CN110088873A - 用于离子束装置的气体注入系统 - Google Patents

Abstract

一种气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以从所述萃取板逐出残余物移除气体。气体注入系统可包括气体导管及气体源，所述气体导管在气体狭槽与气体歧管之间延伸穿过萃取板，气体源与气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳残余物移除气体。气体歧管可包括能够在第一位置与第二位置之间调节的阀门，在所述第一位置中允许残余物移除气体流动到萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出。气体注入系统还可包括耦合到气体歧管的歧管罩。

Description

用于离子束装置的气体注入系统

相关申请

本申请主张在2016年12月19日提出申请的名称为“用于离子束装置的气体注入系统(GAS INJECTION SYSTEM FOR ION BEAM DEVICE)”的美国临时专利申请第62/436,047号的优先权，所述美国临时专利申请全文并入本申请供参考。

技术领域

本公开的实施例涉及离子束装置的领域，且更具体来说，涉及用于将残余物移除气体注入到离子束装置的处理腔室中的设备及方法。

背景技术

为在半导体晶片或其他衬底上形成期望的表面特征，可以预定图案将规定能量的离子束投射到衬底的表面上以将期望的特征“蚀刻”到衬底中。在这种蚀刻工艺期间，可在横向于由离子源投射到衬底上的离子束的方向上对衬底进行机械地驱动或“扫描(scan)”。举例来说，如果离子束沿水平平面朝垂直取向的衬底投射，则可在与所投射的离子束垂直的垂直方向和/或侧向方向上对衬底进行扫描。因此，衬底的整个表面均可暴露到离子束。

利用离子束蚀刻衬底会形成溅射原子形式的残余物，所述残余物离开衬底的蚀刻表面并重新沉积在衬底的另一部分上。如果未将这种残余物移除，则所述残余物对完成的衬底的质量来说可为不利的。为移除所述残余物，可在对衬底进行蚀刻之前、期间、和/或之后将衬底暴露到各种“残余物移除气体”，例如甲醇、乙醇、或异丙醇。这些残余物移除气体可与从衬底的蚀刻表面溅射的原子进行反应以形成挥发性分子。接着可使用真空泵等来将这些挥发性分子排空。

传统来说，残余物移除气体是通过定位于邻近正在被处理的衬底的所谓的“喷头(shower head)”结构而被引入到离子束装置的处理腔室中。为使衬底以及离子束设备的组件清洁，喷头通常远离衬底一定距离定位。因此，喷头的存在使得需要比原本所需的处理腔室显著大的处理腔室。另外，由于喷头以远离衬底的显著距离定位，因此由喷头射出的残余物移除气体在漂移到与衬底接触之前会在处理腔室的大部分中扩散。大部分的残余物移除气体在抵达衬底的表面之前便从处理腔室被移除，从而导致残余物移除气体的递送低效以及无效。

针对这些及其他考量，本发明的改良可为有用的。

发明内容

提供本发明内容是为了以简化形式介绍一系列所选概念。本发明内容并非旨在识别所主张主题的关键特征或本质特征，本发明内容也不旨在帮助确定所主张主题的范围。

根据本公开的一种用于离子束装置的气体注入系统的示例性实施例可包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以利于从所述萃取板逐出气体。

根据本公开的一种用于离子束装置的气体注入系统的另一个示例性实施例可包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有气体狭槽以利于从所述萃取板逐出残余物移除气体。这一实施例还可包括气体导管，所述气体导管在所述气体狭槽与安装到所述萃取板的气体歧管之间延伸穿过所述萃取板。一种气体源可与所述气体歧管流体连通地连接，所述气体源容纳所述残余物移除气体。所述气体歧管可包括：阀门，能够在第一位置与第二位置之间选择性地调节，在所述第一位置中允许所述残余物移除气体流动到所述萃取板中，在所述第二位置中所述残余物移除气体可从所述萃取板排出；以及歧管罩，耦合到气体歧管。所述歧管罩可包括能够电子控制的驱动机构，所述能够电子控制的驱动机构耦合到所述阀门且适于将所述阀门在所述第一位置与所述第二位置之间移动。

根据本公开实施例的一种制造气体注入系统的萃取板的方法的示例性实施例可包括在板中形成细长的萃取开孔。所述方法还可包括：在所述板的第一侧中在所述萃取开孔的第一侧上形成气体狭槽；以及在所述板中形成导管网络，以使所述气体狭槽与气体源流体连通，所述导管网络包括与所述第一气体狭槽相交的狭槽导管。

附图说明

作为实例，现将参照附图阐述所公开设备的各种实施例，在所述附图中：

图1是示出根据本公开的离子束装置的示例性实施例的侧面剖视图。

图2是示出根据本公开的气体注入系统的示例性实施例的透视图。

图3a是示出根据本公开的示例性萃取板的切面图。

图3b是示出图3a所示萃取板的一部分的详细视图。

图4是示出根据本公开的萃取板的替代实施例的一部分的剖视详细视图。

图5是图2所示气体注入系统的气体歧管的后面透视图。

图6是省略歧管罩的图2所示气体注入系统的气体歧管的侧面透视图。

图7是示出根据本公开的气体注入系统的示例性替代实施例的正视图。

图8是示出根据本公开的制造气体注入系统的萃取板的方法的示例性实施例的流程图。

具体实施方式

在下文中，现将参照附图更充分地阐述本发明实施例，所述附图中示出一些实施例。本公开的主题可被实施成许多不同的形式，而不应被视为仅限于本文所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻及完整，且将向所属领域中的技术人员充分传达主题的范围。在图附图中，自始至终相同的编号均指代相同的元件。

本发明实施例提供一种对衬底进行处理的新颖系统及方法，且具体来说，一种新颖的气体注入系统以及制造所述气体注入系统的方法，这种系统适于从衬底表面移除残余的蚀刻材料。在具体实施例中，公开一种具有集成气体狭槽的萃取板，所述集成气体狭槽用于在对表面进行蚀刻之前、期间、和/或之后紧密靠近衬底表面射出一种或多种残余物移除气体。

图1示出根据本公开示例性实施例的离子束装置100(在下文中称为“装置100”)。装置100可包括等离子体腔室(plasma chamber)102。等离子体腔室102可如图中所示容置等离子体104。装置100还可包括处理腔室106。装置100可包括至少一个气体源108以向等离子体腔室102提供工作气体(working gas)(如以下所述)。装置100还可包括电源(示出为等离子体电源114)以产生电力来激发并维持等离子体104。等离子体电源114可为射频电源(radio frequency power source，RF power source)、电感耦合等离子体(inductively-coupled plasma，ICP)源、电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma，CCP)源、螺旋波源(helicon source)、电子回旋共振(electron cyclotron resonance，ECR)源、间接加热阴极(indirectly heated cathode，IHC)源、辉光放电源(glow discharge source)、或所属领域中的技术人员所知的其他等离子体源。装置100还可包括气体注入系统115以将残余物移除气体引入到处理腔室106中，如以下进一步所述。装置100还可包括耦合到等离子体腔室102的偏压电源(bias supply)116。

偏压电源116可被配置成产生等离子体腔室102与设置在处理腔室106中的衬底载台(substrate stage)124之间的电压差。在图1所示实施例中，偏压电源116可相对于地电位(ground potential)向等离子体腔室102施加正偏压，而处理腔室106及衬底载台124保持处于地电位。当等离子体腔室102中存在等离子体104，且偏压电源116相对于地电位向等离子体腔室102施加正偏压时，可从等离子体104萃取包含正离子的离子束(ion beam)120。在装置100的其他实施例中，等离子体腔室102可保持处于地电位，且衬底122及衬底载台124可相对于地电位而被施加正偏压。

离子束120可通过萃取板(extraction plate)118被萃取，且可被引导到处理腔室106中而到达保持在衬底载台124上的衬底122。在各种实施例中，衬底载台124可能够相对于萃取板118移动。举例来说，衬底载台124可能够在与笛卡尔坐标系(Cartesiancoordinate system)的Z轴平行的方向上移动，如箭头125所指示。这样一来，衬底122的表面与萃取板118之间的距离可变化。在各种实施例中，衬底载台124可被配置成在与衬底122的平面162平行的方向上相对于萃取板118对衬底122进行扫描。举例来说，如图1所示，衬底载台124可能够平行于Y轴地在垂直方向上移动，如箭头126所指示。如图1进一步示出，衬底载台124可包括加热器128以对衬底122进行加热。

根据本公开的各种实施例，装置100的气体源108可向等离子体腔室102供应再一些馈送气体(feed gas)以用于产生等离子体104。这些馈送气体可包括氖气、疝气、氪气、及氩气。由上述稀有气体中的一者或多者形成的等离子体萃取的离子束已被发现能够有效地蚀刻各种衬底材料，其中衬底材料包括硅在内。

参照图2，图2示出装置100的示例性气体注入系统115的透视图。气体注入系统115可包括萃取板118，萃取板118具有形成穿过萃取板的萃取开孔140以允许离子束120(图1)通过。萃取开孔140可具有沿着X轴的宽度以及沿着Y轴的高度，其中宽度大于高度。在一些实例中，宽度可具有介于150mm至450mm范围内或更大的值，而高度可具有介于3mm至30mm范围内的值。本公开的实施例并非仅限于此上下文。因此，可通过萃取开孔140将离子束120(图1)萃取为束宽度比束高度大的带状束(ribbon beam)。

萃取板118可设置有分别位于萃取开孔140上方及下方的第一细长的水平取向气体狭槽(gas slot)177a及第二细长的水平取向气体狭槽177b，以将一种或多种残余物移除气体射出到处理腔室106(图1)中。气体狭槽177a、177b可与延伸穿过萃取板118(以下详细阐述)内部的导管网络流体连通，所述导管网络将第一气体狭槽177a及第二气体狭槽177b连接到安装到萃取板118的后面的气体歧管(gas manifold)182。气体歧管182可连接到气体供应管线186以从加压气体源(pressurized gas source)188(图1)向气体歧管182供应残余物移除气体。气体源188可容纳一种或多种残余物移除气体，所述一种或多种残余物移除气体被选择成能够与来自衬底122(图1)的蚀刻表面192的溅射原子进行反应以形成挥发性分子而便于后续从装置100的处理腔室106移除。这些残余物移除气体可包括但不限于甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮、一氧化碳、二氧化碳、氨气、一氧化二氮、乙二醇、氯气、氟气、三氟化氮、及氰化氢。

参照图3A及3B，示出延伸穿过萃取板118的各种内部气体导管的透视切面图及详细切面图。这些内部气体导管可包括水平取向狭槽导管(slot conduit)194a、194b，水平取向狭槽导管194a、194b与萃取板118的前面(face)平行地延伸、分别位于气体狭槽177a、177b下方及上方并与气体狭槽177a、177b邻接(例如，气体狭槽177a、177b可通过狭槽导管194a、194b与萃取板118的前表面相交形成)。萃取板118还可包括水平取向歧管导管(manifold conduit)196a、196b，水平取向歧管导管196a、196b与萃取板118的前面平行地延伸、且分别位于狭槽导管194a、194b上方及下方。狭槽导管194a、194b可分别通过从萃取板118的顶部边缘及底部边缘延伸的相应系列的垂直取向、水平间隔开的互连导管(interconnect conduit)198a、198b连接到歧管导管196a、196b。

如以下将更详细地阐述，残余物移除气体可通过互连导管198a、198b从歧管导管196a、196b流向狭槽导管194a、194b，且可通过气体狭槽177a、177b从萃取板118排放，如图3B所示虚线箭头204所指示。应注意，由于歧管导管196a、196b分别位于狭槽导管194a、194b上方及下方的排列形式，残余物移除气体可在垂直方向上远离萃取开孔140分别沿对角线向上路径及对角线向下路径从气体狭槽177a、177b排放。因此，当残余物移除气体撞击衬底122(图1)的表面192时，残余的材料可被吹离表面192并在垂直方向上远离萃取开孔140。因此，防止残余物朝萃取开孔140流动并通过萃取开孔140流动到等离子体腔室102中，在等离子体腔室102中残余物可能以不期望的方式与等离子体104进行反应。

互连导管198a、198b分别在歧管导管196a、196b与狭槽导管194a、194b之间延伸的部分可被设定大小，(例如，可形成有特定直径)使得以期望的方式来控制气体递送(例如，气体压力)。在一些实施例中，在互连导管198a、198b的在歧管导管196a、196b与狭槽导管194a、194b之间延伸的部分内可设置有能够替换的喷口或喷嘴以利于通过实施具有不同直径的管口的喷口或喷嘴来对气体递送进行选择性的变化。

在萃取板118的一些实施例中，狭槽导管194a、194b、歧管导管196a、196b、及互连导管198a、198b可通过从萃取板118的水平边缘及垂直边缘对萃取板118进行交叉钻孔(cross-drilling)形成。导管中的某些导管可被塞住以防止气体从萃取板118逸出。举例来说，如图3B所最佳的示出，作为图3A所示所有互连导管198a的代表的互连导管198a可被可拆开的插塞(plug)200从萃取板118的顶部边缘延伸到互连导管198a中塞住。各互连导管198b可设置有相似的插塞。

在萃取板118的各种替代实施例中，气体狭槽177a、177b、狭槽导管194a、194b、歧管导管196a、196b、及互连导管198a、198b可利用除了交叉钻孔之外的其他制造技术形成。举例来说，参照图4所示剖视图，气体狭槽177a、狭槽导管194a、歧管导管196a、及互连导管198a可通过将通道敷设到萃取板118的前表面及后表面中来形成。所敷设通道可利用与萃取板118的后面接合(例如，焊接)的密封板202进行密封。虚线206指示经由导管的气体流。图4所示萃取板118的替代实施例的下部的气体狭槽177b、狭槽导管194b、歧管导管196b、及互连导管198b与气体狭槽177a、狭槽导管194a、歧管导管196a、及互连导管198a相似。

参照图5及6，残余物移除气体可通过安装到萃取板118的后面的气体歧管182被供应到歧管导管196a、196b(图3A)。具体来说，残余物移除气体可经由气体供应管线186进入气体歧管182且可通过位于气体歧管182内的导管输送到萃取板118的歧管导管196a、196b(图3A)。歧管罩208可安装到气体歧管182且可容置一个或多个能够电子控制的驱动机构209a、209b(例如，伺服电动机(servo motor))，所述一个或多个能够电子控制的驱动机构209a、209b耦合到位于气体歧管182内的相应阀门210a、210b，如以下进一步阐述。歧管罩208的内部可保持处于大气压力下，且歧管罩208可包括耦合到歧管罩208的背侧的导管211以向驱动机构209a、209b敷设电力及控制管线。

参照图6，气体歧管182中的阀门210a、210b可为适于在第一位置与第二位置之间进行选择性的调节(例如，通过上述驱动机构209a、209b的操作进行选择性的调节)的三通阀门(3-way valve)。在第一位置中，阀门210a、210b可允许残余物移除气体从气体供应管线186流向萃取板118，如箭头212a、212b所指示。在第二位置中，阀门210a、210b可允许残余物移除气体从萃取板118流向真空，如箭头214a、214b所指示。第二位置可适用于从萃取板118排出残留的残余物移除气体。

再次参照图1，装置100可包括控制器198，控制器198可操作地连接到气体源188以通过预定的(例如，预编程的)方式控制残余物移除气体向萃取板118的递送。举例来说，控制器198可以可操作地连接到驱动机构197以在对衬底122进行扫描期间驱动衬底载台124(通过支撑手臂199)。控制器198可被编程成利用衬底载台124的位置及移动来协调残余物移除气体向萃取板118的递送，且因此协调残余物移除气体从气体狭槽177a、177b的射出，从而通过期望的方式将残余物移除气体递送到衬底122。在一个实例中，控制器198可控制向萃取板118递送的残余物移除气体的速率以改变从气体狭槽177a、177b射出的残余物移除气体的压力。

预期存在其中萃取板118设置有比上述更大或更小数目的气体狭槽的气体注入系统115的实施例。举例来说，可省略萃取板118的气体狭槽177a、177b中的一者。在其他实施例中，萃取板118可包括位于萃取开孔140上方和/或下方的多个气体狭槽。在其他实施例中，萃取板118可包括邻近萃取开孔140水平地定位的一个或多个气体狭槽。上述狭槽导管194a、194b、歧管导管196a、196b、及互连导管198a、198b的数目、配置、及排列形式可相似地变化。另外，在各种替代实施例中，萃取板118可耦合到多于一个气体源以向萃取板118供应不同的残余物移除气体。举例来说，参照图7中示意性示出的气体注入系统115的替代实施例，歧管导管196a可耦合到与容纳第一残余物移除气体的第一气体源188连接的第一气体供应管线186。歧管导管196b可耦合到与容纳和第一残余物移除气体不同的第二残余物移除气体的第二气体源189连接的第二气体供应管线187。

在装置100的操作期间，例如为了对设置在图1所示衬底载台124上的衬底122进行蚀刻，可通过上述方式来相对于萃取板118对衬底载台124进行扫描。举例来说，可相对于萃取板118对衬底载台124进行垂直地扫描以将衬底122暴露到通过萃取开孔140投射的离子束120。当以这样的方式对衬底载台124进行扫描时，可以能够控制的方式通过气体供应管线186及气体歧管182向萃取板118的歧管导管196a、196b(图3A)馈送由气体源188供应的残余物移除气体。残余物移除气体可接着通过互连导管198a、198b流向狭槽导管194a、194b，之后残余物移除气体可从气体狭槽177a、177b射出。因此，残余物移除气体可直接喷到衬底122的移动的表面192上，其中当残余物移除气体施加到表面192时，表面192定位为紧密靠近(例如，相距5毫米至25毫米)气体狭槽177a、177b。

参照图8，示出根据本公开的制造气体注入系统的萃取板的示例性方法的流程图。现将参照图1至7所示本公开的实施例来详细阐述所述方法。

在示例性方法的方块300处，可在萃取板118中形成萃取开孔140以允许离子束120通过。在所述方法的方块310处，可在萃取板118的第一前侧中在萃取开孔140的上方及下方分别形成气体狭槽177a、177b。在所述方法的方块320处，可在萃取板118中形成导管网络以利于向气体狭槽177a、177b递送残余物移除气体。

在开孔板118中形成导管网络可包括，在示例性方法的方块320a处，分别形成延伸穿过萃取板118且与气体狭槽177a、177b邻接的狭槽导管194a、194b。在开孔板118中形成导管网络还可包括，在示例性方法的方块320b处，形成分别邻近狭槽导管194a、194b定位且延伸到萃取板118的一个或多个边缘以耦合到气体歧管182的歧管导管196a、196b。在开孔板118中形成导管网络还可包括，在示例性方法的方块320c处，形成在歧管导管196a、196b与狭槽导管194a、194b之间延伸的互连导管198a、198b，以在歧管导管196a、196b与狭槽导管194a、194b之间提供流体连通。

如上所述，包括互连导管198a、198b、歧管导管196a、196b、及狭槽导管194a、194b的导管网络可通过从开孔板118的对应边缘在与开孔板118的第一前侧平行的方向上对开孔板118进行交叉钻孔来形成。如果导管网络以这样的方式形成，则在示例性方法的方块330a处可随后塞住交叉钻孔而形成的孔中的某些孔(例如，形成互连导管198a、198b的交叉钻孔而形成的孔)以防止气体从开孔板118逸出。在另一个预期实施例中，互连导管198a、198b、歧管导管196a、196b、及狭槽导管194a、194b可通过在开孔板118的第一前侧中以及在开孔板118的第二相对的后侧中敷设交叉的通道来形成，如图4所示出。如果导管网络以这样的方式形成，则在示例性方法的方块330b处，可将密封板202耦合到开孔板118的后侧以对图4所示出的导管网络进行密封。

再次参照图1，由于气体狭槽177a、177b与衬底122的表面192之间的距离相对短，因此相对于传统的喷头气体递送系统来说，气体注入系统115可以较低的流速及较高的压力来向表面192施加残余物移除气体。有利的是，从气体注入系统115的气体狭槽177a、177b射出的残余物移除气体在由表面192接收时相对集中且不会扩散。本公开的配置因而提供更高的表面覆盖率及更高的气体表面碰撞速率，从而相对于传统的喷头气体递送系统来说会更有效且更高效地施加残余物移除气体。因此，相对于传统的喷头气体递送系统来说，可减少处理衬底所需的残余物移除气体的总量，同时提高残余物移除气体的有效性。

作为额外的优点，由于在处理腔室106中不需要单独的喷头结构，因此处理腔室106可被制作成更小的，且装置100因此可具有比采用传统的喷头气体递送系统的离子束装置小的形状因数(form factor)。作为另一个优点，由于残余物移除气体以集中流的形式从气体狭槽177a、177b直接射出到衬底122的表面192上，因此在对衬底122进行蚀刻之前、期间、和/或之后，可以精确的、针对性方式将残余物移除气体施加到表面192。在一个实例中，如果衬底载台124在蚀刻工艺期间以衬底122位于萃取开孔140下方的状态开始垂直向上对衬底122进行扫描，则从气体狭槽177a射出的残余物移除气体可在表面192暴露到离子束120之前施加到衬底122的表面192。从第二气体分配器172a中的气体狭槽177b射出的残余物移除气体可在表面192暴露到离子束120之后被施加到衬底122的表面192。这种操作在从气体狭槽177a、177b射出的残余物移除气体是不同的残余物移除气体的条件下可尤其有利。

本公开的范围不受本文所述具体实施例限制。实际上，通过阅读以上说明及附图，对所属领域的普通技术人员来说，除本文所述实施例及润饰以外的本公开的其他各种实施例及对本公开的各种润饰也将显而易见。因此，这些其他实施例及润饰都旨在落于本公开的范围内。另外，尽管本文已针对特定目的而在特定环境中在特定实施方案的上下文中阐述了本公开，然而，所属领域的普通技术人员将认识到，本公开的效用性并非仅限于此。可针对任何数目个目的在任何数目的环境中有利地实施本公开的实施例。因此，应考虑到本文中所阐述的本公开的全部范围及精神来理解以上提出的权利要求。

Claims (15)

1.一种用于离子束装置的气体注入系统，其特征在于，所述气体注入系统包括萃取板，所述萃取板具有萃取开孔以允许离子束通过所述萃取板，所述萃取板还具有形成在所述萃取板中的气体狭槽以利于从所述萃取板逐出气体。

2.根据权利要求1所述的用于离子束装置的气体注入系统，其特征在于，还包括气体导管，所述气体导管在所述气体狭槽与安装到所述萃取板的气体歧管之间延伸穿过所述萃取板。

3.根据权利要求2所述的用于离子束装置的气体注入系统，其特征在于，还包括与所述气体歧管流体连通地连接的第一气体源，所述第一气体源容纳第一残余物移除气体。

4.根据权利要求3所述的用于离子束装置的气体注入系统，其特征在于，还包括与所述气体歧管流体连通地连接的第二气体源，所述第二气体源容纳与所述第一残余物移除气体不同的第二残余物移除气体。

5.根据权利要求2所述的用于离子束装置的气体注入系统，其特征在于，所述气体导管是由从所述萃取板的边缘延伸穿过所述萃取板的孔来界定。

6.根据权利要求2所述的用于离子束装置的气体注入系统，其特征在于，所述气体导管是由在所述萃取板的前表面及后表面中的至少一者中形成的通道来界定。

7.根据权利要求2所述的用于离子束装置的气体注入系统，其特征在于，所述气体歧管包括能够在第一位置与第二位置之间选择性地调节的阀门，在所述第一位置中允许所述气体流动到所述萃取板中，在所述第二位置中所述气体能够从所述萃取板排出到周围大气。

8.根据权利要求7所述的用于离子束装置的气体注入系统，其特征在于，还包括耦合到所述气体歧管的歧管罩，所述歧管罩包括能够电子控制的驱动机构，能够电子控制的所述驱动机构耦合所述阀门且适于将所述阀门在所述第一位置与所述第二位置之间移动。

9.根据权利要求1所述的用于离子束装置的气体注入系统，其特征在于，所述气体狭槽是位于所述萃取开孔的第一侧上的第一气体狭槽，所述气体注入系统还包括位于所述萃取开孔的与所述第一侧相对的第二侧上的第二气体狭槽。

10.一种制造气体注入系统的萃取板的方法，其特征在于，包括：

在板中形成细长的萃取开孔；

在所述板的第一侧中在所述萃取开孔的第一侧上形成气体狭槽；以及

在所述板中形成导管网络，以使所述气体狭槽与气体源流体连通，所述导管网络包括与所述第一气体狭槽相交的狭槽导管。

11.根据权利要求10所述的制造气体注入系统的萃取板的方法，其特征在于，所述导管网络还包括：

歧管导管，从所述板的边缘延伸；以及

互连导管，在所述歧管导管与所述狭槽导管之间延伸。

12.根据权利要求10所述的制造气体注入系统的萃取板的方法，其特征在于，形成所述导管网络包括：在与所述板的所述第一侧平行的方向上在所述板中进行交叉钻孔而形成孔。

13.根据权利要求10所述的制造气体注入系统的萃取板的方法，其特征在于，形成所述导管网络包括：将通道敷设到所述板的所述第一侧及所述板的与所述第一侧相对的第二侧中的至少一者中。

14.根据权利要求10所述的制造气体注入系统的萃取板的方法，其特征在于，所述气体狭槽是第一气体狭槽，所述制造气体注入系统的萃取板的方法还包括：在所述板的所述第一侧中在所述萃取开孔的与所述萃取开孔的所述第一侧相对的所述萃取开孔的第二侧上形成第二气体狭槽。

15.根据权利要求14所述的制造气体注入系统的萃取板的方法，其特征在于，所述气体源是第一气体源且所述导管网络是第一导管网络，所述制造气体注入系统的萃取板的方法还包括：在所述板中形成第二导管网络，以使所述第二气体狭槽与和所述第一气体源不同的第二气体源流体连通。