TWI716876B - 阻障構件 - Google Patents
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Abstract
一種阻障構件，包含至少一個積層體。積層體包括一個修飾層，及 一個或多個設置在該修飾層上的阻障單元。修飾層由含有烷氧基矽烷化合物水解縮合並經金屬源改質之產物的膠體溶液固化形成。每個阻障單元具有交替堆疊設置的一個氧化鋁層、一個氧化矽層，及一個氧化鋯層。本發明阻障構件具有優異的水氣阻障能力及氧氣阻障能力，並具有良好的光學性質。
Description
本發明是有關於一種積層體，特別是指一種用於阻隔水氣及氧氣的阻障構件。
隨著電子產品日新月異，厚重的玻璃基板逐漸被輕、薄、可撓曲且可塑性高的軟性塑膠基板取代，軟性電子裝置如電子紙、染料敏化太陽能電池(DSSCs)、有機太陽能電池(OPV)及有機發光二極體(OLED)等相關技術是現今熱門的發展趨勢。
然而，此類軟性電子裝置，例如有機太陽能電池或是有機發光二極體的元件內部中設置著高敏感的有機材料以及易氧化的陰極金屬，而軟性塑膠基板的缺點是具有較高的氧氣滲透率及水氣穿透率，極易導致空氣中的水氣及氧氣透過塑膠基板滲透至軟性電子裝置的內部，導致其中的有機發光材料及金屬電極的劣化及老化，從而降低軟性電子裝置的穩定性及產品壽命。
因此，為延長軟性電子裝置的產品壽命，業界通常使用具有阻水氣阻氧氣功能的阻障膜阻擋水氣及氧氣穿透至元件內部，藉此防止元件內部的有機材料劣化及陰極金屬老化。此外，水氣阻障膜在商業化應用上還需具備高透光等性質。
因此，本發明的目的，即在提供一種具有阻障功能且高透光的阻障構件。
於是，本發明阻障構件，包含：
至少一個積層體，包括：
一個修飾層，由一膠體溶液固化形成，該膠體溶液含有烷氧基矽烷化合物水解縮合並經金屬源改質的產物，及
一個或多個阻障單元，設置在該修飾層上，且每個阻障單元具有交替堆疊設置的一個氧化鋁層、一個氧化矽層，及一個氧化鋯層。
本發明的功效在於：本發明阻障構件透過該修飾層與具有該氧化鋁層、氧化矽層及氧化鋯層的該阻障單元互相搭配，繼而具有良好的水氣阻障能力及光學性質。
本發明的另一功效在於：本發明阻障構件透過該修飾層與具有該氧化鋁層、氧化矽層及氧化鋯層的阻障單元互相搭配，繼而具有優異的氧氣阻障能力。
以下就本發明內容進行詳細說明：
本發明阻障構件包含一個基板，及至少一個設置在該基板的積層體。該至少一個積層體包括一個修飾層，及一個或多個設置在該修飾層上的阻障單元，且每個阻障單元具有交替堆疊設置的一個氧化鋁層、一個氧化矽層，及一個氧化鋯層。
該基板例如但不限於具有光穿透性的可撓性基板。該基板的材質沒有特別限制，例如但不限於聚酯樹脂(polyester resin)、聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylate resin)、聚烯烴樹脂(polyolefin resin)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resin)、聚氯乙烯、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)或聚乳酸(polylactic acid)等。聚酯樹脂例如但不限於：聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)，或聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)等。聚丙烯酸酯樹脂例如但不限於：聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)等。該聚烯烴樹脂例如但不限於：聚乙烯或聚丙烯等。該基板的表面可選擇性地經過改質處理，改質處理的具體方式例如但不限於以氧氣電漿對該基板的表面進行改質。該基板的厚度沒有特別限制，例如但不限於25至250 μm。
該修飾層是由一膠體溶液經固化形成，該膠體溶液含有烷氧基矽烷化合物水解縮合並經金屬源改質的產物。該膠體溶液是利用溶膠凝膠法(sol-gel)所製得，更詳細地說，該膠體溶液是透過烷氧基矽烷化合物進行水解反應、縮合反應並經金屬源改質所製得。該烷氧基矽烷化合物例如但不限於：丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷(3-Glycidyloxypropyltrimethoxysilane)、四乙氧基矽烷(tetraethyl orthosilicate)、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷(3-mercaptopropyltrimethoxysilane)或乙烯基三乙氧基矽烷(vinyltriethoxysilane)，上述的烷氧基矽烷化合物能單獨一種或混合多種使用。該烷氧基矽烷化合物進行水解反應及縮合反應的反應條件於此無特別限制，可參考現有的溶膠凝膠法的工藝技術，彈性調整該烷氧基矽烷化合物進行水解反應及縮合反應時的各項反應條件。該金屬源例如但不限於鋁源、鋯源或鈦源，上述的金屬源能單獨一種或混合多種使用。該金屬源改質的具體態樣，例如但不限於使氧化鋁粉末、氧化鋯粉末、氧化鈦粉末或上述的任意組合，與該烷氧基矽烷化合物水解、縮合形成的產物混合；或者，使含鋁螯合物、含鋯螯合物、含鈦螯合物或上述的任意組合，與該烷氧基矽烷化合物水解、縮合形成的產物進行錯合反應，其中，該含鋁螯合物例如但不限於乙醯丙酮鋁[aluminum acetylacetonate，Al(acac)
3]，該含鋯螯合物例如但不限於乙醯丙酮鋯[tetrakis(2,4-pentanedionato) zirconium(IV)，Zr(acac)
4]，該含鈦螯合物例如但不限於二(乙醯丙酮基)鈦酸二異丙酯[titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate)]。在本發明的一些實施態樣中，該修飾層的厚度範圍例如但不限於600至1000 nm。
該氧化鋁層、氧化矽層及氧化鋯層的製備方式例如但不限於分別使用對應的靶材(氧化鋁靶材、氧化矽靶材、氧化鋯靶材)進行蒸鍍，該蒸鍍例如但不限於熱電阻式蒸鍍、電子束蒸鍍(Electron beam evaporation)或雷射蒸鍍等，在本發明的一些實施態樣中，該蒸鍍是電子束蒸鍍。較佳地，該蒸鍍是在離子源的存在下進行。更佳地，該氧化鋁層、氧化矽層及氧化鋯層是分別使用對應的靶材並利用電子束蒸鍍所形成，且該電子束蒸鍍是在離子源的存在下進行，能使該阻障構件具有更佳的水氣及氧氣阻障能力。在本發明的一些實施態樣中，該氧化鋁層的厚度範圍例如但不限於10至100 nm。在本發明的一些實施態樣中，該氧化矽層的厚度範圍例如但不限於10至100 nm。在本發明的一些實施態樣中，該氧化鋯層的厚度範圍例如但不限於10至100 nm。
本發明將就以下的實施態樣對本發明阻障構件的結構作進一步說明，但應瞭解的是，該實施態樣僅為例示說明之用，而不應被解釋為本發明實施之限制。
在本發明阻障構件的結構被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1，本發明阻障構件的第一種實施態樣，包含一個基板1，及一個設置在該基板1的積層體2。該積層體2包括一個修飾層21，及一個設置在該修飾層21上的阻障單元22。該阻障單元22具有交替堆疊設置的一個氧化鋁層221、一個氧化矽層222，及一個氧化鋯層223，且該氧化鋁層221疊置在該修飾層21上，該氧化矽層222疊置於該氧化鋁層221上，該氧化鋯層223設置在該氧化矽層222上。
雖然在圖1所示的第一種實施態樣中，該氧化鋁層221、氧化矽層222及氧化鋯層223的堆疊順序是如上所述，但可以理解的是，該氧化鋁層221、氧化矽層222及氧化鋯層223的堆疊順序並不受限於上述，也可以例如為以下的幾種堆疊順序(圖未示)，從鄰近該修飾層21至遠離該修飾層21的方向依序為：(1)氧化鋁層221、氧化鋯層223、氧化矽層222；(2)氧化矽層222、氧化鋁層221、氧化鋯層223；(3)氧化矽層222、氧化鋯層223、氧化鋁層221；(4) 氧化鋯層223、氧化鋁層221、氧化矽層222；(5) 氧化鋯層223、氧化矽層222、氧化鋁層221。
參閱圖2，本發明阻障構件的第二種實施態樣，與該第一種實施態樣不同之處在於，在第二種實施態樣中，該阻障構件包含2個交替堆疊設置的積層體2。
參閱圖3，本發明阻障構件的第三種實施態樣，與該第一種實施態樣不同之處在於，在第三種實施態樣中，該阻障構件包含3個交替堆疊設置的積層體2。
參閱圖4，本發明阻障構件的第四種實施態樣，與該第一種實施態樣不同之處在於，在第四種實施態樣中，該阻障構件包含4個交替堆疊設置的積層體2。
參閱圖5，為本發明阻障構件的第五種實施態樣，與該第一種實施態樣不同之處在於，在第五種實施態樣中，該積層體2包括3個交替堆疊設置的阻障單元22。其中，該等阻障單元22的其中一個阻障單元22的氧化鋁層221是疊置於該修飾層21上，且每個阻障單元22的該氧化矽層222是疊置於該氧化鋁層221上，該氧化鋯層223是疊置於該氧化矽層222上。
參閱圖6至10，分別依序為本發明阻障構件的第六至十種實施態樣，與該第五種實施態樣不同之處在於，該等阻障單元22的堆疊順序。
參閱圖6，在該第六種實施態樣中，該等阻障單元22的其中一個阻障單元22的氧化鋁層221是疊置於該修飾層21上，且每個阻障單元22的該氧化鋯層223是疊置於該氧化鋁層221上，該氧化矽層222是疊置於該氧化鋯層223上。
參閱圖7，在該第七種實施態樣中，該等阻障單元22的其中一個阻障單元22的氧化矽層222是疊置於該修飾層21上，且每個阻障單元22的該氧化鋁層221是疊置於該氧化矽層222上，該氧化鋯層223是疊置於該氧化鋁層221上。
參閱圖8，在該第八種實施態樣中，該等阻障單元22的其中一個阻障單元22的氧化矽層222是疊置於該修飾層21上，且每個阻障單元22的該氧化鋯層223是疊置於該氧化矽層222上，該氧化鋁層221是疊置於該氧化鋯層223上。
參閱圖9，在該第九種實施態樣中，該等阻障單元22的其中一個阻障單元22的氧化鋯層223是疊置於該修飾層21上，且每個阻障單元22的該氧化鋁層221是疊置於該氧化鋯層223上，該氧化矽層222是疊置於該氧化鋁層221上。
參閱圖10，在該第十種實施態樣中，該等阻障單元22的其中一個阻障單元22的氧化鋯層223是疊置於該修飾層21上，且每個阻障單元22的該氧化矽層222是疊置於該氧化鋯層223上，該氧化鋁層221是疊置於該氧化矽層222上。
在該第五至十種實施態樣中，該等阻障單元22的數目為3個，但可以理解的是該等阻障單元22的數目並不受限於3個，也可以例如為2個、4個等。
〈實施例〉
本發明將就以下具體的實施例來作進一步說明，但應瞭解的是，該實施例僅為例示說明之用，而不應被解釋為本發明實施之限制。
[實施例1]
實施例1的阻障構件的層結構是如表1所示。其中，修飾層、阻障單元中的各個氧化鋁層、氧化矽層及氧化鋯層的製備方式，詳述如下。
修飾層的製備：
在一個圓底燒瓶中加入4克的丙基三甲氧基矽烷(購自於ALDRICH，純度為98%)、4克的四乙氧基矽烷(購自於ALDRICH，純度為98%)及1克的1-丁醇(購自於Honeywell，純度為99.5%)並以磁石進行攪拌，得到第一組成物。另取一個樣品瓶，並在該樣品瓶中加入1.5克的去離子水、0.03克的濃度為36.5%的鹽酸，及0.9克的乙醇(購自於Fisher，純度為99.8%)並進行攪拌，得到第二組成物。將裝有該第一組成物的圓底燒瓶置於冰浴環境並攪拌該第一組成物，利用針筒將該第二組成物緩慢地全部滴加到該第一組成物中，得到第三組成物。接著，將裝有該第三組成物的該圓底燒瓶從冰浴中取出並在室溫(25℃)下攪拌，使該第三組成物的溫度回復至室溫。接著，利用一回流裝置，將該第三組成物在80℃回流攪拌1.5小時使該第三組成物完全反應，再加入0.8克的1-丁醇及0.2克的乙醯基丙酮鋁(購自於ACROS，純度為97%)，之後，利用由鹽酸及1-丁醇所組成的混合液(鹽酸：1-丁醇的比例為1：1)調整pH值至2.0，得到一混合物。最後將該混合物在室溫(25℃)下持續攪拌2天，得到膠體溶液。
將一基板[材質為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，廠商型號為南亞塑膠股份有限公司的CH885Y，厚度為125 μm]先置於濃度為75%的乙醇中並以超音波震盪清洗5分鐘，再置於丙酮中並以超音波震盪清洗5分鐘，接著將該基板置於烘箱中於80°C烘乾5分鐘，最後利用高壓空氣清潔該基板的表面。接著，將該膠體溶液均勻地塗佈在該基板的表面，將已塗佈該膠體溶液的基板置於一烘箱中並使用以下條件進行烘烤：以60°C烘烤15分鐘，80°C烘烤15分鐘，105°C烘烤60分鐘，使該膠體溶液固化形成一修飾層，得到一第一層合體。
阻障單元的製備：
利用一個具有離子束助鍍功能的電子束蒸鍍設備(廠商型號為日本昭和真空公司的SGC-22SA-IAD)，先將該第一層合體進行表面清潔，再於該第一層合體的修飾層上形成各個氧化鋁層、氧化矽層及氧化鋯層。製備方式說明如下。
該第一層合體的表面清潔方式為：將第一層合體置入該電子束蒸鍍設備的腔體中，先將該腔體的背景壓力抽至 6×10
-4Pa，然後開啟離子源進行表面清潔。其中，表面清潔的條件為：氬氣的流量為15 sccm，離子源電壓為90V，離子源電流為2.1A，清潔時間為2分鐘。
氧化鋁層的製備方式為：靶材為氧化鋁(廠商為凱達森實業有限公司，純度為99.9%，尺寸為直徑 2吋，厚度 3mm)。先將腔體的背景壓力抽至6×10
-4Pa，然後開啟電子槍進行電子束蒸鍍，其中，電子束蒸鍍條件為：電子槍電壓為6 kV，電子槍電流為200 mA，蒸鍍速率為4 Å/sec，蒸鍍時間為1至5分鐘。
氧化矽層的製備方式為：靶材為氧化矽(廠商為邦杰，純度為99.999%)。先將腔體的背景壓力抽至6×10
-4Pa，然後開啟電子槍進行電子束蒸鍍，其中，電子束蒸鍍條件為：電子槍電壓為6 kV，電子槍電流定為40 mA，蒸鍍速率為2 Å/sec，蒸鍍時間為1至10分鐘。
氧化鋯層的製備方式為：靶材為氧化鋯(廠商為邦杰，純度為99.99%)。先將腔體的背景壓力抽至6×10
-4Pa，然後開啟電子槍進行電子束蒸鍍，其中，電子束蒸鍍條件為：電子槍電壓為6 kV，電子槍電流為165 mA，蒸鍍速率為2 Å/sec，蒸鍍時間為1至10分鐘。
[實施例2]
實施例2的阻障構件的層結構是如表1所示。其中，實施例2使用與實施例1相同的方式製備修飾層，但在「離子源」的存在下進行蒸鍍來製備各個氧化鋁層、氧化矽層及氧化鋯層。氧化鋁層、氧化矽層及氧化鋯層的製備方式說明如下。
氧化鋁層的製備方式為：靶材為氧化鋁，腔體的背景壓力為6×10
-4Pa，同時開啟電子槍及離子源進行束蒸鍍，電子槍電壓為6 kV，電子槍電流為200 mA，氬氣通入量為15 sccm，離子源電壓為110V，離子源電流為1.5A，蒸鍍速率為4 Å/sec，蒸鍍時間為1至5分鐘。
氧化矽層的製備方式為：靶材為氧化矽，腔體的背景壓力為6×10
-4Pa，同時開啟電子槍及離子源進行蒸鍍，電子槍電壓為6kV，電子槍電流為40mA，氬氣通入量為15 sccm，離子源電壓為110 V，離子源電流為2.1 A，蒸鍍速率為2 Å/sec，蒸鍍時間為1至10分鐘。
氧化鋯層的製備方式為：靶材為氧化鋯，腔體的背景壓力為6×10
-4Pa，同時開啟電子槍及離子源進行蒸鍍，電子槍電壓為6 kV，電子槍設定為165 mA，氬氣通入量為15 sccm，離子源電壓為110 V，離子源電流為3.0 A，蒸鍍速率為2 Å/sec，蒸鍍時間為1至10分鐘。
[實施例3至12、比較例1至4]
實施例3至12、比較例1至4使用與實施例2相似的方式製備阻障構件，差別在於如表1所示改變阻障構件的層結構。其中，為了使該實施例3至8的阻障構件的總厚度與比較例1至2的阻障構件的總厚度相同以便於相互比較，在實施例3至8的阻障構件中還包含一個設置在該阻障單元的氧化鋁表面層。該氧化鋁表面層的製備方式與氧化鋁層的製備方式相同，於此不再贅述。
[性質評價]
1. 光穿透率
利用UV-VIS光譜儀(型號為Agilent cary 5000)量測各個實施例及比較例的阻障構件的光穿透率(transmittance，T%)。首先以空氣作為背景，將該UV-VIS光譜儀進行全光校正，再將待測的阻障構件置於該UV-VIS光譜儀中進行量測，量測的波長範圍為380至780nm。量測得到的光穿透率的圖譜如圖11及圖13所示。並將各波長的光穿透率取平均值，得到平均光穿透率，平均光穿透率是如表2所示。
2. 色度
利用UV-VIS光譜儀(型號為Agilent cary 5000)並搭配擴充軟體(軟體名稱為Color)，量測各個實施例及比較例的阻障構件於CIE LAB色空間的色度值。a*的數值為正，表示顏色偏向紅色；數值為負，表示顏色偏向綠色；若a*的絕對值在0至1之間，表示其顏色無法被人類的肉眼所辨識。b*的數值為正，表示顏色偏向黃色；數值為負，表示顏色偏向藍色；若b*的絕對值在0至1之間，表示其顏色無法被人類的肉眼所辨識。測量結果如表2、圖12及圖14所示。
3. 水氣穿透率(Water Vapor Transmission Rate，WVTR)
利用水氣滲透量測儀(廠商型號為Mocon AQUATRAN
®Model 2 G，偵測極限為5×10
-5g/m
2．day)，量測各個實施例及比較例的阻障構件的水氣穿透率。將待測的阻障構件置於該水氣滲透量測儀的樣品槽中，測量時在樣品槽的一側利用溼度計(為該水氣滲透量測儀內建)控制濕度並且通入氮氣，當氮氣攜帶水氣滲透過待測的阻障構件到達樣品槽的另一側時，會進入庫侖電量五氧化二磷傳感器以偵測滲透水氣的含量，藉此分析待測的阻障構件的水氣穿透率。其中，量測的條件為：溫度為37.8℃，相對溼度為100%，樣品槽流量設定為20 sccm。水氣穿透率的數值越低，代表阻障構件的水氣阻障能力越好。測量結果如表2所示。
4. 氧氣穿透率(oxygen transmission rate，OTR)
利用氧氣透過分析儀(廠商型號為Mocon OX-TRAN MODEL 2/61，偵測極限為0.1 cc/m
2．day)，量測實施例及比較例的阻障構件的氧氣穿透率。將待測的阻障構件置於該氧氣穿透量測儀的樣品槽中，並在樣品槽中通入氮氣，當氮氣攜帶氧氣穿透待測的阻障構件到達樣品槽的另一側時，會進入庫侖傳感器以偵測滲透氧氣的含量，藉此分析待測的阻障構件的氧氣穿透率。其中，量測的條件為：溫度為23℃，相對溼度為0%，氧氣濃度100%，樣品槽流量設定為10 sccm。氧氣穿透率的數值越低，代表阻障構件的氧氣阻障能力越好。測量結果如表2所示。
表1
註：表1中，「P」表示PET基板，厚度為125μm；「O」表示修飾層，厚度為900 nm；「Al」表示氧化鋁層，厚度為10 nm；「Si」表示氧化矽層，厚度為10 nm；「Zr」表示氧化鋯層，厚度為10 nm；「Al*」表示氧化鋁表面層，厚度為10 nm。
| 阻障 構件 | 阻障構件的結構 | 離子 助鍍 | 積層體數目 | 阻障單元 總厚度(nm) | |
| 實施例 | 1 | P/O/Al/Si/Zr/Al/Si/Zr/Al/Si/Zr | 無 | 1 | 90 |
| 2 | P/O/Al/Si/Zr/Al/Si/Zr/Al/Si/Zr | 有 | 1 | 90 | |
| 3 | P/O/Al/Si/Zr/Al/Si/Zr/Al/Si/Zr/Al* | 有 | 1 | 100 | |
| 4 | P/O/Al/Zr/Si/Al/Zr/Si/Al/Zr/Si/A1* | 有 | 1 | 100 | |
| 5 | P/O/Zr/Al/Si/Zr/Al/Si/Zr/Al/Si/Al* | 有 | 1 | 100 | |
| 6 | P/O/Zr/Si/Al/Zr/Si/Al/Zr/Si/Al/Al* | 有 | 1 | 100 | |
| 7 | P/O/Si/Al/Zr/Si/Al/Zr/Si/Al/Zr/Al* | 有 | 1 | 100 | |
| 8 | P/O/Si/Zr/Al/Si/Zr/Al/Si/Zr/Al/Al* | 有 | 1 | 100 | |
| 9 | P/O/Al/Si/Zr/ | 有 | 1 | --- | |
| 10 | P/O/Al/Si/Zr/O/Al/Si/Zr | 有 | 2 | --- | |
| 11 | P/O/Al/Si/Zr/O/Al/Si/Zr//O/Al/Si/Zr | 有 | 3 | --- | |
| 12 | P/O/Al/Si/Zr/O/Al/Si/Zr/O/Al/Si/Zr/O/Al/Si/Zr | 有 | 4 | --- | |
| 比較例 | 1 | P | --- | --- | --- |
| 2 | P/O | --- | --- | --- | |
| 3 | P/O/Al/Si/Al/Si/Al/Si/Al/Si/Al/Si | 有 | 1 | 100 | |
| 4 | P/O/Al/Zr/Al/Zr/Al/Zr/Al/Zr/Al/Zr | 有 | 1 | 100 |
表2
| T(%) | CIE LAB | WVTR (g/m 2‧day) | OTR (cc/m 2‧day) | ||||
| a* | b* | L* | |||||
| 實施例 | 1 | 86.23 | -0.9674 | -0.7246 | 95.1326 | 0.5380 | 小於0.1 (偵測極限) |
| 2 | 86.93 | -0.9376 | -0.6572 | 95.8479 | 0.0308 | 小於0.1 (偵測極限) | |
| 3 | 86.82 | -0.9873 | -0.7176 | 95.3479 | 0.0334 | 無量測 | |
| 4 | 86.78 | -0.9622 | -1.2120 | 94.9364 | 0.0647 | 無量測 | |
| 5 | 87.46 | -1.9902 | 3.3923 | 96.2127 | 0.1175 | 無量測 | |
| 6 | 87.00 | -0.1862 | -1.2692 | 95.0710 | 0.1482 | 無量測 | |
| 7 | 85.78 | -0.7085 | -1.3957 | 94.5372 | 0.1535 | 無量測 | |
| 8 | 85.00 | -0.8974 | -1.7944 | 94.0891 | 0.0729 | 無量測 | |
| 9 | 88.62 | -0.0309 | 0.4697 | 95.5390 | 0.0334 | 無量測 | |
| 10 | 88.20 | -0.1109 | 0.5189 | 95.4057 | 0.0079 | 無量測 | |
| 11 | 85.27 | -0.0792 | 0.6863 | 94.1555 | 0.0011 | 無量測 | |
| 12 | 83.55 | -0.1629 | 0.7138 | 93.3593 | 小於5×10 -5 | 無量測 | |
| 比較例 | 1 | 90.36 | -0.2181 | 0.4984 | 96.3306 | 5.550 | 無量測 |
| 2 | 90.35 | -0.1360 | 0.7460 | 96.2970 | 5.483 | 無量測 | |
| 3 | 89.54 | 0.3374 | 0.4075 | 96.1423 | 0.0468 | 0.3542 | |
| 4 | 86.07 | -2.9324 | 4.0440 | 96.1780 | 0.0925 | 無量測 |
由表2可知，實施例1至12阻障構件具有良好的水氣阻障能力及高的光穿透率。其中，實施例1及2阻障構件具有優異的氧氣阻障能力。
相較於比較例1及2，實施例1至12的阻障構件具有較佳的水氣阻障能力，且實施例1至12的阻障構件仍具有85%以上的平均光穿透率，以及實施例1至12的阻障構件的顏色幾乎為無色。
相較於比較例3，實施例2及3的阻障構件具有較佳的水氣阻障能力；實施例1及2的阻障構件具有較佳的氧氣阻障能力。
相較於比較例4，實施例4的阻障構件具有較佳的水氣阻障能力。
綜上所述，本發明阻障構件透過該修飾層與具有該氧化鋁層、氧化矽層及該氧化鋯層的阻障單元互相搭配，具有很好的水氣阻障能力及氧氣阻障能力，尤其是具有非常優異的氧氣阻障能力。除了阻障能力，本發明阻障構件也具有很好的光學性質，本發明阻障構件的光穿透率高且幾乎為無色。故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
| 1········ 基板 2········ 積層體 21 ······ 修飾層 | 22 ······ 阻障單元 221 ···· 氧化鋁層 222 ···· 氧化矽層 223 ···· 氧化鋯層 |
本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：
圖1是本發明阻障構件的第一種實施態樣的一示意圖；
圖2是本發明阻障構件的第二種實施態樣的一示意圖；
圖3是本發明阻障構件的第三種實施態樣的一示意圖；
圖4是本發明阻障構件的第四種實施態樣的一示意圖；
圖5是本發明阻障構件的第五種實施態樣的一示意圖；
圖6是本發明阻障構件的第六種實施態樣的一示意圖；
圖7是本發明阻障構件的第七種實施態樣的一示意圖；
圖8是本發明阻障構件的第八種實施態樣的一示意圖；
圖9是本發明阻障構件的第九種實施態樣的一示意圖；
圖10是本發明阻障構件的第十種實施態樣的一示意圖；
圖11是本發明阻障構件的實施例3至8及比較例1的光穿透率的數據圖；
圖12是本發明阻障構件的實施例3至8及比較例1至2的色度的數據圖；
圖13是本發明阻障構件的實施例9至12及比較例1的光穿透率的數據圖；及
圖14是本發明阻障構件的實施例9至12及比較例1至2的色度的數據圖。
| 1········ 基板 2········ 積層體 21 ······ 修飾層 | 22 ······ 阻障單元 221 ···· 氧化鋁層 222 ···· 氧化矽層 223 ···· 氧化鋯層 |
Claims (10)
- 一種阻障構件，包含： 至少一個積層體，包括： 一個修飾層，由一膠體溶液固化形成，該膠體溶液含有烷氧基矽烷化合物水解縮合並經金屬源改質的產物，及 一個或多個阻障單元，設置在該修飾層上，且每個阻障單元具有交替堆疊設置的一個氧化鋁層、一個氧化矽層，及一個氧化鋯層。
- 如請求項1所述的阻障構件，其中，該至少一個積層體包括一個阻障單元，且該阻障單元的氧化鋁層疊置在該修飾層上。
- 如請求項2所述的阻障構件，其中，該阻障單元的氧化矽層疊置於該氧化鋁層上。
- 如請求項1所述的阻障構件，其中，該至少一個積層體包括多個交替堆疊設置的阻障單元。
- 如請求項4所述的阻障構件，其中，該等阻障單元的其中一個阻障單元的氧化鋁層是疊置於該修飾層上。
- 如請求項5所述的阻障構件，其中，每個阻障單元的該氧化矽層是疊置於該氧化鋁層上，該氧化鋯層是疊置於該氧化矽層上。
- 如請求項5所述的阻障構件，其中，每個阻障單元的該氧化鋯層是疊置於該氧化鋁層上，該氧化矽層是疊置於該氧化鋯層上。
- 如請求項4所述的阻障構件，其中，該等阻障單元的其中一個阻障單元的氧化矽層是疊置於該修飾層上，且每個阻障單元的該氧化鋯層是疊置於該氧化矽層上，該氧化鋁層是疊置於該氧化鋯層上。
- 如請求項1至8中任一項所述的阻障構件，包含多個交替堆疊設置的積層體。
- 如請求項1所述的阻障構件，其中，該氧化鋁層、該氧化矽層，及該氧化鋯層分別以電子束蒸鍍所形成，且該電子束蒸鍍是在離子源的存在下進行。
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