TWI729275B - 成膜裝置、成膜方法及記錄媒體 - Google Patents

成膜裝置、成膜方法及記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI729275B
TWI729275B TW107107523A TW107107523A TWI729275B TW I729275 B TWI729275 B TW I729275B TW 107107523 A TW107107523 A TW 107107523A TW 107107523 A TW107107523 A TW 107107523A TW I729275 B TWI729275 B TW I729275B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
gas
forming gas
forming
gas ejection
Prior art date
Application number
TW107107523A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201842980A (zh
Inventor
藤川誠
新納禮二
橋本浩幸
山口達也
野澤秀二
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201842980A publication Critical patent/TW201842980A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI729275B publication Critical patent/TWI729275B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45597—Reactive back side gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明提供一種技術，該技術係對在縱型之反應容器內被固持成棚架狀的複數片基板進行成膜處理時，可分別控制基板之中心部的膜厚與基板之周緣部的膜厚。 本發明之成膜裝置係包括如下之構件的裝置，成膜氣體噴吐部41，係被設置於在反應容器11內之基板W之固持區域的後方，並噴吐該成膜氣體；排氣口15，係被設置於基板W之固持區域的前方，並排出成膜氣體；轉動機構34，係用以使基板固持件21繞縱軸轉動；以及加熱部24，係將反應容器11內加熱至比從成膜氣體噴吐部41所噴吐之成膜氣體的溫度更低的溫度。在成膜氣體噴吐部41，第1氣體噴吐口43係為了使所噴吐之成膜氣體碰撞反應容器11內之氣體降溫用構件並被降溫、第2氣體噴吐口42係為了使所噴吐之成膜氣體不碰撞氣體降溫用構件，而分別在相異的方向開口。

Description

成膜裝置、成膜方法及記錄媒體
本發明係有關於一種對在縱型之反應容器內被固持成棚架狀的複數片基板進行成膜處理的技術。
在半導體裝置之製程，對是基板之半導體晶圓(以下記載為晶圓)在真空環境進行成膜處理。作為進行此處理之成膜裝置，具備將多片晶圓固持成棚架狀之基板固持件被搬入後而內部被加熱之縱型的反應容器，並具有構成為從在晶圓之一端側所配置之氣體注射器向轉動之晶圓供給成膜氣體，且從在晶圓之另一端側所配置的排氣口進行排氣的情況。在專利文獻1，記載那種構成的成膜裝置。在專利文獻2，表示構成為對上述之氣體注射器，構成為朝向晶圓在彼此相異的2個方向噴吐氣體。
[先行專利文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第5966618號公報
[專利文獻2]日本特開平6-77474號公報
檢討使用上述之成膜裝置，根據氣相沈積聚合法(VDP：Vapor Deposition Polymerization)對晶圓進行高分子膜之成膜。此VDP係使成為成膜原料之複數種單體氣化後，向真空環境中的基板供給，在該基板之表面使各單體進行聚合反應，而進行成膜的手法。在進行此VDP時，在從使單體氣化的氣化部至到達上述之氣體注射器的氣體流路，係設定成可防止單體之凝結及凝固的溫度，另一方面，如在後面發明之實施形態的項目所詳述，關於反應容器內之溫度，即晶圓之溫度，為了提高單體之吸附效率以得到高的成膜效率，檢討設定成比上述之氣體流路的溫度更低。可是，依此方式設定各部之溫度時，由於如後面之詳述所示在被供給至晶圓的面內各部之氣體的溫度發生差異，而在該晶圓W中心部與周緣部之間在膜厚發生差異，這由本發明者所確認。
本發明係在這種狀況下所開發者，其目的在於提供一種技術，該技術係對在縱型之反應容器內被固持成棚架狀的複數片基板進行成膜處理時，可分別控制基板之中心部的膜厚與基板之周緣部的膜厚。
本發明之成膜裝置係在形成真空環境之縱型的反應容器內，向被基板固持件固持成棚架狀的複數片基板供給成膜氣體，進行成膜的成膜裝置，其特徵為包括：成膜氣體噴吐部，係被設置於在該反應容器內之該基板之固持區域的後方，並噴吐該成膜氣體；排氣口，係被設置於該基板之固持區域的前方，並噴吐該成膜氣體；轉動機構，係用以使該基板固持件繞縱軸轉動；加熱部，係將該反應容器內加熱至比從該成膜氣體噴吐部所噴吐之該成膜氣體的溫度更低的溫度；第1氣體噴吐口，係為了使所噴吐之該成膜氣體在被供給至該基板之前碰撞該反應容器內之氣體降溫用構件而被降溫，在該成膜氣體噴吐部朝向該氣體降溫用構件在橫向開口；以及第2氣體噴吐口，係為了使所噴吐之該成膜氣體在被供給至該基板之前不碰撞該氣體降溫用構件，在該成膜氣體噴吐部在與該第1氣體噴吐口係相異的方向朝前方開口。
本發明之成膜方法係在形成真空環境之縱型的反應容器內，向被基板固持件固持成棚架狀的複數片基板供給成膜氣體，進行成膜的成膜方法，其特徵為包括：成膜氣體噴吐步驟，係從被設置於在該反應容器內之該基板之固持區域的後方之成膜氣體噴吐部噴吐該成膜氣體； 排氣步驟，係從被設置於該基板之固持區域的前方之排氣口噴吐該成膜氣體；轉動步驟，係藉轉動機構使該基板固持件繞縱軸轉動；加熱步驟，係藉加熱部，將該反應容器內加熱至比從該成膜氣體噴吐部所噴吐之該成膜氣體的溫度更低的溫度；噴吐步驟，係為了使該成膜氣體在被供給至該基板之前碰撞該氣體降溫用構件並被降溫，在該成膜氣體噴吐部從朝向該反應容器內之氣體降溫用構件並在橫向開口的第1氣體噴吐口噴吐該成膜氣體；以及噴吐步驟，係為了使該成膜氣體在被供給至該基板之前不碰撞該氣體降溫用構件，在該成膜氣體噴吐部從在與該第1氣體噴吐口係相異的方向朝前方開口的第2氣體噴吐口噴吐該成膜氣體。
本發明之記錄媒體，係記錄在成膜裝置所使用之電腦程式的記錄媒體，而該成膜裝置係在形成真空環境之縱型的反應容器內，在對被基板固持件固持成棚架狀之複數片基板加熱的狀態供給成膜氣體，進行成膜，該記錄媒體的特徵為：該電腦程式係係將步驟群組合成執行本發明之成膜方法。
若依據本發明，在將基板收容成被基板固持件固持成轉動的反應容器內，在基板之固持區域的後方側、前方側分別設置於成膜氣體噴吐部及排氣口，並在此成膜氣體噴吐部，設置：第1氣體噴吐口，係為了在被供給至該基板之前的 成膜氣體碰撞氣體降溫用構件而在橫向開口；及第2氣體噴吐口，係為了在被供給至該基板之前的成膜氣體不碰撞氣體降溫用構件，在與第1氣體噴吐口係相異的方向朝前方開口。若依據這種構成，可在基板之中心部與周緣部分別控制成膜氣體的吸附量，而可得到所要之膜厚。結果，使基板之中心部的膜厚與基板之周緣部的膜厚一致，亦可進行成膜成在基板之表面整體具有均勻性高的膜厚。
W:晶圓
1:成膜裝置
10:控制部
11:反應容器
12:外管
13:內管
14:凸部
15:排氣口
16:凸緣部
17:透氣區域
18:排氣管
19:真空泵
20:擴散區域
21:晶舟
22:支柱
23:載置部
24:加熱器
25:加熱爐本體
26:支撐部
31:蓋體
32:開口部
33:支撐部
34:轉動機構
35:隔熱構件
36:噴嘴用加熱器
37:供電部
40:氣體注射器
41:氣體注射器(成膜氣體噴吐部)
42:氣體噴吐口
43:氣體噴吐口
44:氣體導入管
45:氣體導入管
51、55:氣化部
52A:氣體供給管
52B:氣體供給管
53:氣體加熱部
54:N2(氮)氣體供給源
56A:氣體供給管
56B:氣體供給管
57:氣體加熱部
58:N2氣體供給源
61:單體
62:單體
65:棒狀構件
V1、V2、V3、V4、V5、V6:閥
第1圖係本發明之實施形態之成膜裝置的縱向剖開側視圖。
第2圖係該成膜裝置的橫向剖開平面圖。
第3圖係在該成膜裝置所設置之氣體注射器的立體圖。
第4圖係表示成膜裝置與晶圓之狀態的示意圖。
第5圖係表示成膜裝置之各部之溫度的示意圖。
第6圖係用以表示在該成膜裝置之氣體的流動之反應容器的橫向剖面圖。
第7圖係用以表示在該成膜裝置之氣體的流動之反應容器的橫向剖面圖。
第8圖係在該成膜裝置，用以表示在從各氣體噴吐口噴吐成膜氣體的情況之氣體的流動之反應容器的橫向剖面圖。
第9圖係表示氣體注射器之其他的例子的立體圖。
第10圖係表示在該成膜裝置之其他的反應容器之構成例的橫向剖面圖。
第11圖係表示在該成膜裝置之其他的反應容器之構成例的橫向剖面圖。
第12圖係用以表示氣體注射器之其他的配置例之反應容器的橫向剖面圖。
第13圖係用以表示氣體注射器之其他的配置例之反應容器的橫向剖面圖。
第14圖係用以表示氣體注射器及低溫構件的構成例之反應容器的橫向剖面圖。
一面參照是縱向剖開側視圖之第1圖及是橫向剖開平面圖之第2圖，一面說明本發明之一實施形態的成膜裝置1。此成膜裝置1係向晶圓W供給包含2種單體的成膜氣體，藉由進行在發明欲解決之課題的項目所述的VDP，進行是高分子膜之聚醯亞胺膜的成膜。成膜裝置1係具備反應容器11，該反應容器11係在內部收容用以固持於多片晶圓W之是基板固持件的晶舟21，並用以成批地對晶圓W進行成膜處理。
圖中，22係構成晶舟21之3支(在第1圖係只表示2支)垂直的支柱。圖中，23係從各支柱22所突出之晶圓W的載置部。載置部23係在上下方向設置成多段，藉由水平地被載置於載置部23，將多片各晶圓W成棚架狀地固持成橫向的位置彼此一致。因此，各載置部23上構成基板的固持區域。如第1圖所示，在反應容器11的外側，設置在內壁面配置是加熱部之加熱器24的加熱爐本體25。第1圖中，26係用以從下方支撐反應容器11及加熱爐本體25的支撐部。
反應容器11係由外管12、與在該外管12的內部所收容之內管13所構成的雙重管構造。外管12及內管13係各自以有天頂形成縱型，在橫向剖面圖，構成圓形。內管13內係構成為進行成膜處理的成膜室，內管13之側壁的一部分係朝向 外側鼓起，形成沿著縱向(上下方向)的凸部14。此凸部14內的空間係形成從後述之後方氣體噴吐口43所噴吐之氣體擴散的擴散區域20。
在擴散區域20，設置以沿著內管13之長度方向延伸的方式所形成之垂直的棒狀之是氣體噴吐部的氣體注射器41。又，在內管13的側壁，在縱向隔著間隔形成複數個在該內管13之長度方向所延伸之狹縫狀的排氣口15，氣體注射器41與排氣口15係隔著晶舟21彼此相對向。與來自在後述之氣體注射器41所設置的氣體噴吐口42、43之成膜氣體的噴吐同時地進行來自排氣口15的排氣，在內管13內形成從氣體注射器41側往排氣口15側之氣流的狀態進行成膜。在以後之說明，將設置氣體注射器41之方向當作後方，將設置排氣口15之方向當作前方。藉由設置上述之擴散區域20，從晶圓W之後端至內管13之側面的距離L2比從晶圓W之前端至內管13之側面的距離L1更長(參照第2圖)。
第1圖中，16係大致圓筒形的凸緣部，該凸緣部16係分別從下方側支撐外管12及內管13，且氣密地塞住外管12的下端面與內管13的下端面之間之環狀的區域。在凸緣部16之後方側的側壁，將排氣管18的上游端連接成向外管12與內管13之間的透氣區域17開口。但，在第1圖為了防止圖示之複雜化，排氣管18的上游端係表示成與凸緣部16之前方側的側壁連接。排氣管18的下游端係經由蝶形閥等之未圖示的壓力調整部與真空泵19連接，並經由透氣區域17從排氣口15進行排氣，可將反應容器11內設定成所要之壓力的真空環境。
第1圖中，31係藉由塞住在凸緣部16的下端所設置之開口部32而氣密地保持反應容器11內的蓋體。第1圖中，33係在蓋體31上所設置之晶舟21的支撐部。第1圖中，34係使支撐部33轉動之轉動機構，為了使在晶圓W之圓周方向的膜厚一致，在成膜處理中經由支撐部33，繞是縱軸(鉛垂軸)之晶圓W的中心軸使晶舟21轉動。此外，在本實施形態，在晶圓W之徑向的膜厚分布亦一致，目的在於在晶圓W之面內整體提高膜厚的均勻性。第1圖中，35係介入蓋體31與支撐部33之間的隔熱構件。蓋體31係藉未圖示之升降機構升降，對內管13搬入、搬出晶舟21，且開閉開口部32。
接著，亦參照第3圖之立體圖，更詳細地說明氣體注射器41。在氣體注射器41的內部，形成沿著其長度方向的氣體流路，在氣體注射器41的側壁，與此氣體流路連接的多個氣體噴吐口(第2氣體噴吐口)42、多個氣體噴吐口(第1氣體噴吐口)43分別朝前方、後方在水平方向開口。決定將氣體噴吐口42稱為前方氣體噴吐口42時，前方氣體噴吐口42係以可向在晶舟21所搭載之各晶圓W的表面沿著該晶圓W之直徑供給氣體的方式形成於與各晶圓W之高度對應的位置，並以彼此隔著間隔在上下方向成列的方式被鑽孔。又，如第2圖所示在平面觀察時，上述之排氣口15位於前方氣體噴吐口42的開口方向。
決定將氣體噴吐口43稱為後方氣體噴吐口43時，後方氣體噴吐口43亦以在上下方向成列的方式被鑽孔。
在本例，後方氣體噴吐口43位於與每隔一個之前方氣體噴吐口42相同的高度，後方氣體噴吐口43的個數係前方氣體噴吐口42之個數的1/2。又，第1開口方 向與前方氣體噴吐口42之開口方向的夾角係180°，前方氣體噴吐口42之口徑與後方氣體噴吐口43之口徑係彼此相等。因此，在氣體注射器41，前方側的口徑比與後方側的口徑比彼此相異。即，從前方觀察氣體注射器41時之各前方氣體噴吐口42的總面積與從後方觀察氣體注射器41時之各後方氣體噴吐口43的總面積彼此相異。
如第1圖所示，在氣體注射器41在比形成前方氣體噴吐口42及後方氣體噴吐口43之區域更下方側，連接氣體導入管44、45的一端，並將氣體注射器41構成為從氣體導入管44、45各自所供給之氣體在氣體注射器41內被混合後，從前方氣體噴吐口42及後方氣體噴吐口43被噴吐。氣體導入管44、45之另一端側係貫穿凸緣部16的側壁，並向該凸緣部16的外側被拉出。
氣體導入管44的另一端係經由閥V1與氣化部51連接。在氣化部51內，例如以固體之狀態貯存聚醯亞胺之成膜原料之是單體的PMDA(C10H2O6：均苯四甲酸酐)，氣化部51係具備對此PMDA加熱之未圖示的加熱器。又，在氣化部51，連接氣體供給管52A的一端，氣體供給管52A的另一端係依序經由閥V2、氣體加熱部53，與N2(氮)氣體供給源54連接，藉這種構成，向氣化部51供給已被加熱之N2氣體，使該氣化部51內的PMDA氣化，將在該氣化所使用之N2氣體與PMDA氣體的混合氣體作為成膜氣體，經由氣體導入管44，可向氣體注射器41導入。
又，在氣體加熱部53的下游側氣體供給管52A係分支而形成氣體供給管52B，此氣體供給管52B之另一端係經由閥V3與氣體導入管44之閥V1的下游側連 接。藉這種構成，在向氣體注射器41不供給包含上述之PMDA的成膜氣體時，使在氣體加熱部53已被加熱的N2氣體在氣化部51迂迴，而可向氣體注射器41導入。
氣體導入管45的另一端係經由閥V4與氣化部55連接。在氣化部55內，例如以固體之狀態貯存聚醯亞胺之成膜原料之是單體的己二胺(HMDA)，氣化部55係具備對此HMDA加熱之未圖示的加熱器。又，在該氣化部55，連接氣體供給管56A的一端，氣體供給管56A的另一端係經由閥V5、氣體加熱部57，與N2氣體供給源58連接，藉這種構成，向氣化部55供給已被加熱之N2氣體，使該氣化部55內的HMDA氣化，將在該氣化所使用之N2氣體與HMDA氣體的混合氣體作為成膜氣體，經由氣體導入管45，可向氣體注射器41導入。
又，在氣體加熱部57的下游側氣體供給管56A係分支而形成氣體供給管56B，此氣體供給管56B之另一端係經由閥V6與氣體導入管45之閥V4的下游側連接。藉這種構成，在向氣體注射器41不供給包含上述之HMDA的成膜氣體時，使在氣體加熱部57已被加熱的N2氣體在氣化部55迂迴，而可向氣體注射器41導入。
以後，將不含單體之N2氣體只記載成N2氣體，與是包含單體之N2氣體的成膜氣體區別。在氣體導入管44、45，為了防止流通中的成膜氣體中之PMDA、HMDA的凝結及凝固，例如在管之周圍設置用以對管內加熱的加熱器。又，在內管13內在氣體注射器41的左右，分別設置沿著縱向延伸之棒狀的噴嘴用加熱器36，藉該噴嘴用加熱器36對氣體注射器41內加熱，而可防止在該氣體注射器 41內之PMDA、HMDA的凝結及凝固。此外，在第1圖係為了防止圖示之複雜化，將噴嘴用加熱器36表示成向前方側偏移。第1圖中，37係對噴嘴用加熱器36供電的供電部。
在此成膜裝置1，設置由電腦所構成之控制部10。在控制部10，儲存未圖示之程式。關於此程式，以從控制部10向上述之成膜裝置1的各部輸出控制信號，控制在各部的動作，進行後述之成膜處理的方式，組合步驟群。此程式係在被儲存於硬碟、光碟、光磁碟、記錄卡等之記錄媒體的狀態被安裝於控制部10，並動作。
接著，說明如上述所示將前方氣體噴吐口42及後方氣體噴吐口43形成於氣體注射器41的理由。第4圖係表示在成膜處理時之反應容器11內及氣化部51、55內的模式圖，表示在反應容器11內藉上述之VDP進行成膜處理的狀況。在氣化部51、55分別被氣化，作為成膜氣體被供給至反應容器11內之PMDA的單體(以單體61表示)、HMDA的單體(以單體62表示)係各自對晶圓W之表面重複吸附、脫離。
在此單體61、62中一方的單體被晶圓W吸附時，藉由與已被晶圓W吸附之另一方的單體進行聚合反應，成為難脫離晶圓W之構造(聚合物)，而作為聚醯亞胺膜成長。為了依此方式促進各單體61、62之對晶圓W的吸附、聚合而提高成膜效率，在反應容器11內，使各自包含單體61、62之成膜氣體的分壓變成比較高，即使各成膜氣體之供給量變成比較多，及使晶圓W之溫度變成比較低係有效。
為了降低上述之晶圓W的溫度，下降反應容器11內的溫度。可是，從氣化部51、55至氣體注射器41之氣體流路係需要被加熱至單體61、62不會凝結、凝固的溫度。第5圖係表示可促進上述之對晶圓W之單體61、62的吸附，且防止上述之在氣體流路之單體61、62的凝結及凝固之各部的溫度之一例之成膜裝置1的示意圖。反應容器11內的溫度係150℃，氣體注射器41內的溫度係250℃，氣體導入管44內的溫度係280℃，氣體導入管45內的溫度係160℃~260℃，氣化部51內的溫度係250℃，氣化部55內的溫度係135℃。又，氣體加熱部53係將N2氣體加熱至260℃。依此方式，將從氣化部51內至氣體注射器41內之包含PMDA的成膜氣體之氣體流路的溫度、及從氣化部55內至氣體注射器41內之包含HMDA的成膜氣體之氣體流路的溫度控制成比反應容器11內的溫度更高。
在如第5圖所示控制各部之溫度的狀態，當作在氣體注射器41未設置後方氣體噴吐口43，進行僅來自前方氣體噴吐口42之成膜氣體的噴吐、來自排氣口15的排氣、以及晶圓W的轉動，而進行成膜處理。第6圖係以鏈線之箭號表示在此成膜處理時所形成之氣流。因為前方氣體噴吐口42係朝向晶圓W開口，所以向前方側噴吐大量的成膜氣體，並進入晶圓W之間。
然後，進入晶圓W之間的成膜氣體係一面被晶圓W之表面吸熱一面沿著該晶圓W的直徑往前方的排氣口15，藉此，其溫度逐漸地降低，而所含的單體之對晶圓W的吸附效率變高。因此，在從晶圓W的中心部至沿著直徑之前端的周緣部的區域，吸附比較大量的單體。可是，因為從氣體注射器41至晶圓W之後端部 側(氣體注射器41側)的距離比較短，而以高溫所噴吐之成膜氣體係在被充分地冷卻之前就到達晶圓W之後端部，所以在晶圓W之後端的周緣部係成膜氣體所含之單體的吸附效率低。與這種對各部之單體的吸附同時地如圖中以實線之箭號所示晶圓W轉動的結果，在晶圓W之中心部的膜厚變成比在晶圓W之周緣部的膜厚更厚。
接著，說明於如上述之第5圖所示控制各部之溫度的狀態，在氣體注射器41未設置前方氣體噴吐口42，進行僅來自後方氣體噴吐口43之成膜氣體的噴吐及來自排氣口15的排氣、以及晶圓W的轉動，而進行成膜處理的情況。第7圖係以虛線之箭號表示在此成膜處理時所形成之氣流。由於後方氣體噴吐口43係朝向內管13之後方側的側壁開口，故所噴吐之各成膜氣體係碰撞溫度比該成膜氣體更低之是氣體降溫用構件的該側壁，在沿著此側壁流動後被供給至晶圓W的周緣部。藉由這種對內管13之側壁的碰撞及沿著該側壁流通，成膜氣體係在被該側壁吸熱而被冷卻之狀態被供給至晶圓W之周緣部的結果，在該周緣部吸附比較大量的單體。即使是在氣體注射器41的附近之晶圓W之後端的周緣部，亦因為像那樣地成膜氣體被冷卻，而吸附比較多的單體。
可是，因為後方氣體噴吐口43係朝向後方，而被供給至氣體注射器41與晶圓W的後端部之間之成膜氣體的量係比較少，所以該成膜氣體係難進行流路窄的晶圓W之間。因此，在從晶圓W的中心部之單體的吸附效率係比在周緣部之單體的吸附效率低。與這種對各部之單體的吸附同時地如圖中以實線之箭號所示 晶圓W轉動的結果，在晶圓W之中心部的膜厚變成比在晶圓W之周緣部的膜厚更厚。
依此方式，前方氣體噴吐口42及後方氣體噴吐口43係作成用在晶圓W形成各自相異之膜厚分布。因此，在第1圖~第3圖所說明的成膜裝置1，係在氣體注射器41從前方氣體噴吐口42、後方氣體噴吐口43一起噴吐成膜氣體，進行成膜處理，藉此，將晶圓W的中心部與周緣部之間之膜厚的差相抵消，而在晶圓W的周緣部與中心部之間形成具有均勻性高之膜厚的聚醯亞胺膜。
接著，依序說明藉成膜裝置1之成膜處理。以成為在第5圖所說明之溫度的方式對成膜裝置1之各部加熱，向反應容器11內搬入搭載多片晶圓W的晶舟21，且藉蓋體31氣密槷關閉反應容器11內。然後，對反應容器11內進行排氣，設定成既定壓力之真空環境，另一方面，晶舟21轉動。從氣體導入管44、45向氣體注射器41供給N2氣體，並向反應容器11內噴吐，然後，經由氣體導入管44向氣體注射器41所供給之氣體從N2氣體切換成包含PMDA的成膜氣體，從前方氣體噴吐口42及後方氣體噴吐口43向內管13內噴吐該成膜氣體。第8圖係以鏈線之箭號表示從前方氣體噴吐口42所噴吐之成膜氣體，以虛線之箭號表示從後方氣體噴吐口43所噴吐之成膜氣體。
從前方氣體噴吐口42所噴吐之成膜氣體係如在第6圖之說明所示，比較多的量進入晶圓W之間，在晶圓W之間朝前方側流動之間被該晶圓W吸熱，而溫度降低，藉此，該成膜氣體所含之PMDA的單體係在從晶圓W之中心部至前端之周緣 部的區域吸附比較多。從後方氣體噴吐口43所噴吐之成膜氣體係向擴散區域20被噴吐，如在第7圖所述，碰撞內管13之後方側的側壁，一面被內管13的側壁吸熱一面沿著該側壁向前方側流動，藉此，該成膜氣體所含之PMDA的單體係在晶圓W的周緣部吸附比較多，在晶圓W之轉動中，依此方式在晶圓W之中心部、周緣部各自發生PMDA之單體的吸附，藉此，在晶圓W整體高度均勻地吸附PMDA的單體。此外，在內管13內向前方側流動並向排氣口15所流入的成膜氣體係經由透氣區域17，向排氣管18流動而被除去。
然後，從氣體導入管44向氣體注射器41所供給之氣體從包含PMDA的成膜氣體切換成N2氣體。即，成為從氣體導入管44、45向氣體注射器41供給N2氣體之狀態，此N2氣體作為沖洗氣體，從氣體注射器41被噴吐，而沖洗在反應容器11內所殘留之成膜氣體。然後，從氣體導入管45向氣體注射器41所供給之氣體從N2氣體切換成包含HMDA的成膜氣體，該成膜氣體與包含PMDA的成膜氣體一樣地，如第8圖所示，從前方氣體噴吐口42及後方氣體噴吐口43向內管13內被噴吐而被排氣。
即，從前方氣體噴吐口42所噴吐之成膜氣體在晶圓W之間沿著該晶圓W的直徑流動中被冷卻，往從晶圓W之中心部至後端部的區域之該成膜氣體所含的單體被吸附比較多，另一方面，從前方氣體噴吐口42所噴吐之成膜氣體碰撞內管13之後方側的側壁且沿著該側壁流動中被冷卻，該成膜氣體所含的單體在晶圓W的周緣部被吸附比較多。在晶圓W之轉動中，依此方式在晶圓W之中心部、周 緣部各自發生HMDA之單體的吸附，在晶圓W整體高度均勻地吸附HMDA的單體，並與PMDA的單體進行聚合反應，而形成聚醯亞胺膜。
然後，從氣體導入管44向氣體注射器41所供給之氣體從包含HMDA的成膜氣體切換成N2氣體。即，成為從氣體導入管44、45向氣體注射器41供給N2氣體之狀態，此N2氣體作為沖洗氣體，從氣體注射器41被噴吐，而沖洗在反應容器11內所殘留之成膜氣體。以後，重複地進行由上述之包含PMDA之成膜氣體的供給、藉N2氣體之反應容器11內的沖洗、包含HMDA之成膜氣體的供給、以及藉N2氣體之反應容器11內的沖洗所構成之循環既定次數，進行聚合反應，而聚醯亞胺膜之膜厚變厚。既定次數之循環結束，而聚醯亞胺膜成長成具有所要之膜厚時，晶舟21之轉動停止，蓋體31下降，而打開反應容器11，且向反應容器11外搬出晶舟21，而成膜處理結束。
若依據上述之反應容器11，對在成膜裝置1內被晶舟21固持成繞縱軸轉動的晶圓W，供給溫度比該晶圓W之溫度更高的成膜氣體而進行聚醯亞胺膜之成膜時，從在內管13之後方側所設置的氣體注射器41噴吐成膜氣體，且從在內管13之前方側所開口的排氣口15進行排氣。而且，氣體注射器41之後方氣體噴吐口43係為了使所噴吐的成膜氣體在被供給至晶圓W之前碰撞內管13之後方側的側壁而被冷卻，朝向後方在橫向開口，而氣體注射器41之前方氣體噴吐口42係為了使所噴吐的成膜氣體在被供給至晶圓W之前不碰撞內管13的側壁，朝前方在橫向開口。藉這種構成，因為可分別控制在晶圓W的中心部、周緣部之成膜氣體之單體的吸附量，所以在晶圓W之表面整體可提高該膜厚的均勻性。
而，關於上述之成膜裝置1，說明了構成為使晶圓W之中心部的膜厚與周緣部的膜厚一致者，但是亦可是以中心部的膜厚與周緣部的膜厚彼此相異的方式進行成膜。換言之，亦可以在晶圓W之面內具有同程度之膜厚的區域分布成同心圓的方式進行成膜。即，上述之成膜裝置1係用以分別控制在晶圓W之中心部的膜厚、周緣部的膜厚，而得到所要之膜厚的裝置。
而且，前方氣體噴吐口42與後方氣體噴吐口43之個數或大小係為了使中心部的膜厚、周緣部的膜厚各自變成所要之膜厚，可可適當地設定。更具體而言，亦可不限定為作成後方氣體噴吐口43之個數/前方氣體噴吐口42之個數=1/2，前方氣體噴吐口42之口徑與後方氣體噴吐口43之口徑彼此相異。第9圖係表示替代氣體注射器41，而可在內管13內所設置之氣體注射器40。作為在此氣體注射器40之與氣體注射器41的相異點，係形成個數彼此相同之前方氣體噴吐口42與後方氣體噴吐口43，前方氣體噴吐口42與後方氣體噴吐口43係在彼此相同的高度開口。此外，亦可前方氣體噴吐口42的高度與後方氣體噴吐口43的高度相異。
又，如第10圖之橫向剖面圖所示，亦可作成內管13係未具備藉凸部14所4的擴散區域20，並將氣體注射器41配置成接近晶圓W。但，藉由設置擴散區域20並將氣體注射器41配置於該擴散區域20，因為從前方氣體噴吐口42所噴吐之成膜氣體至到達晶圓W所流通的距離比較長，所以該成膜氣體係在上下方向擴散，而向各晶圓W高度均勻地供給，且因為至剽達晶圓W充分地被冷卻，而可提高在晶圓W之單體的吸附效率，所以有利。
為了依此方式從前方氣體噴吐口42所噴吐之成膜氣體至到達晶圓W所流通的距離比較長，不限定為形成凸部14。在第11圖，在橫向剖面圖觀察時，構成為內管13的後端側向後方延伸，成為以前後方向為長軸之橢圓的一部分，並作成晶圓W之前端與內管13的距離L1<晶圓W之後端與內管13的距離L2，將氣體注射器41配置於比晶圓W更接近內管13之側壁的位置。
在上述之例子，向氣體注射器41交互地供給相異的成膜氣體來進行成膜，但是如第12圖之橫向剖面圖所示，亦可作成設置2支氣體注射器41，從氣體注射器41供給一種成膜氣體，並同時從另一方之氣體注射器41供給另一種成膜氣體。在此第12圖所示的例子，各氣體注射器41係在擴散區域20的左右彼此分開，並將前方氣體噴吐口42配置成朝向晶圓W的中心部。第12圖中之箭號係表示此氣體注射器41的開口方向。又，在本例，在氣體注射器41的左右設置噴嘴用加熱器36。
又，在形成聚醯亞胺膜時，成為成膜氣體，不限定為包含上述的單體。例如，亦可替代PMDA，包含1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐(CBDA)、或環戊烷四羧酸二酐(CPDA)，亦可替代HMDA，包含ODA(C12H12N2O：4,4’-二氨基二苯醚)、或4,4’-二氨基(H12MDA)等。又，成膜裝置1係不限定為進行聚醯亞胺膜之成膜，例如在進行聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚脲、聚氨酯、聚甲亞胺等之高分子膜的成膜的情況亦可使用。
而，作為氣體噴吐口之開口方向，係不限定為上述之例子。在第13圖係表示替代後方氣體噴吐口43，具備在左右方向各自開口之氣體噴吐口63的氣體注射器64。從氣體噴吐口63所噴吐之成膜氣體係如在第13圖中以虛線之箭號所示，碰撞凸部14之左右的側壁並被冷卻後，往排氣口15，而成膜氣體中之單體被晶圓W的周緣部吸附，此外，氣體注射器64係除了依此方式可向左右噴吐成膜氣體以外，是與氣體注射器41相同的構成。
又，在第14圖所示的例子，氣體注射器64之氣體噴吐口63係朝向左右的前方開口。而且，在此氣體噴吐口63的開口方向，在比晶圓W之端部更後方側的位置，設置從蓋體31朝向上方延伸的棒狀構件65。藉由設置於內管13內，此棒狀構件65亦與內管13之側面一樣，溫度比從氣體注射器64所噴吐之成膜氣體更低。因此，如在第14圖中以虛線之箭號所示，從氣體噴吐口63所噴吐之成膜氣體碰撞棒狀構件65。因此，該成膜氣體係被冷卻，然後，藉來自排氣口15之排氣沿著內管13的側壁往前方流動，而向晶圓W的周緣部供給，成膜氣體中之單體被吸附。作為藉由依此方式成膜氣體碰撞而使該成膜氣體之溫度降低的降溫用構件，係不限定為是內管13的側壁，作為朝向降溫用構件之氣體噴吐口的開口方向，亦不限定為後方。
進而，因為作為成膜氣體係只要從晶圓W之後方側朝前方側流動即可，所以作為排氣口15，係不限定為如第1圖所示設置於與在氣體注射器41之形成前方氣體噴吐口42及後方氣體噴吐口43的形成區域相同的高度，亦可在比該形成區 域更下方開口，亦可在比該形成區域更上方開口。此外，本發明係不是被限定為上述之實施形態，各實施例係可適當地變更或組合。
[評估測試]
以下，說明與本發明相關聯地進行之評估測試。
評估測試1
除了未設置後方氣體噴吐口43以外，使用與上述之第1圖、第2圖所示的成膜裝置1相同之構成的成膜裝置，並按照在發明之實施形態所說明的程序對晶圓W進行成膜處理。即，使用第6圖所示之氣體注射器41，按照上述之程序進行成膜處理。但，在成膜氣體之噴吐中，晶圓W之轉動係不進行。將其當作評估測試1-1。另一方面，除了在成膜氣體之噴吐中進行晶圓W之轉動以外，係根據與在評估測試1-1之成膜處理相同的處理條件進行成膜處理。將其當作評估測試1-2。在這些評估測試1-1、1-2，調查成膜處理後之在晶圓W之面內的膜厚分布。
關於評估測試1-1的晶圓W，係中心部與前端部的膜厚比其他的區域的膜厚厚。關於評估測試1-2的晶圓W，係中心部的膜厚比周緣部的膜厚更厚。得到這種結果，係由於如在第6圖之說明所示，在晶圓W之面內的各部所供給之氣體成膜氣體的溫度相異，而在單體之吸附量發生差異的緣故。
評估測試2
除了未設置前方氣體噴吐口42以外，使用與上述之第1圖、第2圖所示的成膜裝置1相同之構成的成膜裝置，並按照在發明之實施形態所說明的程序對晶圓W進行成膜處理。即，使用第7圖所示之氣體注射器41，按照上述之程序進行成膜處理。但，在成膜氣體之噴吐中，晶圓W之轉動係不進行。將其當作評估測試2-1。另一方面，除了在成膜氣體之噴吐中進行晶圓W之轉動以外，係根據與在評估測試2-1之成膜處理相同的處理條件進行成膜處理。將其當作評估測試2-2。在這些評估測試2-1、2-2，調查成膜處理後之在晶圓W之面內的膜厚分布。
關於評估測試2-1、2-2的晶圓W，係周緣部的膜厚比中心部的膜厚更厚。這是由於如在第7圖之說明所示，在晶圓W之面內的各部所供給之氣體成膜氣體的溫度相異，而在單體之吸附量發生差異的緣故。
評估測試3
使用與上述之第1圖、第2圖所示的成膜裝置1，並按照在發明之實施形態所說明的程序對晶圓W進行成膜處理。但，作為氣體注射器，係選擇在第9圖所說明的氣體注射器40及在第3圖之氣體注射器41中的一個來使用。將使用氣體注射器40來進行成膜處理的測試當作評估測試3-1，將使用氣體注射器41來進行成膜處理的測試當作評估測試3-2。對評估測試3-1、3-2，調查成膜處理後之在晶圓W之面內的膜厚分布。
在評估測試3-1，係晶圓W之周緣部的膜厚比晶圓W之中心部的膜厚更厚。在評估測試3-2，係晶圓W之中心部的膜厚比晶圓W之周緣部的膜厚更厚。因此，從本評估測試3，確認藉由調整前方氣體噴吐口42之個數與後方氣體噴吐口43之個數的比率，可變更晶圓W之中心部的膜厚比晶圓W之周緣部的膜厚的比率。
評估測試4
根據評估測試3之結果，藉模擬將前方氣體噴吐口42的個數與後方氣體噴吐口43的個數調整成晶圓W之面內之膜厚的均勻性變高，而取得對晶圓W進行成膜處理時的膜厚分布。結果，在晶圓W之面內的膜厚之最大值與最小值的差是1.2nm。因為在評估測試1-1膜厚之最大值與最小值的差是2.0nm，所以在此評估測試4膜厚之最大值與最小值的差比較小。因此，從本評估測試4，確認藉由形成前方氣體噴吐口42及後方氣體噴吐口43，可提高在晶圓W之面內之膜厚的均勻性。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧成膜裝置
10‧‧‧控制部
11‧‧‧反應容器
12‧‧‧外管
13‧‧‧內管
14‧‧‧凸部
15‧‧‧排氣口
16‧‧‧凸緣部
17‧‧‧透氣區域
18‧‧‧排氣管
19‧‧‧真空泵
20‧‧‧擴散區域
21‧‧‧晶舟
22‧‧‧支柱
23‧‧‧載置部
24‧‧‧加熱器
25‧‧‧加熱爐本體
26‧‧‧支撐部
31‧‧‧蓋體
32‧‧‧開口部
33‧‧‧支撐部
34‧‧‧轉動機構
35‧‧‧隔熱構件
36‧‧‧噴嘴用加熱器
37‧‧‧供電部
41‧‧‧氣體注射器(成膜氣體噴吐部)
42‧‧‧前方氣體噴吐口
43‧‧‧後方氣體噴吐口
44‧‧‧氣體導入管
45‧‧‧氣體導入管
51、55‧‧‧氣化部
52A‧‧‧氣體供給管
52B‧‧‧氣體供給管
53‧‧‧氣體加熱部
54‧‧‧N2(氮)氣體供給源
56A‧‧‧氣體供給管
56B‧‧‧氣體供給管
57‧‧‧氣體加熱部
58‧‧‧N2氣體供給源
V1、V2、V3、V4、V5、V6‧‧‧閥

Claims (9)

  1. 一種成膜裝置，係在形成真空環境之縱型的反應容器內，向被基板固持件固持成棚架狀的複數片基板供給成膜氣體，以進行成膜，其特徵為包括：成膜氣體噴吐部，係被設置於在該反應容器內之該基板之固持區域的後方，用以噴吐該成膜氣體通過形成在該成膜氣體噴吐部之側壁的第1氣體噴吐口及第2氣體噴吐口，該第1氣體噴吐口係為了使所噴吐之該成膜氣體在被供給至該基板之前碰撞該反應容器之側壁而被降溫，在該成膜氣體噴吐部朝該反應容器之側壁於橫向開口，且該第2氣體噴吐口係為了使所噴吐之該成膜氣體在被供給至該基板之前不碰撞該反應容器之側壁，而於該成膜氣體噴吐部在與該第1氣體噴吐口相異的方向朝前方開口，其中該第1氣體噴吐口所噴吐之該成膜氣體碰撞該側壁後沿著該側壁朝該固持區域的前方流動而被供給至該基板的周緣部，且該第2氣體噴吐口所噴吐之該成膜氣體被供給至該基板的中心部；排氣口，係被設置於該基板之固持區域的前方，用以排出該成膜氣體；轉動機構，用以使該基板固持件繞縱軸轉動；以及加熱部，係被設置在該反應容器的外側，用以將該反應容器內加熱至比從該成膜氣體噴吐部所噴吐之該成膜氣體的溫度更低的溫度。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中，在該固持區域之該基板的後端與該反應容器之側壁的距離，係比在該固持區域之該基板的前端與該反應容器之側壁的距離更長。
  3. 如申請專利範圍第2項之成膜裝置，其中，在該反應容器之後方的側壁，沿著縱向設置朝向外側鼓起的凸部，在該凸部內之該成膜氣體的擴散區域設置該成膜氣體噴吐部。
  4. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中，該第1氣體噴吐口係朝向後方開口。
  5. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中，該第1氣體噴吐口及第2氣體噴吐口係各自在上下方向設有複數個，並形成為口徑比彼此相異。
  6. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中，設置：氣化部，係用以在該反應容器的外部使成膜原料氣化，而產生第1成膜氣體；及導入路，係將該第1成膜氣體從該氣化部導入至該成膜氣體噴吐部；在從該成膜氣體噴吐部噴吐該第1成膜氣體時，從該氣化部到該成膜氣體噴吐部為止之該第1成膜氣體之流路的溫度係被設定成比該反應容器內的溫度更高。
  7. 如申請專利範圍第6項之成膜裝置，其中，該成膜氣體噴吐部係從該第1氣體噴吐口、該第2氣體噴吐口分別噴吐包含第1單體的該第1成膜氣體、與包含第2單體的第2成膜氣體，該第1單體及該第2單體係用以在該基板之表面進行聚合而形成高分子膜的成膜原料。
  8. 一種成膜方法，在形成真空環境之縱型的反應容器內，向被基板固持件固持成棚架狀的複數片基板供給成膜氣體，以進行成膜，其特徵為包括： 成膜氣體噴吐步驟，從被設置於在該反應容器內之該基板之固持區域的後方之成膜氣體噴吐部噴吐該成膜氣體；排氣步驟，從設置於該基板之固持區域的前方之排氣口排出該成膜氣體；轉動步驟，藉由轉動機構使該基板固持件繞縱軸轉動；加熱步驟，藉由加熱部，將該反應容器內加熱至比從該成膜氣體噴吐部所噴吐之該成膜氣體的溫度更低的溫度；第1噴吐步驟，為了使該成膜氣體在被供給至該基板之前碰撞該氣體降溫用構件以被降溫，而在該成膜氣體噴吐部從朝向該反應容器內之氣體降溫用構件在橫向開口的第1氣體噴吐口噴吐該成膜氣體；以及第2噴吐步驟，為了使該成膜氣體在被供給至該基板之前不碰撞該氣體降溫用構件，而於該成膜氣體噴吐部從在與該第1氣體噴吐口相異方向朝前方開口的第2氣體噴吐口噴吐該成膜氣體。
  9. 一種記錄媒體，記錄在成膜裝置所使用之電腦程式，而該成膜裝置係在形成真空環境之縱型的反應容器內，於對被基板固持件固持成棚架狀之複數片基板加熱的狀態供給成膜氣體，以進行成膜，該記錄媒體的特徵為：該電腦程式包含用以執行如申請專利範圍第8項之成膜方法的步驟群。
TW107107523A 2017-03-16 2018-03-07 成膜裝置、成膜方法及記錄媒體 TWI729275B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017051552A JP6737215B2 (ja) 2017-03-16 2017-03-16 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2017-051552 2017-03-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201842980A TW201842980A (zh) 2018-12-16
TWI729275B true TWI729275B (zh) 2021-06-01

Family

ID=63521443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107107523A TWI729275B (zh) 2017-03-16 2018-03-07 成膜裝置、成膜方法及記錄媒體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10960435B2 (zh)
JP (1) JP6737215B2 (zh)
KR (1) KR102232637B1 (zh)
CN (1) CN108630577B (zh)
TW (1) TWI729275B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6947914B2 (ja) * 2017-08-18 2021-10-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高圧高温下のアニールチャンバ
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
KR20230113657A (ko) 2018-03-23 2023-07-31 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
JP7055075B2 (ja) * 2018-07-20 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP7149884B2 (ja) * 2019-03-20 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び成膜方法
CN110042362B (zh) * 2019-05-13 2021-02-05 杨卫正 一种多用途化学气相沉积装置
JP7236953B2 (ja) * 2019-08-05 2023-03-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP7074790B2 (ja) * 2020-03-17 2022-05-24 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP7365973B2 (ja) * 2020-06-19 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 ガスノズル、基板処理装置及び基板処理方法
JP7315607B2 (ja) * 2021-03-16 2023-07-26 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US11862490B2 (en) * 2021-07-28 2024-01-02 Changxin Memory Technologies, Inc. Diffusion furnace
TW202335039A (zh) * 2022-02-07 2023-09-01 日商國際電氣股份有限公司 氣體供給部、處理裝置及半導體裝置之製造方法
WO2024003997A1 (ja) * 2022-06-27 2024-01-04 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060159847A1 (en) * 2004-09-30 2006-07-20 Cole Porter Method and apparatus for low temperature dielectric deposition using monomolecular precursors
US20130316080A1 (en) * 2012-05-28 2013-11-28 Tokyo Electron Limited Film forming method
WO2014100101A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 The Gillette Company Chemical vapor deposition of fluorocarbon polymers
US20140357058A1 (en) * 2013-06-03 2014-12-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium
TW201624539A (zh) * 2014-07-24 2016-07-01 東京威力科創股份有限公司 熱處理裝置及熱處理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2683671B2 (ja) * 1988-06-27 1997-12-03 東京エレクトロン株式会社 半導体基板への成膜方法及び成膜装置
JP3541400B2 (ja) 1992-05-22 2004-07-07 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0758045A (ja) * 1993-08-11 1995-03-03 Tokyo Electron Ltd 横形熱処理装置
JP5198106B2 (ja) * 2008-03-25 2013-05-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、及び成膜方法
JP2011029441A (ja) * 2009-07-27 2011-02-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP5528308B2 (ja) * 2010-11-22 2014-06-25 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
JP5735304B2 (ja) * 2010-12-21 2015-06-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法およびガス供給管
JP5604289B2 (ja) * 2010-12-22 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5589878B2 (ja) * 2011-02-09 2014-09-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5862459B2 (ja) * 2012-05-28 2016-02-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP2015002339A (ja) * 2013-06-18 2015-01-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板の製造方法および半導体装置の製造方法
JP6317698B2 (ja) * 2015-03-25 2018-04-25 東芝メモリ株式会社 半導体製造装置および半導体製造方法
US10695794B2 (en) * 2015-10-09 2020-06-30 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060159847A1 (en) * 2004-09-30 2006-07-20 Cole Porter Method and apparatus for low temperature dielectric deposition using monomolecular precursors
US20130316080A1 (en) * 2012-05-28 2013-11-28 Tokyo Electron Limited Film forming method
WO2014100101A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 The Gillette Company Chemical vapor deposition of fluorocarbon polymers
US20140357058A1 (en) * 2013-06-03 2014-12-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer-readable recording medium
TW201624539A (zh) * 2014-07-24 2016-07-01 東京威力科創股份有限公司 熱處理裝置及熱處理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201842980A (zh) 2018-12-16
CN108630577B (zh) 2023-04-18
US10960435B2 (en) 2021-03-30
KR102232637B1 (ko) 2021-03-25
CN108630577A (zh) 2018-10-09
KR20180106888A (ko) 2018-10-01
JP2018157028A (ja) 2018-10-04
JP6737215B2 (ja) 2020-08-05
US20180264516A1 (en) 2018-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI729275B (zh) 成膜裝置、成膜方法及記錄媒體
CN108239766B (zh) 成膜装置、成膜方法以及隔热构件
CN108070847B (zh) 气体喷射器和立式热处理装置
US8246747B2 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor
TWI524371B (zh) 具有擴散板和注入器組件的批次處理腔
US20130316545A1 (en) Film forming method
US8465802B2 (en) Chemical vapor deposition reactor and method
TW201033397A (en) Gas injector and film deposition apparatus
JP5604289B2 (ja) 成膜装置
TWI550128B (zh) 膜沉積裝置
CN108624866B (zh) 气体供给构件和气体处理装置
US10550470B2 (en) Film forming apparatus and operation method of film forming apparatus
JP2004006551A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2005340784A (ja) エピタキシャル成長装置
JP2019183229A (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2019192763A (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR20140081067A (ko) 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법
JP2019207965A (ja) 成膜装置及び成膜方法
TW201829827A (zh) 成膜裝置
JPH02103934A (ja) 縦型熱処理装置
JP2004296659A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法