JP6672832B2 - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents
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Description
シリコン(Si)基板の上に複数の配線層を含むと共に、一方の面に複数の第1電極を有する第1基板と、
前記第1基板に対向配置されると共に、前記複数の第1電極に対向して第2電極を有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層と
を備え、
前記第1基板の面内の周辺部における厚みは、中央部における厚みよりも大きく、
前記複数の配線層のうちの第1配線層の配置密度は、前記周辺部において前記中央部よりも高い
液晶表示装置。
1.第1の実施形態(配線密度パターンにより、中央部よりも周辺部において大きい厚みを有する駆動基板を備えた液晶表示装置の例)
2.変形例1(駆動基板の製造方法の他の例)
3.変形例2(他の配線層の配線密度を変化させた場合の例)
4.第2の実施形態(中央部よりも周辺部において大きい厚みを有する駆動基板を備えた他の液晶表示装置の例)
5.適用例1〜3(電子機器の例)
図1は、本開示の第1の実施形態に係る液晶表示装置(液晶表示装置1)の構成を表したものである。液晶表示装置1は、例えばLCOS(Liquid crystal on silicon)を用いた反射型表示デバイスである。
図3は、液晶表示装置1の画素回路の構成を表したものである。尚、図3では、4つの画素Pに対応する領域について示している。このように、画素(画素P)は、液晶素子LCと、保持容量Cpと、FET110とを含むものである。各画素Pには、走査線GLと信号線DLとが接続されている。走査線GLは、FET110の例えばゲートに接続されており、図示しない走査線駆動回路から、所定のタイミングでFET110へ走査信号を供給するための配線である。信号線DLは、外部から入力された映像信号に基づく信号を、信号線駆動回路から各画素Pへ供給するための配線である。尚、走査線駆動回路および信号線駆動回路は、有効画素領域Aの周辺領域に形成されるか、または接続されている。この画素回路は、駆動基板10に複数層にわたって形成されている。
上記のような駆動基板10は、例えば次のようにして形成することができる。図8〜図11は、駆動基板10の製造工程を説明するための断面図である。尚、これらの図では、周辺部の2画素に対応する領域と中央部の2画素に対応する領域のみを抜粋して示している。
本実施の形態の液晶表示装置1では、画素電極11aおよび対向電極13aを通じて、液晶層12に対して画素毎に映像信号に対応する電圧が印加される。これにより、液晶層12では、画素毎に透過率が変化する。対向基板20の側から入射した光は、反射電極層11において反射された後、液晶層12を透過する際に画素毎に変調され、映像として表示される。
図12〜図14は、変形例1に係る駆動基板の製造方法を説明するための図である。上記第1の実施の形態では、駆動基板10の製造方法において、アルミニウムからなる配線層15aを所定の配線密度で形成した後、その上に成膜した絶縁膜をCMPにより研磨することで、凹形状を形成した。本変形例では、配線層15aが、例えば銅から構成される場合等に、いわゆるダマシンプロセスを用いて凹形状を形成する手法について説明する。
図15は、変形例2に係る液晶表示装置の構成を表したものである。上記第1の実施の形態では、駆動基板10において配線層15aが最上層に配置される場合について説明したが、この配線層15aは、必ずしも最上層のものでなくともよい。例えば、本変形例では、配線層15aが、駆動基板10に配置された配線層のうち上から2番目の配線層となっている。
図16は、本開示の第2の実施形態に係る液晶表示装置の構成を表したものである。この液晶表示装置は、上記第1の実施の形態の液晶表示装置1と同様、例えばLCOS(Liquid crystal on silicon)を用いた反射型表示デバイスである。また、駆動基板10と対向基板20との間に液晶層12が封止されたものである。駆動基板10の一面(液晶層12側の面S1)には、複数の画素電極11aを含む反射電極層11が形成されている。対向基板20の一面(液晶層12側の面)には、反射電極層11に対向して対向電極13aが形成されている。液晶層12の周囲は封止部材14によって封止されている。
図20は、適用例1に係る投射型表示装置(投射型表示装置2)の全体構成を表す機能ブロック図である。この投射型表示装置2は、例えばスクリーン200(投射面)に画像を投射する表示装置である。投射型表示装置2は、例えば、図示しないPC等のコンピュータや各種画像プレーヤ等の外部の画像供給装置に、I/F(インターフェイス)を介して接続されており、このインターフェイスに入力される画像信号に基づいて、スクリーン200への投影を行うものである。
図21Aおよび図21Bは、デジタル一眼レフカメラ410の外観を表したものである。このデジタル一眼レフカメラ410は、例えば本体部411,レンズ412,グリップ413,表示部414およびビューファインダー415などを有している。表示部414またはビューファインダー415に、上記実施の形態等の液晶表示装置が搭載されている。
図22は、ヘッドマウントディスプレイ420の外観を表したものである。ヘッドマウントディスプレイ420は、例えば眼鏡型の表示部421および支持部422を有している。表示部421に、上記実施の形態等の液晶表示装置が搭載されている。
(1)
複数の配線層を含むと共に、一方の面に複数の第1電極を有する第1基板と、
前記第1基板に対向配置されると共に、前記複数の第1電極に対向して第2電極を有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層と
を備え、
前記第1基板の面内の周辺部における厚みは、中央部における厚みよりも大きい
液晶表示装置。
(2)
前記第1基板の前記液晶層側の面は凹形状を有する
上記(1)に記載の液晶表示装置。
(3)
複数の画素を含み、
前記凹形状は、有効画素領域に形成されている
上記(2)に記載の液晶表示装置。
(4)
前記凹形状は、前記周辺部から中央部に向かって緩やかに湾曲した形状である
上記(2)に記載の液晶表示装置。
(5)
前記複数の配線層のうちの第1配線層の配置密度は、前記周辺部において前記中央部よりも高い
上記(1)〜(4)のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
(6)
前記第1配線層は、前記複数の配線層のうちの最上層の配線層である
上記(5)に記載の液晶表示装置。
(7)
前記複数の配線層には、前記第1電極毎に薄膜トランジスタが形成され、
前記第1配線層は、前記薄膜トランジスタと前記第1電極との間の層に配置されている
上記(5)または(6)に記載の液晶表示装置。
(8)
前記第1基板は、前記第1配線層上に第1絶縁膜を有し、
前記第1絶縁膜の厚みは、前記周辺部において前記中央部よりも大きい
上記(5)〜(7)のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
(9)
前記第1配線層の配置密度は、前記中央部から前記周辺部に向かって階段状にまたは緩やかに変化する
上記(5)〜(8)のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
(10)
前記第1配線層では、前記周辺部において前記中央部よりも配線同士の間隔が小さい
上記(5)〜(9)のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
(11)
前記第1配線層では、前記周辺部において前記中央部よりも配線面積占有率が高い
上記(5)〜(10)のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
(12)
前記1または複数の配線層の上に第2絶縁膜を有し、
前記第2絶縁膜の厚みは、前記周辺部において前記中央部よりも大きい
上記(1)〜(11)のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
(13)
前記第1電極は反射電極であり、
前記第2電極は透明電極である
上記(1)〜(12)のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
(14)
前記第1基板はシリコン(Si)基板を含み、
前記第2基板はガラス基板を含む
上記(1)〜(13)のいずれか1つに記載の液晶表示装置。
(15)
複数の配線層を含むと共に、一方の面に複数の第1電極を有する第1基板と、
前記第1基板に対向配置されると共に、前記複数の第1電極に対向して第2電極を有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層と
を備え、
前記第1基板の面内の周辺部における厚みは、中央部における厚みよりも大きい
液晶表示装置を有する電子機器。
Claims (14)
- シリコン(Si)基板の上に複数の配線層を含むと共に、一方の面に複数の第1電極を有する第1基板と、
前記第1基板に対向配置されると共に、前記複数の第1電極に対向して第2電極を有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層と
を備え、
前記第1基板の面内の周辺部における厚みは、中央部における厚みよりも大きく、
前記複数の配線層のうちの第1配線層の配置密度は、前記周辺部において前記中央部よりも高い
液晶表示装置。 - 前記第1基板の前記液晶層側の面は凹形状を有する
請求項1に記載の液晶表示装置。 - 複数の画素を含み、
前記凹形状は、有効画素領域に形成されている
請求項2に記載の液晶表示装置。 - 前記凹形状は、前記周辺部から前記中央部に向かって緩やかに湾曲した形状である
請求項2に記載の液晶表示装置。 - 前記第1配線層は、前記複数の配線層のうちの最上層の配線層である
請求項1〜4のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 - 前記複数の配線層には、前記第1電極毎に電界効果型トランジスタが形成され、
前記第1配線層は、前記電界効果型トランジスタと前記第1電極との間の層に配置されている
請求項1〜5のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 - 前記第1基板は、前記第1配線層上に第1絶縁膜を有し、
前記第1絶縁膜の厚みは、前記周辺部において前記中央部よりも大きい
請求項1〜6のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 - 前記第1配線層の配置密度は、前記中央部から前記周辺部に向かって階段状にまたは緩やかに変化する
請求項1〜7のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 - 前記第1配線層では、前記周辺部において前記中央部よりも配線同士の間隔が小さい
請求項1〜8のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 - 前記第1配線層では、前記周辺部において前記中央部よりも配線面積占有率が高い
請求項1〜9のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 - 前記複数の配線層の上に第2絶縁膜を有し、
前記第2絶縁膜の厚みは、前記周辺部において前記中央部よりも大きい
請求項1〜10のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 - 前記第1電極は反射電極であり、
前記第2電極は透明電極である
請求項1〜11のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 - 前記第2基板はガラス基板を含む
請求項1〜12のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 - シリコン(Si)基板の上に複数の配線層を含むと共に、一方の面に複数の第1電極を有する第1基板と、
前記第1基板に対向配置されると共に、前記複数の第1電極に対向して第2電極を有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層と
を備え、
前記第1基板の面内の周辺部における厚みは、中央部における厚みよりも大きく、
前記複数の配線層のうちの第1配線層の配置密度は、前記周辺部において前記中央部よりも高い
液晶表示装置を有する電子機器。
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