TWI720107B - 液晶顯示裝置及電子設備 - Google Patents

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TWI720107B
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甘利浩一
坂入卓
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日商新力股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種液晶顯示裝置，其包含：一第一基板，其包含複數個配線層且具有在該第一基板之一個表面上之複數個第一電極；一第二基板，其經提供以面向該第一基板且具有面向該等第一電極之一第二電極；及一液晶層，其經密封於該第一基板與該第二基板之間，其中該第一基板之一平面中之一周邊部分中之一厚度大於一中心部分中之一厚度。

Description

液晶顯示裝置及電子設備
本發明係關於一種使用(例如) LCOS (矽上液晶)之液晶顯示裝置，及一種包含此一液晶顯示裝置之電子設備。
在使用LCOS技術之液晶顯示裝置中，一液晶經密封於充當一驅動基板之一矽(Si)晶片與一相對基板之間。為保全液晶顯示裝置中之一均勻厚度(單元間隙)，已針對增強矽晶片之一表面之平面性之目的進行各種研究及開發(例如參考PTL 1及PTL 2)。 [引文清單] [專利文獻] [PTL 1] 日本未審查專利公開申請案第H08-179377號 [PTL 2] 日本未審查專利公開申請案第2000-194008號
[技術問題] 在上文之PTL 1中，例如，類似於一有效像素區之一虛設像素區經提供於該有效像素區之一周邊區中以達成平面性改良。再者，在PTL 2中，一金屬模型經提供於密封一液晶之一密封件下方之一區中，且該金屬模型之佈局密度經控制，藉此達成平面性改良。 然而，在上文提及之液晶顯示裝置中，相對基板可在一製造程序中變形以造成相對基板與驅動基板之間的接觸。用於液晶對準之對準膜經形成於該等基板之表面上，且此接觸可對該等對準膜造成損害。此可導致液晶未對準，藉此導致顯示影像品質降級。 因此，期望提供一種液晶顯示裝置及一種電子設備，其等可抑制顯示影像品質之降級。 [問題之解決方案] 根據本發明之一實施例，提供一種液晶顯示裝置，其包含：一第一基板，其包含複數個配線層且具有在該第一基板之一個表面上之複數個第一電極；一第二基板，其經提供以面向該第一基板且具有面向該等第一電極之一第二電極；及一液晶層，其經密封於該第一基板與該第二基板之間，其中該第一基板之一平面中之一周邊部分中之一厚度大於一中心部分中之一厚度。 根據本發明之一實施例，提供一種電子設備，其包含根據本發明之實施例之前述液晶顯示裝置。 在根據本發明之實施例之液晶顯示裝置及電子設備中，包含該複數個配線層之該第一基板之該平面中之該周邊部分中之該厚度大於該中心部分中之該厚度。在本文中，在一製造程序中，例如，在一些情況中，該第二基板可藉由在該第一基板及該第二基板疊置時施加之一壓力或藉由在密封一液晶時產生之一負壓力而變形(彎曲)。當此變形使該第二基板與該第一基板接觸時，損害形成於該第一基板及該第二基板之各自表面(液晶層側上之表面)上之對準膜以造成液晶之未對準。該第一基板在該周邊部分中具有大於該中心部分中之一厚度，此可抑制由該第二基板之上述變形造成之該第一與該第二基板之間的接觸。因此，抑制對該等對準膜之損害，且液晶之未對準較不易於發生。 [本發明之有利效應] 根據本發明之實施例之液晶顯示裝置及電子設備，包含該複數個配線層之該第一基板之該平面中之該周邊部分中之該厚度大於該中心部分中之該厚度，即使在該第二基板在一製造程序中變形之一情況中，此仍可抑制該第一基板與該第二基板之間的接觸，藉此抑制由對該等對準膜之損害造成之液晶之未對準。此可抑制顯示影像品質之降級。 應注意，以上描述僅為本發明之實施例之實例。本發明之實施例之效應不限於此處描述之效應，且可不同於此處描述之效應或可進一步包含任何其他效應。 應瞭解，以上一般描述及以下詳細描述兩者係例示性的，且經提供以提供如所主張之技術之進一步解釋。
相關申請案之交互參考 此申請案主張2016年1月26日在日本專利局中申請之日本優先權專利申請案第JP 2016-012034號之權利，該案之全部內容以引用的方式併入本文中。 下文將參考圖式詳細描述本發明之一些實施例。應注意，描述依以下順序給出。 1.第一實施例(包含藉由配線密度圖案而在周邊部分中具有大於在中心部分中之厚度之驅動基板之液晶顯示裝置之實例) 2.修改實例1 (製造驅動基板之方法之另一實例) 3.修改實例2 (在其他配線層之配線密度改變之情況中之實例) 4.第二實施例(包含在周邊區中具有大於在中心區中之厚度之驅動基板之另一液晶顯示裝置之實例) 5.應用實例1至3 (電子設備之實例) 組態 圖1繪示根據本發明之一第一實施例之一液晶顯示裝置(一液晶顯示裝置1)。液晶顯示裝置1可係(例如)使用LCOS (矽上液晶)之一反射式顯示裝置。 液晶顯示裝置1可(例如)藉由將一液晶層12密封於一驅動基板10 (一第一基板)與一相對基板20 (一第二基板)之間而組態。包含複數個像素電極11a (第一電極)之一反射式電極層11形成於驅動基板10之一個表面(在液晶層12之側上之一表面S1)上。一相對電極13a (一第二電極)如此形成於相對基板20之一個表面(液晶層12之側上之一表面)上以面向反射式電極層11。液晶層12之一周邊藉由一密封部件14密封。 液晶顯示裝置1具有包含複數個像素之一有效像素區A。像素之各者可包含(例如)一液晶元件LC及在稍後描述之一FET (場效電晶體) 110及一保持電容器Cp。液晶元件LC包含像素電極11a及安置於像素電極11a正上方之液晶層12及相對電極13a。 驅動基板10可(例如)藉由在由矽(Si)製成之一基板上提供複數個配線層(本文中為兩個配線層15a及15b)而組態。在驅動基板10中，各包含一薄膜電晶體、各種配線及其他組件之像素電路經形成於複數個層上方。再者，組態像素電路之配線層經堆疊而在其等之間具有一層間絕緣膜，且使用一絕緣膜(一絕緣膜150)覆蓋驅動基板10之一表面。在本發明之一實施例中，絕緣膜150對應於「第一絕緣膜」之一特定但非限制性實例。 在驅動基板10中，一平面中之一周邊部分中之一厚度t2大於一中心部分中之一厚度t1。具體言之，驅動基板10之表面S1至少在有效像素區A中具有一凹形狀(表面S1凹入有效像素區A中)。更具體言之，驅動基板10之表面S1在有效像素區A中係彎曲的(或從中心部分朝向周邊部分傾斜)，此導致驅動基板10之一厚度從中心部分至周邊部分略微增加。反射式電極層11形成在表面S1上。然而，驅動基板10之表面S1之形狀不限於一略微彎曲或傾斜形狀。表面S1僅需具有一凹形狀，其中驅動基板10之周邊部分中之厚度t2大於中心部分中之厚度t1。例如，驅動基板10之厚度可以一逐步方式從周邊部分至中心部分改變。 圖2A繪示有效像素區A之一大小(一有效像素對角線大小)與表面S1之一凹入量(任意單位)之間的一關係。在本文中，隨著有效像素大小增大，在一製造程序中注入至液晶層12中之液晶量增大。此引起液晶層12之膨脹力增大，且相對基板20之一變形量隨著液晶層12之膨脹力增大而減小。表面S1之凹入量可較佳地根據相對基板20之變形量(即，有效像素大小)設定。為舉出一實例，在有效像素對角線大小為0.6類型之一情況中之一凹入量(對應於厚度t1與t2之間的一差之一值)理想上可為1，且在有效像素對角線大小為0.3類型之一情況中之一凹入量理想上可為0.5。再者，可期望至少在驅動基板10之有效像素區A中沿著一短側方向與一長側方向兩者形成表面S1之凹形狀，如在圖2B中繪示。 應注意，例如，與驅動基板10之表面S1相對之一表面可係平坦的。再者，本文之相對基板20沿著驅動基板10之表面S1之形狀完全彎曲。此可保全有效像素區中之一均勻單元間隙。注意，相對基板20可具有一平板形狀。再者，相對基板20之彎曲形狀之一凹入量(一變形量)可等於或不同於表面S1之凹入量(對應於厚度t1與t2之間的一差之一值)。 反射式電極層11係包含複數個像素電極11a之一層。像素電極11a之一者經提供至各像素，且像素電極11a可包含具有高反射率之一金屬(諸如鋁(Al))。例如，可在像素電極11a之表面上形成一對準膜11b。對準膜11b可經形成以覆蓋像素電極11a之各者之一頂部表面且填充像素電極11a之間的一區。對準膜11b可為(例如)一無機對準膜。對準膜11b根據液晶層12之一驅動模式經受對準處理。 液晶層12包含一液晶，其藉由施加一電壓通過像素電極11a及相對電極13a而改變穿過其之光之透射率。用於液晶層12之液晶之種類(驅動模式)並無特定限制。液晶之非限制性實例可包含一VA (垂直對準)液晶及一TN (扭轉向列)液晶。 液晶層12之一厚度(單元間隙)可在從約(含)1 mm至約(含)5 mm之一範圍內。液晶層12可插置於驅動基板10與相對基板20之間而不使用(例如)一間隔件。換言之，在液晶顯示裝置1中，相對基板20及驅動基板10在無間隔件的情況下彼此疊置。圍繞液晶層12形成之密封部件14可包含(例如)一紫外線固化樹脂。 相對電極13a可形成於(例如)整個有效像素區A中，且充當各自像素之一共用電極。相對電極13a可由(例如)由ITO (銦錫氧化物)製成之一透明導電膜組態。例如，可在相對電極13a之一表面上形成一對準膜13b。對準膜13b可為(例如)一無機對準膜。對準膜13b根據液晶層12之驅動模式經受對準處理。 相對基板20可包含(例如)一玻璃基板。在相對基板20中，除上文提及之相對電極13a及對準膜13b外，亦可形成一彩色濾光片。在液晶顯示裝置1顯示一單一色彩之一情況中，可(例如)提供紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)之一者之一彩色濾光片。或者，在液晶顯示裝置顯示三原色之一情況中，以一預定配置提供R、G及B之彩色濾光片。 (驅動基板10之特定組態) 圖3繪示液晶顯示裝置1之像素電路之一組態。應注意，圖3繪示對應於四個像素P之一區。像素(像素P)各包含液晶元件LC、保持電容器Cp及FET 110，如在圖3中繪示。一掃描線GL及一信號線DL經耦合至像素P之各者。掃描線GL可經耦合至(例如)FET 110之一閘極，且係經調適以按一預定時序將一掃描信號自一未繪示掃描線驅動電路供應至FET 110之一配線。信號線DL係經調適以基於自外部輸入之一影像信號而將一信號自一信號線驅動電路供應至像素P之各者之一配線。應注意，掃描線驅動電路及信號線驅動電路經形成於有效像素區A之一周邊區中或耦合至該周邊區。像素電路經形成於驅動基板10中之複數個層上方。 在本實施例中，複數個配線層之一個配線層(配線層15a)按預定佈局密度(配線密度)提供。配線層15a可係(例如)形成於驅動基板10中之配線層之一最上層配線層，且可由(例如)一金屬(諸如鋁及銅(Cu))製成。在本實施例中，形成於配線層15a上之絕緣膜150在周邊部分中之厚度大於在中心部分中之厚度。絕緣膜150之一表面可形成(例如)表面S1，且對應於配線層15a之一佈局圖案之一凹形狀經形成於表面S1中。絕緣膜150可包含(例如)氧化矽(SiO2 )。 圖4A及圖4B各繪示一像素位置與配線密度之間的一關係之一實例。周邊部分中之佈局密度經設計以高於中心部分中之佈局密度，如在圖4A及圖4B中繪示。如同佈局密度之改變之一圖案，佈局密度可如在圖4A中繪示般稍微改變或可如在圖4B中繪示般以一逐步方式改變。然而，佈局密度可較佳地如在圖4A中繪示般稍微改變。此可藉由稍後描述之一CMP程序中之一設備降低處理變動之一影響且形成一稍微彎曲之形狀，藉此改良均勻性。再者，中心部分與周邊部分之間的一佈局密度差d1可期望為約5%或更大。 圖5至圖7各繪示具有如上文描述之配線層15a之像素電路之一實例。圖5係用於描述提供於驅動基板10中之各自配線層之一堆疊組態之一示意圖。圖6繪示有效像素區A之中心部分中之一像素組態，且圖7繪示周邊部分中之一像素組態。 在驅動基板10中，從一矽基板依序堆疊FET 110之一半導體層(一Si擴散層111)、一閘極電極110G、掃描線GL及信號線DL，如在圖5中繪示。各種配線層之間的層間耦合透過通孔V1、V2及V3製成。在此堆疊組態中，形成FET 110之一源極電極110S及一汲極電極110D經提供於與掃描線GL相同之層中。再者，保持電容器Cp經形成於與閘極電極110G及Si擴散層111相同之層中。 配線層15a可經提供於(例如) FET 110與像素電極11a之間的一層(在本文中為與信號線DL相同之層)中，且透過通孔V1電耦合至像素電極11a。在配線層15a中，周邊部分中之配線密度可高於中心部分中之配線密度，如在圖6及圖7中繪示。更具體言之，經提供於周邊部分中之配線(配線15a2)之間的一間隔可小於經提供於中間部分中之配線(配線15a1)之間的一間隔，且由周邊部分中之配線佔用之一面積可大於由中間部分中之配線佔用之一面積。特定言之，雖然未繪示，但在中心部分與周邊部分之間的一區中配線之間的一間隔或由配線佔用之一面積可經設計以從中心部分至周邊部分逐漸或以一逐步方式改變。 應注意，在圖6及圖7中繪示之佈局僅係實例，且包含配線15a1及15a2之各自組件之佈局不限於此。配線15a1及15a2之各者之平面形狀不限於在圖6及圖7中繪示之一矩形形狀，且可係任何其他形狀。再者，在配線層15a中，針對像素之各者提供一個配線(配線15a1或15a2)；然而，可在像素之各者中提供複數個配線(可包含一虛設配線)。 (製造驅動基板10之方法) 如上文描述之驅動基板10可(例如)如下般形成。圖8至圖11係用於描述製造驅動基板10之程序之橫截面視圖。應注意，此等圖式選擇性地僅繪示對應於周邊部分中之兩個像素之一區及對應於中心部分中之兩個像素之一區。 首先，使用各種薄膜程序在由(例如)矽製成之基板120上之一選擇性區中形成複數個FET 110，如在圖8中繪示。 隨後，形成由上述材料(例如，鋁)製成之配線層15a (配線15a1及15a2)。更具體言之，形成一層間絕緣膜121以覆蓋FET 110，如在圖9中繪示。在下文中，使用(例如)一濺鍍方法形成一鋁膜，且接著，使用一光微影方法及蝕刻分別在周邊部分及中心部分中形成配線15a2及配線15a1。配線15a1及15a2之各者透過形成於層間絕緣膜121中之一通孔122 (對應於圖5至圖7中之通孔V2)而電耦合至其下方之FET 110之對應者。 接著，在配線15a1及15a2上形成絕緣膜150 (絕緣膜123及124)。首先，使用(例如) HDP (高密度電漿)技術形成具有一預定厚度之由(例如) SiO2 製成之絕緣膜123以覆蓋配線15a1及15a2，如在圖10A中繪示。因此，形成絕緣膜123同時保留由配線15a1及15a2造成之一高度差。隨後，藉由(例如)一電漿CVD (化學氣相沈積)方法形成由(例如) SiO2 製成之絕緣膜124，如在圖10B中繪示。因此形成之絕緣膜124在具有高配線密度之周邊部分中具有大於在具有低配線密度之中心部分中之一厚度。 此後，使用(例如) CMP (化學機械拋光)移除絕緣膜124之表面側上之部分。此使絕緣膜124之周邊部分中之一厚度t12大於絕緣膜124之中心部分中之一厚度t11，如在圖11中繪示。因此，形成在周邊部分及中心部分中具有一厚度差之絕緣膜150。換言之，在驅動基板10中形成具有一凹形狀之表面S1。因此，形成驅動基板10。 效應 在根據本實施例之液晶顯示裝置1中，對應於一影像信號之一電壓透過像素電極11a及相對電極13a施加至像素之各者中之液晶層12。此造成液晶層12之透射率針對各像素改變。已從相對基板20進入之光藉由反射式電極層11反射，且此後，反射光在穿過液晶層12的同時在各像素中被調變。因此調變之光經顯示為一影像。 在本文中，在此一液晶顯示裝置1中，當在一製造程序中疊置驅動基板10及相對基板20時，使驅動基板10及相對基板20加壓。再者，當將一液晶密封於驅動基板10與相對基板20之間以形成液晶層12時，產生一負壓力。在此等壓力下，相對基板20經變形(彎曲)，且在一些情況中，此變形可使相對基板20與驅動基板10接觸。因此，損害形成於驅動基板10之表面及相對基板20之表面(在液晶層12之側上之表面)上之對準膜以引起液晶未對準。 在這一點上，在本實施例中，驅動基板10在周邊部分中具有大於中心部分中之一厚度，更具體言之，驅動基板10之表面S1具有一凹形狀，即使在相對基板20如上文描述般變形的一情況中，此仍可使相對基板20免於與驅動基板10接觸。因此，抑制對對準膜11b及13b之損害，且液晶之未對準較不易於發生。 如上文描述，在本實施例中，在驅動基板10之平面中之周邊部分中之厚度t2大於中心部分中之厚度t1。因此，即使在相對基板20在一製造程序中變形之一情況中，仍可抑制驅動基板10與相對基板20之間的接觸，藉此抑制由對對準膜之損害造成之液晶之未對準。此可抑制顯示影像品質之降級。 接著，給出前述第一實施例及其他實施例之修改實例之描述。在下文中，使用相同元件符號表示與在前述第一實施例中之組件實質上相同之組件，且省略其等之任何容易描述。 ＜修改實例1＞ 圖12至圖14係用於描述製造根據一修改實例1之一驅動基板之一方法之圖。在前述第一實施例中，在製造驅動基板10之方法中，使用預定配線密度形成由鋁製成之配線層15a，且此後，藉由CMP拋光形成於配線層15a上之一絕緣膜以形成凹形狀。在修改實例中，給出例如在配線層15a由(例如)銅製成之一情況中使用一所謂的鑲嵌程序形成一凹形狀之一技術之描述。 更具體言之，首先，在絕緣膜125之一頂部表面上在中心部分及周邊部分中分別形成溝槽H1及H2，如在圖12中繪示。溝槽H1及H2之寬度彼此不同。隨後，藉由(例如)一濺鍍方法形成由銅製成之一金屬層126以填充於溝槽H1及H2中，如在圖13中繪示。此後，使用(例如) CMP從表面側移除金屬層126之部分。因此，配線層15a經形成以嵌入絕緣膜125中，且周邊部分中之一厚度t22大於中心部分中之一厚度t21。在絕緣膜125及配線層15a上形成絕緣膜150可以一凹形狀形成絕緣膜150之表面。換言之，可在驅動基板10中形成具有一凹形狀之表面S1。 ＜修改實例2＞ 圖15繪示根據一修改實例2之一液晶顯示裝置之一組態。前述第一實施例涉及配線層15a經提供於驅動基板10之一最上層中之一實例；然而，配線層15a可不必提供於最上層中。例如，在本修改實例中，配線層15a係從提供於驅動基板10中之配線層之頂部之第二配線層。 在本修改實例中，藉由類似於前述第一實施例中之一技術而在形成於配線層15a上之一層間絕緣膜151中形成對應於配線層15a之配線密度之一圖案之一凹形狀。在層間絕緣膜151之一頂部表面上依序形成一配線層15c及絕緣膜150以形成驅動基板10之表面S1中之一凹形狀。 應注意，在本修改實例中，使用預定配線密度形成自頂部之第二配線層作為配線層15a；然而，在驅動基板10包含三個或三個以上配線層之一情況中，自頂部之第三及隨後配線層之任一者可具有上述配線密度(自頂部之第三及隨後配線層之任一者可充當配線層15a)。此外，可形成具有上述配線密度之複數個配線層15a。 ＜第二實施例＞ 圖16繪示根據本發明之一第二實施例之一液晶顯示裝置之一組態。該液晶顯示裝置可係(例如)使用LCOS (矽上液晶)之一反射式顯示裝置，如同前述第一實施例之液晶顯示裝置1。再者，液晶層12經密封於驅動基板10與相對基板20之間。包含複數個像素電極11a之反射式電極層11A經形成在驅動基板10之一個表面(在液晶層12之側邊上之表面S1)上。相對電極13a經形成於相對基板20之一個表面(液晶層12之側邊上之一表面)上以面向反射式電極層11。液晶層12之一周邊由密封部件14密封。 再者，在驅動基板10中，複數個配線層(配線層21)可經提供於由(例如)矽製成之一基板上。在配線層21中，各包含一薄膜電晶體、各種配線及其他組件之像素電路經堆疊而在其等之間具有一層間絕緣膜。一絕緣膜127經形成在配線層21上。換言之，驅動基板10之表面覆蓋有絕緣膜127。在本發明之一實施例中，絕緣膜127對應於「第二絕緣膜」之一特定但非限制性實例。 在驅動基板10中，如同前述第一實施例，平面中之周邊部分中之厚度t2大於中心部分中之厚度t1。具體言之，驅動基板10之表面S1 (絕緣膜127之一表面)在有效像素區A中具有一凹形狀。此導致驅動基板10之厚度從中心部分至周邊部分略微增加。反射式電極層11經形成在表面S1上。 然而，在本實施例中，設計藉由(例如)在配線層21中提供一虛設配線而在配線層21上形成一平坦層間絕緣膜。換言之，不同於第一實施例，降低配線層21中之平面內配線密度之差以依一表面形狀儘可能平坦地形成層間絕緣膜。此後，處理形成於驅動基板10之表面側上之絕緣膜127之表面以具有一凹形狀，此可形成具有類似於前述第一實施例中之表面之表面S1之驅動基板10。 更具體言之，如下般形成驅動基板10。首先，如在圖17中繪示般適當設計配線層21之配線密度之一佈局及其他佈局以在配線層21上形成具有一平坦表面(具有一平坦表面S110)之一絕緣膜127a。 隨後，在絕緣膜127a之表面S110上形成具有一預定圖案之一光阻劑膜128。在光阻劑膜128中，中心部分中之開口h3之佈局密度不同於在周邊部分中之開口h3之佈局密度。更具體言之，開口h3之佈局密度從周邊部分至中心部分逐漸減小。例如，使用具有此一圖案之光阻劑膜128作為一遮罩(如在圖18B中繪示)執行乾式蝕刻以移除絕緣膜127a之表面之一選擇性區。此後，移除光阻劑膜128以在絕緣膜127a之表面上形成具有類似於光阻劑膜128之開口h3之佈局密度之佈局密度之一凹形圖案127p，如在圖18C中繪示。 此後，藉由(例如) CMP移除其中形成凹形圖案127p之絕緣膜127a之表面S110以形成具有一凹形狀之表面S1，如在圖19中繪示。 即使在本實施例中，如同前述第一實施例，在驅動基板10之平面中之周邊部分中之厚度t2大於中心部分中之厚度t1。即使在相對基板20在一製造程序中變形之一情況中，此仍可抑制驅動基板10與相對基板20之間的接觸，且抑制由對對準膜之損害造成之液晶之未對準。因此，可達成類似於前述第一實施例中之效應之效應。 接著，給出根據前述實施例及修改實例之液晶顯示裝置之應用實例之描述。根據前述實施例及實例之液晶顯示裝置可應用於各種電子設備。液晶顯示裝置之任一者可安裝於(例如)一投影器(一投影顯示單元)、一相機之一取景器及一頭戴式顯示器中，如下文描述。 ＜應用實例1＞ 圖20係繪示根據一應用實例1之一投影顯示單元(一投影顯示單元2)之一整個組態的一功能方塊圖。投影顯示單元2可係(例如)將一影像投影於一螢幕200 (一投影表面)上之一顯示單元。投影顯示單元2可透過一介面(I/F)耦合至一外部影像供應器，且可基於輸入至I/F之一影像信號對螢幕200執行投影。外部影像供應器之非限制性實例可包含電腦(諸如個人電腦)及各種影像播放器。 投影顯示單元2可包含(例如)一光源驅動器31、一光源裝置32、一光學調變器1A、一投影光學系統33、一影像處理器34、一圖框記憶體35、一面板驅動器36、一投影光學系統驅動器37及一控制器30。 光源驅動器31輸出一脈衝信號以用於控制提供於光源裝置32中之一光源之一光發射時序。光源驅動器31可包含(例如)一PWM設定器、一PWM信號產生器、一限制器及未繪示之其他組件，且基於藉由控制器30之控制而控制液晶顯示裝置1之一光源驅動器來執行光源之PWM控制，藉此開啟或關閉光源或調整照度。 光源裝置32可包含(例如)一光源、一光源驅動器及一電流值設定器。光源驅動器驅動光源，且電流值設定器設定在驅動光源時之一電流值。基於自一未繪示電源電路供應之電力，光源驅動器同步於自光源驅動器31輸入之一脈衝信號而產生具有藉由電流值設定器設定之一電流值之一脈衝電流。所產生之脈衝電流經供應至光源。 光學調變器1A基於影像信號調變自光源裝置32輸出之光(照明光)以產生影像光。光學調變器1A可包含一或多個反射式液晶裝置。前述實施例及實例之液晶顯示裝置之任一者適用於光學調變器1A。光學調變器1A可包含(例如)調變藍光之一液晶面板、調變紅光之一液晶面板及調變綠光之一液晶面板。藉由光學調變器1A調變之彩色光R、彩色光G及彩色光B可藉由(例如)一交叉二向色棱鏡組合以引導至投影光學系統33。 投影光學系統33可包含(例如)一透鏡組，其將藉由光學調變器1A調變之光投影於螢幕200上以形成一影像。 影像處理器34擷取自外部輸入之影像信號，且可執行(例如)一影像大小之判定、解析度之判定及一靜止影像或一移動影像之判定。在移動影像之一情況中，影像處理器34亦可判定(例如)一影像資料屬性，諸如一圖框速率。再者，在所擷取影像信號之解析度不同於光學調變器1A之液晶面板之各者之顯示解析度之一情況中，影像處理器34執行解析度轉換。影像處理器34針對各圖框使已經受此等程序之影像在圖框記憶體35中顯影，且將針對各圖框在圖框記憶體35中顯影之影像作為一顯示信號輸出至面板驅動器36。 面板驅動器36驅動光學調變器1A之液晶面板之各者。面板驅動器36驅動液晶面板之各者以改變穿過提供於液晶面板之各者中之像素之各者之光之透射率，藉此形成一影像。 投影光學系統驅動器37包含一馬達，其驅動提供於投影光學系統33中之一透鏡。投影光學系統驅動器37可根據藉由控制器30之控制而驅動(例如)投影光學系統33以執行調整，諸如變焦調整、焦點調整及光圈調整。 控制器30控制光源驅動器31、影像處理器34、面板驅動器36及投影光學系統驅動器37。 ＜應用實例2＞ 圖21A及圖21B各繪示一數位單眼相機410之一外觀。數位單眼相機410可包含(例如)一主體411、一透鏡412、一手柄413、一顯示區段414及一取景器415。前述實施例及實例之液晶顯示裝置之任一者經安裝於顯示區段14或取景器415中。 ＜應用實例3＞ 圖22繪示一頭戴式顯示器420之一外觀。頭戴式顯示器420可包含一眼鏡顯示區段421及一支架422。前述實施例及實例之液晶顯示裝置之任一者經安裝於顯示區段421中。 儘管藉由給出如上文提及之例示性實施例及修改實例而進行描述，但本發明之內容不限於上文提及之例示性實施例及修改實例且可以各種方式修改。例如，在前述例示性實施例及實例中描述之液晶顯示裝置之組件之各者之位置、形狀及數目僅係實例，且可不必提供所有該等組件，且可進一步提供其他組件。 應注意，本發明可具有以下組態。 (1)一種液晶顯示裝置，其包含： 一第一基板，其包含複數個配線層且具有在該第一基板之一個表面上之複數個第一電極； 一第二基板，其經提供以面向該第一基板且具有面向該等第一電極之一第二電極；及 一液晶層，其經密封於該第一基板與該第二基板之間， 其中在該第一基板之一平面中之一周邊部分中之一厚度大於一中心部分中之一厚度。 (2)根據(1)之液晶顯示裝置，其中該第一基板之液晶層側上之一表面具有一凹形狀。 (3)根據(2)之液晶顯示裝置，其中 提供複數個像素，且 在一有效像素區中形成該凹形狀。 (4)根據(2)之液晶顯示裝置，其中該凹形狀係從該周邊部分至該中心部分稍微彎曲之一形狀。 (5)根據(1)至(4)中任一者之液晶顯示裝置，其中該等配線層之一第一配線層在該周邊部分中之佈局密度高於在該中心部分中之佈局密度。 (6)根據(5)之液晶顯示裝置，其中該第一配線層係該等配線層之一最上配線層。 (7)根據(5)或(6)之液晶顯示裝置，其中 針對該等配線層中之該等第一電極之各者提供一場效電晶體，且 該第一配線層經提供於該場效電晶體與該等第一電極之間的一層中。 (8)根據(5)至(7)中之任一者之液晶顯示裝置，其中 該第一基板具有在該第一配線層上之一第一絕緣膜，且 該第一絕緣膜在該周邊部分中之一厚度大於在該中心部分中之一厚度。 (9)根據(5)至(8)中任一者之液晶顯示裝置，其中該第一配線層之佈局密度從該中心部分至該周邊部分以一逐步方式或稍微改變。 (10)根據(5)至(9)中任一者之液晶顯示裝置，其中在該第一配線層中，該周邊部分中之配線之間的一間隔小於該中心部分中之配線之間的一間隔。 (11)根據(5)至(10)中任一者之液晶顯示裝置，其中在該第一配線層中，該周邊部分中藉由配線佔用之一面積大於該中心部分中藉由配線佔用之一面積。 (12)根據(1)至(11)中之任一者之液晶顯示裝置，其中 一第二絕緣膜經提供在一或多個配線層上，且 該第二絕緣膜在該周邊部分中具有大於該中心部分中之一厚度。 (13)根據(1)至(12)中之任一者之液晶顯示裝置，其中 該第一電極係一反射式電極，且 該第二電極係一透明電極。 (14)根據(1)至(13)中之任一者之液晶顯示裝置，其中 該第一基板包含一矽(Si)基板，且 該第二基板包含一玻璃基板。 (15)一種配備一液晶顯示裝置之電子設備，該液晶顯示裝置包含： 一第一基板，其包含複數個配線層且具有在該第一基板之一個表面上之複數個第一電極； 一第二基板，其經提供以面向該第一基板且具有面向該等第一電極之一第二電極；及 一液晶層，其經密封於該第一基板與該第二基板之間， 其中在該第一基板之一平面中之一周邊部分中之一厚度大於一中心部分中之一厚度。 熟習此項技術者應理解，可取決於設計要求及其他因素發生各種修改、組合、子組合及更改，只要該等修改、組合、子組合及更改係在隨附發明申請專利範圍或其等效物之範疇內。
1‧‧‧液晶顯示裝置1A‧‧‧光學調變器2‧‧‧投影顯示單元10‧‧‧驅動基板11‧‧‧反射式電極層11a‧‧‧像素電極11b‧‧‧對準膜12‧‧‧液晶層13a‧‧‧相對電極13b‧‧‧對準膜14‧‧‧密封部件15a‧‧‧配線層15b‧‧‧配線層15c‧‧‧配線層15a1‧‧‧配線15a2‧‧‧配線20‧‧‧相對基板21‧‧‧配線層30‧‧‧控制器31‧‧‧光源驅動器32‧‧‧光源裝置33‧‧‧投影光學系統34‧‧‧影像處理器35‧‧‧圖框記憶體36‧‧‧面板驅動器37‧‧‧投影光學系統驅動器110‧‧‧場效電晶體(FET)110D‧‧‧汲極電極110G‧‧‧閘極電極110S‧‧‧源極電極111‧‧‧Si擴散層120‧‧‧基板121‧‧‧層間絕緣膜122‧‧‧通孔123‧‧‧絕緣膜124‧‧‧絕緣膜125‧‧‧絕緣膜126‧‧‧金屬層127‧‧‧絕緣膜127a‧‧‧絕緣膜127p‧‧‧凹形圖案128‧‧‧光阻劑膜150‧‧‧絕緣膜151‧‧‧層間絕緣膜200‧‧‧螢幕410‧‧‧數位單眼相機411‧‧‧主體412‧‧‧透鏡413‧‧‧手柄414‧‧‧顯示區段415‧‧‧取景器420‧‧‧頭戴式顯示器421‧‧‧眼鏡顯示區段422‧‧‧支架A‧‧‧有效像素區Cp‧‧‧保持電容器d1‧‧‧佈局密度差DL‧‧‧信號線GL‧‧‧掃描線H1‧‧‧溝槽H2‧‧‧溝槽h3‧‧‧開口LC‧‧‧液晶元件P‧‧‧像素S1‧‧‧表面S110‧‧‧表面t1‧‧‧厚度t2‧‧‧厚度t11‧‧‧厚度t12‧‧‧厚度t21‧‧‧厚度t22‧‧‧厚度V1‧‧‧通孔V2‧‧‧通孔V3‧‧‧通孔
隨附圖式經包含以提供本發明技術之一進一步理解，且併入本說明書中並構成本說明書之一部分。該等圖式繪示實施例且與本說明書一起用來解釋本發明技術之原理。 圖1係根據本發明之一第一實施例之一液晶顯示裝置之一組態之一示意性橫截面視圖。 圖2A係繪示圖1中繪示之液晶顯示裝置中之一有效像素對角線大小與驅動基板之一凹入量之間的一關係之一圖。 圖2B係用於描述圖2A中繪示之一對角線大小及一凹形狀之一圖。 圖3係繪示在圖1中繪示之液晶顯示裝置中之一像素電路之一組態之一電路圖。 圖4A係繪示圖1中繪示之液晶顯示裝置中之一像素位置與配線密度之間的一關係之一圖。 圖4B係繪示圖1中繪示之液晶顯示裝置中之像素位置與配線密度之間的一關係之一圖。 圖5係圖1中繪示之驅動基板中之配線層之堆疊順序之一示意圖。 圖6係圖1中繪示之驅動基板之一中心部分中之一像素組態之一平面圖。 圖7係圖1中繪示之驅動基板之一周邊部分中之一像素組態之一平面圖。 圖8係用於描述製造圖1中繪示之驅動基板之一方法之一橫截面視圖。 圖9係繼圖8中之一程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖10A係繼圖9中之程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖10B係繼圖10A中之程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖11係繼圖10B中之程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖12係用於描述製造根據一修改實例1之一驅動基板之一方法之一橫截面視圖。 圖13係繼圖12中之一程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖14係繼圖13中之程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖15係根據一修改實例2之一液晶顯示裝置之一組態之一示意性橫截面視圖。 圖16係根據本發明之一第二實施例之一液晶顯示裝置之一組態之一示意性橫截面視圖。 圖17係用於描述製造圖16中繪示之一驅動基板之一方法之一橫截面視圖。 圖18A係繼圖17中之一程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖18B係繼圖18A中之程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖18C係繼圖18B中之程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖19係繼圖18C中之程序之後之一程序之一橫截面視圖。 圖20係繪示根據一應用實例1之一投影顯示單元之一整個組態的一功能方塊圖。 圖21A係根據一應用實例2之一數位單眼相機之一組態之一正視圖。 圖21B係根據應用實例2之數位單眼相機之一組態之一後視圖。 圖22係根據一應用實例3之一頭戴式顯示器之一組態之一透視圖。
1‧‧‧液晶顯示裝置
10‧‧‧驅動基板
11‧‧‧反射式電極層
11a‧‧‧像素電極
11b‧‧‧對準膜
12‧‧‧液晶層
13a‧‧‧相對電極
13b‧‧‧對準膜
14‧‧‧密封部件
15a‧‧‧配線層
15a1‧‧‧配線
15a2‧‧‧配線
15b‧‧‧配線層
20‧‧‧相對基板
150‧‧‧絕緣膜
A‧‧‧有效像素區
LC‧‧‧液晶元件
S1‧‧‧表面
t1‧‧‧厚度
t2‧‧‧厚度

Claims (18)

  1. 一種液晶顯示裝置，其包括：一第一基板，其包含複數個配線層及在該第一基板之一第一表面上之複數個第一電極，其中該複數個配線層之一特定配線層包含配線，且該特定配線層中之該等配線在該第一基板之一周邊部分中之一佈局密度(layout density)高於在該第一基板之一中心部分中之一佈局密度；一第二基板，其面向該第一基板，其中該第二基板包含面向該複數個第一電極之一第二電極；及一液晶層，其在該第一基板與該第二基板之間，其中該第一基板之該周邊部分之一第一厚度大於該第一基板之該中心部分之一第二厚度。
  2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該第一基板之該第一表面之形狀係一凹(concave)形狀。
  3. 如請求項2之液晶顯示裝置，其進一步包括包含複數個像素之一有效像素區，其中該有效像素區包含該第一表面之該凹形狀。
  4. 如請求項3之液晶顯示裝置，其中該有效像素區包含該第一厚度及該第二厚度。
  5. 如請求項2之液晶顯示裝置，其中該第一基板之該凹形狀從該第一基板之該周邊部分延伸至該第一基板之該中心部分。
  6. 如請求項3之液晶顯示裝置，其中在該有效像素區之一中心處之一凹入量(amount of recess)係基於一有效像素對角線大小，該凹入量對應於該第一厚度及該第二厚度之間之一差值，且該有效像素對角線大小對應於該有效像素區之一大小。
  7. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該特定配線層係該複數個配線層中一最上配線層。
  8. 如請求項1之液晶顯示裝置，其進一步包括複數個場效電晶體，其等耦合至該複數個第一電極中之至少一者，其中該特定配線層位於該複數個場效電晶體與該複數個第一電極中之該至少一者之間。
  9. 如請求項1之液晶顯示裝置，其進一步包括：一第一絕緣膜，其位於該特定配線層上；及一第二絕緣膜，其位於該第一絕緣層上，其中該第一基板之該周邊部分中之該第二絕緣膜之一第三厚度大於該第一基板之該中心部分中之該第二絕緣膜之一第四厚度。
  10. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該等配線之該佈局密度從該第一基 板之該中心部分至該第一基板之該周邊部分以一逐步方式(in a stepwise fashion)改變。
  11. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該等配線之該佈局密度從該第一基板之該中心部分至該第一基板之該周邊部分逐漸(gradually)改變。
  12. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該第一基板之該周邊部分中之該等配線之間的一間隔小於該第一基板之該中心部分中之該等配線之間的一間隔。
  13. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中與該第一基板之該周邊部分中之配線關聯之一面積大於與該第一基板之該中心部分中之配線關聯之一面積。
  14. 如請求項1之液晶顯示裝置，其進一步包括一絕緣膜，其位於該複數個配線層之該特定配線層上，其中在該第一基板之該周邊部分中之該絕緣膜之一第三厚度大於在該第一基板之該中心部分中之該絕緣膜之一第四厚度。
  15. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該複數個第一電極中之各者係一反射式電極，且該第二電極係一透明電極。
  16. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中 該第一基板包括矽(Si)，且該第二基板包括一玻璃。
  17. 如請求項1之液晶顯示裝置，其進一步包括：一第一對準膜(alignment film)，其位於該複數個第一電極上；及一第二對準膜，其位於該第二電極上，其中該第二對準膜與第一對準膜不同。
  18. 一種電子設備，其包括：一液晶顯示裝置，其包含：一第一基板，其包含複數個配線層及在該第一基板之一第一表面上之複數個第一電極，其中該複數個配線層之一特定配線層包含配線，且該特定配線層中之該等配線在該第一基板之一周邊部分中之一佈局密度高於在該第一基板之一中心部分中之一佈局密度；一第二基板，其面向該第一基板，其中該第二基板包含面向該複數個第一電極之一第二電極；及一液晶層，其在該第一基板與該第二基板之間，其中該第一基板之該周邊部分中之一第一厚度大於該第一基板之該中心部分中之一第二厚度。
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