TWI729237B - 離子束裝置的氣體注入系統及製造其系統的萃取板的方法 - Google Patents

Abstract

一種氣體注入系統包括萃取板，所述萃取板具有萃取開 孔以允許離子束通過所述萃取板，所述萃取板還具有氣體狹槽以從所述萃取板逐出殘餘物移除氣體。氣體注入系統可包括氣體導管及氣體源，所述氣體導管在氣體狹槽與氣體歧管之間延伸穿過萃取板，氣體源與氣體歧管流體連通地連接，所述氣體源容納殘餘物移除氣體。氣體歧管可包括能夠在第一位置與第二位置之間調節的閥門，在所述第一位置中允許殘餘物移除氣體流動到萃取板中，在所述第二位置中所述殘餘物移除氣體可從所述萃取板排出。氣體注入系統還可包括耦合到氣體歧管的歧管罩。

Description

離子束裝置的氣體注入系統及製造其系統的萃 取板的方法

本發明是有關於一種離子束裝置，且特別是有關於一種用於離子束裝置的氣體注入系統。

為在半導體晶片或其他基底上形成期望的表面特徵，可以預定圖案將規定能量的離子束投射到基底的表面上以將期望的特徵“蝕刻”到基底中。在這種蝕刻製程期間，可在橫向於由離子源投射到基底上的離子束的方向上對基底進行機械地驅動或“掃描(scan)”。舉例來說，如果離子束沿水準平面朝垂直取向的基底投射，則可在與所投射的離子束垂直的垂直方向及/或側向方向上對基底進行掃描。因此，基底的整個表面均可暴露到離子束。

利用離子束蝕刻基底會形成濺射原子形式的殘餘物，所述殘餘物離開基底的蝕刻表面並重新沉積在基底的另一部分上。如果未將這種殘餘物移除，則所述殘餘物對完成的基底的品質來 說可為不利的。為移除所述殘餘物，可在對基底進行蝕刻之前、期間、及/或之後將基底暴露到各種“殘餘物移除氣體”，例如甲醇、乙醇、或異丙醇。這些殘餘物移除氣體可與從基底的蝕刻表面濺射的原子進行反應以形成揮發性分子。接著可使用真空泵等來將這些揮發性分子排空。

傳統來說，殘餘物移除氣體是藉由定位於鄰近正在被處理的基底的所謂的“噴頭(shower head)”結構而被引入到離子束裝置的處理腔室中。為使基底以及離子束設備的元件清潔，噴頭通常遠離基底一定距離定位。因此，噴頭的存在使得需要比原本所需的處理腔室顯著大的處理腔室。另外，由於噴頭以遠離基底的顯著距離定位，因此由噴頭射出的殘餘物移除氣體在漂移到與基底接觸之前會在處理腔室的大部分中擴散。大部分的殘餘物移除氣體在抵達基底的表面之前便從處理腔室被移除，從而導致殘餘物移除氣體的遞送低效以及無效。

針對這些及其他考量，本發明的改良可為有用的。

提供本發明內容是為了以簡化形式介紹一系列所選概念。本發明內容並非旨在識別所主張主題的關鍵特徵或本質特徵，本發明內容也不旨在說明確定所主張主題的範圍。

根據本揭露的一種用於離子束裝置的氣體注入系統的示例性實施例可包括萃取板，所述萃取板具有萃取開孔以允許離子 束通過所述萃取板，所述萃取板還具有氣體狹槽以利於從所述萃取板逐出氣體。

根據本揭露的一種用於離子束裝置的氣體注入系統的另一個示例性實施例可包括萃取板，所述萃取板具有萃取開孔以允許離子束通過所述萃取板，所述萃取板還具有氣體狹槽以利於從所述萃取板逐出殘餘物移除氣體。這一實施例還可包括氣體導管，所述氣體導管在所述氣體狹槽與安裝到所述萃取板的氣體歧管之間延伸穿過所述萃取板。一種氣體源可與所述氣體歧管流體連通地連接，所述氣體源容納所述殘餘物移除氣體。所述氣體歧管可包括：閥門，能夠在第一位置與第二位置之間選擇性地調節，在所述第一位置中允許所述殘餘物移除氣體流動到所述萃取板中，在所述第二位置中所述殘餘物移除氣體可從所述萃取板排出；以及歧管罩，耦合到氣體歧管。所述歧管罩可包括能夠電子控制的驅動機構，所述能夠電子控制的驅動機構耦合到所述閥門且適於將所述閥門在所述第一位置與所述第二位置之間移動。

根據本揭露實施例的一種製造氣體注入系統的萃取板的方法的示例性實施例可包括在板中形成細長的萃取開孔。所述方法還可包括：在所述板的第一側中在所述萃取開孔的第一側上形成氣體狹槽；以及在所述板中形成導管網路，以使所述氣體狹槽與氣體源流體連通，所述導管網路包括與所述第一氣體狹槽相交的狹槽導管。

100:離子束裝置/裝置

102:等離子體腔室

104:等離子體

106:處理腔室

108:氣體源

114:等離子體電源

115:氣體注入系統

116:偏壓電源

118:萃取板/開孔板

120:離子束

122:基底

124:基底載台

125、126、212a、212b、214a、214b:箭頭

128:加熱器

140:萃取開孔

162:平面

177a:第一細長的水準取向氣體狹槽/氣體狹槽/第一氣體狹槽

177b:第二細長的水準取向氣體狹槽/氣體狹槽/第二氣體狹槽

182:氣體歧管

186:氣體供應管線/第一氣體供應管線

187:第二氣體供應管線

188:加壓氣體源/氣體源/第一氣體源

189:第二氣體源

192:蝕刻表面/表面

194a、194b:水準取向狹槽導管/狹槽導管

196a、196b:水準取向歧管導管/歧管導管

197、209a、209b:驅動機構

198:控制器

198a、198b:互連導管

199:支撐手臂

200:能夠移動的插塞

202:密封板

204:虛線箭頭

206:虛線

208:歧管罩

210a、210b:閥門

211:導管

300、310、320、320a、320b、320c、330a、330b:步驟

X、Y、Z:軸

作為實例，現將參照附圖闡述所揭露設備的各種實施例，在所述附圖中：

圖1是示出根據本揭露的離子束裝置的示例性實施例的側面剖視圖。

圖2是示出根據本揭露的氣體注入系統的示例性實施例的透視圖。

圖3A是示出根據本揭露的示例性萃取板的切面圖。

圖3B是示出圖3A所示萃取板的一部分的詳細視圖。

圖4是示出根據本揭露的萃取板的替代實施例的一部分的剖視詳細視圖。

圖5是圖2所示氣體注入系統的氣體歧管的後面透視圖。

圖6是省略歧管罩的圖2所示氣體注入系統的氣體歧管的側面透視圖。

圖7是示出根據本揭露的氣體注入系統的示例性替代實施例的正視圖。

圖8是示出根據本揭露的製造氣體注入系統的萃取板的方法的示例性實施例的流程圖。

在下文中，現將參照附圖更充分地闡述本發明實施例，所述附圖中示出一些實施例。本揭露的主題可被實施成許多不同 的形式，而不應被視為僅限於本文所述的實施例。提供這些實施例是為了使本揭露透徹及完整，且將向所屬領域中的技術人員充分傳達主題的範圍。在圖式中，自始至終相同的編號均指代相同的元件。

本發明實施例提供一種對基底進行處理的新穎系統及方法，且具體來說，一種新穎的氣體注入系統以及製造所述氣體注入系統的方法，這種系統適於從基底表面移除殘餘的蝕刻材料。在具體實施例中，揭露一種具有集成氣體狹槽的萃取板，所述集成氣體狹槽用於在對表面進行蝕刻之前、期間、及/或之後緊密靠近基底表面射出一種或多種殘餘物移除氣體。

圖1繪示根據本揭露示例性實施例的離子束裝置100(在下文中稱為“裝置100”)。裝置100可包括等離子體腔室(plasma chamber)102。等離子體腔室102可如圖中所示容置等離子體104。裝置100還可包括處理腔室106。裝置100可包括至少一個氣體源108以向等離子體腔室102提供工作氣體(working gas)(如以下所述)。裝置100還可包括電源(示出為等離子體電源114)以產生電力來激發並維持等離子體104。等離子體電源114可為射頻電源(radio frequency power source，RF power source)、電感耦合等離子體(inductively-coupled plasma，ICP)源、電容耦合等離子體(capacitively coupled plasma，CCP)源、螺旋波源(helicon source)、電子迴旋共振(electron cyclotron resonance，ECR)源、間接加熱陰極(indirectly heated cathode，IHC)源、輝光放電源 (glow discharge source)、或所屬領域中的技術人員所知的其他等離子體源。裝置100還可包括氣體注入系統115以將殘餘物移除氣體引入到處理腔室106中，如以下進一步所述。裝置100還可包括耦合到等離子體腔室102的偏壓電源(bias supply)116。

偏壓電源116可被配置成產生等離子體腔室102與設置在處理腔室106中的基底載台(substrate stage)124之間的電壓差。在圖1所示實施例中，偏壓電源116可相對於地電位(ground potential)向等離子體腔室102施加正偏壓，而處理腔室106及基底載台124保持處於地電位。當等離子體腔室102中存在等離子體104，且偏壓電源116相對於地電位向等離子體腔室102施加正偏壓時，可從等離子體104萃取包含正離子的離子束(ion beam)120。在裝置100的其他實施例中，等離子體腔室102可保持處於地電位，且基底122及基底載台124可相對於地電位而被施加正偏壓。

離子束120可藉由萃取板(extraction plate)118被萃取，且可被引導到處理腔室106中而到達保持在基底載台124上的基底122。在各種實施例中，基底載台124可能夠相對於萃取板118移動。舉例來說，基底載台124可能夠在與笛卡爾座標系(Cartesian coordinate system)的Z軸平行的方向上移動，如箭頭125所指示。這樣一來，基底122的表面與萃取板118之間的距離可變化。在各種實施例中，基底載台124可被配置成在與基底122的平面162平行的方向上相對於萃取板118對基底122進行掃描。舉例來說， 如圖1所示，基底載台124可能夠平行於Y軸地在垂直方向上移動，如箭頭126所指示。如圖1進一步示出，基底載台124可包括加熱器128以對基底122進行加熱。

根據本揭露的各種實施例，裝置100的氣體源108可向等離子體腔室102供應再一些饋送氣體(feed gas)以用於產生等離子體104。這些饋送氣體可包括氖氣、疝氣、氪氣、及氬氣。由上述稀有氣體中的一者或多者形成的等離子體萃取的離子束已被發現能夠有效地蝕刻各種基底材料，其中基底材料包括矽在內。

參照圖2，圖2示出裝置100的示例性氣體注入系統115的透視圖。氣體注入系統115可包括萃取板118，萃取板118具有形成穿過萃取板的萃取開孔140以允許離子束120(圖1)通過。萃取開孔140可具有沿著X軸的寬度以及沿著Y軸的高度，其中寬度大於高度。在一些實例中，寬度可具有介於150mm至450mm範圍內或更大的值，而高度可具有介於3mm至30mm範圍內的值。本揭露的實施例並非僅限於此上下文。因此，可藉由萃取開孔140將離子束120(圖1)萃取為束寬度比束高度大的帶狀束(ribbon beam)。

萃取板118可設置有分別位於萃取開孔140上方及下方的第一細長的水準取向氣體狹槽(gas slot)177a及第二細長的水準取向氣體狹槽177b，以將一種或多種殘餘物移除氣體射出到處理腔室106(圖1)中。氣體狹槽177a、177b可與延伸穿過萃取板118(以下詳細闡述)內部的導管網路流體連通，所述導管網路 將第一氣體狹槽177a及第二氣體狹槽177b連接到安裝到萃取板118的後面的氣體歧管(gas manifold)182。氣體歧管182可連接到氣體供應管線186以從加壓氣體源(pressurized gas source)188(圖1)向氣體歧管182供應殘餘物移除氣體。氣體源188可容納一種或多種殘餘物移除氣體，所述一種或多種殘餘物移除氣體被選擇成能夠與來自基底122(圖1)的蝕刻表面192的濺射原子進行反應以形成揮發性分子而便於後續從裝置100的處理腔室106移除。這些殘餘物移除氣體可包括但不限於甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、一氧化碳、二氧化碳、氨氣、一氧化二氮、乙二醇、氯氣、氟氣、三氟化氮、及氰化氫。

參照圖3A及圖3B，圖3A及圖3B示出延伸穿過萃取板118的各種內部氣體導管的透視切面圖及詳細切面圖。這些內部氣體導管可包括水準取向狹槽導管(slot conduit)194a、194b，水準取向狹槽導管194a、194b與萃取板118的前面(face)平行地延伸、分別位於氣體狹槽177a、177b下方及上方並與氣體狹槽177a、177b鄰接(例如，氣體狹槽177a、177b可藉由狹槽導管194a、194b與萃取板118的前表面相交形成)。萃取板118還可包括水準取向歧管導管(manifold conduit)196a、196b，水準取向歧管導管196a、196b與萃取板118的前面平行地延伸、且分別位於狹槽導管194a、194b上方及下方。狹槽導管194a、194b可分別藉由從萃取板118的頂部邊緣及底部邊緣延伸的相應系列的垂直取向、水準間隔開的互連導管(interconnect conduit)198a、198b連 接到歧管導管196a、196b。

如以下將更詳細地闡述，殘餘物移除氣體可通過互連導管198a、198b從歧管導管196a、196b流向狹槽導管194a、194b，且可通過氣體狹槽177a、177b從萃取板118排放，如圖3B所示虛線箭頭204所指示。應注意，由於歧管導管196a、196b分別位於狹槽導管194a、194b上方及下方的排列形式，殘餘物移除氣體可在垂直方向上遠離萃取開孔140分別沿對角線向上路徑及對角線向下路徑從氣體狹槽177a、177b排放。因此，當殘餘物移除氣體撞擊基底122(圖1)的表面192時，殘餘的材料可被吹離表面192並在垂直方向上遠離萃取開孔140。因此，防止殘餘物朝萃取開孔140流動並通過萃取開孔140流動到等離子體腔室102中，在等離子體腔室102中殘餘物可能以不期望的方式與等離子體104進行反應。

互連導管198a、198b分別在歧管導管196a、196b與狹槽導管194a、194b之間延伸的部分可被設定大小，(例如，可形成有特定直徑)使得以期望的方式來控制氣體遞送(例如，氣體壓力)。在一些實施例中，在互連導管198a、198b的在歧管導管196a、196b與狹槽導管194a、194b之間延伸的部分內可設置有能夠替換的噴口或噴嘴以利於藉由實施具有不同直徑的管口的噴口或噴嘴來對氣體遞送進行選擇性的變化。

在萃取板118的一些實施例中，狹槽導管194a、194b、歧管導管196a、196b、及互連導管198a、198b可藉由從萃取板 118的水準邊緣及垂直邊緣對萃取板118進行交叉鑽孔(cross-drilling)形成。導管中的某些導管可被塞住以防止氣體從萃取板118逸出。舉例來說，如圖3B所最佳的示出，作為圖3A所示所有互連導管198a的代表的互連導管198a可被可拆開的插塞(plug)200從萃取板118的頂部邊緣延伸到互連導管198a中塞住。各互連導管198b可設置有相似的插塞。

在萃取板118的各種替代實施例中，氣體狹槽177a、177b、狹槽導管194a、194b、歧管導管196a、196b、及互連導管198a、198b可利用除了交叉鑽孔之外的其他製造技術形成。舉例來說，參照圖4所示剖視圖，氣體狹槽177a、狹槽導管194a、歧管導管196a、及互連導管198a可藉由將通道敷設到萃取板118的前表面及後表面中來形成。所敷設通道可利用與萃取板118的後面接合(例如，焊接)的密封板202進行密封。虛線206指示經由導管的氣體流。圖4所示萃取板118的替代實施例的下部的氣體狹槽177b、狹槽導管194b、歧管導管196b、及互連導管198b與氣體狹槽177a、狹槽導管194a、歧管導管196a、及互連導管198a相似。

參照圖5及圖6，殘餘物移除氣體可藉由安裝到萃取板118的後面的氣體歧管182被供應到歧管導管196a、196b(圖3A)。具體來說，殘餘物移除氣體可經由氣體供應管線186進入氣體歧管182且可藉由位於氣體歧管182內的導管輸送到萃取板118的歧管導管196a、196b(圖3A)。歧管罩208可安裝到氣體歧管182 且可容置一個或多個能夠電子控制的驅動機構209a、209b(例如，伺服電動機(servo motor))，所述一個或多個能夠電子控制的驅動機構209a、209b耦合到位於氣體歧管182內的相應閥門210a、210b，如以下進一步闡述。歧管罩208的內部可保持處於大氣壓力下，且歧管罩208可包括耦合到歧管罩208的背側的導管211以向驅動機構209a、209b敷設電力及控制管線。

參照圖6，氣體歧管182中的閥門210a、210b可為適於在第一位置與第二位置之間進行選擇性的調節(例如，藉由上述驅動機構209a、209b的操作進行選擇性的調節)的三通閥門(3-way valve)。在第一位置中，閥門210a、210b可允許殘餘物移除氣體從氣體供應管線186流向萃取板118，如箭頭212a、212b所指示。在第二位置中，閥門210a、210b可允許殘餘物移除氣體從萃取板118流向真空，如箭頭214a、214b所指示。第二位置可適用於從萃取板118排出殘留的殘餘物移除氣體。

再次參照圖1，裝置100可包括控制器198，控制器198可操作地連接到氣體源188以藉由預定的(例如，預程式設計的)方式控制殘餘物移除氣體向萃取板118的遞送。舉例來說，控制器198可以可操作地連接到驅動機構197以在對基底122進行掃描期間驅動基底載台124(藉由支撐手臂199)。控制器198可被程式設計成利用基底載台124的位置及移動來協調殘餘物移除氣體向萃取板118的遞送，且因此協調殘餘物移除氣體從氣體狹槽177a、177b的射出，從而藉由期望的方式將殘餘物移除氣體遞送 到基底122。在一個實例中，控制器198可控制向萃取板118遞送的殘餘物移除氣體的速率以改變從氣體狹槽177a、177b射出的殘餘物移除氣體的壓力。

預期存在其中萃取板118設置有比上述更大或更小數目的氣體狹槽的氣體注入系統115的實施例。舉例來說，可省略萃取板118的氣體狹槽177a、177b中的一者。在其他實施例中，萃取板118可包括位於萃取開孔140上方及/或下方的多個氣體狹槽。在其他實施例中，萃取板118可包括鄰近萃取開孔140水準地定位的一個或多個氣體狹槽。上述狹槽導管194a、194b、歧管導管196a、196b、及互連導管198a、198b的數目、配置、及排列形式可相似地變化。另外，在各種替代實施例中，萃取板118可耦合到多於一個氣體源以向萃取板118供應不同的殘餘物移除氣體。舉例來說，參照圖7中示意性示出的氣體注入系統115的替代實施例，歧管導管196a可耦合到與容納第一殘餘物移除氣體的第一氣體源188連接的第一氣體供應管線186。歧管導管196b可耦合到與容納和第一殘餘物移除氣體不同的第二殘餘物移除氣體的第二氣體源189連接的第二氣體供應管線187。

在裝置100的操作期間，例如為了對設置在圖1所示基底載台124上的基底122進行蝕刻，可藉由上述方式來相對於萃取板118對基底載台124進行掃描。舉例來說，可相對於萃取板118對基底載台124進行垂直地掃描以將基底122暴露到通過萃取開孔140投射的離子束120。當以這樣的方式對基底載台124進行 掃描時，可以能夠控制的方式藉由氣體供應管線186及氣體歧管182向萃取板118的歧管導管196a、196b(圖3A)饋送由氣體源188供應的殘餘物移除氣體。殘餘物移除氣體可接著藉由互連導管198a、198b流向狹槽導管194a、194b，之後殘餘物移除氣體可從氣體狹槽177a、177b射出。因此，殘餘物移除氣體可直接噴到基底122的移動的表面192上，其中當殘餘物移除氣體施加到表面192時，表面192定位為緊密靠近(例如，相距5毫米至25毫米)氣體狹槽177a、177b。

參照圖8，圖8示出根據本揭露的製造氣體注入系統的萃取板的示例性方法的流程圖。現將參照圖1至圖7所示本揭露的實施例來詳細闡述所述方法。

在示例性方法的方塊300處，可在萃取板118中形成萃取開孔140以允許離子束120通過。在所述方法的方塊310處，可在萃取板118的第一前側中在萃取開孔140的上方及下方分別形成氣體狹槽177a、177b。在所述方法的方塊320處，可在萃取板118中形成導管網路以利於向氣體狹槽177a、177b遞送殘餘物移除氣體。

在開孔板118中形成導管網路可包括，在示例性方法的方塊320a處，分別形成延伸穿過萃取板118且與氣體狹槽177a、177b鄰接的狹槽導管194a、194b。在開孔板118中形成導管網路還可包括，在示例性方法的方塊320b處，形成分別鄰近狹槽導管194a、194b定位且延伸到萃取板118的一個或多個邊緣以耦合到 氣體歧管182的歧管導管196a、196b。在開孔板118中形成導管網路還可包括，在示例性方法的方塊320c處，形成在歧管導管196a、196b與狹槽導管194a、194b之間延伸的互連導管198a、198b，以在歧管導管196a、196b與狹槽導管194a、194b之間提供流體連通。

如上所述，包括互連導管198a、198b、歧管導管196a、196b、及狹槽導管194a、194b的導管網路可藉由從開孔板118的對應邊緣在與開孔板118的第一前側(第一側)平行的方向上對開孔板118進行交叉鑽孔來形成。如果導管網路以這樣的方式形成，則在示例性方法的方塊330a處可隨後塞住交叉鑽孔而形成的孔中的某些孔(例如，形成互連導管198a、198b的交叉鑽孔而形成的孔)以防止氣體從開孔板118逸出。在另一個預期實施例中，互連導管198a、198b、歧管導管196a、196b、及狹槽導管194a、194b可藉由在開孔板118的第一前側(第一側)中以及在開孔板118的第二相對的後側(第二側)中敷設交叉的通道來形成，如圖4所繪示。如果導管網路以這樣的方式形成，則在示例性方法的方塊330b處，可將密封板202耦合到開孔板118的後側以對圖4所繪示的導管網路進行密封。

再次參照圖1，由於氣體狹槽177a、177b與基底122的表面192之間的距離相對短，因此相對於傳統的噴頭氣體遞送系統來說，氣體注入系統115可以較低的流速及較高的壓力來向表面192施加殘餘物移除氣體。有利的是，從氣體注入系統115的 氣體狹槽177a、177b射出的殘餘物移除氣體在由表面192接收時相對集中且不會擴散。本揭露的配置因而提供更高的表面覆蓋率及更高的氣體表面碰撞速率，從而相對於傳統的噴頭氣體遞送系統來說會更有效且更高效地施加殘餘物移除氣體。因此，相對於傳統的噴頭氣體遞送系統來說，可減少處理基底所需的殘餘物移除氣體的總量，同時提高殘餘物移除氣體的有效性。

作為額外的優點，由於在處理腔室106中不需要單獨的噴頭結構，因此處理腔室106可被製作成更小的，且裝置100因此可具有比採用傳統的噴頭氣體遞送系統的離子束裝置小的形狀因數(form factor)。作為另一個優點，由於殘餘物移除氣體以集中流的形式從氣體狹槽177a、177b直接射出到基底122的表面192上，因此在對基底122進行蝕刻之前、期間、及/或之後，可以精確的、針對性方式將殘餘物移除氣體施加到表面192。在一個實例中，如果基底載台124在蝕刻製程期間以基底122位於萃取開孔140下方的狀態開始垂直向上對基底122進行掃描，則從氣體狹槽177a射出的殘餘物移除氣體可在表面192暴露到離子束120之前施加到基底122的表面192。從第二氣體分配器172a中的氣體狹槽177b射出的殘餘物移除氣體可在表面192暴露到離子束120之後被施加到基底122的表面192。這種操作在從氣體狹槽177a、177b射出的殘餘物移除氣體是不同的殘餘物移除氣體的條件下可尤其有利。

本揭露的範圍不受本文所述具體實施例限制。實際上， 藉由閱讀以上說明及附圖，對所屬領域的通常知識者來說，除本文所述實施例及潤飾以外的本揭露的其他各種實施例及對本揭露的各種潤飾也將顯而易見。因此，這些其他實施例及潤飾都旨在落於本揭露的範圍內。另外，儘管本文已針對特定目的而在特定環境中在特定實施方案的上下文中闡述了本揭露，然而，所屬領域的通常知識者將認識到，本揭露的效用性並非僅限於此。可針對任何數目個目的在任何數目的環境中有利地實施本揭露的實施例。因此，應考慮到本文中所闡述的本揭露的全部範圍及精神來理解以上提出的權利要求書。

115:氣體注入系統

118:萃取板/開孔板

140:萃取開孔

177a:第一細長的水準取向氣體狹槽/氣體狹槽/第一氣體狹槽

177b:第二細長的水準取向氣體狹槽/氣體狹槽/第二氣體狹槽

182:氣體歧管

186:氣體供應管線/第一氣體供應管線

Claims (15)

1. 一種用於離子束裝置的氣體注入系統，包括：萃取板，所述萃取板具有萃取開孔以允許離子束通過所述萃取板，所述萃取板還具有形成在所述萃取板中的氣體狹槽以使氣體從所述萃取板被逐出。
2. 如申請專利範圍第1項所述的氣體注入系統，其中更包括氣體導管，所述氣體導管在所述氣體狹槽與安裝到所述萃取板的氣體歧管之間延伸穿過所述萃取板。
3. 如申請專利範圍第2項所述的氣體注入系統，其中更包括與所述氣體歧管流體連通地連接的第一氣體源，所述第一氣體源容納第一殘餘物移除氣體。
4. 如申請專利範圍第3項所述的氣體注入系統，其中更包括與所述氣體歧管流體連通地連接的第二氣體源，所述第二氣體源容納與所述第一殘餘物移除氣體不同的第二殘餘物移除氣體。
5. 如申請專利範圍第2項所述的氣體注入系統，其中所述氣體導管是由從所述萃取板的邊緣延伸穿過所述萃取板的孔來界定。
6. 如申請專利範圍第2項所述的氣體注入系統，其中所述氣體導管是由在所述萃取板的前表面及後表面中的至少一者中形成的通道來界定。
7. 如申請專利範圍第2項所述的氣體注入系統，其中所述氣體歧管包括能夠在第一位置與第二位置之間選擇性地調節的閥 門，在所述第一位置中允許所述氣體流動到所述萃取板中，在所述第二位置中所述氣體能夠從所述萃取板排出到周圍大氣。
8. 如申請專利範圍第7項所述的氣體注入系統，其中更包括耦合到所述氣體歧管的歧管罩，所述歧管罩包括能夠電子控制的驅動機構，所述能夠電子控制的驅動機構耦合所述閥門且適於將所述閥門在所述第一位置與所述第二位置之間移動。
9. 如申請專利範圍第1項所述的氣體注入系統，其中所述氣體狹槽是位於所述萃取開孔的第一側上的第一氣體狹槽，所述氣體注入系統還包括位於所述萃取開孔的與所述第一側相對的第二側上的第二氣體狹槽。
10. 一種製造氣體注入系統的萃取板的方法，包括：在板中形成細長的萃取開孔；在所述板的第一側中在所述萃取開孔的第一側上形成氣體狹槽；以及在所述板中形成導管網路，以使所述氣體狹槽與氣體源流體連通，所述導管網路包括與所述第一氣體狹槽相交的狹槽導管。
11. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中所述導管網路更包括：歧管導管，從所述板的邊緣延伸；以及互連導管，在所述歧管導管與所述狹槽導管之間延伸。
12. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中形成所述導管網路包括：在與所述板的所述第一側平行的方向上在所述板中進行交叉鑽孔而形成孔。
13. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中形成所述導管網路包括：將通道敷設到所述板的所述第一側及所述板的與所述第一側相對的第二側中的至少一者中。
14. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中所述氣體狹槽是第一氣體狹槽，所述方法還包括：在所述板的所述第一側中在所述萃取開孔的與所述萃取開孔的所述第一側相對的所述萃取開孔的第二側上形成第二氣體狹槽。
15. 如申請專利範圍第14項所述的方法，其中所述氣體源是第一氣體源且所述導管網路是第一導管網路，所述方法還包括：在所述板中形成第二導管網路，以使所述第二氣體狹槽與和所述第一氣體源不同的第二氣體源流體連通。

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