TWI728386B - 缺陷檢測裝置及缺陷檢測方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種陷檢測裝置及缺陷檢測方法。前述缺陷檢測裝置包含照明模組及成像檢測模組；照明模組設置為產生探測光束，並使探測光束入射至待測產品的檢測面上；成像檢測模組設置為檢測探測光束是否經待測產品的檢測面散射產生散射成像光束，並在檢測到前述探測光束經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束的情況下，根據散射成像光束確定待測產品的缺陷訊息；探測光束的照度滿足：(U1×R)/(U2×L)

Description

缺陷檢測裝置及缺陷檢測方法

本發明實施例關於缺陷檢測技術領域，例如關於一種缺陷檢測裝置及缺陷檢測方法。

在半導體積體電路或平板顯示的製備工藝中，為使產品保持較高的良率，在對光罩或玻璃基板等進行曝光前，都需要進行缺陷(包含外來顆粒、指紋、劃痕、針孔等)檢測，以達到控制污染的目的。

圖1是現有的一種缺陷檢測裝置的結構示意圖，一般集成在光刻設備中的顆粒檢測裝置通常採用暗場散射測量技術，其檢測原理如圖1所示，從光源10發出的照明光線101經待測物體104上的缺陷114散射，散射光線102最終被探測器103所探測，接著根據探測器103檢測到的散射光線確定缺陷的尺寸大小。

但現有的缺陷檢測裝置在缺陷檢測的過程中，待測產品的下表面圖案容易產生串擾訊號，影響缺陷檢測結果的準確性。

本發明提供一種缺陷檢測裝置及缺陷檢測方法，以實現抑制缺陷檢測過程中產生的串擾。

第一方面，本發明實施例提供一種缺陷檢測裝置，包含照明模組及成像檢測模組；前述照明模組設置為產生探測光束，並使前述探測光束入射至待測產品的檢測面；前述成像檢測模組設置為檢測前述探測光束是否經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束，並在檢測到前述探測光束經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束的情況下，根據前述散射成像光束確定前述待測產品的缺陷訊息；其中，前述探測光束的照度滿足：(U1×R)/(U2×L)

S1；其中，S1為抑制前述待測產品的非檢測面的串擾需要滿足的訊噪比，U1為前述探測光束的中心照度，R為最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率，U2為前述探測光束的半寬邊緣的照度，L為前述非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率；前述探測光束的半寬W滿足：d×(tanα+tanβ)>FOV/2+W；其中，d為前述待測產品的厚度；FOV為前述成像檢測模組的有效視場；α為探測光束在前述待測產品中的折射角，β為前述散射成像光束在前述待測產品中的折射角。

在一些實施例中，前述探測光束的照度還滿足：(U1×R)/(U2×M×N)

S2；其中，S2為抑制鏡像串擾需要滿足的訊噪比，M為前述探測光束在鏡像串擾區域內沿鏡像串擾方向的散射效率，N為前述照明視場光線在鏡像串擾方向的散射光線在前述待測產品內的反射率； 前述探測光束的半寬W還滿足：2d×tanθ-FOV/2

W，其中，θ為前述探測光束在鏡像串擾方向的散射光線在前述待測產品中的折射角。

在一些實施例中，前述探測光束的主光線的角度偏差小於5°；前述散射成像光束的主光線的角度偏差小於5°。

在一些實施例中，前述缺陷檢測裝置進一步包含：水平運動模組；前述水平運動模組設置為承載前述待測產品沿平行於前述待測產品的檢測面的方向運動。

在一些實施例中，前述缺陷檢測裝置進一步包含：焦面測量模組及垂直運動模組；前述焦面測量模組設置為檢測前述待測產品的檢測面的離焦量；前述垂直運動模組設置為根據前述離焦量控制前述待測產品沿垂直於前述檢測面的方向運動。

在一些實施例中，前述成像檢測模組設置為根據連續多次獲取的散射成像光束確定多個成像訊號，並對前述多個成像訊號進行積分以確定前述缺陷訊息。

在一些實施例中，前述成像檢測模組包含積分相機；前述積分相機為時間延時積分相機(Time Delay Integration，TDI)、互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)相機或者電荷耦合元件(charge coupled device，CCD)相機。

在一些實施例中，前述成像檢測模組進一步包含聚光單元，前述聚光單元設置為會聚前述散射成像光束，使會聚後的前述散射成像光束入射 到前述積分相機。

在一些實施例中，前述探測光束滿足高斯分布。

第二方面，本發明實施例進一步提供一種光刻設備，包含上述第一方面所述的缺陷檢測裝置。

第三方面，本發明實施例進一步提供一種缺陷檢測方法，包含：藉由照明模組產生探測光束，並使前述探測光束入射至待測產品的檢測面上；前述探測光束的照度及探測光束的半寬分別滿足：(U1×R)/(U2×L)

S1，d×(tanα+tanβ)>FOV/2+W；藉由成像檢測模組檢測前述探測光束是否經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束，並在檢測到前述探測光束經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束的情況下，根據前述成像光線確定缺陷訊息；其中，S1為抑制前述待測產品的非檢測面的串擾需要滿足的訊噪比，U1為前述探測光束的中心照度，R為最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率，U2為前述探測光束的半寬邊緣的照度，L為前述非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率，d為前述待測產品的厚度；FOV為前述成像檢測模組的有效視場；α為探測光束在前述待測產品中的折射角，β為前述散射成像光束在前述待測產品中的折射角。

在一些實施例中，根據前述散射成像光束確定缺陷訊息包含：根據連續多次獲取的散射成像光束確定多個成像訊號；對前述多個成像訊號進行積分以確定前述缺陷訊息。

本發明實施例藉由最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率、非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率，以及抑制待測產品的非檢測面的串擾所需要的訊噪比，得到探測光束的半寬邊緣與探測光束的中心之間的相對照度；藉由探測光束在待測產品中的折射角、散射成像光束在待測產品中的折射角、待測產品的厚度以及成像檢測模組的有效視場，得到夠滿足抑制待測產品的非檢測面的串擾所需要的探測光束的半寬；根據相對照度及探測光束的半寬可以確定照明模組的具體參數，藉由設置滿足上述參數的照明模組，使得本發明實施例的缺陷檢測裝置在缺陷檢測過程中可以抑制缺陷檢測過程中產生的串擾，提高缺陷檢測精度。

10‧‧‧光源

101‧‧‧照明光線

102‧‧‧散射光線

103‧‧‧探測器

104‧‧‧待測物體

114‧‧‧缺陷

20‧‧‧照明模組

201‧‧‧探測光束

2011‧‧‧中心光線

2012‧‧‧邊緣光線

202‧‧‧反射光束

30‧‧‧成像檢測模組

301‧‧‧散射成像光束

3010‧‧‧第一成像光線

3011‧‧‧第二成像光線

3012‧‧‧第三成像光線

302‧‧‧積分相機

303‧‧‧聚光單元

40‧‧‧待測產品

401‧‧‧缺陷

4011‧‧‧第一缺陷

4012‧‧‧第二缺陷

402‧‧‧串擾物

50‧‧‧水平運動模組

60‧‧‧垂直運動模組

70‧‧‧焦面測量模組

【圖1】是現有的一種缺陷檢測裝置的結構示意圖。

【圖2】是本發明實施例提供的缺陷檢測裝置的結構示意圖。

【圖3】是本發明實施例提供的探測光束的半寬的結構示意圖。

【圖4】是本發明實施例提供的下層串擾原理圖。

【圖5】是本發明實施例提供的鏡像串擾原理圖。

【圖6】是本發明實施例提供的探測光束的結構示意圖。

【圖7】是本發明實施例提供的散射成像光束及成像檢測模組的結構示意圖。

【圖8】是本發明實施例提供的另一缺陷檢測裝置的結構示意圖。

【圖9】是本發明實施例提供的探測光束與缺陷之間的位置關係示意圖。

【圖10】是本發明實施例提供的缺陷檢測方法的流程圖。

下面結合圖式及實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用於解釋本發明，而非對本發明的限定。此外還需要說明的是，為了便於描述，圖式中僅示出與本發明相關的部分而非全部結構。

圖2是本發明實施例提供的缺陷檢測裝置的結構示意圖，請參考圖2，前述裝置包含照明模組20及成像檢測模組30；照明模組20設置為產生探測光束201，並使探測光束201入射至待測產品40的檢測面上；成像檢測模組30設置為檢測探測光束201是否經待測產品40的檢測面散射產生散射成像光束301，並在檢測到前述探測光束經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束的情況下，根據散射成像光束301確定待測產品40的缺陷訊息。

其中，探測光束201的照度滿足：(U1×R)/(U2×L)

S1；其中，S1為抑制待測產品40的非檢測面的串擾需要滿足的訊噪比，U1為探測光束201的中心照度，R為最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率，U2為探測光束201的半寬邊緣的照度，L為非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率。探測光束201的半寬W滿足：d×[tanα+tanβ]>FOV/2+W；其中，d為待測產品40的厚度；FOV為成像檢測模組30的有效視場；α為探測光束201在待測產品40中的折射角，β為散射成像光束301在待測產品中的折射角。

具體地，照明模組20產生的光線會在待測產品上形成探測光束201。如果探測光束201在待測產品40的檢測面上未遇見缺陷401，根據光的 反射定律，探測光束201在待測產品40的檢測面形成反射光束202，反射光束202通常不能進入成像檢測模組30。如果探測光束201在待測產品40的檢測面上遇見缺陷401，缺陷401會使光線發生散射效應，部分被散射後的光線能夠進入成像檢測模組30，例如散射成像光束301。成像檢測模組30根據散射成像光束301可以確定出待測產品40上的缺陷訊息，例如缺陷的尺寸等。其中，待測產品40的檢測面是指待測產品40靠近照明模組20的面，缺陷401通常位於待測產品40的檢測面上；待測產品40的非檢測面是指與待測產品40的檢測面相對設置的面。

圖3是本發明實施例提供的探測光束的半寬的結構示意圖。具體地，請參考圖2及圖3，對於高斯光束，光束的中心在待測產品40的檢測面上的照度較大，而光束的半寬邊緣在待測產品40的檢測面上形成的照度較小。其中，光束的半寬邊緣一般可以根據需要進行設定，例如，可以把照度為光束中心區域的照度的1/100的位置設定為光束的半寬邊緣，或者把照度為光束中心區域的照度的1/10000的位置設定為光束的半寬邊緣，本實施例不作具體限制。

圖4是本發明實施例提供的下層串擾原理圖。具體地，請參考圖2及圖4，下層串擾是指由於待測產品40的非檢測面上的串擾物402導致的串擾。待測產品40的非檢測面可能包含串擾物402，當待測產品40為光罩時，串擾物402可以是週期性結構的光柵等。探測光束201包含探測光束201中心的光線2011及探測光束201半寬邊緣的光線2012，在檢測缺陷時，可採用探測光束201中心的光線2011作為檢測光線，對缺陷401進行檢測。照明視場的中心光線2011經過缺陷401的散射後，形成的散射成像光束301被成 像檢測模組30接收。此時，如果探測光束201的半寬邊緣光線2012經過待測產品40折射後，剛好落在成像檢測模組30的有效視場FOV的有效範圍內，經串擾物402散射後，可以形成串擾訊號並被成像檢測模組30檢測到。

為了抑制待測產品40的非檢測面的串擾訊號，避免串擾訊號影響缺陷的檢測結果，探測光束201的照度需要控制在一定的範圍內。探測光束201的照度可以滿足(U1×R)/(U2×L)

S1。具體地，R可以根據最小可檢測缺陷的尺寸、照明模組20以及成像檢測模組30的位置等參數確定；L可以根據照明模組20及成像檢測模組30的位置以及最大串擾物的尺寸等參數確定。據此，根據上述公式可以確定探測光束201的半寬邊緣的照度U2及探測光束201的中心照度U1的比值U2/U1，即確定中心照度及半寬邊緣的照度的相對照度。

此外，探測光束201的半寬W滿足：d×[tanα+tanβ]>FOV/2+W。對於確定的缺陷檢測裝置及待測產品40，成像檢測模組30的有效視場FOV的數值是確定的，探測光束201在待測產品40中的折射角α及散射成像光束301在待測產品40中的折射角β可以根據照明模組20及成像檢測模組30的位置確定，據此，可以根據上述公式確定探測光束201的半寬W。可以理解的是，當確定探測光束201的半寬W以及探測光束的半寬邊緣的照度U2及探測光束201的中心照度U1的比值後，就可以唯一地確定探測光束201，藉由調節照明模組20的工作參數，就可以得到能夠抑制下層串擾的探測光束201。

本實施例藉由最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率、非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率，以及抑 制待測產品的非檢測面的串擾所需要的訊噪比，得到探測光束的半寬邊緣與探測光束的中心之間的相對照度；藉由探測光束在待測產品中的折射角、散射成像光束在待測產品中的折射角、待測產品的厚度以及成像檢測模組的有效視場，得到夠滿足抑制待測產品的非檢測面的串擾所需要的探測光束的半寬；根據相對照度及探測光束的半寬可以確定照明模組的具體參數，藉由設置滿足上述參數的照明模組，使得本發明實施例的缺陷檢測裝置在缺陷檢測過程中可以抑制缺陷檢測過程中產生的串擾，提高缺陷檢測精度。

具體地，為了提高檢測靈敏度本實施例的成像檢測模組30藉由接收缺陷散射光來確定缺陷訊息，即採用暗場成像，探測光束201在待測產品40中的折射角α通常不等於散射成像光束301在待測產品40中的折射角β，即α≠β。示例性地，當待測產品40的厚度d為6.35mm時，折射角α的取值滿足30°<α<45°，且折射角β滿足30°<β<45°，為獲得較好的檢測結果，可選地，|α-β|>3.5°。示例性地，設FOV=1.5mm，α=42°，β=35°，d=6.35mm，則W<d×(tanα+tanβ)-FOV/2=6.35×(0.9+0.7)-1.5/2=9.41mm。為了得到清晰的檢測結果，S1=3，L=3333.3×R，則U2

(U1×R)/(S1×L)=U1/10000。如果探測光束201滿足理想高斯函數，在已知相對照度為最大值1/10000及探測光束201的半寬W=9.41mm的情況下，探測光束201可以唯一地確定。此時，照明視場的半高的半寬(照明視場50%相對照度的半寬)為W1=2.97mm，探測光束201的半高的全寬W_FWHM=2×W1=5.94mm。

在一些實施例中，探測光束201的照度還滿足：(U1×R)/(U2×M×N)

S2；其中，S2為抑制鏡像串擾需要滿足的訊噪比，M為探測光束201在鏡像串擾區域內沿鏡像串擾方向的散射效率，N為探測光束201沿鏡像 串擾方向的散射光線在待測產品內的反射率；探測光束201的半寬W還滿足：2d×tanθ-FOV/2

W，其中，θ為探測光束201沿鏡像串擾方向的散射光線在待測產品40中的折射角。

圖5是發明本實施例提供的鏡像串擾原理圖。可選地，請參考圖2及圖5，探測光束201的中心光線2011在遇到第一缺陷4011後，形成散射成像光束301，成像檢測模組30可以根據散射成像光束301確定待測產品40的缺陷訊息。探測光束201的邊緣光線2012經過待測產品40的檢測面上的第二缺陷4012散射後，散射光線進入待測產品40中，並在待測產品40的非檢測面反射後形成的反射。可以理解的是，缺陷檢測裝置當前的正在檢測的缺陷是第一缺陷4011，如果第二缺陷4012的反射產生的光線進入成像檢測模組30的有效視場FOV，就會形成鏡像串擾訊號，並對第一缺陷4011的檢測結果形成串擾，這種串擾稱為鏡像串擾。如果鏡像串擾訊號的強度較大，就會影響第一缺陷4011的檢測的清晰度及準確度。

為了抑制鏡像串擾，需要使探測光束201的照度滿足：(U1×R)/(U2×M×N)

S2，以及使探測光束201的半寬W滿足：2d×tanθ-FOV/2

W。一般來說，待測產品40的檢測面上的鏡像串擾區域內的缺陷顆粒的尺寸越大，M的值越大。對於確定的待測產品40，在照明模組20及成像檢測模組30的位置及角度，以及最大缺陷的尺寸確定後，即可確定M值。探測光束在待測產品40內的反射率N與待測產品40的折射率有關。示例性地，探測光束從空氣進入待測產品40，經折射及反射後，從待測產品40再次出射至空氣中，由於空氣的折射率n1通常為1，如果待測產品的折射率n2為1.5，那麼反射率N=(n2-n1)²/(n2+n1)²=(1.5-1)²/(1.5+1)²=0.04。

根據探測光束201在鏡像串擾方向的散射光線在待測產品中的折射角θ，待測產品40的厚度d，以及成像檢測模組30的有效視場FOV，即可確定出探測光束201的半寬W。可以理解的是，當確定探測光束201的半寬W以及探測光束201的半寬邊緣的照度U2及探測光束201的中心照度U1的比值後，就可以唯一地確定探測光束201，藉由調節照明模組20的工作參數，就可以得到能夠抑制鏡像串擾的探測光束201。

示例性地，已知250μm的標準缺陷顆粒的散射光照度為10μm的標準缺陷顆粒的625倍，設探測光束201滿足理想高斯分布，為保證100um的標準缺陷顆粒不產生鏡像串擾，設探測光束201在待測產品40的折射率n=1.5，則探測光束201在鏡像串擾方向的散射光線在待測產品40中的反射率N=0.04，探測光束201在鏡像串擾方向的散射光線在待測產品40中的折射率折射角θ=35°，抑制鏡像串擾需要滿足的訊噪比S2=4，由此可知，U2

(U1×R)/(S2×M×N)=U1/100。設待測產品的厚度d=6.35mm，FOV=1.5mm，則探測光束201的半寬W

2d×tanθ-FOV/2=8.14mm。根據探測光束201的半寬邊緣的照度U2及探測光束201的中心照度U1的比值U2/U1確定的相對照度，以及探測光束201的半寬W的值，即可唯一地確定探測光束201。

圖6是本發明實施例提供的探測光束的結構示意圖。可選地，請參考圖6，探測光束201的主光線的角度偏差小於5°；散射成像光束的主光線的角度偏差小於5°。具體地，照明模組出射的探測光束201在待測產品40的檢測面上形成照明視場103，為保證缺陷檢測的準確度，探測光束201的出射方向需盡可能地相同。探測光束201的主光線是指照明視場的中心附近的光線；通常，當探測光束201的主光線角度偏差小於5°時，可以得到較為準確的 缺陷檢測結果；當探測光束201的主光線角度偏差小於1°時，可以得到更為精確的測量結果。示例性地，以波長為640nm的光為探測光束201，對20um的標準缺陷顆粒進行檢測時，當探測光束201的散射效率隨探測光束201的角度的偏差為10°時，散射效率的差值高達61.3%，由於缺陷產生散射光可能為任意方向，因此，該差異無法校正，導致缺陷檢測結果不準確。

圖7是本發明實施例提供的散射成像光束及成像檢測模組的結構示意圖。具體地，請參考圖2及圖7，由於探測光束被缺陷401散射後，形成的散射成像光束301的方向是任意的。能夠進入成像檢測模組30中的散射成像光束301包含不同方向的第一成像光線3010、第二成像光線3011及第三成像光線3012；其中，第一成像光線3010最接近垂直於成像檢測模組30接收散射成像光束301的面，因此，第一成像光線3010為散射成像光束301的主光線。對於散射成像光束301的主光線，其角度偏差也應該小於5°，可選地，散射成像光束301的主光線的角度偏差可以小於1°。

圖8是本發明實施例提供的另一缺陷檢測裝置的結構示意圖。可選地，請參考圖8，前述缺陷檢測裝置進一步包含水平運動模組50；水平運動模組50設置為承載待測產品40沿平行於待測產品40的檢測面的方向運動。具體地，在缺陷檢測過程中，水平運動模組50帶動待測產品40沿平行於待測產品40的檢測面的方向移動，實現對整個待測產品40的掃描檢測。

可選地，本實施例提供的缺陷檢測裝置進一步包含：焦面測量模組70及垂直運動模組60；焦面測量模組70設置為檢測待測產品40的檢測面的離焦量；垂直運動模組60設置為根據離焦量控制待測產品40沿垂直於檢測面的方向運動。具體地，藉由測量待測產品40的檢測面與焦面測量模組70 之間的距離，即得到待測產品40的檢測面與成像檢測模組30之間的離焦量。垂直運動模組60可以設置為調節待測產品40的高度，從而調節待測產品40與照明模組20及成像檢測模組30的相對位置，保證缺陷檢測結果的準確性。

可選地，成像檢測模組30設置為根據連續多次獲取的散射成像光束301確定多個成像訊號，並對多個成像訊號進行積分以確定缺陷訊息。為了保證對較小的缺陷顆粒的檢測的準確性，需要成像檢測模組30具有較高的空間解析度；具體地，通常要求缺陷檢測裝置的空間解析度小於0.1mm。仍以探測光束201的半高半寬W1為2.97mm為例，當空間解析度小於W1的0.2倍，即，空間解析度小於0.2×2.97=0.594mm時，但是由於探測光束201難以達到理想的直線狀態，探測光束201存在調焦誤差，檢測過程中出現的照明視場的焦面波動，待測產品的檢測面並非完全水準，以及水平運動模組的運動軸在運動過程中存在俯仰、翻滾或偏轉等，導致缺陷在照明視場中的位置存在較大差異，從而使缺陷接收及散射的光線能量存在較大差異，使得缺陷檢測的結果受上述偶然因素的影響較大。

圖9是本實施例提供的探測光束與缺陷之間的位置關係示意圖。可選地，示例性的，請參考圖9，從t1至t4時刻，由於缺陷與探測光束的相對位置發生變化，t1時刻缺陷位於第一位置P1，t2時刻缺陷位於第二位置P2，t3時刻缺陷位於第三位置P3，t4時刻缺陷位於第四位置P4，成像檢測模組在不同時刻採集到的缺陷訊息，其對應的訊號強度差異很大，影響缺陷檢測精度及檢測的重複性，導致缺陷的檢測結果不可靠。但是本實施例藉由對從t1至t4時刻採集到的所有訊號進行積分處理後，得到的總的缺陷檢測訊號相對穩定，檢測精度及檢測的重複性可以大幅度提高。需要說明的是，本實施例僅示 例性的對連續四次採集的訊號進行積分，並非對本發明的限定。

可選地，請繼續參考圖8，成像檢測模組30包含積分相機302；積分相機302可以為TDI相機、CMOS相機或者CCD相機。具體地，TDI相機是一種時間延遲積分相機，可以對移動的物體進行連續拍照，記錄採集物體移動過程中的位置變化。CMOS相機的核心結構是CMOS元件，解析度高，能夠用於記錄移動中物體的位置訊息。CCD相機的解析度高，尤其在拍攝的位置或移動時，藉由對CCD相機拍攝的畫面進行處理後，可以得到詳細的物體移動位置訊息。可以理解的是，積分相機302亦可以是其他類型的相機，本實施例對此不作具體限制。

可選地，成像檢測模組30進一步包含聚光單元303，聚光單元303設置為匯聚散射成像光束301，使匯聚後的成像光線301入射到積分相機302。由於探測光束201被缺陷401散射後，形成的散射成像光束301可以沿任意方向傳播，能夠進入到成像檢測模組30的光線為發散光。為了方便缺陷訊息的檢測，需要對發散的散射成像光束301進行匯聚。可選地，聚光單元303可以為一組透鏡，透鏡的個數可以根據實際需要設置，本實施例不作具體限制。

可選地，探測光束201滿足高斯分布。具體地，照明模組20出射的探測光束201可以為高斯光束。高斯光束的振幅按照高斯函數的規律變化，光束中心的照度較大，從光束中心往光束邊緣，高斯光束的振幅衰減較快，藉由一定的光學調節手段，容易得到視場寬度較小的光束，從而可以更好的抑制缺陷檢測過程中產生的串擾，提高缺陷檢測的精度。

本實施例進一步提供一種光刻設備，前述光刻設備可以包含本 發明任意實施例所述的缺陷檢測裝置。

本實施例提供的光刻設備，藉由最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率、非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率，以及抑制待測產品的非檢測面的串擾所需要的訊噪比，得到探測光束的半寬邊緣與探測光束的中心之間的相對照度；藉由探測光束在待測產品中的折射角、散射成像光束在待測產品中的折射角、待測產品的厚度以及成像檢測模組的有效視場，得到夠滿足抑制待測產品的非檢測面的串擾所需要的探測光束的半寬；根據相對照度及探測光束的半寬可以確定照明模組的具體參數，藉由設置滿足上述參數的照明模組，使得本發明實施例的缺陷檢測裝置在缺陷檢測過程中可以抑制缺陷檢測過程中產生的串擾，提高缺陷檢測精度。

基於同一發明構思，在缺陷檢測裝置的基礎上，本實施例進一步提供一種缺陷檢測方法。本實施例提供的缺陷檢測方法可以由上述任意實施例所提供的缺陷檢測裝置來執行，缺陷檢測方法具備與缺陷檢測裝置相應的功效。未在本實施例中詳盡描述的技術細節，可參見本發明任意實施例所提供的缺陷檢測裝置。

圖10是本發明實施例提供的缺陷檢測方法的流程圖。可選地，本實施例進一步提供一種缺陷檢測方法，包含：

步驟1、藉由照明模組產生探測光束，並使探測光束入射至待測產品的檢測面上；探測光束的照度及探測光束的半寬分別滿足：(U1×R)/(U2×L)

S1，d×[tanα+tanβ]>FOV/2+W。

步驟2、藉由成像檢測模組檢測探測光束是否經待測產品的檢測面散射產生散射成像光束，並在檢測到前述探測光束經前述待測產品的檢測 面散射產生散射成像光束的情況下，根據散射成像光束確定缺陷訊息。

其中，S1為抑制待測產品的非檢測面的串擾需要滿足的訊噪比，U1為探測光束的中心照度，R為最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率，U2為探測光束的半寬邊緣的照度，L為非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率，d為待測產品的厚度；FOV為成像檢測模組的有效視場；α為探測光束在待測產品中的折射角，β為散射成像光束在待測產品中的折射角。

本實施例藉由最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率、非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率，以及抑制待測產品的非檢測面的串擾所需要的訊噪比，得到探測光束的半寬邊緣與探測光束的中心之間的相對照度；藉由探測光束在待測產品中的折射角、散射成像光束在待測產品中的折射角、待測產品的厚度以及成像檢測模組的有效視場，得到夠滿足抑制待測產品的非檢測面的串擾所需要的探測光束的半寬；根據相對照度及探測光束的半寬可以確定照明模組的具體參數，藉由設置滿足上述參數的照明模組，使得本發明實施例的缺陷檢測裝置在缺陷檢測過程中可以抑制缺陷檢測過程中產生的串擾，提高缺陷檢測精度

可選地，根據成像光線確定缺陷訊息包含：根據連續多次獲取的散射成像光束確定多個成像訊號，對多個成像訊號進行積分以確定缺陷訊息。

具體地，為了提高缺陷檢測的品質，可以連續多次獲取散射成像光束，從而獲得多個成像訊號，對多個成像訊號進行積分，進而提高缺陷檢測的精度及檢測的可重複性。

301‧‧‧散射成像光束

40‧‧‧待測產品

401‧‧‧缺陷

402‧‧‧串擾物

2011‧‧‧中心光線

2012‧‧‧邊緣光線

Claims (12)

1. 一種缺陷檢測裝置，其特徵係包含照明模組及成像檢測模組；前述照明模組設置為產生探測光束，並使前述探測光束入射至待測產品的檢測面上；前述成像檢測模組設置為檢測前述探測光束是否經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束，並在檢測到前述探測光束經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束的情況下，根據前述散射成像光束確定前述待測產品的缺陷訊息；其中，前述探測光束的照度滿足：(U1×R)/(U2×L)

   

   S1；其中，S1為抑制前述待測產品的非檢測面的串擾需要滿足的訊噪比，U1為前述探測光束的中心照度，R為最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率，U2為前述探測光束的半寬邊緣的照度，L為前述非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率；前述探測光束的半寬W滿足：d×(tanα+tanβ)>FOV/2+W；其中，d為前述待測產品的厚度；FOV為前述成像檢測模組的有效視場；α為探測光束在前述待測產品中的折射角，β為前述散射成像光束在前述待測產品中的折射角，α≠β，且FOV≠0。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之缺陷檢測裝置，其中，前述探測光束的照度還滿足：(U1×R)/(U2×M×N)

   

   S2；其中，S2為抑制鏡像串擾需要滿足的訊噪比，M為前述探測光束在鏡像串擾區域內沿鏡像串擾方向的散射效率，N為前述探測光束在鏡像串擾方向的散射光線在前述待測產品內的反射率； 前述探測光束的半寬W還滿足：2d×tanθ-FOV/2

   

   W，其中，θ為前述探測光束沿鏡像串擾方向的散射光線在前述待測產品中的折射角。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之缺陷檢測裝置，其中，前述探測光束的主光線的角度偏差小於5°；前述散射成像光束的主光線的角度偏差小於5°。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之缺陷檢測裝置，其中，進一步包含：水平運動模組；前述水平運動模組設置為承載前述待測產品沿平行於前述待測產品的檢測面的方向運動。
5. 如申請專利範圍第1項所記載之缺陷檢測裝置，其中，進一步包含：焦面測量模組及垂直運動模組；前述焦面測量模組設置為檢測前述待測產品的檢測面的離焦量；前述垂直運動模組設置為根據前述離焦量控制前述待測產品沿垂直於前述檢測面的方向運動。
6. 如申請專利範圍第1項所記載之缺陷檢測裝置，其中，前述成像檢測模組設置為根據連續多次獲取的散射成像光束確定多個成像訊號，並對前述多個成像訊號進行積分以確定前述缺陷訊息。
7. 如申請專利範圍第6項所記載之缺陷檢測裝置，其中，前述成像檢測模組包含積分相機；前述積分相機為時間延時積分TDI相機、互補金屬氧化物半導體CMOS相機或者電荷耦合元件CCD相機。
8. 如申請專利範圍第7項所記載之缺陷檢測裝置，其中， 前述成像檢測模組進一步包含聚光單元，前述聚光單元設置為會聚前述散射成像光束，使會聚後的前述散射成像光束入射到前述積分相機。
9. 如申請專利範圍第1項所記載之缺陷檢測裝置，其中，前述探測光束滿足高斯分布。
10. 一種光刻設備，其特徵係包含申請專利範圍第1-9項任一項所記載之缺陷檢測裝置。
11. 一種缺陷檢測方法，其特徵係包含：藉由照明模組產生探測光束，並使前述探測光束入射至待測產品的檢測面上；前述探測光束的照度及探測光束的半寬分別分別滿足：(U1×R)/(U2×L)

    

    S1，d×(tanα+tanβ)>FOV/2+W；藉由成像檢測模組檢測前述探測光束是否經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束，並在檢測到前述探測光束經前述待測產品的檢測面散射產生散射成像光束的情況下，根據前述散射成像光束確定缺陷訊息；其中，S1為抑制前述待測產品的非檢測面的串擾需要滿足的訊噪比，U1為前述探測光束的中心照度，R為最小可檢測缺陷在可被接收角度內對光線的散射效率，U2為前述探測光束的半寬邊緣的照度，L為前述非檢測面上的最大串擾物在可被接收角度內對光線的散射效率，d為前述待測產品的厚度；FOV為前述成像檢測模組的有效視場；α為探測光束在前述待測產品中的折射角，β為前述散射成像光束在前述待測產品中的折射角，α≠β，且FOV≠0。
12. 如申請專利範圍第11項所記載之缺陷檢測方法，其中，根據前述散射成像光束確定缺陷訊息包含： 根據連續多次獲取的散射成像光束確定多個成像訊號；對前述多個成像訊號進行積分以確定前述缺陷訊息。

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