KR20150020092A - 제거가능 바디를 갖는 플라즈마 처리 챔버 - Google Patents

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KR20150020092A
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마이클 씨. 켈로그
다니엘 에이. 브라운
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치가 제공된다. 하단 플레이트가 제공된다. 웨이퍼 아퍼쳐를 갖는 튜브형 챔버 월이 하단 플레이트에 인접한다. 하단 제거가능 씰이 튜브형 월의 제1 단부에서 하단 플레이트와 튜브형 챔버 월 사이에 진공 씰을 제공한다. 상단 플레이트가 튜브형 챔버 월에 인접한다. 상단 제거가능 씰이 튜브형 월의 제2 단부와 상단 플레이트 사이에 진공 씰을 제공한다. 수직 씰이 제공되고, 튜브형 월의 수직 이동은 수직 씰이 웨이퍼 아퍼쳐 주변에 씰을 생성하도록 한다. 하단 정렬 가이드가 튜브형 챔버 월과 하단 플레이트를 정렬한다. 상단 정렬 가이드가 상단 플레이트와 튜브형 챔버 월을 정렬한다. 웨이퍼 척이 하단 플레이트와 상단 플레이트 사이에 배치된다.

Description

제거가능 바디를 갖는 플라즈마 처리 챔버{PLASMA PROCESSING CHAMBER WITH REMOVABLE BODY}
본 발명은 반도체 웨이퍼들을 플라즈마 처리하기 위한 챔버에 관한 것이다.
반도체 디바이스들을 형성시 반도체 웨이퍼들을 처리하기 위해 플라즈마 처리 시스템들이 사용된다.
전술한 바를 달성하기 위해 그리고 본 발명의 목적에 따라, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치가 제공된다. 하단 플레이트가 제공된다. 웨이퍼 아퍼쳐 (wafer aperture) 를 갖는 튜브형 챔버 월 (tubular chamber wall) 이 하단 플레이트에 인접한다. 하단 제거가능 씰이 튜브형 월의 제1 단부에서 하단 플레이트와 튜브형 챔버 월 사이에 진공 씰을 제공한다. 상단 플레이트가 튜브형 챔버 월에 인접한다. 상단 제거가능 씰이 튜브형 월의 제2 단부와 상단 플레이트 사이에 진공 씰을 제공한다. 수직 씰이 제공되고, 튜브형 월의 수직 이동은 수직 씰이 웨이퍼 아퍼쳐 주변에 씰을 생성하도록 한다. 하단 정렬 가이드 (alignment guide) 가 튜브형 챔버 월과 하단 플레이트를 정렬한다. 상단 정렬 가이드가 상단 플레이트와 튜브형 챔버 월을 정렬한다. 웨이퍼 척이 하단 플레이트와 상단 플레이트 사이에 배치된다.
본 발명의 다른 현상에서, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치가 제공된다. 하단 플레이트가 제공된다. 튜브형 챔버 월이 하단 플레이트에 인접한다. 하단 제거가능 씰이 튜브형 월의 제1 단부에서 하단 플레이트와 튜브형 챔버 월 사이에 진공 씰을 제공한다. 상단 플레이트가 튜브형 챔버 월에 인접한다. 상단 제거가능 씰이 튜브형 월의 제2 단부와 상단 플레이트 사이에 진공 씰을 제공한다. 웨이퍼 척이 하단 플레이트와 상단 플레이트 사이에 배치된다.
본 발명의 이들 및 다른 특징들이 본 발명의 상세한 설명 및 이하의 도면들과 관련하여 이하에 더 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 투시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 실시예의 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 실시예의 해체도이다.
도 4는 본 발명의 실시예를 사용하는 플라즈마 처리 시스템의 개략도이다.
도 5는 도 2에 도시된 실시예의 섹션 5의 확대도이다.
도 6은 도 2에 도시된 실시예의 섹션 6의 확대도이다.
본 발명은 제한이 아닌 예시로서 유사한 참조 번호들이 유사한 엘리먼트들을 참조하는 첨부된 도면들에 예시된다.
본 발명은 이제 첨부된 도면들에 예시된 바와 같이 본 발명의 몇몇 바람직한 실시예들을 참조하여 상세히 설명될 것이다. 이하의 설명에서, 다수의 구체적인 상세들은 본 발명의 전체적인 이해를 제공하기 위해 언급된다. 그러나, 본 발명이 이들 구체적인 상세들의 일부 또는 전부가 없이 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백하다. 다른 예시들에서, 공지의 프로세스 단계들 및/또는 구조물들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 설명되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의해 제공된 챔버 시스템 (100) 의 개략도이다. 챔버 시스템 (100) 은 하단 플레이트 (104), 튜브형 챔버 월 (108), 및 상단 플레이트 (112) 를 포함한다. 본 실시예에서, 튜브형 챔버 월 (108) 은 알루미늄 재료를 포함한다. 도 2는 챔버 시스템 (100) 의 개략적인 단면도이다. 하단 플레이트 (104), 튜브형 챔버 월 (108), 및 상단 플레이트 (112) 는 챔버 인클로저 (chamber enclosure)(124) 를 규정한다. 하단 레일들 (128) 은 x, y, 및 z 방향으로 하단 플레이트 (104) 에 대한 튜브형 챔버 월 (108) 의 정렬을 제공한다. 하단 플레이트 (104) 에 대해 튜브형 챔버 월 (108) 을 정렬하기 위해 다른 유형들의 하부 정렬 가이드들이 하단 레일들 (128) 대신 제공될 수 있다. 상부 정렬 가이드 (132) 는 튜브형 챔버 월 (108) 의 상단을 정렬한다. 프레임 (136) 은 하단 레일들 (128), 상부 정렬 가이드 (132), 하단 플레이트 (104), 및 상단 플레이트 (112) 에 대한 지지를 제공한다. 프레임 (136) 은 휠들 (174) 을 갖는 카트 (170) 에 의해 지지되거나 휠들 (174) 을 갖는 카트 (170) 의 일부를 형성한다. 휠들 (174) 은 프레임 (136) 이 서비스하기 위해 용이하게 이동하도록 한다. 그러나, 휠들 (174) 은 프로세싱 동안 챔버 시스템 (100) 을 움직이지 않게 유지하는 것이 바람직하다. 챔버 시스템 (100) 을 움직이지 않게 유지하기 위해, 본 실시예는 휠들 (174) 에서 카트 (170) 를 리프트하기 위해 잭들 (178) 을 사용한다. 잭들 (178) 은 카트 (170) 를 위 및 아래로 리프트할 수 있다.
챔버 인클로저 (124) 내에서 웨이퍼 척 (140) 은 페데스탈 (144) 상에 있다. 바람직하게, 웨이퍼 척 (140) 은 정전 척 (electrostatic chuck) (ESC) 이다. 세그먼트된 보울 커버 (segmented bowl cover) (148) 가 웨이퍼 척 (140) 및 페데스탈 (144) 을 둘러싸도록 위치된다. 세그먼트된 하단 커버 (segmented bottom cover) (152) 가 챔버 인클로저 (124) 내에서 하단 플레이트 (104) 를 커버하도록 위치된다.
도 5는 도 2의 섹션 5의 확대도이다. 도 5는 상단 플레이트 (112) 및 그루브 (508) 와 그루브 (508) 내의 O-링 (512) 을 포함하는, 2개의 상부 제거가능 씰들 (504) 을 갖는 튜브형 챔버 월 (108) 의 일부를 도시한다. 정렬 핀 (516)은 튜브형 월 (108) 의 상단으로부터 정렬 핀 (516) 둘레의 정렬 아퍼쳐 (520) 로 연장한다. 바람직하게, 적어도 2개의 정렬 핀들 (516) 이 튜브형 월 (108) 의 상단으로부터 연장한다. 다른 실시예들에서, 정렬 핀들 (516) 은 튜브형 챔버 월 (108) 의 정렬 아퍼쳐들 (520) 에 피트 (fit) 되도록 상단 플레이트 (112) 로부터 연장할 수 있다. 도 6은 도 2의 섹션 6의 확대도이다. 도 6은 하단 플레이트 (104) 및 그루브 (608) 와 그루브 (608) 내의 O-링 (612) 을 포함하는, 2개의 하부 제거가능 씰들 (604) 을 갖는 튜브형 챔버 월 (108) 의 일부를 도시한다. 정렬 핀 (616) 은 튜브형 월 (108) 의 하단으로부터 정렬 핀 (616) 둘레의 정렬 아퍼쳐 (620) 로 연장한다. 바람직하게, 적어도 2개의 정렬 핀들 (616) 이 튜브형 월 (108) 의 하단으로부터 연장한다. 다른 실시예들에서, 정렬 핀들 (616) 은 튜브형 챔버 월 (108) 의 정렬 아퍼쳐들 (620) 에 피트되도록 하단 플레이트 (104) 로부터 연장할 수 있다. 정렬 핀들 (516, 616) 및 아퍼쳐들 (520, 620) 은 부가적인 정렬 가이드들을 제공한다.
도 3은 해체된 챔버 시스템 (100) 의 내부 도면이다. 챔버 시스템 (100) 의 해체 시, 상단 플레이트 (112) 가 제거된다. 튜브형 챔버 월 (108) 은 튜브형 챔버 월 (108) 을 수직으로 들어올림으로써 제거될 수 있다. 세그먼트된 보울 커버 (148) 및 세그먼트된 하단 커버 (152) 가 제거될 수 있다.
또한, 튜브형 챔버 월 (108) 은 웨이퍼 아퍼쳐 (156) 를 갖는다. 상부 정렬 가이드 (132) 가 또한 웨이퍼 아퍼쳐 (160) 를 갖는다. 수직 씰 (164) 이 제공되어, 정렬 가이드 (132) 에 대한 튜브형 챔버 월 (108) 의 수직 이동이 웨이퍼 아퍼쳐들 (156, 160) 둘레 및 웨이퍼 아퍼쳐들 (156, 160) 사이에 씰을 형성하고, 웨이퍼 아퍼쳐들 (156, 160) 에서 웨이퍼가 튜브형 챔버 월 (108) 의 수직 이동에 수직인 방향으로 튜브형 챔버 월 (108) 내로 이동될 수 있다.
도 4는 챔버 시스템 (100) 을 사용하는 플라즈마 처리 시스템 (400) 의 개략도이다. 이 개략도에서, 상단 플레이트 (112), 튜브형 챔버 월 (108), 및 하단 플레이트 (104) 는 챔버 시스템 (100) 의 챔버 인클로저 (124) 를 규정한다. 웨이퍼 척 (140) 을 갖는 챔버 시스템 (100) 에 부가하여, 플라즈마 처리 시스템은 가스 인렛 (440) 을 통해 챔버 인클로저 (124) 와 유체로 연결된 (fluid connection) 가스 소스/가스 공급 메커니즘 (gas source/gas supply mechanism)(430) 을 더 포함한다. 가스 인렛 (440) 은 챔버 인클로저 (124) 내의 임의의 유리한 위치에 위치될 수 있고, 가스를 주입하기 위해 임의의 형태를 취할 수 있다. 그러나, 바람직하게, 가스 인렛 (440) 은 챔버 인클로저 (124) 내의 멀티플 존들 (multiple zones) 로의 가스들의 각각의 흐름의 독립적인 조정을 허용하는, "튜닝 가능한 (tunable) " 가스 주입 프로파일을 생성하도록 구성될 수 있다. 프로세스 가스들 및 부산물들은 압력 조절기 (pressure regulator) 인 압력 제어 밸브 (442) 및 챔버 인클로저 (124) 내에 특정한 압력을 유지하도록 또한 기능하고 가스 아웃렛을 또한 제공하는 펌프 (444) 를 통해 챔버 인클로저 (124) 로부터 제거된다. 가스 소스/가스 공급 메커니즘 (430) 은 제어기 (424) 에 의해 제어된다.
매치 네트워크 (match network) (408) 에 의해 튜닝된, 플라즈마 전원 공급부 (406) 는 유도 결합 전력을 제공함으로써 챔버 인클로저 (124) 내에 플라즈마를 생성하기 위해, 상단 플레이트 (112) 에서 형성된 전력 윈도 (power window)(412) 에 가깝게 위치된 TCP 코일 (410) 에 전력을 공급한다. TCP 코일 (상부 전원)(410) 은 챔버 인클로저 (124) 내에서 균일한 확산 프로파일을 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, TCP 코일 (410) 은 토로이달 전력 분포 (toroidal power distribution) 를 발생하도록 구성될 수 있다. 전력 윈도 (412) 는 TCP 코일 (410) 로부터 챔버 인클로저 (124) 로 에너지가 통과하도록 하면서 챔버 인클로저 (124) 로부터 TCP 코일 (410) 을 분리하도록 제공된다. 매치 네트워크 (418) 에 의해 튜닝된 웨이퍼 바이어스 전압 전원 공급부 (416) 는 웨이퍼 척 (140) 에 의해 지지된 기판 (420) 상에 바이어스 전압을 설정하기 위해 웨이퍼 척 (140) 에 전력을 제공한다. 제어기 (424) 는 플라즈마 전원 공급부 (406) 및 웨이퍼 바이어스 전압 전원 공급부 (416) 를 위한 포인트들을 설정한다.
플라즈마 전원 공급부 (406) 및 웨이퍼 바이어스 전압 전원 공급부 (416) 는 예를 들어, 13.56㎒, 27㎒, 2㎒, 400㎑, 또는 이 주파수들의 조합과 같은 특정한 무선 주파수들에서 동작하도록 구성될 수 있다. 플라즈마 전원 공급부 (406) 및 웨이퍼 바이어스 전압 전원 공급부 (416) 는 원하는 프로세스 성능을 달성하기 위해 다양한 전력들을 공급하기에 적절한 크기일 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에서, 플라즈마 전원 공급부 (406) 는 50 내지 5000와트 (Watts) 의 범위의 전력을 공급할 수 있고, 웨이퍼 바이어스 전압 전원 공급부 (416) 는 20 내지 2000V의 범위의 바이어스 전압을 공급할 수 있다. 또한, TCP 코일 (410) 및/또는 웨이퍼 척 (140) 은 싱글 전원 공급부에 의해 작동될 수 있거나 멀티플 전원 공급부들에 의해 작동될 수 있는 2 이상의 서브코일들 또는 서브전극들을 포함할 수 있다.
동작
본 발명의 실시예의 동작 시, 먼저 챔버 인클로저 (124) 내의 웨이퍼 척 (140) 상에 기판 (420) 을 위치시킴으로써 기판이 처리된다. 가스 소스 (430) 는 가스 인렛 (440) 을 통해 챔버 인클로저 (124) 로 가스를 제공한다. 플라즈마 전원 공급부 (406) 는 가스를 플라즈마로 형성하기 위해 매치 네트워크 (408) 및 TCP 코일 (410) 을 통해 RF 전력을 제공한다. 바이어스 전압 전원 공급부 (416) 는 매치 네트워크 (418) 를 통해 웨이퍼 척 (140) 상에 바이어스를 제공할 수 있다. 에칭 또는 증착과 같은 플라즈마 처리가 수행된다. 기판 (420) 이 제거되고 다른 기판 (420) 이 처리될 수 있다. 다수의 기판들이 처리된 후, 챔버 시스템 (100) 은 세정된다.
챔버 시스템 (100) 을 세정, 서비스, 또는 업그레이드하기 위해, 상단 플레이트 (112) 가 제거된다. 튜브형 챔버 월 (108) 은 튜브형 챔버 월 (108) 을 수직으로 들어올림으로써 제거될 수 있다. 세그먼트된 보울 커버 (148) 및 세그먼트된 하단 커버 (152) 가 제거될 수 있다. 이러한 해체는 챔버 시스템 (100) 의 내부 표면들이 손으로 세정하기 위해 용이하게 노출되도록 한다. 세그먼트된 보울 커버 (148) 및 세그먼트된 하단 커버 (152) 로 커버된 표면들은 최소로 세정되거나 세정할 필요가 없을 수 있다. 세그먼트된 보울 커버 (148) 또는 세그먼트된 하단 커버 (152) 가 상당한 세정을 필요로 하면, 세그먼트된 보울 커버 (148) 또는 세그먼트된 하단 커버 (152) 는 더러운 세그먼트된 보울 커버 (148) 및 세그먼트된 하단 커버 (152) 가 세정되고 다른 위치에 시즈닝 (seasoned) 되는 동안, 깨끗한 세그먼트된 보울 커버 (148) 및 세그먼트된 하단 커버 (152) 로 대체될 수 있다.
그 후 챔버 시스템 (100) 은 하단 플레이트 (104) 위에 깨끗한 세그먼트된 하단 커버 (152) 를 위치시키고 페데스탈 (144) 및 웨이퍼 척 (140) 둘레에 깨끗한 세그먼트된 보울 커버 (148) 를 시킴으로써 재조립된다. 튜브형 챔버 월 (108) 은 상부 정렬 가이드 (132) 에 의해 가이드된 하단 플레이트 (104) 및 하부 제거가능 씰들 (604) 을 형성하는 하단 레일들 (128) 로 하강된다. 상단 플레이트 (112) 는 상부 제거가능 씰들 (504) 을 형성하는 튜브형 챔버 월 (108) 상에 위치된다.
부가적인 장비 (equipment) 가 부착되거나 위치로 이동될 수 있다. 예를 들어, TCP 코일 (410) 및 가스 인렛 (440) 은 상단 플레이트 (112) 에 위치되거나 상단 플레이트 (112) 에 접속될 수 있다.
본 발명의 이 실시예는 챔버 시스템 (100) 의 더 빠른 세정을 허용한다. 세정하고 시즈닝하기 더 어려운 부분들이 깨끗하고 시즈닝된 부분들로 대체될 수 있고 대체된 부분들은 챔버 시스템 (100) 이 사용되는 동안 다른 위치에서 세정되고 시즈닝될 수 있다. 이는 정지 시간이 최소가 되게 한다. 세그먼트된 보울 커버 (148) 및 세그먼트된 하단 커버 (152) 는 세그먼트된 라이너 (segmented liner) 를 형성할 수 있다.
종래 기술에서, 챔버들은 세정하기 더 어렵다. 이러한 챔버들이 충분히 크다면, 작업자가 챔버로 올라갈 필요가 있고, 이는 챔버를 더 오염시키거나 그렇지 않으면 챔버에 손상을 줄 수 있다. 또한, 이러한 프로세스는 더 어렵고 더 느리다. 또한, 챔버 내의 시즈닝 부분들은 챔버 정지 시간을 더 증가시킨다.
본 발명이 몇몇 바람직한 실시예들로 기술되었지만, 본 발명의 범위 내에 속하는 변경들, 수정들, 치환들, 및 다양한 대체하는 등가물들이 있다. 본 발명의 방법들 및 장치들을 구현하는 많은 대안적인 방식들이 있다는 것을 또한 주의해야 한다. 따라서 이하에 첨부된 청구항들은 모든 이러한 본 발명의 범위 내에 속하는 변경들, 수정들, 치환들, 및 다양한 대체하는 등가물들을 포함하는 것으로 해석되도록 의도된다.

Claims (18)

  1. 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치에 있어서,
    하단 플레이트;
    웨이퍼 아퍼쳐 (wafer aperture) 를 갖는 튜브형 챔버 월 (tubular chamber wall);
    상기 튜브형 월의 제1 단부에서 상기 하단 플레이트와 상기 튜브형 챔버 월 사이에 진공 씰 (seal) 을 제공하기 위한 하단 제거가능 씰;
    상단 플레이트;
    상기 튜브형 월의 제2 단부와 상기 상단 플레이트 사이에 진공 씰을 제공하기 위한 상단 제거가능 씰;
    수직 씰 (vertical seal) 로서, 상기 튜브형 월의 수직 이동은 상기 수직 씰이 상기 웨이퍼 아퍼쳐 주변에 씰을 생성하도록 하는, 상기 수직 씰;
    상기 튜브형 챔버 월을 상기 하단 플레이트와 정렬하기 위한 하단 정렬 가이드 (alignment guide);
    상기 튜브형 챔버 월을 상기 상단 플레이트와 정렬하기 위한 상단 정렬 가이드; 및
    상기 하단 플레이트와 상기 상단 플레이트 사이에 배치된 웨이퍼 척 (wafer chuck) 을 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  2. 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치에 있어서,
    하단 플레이트;
    튜브형 챔버 월;
    상기 튜브형 월의 제1 단부에서 상기 하단 플레이트와 상기 튜브형 챔버 월 사이에 진공 씰을 제공하기 위한 하단 제거가능 씰;
    상단 플레이트;
    상기 튜브형 월의 제2 단부와 상기 상단 플레이트 사이에 진공 씰을 제공하기 위한 상단 제거가능 씰; 및
    상기 하단 플레이트와 상기 상단 플레이트 사이에 배치된 웨이퍼 척을 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 튜브형 월은 웨이퍼 아퍼쳐를 갖고,
    수직 씰로서, 상기 튜브형 월의 수직 이동은 상기 수직 씰이 상기 웨이퍼 아퍼쳐 주변에 씰을 생성하도록 하는, 상기 수직 씰을 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 튜브형 챔버 월을 상기 하단 플레이트와 정렬하기 위한 하단 정렬 가이드를 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 튜브형 챔버 월을 상기 상단 플레이트와 정렬하기 위한 상단 정렬 가이드를 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척은 정전 척 (electrostatic chuck) 인, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 튜브형 챔버 월의 수직 이동은 상기 하단 제거가능 씰에 대한 씰을 확립하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 하단 플레이트와 상기 상단 플레이트 사이에 배치된 적어도 하나의 세그먼트된 라이너 (segmented liner) 를 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 세그먼트된 라이너는 상기 하단 플레이트를 커버하는 적어도 하나의 세그먼트된 하단 플레이트 커버를 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척을 지지하기 위한 페데스탈 (pedestal) 을 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 세그먼트된 라이너는 상기 페데스탈을 커버하는 적어도 하나의 세그먼트된 보울 커버 (segmented bowl cover) 를 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 튜브형 챔버 월은 알루미늄을 포함하는 재료로 만들어지는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 하단 플레이트와 상기 상단 플레이트 사이의 그리고 상기 튜브형 챔버 월 내의 공간은 챔버 인클로저 (chamber enclosure) 를 형성하고,
    상기 챔버 인클로저로 가스가 흐르게 하기 위한 가스 인렛 (gas inlet);
    상기 플라즈마 처리 챔버 인클로저로부터 가스를 배기하기 위한 가스 아웃렛 (gas outlet); 및
    플라즈마를 지속시키기 위해 상기 챔버 인클로저로 전력을 제공하기 위한 적어도 하나의 전극을 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 챔버 인클로저 내의 압력을 조절하기 위한 압력 조절기 (pressure regulator);
    상기 적어도 하나의 전극에 전기적으로 접속된 적어도 하나의 RF 전원;
    상기 정전 척에 전기적으로 접속된 정전 척 전원; 및
    상기 가스 인렛과 유체로 연결된 (fluid connection) 가스 소스 (gas source) 를 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  15. 제 2 항에 있어서,
    상기 하단 플레이트와 상기 상단 플레이트 사이에 배치된 적어도 하나의 세그먼트된 라이너를 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 세그먼트된 라이너는 상기 하단 플레이트를 커버하는 적어도 하나의 세그먼트된 하단 플레이트 커버를 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 척을 지지하기 위한 페데스탈을 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 세그먼트된 라이너는 상기 페데스탈을 커버하는 적어도 하나의 세그먼트된 보울 커버를 더 포함하는, 웨이퍼를 플라즈마 처리하기 위한 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160124006A (ko) * 2015-04-17 2016-10-26 램 리써치 코포레이션 대칭적인 컨덕턴스 및 rf 전달을 위해 수직 지지 스템을 가진 챔버

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110211900B (zh) * 2019-05-31 2022-02-25 昆山国显光电有限公司 一种天板及干刻设备

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59109840A (ja) * 1982-12-16 1984-06-25 Hitachi Koki Co Ltd 走査形電子顕微鏡用生物試料の前処理方法
US4479986A (en) * 1983-06-09 1984-10-30 Imprex, Inc. Impregnation of metal castings
US4715921A (en) * 1986-10-24 1987-12-29 General Signal Corporation Quad processor
US6174377B1 (en) * 1997-03-03 2001-01-16 Genus, Inc. Processing chamber for atomic layer deposition processes
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6610150B1 (en) * 1999-04-02 2003-08-26 Asml Us, Inc. Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system
DE19920466A1 (de) * 1999-05-04 2000-11-09 Erich Kraemer Verfahren zum Abreinigen eines Innenraums einer Beschichtungskabine, insbesondere einer Pulverbeschichtungskabine sowie Beschichtungskabine, insbesondere Pulverbeschichtungskabine mit Reinigungseinrichtung
US6408786B1 (en) * 1999-09-23 2002-06-25 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having tiled ceramic liner
CN1309859C (zh) * 2001-05-17 2007-04-11 东京电子株式会社 基于圆筒的等离子体处理系统
US20060040055A1 (en) * 2002-08-06 2006-02-23 Tegal Corporation Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber
US7044732B2 (en) * 2003-01-13 2006-05-16 V-Automation Inc. Rolling process cover
EP1639629B1 (en) * 2003-06-13 2011-04-27 WEN, Sophia Apparatus for thin-layer chemical processing of semiconductor wafers
JP4493955B2 (ja) * 2003-09-01 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び搬送ケース
US7513953B1 (en) * 2003-11-25 2009-04-07 Nano Scale Surface Systems, Inc. Continuous system for depositing films onto plastic bottles and method
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
EP1582832B1 (de) * 2004-03-15 2007-04-18 Applied Materials GmbH & Co. KG Vakuumbehandlungsanlage mit Umsetzbarem Wartungsventil
US20050252449A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
WO2009078923A2 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Lam Research Corporation Film adhesive for semiconductor vacuum processing apparatus
US7987814B2 (en) * 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
CN203225233U (zh) * 2009-09-10 2013-10-02 朗姆研究公司 一种陶瓷侧气体喷射器
US8562272B2 (en) * 2010-02-16 2013-10-22 Lam Research Corporation Substrate load and unload mechanisms for high throughput
WO2013016941A1 (zh) * 2011-07-29 2013-02-07 无锡华瑛微电子技术有限公司 可调式半导体处理装置及其控制方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160124006A (ko) * 2015-04-17 2016-10-26 램 리써치 코포레이션 대칭적인 컨덕턴스 및 rf 전달을 위해 수직 지지 스템을 가진 챔버

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