此混合以形成單成分組合物及/或另外與水混合以形成含水的水力可固化之製劑，而無需任何稱重或量測。若在此情形下，組分(a)包含磷酸水溶液，則如所描述製造的單成分組合物或含水的水力可固化製劑可以僅儲存較短時間段，例如僅儲存2小時。
欲彼此混合或與水混合以形成含水的水力可固化製劑的根據本發明之雙成分或多成分組合物之兩種或兩種以上成分較佳係以顆粒形式，例如以粉末形式提供。此意謂包含多於一種，亦即包含兩種或兩種以上不同組分及/或子組分的根據本發明之雙成分或多成分系統之粒狀或粉末狀成分係以均勻混合物形式，特別是以隨機地均勻混合物形式存在；該等粒狀成分較佳不顯示結塊形成且可以自由地流動。
根據本發明之雙成分或多成分組合物的粒狀成分可以根據熟習此項技術者已知的用於製造自由流動粒狀組合物之常用方法製造。實例包括轉鼓混合、充分混合、乾式研磨及空氣共混合製造法。
如上文所提及，根據本發明之雙成分或多成分組合物中之成分可以彼此混合及與水混合以形成含水的水力可固化製劑。
含水的水力可固化製劑，特別是可用作含水包覆用物質(亦即，現成品)之含水的水力可固化製劑可以藉由將根據本發明之雙成分或多成分組合物之成分混合以製造一或多種預混合物，隨後與水混合來獲得。因此，舉例而言，可以在不添加水之情況下，先混合根據本發明之雙成分或多成分系統的所有成分，且隨後可以將其與水混合以製造含水的水力可固化製劑。
或者，可以先將根據本發明之雙成分或多成分組合物之至少一種成分與水混合且由此可以將其轉化成至少一種含水中間物。因此，獲得包含該至少一種含水中間物以及尚未與水混合的原始雙成分或多成分系統之一或多種其餘成分的不同於原始雙成分或多成分系統之雙成分或多成分系統(衍生自原始雙成分或多成分系統之雙成分或多成分系統；簡稱為「衍生之雙成分或多成分系統」)。因此，由此形成的衍生之雙成分或多成分系統中之成分可以直接混合或在添加水時混合以製造含水的水力可固化製劑，特別是用以製造可用作含水包覆用物質(亦即，現成品)之含水的水力可固化製劑。
衍生之雙成分或多成分系統可以特定地採用以下實施例(i)、(ii)或(iii)： (i)包括含組分(a)且無組分(b)的呈含水中間物A'形式之含水成分及含組分(b)且無組分(a)的呈含水中間物B'形式之另一含水成分的衍生之雙成分或多成分系統。該含水中間物A'以基本上無限之儲存時間為特徵，而該含水中間物B'之儲存時間一般不超過48小時。參看類型(i)之衍生之雙成分系統，其兩種含水且例如呈液體或糊狀之成分可以藉助於適合的雙成分混合機構，例如藉助於靜態混合器(特別是Kenics或Ross ISG混合器類型)混合以製造含水的水力可固化製劑，特別是製造可用作含水包覆用物質(亦即，現成品)，特別是在工業連續製造之範圍中，例如連續製造各別罩殼及/或經包覆電子組件之含水的水力可固化製劑。類型(i)之衍生之雙成分系統的此類用途特別適合由終端使用者，由含水的水力可固化製劑之使用者實行，該含水的水力可固化製劑可以特定地用作含水包覆用物質，亦即現成品。 (ii)包括含組分(a)且無組分(b)之不含水成分及含組分(b)且無組分(a)的呈含水中間物形式之含水成分的衍生之雙成分或多成分系統。如上文所提及，此類型含水中間物以其儲存時間一般不超過48小時為特徵。終端使用者可以藉由將包含組分(a)且無組分(b)之不含水成分與水混合來對其進行轉化，將該類型(ii)之衍生之雙成分或多成分系統轉化成類型(i)之衍生之雙成分或多成分系統。 (iii)包括含組分(a)且無組分(b)之含水成分及含組分(b)且無組分(a)之不含水成分的衍生之雙成分或多成分系統。終端使用者可以藉由將包含組分(b)且無組分(a)之不含水成分與水混合來對其進行轉化，將該類型(iii)之衍生之雙成分或多成分系統轉化成類型(i)之衍生之雙成分或多成分系統。
一般而言，相關類型之含水的水力可固化製劑不含任何過量的酸，換言之，一般而言，鹼性組分(b)之性質及量可以為適當的，使得組分(a)所提供之酸等效物以及來自組分(c)及(d)之任何其他酸等效物可以至少完全中和，較佳可以不僅僅經中和。
舉例而言，可以將總計100重量份的根據本發明之雙成分或多成分組合物之成分，例如較佳粒狀成分與5至30重量份、較佳6至15重量份水混合以製造含水的水力可固化製劑。
如上文所提及，在不添加水情況下，先將根據本發明之雙成分或多成分系統之所有成分混合，隨後與水混合以製造含水的水力可固化製劑係可行的。然而，較佳先將該等成分中之至少一種與水混合以製造至少一種含水中間物且由此產生衍生之雙成分或多成分系統。隨後，可以再將其與其他成分及/或含水中間物混合。
在涉及使用根據本發明之雙成分或多成分組合物製造含水的水力可固化製劑期間，該製劑之個別成分及水可以(若適用)按任何次序彼此混合，包括分等分試樣混合。在此情形下，先由兩種或兩種以上成分在不添加水情況下製造呈一或多種上文所提及之預混合物形式及/或在添加水時製造呈一種或兩種上文所提及之含水中間物形式的中間產物。在含水中間物之情況下，其可能涉及水溶液，例如具有組分(a)或(d)或其可能的子組分之水溶液。可以有利地在最終混合以製造現成含水的水力可固化製劑之前不超過例如2至24小時，製造出含有組分(b)及一定分數的至少一種選自組分(a)、(c)及(d)之酸性組分(在水存在下形成H3 O+ 離子)的含水中間物。此適用於包含組分(b)或組分(b)之子組分，但不含酸性組分或子組分的含水中間物；在此情況下，在最終混合以製造含水的水力可固化製劑之前不超過例如至多48小時，製造出該等含水中間物係有利的。
在最終混合以經由使用根據本發明之雙成分或多成分組合物製造含水的水力可固化製劑期間可以使用的動態混合方法之實例包括攪拌及充分混合，例如經由使用行星混合器充分混合。
在一個實施例中，考慮到在工業規模上使用根據本發明之雙成分或多成分組合物，特別有利地是，該組合物僅包含兩種成分A及B。在此情形下，成分A包含組分(a)且成分B包含組分(b)。按此方式，組分(a)及(b)在根據本發明之雙成分系統儲存期間可以保持彼此分開。在此情形下，組分(c)及(d)可以包含在成分A及/或B中，其中較佳具有大致相等分數的至少組分(c)存在於該兩種成分A及B中。舉例而言，30至70 wt%、較佳40至60 wt%之組分(c)可以存在於成分A中且其餘部分可以存在於成分B中。另外，成分B不含可能的酸性組分(c)及(d)可為較佳的。此類可能的酸性物質較佳僅僅包含在成分A中。與水混合以製造含水的水力可固化製劑可根據以上提到之原理進行。然而，較佳將成分A及B分別與水轉化成包括含水中間物A'及B'之上文所提及的類型(i)之衍生之雙成分系統且隨後將其彼此混合以製造含水的水力可固化製劑。考慮到在工業規模上使用，此特別有益。包含組分(a)且無組分(b)之成分A及/或含水中間物A'可以儲存基本上無限時間段。不含酸性物質且包含成分B及/或組分(b)之含水中間物B'一般可以儲存至少48小時的時間段。較佳地，含水中間物A'及B'可以適當地調配以使得其在其混合比率下具有類似體積，例如其體積彼此相差不超過20%(對應於體積比1.2:1至1:1.2)，及/或具有類似流變性，例如在0.5至50 Pa∙s範圍內之黏度(旋轉黏度測定法，板-板量測原理，板直徑25 mm，量測間隙1 mm，樣品溫度20℃，剪切速率36 min-1 ，黏度值係在2分鐘之量測時間之後測定)。含水中間物A'及B'之混合物表示上文所提及含義之含水的水力可固化製劑，其使成分A與B且因此組分(a)與(b)彼此接觸且具有以初始黏度加倍(在由根據本發明之雙成分組合物先與水接觸5分鐘之後而計算的黏度)之時間表示的適用期(加工期，即具有可加工性之時間段)，一般為長達120分鐘。因此，有利地分開提供該兩種含水中間物A'及B'且以大量提供，其一般係在48小時之時間段內加工且在用於包覆電子組件之前，例如即將包覆電子組件之前立即或不超過120分鐘，較佳不超過10分鐘，將含水中間物A'及B'之所需等分試樣混合。不僅能用於此情形，而且特別適合的雙成分混合機構之實例係上文所提及之靜態混合器，其出口開口連續地或以等分試樣釋放所需量的呈含水中間物A'及B'形式之含水的水力可固化製劑，該含水中間物A'及B'係以所需混合比率混合且足夠均勻地混合，以達到用於包覆，特別是包覆電子組件之預定用途的目的。舉例而言，含水中間物A'及B'之所需混合比率可以有利地對應於上文所提及的根據本發明之雙成分組合物及水之所需定量比率，例如對應於上文所提及的100重量份根據本發明之雙成分組合物:5至30重量份、較佳6至15重量份水之定量比率。
如上文所提及，含水、自由流動且水力可固化製劑可以用作電子組件之含水包覆用物質。為了簡便，在下文中將使用術語「含水包覆用物質」。
該含水包覆用物質可以用於製造電子組件之水力地固化之罩殼。該製造製程包含以下步驟： (1)提供待包覆之電子組件； (2)提供如上文所提及而製造的含水包覆用物質； (3)將步驟(1)中提供之電子組件包覆於步驟(2)中提供之含水包覆用物質中；以及 (4)在步驟(3)完成後，使包覆該電子組件之該含水包覆用物質水力固化。
較佳地，步驟(1)至(4)及/或包含步驟(1)至(4)之製程係在工業連續製造之範圍內以工業規模實施。
步驟(1)中提供待包覆之電子組件，例如被動電子組件或半導體模組，後者特定地呈電力電子次總成形式。
對於步驟(2)，應提及以上已描述之內容及/或上文所提及之實施例。以工業規模實施之步驟(2)較佳在經由使用靜態混合器，特別是Kenics或Ross-ISG混合器類型混合類型(i)之衍生之雙成分系統的含水中間物A'及B'期間發生。在此情形下，步驟(2)包含以下子步驟： (2a)由包含組分(a)之第一成分A及包含組分(b)之第二成分B提供根據本發明之雙成分組合物； (2b)將成分A及B各自分別與水混合以製造兩種單獨的含水中間物A'及B'；以及 (2c)藉助於靜態混合器混合含水中間物A'及B'以製造呈含水的水力可固化製劑形式之含水包覆用物質。在此情形下，較佳該兩種含水中間物A'及B'具有彼此相差不超過20%之體積及/或各自具有在0.5至50 Pa∙s範圍內之黏度(旋轉黏度測定法，板-板量測原理，板直徑25 mm，量測間隙1 mm，樣品溫度20℃，剪切速率36 min-1 ，黏度值係在2分鐘之量測時間之後測定)。
較佳地，步驟(3)係在步驟(2)完成時不延遲地進行，例如在步驟(2)完成之120分鐘內，較佳10分鐘內進行。
步驟(3)涉及將步驟(1)中提供之電子組件包覆於根據步驟(2)提供之含水包覆用物質中。灌注、浸漬及射出模製係較佳的施用方法。灌注可以藉助於熟習此項技術者已知之常用方法，例如藉由重力灌注、加壓灌注或減壓灌注進行。在此情形下，用半殼模具包圍待包覆之電子組件且接著用可澆注包覆用物質對其進行填充可為有利的。包覆係以部分或完全包覆進行。舉例而言，可進行半導體模組之包覆以使得包覆用複合物部分或完全地包覆連接至半導體組件之電接觸元件，諸如接合線、帶及/或基板。部分包覆應理解為意謂一或多個接觸元件經不完全地包覆及/或一或多個接觸元件未經包覆，而完全包覆應理解為意謂所有接觸元件均完全包覆。灌注可以進行例如以使得包覆用複合物形成為熟習此項技術者已知之「圓頂封裝體(glob-top)」。
在跟隨步驟(3)之後進行的步驟(4)中，使包覆電子組件之含水包覆用物質水力地固化。更確切地說，水力固化之主要部分係在步驟(4)期間之凝固程序過程中發生；顯然，水力固化係在組分(a)與(b)在水存在下彼此接觸時，亦即在步驟(2)期間開始。乾燥程序可以在實際凝固程序期間及之後進行，用於移除水或該水。凝固及乾燥可以在例如20至300℃範圍內之溫度下進行例如30至300分鐘。
若在步驟(3)使用半殼模具，則經包覆之電子組件可以在根據步驟(4)水力固化之後且在半殼打開之後自半殼移出。
實例 通用程序： 稱取下表中所描述之粉末狀固體組合物的各成分放入帶螺旋蓋之燒杯中。將燒杯封閉且接著藉由手動振盪使各成分個別地均質化，且接著將其添加至置放於另一燒杯中之水中並藉由強力攪拌使其均質化5分鐘，製造出含水中間物。各含水中間物之混合比率係100重量份固體組合物:10重量份水。將由此獲得的含水中間物置放於流變儀之量測單元中且根據以上說明中提供之資訊測定各別初始黏度。隨後，將兩種含水中間物以指定質量比組合且藉由強力攪拌均質化，製造出含水包覆用物質。將其置放於流變儀之量測單元中且根據以上說明中提供之資訊測定適用期。
Figure 107126033-A0304-0002
 D50 = 平均粒徑

Claims (13)

  1. 一種雙成分或多成分組合物，其由以下組分組成：(a)1至30wt%的至少一種選自由以下組成之群之磷酸氫鹽：鈉、鉀、銨、鎂、鈣、鋁、鋅、鐵、鈷及銅之磷酸一氫鹽及磷酸二氫鹽；若適用，與1至90wt%之磷酸水溶液組合；(b)1至40wt%的至少一種選自由以下組成之群的化合物：鎂、鈣、鐵、鋅及銅之氧化物、氫氧化物及氧化物水合物；(c)40至95wt%的至少一種選自由以下組成之群的粒狀填充劑：玻璃；鎂、鈣、鋇及鋁之單磷酸鹽、寡磷酸鹽及多磷酸鹽；硫酸鈣；硫酸鋇；包含鈉、鉀、鈣、鋁、鎂、鐵及/或鋯之簡單及複合矽酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鎂及/或鋯之簡單及複合鋁酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鋁、鎂、鋇及/或鋯之簡單及複合鈦酸鹽；包含鈉、鉀、鈣、鋁及/或鎂之簡單及複合鋯酸鹽；二氧化鋯；二氧化鈦；氧化鋁；二氧化矽；碳化矽；氮化鋁；氮化硼及氮化矽；以及(d)0至25wt%的至少一種不同於組分(a)至(c)之組分；其中相對於組分(a)之總量，組分(a)可包含至多10wt%自由水；其中相對於組分(d)之總量，組分(d)可包含至多10wt%自由水；其中該組合物係以雙成分或多成分系統存在，且其中組分(a)與(b)係基本上彼此分開存在，或在組分(a)包含磷酸時，其彼此分開存在。
  2. 如請求項1之組合物，其中組分(a)係至少一種選自由以下組成之群之磷酸氫鹽：鎂、鉀、鋁及銨之磷酸一氫鹽及磷酸二氫鹽。
  3. 如請求項1或2之組合物，其中組分(b)係至少一種選自由氧化鎂、氧化鐵及氧化鈣組成之群的化合物。
  4. 如請求項1或2之組合物，其中組分(c)係至少一種選自由矽酸鋯、矽酸及石英組成之群的粒狀填充劑。
  5. 如請求項1或2之組合物，其中該雙成分或多成分系統中之成分係以對應於組分(a)至(d)之定量比率的所提供量存在。
  6. 一種用於製造含水的水力可固化製劑之方法，其包括：提供如請求項1至5中任一項之組合物；及將該組合物中之成分彼此混合及與水混合來進行。
  7. 如請求項6之方法，其中先在不添加水之情況下混合該雙成分或多成分系統之所有成分且隨後與水混合以製造該含水的水力可固化製劑。
  8. 如請求項6之方法，其中先將該雙成分或多成分系統之成分中之至少一種與水混合以製造至少一種含水中間物，隨後再將其與其他成分及/或其他含水中間物混合。
  9. 一種用於製造電子組件之水力地固化之罩殼的方法，其包含以下步驟： (1)提供待包覆之電子組件；(2)提供根據請求項6至8中任一項之方法製造之含水的水力可固化製劑形式的含水包覆用物質；(3)將步驟(1)中提供之電子組件包覆於步驟(2)中提供之含水包覆用物質中；以及(4)在步驟(3)完成後，使包覆該電子組件之該含水包覆用物質水力固化。
  10. 一種用於製造電子組件之水力地固化之罩殼的方法，其包含以下步驟：(1)提供待包覆之電子組件；(2a)由包含組分(a)之第一成分A及包含組分(b)之第二成分B提供如請求項1至5中任一項之雙成分組合物；(2b)將該等成分A及B各自分別與水混合以製造兩種個別的含水中間物A'及B'；(2c)藉助於靜態混合器混合含水中間物A'及B'以製造呈該含水的水力可固化製劑形式之含水包覆用物質；(3)將步驟(1)中提供之電子組件包覆於步驟(2c)中提供之含水包覆用物質中；以及(4)在步驟(3)完成後，使包覆該電子組件之該含水包覆用物質水力固化。
  11. 如請求項9或10之方法，其中該待包覆之電子組件係被動電子組件或 半導體模組。
  12. 如請求項9或10之方法，其係以工業規模實施。
  13. 如請求項10之方法，其中該兩種含水中間物A'及B'具有彼此相差不超過20%之體積及/或各自具有在0.5至50Pa．s範圍內之黏度(旋轉黏度測定法，板-板量測原理，板直徑25mm，量測間隙1mm，樣品溫度20℃，剪切速率36min-1，黏度值係在2分鐘之量測時間之後測定)。
TW107126033A 2017-07-31 2018-07-27 用於製造含水包覆用物質之多成分組合物 TWI730245B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??17183916.0 2017-07-31
EP17183916 2017-07-31
EP17183916.0 2017-07-31
??17200561.3 2017-11-08
EP17200561.3 2017-11-08
EP17200561 2017-11-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201920046A TW201920046A (zh) 2019-06-01
TWI730245B true TWI730245B (zh) 2021-06-11

Family

ID=61952733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107126033A TWI730245B (zh) 2017-07-31 2018-07-27 用於製造含水包覆用物質之多成分組合物

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20200172440A1 (zh)
EP (1) EP3661893A1 (zh)
JP (1) JP6965373B2 (zh)
KR (1) KR102394746B1 (zh)
CN (1) CN110914217A (zh)
TW (1) TWI730245B (zh)
WO (1) WO2019025039A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021230370A1 (ja) * 2020-05-15 2021-11-18 富士フイルム株式会社 硬化性樹脂組成物、成形加工用フィルム、成形物、及び、成形方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4786328A (en) * 1987-07-16 1988-11-22 American Stone-Mix, Inc. Magnesium phosphate cement systems

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2186227B (en) 1985-12-21 1989-10-25 Helix Ltd Stapler
BR8604303A (pt) 1986-02-10 1987-11-17 Albright & Wilson Solucoes de fosfato e seu uso como aglomerantes
JP3380858B2 (ja) 1999-03-31 2003-02-24 旭ファイバーグラス株式会社 無機質系成形品の製造方法
US7632348B2 (en) 2005-03-22 2009-12-15 Nova Chemicals Inc. Lightweight concrete compositions containing antimicrobial agents
KR20120101541A (ko) * 2009-12-11 2012-09-13 래티두드 18, 아이엔씨. 무기 인산염 내식성 코팅
EP2509927B1 (en) * 2009-12-11 2020-07-08 Latitude 18, Inc. Inorganic phosphate compositions and methods
CA2888357A1 (en) 2012-10-15 2014-04-24 Apache Corporation Fast-setting cements for well abandonment
DE102013102301A1 (de) * 2013-03-08 2014-09-11 Chemische Fabrik Budenheim Kg Beschichtungssystem auf Basis einer Kombination von Monoaluminiumphosphat mit Magnesiumoxid
EP2958139B1 (de) * 2014-06-18 2020-08-05 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
WO2016043716A1 (en) 2014-09-16 2016-03-24 Halliburton Energy Services, Inc. Lithium-containing calcium aluminate phosphate cement admixtures
FR3030498B1 (fr) * 2014-12-23 2019-06-07 Saint-Gobain Weber Liant acido-basique comprenant des ciments a base de phosphate
CN105837159A (zh) 2016-03-18 2016-08-10 派丽(上海)管理有限公司 一种高性能中性瓷砖粘结材料
US11091394B2 (en) 2017-07-31 2021-08-17 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Composition for producing an aqueous coating mass

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4786328A (en) * 1987-07-16 1988-11-22 American Stone-Mix, Inc. Magnesium phosphate cement systems

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019025039A1 (de) 2019-02-07
CN110914217A (zh) 2020-03-24
EP3661893A1 (de) 2020-06-10
TW201920046A (zh) 2019-06-01
US11746052B2 (en) 2023-09-05
US20220315491A1 (en) 2022-10-06
US20200172440A1 (en) 2020-06-04
JP2020524651A (ja) 2020-08-20
KR102394746B1 (ko) 2022-05-06
JP6965373B2 (ja) 2021-11-10
KR20200035063A (ko) 2020-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5895156B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、封止材およびそれらを用いた電子部品
TWI678414B (zh) 製造水性包覆材料的組合物
TWI730245B (zh) 用於製造含水包覆用物質之多成分組合物
CN101613585A (zh) 一种环氧铜胶及其制备方法和应用
JP2501804B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JPS6377924A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS60229945A (ja) エポキシ樹脂系封止材料
JPH039920A (ja) 低粘度エポキシ樹脂組成物
JP4289314B2 (ja) エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置。
WO2019025034A1 (de) Zusammensetzung zur herstellung einer wässrigen umhüllungsmasse
JPH10203809A (ja) 流動性が改良された窒化アルミニウム粉末
CN118696018A (zh) 可水硬性固化的无机水泥组合物
JPS62195016A (ja) 一液型エポキシ樹脂組成物
WO2019091604A1 (de) Zusammensetzung zur herstellung einer wässrigen umhüllungsmasse
JP2020524198A (ja) エポキシ樹脂組成物及びこれを含む半導体装置
JP2007262235A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH04120127A (ja) 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置
JPH0496930A (ja) 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置
JP2002284858A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000248154A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JP2009286845A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2001011161A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置
JPH05291437A (ja) 半導体装置
PL2322B1 (pl) Sposób wytwarzania cementu do plombowania.
JPH0496923A (ja) 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置