TWI719485B - 阻障構件 - Google Patents

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Abstract

一種阻障構件，包含一包括修飾層及阻障單元的積層體。修飾層由膠體溶液形成且為疏水性，膠體溶液由包含金屬源、第一物質及第二物質的混合物形成，第一物質由包含具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物及具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物的第一組成物經水解及縮合形成，第二物質由包含四烷氧基矽烷化合物及具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物的第二組成物經水解及縮合形成。阻障單元設置在修飾層且具有交替堆疊設置的氧化鋁層、氧化矽層及摻鋁氧化鋅層。該阻障構件具有良好的水氣阻障能力及光學性質。

Description

阻障構件
本發明是有關於一種積層體，特別是指一種用於阻隔水氣的阻障構件。
隨著電子產品日新月異，厚重的玻璃基板逐漸被輕、薄、可撓曲且可塑性高的軟性塑膠基板取代，軟性電子裝置如電子紙、染料敏化太陽能電池(DSSCs)、有機太陽能電池(OPV)及有機發光二極體(OLED)等相關技術是現今熱門的發展趨勢。
然而，此類軟性電子裝置，例如有機太陽能電池或是有機發光二極體的元件內部中設置著高敏感的有機材料以及易氧化的陰極金屬，而軟性塑膠基板的缺點是具有較高的水氣穿透率，極易導致空氣中的水氣透過塑膠基板滲透至軟性電子裝置的內部，導致其中的有機發光材料及金屬電極的劣化及老化，從而降低軟性電子裝置的穩定性及產品壽命。
因此，為延長軟性電子裝置的產品壽命，業界通常使用具有阻水氣功能的阻障膜阻擋水氣穿透至元件內部，藉此防止元件內部的有機材料劣化及陰極金屬老化。此外，水氣阻障膜在商業化應用上還需具備高透光等性質。
因此，本發明的目的，即在提供一種具有水氣阻障功能且高透光的阻障構件。
於是，本發明阻障構件，包含： 一個積層體，包括： 一個修飾層，由一膠體溶液所形成且為疏水性，及 一個阻障單元，設置在該修飾層，且具有交替堆疊設置的一個氧化鋁層、一個氧化矽層，及一個摻鋁氧化鋅層， 其中，該膠體溶液是由包含金屬源、第一物質及第二物質的混合物所形成，且該第一物質是由包含具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物及具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物的第一組成物經水解及縮合所形成，該第二物質是由包含四烷氧基矽烷化合物及具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物的第二組成物經水解及縮合所形成，
本發明的功效在於：本發明阻障構件透過由特殊的該膠體溶液所形成為疏水性的該修飾層，與該氧化鋁層、氧化矽層及摻鋁氧化鋅層相互配合，從而具有更好的水氣阻障能力及高的光穿透率。
以下就本發明內容進行詳細說明：
本發明阻障構件包含一個基板，及一個設置在該基板上的積層體，該積層體包括一個為疏水性的修飾層，及一個設置在該修飾層上的阻障單元，且該阻障單元具有交替堆疊設置的一個氧化鋁層、一個氧化矽層及一個摻鋁氧化鋅層的阻障單元。
該基板例如但不限於具有可見光穿透性的可撓性基板。該基板的材質沒有特別限制，例如但不限於聚酯樹脂(polyester resin)、聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylate resin)、聚烯烴樹脂(polyolefin resin)、聚碳酸酯樹脂(polycarbonate resin)、聚氯乙烯、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)或聚乳酸(polylactic acid)等。聚酯樹脂例如但不限於：聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)，或聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)等。聚丙烯酸酯樹脂例如但不限於：聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)等。該聚烯烴樹脂例如但不限於：聚乙烯或聚丙烯等。該基板的表面可選擇性地經過改質處理，改質處理的具體方式例如但不限於以氧氣電漿對該基板的表面進行改質。該基板的厚度沒有特別限制，例如但不限於25至250 mm。
該修飾層為疏水性，能使該阻障構件具有更佳的水氣阻障能力。該修飾層由一膠體溶液經固化所形成，該膠體溶液是由含有金屬源、第一物質及第二物質的混合物所形成。其中，該第一物質是由包含具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物及具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物的第一組成物經水解及縮合所形成，該第二物質是由包含四烷氧基矽烷化合物及具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物的第二組成物經水解及縮合所形成。
較佳地，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物中，該疏水性官能基是選自於苯基。在本發明的一些實施態樣中，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物中的烷氧基為碳數範圍1至2的烷氧基。在本發明的一些具體例中，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物是苯基三甲氧基矽烷(phenyltrimethoxysilane)。其中，該第一組成物中的該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物，與該第二組成物中的該該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物可為相同或不同。
較佳地，該具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物中，該反應性官能基是選自於烯基、環氧基或巰基。在本發明的一些實施態樣中，該具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物中的烷氧基為碳數範圍為1至2的烷氧基。在本發明的一些具體例中，該具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物是選自於3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷(3-glycidyloxypropyl trimethoxysilane)、3-(甲基丙烯醯氧)丙基三甲氧基矽烷(3-methacryloxypropyltrimethoxysilane)、(3-巰基丙基)三甲氧基矽烷 [(3-mercaptopropyl) trimethoxysilane]或上述的任意組合。
在本發明的一些實施態樣中，該四烷氧基矽烷化合物中的烷氧基為碳數範圍為1至2的烷氧基。在本發明的一些具體例中，該四烷氧基矽烷化合物是四乙氧基矽烷(tetraethyl orthosilicate)。
較佳地，在該第一組成物中，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物與具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物的莫耳比例範圍為1：1至7：3。在本發明的一些具體例中，在該第一組成物中，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物與具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物的莫耳比例為6：4。
該第一組成物進行水解反應及縮合反應的反應條件於此無特別限制，可參考現有的溶膠凝膠法(sol-gel)的工藝技術，彈性調整該第一組成物進行水解反應及縮合反應時的各項反應條件。
較佳地，在該第二組成物中，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物與該四烷氧基矽烷化合的莫耳比例範圍為3：7至1：1。在本發明的一些具體例中，在該第一組成物中，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物與該四烷氧基矽烷化合的莫耳比例為3：7。
該第二組成物進行水解反應及縮合反應的反應條件於此無特別限制，可參考現有的溶膠凝膠法的工藝技術，彈性調整該第二組成物進行水解反應及縮合反應時的各項反應條件。
該金屬源例如但不限於鋁源、鋯源或鈦源，上述的金屬源能單獨一種或混合多種使用。該混合物形成該膠體溶液的具體態樣例如但不限於以下兩種：(1).使氧化鋁粉末、氧化鋯粉末、氧化鈦粉末或上述的任意組合，與該第一物質及第二物質混合；(2).使含鋁螯合物、含鋯螯合物、含鈦螯合物或上述的任意組合與該第一物質進行錯合反應後，再與該第二物質混合，其中，該含鋁螯合物例如但不限於乙醯丙酮鋁[aluminum acetylacetonate，Al(acac)3 ]，該含鋯螯合物例如但不限於乙醯丙酮鋯[tetrakis(2,4-pentanedionato) zirconium(IV)，Zr(acac)4 ]，該含鈦螯合物例如但不限於二(乙醯丙酮基)鈦酸二異丙酯[titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate)]。
在本發明的一些實施態樣中，該修飾層的厚度範圍例如但不限於500至1000 nm。
該氧化鋁層、氧化矽層及摻鋁氧化鋅層的製備方式例如但不限於分別使用對應的靶材(氧化鋁靶材、氧化矽靶材、摻鋁氧化鋅靶材)進行濺鍍，該濺鍍例如但不限於直流式磁控濺鍍或射頻式磁控濺鍍等。在本發明的一些實施態樣中，該氧化鋁層的厚度範圍例如但不限於10至200 nm。在本發明的一些實施態樣中，該氧化矽層的厚度範圍例如但不限於30至200 nm。在本發明的一些實施態樣中，該摻鋁氧化鋅層的厚度範圍例如但不限於10至150 nm。
本發明將就以下的實施態樣對本發明阻障構件的結構作進一步說明，但應瞭解的是，該實施態樣僅為例示說明之用，而不應被解釋為本發明實施之限制。
在本發明阻障構件的結構被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1，本發明阻障構件的第一種實施態樣，包含一個基板1及一個積層體2。該積層體2包括一個設置在該基板1上的修飾層21，及一個設置在該修飾層21上的阻障單元22。該阻障單元22具有一個氧化鋁層221、一個摻鋁氧化鋅層222及一個氧化矽層223，且該氧化鋁層221設置在該修飾層21上，該摻鋁氧化鋅層222設置在該氧化鋁層221與該氧化矽層223之間。
參閱圖2至6，分別依序為本發明阻障構件的第二至六種實施態樣，與該第一種實施態樣不同之處在於，該阻障單元22的堆疊順序。
參閱圖2，在該第二種實施態樣中，該阻障單元22的該氧化鋁層221設置在該修飾層21上，且該氧化矽層223設置在該氧化鋁層221與該摻鋁氧化鋅層222之間。
參閱圖3，在該第三種實施態樣中，該阻障構件22的該氧化矽層223設置在該修飾層21上，該氧化鋁層221設置在該氧化矽層223與該摻鋁氧化鋅層222之間。
參閱圖4，在該第四種實施態樣中，該阻障構件22的該氧化矽層223設置在該修飾層21上，該摻鋁氧化鋅層222設置在該氧化矽層223與該氧化鋁層221之間。
參閱圖5，在該第五種實施態樣中，該阻障構件22的該摻鋁氧化鋅層222設置在該修飾層21上，該氧化鋁層221設置在該摻鋁氧化鋅層222與該氧化矽層223之間。
參閱圖6，在該第六種實施態樣中，該阻障構件22的該摻鋁氧化鋅層222設置在該修飾層21上，該氧化矽層223設置在該摻鋁氧化鋅層222與該氧化鋁層221之間。
〈實施例〉
本發明將就以下具體的實施例來作進一步說明，但應瞭解的是，該實施例僅為例示說明之用，而不應被解釋為本發明實施之限制。
[製備例1] 第一物質的製備：在一圓底燒瓶中加入去離子水及少量的濃度為36.5%的鹽酸後加入磁石進行攪拌。在一樣本瓶中加入4克的3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷(購自於ALDRICH，純度為98%以上，以下簡稱GLYMO)，及6.102克的苯基三甲氧基矽烷(購自於ALDRICH，純度為98%以上，以下簡稱PTES)後進行超音波震盪10分鐘，得到第一前驅物。在冰浴環境下，利用針筒將該第一前驅物緩慢地全部滴加到該圓底燒瓶中並攪拌，得到一第一組成物，且在冰浴環境下該第一組成物開始緩慢地進行水解反應及縮合反應。接著，將該圓底燒瓶從冰浴中取出置於室溫(25℃)下並攪拌該第一組成物，待該第一組成物的溫度回復至室溫後，利用一回流裝置，將該第一組成物在80℃回流攪拌4小時使該第一組成物完全地進行水解反應及縮合反應，然後置於室溫冷卻，得到第一物質。 第二物質的製備：在一燒瓶中加入2.771克的去離子水、0.46克的無水乙醇，及0.046克的濃度為36.5%的鹽酸並攪拌。將3克的PTES，及6.067克的四乙氧基矽烷(購自於ACROS，純度為98%，以下簡稱TEOS)加到一樣本瓶中並進行超音波震盪10分鐘，得到第二前驅物。接著，利用滴管將該第二前驅物全部滴加到該燒瓶中，得到一第二組成物，且此時該第二組成物開始進行水解反應及縮合反應。之後，在室溫(25℃)下高速攪拌該第二組成物，使該第二組成物完全地進行水解反應及縮合反應，此時該第二組成物由混白變成透明澄清，得到第二物質。 膠體溶液的製備：將第一物質與0.11克的乙醯丙酮鋁(購自於ACROS，純度為97%)混合並持續攪拌至乙醯丙酮鋁完全溶解，再加入12克的正丁醇(購自於Honeywell Riedelde Haen，純度為99.5%以上)並持續攪拌20分鐘，接著，利用滴管將該第二物質加入並持續攪拌30分鐘，之後，利用由鹽酸及正丁醇組成的混合液(鹽酸：正丁醇的比例為1：1)調整pH值至2.0，得到一混合物。最後將該混合物在室溫下持續攪拌2天[即老化時間(aging time)為2天]，得到製備例1的膠體溶液。 修飾層的製備：先利用高壓空氣清潔一個PET基板(廠商為南亞，厚度為125 μm)的表面，再將表面清潔過的該PET基板置於一刮刀塗佈機(廠商型號為ERICHSEN510)上。使用一注射筒[其注射頭裝有一針筒過濾器(Syring 0.22μm filter)]，將該製備例1的膠體溶液擠於該PET基板的表面，接著利用該刮刀塗佈機將該製備例1的膠體溶液平整地塗佈在該PET基板的表面(塗佈的厚度為20μm)。將已塗佈該製備例1的膠體溶液的基板平坦放置於一鋁盤中並以鋁箔紙覆蓋鋁盤，將鋁盤置入烘箱中並使用以下升溫條件進行烘烤：先以60°C烘烤15分鐘，再以80°C烘烤15分鐘，最後以105°C烘烤60分鐘。烘烤結束後即在該PET基板上形成一修飾層，得到製備例1的層合膜。
[比較例1] 比較例1使用與製備例1相同的方式製備層合膜，差別在於使用不同的烷氧基矽烷化合物製備膠體溶液。比較例1的膠體溶液的配製方式說明如下： 在一個圓底燒瓶中加入7.051克的TEOS、8克的GLYMO及2.059克的正丁醇並以磁石進行攪拌，得到第一組分。另取一個樣品瓶，並在該樣品瓶中加入2.437克的去離子水、0.112克的濃度為36.5%的鹽酸，及1.559克的無水乙醇並進行攪拌，得到第二組分。將裝有該第一組分的圓底燒瓶置於冰浴環境並攪拌該第一組分，利用針筒將該第二組分緩慢地全部滴加到該第一組分中，得到第三組分。接著，將裝有該第三組分的該圓底燒瓶從冰浴中取出置於室溫(25℃)並攪拌，使該第三組分的溫度回復至室溫。接著，利用一回流裝置，將該第三組分在80℃回流攪拌1.5小時使該第三組分完全反應，再加入1.109克的正丁醇及0.22克的乙醯基丙酮鋁(購自於ACROS，純度為97%)及0.165克的乙醯丙酮鋯(購自於TCI，純度為98%)，之後，利用由鹽酸及正丁醇所組成的混合液(鹽酸：1-丁醇的比例為1：1)調整pH值至2.0，得到一混合物。最後將該混合物在室溫(25℃)下持續攪拌2天，得到膠體溶液。
[比較例2] 比較例2使用與製備例1相同的方式製備層合膜，差別在於使用製備例1中的第一物質在PET基板的表面上形成修飾層。
[比較例3] 比較例3使用與製備例1相同的方式製備層合膜，差別在於使用製備例1中的第二物質在PET基板的表面上形成修飾層。
[層合膜的性質評價]
將製備例1及比較例1至3的層合膜(以下簡稱待測層合膜)進行以下項目的性質評價。性質評價的測試結果如表1所示。
1. 疏水性 利用一接觸角量測儀(廠商Sindatek，型號100SB)量測待測層合膜的修飾層對水的接觸角。修飾層對水的接觸角越大，代表修飾層越疏水；修飾層對水的接觸角越小，代表修飾層越親水。
2.光穿透率 利用UV-VIS光譜儀(型號為Agilent cary 5000)量測待測層合膜的光穿透率(transmittance，T%)。首先以空氣作為背景，將該UV-VIS光譜儀進行全光校正，再將待測層合膜置於該UV-VIS光譜儀中進行量測，量測的波長範圍為380至780nm。量測得到的光穿透率的圖譜如圖7所示。並將所有波長的光穿透率取平均值，得到平均光穿透率。
3. 表面粗糙度 使用原子力顯微鏡(atomic force microscope，簡稱AFM，型號為Park System XE-100) 分別量測待測層合膜的修飾層的表面粗糙度。使用該原子力顯微鏡的非接觸式掃描模式(non-contact mode)，掃描範圍為 10×10μm，觀察待測層合膜的修飾層的微結構分布及表面粗糙度。其中，表面粗糙度包括均方平方根粗糙度(Rq)、分佈算術平均偏差(Arithmetical mean deviation ，Ra)，以及最大高度 (Maximum height of profile， Rz)。表面粗糙度的數值越小，代表修飾層的表面越平坦。
4. 水氣穿透率(Water Vapor Transmission Rate，WVTR) 利用一射頻磁控濺鍍(廠商Kao Duen，型號R-24K08-SPUTTERING)，且濺鍍靶材為氧化鋁(廠商為邦杰材料科技股份有限公司，純度為99.99 wt%，尺寸為直徑 2吋，厚度 3mm)，在待測層合膜的修飾層上濺鍍一層厚度為200 nm的氧化鋁層，得到阻障膜。其中，濺鍍的條件：工作壓力為1 mtorr，濺鍍功率100 W，濺鍍時間為212分鐘。 利用水氣滲透量測儀(廠商型號為Mocon AQUATRAN® Model 2 G，偵測極限為5×10-5 g/m2 ．day)，量測阻障膜的水氣穿透率。將待測的阻障膜置於該水氣滲透量測儀的樣品槽中，測量時在樣品槽的一側利用溼度計(為該水氣滲透量測儀內建)控制濕度並且通入氮氣，當氮氣攜帶水氣穿透待測的阻障構件到達樣品槽的另一側時，會進入庫侖電量五氧化二磷傳感器以偵測穿透水氣的含量，藉此分析待測的阻障膜的水氣穿透率。其中，量測的條件為：溫度為37.8℃，相對溼度為100%，樣品槽流量設定為20 sccm。水氣穿透率的數值越小，代表阻障膜的水氣阻障能力越好。
表1
  層合膜 阻障膜
修飾層 T (%) 380~780 nm WVTR (g/m2 ∙day)
烷氧基矽烷化合物 疏水性 表面粗糙度
製備例1 TEOS、GLYMO、PTES 85.09º Rq＝0.298  Ra＝0.237  Rz＝2.307 90.72 0.0232
比較例1 TEOS、GLYMO 59.45º Rq＝0.310  Ra＝0.244  Rz＝2.484 91.70 0.125
比較例2 GLYMO、PTES 82.02° Rq＝1.067  Ra＝0.853  Rz＝7.529 未量測 未量測
比較例3 TEOS、PTES 83.50° Rq＝0.376  Ra＝0.298  Rz＝3.063 未量測 未量測
由表1可知，製備例1的層合膜的修飾層為疏水性並具有較平坦的表面，且製備例1的層合膜具有高的光穿透率。並且，製備例1透過其修飾層，使得阻障膜具有較佳的水氣阻障能力。
[實施例1]
實施例1的阻障構件的層結構是如表1所示。其中，修飾層是使用與製備例1相同的方式製備，於此不再贅述。以及利用一射頻磁控濺鍍(廠商Kao Duen，型號R-24K08-SPUTTERING)製備阻障單元中的氧化鋁層、氧化矽層及摻鋁氧化鋅層。製備方式詳述如下。 摻鋁氧化鋅層的製備方式為：濺鍍靶材為摻鋁氧化鋅(廠商為邦杰材料科技股份有限公司，氧化鋅的重量比例為97 wt%，氧化鋁的重量比例為3 wt%)。濺鍍的條件：工作壓力為1 mtorr，濺鍍功率為50 W，濺鍍時間為23分鐘。 氧化鋁層的製備方式為：濺鍍靶材為氧化鋁(廠商為邦杰材料科技股份有限公司，純度為99.99 wt%，尺寸為直徑 2吋，厚度 3mm)。濺鍍的條件：工作壓力為1 mtorr，濺鍍功率為100W，濺鍍時間為80分鐘。 氧化矽層的製備方式為：濺鍍靶材為氧化矽(廠商為邦杰材料科技股份有限公司，純度為99.99 wt%)。濺鍍的條件：工作壓力為1 mtorr，濺鍍功率為100 W，濺鍍時間為36分鐘。
[實施例2至6]
實施例2至6使用與實施例1相似的方式製備阻障構件，差別在於如表2所示改變阻障構件的層結構。
[阻障構件的性質評價]
將實施例1至6的阻障構件進行光穿透率、水氣穿透率及色度的性質評價。其中，光穿透率及水氣穿透率的測量方式是如上所述，於此不再贅述；色度的測量方式說明如下。實施例1至6阻障構件的性質評價的結果如圖8及表2所示。
1. 色度 利用UV-VIS光譜儀(型號為Agilent cary 5000)並搭配擴充軟體(軟體名稱為Color)，量測各個實施例的阻障構件於CIE LAB色空間的色度值。a*的數值為正，表示顏色偏向紅色；數值為負，表示顏色偏向綠色；若a*的絕對值在0至1之間，表示其顏色無法被人類的肉眼所辨識。b*的數值為正，表示顏色偏向黃色；數值為負，表示顏色偏向藍色；若b*的絕對值在0至1之間，表示其顏色無法被人類的肉眼所辨識。測量結果如表2所示。
表2
阻障 構件 層結構 T (%) 380~780 nm CIE LAB WVTR (g/m2 ∙day)
L* a* b*
實施例 1 POAZS 91.31% 97.0939 0.0402 -0.2804 8.612×10-3
2 POASZ 82.47% 93.5096 0.0809 9.4672 4.567×10-3
3 POSAZ 83.58% 93.5453 -1.8870 0.0845 9.500×10-3
4 POSZA 88.32% 95.5066 0.1330 -3.1125 1.002×10-2
5 POZAS 91.33% 97.2006 -0.3411 4.9948 1.221×10-2
6 POZSA 83.82% 92.4279 2.6375 7.2494 1.761×10-2
註：表1中，「P」表示PET基板，厚度為125 μm；「O」表示製備例1的修飾層，厚度為800 nm；「Z」表示摻鋁氧化鋅層，厚度為40 nm；「S」表示氧化矽層，厚度為80 nm；「A」表示氧化鋁層，厚度為80 nm。
由表2的結果可知，實施例1至6阻障構件具有好的水氣阻障能力及高的光穿透率。其中，較佳地，實施例1及5的光穿透率分別達到91%以上。較佳地，實施例1至3的阻障構件的水氣穿透率分別達到10-3 的程度。又更佳地，實施例1阻障構件不僅僅是水氣穿透率低至8.612×10-3 且光穿透率高達91.33%，且實施例1阻障構件的色度值L*大於97.0939、a*及b*的絕對值皆小於1，表示對人類肉眼而言實施例1的阻障構件近似透明無色。
綜上所述，本發明阻障構件透過由特殊的該膠體溶液所形成為疏水性的該修飾層，與該氧化鋁層、氧化矽層及摻鋁氧化鋅層相互配合，從而具有好的水氣阻障能力及光學性質，故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者，僅為本發明的實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
1:基板 2:積層體 21:修飾層 22:阻障單元 221:氧化鋁層 222:摻鋁氧化鋅層 223:氧化矽層
本發明的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是本發明阻障構件的第一種實施態樣的一示意圖； 圖2是本發明阻障構件的第二種實施態樣的一示意圖； 圖3是本發明阻障構件的第三種實施態樣的一示意圖； 圖4是本發明阻障構件的第四種實施態樣的一示意圖； 圖5是本發明阻障構件的第五種實施態樣的一示意圖； 圖6是本發明阻障構件的第六種實施態樣的一示意圖； 圖7是本發明阻障構件的製備例1及比較例1層合膜的光穿透率的數據圖；及 圖8是本發明阻障構件的實施例1至6阻障構件的光穿透率的數據圖。
1:基板
2:積層體
21:修飾層
22:阻障單元
221:氧化鋁層
222:摻鋁氧化鋅層
223:氧化矽層

Claims (9)

  1. 一種阻障構件，包含：一個積層體，包括：一個修飾層，由一膠體溶液所形成且為疏水性，及一個阻障單元，設置在該修飾層，且具有交替堆疊設置的一個氧化鋁層、一個氧化矽層，及一個摻鋁氧化鋅層，其中，該膠體溶液是由包含金屬源、第一物質及第二物質的混合物所形成，且該第一物質是由包含具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物及具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物的第一組成物經水解及縮合所形成，該第二物質是由包含四烷氧基矽烷化合物及具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物的第二組成物經水解及縮合所形成，在該第一組成物中，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物與具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物的莫耳比例範圍為1：1至7：3，在該第二組成物中，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物與該四烷氧基矽烷化合的莫耳比例範圍為3：7至1：1。
  2. 如請求項1所述的阻障構件，其中，該具有疏水性官能基的三烷氧基矽烷化合物的疏水性官能基是選自於苯基。
  3. 如請求項1所述的阻障構件，其中，該具有反應性官能基的三烷氧基矽烷化合物的反應性官能基是選自於烯基、環 氧基或巰基。
  4. 如請求項1所述的阻障構件，其中，該阻障單元的該氧化鋁層設置在該修飾層上。
  5. 如請求項4所述的阻障構件，其中，該阻障單元的該摻鋁氧化鋅層設置在該氧化鋁層與該氧化矽層之間。
  6. 如請求項4所述的阻障構件，其中，該阻障單元的該氧化矽層設置在該氧化鋁層與該摻鋁氧化鋅層之間。
  7. 如請求項1所述的阻障構件，其中，該阻障單元的該氧化矽層設置在該修飾層上，且該氧化鋁層設置在該氧化矽層與該摻鋁氧化鋅層之間。
  8. 如請求項1所述的阻障構件，其中，該阻障單元的該氧化矽層設置在該修飾層上，且該摻鋁氧化鋅層設置在該氧化矽層與該氧化鋁層之間。
  9. 如請求項1所述的阻障構件，其中，該阻障單元的該摻鋁氧化鋅層設置在該修飾層上，且該氧化鋁層設置在該摻鋁氧化鋅層與該氧化矽層之間。
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