TWI725518B - 導熱基板 - Google Patents

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Abstract

一種導熱基板包括金屬底板、含銅箔片、導熱絕緣層及阻障層。該導熱絕緣層設置於該金屬底板表面。該阻障層設置於該含銅箔片和導熱絕緣層之間，該阻障層與該含銅箔片形成物理接觸，且該阻障層與該含銅箔片的界面包括微粗糙面。該阻障層的氧化還原電位在0至-1V。該微粗糙面的粗糙度Rz為 2~18μm。

Description

導熱基板
本發明關於一種導熱基板，特別是可以防止銅離子遷移而具有良好耐電壓特性的導熱基板。
所謂離子遷移是指電路板上的金屬如銅、銀等在一定條件下發生離子化並在電場作用下通過絕緣層向另一極遷移而導致絕緣性能下降。由於早期的線路板中線間距比較寬，發生這種故障的機率很小，並且只有在高溫潮濕的條件下才有發生的可能，因此這一現象沒有引起重視。
產生離子遷移的原因，是當絕緣體兩端的金屬之間有直流電場時，這兩邊的金屬就成為兩個電極，其中作為陽極的一方發生離子化並在電場作用下通過絕緣體向另一邊的金屬(陰極)遷移。從而使絕緣體處於離子導電狀態。顯然，這將使絕緣體的絕緣性能下降甚至成為導體而造成短路故障。發生這一現象的條件是在潮濕環境下，絕緣體表面或內部有形成電解質物質的潛在因素，包括絕緣體本身的種類、構成、添加物、纖維性能、樹脂性能等。
目前市售的一種散熱板(Thermally Conductive Board；TCB)產品為包括金屬底材、導熱絕緣層和銅箔的層疊板。在產品進行高溫高濕偏壓測試(High temperature and High humidity Biased Test；HHBT)時，銅箔有可能產生銅離子遷移，降低導熱絕緣層的絕緣性，連帶影響耐電壓及抗老化特性。
本發明揭露一種導熱基板，在導熱基板的電極箔上(例如含銅箔片)上面加上阻障層，例如鎳鍍層或其他穩定金屬鍍層，可抑制、阻擋含銅箔片因高溫高濕通電發生銅離子遷移而造成產品電性失效，從而提升HHBT耐電壓特性。
根據本發明的一實施例，一種導熱基板包括金屬底板、含銅箔片、導熱絕緣層及阻障層。該導熱絕緣層設置於該金屬底板表面。該阻障層設置於該含銅箔片和導熱絕緣層之間，該阻障層與該含銅箔片形成物理接觸，且該阻障層與該含銅箔片的界面包括微粗糙面。該阻障層的氧化還原電位(Redox potential)在0至-1V。該微粗糙面的粗糙度Rz為2~18μm。
一實施例中，該阻障層的氧化還原電位與銅的氧化還原電位的差異在0.5~1.2V。
一實施例中，該阻障層包括金屬鍍層、瘤狀物或其組合。
一實施例中，該瘤狀物的厚度為0.5~12μm
一實施例中，該阻障層的厚度為含銅箔片厚度的1%~50%。
一實施例中，該阻障層厚度在0.5~10μm。
一實施例中，該阻障層包括鎳、錫、鋅、鉻、鉍、鈷金屬或其組合。
一實施例中，該微粗糙面的表面粗糙度Rz除以含銅箔片厚度的值在15~50%的範圍。
一實施例中，該微粗糙面塗佈疏水性改質劑。
一實施例中，該導熱基板的剝離強度(peeling strength)大於等於1kgf/cm。
一實施例中，該導熱基板的交流(AC)耐電壓值為該導熱絕緣層的AC耐電壓值的50%以上。
一實施例中，該導熱絕緣層的厚度在50~300μm。
本發明的導熱基板針對上述銅離子遷移的問題作改善，除提升抗氧化功能外，也能有效改善目前導熱基板產品HHBT測試結果不佳的問題，可使得使用導熱基板的電氣產品具備更佳之耐電壓及抗老化特性。
10:導熱基板
11:金屬底板
12:導熱絕緣層
13:阻障層
14:含銅箔片
15:微粗糙面
16:金屬鍍層
17:瘤狀物
圖1顯示本發明一實施例的導熱基板示意圖。
圖2至圖4顯示本發明的導熱基板製作阻障層的多個實施例。
為讓本發明之上述和其他技術內容、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出相關實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖1顯示本發明一實施例的導熱基板。導熱基板10包括金屬底板11、導熱絕緣層12、阻障層13及含銅箔片14。導熱絕緣層12設置於該金屬底板11表面。阻障層13設置於該含銅箔片14和導熱絕緣層12之間。該阻障層13與該含銅箔片14形成物理接觸，該阻障層13與該含銅箔片14的界面包括微粗糙面15。其中該微粗糙面的粗糙度Rz為2~18μm，例如5μm、10μm或15μm，以增加含銅箔片14與該導熱絕緣層12的結合強度。
阻障層13是用來防止含銅箔片14產生銅離子遷移。某金屬的氧化還原電位越大，越容易氧化。反之，氧化還原電位越小，越容易還原。銅金屬解離為銅離子如下式：Cu→Cu ++e -，氧化還原電位Eo為0.52V。為了防止銅離子遷移，與含銅箔片14接觸的阻障層13選用的材質需要更低的氧化還原電位。本發明的阻障層13的氧化還原電位在0至-1V，可選用鎳(Ni)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鉍(Bi)、鈷(Co)等金屬做為其材料。鎳的氧化還原電位為-0.250V，錫的氧化還原電位為-0.136V，鋅的氧化還原電位為-0.762V。阻障層13同時也提供抗氧化的功效。表1顯示各種材料的氧化還原電位Eo(V)以及其他材料與銅的電位差值。阻障層可使用的材料的氧化還原電位都介於0至-1V之間，而與銅的氧化還原電位差異在0.5~1.2V。
Figure 108130094-A0305-02-0006-1
參照圖2，阻障層13的製作可於含銅箔片14表面上直接鍍上金屬鍍層16，如銅層。此時阻障層13僅包括金屬鍍層16。另一實施例中，在鍍上導電層16前，在含銅箔片14表面電解沉積出瘤狀或凸凹不平狀的阻障金屬析出物，形成瘤狀物17，即進行所謂的瘤化處理。之後，於含銅箔片14和瘤狀物17表面鍍上金屬鍍層16，形成如圖3所示的結構。因此，阻障層13為瘤狀物17和金屬鍍層16的組合。此外，阻障層13可為僅包括瘤狀物17而不包括金屬鍍層的結構，如圖4所示。
表2顯示本發明的導熱基板的實施例E1~E4和比較例C1和C2的實驗條件和高溫高濕偏壓測試(high temperature high humidity biased testing；HHBT)的結果。HHBT的測試條件為於溫度85℃和相對濕度85% R.H.進行1000小時的直流DC耐電壓測試，DC電壓為300V~3kV。實施例E1~E4和比較例C1和C2的導熱絕緣層12的厚度均為100μm，含銅箔片的表面粗糙度Rz都是8μm，實施例E1~E4和比較例C2的導熱基板如圖1所示，均包含阻障層，但比較例C1沒有包含阻障層。實施例E1~E3使用規格為1oz的含銅箔片，其厚度為35μm，而阻障層分別採用錫(Sn)、鋅(Zn)和鎳(Ni)金屬，厚度同樣為1μm。實施例E4使用規格為1/2oz的含銅箔片，其厚度為17μm，而阻障層採用鎳金屬，厚度則增加至8μm。比較例C1和C2使用規格為1oz的含銅箔片，其厚度為35μm，C1沒有阻障層，C2的阻障層採用鎳，厚度為0.1μm。
Figure 108130094-A0305-02-0007-3
由表2可知，阻障層選用鎳、錫或鋅，且阻障層的厚度為1~8μm的實施例E1~E4，可通過DC 300V、DC 500V、DC 1kV的HHBT耐電壓測試。阻障層厚度為1μm的E1~E3無法通過DC 1.5kV的HHBT耐電壓測試，但阻障層厚度為8μm的E4可通過DC 2kV的HHBT耐電壓測試。C1沒有阻障層和C2的阻障層厚度只有0.1μm都無法通過500V的HHBT測試。顯然較厚的阻障層有較佳的耐電壓特性。阻障層厚度在0.5~10μm的範圍，例如2、4或6μm，可有效防止銅 離子遷移。此外阻障層和含銅箔片的厚度通常會一併考慮，該阻障層的厚度為含銅箔片厚度的1%~50%，亦即阻障層厚度/含銅箔片厚度的比值在1~50%。
表3顯示本發明的導熱基板的實施例E5~E10和比較例C3和C4的實驗條件和交流電(AC)耐電壓、剝離強度及HHBT等測試結果。HHBT的測試條件為於溫度85℃和相對濕度85% R.H.進行1000小時的直流DC耐電壓測試。實施例E5~E10和比較例C3和C4的導熱絕緣層的厚度均為100μm。實施例E6、E7、E8、E10、C3和C4使用規格為1oz的含銅箔，其厚度為35μm。E5和E9使用規格為1/2oz的含銅箔，其厚度為17μm。E5~E7、E10和C3和C4的阻障層採用鎳金屬，厚度為2μm。E8和E9瘤化形成阻障層，阻障層中不包括金屬鍍層，瘤狀物厚度為1~8.3μm。E10的阻障層包括1.5μm厚的瘤狀物及2μm厚的鎳金屬鍍層，因此其阻障層的厚度為3.5μm。比較例C3的含銅箔片的粗糙度Rz為0.2μm，C4的含銅箔片的粗糙度Rz為20μm，用來分別測試很小和很大的粗糙度Rz對於剝離強度和耐電壓的影響。
Figure 108130094-A0305-02-0008-4
從表3可知，E5~E10的剝離強度都大於等於1kgf/cm，且大於等於1.2kgf/cm，C3的粗糙度Rz過小，其剝離強度僅有0.4kgf/cm，低於IPC規範的 0.8kgf/cm。單純導熱絕緣層進行AC耐電壓值為6.2kV，E5~E10和C3、C4的AC耐電壓值相對於6.2kV的耐壓比值列於表3中。E5~E10的耐電壓都大於AC 3kV，耐壓比值都大於50%。然而，比較例C4的耐電壓值為AC 2.4kV，耐壓比值只有於38%，顯見過大的Rz會導致耐電壓性不佳。優選地，本發明導熱基板的含銅箔片的表面粗糙度Rz為2~18μm，例如5、10或15μm。Rz除以含銅箔片厚度的值在15~50%的範圍，該值太高不利於AC耐電壓特性，該值太低則不利於剝離強度。E8~E10通過瘤化製程製作表面有瘤狀物的阻障層，其中E8和E9直接以瘤狀物作為阻障層，瘤狀物厚度分別為1μm和8.3μm。E8可通過HHBT DC 1kV測試(未顯示於表3)，但無法通過HHBTDC 1.5kV測試。瘤化厚度較厚的E9可通過HHBT 2kV測試。一實施例中，瘤狀物的厚度為0.5~12μm。E10則於瘤狀物表面另披覆2μm的鎳金屬鍍層。經瘤化的阻障層，其厚度應將瘤狀物厚度併入計算，亦即，阻障層厚度=金屬鍍層厚度+瘤狀物厚度。優選地，阻障層中的(金屬鍍層厚度加瘤化之總厚度)/含銅箔片厚度的值為1~50%。此外，實施例E10於含銅箔片上塗佈疏水性改質劑，可為包括烷基、氟素等，如烷基矽烷，可通過DC 3kV的HHBT測試。相對地，其他實施例E5~E9僅能通過DC 1.5kV或DC 2kV的HHBT測試。可見塗佈疏水性改質劑可阻擋水氣侵入，從而提升對HHBT之耐電壓特性。
導熱絕緣層的厚度與耐電壓大小成正向相關，通常越厚的導熱絕緣層可承受越大的電壓。舉例而言，本發明的導熱基板中的導熱絕緣層的厚度為50μm時約可承受DC 100V的電壓，厚度為300μm時約可承受DC 600V的電壓。較佳地，導熱絕緣層的厚度一般在50~300μm的範圍，例如100μm或200μm。
本發明的導熱基板通過於含銅箔片和導熱絕緣層間的阻障層的設計，可有效阻擋含銅箔片中銅離子遷移，改善目前導熱基板產品HHBT特性不 佳之問題，可通過DC 1kV或更大電壓的HHBT測試，使得導熱基板具備更佳之耐電壓及抗老化特性。
本發明之技術內容及技術特點已揭示如上，然而本領域具有通常知識之技術人士仍可能基於本發明之教示及揭示而作種種不背離本發明精神之替換及修飾。因此，本發明之保護範圍應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不背離本發明之替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。
10 　導熱基板 11　金屬底板 12　導熱絕緣層 13　阻障層 14　含銅箔片 15　微粗糙面

Claims (11)

  1. 一種導熱基板，包括：金屬底板；含銅箔片；導熱絕緣層，設置於該金屬底板表面；以及阻障層，設置於該含銅箔片和導熱絕緣層之間，該阻障層的二個相對表面與該含銅箔片及導熱絕緣層分別形成物理接觸，該阻障層與該含銅箔片的界面包括微粗糙面；其中該阻障層的氧化還原電位在0至-1V；其中該阻障層厚度在0.5~10μm；其中該微粗糙面的表面粗糙度Rz為2~18μm。
  2. 根據請求項1之導熱基板，其中該阻障層的氧化還原電位與銅的氧化還原電位的差異在0.5~1.2V。
  3. 根據請求項1之導熱基板，其中該阻障層包括金屬鍍層、瘤狀物或其組合。
  4. 根據請求項3之導熱基板，其中該瘤狀物的厚度為0.5~12μm。
  5. 根據請求項1之導熱基板，其中該阻障層的厚度為含銅箔片厚度的1%~50%。
  6. 根據請求項1之導熱基板，其中該阻障層係由鎳、錫、鋅、鉻、鉍、鈷金屬或其組合所組成。
  7. 根據請求項1之導熱基板，其中該微粗糙面的表面粗糙度Rz除以含銅箔片厚度的值在15~50%的範圍。
  8. 根據請求項1之導熱基板，其中該微粗糙面塗佈疏水性改質劑。
  9. 根據請求項1之導熱基板，其中該導熱基板的剝離強度大於等於1kgf/cm。
  10. 根據請求項1之導熱基板，其中該導熱基板的AC耐電壓值為該導熱絕緣層的AC耐電壓值的50%以上。
  11. 根據請求項1之導熱基板，其中該導熱絕緣層的厚度在50~300μm。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI827318B (zh) * 2022-10-24 2023-12-21 聚鼎科技股份有限公司 導熱基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200812025A (en) * 2006-08-30 2008-03-01 Polytronics Technology Corp Heat dissipation substrate for electronic device
CN205124230U (zh) * 2015-11-10 2016-03-30 林钲絖 散热用的铜碳箔结构

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07170042A (ja) * 1993-12-14 1995-07-04 Fuji Electric Co Ltd 金属ベースプリント基板
US5686172A (en) * 1994-11-30 1997-11-11 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Metal-foil-clad composite ceramic board and process for the production thereof
JPH10100320A (ja) * 1996-09-30 1998-04-21 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 複合セラミックス板およびその製造法
JP3690962B2 (ja) * 2000-04-26 2005-08-31 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付電解銅箔及びそのキャリア箔付電解銅箔の製造方法並びに銅張積層板
US7026059B2 (en) * 2000-09-22 2006-04-11 Circuit Foil Japan Co., Ltd. Copper foil for high-density ultrafine printed wiring boad
US7140103B2 (en) * 2001-06-29 2006-11-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Process for the production of high-density printed wiring board
JP4379854B2 (ja) * 2001-10-30 2009-12-09 日鉱金属株式会社 表面処理銅箔
JP3627707B2 (ja) * 2002-01-23 2005-03-09 富士電機ホールディングス株式会社 色変換フィルタ基板、それを用いた有機多色ｅｌディスプレイパネルおよびそれらの製造方法
US7001662B2 (en) * 2003-03-28 2006-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transfer sheet and wiring board using the same, and method of manufacturing the same
US8026003B2 (en) * 2003-08-21 2011-09-27 Samsung Sdi Co., Ltd. Negative active material for a non-aqueous electrolyte battery, and a non-aqueous electrolyte battery comprising the same
KR100638620B1 (ko) * 2004-09-23 2006-10-26 삼성전기주식회사 임베디드 수동소자용 인쇄회로기판재료
US7615314B2 (en) * 2004-12-10 2009-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Electrode structure for lithium secondary battery and secondary battery having such electrode structure
WO2007047940A2 (en) * 2005-10-19 2007-04-26 World Properties, Inc. Circuit board materials with improved bond to conductive metals and methods of the manufacture thereof
KR100759401B1 (ko) * 2006-11-20 2007-09-19 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지용 음극 활물질, 그의 제조 방법 및 그를포함하는 리튬 이차 전지
US8951672B2 (en) * 2007-01-30 2015-02-10 Sony Corporation Anode, method of manufacturing it, battery, and method of manufacturing it
JP2009071013A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用基板
US9147812B2 (en) * 2008-06-24 2015-09-29 Cree, Inc. Methods of assembly for a semiconductor light emitting device package
US20110294020A1 (en) * 2008-09-23 2011-12-01 Korea Basic Science Institute Negative active material for a lithium secondary battery, method for manufacturing same, and lithium secondary battery comprising same
WO2013108599A1 (ja) * 2012-01-17 2013-07-25 パナソニック株式会社 配線基板とその製造方法
CH706485B1 (de) * 2012-05-08 2018-06-29 Steffen C/O Swiss Food Tech Gmbh Hanspeter Kaffeemaschine mit Elektrolysezelle zur Herstellung von basischem Wasser, und zur Verbesserung der Lösungskraft, der Sensorik und Resorption, mittels Trennung der Molekül-Cluster.
US9368847B2 (en) * 2014-01-08 2016-06-14 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Rechargeable metal nitric oxide gas battery
JPWO2016021666A1 (ja) * 2014-08-07 2017-04-27 日本化薬株式会社 高周波回路用に適した両面回路用基板
JP6507523B2 (ja) * 2014-08-22 2019-05-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20170207415A1 (en) * 2014-09-10 2017-07-20 Konica Minolta, Inc. Gas barrier film and organic electroluminescent element
JP6601675B2 (ja) * 2016-01-14 2019-11-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 金属張積層板および樹脂付金属箔
JP6977716B2 (ja) * 2016-04-11 2021-12-08 Ａｇｃ株式会社 積層体、プリント基板、および積層体の製造方法
CN206963175U (zh) * 2017-07-14 2018-02-02 信丰迅捷兴电路科技有限公司 一种新型线路板
WO2019106526A1 (en) * 2017-11-28 2019-06-06 Politecnico Di Torino Method for the synthesis of a zero-valent metal micro- and nanoparticles in the presence of a noble metal

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200812025A (en) * 2006-08-30 2008-03-01 Polytronics Technology Corp Heat dissipation substrate for electronic device
CN205124230U (zh) * 2015-11-10 2016-03-30 林钲絖 散热用的铜碳箔结构

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