KR20200035063A - 수성 코팅물을 제조하기 위한 다성분 조성물 - Google Patents

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Abstract

(a) 경우에 따라 1 내지 90 wt% 인산 수용액과 함께 1 내지 30 wt%의 나트륨, 칼륨, 암모늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 철, 코발트 및 구리의 일- 및 이수소 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수소 인산염;
(b) 1 내지 40 wt%의 마그네슘, 칼슘, 철, 아연 및 구리의 산화물, 수산화물 및 산화물 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물;
(c) 40 내지 95 wt%의 유리; 마그네슘, 칼슘, 바륨 및 알루미늄의 모노-, 올리고- 및 폴리-포스페이트; 황산칼슘; 황산바륨; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 철 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 실리케이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 마그네슘 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 알루미네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 바륨 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 티타네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄 및/또는 마그네슘을 포함하는 단순 및 착체 지르코네이트; 이산화지르코늄; 이산화티탄; 산화알루미늄; 이산화규소; 탄화규소; 질화알루미늄; 질화붕소 및 질화규소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 입자형 충전제; 및
(d) 0 내지 25 wt%의 구성성분 (a) 내지 (c)와 상이한 적어도 하나의 구성성분으로 이루어진 조성물로서;
구성성분 (a)는 구성성분 (a) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수를 포함할 수 있고;
구성성분 (d)는 구성성분 (d) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수를 포함할 수 있고;
상기 조성물은 2- 또는 다성분 시스템으로서 존재하고, 구성성분 (a) 및 (b)는 실질적으로 서로 분리되어 존재하거나 또는 구성성분 (a)가 인산을 포함하는 경우에는 서로 분리되어 존재하는 조성물.

Description

수성 코팅물을 제조하기 위한 다성분 조성물
본 발명은 물과 혼합함으로써 코팅물(enclosing mass)로서 사용할 수 있는 수성 수경화성(aqueous, hydraulically curable) 제제로 전환될 수 있는 2- 또는 다성분 조성물에 관한 것이다. 상기 수성 코팅물은 전자 부품의 수경화형 코팅물을 제조하기 위해 사용할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "전자 부품"은 수동 전자 부품 외에 특히 반도체 모듈 및 후자의 반도체 모듈 중에서도 특히 전력 전자 서브-어셈블리를 포함한다.
본 명세서에서 반도체 모듈은 적어도 하나의 기판(회로 캐리어로서), 적어도 하나의 반도체 부품(반도체) 및 경우에 따라서는 적어도 하나의 수동 전자 부품을 포함하는 전자 또는 전력 전자 서브-어셈블리인 것으로 이해되어야 할 것이다. 이와 관련하여, 상기 하나 이상의 반도체 부품 자체는 예를 들어 에폭시 수지계 외피(jacketing)로 일부 또는 완전히 미리 코팅될 수 있다.
기판의 예로는 IMS 기판(절연 금속 기판), DCB 기판(직접 구리 결합 기판), AMB 기판(활성 금속 브레이징 기판), 세라믹 기판, 금속 세라믹 기판, PCB(인쇄 회로 기판) 및 리드프레임을 포함한다.
반도체 부품의 예로는 다이오드, LED(발광 다이오드), 다이(반도체 칩), IGBT(절연-게이트 양극성 트랜지스터), IC(집적회로) 및 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터)를 포함한다. 구체적으로 상기 반도체 부품 또는 부품들은 이들의 의도된 작동 중 전력 손실로 인해 상당한 열을 발생시키는 반도체(들)인바, 즉 예를 들어 코팅(enclosure) 또는 피막(encapsulation)이 없는 상태에서 100 내지 > 200℃의 자체 파괴 온도에 도달하는 반도체들이다.
수동 전자 부품의 예로는 센서, 바닥판(floor plate), 냉각체, 저항기, 커패시터, 변압기, 스로톨(throttle)과 코일을 포함한다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "수경화(hydraulic curing)"는 물이 존재하거나 물을 첨가한 후의 경화 과정을 포함한다.
GB 2 186 227 A는 제1 성분으로서 인산, 인산이수소알루미늄과 적어도 인산만큼 강한 산의 알칼리, 알칼리 토금속 또는 알루미늄 염을 포함하는 수용액 및 제2 성분으로서 산화마그네슘과 같은 금속 산화물 경화제를 포함하는 경화성 시멘트를 제조하기 위해 사용할 수 있는 2-성분 시스템을 개시하고 있다.
US 2015/239784 A1은 심해 시추공을 폐쇄시키기 위해 사용할 수 있고 산화마그네슘을 포함하는 액체 수성 혼합물과 인산 또는 수소 인산염을 포함하는 제2 액체 수성 혼합물을 혼합하여 제조할 수 있는 경화성 시멘트를 개시하고 있다.
분말형 조성물과 이들로부터 인산 시멘트 형태로 제조할 수 있는 수성 코팅물이 예를 들어 WO 2015/193035 A1에 개시되어 있다. 상기 수성 인산 시멘트-코팅물로부터 제조되는 전자 부품의 코팅은 특히 전기 절연용 및 작동 중에 전자 부품으로부터 외부로 열을 방출하기 위한 용도로 제공된다.
놀랍게도 명백해진 바와 같이 그리고 아래의 개시 내용으로부터 명백한 바와 같이, 특히 수성 인산 시멘트-코팅물의 제조 및 산업적인 규모로 코팅, 특히 전자 부품의 코팅을 제조하기 위한 이들의 용도 측면에서 인산 시멘트-코팅물로서 사용할 수 있는 수성 제제를 제조할 수 있는 2- 또는 다성분 시스템 형태의 조성물을 제공하는 것이 유리할 수 있다.
본 발명은 아래의 구성성분들로 이루어진 조성물에 관한 것이다:
(a) 경우에 따라 1 내지 90 wt% 인산(H3PO4) 수용액과 함께 1 내지 30 wt%(중량%)의 나트륨, 칼륨, 암모늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 철, 코발트 및 구리의 일- 및 이수소 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수소 인산염;
(b) 1 내지 40 wt%의 마그네슘, 칼슘, 철, 아연 및 구리의 산화물, 수산화물 및 산화물 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물;
(c) 40 내지 95 wt%의 유리; 마그네슘, 칼슘, 바륨 및 알루미늄의 모노-, 올리고- 및 폴리-포스페이트; 황산칼슘; 황산바륨; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 철 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 실리케이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 마그네슘 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 알루미네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 바륨 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 티타네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄 및/또는 마그네슘을 포함하는 단순 및 착체 지르코네이트; 이산화지르코늄; 이산화티탄; 산화알루미늄; 이산화규소; 탄화규소; 질화알루미늄; 질화붕소 및 질화규소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 입자형 충전제; 및
(d) 0 내지 25 wt%의 구성성분 (a) 내지 (c)와 상이한 적어도 하나의 구성성분;
여기서 구성성분 (a)는 구성성분 (a) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수(free water)를 포함할 수 있고;
구성성분 (d)는 구성성분 (d) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수를 포함할 수 있고;
상기 조성물은 2- 또는 다성분 시스템으로서 존재하고, 구성성분 (a) 및 (b)는 실질적으로 서로 분리되어 존재하거나 또는 구성성분 (a)가 인산을 포함하는 경우에는 서로 분리되어 존재한다.
따라서 구성성분 (a) 내지 (c) 또는 (a) 내지 (d)로 이루어진 조성물은 2개 이상의 성분, 즉 서로 다르고 서로 별개인 성분(서로 분리 저장되거나 또는 저장될 성분)의 형태로 존재한다.
다시 말해, 본 발명은 아래의 구성성분만을 포함하는 2개 이상의 서로 다른 성분들의 시스템에 관한 것이다:
(a) 경우에 따라 1 내지 90 wt% 인산 수용액과 함께 1 내지 30 wt%의 나트륨, 칼륨, 암모늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 철, 코발트 및 구리의 일- 및 이수소 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수소 인산염;
(b) 1 내지 40 wt%의 마그네슘, 칼슘, 철, 아연 및 구리의 산화물, 수산화물 및 산화물 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물;
(c) 40 내지 95 wt%의 유리; 마그네슘, 칼슘, 바륨 및 알루미늄의 모노-, 올리고- 및 폴리-포스페이트; 황산칼슘; 황산바륨; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 철 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 실리케이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 마그네슘 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 알루미네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 바륨 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 티타네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄 및/또는 마그네슘을 포함하는 단순 및 착체 지르코네이트; 이산화지르코늄; 이산화티탄; 산화알루미늄; 이산화규소; 탄화규소; 질화알루미늄; 질화붕소 및 질화규소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 입자형 충전제; 및
(d) 0 내지 25 wt%의 구성성분 (a) 내지 (c)와 상이한 적어도 하나의 구성성분;
여기서 구성성분 (a)는 구성성분 (a) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수를 포함할 수 있고;
구성성분 (d)는 구성성분 (d) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수를 포함할 수 있고;
구성성분 (a) 및 (b)는 실질적으로 서로 분리되어 존재하거나 또는 구성성분 (a)가 인산을 포함하는 경우에는 서로 분리되어 존재한다.
따라서 본 발명은 상기 구성성분 (a) 내지 (c) 및 (d)가 있는 경우에는 (d)를 포함하여 이루어진 2- 또는 다성분 조성물에 관한 것이다. 일반적으로 성분의 수는 5개를 넘지 않을 것이다. 2-성분 조성물인 것이 바람직하다. 상기 성분들은 공통적으로 모든 구성성분 (a) 내지 (c) 또는 경우에 따라서는 (a) 내지 (d)를 포함한다. 상기 성분들은 모든 구성성분 (a) 내지 (c) 또는 경우에 따라서는 (a) 내지 (d)를 포함하는 수성 수경화성 제제의 제조를 위해 사용될 때까지 서로 분리 보관된다. 상기 제제의 제조는 물의 첨가 및/또는 물과의 혼합을 필요로 한다.
구성성분 (a)가 인산을 포함하는 경우, 구성성분 (a) 및 (b)가 서로 다른 성분 내에서 서로 분리되어 존재, 즉 전체적으로 서로 분리되어 존재하는 것을 요구하는 본 실시예에서의 본 발명에 대한 필요 조건을 만족한다면 구성성분 (a) 내지 (c) 또는 경우에 따라서는 (a) 내지 (d) 또는 이의 부-구성성분(sub-constituent)은 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 성분들 전체에 걸쳐 자유롭게 분포될 수 있다. 일 구현예에 있어서, 본 발명은 구체적으로 전체 인산-함유 구성성분 (a)를 포함하는 성분, 90 wt% 이상의 구성성분 (b), 바람직하게는 구성성분 (b) 모두를 포함하는 추가 성분 뿐아니라 경우에 따라서 하나 이상의 추가 성분으로 이루어지되, 상기 성분들 중 적어도 하나는 구성성분 (c) 및 (d)가 있는 경우에는 (d) 또는 이들의 부-구성성분을 포함하는 다성분 시스템에 관한 것이다. 일 구현예에 있어서, 본 발명은 구체적으로 인산-함유 구성성분 (a) 모두를 포함하는 성분, 90 wt% 이상의 구성성분 (b), 바람직하게는 구성성분 (b) 모두를 포함하는 제2 성분으로 이루어지되, 상기 성분들 중 적어도 하나는 구성성분 (c) 및 (d)가 있는 경우에는 (d) 또는 이들의 부-구성성분을 포함하는 2-성분 시스템에 관한 것이다.
구성성분 (a)가 인산을 포함하지 않는 경우, 구성성분 (a) 및 (b)가 적어도 실질적으로 서로 분리되어 존재하는 것을 요구하는 본 실시예에서의 본 발명에 대한 필요 조건을 만족한다면 구성성분 (a) 내지 (c) 또는 경우에 따라서는 (a) 내지 (d) 또는 이의 부-구성성분은 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 성분들 전체에 걸쳐 자유롭게 분포될 수 있다. "실질적으로"는 적어도 90 wt%의 무-인산 구성성분 (a) 모두, 바람직하게는 무-인산 구성성분 (a) 모두가 구성성분 (b)와 분리되어 존재하고 그 반대도 마찬가지임을 의미하는 것으로 이해되어야 할 것이다. 다시 말해, 최대 10 wt%의 무-인산 구성성분 (a)가 구성성분 (b)의 일부를 또한 함유하는 성분 내 존재할 수 있는바; 이는 구성성분 (b)에 유사하게 적용된다. 바람직하게는, 구성성분 (a) 및 (b)는 서로 다른 성분에서 서로 분리되어 존재, 즉 서로 완전히 분리되어 존재한다. 일 구현예에 있어서, 본 발명은 구체적으로 90 wt% 이상의 무-인산 구성성분 (a), 바람직하게는 무-인산 구성성분 (a) 모두를 포함하는 성분, 90 wt% 이상의 구성성분 (b), 바람직하게는 구성성분 (b) 모두를 포함하는 추가 성분 뿐아니라 경우에 따라서 하나 이상의 추가 구성성분으로 이루어지되, 상기 성분들 중 적어도 하나는 구성성분 (c) 및 (d)가 있는 경우에는 (d) 또는 이들의 부-구성성분을 포함하는 다성분 시스템에 관한 것이다. 바람직하게는 본 발명은 90 wt% 이상의 무-인산 구성성분 (a), 바람직하게는 무-인산 구성성분 (a) 모두를 포함하는 성분, 90 wt% 이상의 구성성분 (b), 바람직하게는 구성성분 (b) 모두를 포함하는 제2 성분으로 이루어지되, 상기 2개의 성분들 중 적어도 하나는 구성성분 (c) 및 (d)가 있는 경우에는 (d) 또는 이들의 부-구성성분을 포함하는 2-성분 시스템에 관한 것이다.
구성성분 (a) 내지 (d) 각각은 이하 "부-구성성분"으로 지칭될 하나 이상의 서로 다른 성분들을 포함할 수 있다.
혼동을 피하기 위해서, 본 명세서에서는 구성성분 (a) 내지 (d), 상기 구성성분의 부-구성성분, 및 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 성분을 구별하기로 한다.
본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 1 내지 30 wt%, 바람직하게는 2 내지 15 wt%를 차지하는 구성성분 (a)는 경우에 따라 1 내지 90 wt% 인산 수용액(1 내지 90 wt% 인산과 총 100 wt%까지 물을 일부 첨가하여 이루어진 수용액)과 함께 인산일수소나트륨, 인산일수소칼륨, 인산일수소암모늄, 인산일수소마그네슘, 인산일수소칼슘, 인산일수소알루미늄, 인산일수소아연, 인산일수소철, 인산일수소코발트, 인산일수소구리, 인산이수소나트륨, 인산이수소칼륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소마그네슘, 인산이수소칼슘, 인산이수소알루미늄, 인산이수소아연, 인산이수소철, 인산이수소코발트 및 인산이수소구리로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질이다. 다시 말해, 본 발명은 경우에 따라 1 내지 90 wt% 인산 수용액과 함께 나트륨, 칼륨, 암모늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 철, 코발트 및 구리의 인산 일- 및 이수소 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수소 인산염에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 마그네슘, 칼륨, 알루미늄 및 암모늄의 일- 및 이수소 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수소 인산염에 관한 것이다.
무-인산 구성성분 (a) 또는 이의 부-구성성분은 바람직하게는 예를 들어 1 mm 이하 범위의 입자 크기를 가진 고체 입자로 이루어져 있다.
구성성분 (a)는 구성성분 (a) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수를 포함할 수 있다. 구성성분 (a)와 관련하여, 자유수는 구체적으로 상기 적어도 하나의 수소 인산염에서 결정수(crystalline water)로서 결합되지 않은 물이다. 상기 자유수는 특히 존재할 수 있는 인산 수용액으로부터 유래될 수 있다. 바람직하게는, 구성성분 (a)는 물 또는 적어도 자유수를 포함하지 않는다. 구체적으로, 구성성분 (a)는 의도적으로 첨가된 물이나 인산 수용액 모두 포함하지 않는다.
본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 1 내지 40 wt%, 바람직하게는 2 내지 15 wt%를 차지하는 구성성분 (b)는 마그네슘, 칼슘, 철, 아연 및 구리의 산화물, 수산화물 및 산화물 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물, 특히 산화마그네슘, 산화철 및 산화칼슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물이다. 산화마그네슘이 특히 바람직하다.
구성성분 (b) 또는 이의 부-구성성분은 바람직하게는 예를 들어 0.3 mm 이하 범위의 입자 크기를 가진 고체 입자로 이루어져 있다.
구성성분 (b)는 자유수를 포함하지 않으며 바람직하게는 결합수(bound water) 역시 포함하지 않는다. 이와 관련하여, 고온에서 산화물 수화물로부터 배출될 수 있는 물은 결합수로 간주하여서는 안 될 것이다.
본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 40 내지 95 wt%, 바람직하게는 65 내지 90 wt%를 차지하는 구성성분 (c)은 유리; 마그네슘, 칼슘, 바륨 및 알루미늄의 모노-, 올리고- 및 폴리-포스페이트; 황산칼슘; 황산바륨; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 철 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 실리케이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 마그네슘 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 알루미네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 바륨 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 티타네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄 및/또는 마그네슘을 포함하는 단순 및 착체 지르코네이트; 이산화지르코늄; 이산화티탄; 산화알루미늄; 특히 규산 및 석영 형태의 이산화규소; 탄화규소; 질화알루미늄; 질화붕소 및 질화규소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 입자형 충전제이다. 규산지르코늄, 규산 및 석영이 바람직하다.
혼동을 피하기 위해서 앞절에서 인용한 모노-, 올리고- 및 폴리포스페이트는 구성성분 (a)의 수소 인산염과 달리 무-수소 인산염인 것으로 이해되어야 할 것이다.
앞절에서는 단순 및 착체 실리케이트, 알루미네이트, 티타네이트 및 지르코네이트를 구분하고 있다. 상기 착체는 착체 화합물이 아니고 그의 대표적인 것으로는 예를 들면 나트륨 알루미늄 실리케이트, 칼슘 알루미늄 실리케이트, 납 지르코늄 티타네이트 등과 같은 1 초과의 양이온 형태를 가진 실리케이트, 알루미네이트, 티타네이트 및 지르코네이트가 있다.
구성성분 (c) 또는 이의 부-구성성분의 입자 크기는 예를 들어 20 nm 내지 0.3 mm 또는 나아가 20 nm 내지 1 mm의 범위에 있다.
구성성분 (c)는 자유수나 바람직하게는 결합수 역시 포함하지 않는다.
본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 0 내지 25 wt%, 바람직하게는 0 내지 15 wt% 또는 2 내지 15 wt%를 차지하는 구성성분 (d)는 구성성분 (a) 내지 (c)와 상이한 적어도 하나의 구성성분 또는 부-구성성분이다. 예로는 특히 유동 개선제, 경화 지연제(가사 시간(pot life) 연장제), 소포제, 습윤제 및 접착촉진제와 같은 첨가제를 포함한다. 구성성분 (d)는 구성성분 (d) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 구성성분 (d)는 물을 포함하지 않거나, 보다 구체적으로 의도적으로 첨가된 물을 포함하지 않는다.
구성성분 (d) 또는 이의 부-구성성분은 바람직하게는 예를 들어 0.3 mm 이하 또는 나아가 1 mm 이하 범위의 입자 크기를 가진 고체 입자로 이루어져 있다. 구성성분 (d)는 고체가 아닌 것이 바람직하지 않을 수 있지만 예를 들어 액체이거나 비-고체, 예를 들면 액체 부-구성성분을 포함할 수 있다.
하기 표는 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 바람직한 구현예들의 일부 제제들을 예시하고 있다.
구성성분 구현예 1 구현예 2 구현예 3
(a) 특히 인산이수소칼륨 및/또는 -알루미늄 3-9 wt% 6-12 wt% 12-23 wt%
(b) 특히 산화마그네슘 3-8 wt% 5-14 wt% 8-19 wt%
(c) 특히 규산지르코늄 70-90 wt% 55-80 wt% 45-65 wt%
(d) 0-13 wt% 9-19 wt% 13-25 wt%
본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물은 구성성분 (a) 내지 (c) 또는 (a) 내지 (d)로 이루어지되, 즉 상기 구성성분의 wt% 분율을 합치면 총 100 wt%의 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물이 된다. 구성성분 (d)가 존재하지 않는 경우, 구성성분 (a) 내지 (c)의 wt% 분율을 합치면 100 wt%의 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물이 된다.
일 구현예에 있어서, 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 시스템의 성분들은 구성성분 (a) 내지 (c) 또는 (a) 내지 (d)의 상기 언급한 정량비에 해당하는 양으로 제공되는바; 다시 말해, 상기 성분들의 분획이 끝나고 이에 따라 이들 성분들을 서로 직접 혼합하여 1-성분 조성물을 형성하고/또는 추가로 물과 함께 임의의 계량 또는 측정없이 수성 수경화성 제제를 형성할 수 있다. 이와 관련하여 구성성분 (a)가 인산 수용액을 포함하는 경우에는 기재한 바와 같이 제조한 1-성분 조성물 또는 수성 수경화성 제제는 단기간, 예를 들어 2시간만 저장될 수 있다.
상기 수성 수경화성 제제를 형성하기 위해 서로 또는 물과 혼합될 수 있는 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 2개 이상의 성분들은 바람직하게는 입자 형태, 예를 들면 분말 형태로 제공된다. 이는 1 초과, 즉 2개 이상의 서로 다른 구성성분 및/또는 부-구성성분을 포함하는 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 시스템의 입자형 또는 분말형 성분들이 치밀한 혼합물, 특히 확률상 균질한 혼합물 형태로 존재하고; 상기 입자형 성분들은 바람직하게는 덩어리를 형성하지 않고 자유롭게 유동할 수 있다.
본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 입자형 성분들은 당업자에게 공지되어 있는 유동이 자유로운 입자형 조성물의 일반적인 제조 방법에 따라 제조할 수 있다. 예로는 텀블러 혼합, 집중 혼합, 건식 분쇄 및 공기 배합의 제조 공정을 포함한다.
위에서 언급한 바와 같이, 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 성분들은 수성 수경화성 제제를 형성하기 위해 서로 혼합 및 물과 혼합할 수 있다.
수성 수경화성 제제, 특히 수성 코팅물(즉, 최종품)로서 사용할 수 있는 수성 수경화성 제제는 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 성분들을 혼합하여 하나 이상의 예비 혼합물(pre-mixture)을 제조한 후 물과 혼합하여 얻을 수 있다. 따라서 예를 들어 먼저 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 시스템의 모든 성분을 물 첨가 없이 혼합하고 이어서 물과 혼합하여 수성 수경화성 제제를 제조할 수 있다.
이와 달리, 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 성분들 중 적어도 하나를 먼저 물과 혼합할 수 있고, 이에 따라 적어도 하나의 수성 중간체로 전환시킬 수 있다. 그 결과, 상기 적어도 하나의 수성 중간체 뿐 아니라 물과 혼합하지 않은 원래의 2- 또는 다성분 시스템의 나머지 성분들을 포함하는 원래의 2- 또는 다성분 시스템과는 상이한 2- 또는 다성분 시스템(원래의 2- 또는 다성분 시스템으로부터 유도된 2- 또는 다성분 시스템; 간단히 "유도된 2- 또는 다성분 시스템")이 얻어진다. 따라서 이렇게 형성한 유도된 2- 또는 다성분 시스템의 성분들을 직접적으로 또는 물을 첨가하면서 혼합하여 수성 수경화성 제제, 특히 수성 코팅물(즉 최종품)로서 사용할 수 있는 수성 수경화성 제제를 제조할 수 있다.
유도된 2- 또는 다성분 시스템은 구체적으로 다음과 같은 구현예(i), (ii) 또는 (ii)를 가질 수 있다:
(i) 구성성분 (b)의 분획이 없는 구성성분 (a)를 포함하는 수성 중간체 (A') 형태의 수성 성분 및 구성성분 (a)의 분획이 없는 구성성분 (b)를 포함하는 수성 중간체 (B') 형태의 추가 수성 성분을 포함하는 유도된 2- 또는 다성분 시스템. 상기 수성 중간체 (A')는 기본적으로 무한정의 저장 시간을 특징으로 하는 반면, 상기 수성 중간체(B')의 저장 시간은 일반적으로 단 48시간에 불과하다. 유형 (i)의 유도된 2-성분 시스템과 관련하여 그의 2개의 수성 및 예를 들어 액체 또는 페이스트상(pasty) 성분들은 적절한 2-성분 혼합 설비, 예를 들어 정적 믹서(특히 Kenics 또는 Ross ISG 믹서 타입)에 의해 혼합되어 특히 산업적 연속 생산, 예를 들어 각각의 코팅 및/또는 코팅된 전자 부품의 연속 생산 범주에서 수성 수경화성 제제, 특히 수성 코팅물(즉 최종품)로서 사용할 수 있는 수성 수경화성 제제를 제조할 수 있다. 이러한 형태로 상기 유형 (i)의 유도된 2-성분 시스템의 사용은 최종 사용자, 특히 수성 코팅물(즉 최종품)으로서 사용할 수 있는 수성 수경화성 제제의 사용자가 실시하기에 특히 적합하다.
(ii) 구성성분 (b)의 분획이 없는 구성성분 (a)를 포함하는 비-수성 성분 및 구성성분 (a)의 분획이 없는 구성성분 (b)를 포함하는 수성 중간체 형태의 수성 성분을 포함하는 유도된 2- 또는 다성분 시스템. 위에서 언급한 바와 같이, 이러한 유형의 수성 중간체는 그의 저장 시간이 일반적으로 단 48시간인 것을 특징으로 한다. 최종 사용자라면 구성성분 (b)의 분획이 없는 구성성분 (a)를 포함하는 비-수성 성분을 물과 혼합하여 전환시킴으로써 상기 유형 (ii)의 유도된 2- 또는 다성분 시스템을 유형 (i)의 유도된 2- 또는 다성분 시스템으로 전환할 수 있다.
(iii) 구성성분 (b)의 분획이 없는 구성성분 (a)를 포함하는 수성 성분 및 구성성분 (a)의 분획이 없는 구성성분 (b)를 포함하는 비-수성 성분을 포함하는 유도된 2- 또는 다성분 시스템. 최종 사용자라면 구성성분 (a)의 분획이 없는 구성성분 (b)를 포함하는 비-수성 성분을 물과 혼합하여 전환시킴으로써 상기 유형 (iii)의 유도된 2- 또는 다성분 시스템을 유형 (i)의 유도된 2- 또는 다성분 시스템으로 전환할 수 있다.
일반적으로, 당해 유형의 수성 수경화성 제제는 과량의 산을 전혀 함유하지 않는바, 다시 말해 일반적으로 기본 구성성분 (b)의 속성과 양은 구성성분 (a)에 의해 제공되는 산 당량 및 경우에 따라 구성성분 (c) 및 (d)로부터의 추가 산 당량은 적어도 완전히 중화될 수 있고, 바람직하게는 과-중화될 수 있도록 조정될 수 있다.
예를 들어, 총 100 중량부의 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 성분들, 예를 들어 바람직하게는 입자형 성분들을 5 내지 30 중량부, 바람직하게는 6 내지 15 중량부의 물과 혼합하여 수성 수경화성 제제를 제조할 수 있다.
위에서 언급한 바와 같이, 물을 첨가하지 않고 먼저 본 발명에 따른 2- 또는 다성분 시스템의 모든 성분을 혼합한 후 물과 혼합하여 수성 수경화성 제제를 제조하는 것이 가능하다. 그러나 상기 성분들 중 적어도 하나를 먼저 물과 혼합하여 적어도 하나의 수성 중간체를 제조하고 이에 따라 유도된 2- 또는 다성분 시스템을 생성하는 것이 바람직하다. 이어서, 이를 추가 성분(들) 및/또는 수성 중간체(들)와 더 혼합할 수 있다.
본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물을 사용하면서 수성 수경화성 제제를 제조할 때 상기 제제의 개별 성분들과 물을 경우에 따라 조금씩 혼합하는 것을 포함하여 임의의 순서로 서로 혼합할 수 있다. 이와 관련하여, 먼저 물을 첨가하지 않고 위에서 언급한 2개 이상의 성분들로 이루어진 예비 혼합물 중 하나 이상의 형태 및/또는 물을 첨가하면서 위에서 언급한 수성 중간체들 중 하나 또는 2개의 형태로 중간 생성물을 제조할 수 있다. 수성 중간체는 경우에 따라서 수용액, 예를 들어 구성성분 (a) 또는 (d) 또는 경우에 따라 이의 부-구성성분들의 수용액일 수 있다. 구성성분 (b) 및 구성성분 (a), (c) 및 (d)로부터 선택된 (물 존재하에서 H3O+ 이온을 형성하는) 적어도 하나의 산성 구성성분의 분획을 함유한 수성 중간체를 최종품인 수성 수경화성 제제를 제조하기 위한 최종 혼합 전 길지 않은 시간에, 예를 들면 최대 2시간 내지 24시간 내 제조하는 것이 유리할 수 있다. 구성성분 (b) 또는 구성성분 (b)의 부-구성성분을 포함하지만 산성 구성성분 또는 부-구성성분이 없는 수성 중간체에도 동일하게 적용되는데; 이 경우 예를 들어 수성 수경화성 제제를 제조하기 위한 최종 혼합 전 길지 않은 시간에, 예를 들면 최대 48시간내 제조하는 것이 유리할 수 있다.
본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물의 사용을 통해 수성 수경화성 제제를 제조하기 위한 최종 혼합 중에 사용할 수 있는 동적 혼합 공정의 예로는 교반 및 집중 혼합, 예를 들어, 유성형(planetary) 믹서를 통한 집중 혼합을 포함한다.
본 발명에 따른 2- 또는 다성분 조성물을 산업적인 규모로 사용하는 측면에서 특히 유리한 일 구현예에 있어서, 상기 조성물은 2개의 성분 (A)와 (B)만을 포함한다. 이와 관련하여 성분 (A)는 구성성분 (a)를 포함하고 성분 (B)는 구성성분 (b)를 포함한다. 이러한 방식으로, 구성성분 (a) 및 (b)는 본 발명에 따른 2-성분 시스템을 저장하는 중에는 서로 분리되어 유지될 수 있다. 이와 관련하여, 구성성분 (c) 및 (d)는 성분 (A) 및/또는 (B)에 함유될 수 있는바, 적어도 구성성분 (c)가 거의 동일한 분율로 2개의 성분 (A) 및 (B)에 존재하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 30 내지 70 wt%, 바람직하게는 40 내지 60 wt%의 구성성분 (c)가 성분 (A)에 존재할 수 있고 나머지 분율은 성분 (B)에 존재할 수 있다. 나아가 성분 (B)가 산성일 수 있는 구성성분 (c) 및 (d)의 분획을 함유하지 않는 것이 바람직할 수 있다. 산성일 수 있는 이러한 물질들은 바람직하게는 성분 (A)에만 전적으로 함유된다. 수성 수경화성 제제를 제조하기 위해 물과의 혼합은 위에 언급한 원리에 따라 수행할 수 있다. 그러나 물로 2개의 성분 (A) 및 (B) 각각을 수성 중간체 (A') 및 (B')를 포함하는 상기 언급한 유형 (i)의 유도된 2-성분 시스템으로 전환시키고, 이어서 이들을 서로 혼합하여 수성 수경화성 제제를 제조하는 것이 바람직하다. 이는 산업적인 규모로 사용한다는 측면에서 특별한 장점으로 나타난다. 구성성분 (b)의 분율이 없는 구성성분 (a)를 포함하는 성분 (A) 및/또는 수성 중간체 (A')는 기본적으로 무한정의 시간동안 저장될 수 있다. 산성 물질이 없고 성분 (B) 및/또는 구성성분 (b)를 포함하는 수성 중간체 (B')는 일반적으로 적어도 48시간 이상의 기간 동안 저장될 수 있다. 바람직하게는, 수성 중간체 (A') 및 (B')는 이들의 혼합비와 관련하여 비슷한 부피, 예를 들어 20% 만큼만 서로 다른 부피(1.2:1 내지 1:1.2의 부피비에 상당) 및/또는 유사한 유변학적 특성, 예를 들어 0.5 내지 50 Pa·s 범위의 점도(회전 점도 측정법, 플레이트-플레이트 측정 원리, 플레이트 직경 25 mm, 측정 간격 1 mm, 샘플 온도 20℃, 전단 속도 36분-1, 2분의 측정 시간 후에 측정한 점도값)를 갖도록 적절하게 제형화될 수 있다. 2개의 수성 중간체 (A') 및 (B')의 혼합물은 위에 언급한 의미에서 수성 수경화성 제제에 해당하며 성분 (A) 및 (B) 그리고 이에 따라 구성성분 (a) 및 (b)를 서로 접촉시키고 초기 점도가 2배가 될 때까지(본 발명에 따른 2-성분 조성물과 물의 첫 번째 접촉으로부터 5분 후에 계산한 점도) 걸리는 시간으로 표시되는 가사 시간(공정 기간, 가공성의 기간)을 일반적으로 120분 이하로 갖는다. 따라서 상기 2개의 수성 중간체(A') 및 (B')를 별개로 제공하고 일반적으로 48시간의 기간 내에 처리되는 실질적인 양을 제공하고 수성 중간체 (A') 및 (B')의 필요한 분획을 전자 부품을 코팅하기 위해 사용하기 전에, 예를 들면 직전에 또는 120분 미만, 바람직하게는 10분 미만에 합하는 것이 유리하다. 이와 관련하여 사용할 수 있을 뿐아니라 특히 매우 적합한 2-성분 혼합 설비의 예로 필요량의 수경화성 제제를 특히 전자 부품을 코팅하기 위한 의도된 사용 목적을 위해 바람직한 혼합비로 또한 충분히 균질하도록 혼합되는 수성 중간체 (A') 및 (B')의 형태로 연속적으로 또는 조금씩 방출하는 배출구를 가진 상기 언급한 정적 믹서이다. 예를 들어, 수성 중간체 (A') 및 (B')의 원하는 혼합비는 본 발명에 따른 2-성분 조성물 및 물의 상기 언급한 원하는 정량비, 예를 들어 100 중량부의 본 발명에 따른 2-성분 조성물: 5 내지 30중량부, 바람직하게는 6 내지 15중량부의 물의 상기 언급한 정량비에 상당하는 것이 유리할 수 있다.
상기 언급한 바와 같이, 상기 유동이 자유로운 수성 수경화성 제제는 전자 부품용 수성 코팅물로서 사용될 수 있다. 이하, 간단히 용어 "수성 코팅물(aqueous enclosing mass)"을 사용할 것이다.
상기 수성 코팅물은 전자 부품의 수경화형 코팅을 제조하기 위해 사용할 수 있다. 상기 제조 공정은 다음 단계들을 포함한다:
(1) 코팅할 전자 부품을 제공하는 단계;
(2) 위에 언급한 바와 같이 제조한 수성 코팅물을 제공하는 단계;
(3) 단계 (2)에서 제공된 수성 코팅물로 단계 (1)에서 제공된 전자 부품을 코팅하는 단계; 및
(4) 단계 (3)의 종료 후 전자 부품을 코팅하는 수성 코팅물을 수경화하는 단계.
바람직하게는 단계 (1) 내지 (4) 및/또는 단계 (1) 내지 (4)를 포함하는 공정은 산업적인 연속 생산의 범주에서 산업적인 규모로 구현된다.
단계 (1)에서는 코팅할 전자 부품, 예를 들어 수동 전자 부품 또는 반도체 모듈이 제공되며, 후자의 반도체 모듈은 구체적으로 전력 전자 서브-어셈블리 형태이다.
단계 (2)와 관련하여, 위에 기재되어 있고/또는 위에 언급한 구현예들을 참조할 것이다. 산업적 규모로 구현되는 단계 (2)는 바람직하게는 정적 믹서, 특히 Kenics- 또는 Ross-ISG 믹서 타입을 사용하여 유형 (i)의 유도된 2-성분 시스템의 수성 중간체 (A') 및 (B')의 혼합 중 이루어진다. 이와 관련하여, 단계 (2)는 다음과 같은 부-단계들을 포함한다:
(2a) 구성성분 (a)를 포함하는 제1 성분 (A) 및 구성성분 (b)를 포함하는 제2 성분 (B)로부터 본 발명에 따른 2-성분 조성물을 제공하는 단계;
(2b) 성분 (A) 및 (B) 각각을 물과 별도로 혼합하여 2개의 별개의 수성 중간체 (A') 및 (B')를 제조하는 단계; 및
(2c) 정적 믹서에 의해 수성 중간체 (A') 및 (B')를 혼합하여 수성 수경화성 제제의 형태로 수성 코팅물을 제조하는 단계. 이와 관련하여, 상기 2개의 수성 중간체 (A') 및 (B')는 서로 20% 만큼만 서로 다른 부피를 갖고/또는 각각 0.5 내지 50 Pa·s 범위의 점도(회전 점도 측정법, 플레이트-플레이트 측정 원리, 플레이트 직경 25 mm, 측정 간격 1 mm, 샘플 온도 20℃, 전단 속도 36분-1, 2분의 측정 시간 후에 측정한 점도값)를 갖는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 단계 (3)은 단계 (2)의 종료 후 지체 없이, 예를 들어 120분 내, 바람직하게는 10분 내 수행한다.
단계 (3)은 단계 (2)에 따라 제공된 수성 코팅물로 단계 (1)에서 제공된 전자 부품을 코팅하는 것을 포함한다. 포팅(potting), 침지 및 사출 성형이 바람직한 적용 방법이다. 상기 포팅은 당업자에게 공지된 일반적인 방법, 예를 들어 중력 포팅, 압력-보조 포팅 또는 감압 포팅에 의해 이루어질 수 있다. 이와 관련하여, 코팅할 전자 부품을 하프-쉘(half-shell) 몰드로 둘러싼 다음 이들을 주조성 코팅물로 채우는 것이 유리할 수 있다. 상기 코팅은 일부 또는 전체 코팅으로서 이루어진다. 예를 들어, 반도체 모듈의 코팅은 코팅 화합물이 반도체 부품에 연결되는 예를 들어, 본드 와이어, 리본 및/또는 기판과 같은 전기 접촉부를 일부 또는 전부 코팅하도록 수행될 수 있다. 일부 코팅은 상기 접촉부 중 하나 이상이 불완전하게 코팅되고/또는 상기 접촉부 중 하나 이상이 코팅되지 않음을 의미하는 것으로 이해되어야 하는 한편, 전부 코팅은 모든 접촉부가 완전히 코팅됨을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 상기 포팅은 예를 들어 코팅 화합물이 당업자에게 공지된 "글로브-톱(glob-top)"으로서 형성되도록 이루어질 수 있다.
단계 (3) 후속의 단계 (4)에서는 상기 전자 부품을 코팅하는 수성 코팅물을 수경화한다. 보다 정확하게는, 상기 수경화의 본질적인 부분은 단계 (4)에서 경화 공정 중에 이루어진다; 구성성분 (a) 및 (b)가 물의 존재하에서, 즉 단계 (2) 중에 서로 접촉하는 순간부터 수성 경화가 시작함은 자명하다. 물 또는 상기 물의 제거를 의미하는 건조 공정은 실제 경화 공정 중 및 후에 이루어질 수 있다. 경화 및 건조는 예를 들어 30 내지 300분 동안 예를 들어 20 내지 300℃의 온도 범위에서 이루어질 수 있다.
단계 (3)에서 하프-쉘 몰드를 사용하는 경우에, 상기 코팅된 전자 부품은 단계 (4)에 따른 수경화 및 하프-쉘 개방 후 하프-쉘로부터 꺼낼 수 있다.
실시예
일반 과정:
돌려서 여는 뚜껑(screw-on lid)이 구비된 비커에서 하기 표에 기재되어 있는 분말형 고체 조성물의 각각의 성분을 계량하였다. 상기 비커를 밀폐한 다음, 각 성분을 수동 교반에 의해 개별적으로 균질화한 다음, 또 다른 비커에 넣은 물에 첨가하고 이를 집중 교반에 의해 5분 동안 균질화하여 수성 중간체를 제조하였다. 각각의 수성 중간체에 대한 혼합비는 고체 조성물 100 중량부 : 물 10 중량부이었다. 이와 같이 수득한 수성 중간체를 유동계(rheometer)의 측정 셀에 넣고, 각각의 초기 점도를 위의 기재 내용에 제공된 정보에 따라 결정하였다. 이어서, 2개의 수성 중간체를 소정의 질량비로 합치고 집중 교반에 의해 균질화시켜 수성 코팅물을 제조하였다. 이를 유동계의 측정 셀에 넣고 가사 시간을 위의 기재 내용에 제공된 정보에 따라 결정하였다.
실시예 1 실시예 2
구성성분 성분 (A) 성분 (B) 성분 (A) 성분 (B)
(A) 인산이수소칼륨 3.84 0 3.84 0
(b) 산화마그네슘 D50 = 18 ㎛ 0 4.6 0 4.6
(c) 규산지르코늄 D50 = 10 ㎛ 19.4 17.92 21.3 16
(d1) 우레아 2.4 3.6 2.4 3.6
(d2) L-타르타르산 0.36 2.04 0.36 2.04
(d3) 트리소듐 시트레이트 트리하이드레이트 0.36 2.04 0.36 2.04
수성 중간체의 상대 질량 분율 1 1.13 1 1
수성 중간체의 초기 점도[Pa·s] 2 4 2 2.5
성분 (B)의 저장 시간 50시간 50시간
코팅물의 가사 시간 50분 50분
D50 = 평균 입경

Claims (15)

  1. 하기 구성성분들로 이루어진 조성물:
    (a) 경우에 따라 1 내지 90 wt% 인산 수용액과 함께 1 내지 30 wt%의 나트륨, 칼륨, 암모늄, 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 아연, 철, 코발트 및 구리의 일- 및 이수소 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수소 인산염;
    (b) 1 내지 40 wt%의 마그네슘, 칼슘, 철, 아연 및 구리의 산화물, 수산화물 및 산화물 수화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물;
    (c) 40 내지 95 wt%의 유리; 마그네슘, 칼슘, 바륨 및 알루미늄의 모노-, 올리고- 및 폴리-포스페이트; 황산칼슘; 황산바륨; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 철 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 실리케이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 마그네슘 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 알루미네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄, 마그네슘, 바륨 및/또는 지르코늄을 포함하는 단순 및 착체 티타네이트; 나트륨, 칼륨, 칼슘, 알루미늄 및/또는 마그네슘을 포함하는 단순 및 착체 지르코네이트; 이산화지르코늄; 이산화티탄; 산화알루미늄; 이산화규소; 탄화규소; 질화알루미늄; 질화붕소 및 질화규소로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 입자형 충전제; 및
    (d) 0 내지 25 wt%의 구성성분 (a) 내지 (c)와 상이한 적어도 하나의 구성성분;
    여기서 구성성분 (a)는 구성성분 (a) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수를 포함할 수 있고;
    구성성분 (d)는 구성성분 (d) 전체 대비 10 wt% 이하의 자유수를 포함할 수 있고;
    상기 조성물은 2- 또는 다성분 시스템으로서 존재하고, 구성성분 (a) 및 (b)는 실질적으로 서로 분리되어 존재하거나 또는 구성성분 (a)가 인산을 포함하는 경우에는 서로 분리되어 존재하는 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 구성성분 (a)가 마그네슘, 칼륨, 알루미늄 및 암모늄의 일- 및 이수소 인산염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 수소 인산염인 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 구성성분 (b)가 산화마그네슘, 산화철 및 산화칼슘으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물인 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 구성성분 (c)가 규산지르코늄, 규산 및 석영으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 입자형 충전제인 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 2- 또는 다성분 시스템의 성분이 구성성분 (a) 내지 (d)의 정량비에 해당하는 제공량으로 존재하는 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 조성물의 성분들을 서로 혼합 및 물과 혼합함으로써 제조될 수 있는 수성 수경화성 제제.
  7. 제6항에 있어서, 상기 혼합비가 상기 조성물 100 중량부 및 물 5 내지 30 중량부인 수성 수경화성 제제.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 조성물의 성분들을 서로 혼합 및 물과 혼합함으로써 제6항 또는 제7항에 따른 수성 수경화성 제제를 제조하기 위한 방법.
  9. 제8항에 있어서, 물을 첨가하지 않고 먼저 상기 2- 또는 다성분 시스템의 모든 성분을 혼합한 후 물과 혼합하여 수성 수경화성 제제를 제조하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 2- 또는 다성분 시스템의 성분들 중 적어도 하나를 먼저 물과 혼합하여 적어도 하나의 수성 중간체를 제조하고, 그 전에 상기 추가 성분(들) 및/또는 추가 수성 중간체(들)와 더 혼합하는 방법.
  11. (1) 코팅할 전자 부품을 제공하는 단계;
    (2) 제6항 또는 제7항에 따른 수성 수경화성 제제 또는 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법에 따라 제조된 수성 수경화성 제제의 형태로 수성 코팅물을 제공하는 단계.
    (3) 단계 (2)에서 제공된 수성 코팅물로 단계 (1)에서 제공된 전자 부품을 코팅하는 단계; 및
    (4) 단계 (3)의 종료 후 전자 부품을 코팅하는 수성 코팅물을 수경화하는 단계를 포함하는, 전자 부품의 수경화형 코팅을 제조하기 위한 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 코팅할 전자 부품은 수동 전자 부품 또는 반도체 모듈인 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 산업적 규모로 구현되는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 단계 (2)가 하기 부-단계를 포함하는 방법:
    (2a) 구성성분 (a)를 포함하는 제1 성분 (A) 및 구성성분 (b)를 포함하는 제2 성분 (B)로부터 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 2-성분 조성물을 제공하는 단계;
    (2b) 성분 (A) 및 (B) 각각을 물과 별도로 혼합하여 2개의 별개의 수성 중간체 (A') 및 (B')를 제조하는 단계; 및
    (2c) 정적 믹서에 의해 수성 중간체 (A') 및 (B')를 혼합하여 수성 수경화성 제제의 형태로 수성 코팅물을 제조하는 단계.
  15. 제14항에 있어서, 상기 2개의 수성 중간체 (A') 및 (B')가 서로 20% 만큼만 서로 다른 부피를 갖고/또는 각각 0.5 내지 50 Pa·s 범위의 점도(회전 점도 측정법, 플레이트-플레이트 측정 원리, 플레이트 직경 25 mm, 측정 간격 1 mm, 샘플 온도 20℃, 전단 속도 36분-1, 2분의 측정 시간 후에 측정한 점도값)를 갖는 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021230370A1 (ja) * 2020-05-15 2021-11-18 富士フイルム株式会社 硬化性樹脂組成物、成形加工用フィルム、成形物、及び、成形方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62187105A (ja) * 1986-02-10 1987-08-15 アルブライト・エンド・ウイルソン・インコ−ポレイテツド 水性リン酸塩溶液
KR20120101541A (ko) * 2009-12-11 2012-09-13 래티두드 18, 아이엔씨. 무기 인산염 내식성 코팅
US20150239784A1 (en) * 2012-10-15 2015-08-27 Apache Corporation Fast-setting cements for well abandonment
KR20170020448A (ko) * 2014-06-18 2017-02-22 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게 적어도 하나의 반도체 소자를 덮는 코팅 재료를 포함하는 반도체 모듈

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2186227B (en) 1985-12-21 1989-10-25 Helix Ltd Stapler
US4786328A (en) * 1987-07-16 1988-11-22 American Stone-Mix, Inc. Magnesium phosphate cement systems
JP3380858B2 (ja) 1999-03-31 2003-02-24 旭ファイバーグラス株式会社 無機質系成形品の製造方法
US7632348B2 (en) 2005-03-22 2009-12-15 Nova Chemicals Inc. Lightweight concrete compositions containing antimicrobial agents
CA2783723C (en) 2009-12-11 2019-01-15 Arun Wagh Inorganic phosphate compositions and methods
DE102013102301A1 (de) * 2013-03-08 2014-09-11 Chemische Fabrik Budenheim Kg Beschichtungssystem auf Basis einer Kombination von Monoaluminiumphosphat mit Magnesiumoxid
US10995253B2 (en) 2014-09-16 2021-05-04 Halliburton Energy Services, Inc. Lithium-containing calcium aluminate phosphate cement admixtures
FR3030498B1 (fr) * 2014-12-23 2019-06-07 Saint-Gobain Weber Liant acido-basique comprenant des ciments a base de phosphate
CN105837159A (zh) 2016-03-18 2016-08-10 派丽(上海)管理有限公司 一种高性能中性瓷砖粘结材料
US11091394B2 (en) 2017-07-31 2021-08-17 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Composition for producing an aqueous coating mass

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62187105A (ja) * 1986-02-10 1987-08-15 アルブライト・エンド・ウイルソン・インコ−ポレイテツド 水性リン酸塩溶液
KR20120101541A (ko) * 2009-12-11 2012-09-13 래티두드 18, 아이엔씨. 무기 인산염 내식성 코팅
US20150239784A1 (en) * 2012-10-15 2015-08-27 Apache Corporation Fast-setting cements for well abandonment
KR20170020448A (ko) * 2014-06-18 2017-02-22 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게 적어도 하나의 반도체 소자를 덮는 코팅 재료를 포함하는 반도체 모듈

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TWI730245B (zh) 2021-06-11
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JP2020524651A (ja) 2020-08-20

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