TW201721812A - 複合阻障層及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種複合阻障層，包括堆疊設置的至少一層第一阻障層與至少一層第二阻障層。第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例。第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例。
Description
本發明是有關於一種阻障層結構及其製造方法，且特別是有關於一種複合阻障層及其製造方法。
電子元件的阻水能力是影響電子元件使用壽命的重要關鍵。以有機發光二極體(OLED)顯示器為例(如，主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)顯示器)，一般OLED軟性面板顯示器所使用的基板為塑膠基板(如，PET與PES等)，但塑膠基板的阻水能力與阻氣能力差，若以塑膠基板作為OLED軟性面板顯示器的基板將難以防止水與氧滲透的問題。由於顯示器與發光元件中的高分子有機發光層及高活性電極材料(如Ca、Mg等)對水與氧的敏感度極高，因此當大氣中的水與氧滲透塑膠基板時，會導致元件發生輝度降低、驅動電壓上升、暗點及短路等問題。因此，封裝技術的開發對電子元件技術而言極為重要。
目前，用於電子元件的封裝結構，主要是以真空濺鍍法或是電漿輔助化學氣相沉積法製成的有機與無機多層複合材料作為封裝結構中的阻障層，以達到阻水與阻氣的效果。然而，上述阻障層的製作方法在形成有機與無機多層堆疊結構時需要使用多個不同腔體來進行製作，而使得鍍製阻障層的製程時間和生產成本提高。
因此，如何在形成具有良好阻水能力與阻氣能力的阻障層同時，降低阻障層的製程時間與生產成本，是本領域研究人員極欲解決的問題。
本發明提供一種複合阻障層，其具有良好的阻水能力與阻氣能力。
本發明提供一種複合阻障層的製造方法，其可有效地降低製程時間與生產成本。
本發明提供一種複合阻障層，包括堆疊設置的至少一層第一阻障層與至少一層第二阻障層。第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例。第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層中，第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結與Si-O-Si網狀鍵結的比值例如是1.2至6。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層中，第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結與Si-O-Si線狀鍵結的比值例如是2至20。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層中，複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結更包括Si-O-Si籠狀鍵結。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層中，複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結與Si-(CH3
)x
鍵結的比值例如是1至15。
依照本發明一實施例所述，上述複合阻障層可用於作為電子元件的封裝材料，其中複合阻障層中的第一阻障層例如是鄰接於電子元件。
依照本發明一實施例所述，上述電子元件例如是有機發光二極體(OLED)顯示器或電泳顯示器(Electro-Phoretic Display，EPD)。
依照本發明一實施例所述，上述電子元件的基板例如是塑膠基板。
依照本發明一實施例所述，上述塑膠基板的材料例如是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)或聚碳酸酯(PC)。
本發明提供一種複合阻障層的製造方法，包括下列步驟。以固定製程氣體比例提供氧化氣體與矽烷類前驅物。藉由電源所激發的電漿使氧化氣體與矽烷類前驅物形成複合阻障層，在形成複合阻障層的過程中，將電源設定為具有多個不同的責任週期(duty cycle)。複合阻障層包括堆疊設置的至少一層第一阻障層與至少一層第二阻障層。第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例。第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，氧化氣體例如是氧氣(O2
)或一氧化二氮(N2
O)。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，矽烷類前驅物例如是六甲基二矽氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)、四乙氧基矽烷(Tetraethyl orthosilicate，TEOS)或四甲基環矽氧烷(tetramethylcyclotetrasiloxane，TMCTS)。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，氧化氣體與矽烷類前驅物的固定製程氣體比例例如是2至10。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，電源可採用脈衝電源。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，責任週期分別可為1%至99%。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，責任週期的調整方式可進行由小漸增的模式至少一次或進行由小漸增再漸減的模式至少一次。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結與Si-O-Si網狀鍵結的比值例如是1.2至6。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結與Si-O-Si線狀鍵結的比值例如是2至20。
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結更包括Si-O-Si籠狀鍵結
依照本發明一實施例所述，在上述複合阻障層的製造方法中，複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結與Si-(CH3
)x
鍵結的比值例如是1至15。
基於上述，由於本發明提出的複合阻障層包括堆疊設置的至少一層第一阻障層與至少一層第二阻障層，且第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例，第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例，因此複合阻障層可具有良好的阻水能力與阻氣能力，且可提高元件可靠度。
此外，在本發明提供的複合阻障層的製造方法中，以固定製程氣體比例提供氧化氣體與矽烷類前驅物，且藉由具有多個不同的責任週期的電源所產生的電漿使氧化氣體與矽烷類前驅物連續地形成鍵結結構比例不同的多層阻障層，因此可在同一腔體中完成複合阻障層的製造，進而達到降低製造時間與降低生產成本的目的。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例的複合阻障層的製造流程圖。
請參照圖1，進行步驟S100，以固定製程氣體比例提供氧化氣體與矽烷類前驅物。氧化氣體例如是氧氣(O2
)或一氧化二氮(N2
O)。矽烷類前驅物例如是六甲基二矽氧烷(HMDSO)、四乙氧基矽烷(TEOS)或四甲基環矽氧烷(TMCTS)。氧化氣體與矽烷類前驅物的固定製程氣體比例例如是2至10。
進行步驟S110，藉由電源所激發的電漿使氧化氣體與矽烷類前驅物形成複合阻障層，在形成複合阻障層的過程中，將電源設定為具有多個不同的責任週期。電源功率範圍例如是500 W至5000 W。
複合阻障層可在電漿增強型化學氣相沉積(PECVD)機台的電漿反應腔體中形成。用以產生電漿的電源可採用脈衝電源，藉此可形成脈衝電漿。電漿的類型可採用電容耦合電漿（CCP）或感應偶合電漿(ICP)。當使用的電漿類型為感應偶合電漿時，由於感應偶合電漿的離子轟擊的程度較低，並且具有較低的操作溫度(如，小於80℃)，故在以複合阻障層封裝電子元件時，可避免對電子元件造成損壞。此外，感應偶合電漿更具有製程簡單且可減少化學汙染的優點。
在形成複合阻障層的過程中，可藉由電源的開啟時間(Ton
)與關閉時間(Toff
)，而將電源設定為具有多個不同的責任週期。責任週期的定義為開啟時間(Ton
)除以開啟時間與關閉時間(Toff
)的總時間，如下式(1)所示。 責任週期 = [Ton
/(Ton
+Toff
)] × 100% 式(1)
本實施例是藉由調整責任週期來控制複合阻障層的結構組成。因此，可藉由將電源設定為具有多個不同的責任週期，使得複合阻障層包括堆疊設置的至少一層第一阻障層與至少一層第二阻障層。第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例。第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結與Si-O-Si網狀鍵結的比值例如是1.2至6。第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例。第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結與Si-O-Si線狀鍵結的比值例如是2至20。複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結與Si-(CH3
)x
鍵結的比值例如是1至15。責任週期分別可為1%至99%，所屬技術領具有通常知識者可依照產品與製程設計需求來選擇各階段所使用的責任週期。
複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結包括Si-O-Si線狀鍵結(如以下通式(a)所示)與Si-O-Si網狀鍵結(如以下通式(b)所示)，且更可包括中間態的Si-O-Si籠狀鍵結(如以下通式(c)所示)。(a)(b)(c)
複合阻障層中的第一阻障層與第二阻障層的形成機制說明如下。首先，說明第一阻障層的形成機制。在反應腔體內通入氧化氣體與矽烷類前驅物之後，將電源設定為低責任週期，此時矽烷類前驅物與氧化氣體的反應時間不足，所產生的Si-O-Si網狀鍵結結構較少，且在電源關閉時，矽烷類前驅物較容易產生線狀的聚合，因此會產生較多的Si-O-Si線狀鍵結結構，而形成Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例的第一阻障層。藉此，所形成的第一阻障層具有緩衝層的功用，可用以釋放應力，進而可提高元件可靠度。此外，第一阻障層更可具有疏水效果。
接著，說明第二阻障層的形成機制。在反應腔體內通入氧化氣體與矽烷類前驅物之後，將電源設定為高責任週期，此時製程氣體解離的時間長，矽烷類前驅物與氧化氣體可充分反應，因此產生較多的Si-O-Si網狀鍵結結構，而形成Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例的第二阻障層。藉此，所形成的第二阻障層具有較佳的阻水能力與阻氣能力。
此外，介於Si-O-Si線狀鍵結結構與Si-O-Si網狀鍵結結構之間的中間態的Si-O-Si籠狀鍵結結構為氧原子不足以取代所有烷基時產生的鍵結結構。
此外，可藉由責任週期的調整方式來設定第一阻障層與第二阻障層堆疊態樣，以決定所要形成的複合阻障層的特性。舉例來說，責任週期的調整方式可進行由小漸增的模式至少一次或進行由小漸增再漸減的模式至少一次。此外，責任週期的調整方式與複合阻障層的結構組成的關係將於下文的實施例進行說明。
基於上述實施例可知，在上述複合阻障層的製造方法中，以固定製程氣體比例提供氧化氣體與矽烷類前驅物，且藉由具有多個不同的責任週期的電源所產生的電漿使氧化氣體與矽烷類前驅物連續地形成鍵結結構比例不同的多層阻障層，因此可在同一腔體中完成複合阻障層的製造，進而達到降低製造時間與降低生產成本的目的。
以下，舉例說明本發明一實施例的複合阻障層的應用與複合阻障層的結構態樣，但本發明並不以此為限。
圖2為本發明一實施例的複合阻障層用於電子元件封裝的示意圖。圖3為本發明第一實施例的複合阻障層的剖面示意圖。圖4為本發明第二實施例的複合阻障層的剖面示意圖。圖5為本發明第三實施例的複合阻障層的剖面示意圖。
請參照圖2，圖2是用以說明將本實施例的複合阻障層200用於作為電子元件100的封裝材料的應用，但本發明並不以此為限。所屬技術領域具有通常知識者亦可將本實施例的複合阻障層用於其他阻水與阻氣的應用。電子元件100例如是有機發光二極體顯示器(如，主動陣列有機發光二極體(AMOLED)顯示器)或電泳顯示器。請參照圖2至圖5，電子元件100具有基板102。基板102例如是塑膠基板，且塑膠基板的材料例如是聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醯亞胺或聚碳酸酯。
複合阻障層200的結構態樣可藉由電源的責任週期的調整方式來決定。舉例來說，複合阻障層200可為圖3的複合阻障層200a、圖4的複合阻障層200b或圖5的複合阻障層200c。
請參照圖3，在形成複合阻障層200a時，可先將電子元件100置放在電漿增強型化學氣相沉積機台的電漿反應腔體中，再藉由圖1的實施例提出的複合阻障層的製造方法在基板102上形成複合阻障層200a。其中，責任週期的調整方式可進行由小漸增的模式至少一次。在此實施例中，責任週期的調整方式是以進行一次由小漸增的模式為例來進行說明，但本發明並不以此為限。在其他實施例中，責任週期的調整方式亦可進行二次以上由小漸增的模式。責任週期可以為1%至99%。
在形成複合阻障層200a的過程中，藉由將電源設定為具有五個漸增的責任週期，可使所形成的複合阻障層200a包括堆疊設置的阻障層202a~202e，且阻障層202a~202e具有不同鍵結結構比例。舉例來說，可將電源設定為具有20%、40%、60%、80%、99%的責任週期，但本發明並不以此為限。
由於用以形成阻障層202a~202e的責任週期漸增，因此阻障層202a~202e中的Si-O-Si網狀鍵結漸增且Si-O-Si線狀鍵結漸減。
複合阻障層200a中的阻障層202a鄰接於電子元件100的基板102。由於阻障層202a是在責任週期最低時形成，因此阻障層202a的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例，而具有緩衝層的功用，可用以釋放後續形成於其上的阻障層202b~202e的應力，進而可提高元件可靠度。阻障層202a中的Si-O-Si線狀鍵結與Si-O-Si網狀鍵結的比值例如是1.2至6。
此外，由於阻障層202e是在責任週期較高時形成，因此阻障層202e的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例，而具有較佳的阻水能力與阻氣能力。阻障層202e中的Si-O-Si網狀鍵結與Si-O-Si線狀鍵結的比值例如是2至20。
此外，複合阻障層200a的成份中的Si-O-Si鍵結與Si-(CH3
)x
鍵結的比值例如是1至15。在形成複合阻障層200a的過程中，若氧原子的供應量不足，複合阻障層200a的阻障層202a~202e的成份中的Si-O-Si鍵結亦可能包括Si-O-Si籠狀鍵結。
雖然上述實施例是以將電源設定為具有五個漸增的責任週期而形成五層阻障層(即，阻障層202a~202e)為例來進行說明，但本發明並不以此為限。所屬技術領域具有通常知識者可依照產品需求對責任週期與阻障層的數量進行調整。
基於上述實施例可知，由於複合阻障層200a包括至少一層Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例的阻障層(如，阻障層202a)與至少一層Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例的阻障層(如，阻障層202e)，因此複合阻障層200a可具有良好的阻水能力與阻氣能力，且可提高元件可靠度。
請同時參照圖3與圖4，圖3的第一實施例與圖4的第二實施例的差異如下。圖4的第二實施例的責任週期的調整方式是進行二次由小漸增的模式，而在基底102上形成複合阻障層200b。複合阻障層200b包括堆疊設置的阻障層204a~204h。
由於用以形成阻障層204a~204d的責任週期漸增，因此阻障層204a~204d中的Si-O-Si網狀鍵結漸增且Si-O-Si線狀鍵結漸減。此外，由於用以形成阻障層204e~204h的責任週期漸增，因此阻障層204e~204h中的Si-O-Si網狀鍵結漸增且Si-O-Si線狀鍵結漸減。其中，阻障層204a、204e的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例，而具有緩衝層的功用。阻障層204d、204h的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例，而具有較佳的阻水能力與阻氣能力。
基於上述實施例可知，由於複合阻障層200b包括至少兩層Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例的阻障層(如，阻障層204a、204e)與至少兩層Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例的阻障層(如，阻障層204d、204h)，因此複合阻障層200b可具有更佳的阻水能力與阻氣能力，且可進一步地提高元件可靠度。
請同時參照圖3與圖5，圖3的第一實施例與圖5的第三實施例的差異如下。圖5的第三實施例的責任週期的調整方式是進行一次由小漸增再漸減的模式，而在基底102上形成複合阻障層200c。複合阻障層200c包括堆疊設置的阻障層206a~206e。
由於用以形成阻障層206a~206c的責任週期由小漸增，因此阻障層206a~206c中的Si-O-Si網狀鍵結漸增且Si-O-Si線狀鍵結漸減。此外，由於用以形成阻障層206d、206e的責任週期漸減，因此阻障層206d、206e中的Si-O-Si網狀鍵結漸減且Si-O-Si線狀鍵結漸增。其中，阻障層206a的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例，而具有緩衝層的功用。此外，最外層的阻障層206e的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例，而具有疏水特性。阻障層206c的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例，而具有較佳的阻水能力與阻氣能力。
基於上述實施例可知，由於複合阻障層200c包括至少兩層Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例的阻障層(如，阻障層206a、206e)與至少一層Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例的阻障層(如，阻障層206c)，因此複合阻障層200c可具有良好的阻水能力與阻氣能力，且能夠使得複合阻障層200c在外表面具有疏水特性，同時提高元件可靠度。
雖然上述實施例中的複合阻障層200a~200c是以圖3至圖5中所繪示的層數來進行說明，但本發明並不以此為限。只要複合阻障層具有至少一層Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例的阻障層以及至少一層Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例的即屬於本發明所保護的範圍。
實驗A：薄膜分析實驗
在利用傅里葉轉換紅外光譜儀(FTIR)進行不同責任週期的薄膜鍵結分析之後，得到以下結果。當責任週期越高時，波峰往波數1072 cm-1
移動，代表阻障層的成份有更多的Si-O-Si網狀鍵結結構，越能阻絕水氣。當責任週期較低時，波峰的位置趨向於波數1023 m-1
，代表阻障層的成份中的線狀鍵結結構越多，具備緩衝層的作用。此外，當阻障層的成份中的籠狀鍵結結構越多時，波峰的位置趨向於波數1132 m-1
。
實驗B：阻水氣實驗(MOCON水氣穿透率量測儀)
藉由圖1的實施例所提出的阻障層的製造方法來形成實驗例B-1至實驗例B-8的複合阻障層。其中，將N2
O與HMDSO的固定製程氣體比例設定為5。實驗例B-1至實驗例B-7中的N2
O流量為250 sccm且HMDSO流量為50sccm。實驗例B-8中的N2
O流量為400 sccm且HMDSO流量為80sccm。環境設定為40℃、90%RH。實驗例B-1至實驗例B-6中的複合阻障層的厚度為120 nm。實驗例B-7中的複合阻障層的厚度為150 nm。實驗例B-8中的複合阻障層的厚度為400 nm。
使用MOCON水氣穿透率量測儀(型號：AQUATRAN)對實驗例B-1至實驗例B-8的複合阻障層進行水氣穿透率(WVTR)的量測。實驗例B中的其他參數設定與實驗結果請參照下表1。
表1
由上述測試結果可知，實驗例B-1至實驗例B-8的複合阻障層均具有良好的阻水能力。此外，由於WVTR（水氣穿透率）跟OTR（氧氣穿透率）兩者正相關，因此由此測試結果可得知，實驗例B-1至實驗例B-8的複合阻障層亦具有良好的阻氣能力。
實驗C：阻水氣實驗(鍍鈣法)
圖6A至圖6D為藉由鍍鈣法對本發明一實驗例的樣本進行測試的照片圖。圖7A至圖7C為藉由鍍鈣法對比較例的樣本進行測試的照片圖。
鍍鈣法可用於量測MOCON水氣穿透率量測儀所無法量測的範圍（小於5×10-4
g/m2
/day）。因此，藉由鍍鈣法來量測實驗例B-8的複合阻障層的水氣穿透率。
在此實驗例中，藉由鍍鈣法量測水氣穿透率的方法如下。首先，製作實驗例B-8的樣本。在PEN軟性基板上依序形成實驗例B-8的複合阻障層、鈣膜與銅膜，再將PEN軟性基板與玻璃基板貼合，以感光性的紫外光環氧樹脂進行密封，而將鈣膜與銅膜密封在PEN軟性基板與玻璃基板之間。接著，將測試樣品放置於40℃、100%RH的環境，利用鈣的氧化速率，經換算求得水氣穿透率。比較例的樣本的製作方式與實驗例B-8的樣本相同，差異在於比較例的樣本未使用複合阻障層。
由於金屬鈣呈金屬光澤，鈣膜遇水氣會快速氧化水解為氧化鈣或氫氧化鈣，且變成無色透明。因此，在鍍鈣法的阻水氣實驗中，當水氣穿過PEN軟性基板之後，若實驗例B-8的複合阻障層的阻水能力不佳，則鈣膜會與水氣接觸而變成無色透明，而透出其下方的銅基材的顏色(以下稱為「銅色」)。
實驗結果如下。請參照圖6A至圖6D，實驗例B-8的樣本不論是在第0天(圖6A)、第10天(圖6B)、第15天(圖6C)與第25天(圖6D)均未觀察到銅色，可知實驗例B-8的複合阻障層具有相當優異的阻水能力。另一方面，請參照圖7A至圖7C，由於比較例的樣本未使用複合阻障層，因此除了第0天沒有出現明顯的銅色之外(圖7A)，在第1天就已出現明顯的銅色(圖7B)，在第3天出現大量的銅色(圖7C)。
實驗例B-8的樣本的氧化百分比如下表2所示，經換算求得的水氣滲透率為1×10-6
g/m2
/day。一般塑膠基板(如PEN)未鍍膜時其水氣滲透率為1.6 g/m2
/day，而鍍上實驗例B-8的複合阻障層後，則可下降至1×10-6
g/m2
/day，顯示實驗例B-8的複合阻障層具有相當優異的阻水能力。
表2
綜上所述，上述實施例的複合阻障層包括至少一層Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例阻障層與至少一層Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例的阻障層，因此複合阻障層可具有良好的阻水能力與阻氣能力，且可提高元件可靠度。
此外，在上述實施例的複合阻障層的製造方法中，以固定製程氣體比例提供氧化氣體與矽烷類前驅物，且藉由具有多個不同的責任週期的電源所產生的電漿使氧化氣體與矽烷類前驅物連續地形成鍵結結構比例不同的多層阻障層，因此可在同一腔體中完成複合阻障層的製造，進而達到降低製造時間與降低生產成本的目的。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧電子元件
102‧‧‧基板
200、200a、200b、200c‧‧‧複合阻障層
202a~202e、204a~204h、206a~206e‧‧‧阻障層
S100、S110‧‧‧步驟
102‧‧‧基板
200、200a、200b、200c‧‧‧複合阻障層
202a~202e、204a~204h、206a~206e‧‧‧阻障層
S100、S110‧‧‧步驟
圖1為本發明一實施例的複合阻障層的製造流程圖。 圖2為本發明一實施例的複合阻障層用於電子元件封裝的示意圖。 圖3為本發明第一實施例的複合阻障層的剖面示意圖。 圖4為本發明第二實施例的複合阻障層的剖面示意圖。 圖5為本發明第三實施例的複合阻障層的剖面示意圖。 圖6A至圖6D為藉由鍍鈣法(Ca test)對本發明一實驗例的樣本進行測試的照片圖。 圖7A至圖7C為藉由鍍鈣法對比較例的樣本進行測試的照片圖。
S100、S110‧‧‧步驟
Claims (20)
- 一種複合阻障層，包括堆疊設置的至少一第一阻障層與至少一第二阻障層，其中 該至少一第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例， 該至少一第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例。
- 如申請專利範圍第1項所述的複合阻障層，其中該至少一第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結與Si-O-Si網狀鍵結的比值為1.2至6。
- 如申請專利範圍第1項所述的複合阻障層，其中該至少一第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結與Si-O-Si線狀鍵結的比值為2至20。
- 如申請專利範圍第1項所述的複合阻障層，其中該複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結更包括Si-O-Si籠狀鍵結。
- 如申請專利範圍第1項所述的複合阻障層，其中該複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結與Si-(CH3 )x 鍵結的比值為1至15。
- 如申請專利範圍第1項所述的複合阻障層，其用於作為一電子元件的封裝材料，其中該複合阻障層中的該第一阻障層鄰接於該電子元件。
- 如申請專利範圍第6項所述的複合阻障層，其中該電子元件包括有機發光二極體顯示器或電泳顯示器。
- 如申請專利範圍第6項所述的複合阻障層，其中該電子元件的一基板包括一塑膠基板。
- 如申請專利範圍第8項所述的複合阻障層，其中該塑膠基板的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚碸、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醯亞胺或聚碳酸酯。
- 一種複合阻障層的製造方法，包括： 以一固定製程氣體比例提供一氧化氣體與一矽烷類前驅物；以及 藉由一電源所激發的電漿使該氧化氣體與該矽烷類前驅物形成一複合阻障層，在形成該複合阻障層的過程中，將該電源設定為具有多個不同的責任週期，其中該複合阻障層包括堆疊設置的至少一第一阻障層與至少一第二阻障層， 該至少一第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結比例高於Si-O-Si網狀鍵結比例， 該至少一第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結比例高於Si-O-Si線狀鍵結比例。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該氧化氣體包括氧氣(O2 )或一氧化二氮(N2 O)。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該矽烷類前驅物包括六甲基二矽氧烷、四乙氧基矽烷或四甲基環矽氧烷。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該氧化氣體與該矽烷類前驅物的該固定製程氣體比例為2至10。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該電源包括脈衝電源。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該些責任週期分別為1%至99%。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該些責任週期的調整方式包括進行由小漸增的模式至少一次或進行由小漸增再漸減的模式至少一次。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該至少一第一阻障層中的Si-O-Si線狀鍵結與Si-O-Si網狀鍵結的比值為1.2至6。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該至少一第二阻障層中的Si-O-Si網狀鍵結與Si-O-Si線狀鍵結的比值為2至20。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結更包括Si-O-Si籠狀鍵結。
- 如申請專利範圍第10項所述的複合阻障層的製造方法，其中該複合阻障層的成份中的Si-O-Si鍵結與Si-(CH3 )x 鍵結的比值為1至15。
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