TWI709653B - 電漿處理裝置用構件及具備其之電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之電漿處理裝置用構件具備基材、及該基材上之以氧化釔為主成分之膜。並且，關於該膜，閉氣孔之面積佔有率為0.2%以下，且藉由X射線繞射所獲得之氧化釔之(222)面之繞射峰的半值寬為0.25°以下。本發明之電漿處理裝置具備上述電漿處理裝置用構件。

Description

電漿處理裝置用構件及具備其之電漿處理裝置
本發明係關於一種電漿處理裝置用構件及具備其之電漿處理裝置。
先前，作為要求較高之耐電漿性之構件，使用如下電漿處理裝置用構件，其具備基材、及該基材上之包含氧化釔之膜。此種膜有於殘留應力較大時，膜產生破裂或剝離之問題，提出藉由提高膜之結晶性而降低殘留應力。
具體而言，於專利文獻1中記載有藉由X射線繞射所獲得之氧化釔之繞射峰的半值寬為1.3°以下。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-97685號公報
[發明所欲解決之問題]
由於此次要求對於電漿之耐蝕性進一步提高，故而要求半值寬較小之膜。然而，於專利文獻1中藉由溶膠凝膠法所形成之膜之半值寬之最小值為0.3°，認為溶膠凝膠法難以使半值寬較其小。
又，作為殘留應力較小之膜，雖已知有熔射法，但使用熔射法所形成之膜有膜表面之開氣孔率或膜內部之閉氣孔率較大，或者於膜之內部亦存在微小裂痕之問題。
本發明提供一種為緻密質並且殘留應力較小，且耐蝕性優異之電漿處理裝置用構件及具備該電漿處理裝置用構件之電漿處理裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明之電漿處理裝置用構件具備基材、及該基材上之以氧化釔為主成分之膜。並且，關於該膜，閉氣孔率為0.2%以下，藉由X射線繞射所獲得之氧化釔之(222)面之繞射峰的半值寬為0.25°以下。
本發明之電漿處理裝置具備上述電漿處理裝置用構件。 [發明之效果]
本發明之電漿處理裝置用構件由於為緻密質並且殘留應力較小，故而耐蝕性優異。
本發明之電漿處理裝置具有較高之可靠性。
以下，參照圖式，對本發明之電漿處理裝置用構件詳細地進行說明。
本發明之電漿處理裝置用構件1如圖1所示，具備基材2、及基材2之至少一部分上之以氧化釔為主成分之膜3。並且，於圖1中，表示基材2之一個上表面2a由膜3被覆之例。再者，於圖1中係為了明確膜3之存在而模式性地進行表示，並未忠實地表示基材2及膜3之厚度。
基材2例如可列舉：石英、純度為99.999%(5 N)以上之鋁、鋁6061合金等鋁合金、氮化鋁質陶瓷、氧化鋁質陶瓷等。所謂氮化鋁質陶瓷或氧化鋁質陶瓷，例如若為氧化鋁質陶瓷，則係構成基材2之成分之合計100質量%中，將Al換算為Al2 O3 後之值即氧化鋁之含量為90質量%以上的陶瓷。再者，氧化鋁質陶瓷有除氧化鋁以外，亦包含氧化鎂、氧化鈣及氧化矽等之情形。
其次，膜3係以氧化釔為主成分者。於膜3為具有氧空位之表示為Y2 O3 －x(0＜x＜1)之氧化釔時，膜3具有半導電性，因此可抑制膜3之表面之靜電。再者，於膜3中，所謂主成分，係構成膜3之成分100質量%中占90質量%以上之成分。
並且，分別構成基材2及膜3之成分可藉由使用CuKα射線之X射線繞射裝置進行鑑定，各成分之含量例如可藉由將利用ICP(Inductively Coupled Plasma，感應耦合電漿)發光光譜分析裝置(ICP)或螢光X射線分析裝置所求出之各元素之含量換算為氧化物而求出。關於膜3，若藉由鑑定確認到存在Y2 O3 ，且將藉由ICP所求出之Y之含量換算為Y2 O3 後之值為90質量%以上，則為以氧化釔作為主成分之膜。
並且，膜3之閉氣孔之面積佔有率為0.2面積%以下。此處，所謂閉氣孔之面積佔有率為0.2面積%以下，係指為緻密之膜，亦可謂腐蝕較少以閉氣孔為起點進展之膜。再者，閉氣孔之面積佔有率為0.2面積%以下係較藉由電漿熔射法、懸浮熔射法、氣溶膠沈積(AD)法所獲得之膜小之值。該等成膜方法由於以粉末為原料，故而閉氣孔之面積率容易變大。
又，膜3亦可閉氣孔之圓當量徑之平均值為8 μm以下。若閉氣孔之圓當量徑之平均值為該範圍，則即便膜3之表面暴露於電漿而露出膜3之內部，亦可抑制自閉氣孔之輪廓或內部產生之顆粒之個數。
又，膜3亦可閉氣孔之圓當量徑之變動係數為2以下。若閉氣孔之圓當量徑之變動係數為該範圍，則基本上不存在異常大之閉氣孔，因此即便膜3之表面暴露於電漿而露出膜3之內部，亦可抑制自閉氣孔之輪廓或內部產生異常大之顆粒。
閉氣孔之圓當量徑之變動係數尤其是可為1以下。
此處，關於膜3之閉氣孔之面積佔有率、圓當量徑之平均值及圓當量徑之變動係數，係將使用平均粒徑為1 μm以上且5 μm以下之金剛石研磨粒，並利用包含錫之研磨盤研磨至膜3之厚度之40%以上且60%以下之位置所得的面作為測定面。然後，使用數位顯微鏡(基恩士(股)製造，VHX-5000)，將落射照明設定為同軸落射，將照明之強度設定為255，將相當於物鏡之ZS20透鏡設為100倍。繼而，對面積為7.223 mm2 (橫向之長度為3.1 mm，縱向之長度為2.33 mm)之範圍，以自動面積測量模式選擇亮度，提取暗區域(相當於閉氣孔之區域)後，將閾值例如設定為-20而進行測定，藉此可算出膜3之閉氣孔之面積佔有率、圓當量徑之平均值及圓當量徑之變動係數。但是，閾值只要視暗區域之亮度適當設定即可。如上所述將膜之中心部作為測定面由於成為膜3之閉氣孔之代表值，故而較佳。
又，膜3之藉由X射線繞射所獲得之氧化釔之(222)面之繞射峰的半值寬(FWHM：Full Width at Half Maximum)為0.25°以下。即，結晶性較高，殘留應力較小，因此膜3產生破裂或龜裂之顧慮較少。再者，半值寬之值僅規定了上限，但半值寬不可能為零，當然為不包括零者。又，半值寬較佳為0.05°以上。
構成本發明之電漿處理裝置用構件1之膜3由於閉氣孔之面積佔有率為0.2面積%以下，且藉由X射線繞射所獲得之氧化釔之(222)面之繞射峰的半值寬為0.25°以下，故而為緻密質並且殘留應力較小，因此對於電漿之耐蝕性優異。
構成本發明之電漿處理裝置用構件1之膜3的膜之厚度為5 μm以上且200 μm以下。又，膜3之微小維氏硬度Hmv為7.5 GPa以上，硬度非常高。例如藉由電漿熔射法所形成之膜之閉氣孔為10～20%左右。因此，電漿熔射膜之微小維氏硬度Hmv為4.4 GPa左右。再者，微小維氏硬度Hmv之測定方法係依據JIS R 1610(2003)進行。又，測定係使用MATSUZAWA製造之自動微小硬度試驗系統AMT-X7FS，於試驗負荷0.4903 N(50 gf)、保持力15秒下進行。又，較佳為使用於經鏡面加工之基材表面設置有膜3之樣品。
尤其是若半值寬為0.13°以下，則藉由進一步高之結晶性而提高耐蝕性。
又，構成本發明之電漿處理裝置用構件1之膜3亦可係氧化釔之(222)面之繞射峰向低角側的偏移量為0.3°以下。於氧化釔之(222)面之繞射峰向低角側的偏移量為該範圍時，氧化釔之結晶之晶面間距之擴大得到抑制，因此膜3之內部之殘留應力進一步變小，自基材2剝離之顧慮變少。
氧化釔之(222)面之繞射峰之半值寬及向低角側之偏移量可使用X射線繞射裝置進行測定。
繼而，對於本發明之電漿處理裝置用構件1之製造方法進行說明。
首先，對於基材2之製造方法進行說明。
準備平均粒徑為0.4～0.6 μm之氧化鋁(Al2 O3 )A粉末及平均粒徑為1.2～1.8 μm左右之氧化鋁B粉末。又，準備氧化矽(SiO2 )粉末、碳酸鈣(CaCO3 )粉末。再者，氧化矽粉末係準備平均粒徑為0.5 μm以下之微粉。又，於獲得包含Mg之氧化鋁質陶瓷時，使用氫氧化鎂粉末。再者，於以下之記載中，將氧化鋁A粉末及氧化鋁B粉末以外之粉末統稱為第1副成分粉末。
然後，分別稱量特定量之第1副成分粉末。繼而，將氧化鋁A粉末與氧化鋁B粉末以質量比率成為40：60～60：40之方式，且以獲得之構成氧化鋁質陶瓷之成分100質量%中，將Al換算為Al2 O3 後之含量成為99.4質量%以上之方式，進行稱量而作為氧化鋁調製粉末。又，關於第1副成分粉末，較佳為首先掌握氧化鋁調製粉末中之Na量，自製成氧化鋁質陶瓷之情形時之Na量換算為Na2 O，以該換算值與將構成第1副成分粉末之成分(該例中為Si或Ca等)換算為氧化物後之值的比成為1.1以下之方式進行稱量。
然後，將氧化鋁調製粉末、第1副成分粉末、相對於氧化鋁調製粉末及第1副成分粉末之合計100質量份為1～1.5質量份之PVA(polyvinyl alcohol，聚乙烯醇)等黏合劑、100質量份之溶劑、及0.1～0.55質量份之分散劑加入至攪拌裝置中並進行混合、攪拌而獲得漿料。
其後，將漿料進行噴霧造粒而獲得顆粒後，將該顆粒藉由粉末加壓成形裝置、均壓加壓成形裝置等成形為特定形狀，視需要實施切削加工而獲得基板狀之成形體。
繼而，將煅燒溫度設為1500℃以上且1700℃以下，將保持時間設為4小時以上且6小時以下而進行煅燒後，使用平均粒徑為1 μm以上且5 μm以下之金剛石研磨粒、及包含錫之研磨盤對形成膜之側之表面進行研磨，藉此可獲得基材2。
然後，為了獲得膜3之閉氣孔率為0.2面積%以下之電漿處理裝置用構件，只要使形成膜3之基材2之上表面2a之開氣孔率為8面積%以下即可。
此處，為了使上表面2a之開氣孔率為0.1%以下，只要使用平均粒徑為1 μm以上且3 μm以下之金剛石研磨粒、及包含錫之研磨盤對形成膜之側之表面進行研磨即可。
上表面2a之開氣孔率只要使用數位顯微鏡(基恩士(股)製造，VHX-5000)，並使用與上述方法相同之方法求出即可。
繼而，對於膜3之形成方法使用圖2進行說明。圖2係表示濺鍍裝置10之模式圖，濺鍍裝置10具備：腔室4、連接至腔室4內之氣體供給源8、及位於腔室4內之陽極5與陰極7以及與陰極7側連接之靶6。
作為膜3之形成方法，將藉由上述方法所獲得之基材2設置於腔室4內之陽極5側。又，於腔室4內之相反側將以稀土元素、此處以金屬釔作為主成分之靶6設置於陰極7側。於該狀態下，藉由排氣泵使腔室4內為減壓狀態，自氣體供給源8供給作為氣體G之氬氣及氧氣。
然後，一面將壓力控制在0.3 Pa±0.1 Pa之範圍內，一面藉由電源對陽極5與陰極7之間施加電場以產生電漿P而進行濺鍍，藉此於基材2之表面形成金屬釔膜。再者，1次形成之厚度係設為0.5 nm以下。為了使半值寬為0.13°以下，只要使1次形成之厚度為0.3 nm以下即可。為了使繞射峰向低角側之偏移量為0.3°以下，只要將基材2之溫度控制為常溫～200℃即可。藉由減小1次形成之厚度，可抑制形成閉氣孔。
繼而，進行金屬釔膜之氧化步驟。然後，以膜3之厚度之合計成為5 μm以上且200 μm以下之方式交替進行金屬釔膜之形成與氧化步驟而進行積層，藉此可獲得本發明之電漿處理裝置用構件。再者，自電源輸入之電力可為高頻電力及直流電力之任一種。又，膜3之厚度較佳為10 μm以上。藉由使膜厚變厚，可提高耐久性。
本發明之電漿處理裝置用構件只要為暴露於電漿之構件即可，例如為使用以產生電漿之高頻透過之高頻透過用窗構件、用以分配電漿生成用氣體之簇射板、及用以載置半導體晶圓之基座等。
繼而，對本發明之電漿處理裝置進行說明。本發明之電漿處理裝置由於具備本發明之電漿處理裝置用構件，故而藉由優異之耐蝕性，可長期維持優異之品質，因此具有較高之可靠性。又，由於電漿處理裝置用構件之壽命較長，故而生產性提高。
以下，參照圖式，對本發明之另一實施形態之電漿處理裝置用構件詳細地進行說明。
本發明之電漿處理裝置用構件11如圖3所示，具備基材12、及基材12之至少一部分上之稀土元素之氧化物之膜13。並且，於圖3中，表示基材12之一個上表面12a由膜13被覆之例。再者，於圖3中係為了明確膜13之存在而模式性地進行表示，並未忠實地表示基材12及膜13之厚度。
並且，膜13係稀土元素之氧化物，作為稀土元素，可列舉釔(Y)、鈰(Ce)、釤(Sm)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鉺(Er)及鐿(Yb)等。此處，於稀土元素為釔時，耐蝕性優異，並且亦較其他稀土元素廉價，故而成本效益較高。
再者，膜13並非不包含稀土元素之氧化物以外，根據形成膜13時所使用之靶之純度及裝置構成等，有除稀土元素以外，亦包含氟(F)、鈉(Na)、鎂(Mg)、鋁(Al)、矽(Si)、磷(P)、硫(S)、氯(Cl)、鉀(K)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鍶(Sr)等之情形。
並且，膜13之厚度之變動係數為0.04以下。滿足此種構成之本發明之電漿處理裝置用構件11較厚度之變動係數超過該範圍者，可長期使用。
此處，所謂變動係數，若使用圖3所記載之符號進行說明，則係於形成有膜13之基材12之與上表面12a垂直之剖面，在複數個部位對上表面12a至膜13之表面之厚度進行測定，用所獲得之值之標準偏差除以平均值所得者。
膜13亦可厚度之偏度之絕對值為1以下。
若厚度之偏度之絕對值為該範圍，則厚度之分佈成為常態分佈或接近常態分佈之分佈，而變得不易局部地殘留較高之應力，因此即便長期反覆暴露於電漿，亦可減少膜13剝離之顧慮。
膜13厚度之偏度尤其是可為0以上且1以下。
此處，所謂偏度，係表示分佈自常態分佈偏斜多少，即，表示分佈之左右對稱性之指標(統計量)，於偏度Sk＞0之情形時，分佈之重尾朝向右側，於偏度Sk＝0之情形時，分佈變得左右對稱，於偏度Sk＜0之情形時，分佈之重尾朝向左側。
再者，厚度之偏度只要使用Excel(註冊商標，Microsoft Corporation)所具備之函數SKEW求出即可。
關於測定，更具體而言，使用分光干涉計，將折射率設為1.92來進行測定。再者，對於作為對象之觀察區域、例如橫向及縱向之長度均為50 mm之範圍之區域，以無偏倚之方式對至少20處以上進行測定。
再者，關於厚度之變動係數為0.04以下之本發明之電漿處理裝置用構件1，膜13之表面之粗糙度曲線之最大高度Rz為6 μm以下。此處，膜13之表面之粗糙度曲線之最大高度Rz可依據JIS B 0601-2001並使用雷射顯微鏡(基恩士(股)製造，超深度彩色3D形狀測定顯微鏡(VK-9500或其後續機型))進行測定。作為測定條件，係倍率為1000倍(目鏡：20倍，物鏡：50倍)，測定模式為彩色超深度，高度方向之測定解析度(間距)為0.05 μm，光學變焦為1.0倍，增益為953，ND濾波器為0，測定範圍為278 μm×210 μm，臨界值λs為2.5 μm，臨界值λc為0.08 mm。又，算出數值時，將n數設為5以上，將所獲得之值之平均值作為膜13之表面之粗糙度曲線之最大高度Rz。
又，本發明之電漿處理裝置用構件11中之膜13之厚度為5 μm以上且200 μm以下。又，膜13之微小維氏硬度Hmv為7.5 GPa以上。微小維氏硬度Hmv之測定方法係依據JIS R 1610(2003)進行。又，測定係使用MATSUZAWA製造之自動微小硬度試驗系統AMT-X7FS，於試驗負荷0.4903 N(50 gf)、保持力15秒下進行。又，較佳為使用於經鏡面加工之基材表面設置有膜13之樣品。
於膜13中，尤其是若厚度之變動係數為0.025以下，則相同之平均厚度下之電漿處理裝置用構件11之壽命延長，因此具有較高之成本效益。
又，膜13亦可閉氣孔之面積佔有率為0.2面積%以下。所謂閉氣孔之面積佔有率為0.2面積%以下，係指為緻密之膜，亦可謂腐蝕較少以閉氣孔為起點進展之膜。再者，閉氣孔之面積佔有率為0.2面積%以下係較藉由電漿熔射法、懸浮熔射法、氣溶膠沈積(AD)法所獲得之膜小之值。該等成膜方法由於以粉末為原料，故而閉氣孔之面積率容易變大。例如藉由電漿熔射法所形成之膜之閉氣孔為10～20%左右。因此，電漿熔射膜之微小維氏硬度Hmv為4.4 GPa左右。
又，膜13亦可閉氣孔之圓當量徑之平均值為8 μm以下。若閉氣孔之圓當量徑之平均值為該範圍，則即便膜13之表面暴露於電漿而露出膜13之內部，亦可抑制自閉氣孔之輪廓或內部產生之顆粒之個數。
又，膜13亦可閉氣孔之圓當量徑之變動係數為2以下。若閉氣孔之圓當量徑之變動係數為該範圍，則基本上不存在異常大之閉氣孔，因此即便膜13之表面暴露於電漿而露出膜13之內部，亦可抑制自閉氣孔之輪廓或內部產生異常大之顆粒。
閉氣孔之圓當量徑之變動係數尤其是可為1以下。
此處，關於膜13之閉氣孔之面積佔有率、圓當量徑之平均值及圓當量徑之變動係數，係將使用平均粒徑為1 μm以上且5 μm以下之金剛石研磨粒，並利用包含錫之研磨盤研磨至膜13之厚度之40%以上且60%以下之位置所得的面作為測定面。然後，使用數位顯微鏡(基恩士(股)製造，VHX-5000)，將落射照明設定為同軸落射，將照明之強度設定為255，將相當於物鏡之ZS20透鏡設為100倍。繼而，對面積為7.223 mm2 (橫向之長度為3.1 mm，縱向之長度為2.33 mm)之範圍，以自動面積測量模式選擇亮度，提取暗區域(相當於閉氣孔之區域)後，將閾值例如設定為-20而進行測定，藉此可算出膜13之閉氣孔之面積佔有率、圓當量徑之平均值及圓當量徑之變動係數。但閾值只要視暗區域之亮度適當設定即可。如上所述將膜之中心部作為測定面係由於成為膜13之閉氣孔之代表值，故而較佳。
膜13之厚度較佳為5 μm以上。又，膜13之厚度亦可為15 μm以上。於膜13之厚度之變動係數為0.04以下，進而膜13之厚度為15 μm以上時，於暴露於電漿之環境中，可承受長期之使用。
進而，於膜13之厚度之變動係數為0.04以下，膜13之閉氣孔之面積佔有率為0.2面積%以下，膜13之厚度為15 μm以上時，可承受進一步長期之使用。
繼而，基材12例如可列舉：石英、純度為99.999%(5 N)以上之鋁、鋁6061合金等鋁合金、氮化鋁質陶瓷、氧化鋁質陶瓷等。所謂氮化鋁質陶瓷或氧化鋁質陶瓷，例如若為氧化鋁質陶瓷，則係構成基材12之成分之合計100質量%中，將Al換算為Al2 O3 後之值即氧化鋁之含量為90質量%以上的陶瓷。再者，氧化鋁質陶瓷有除氧化鋁以外，亦包含氧化鎂、氧化鈣及氧化矽等之情形。
此處，分別構成基材12及膜13之成分可藉由使用CuKα射線之X射線繞射裝置進行鑑定，各成分之含量例如可藉由將利用ICP(Inductively Coupled Plasma)發光光譜分析裝置或螢光X射線分析裝置所求出之各元素之含量換算為氧化物而求出。
繼而，對本發明之電漿處理裝置用構件11之製造方法進行說明。
首先，對基材12之製造方法進行說明。
準備平均粒徑為0.4～0.6 μm之氧化鋁(Al2 O3 )A粉末及平均粒徑為1.2～1.8 μm左右之氧化鋁B粉末。又，準備氧化矽(SiO2 )粉末、碳酸鈣(CaCO3 )粉末。再者，氧化矽粉末係準備平均粒徑為0.5 μm以下之微粉。又，於獲得包含Mg之氧化鋁質陶瓷時，使用氫氧化鎂粉末。再者，於以下之記載中，將氧化鋁A粉末及氧化鋁B粉末以外之粉末統稱為第1副成分粉末。
然後，分別稱量特定量之第1副成分粉末。繼而，將氧化鋁A粉末與氧化鋁B粉末以質量比率成為40：60～60：40之方式，且以獲得之構成氧化鋁質陶瓷之成分100質量%中，將Al換算為Al2 O3 後之含量成為99.4質量%以上之方式，進行稱量而作為氧化鋁調製粉末。又，關於第1副成分粉末，較佳為首先掌握氧化鋁調製粉末中之Na量，自製成氧化鋁質陶瓷之情形時之Na量換算為Na2 O，以該換算值與將構成第1副成分粉末之成分(於該例中為Si或Ca等)換算為氧化物後之值的比成為1.1以下之方式進行稱量。
然後，將氧化鋁調製粉末、第1副成分粉末、相對於氧化鋁調製粉末及第1副成分粉末之合計100質量份為1～1.5質量份之PVA(聚乙烯醇)等黏合劑、100質量份之溶劑、及0.1～0.55質量份之分散劑加入至攪拌裝置中並進行混合、攪拌而獲得漿料。
其後，將漿料進行噴霧造粒而獲得顆粒後，將該顆粒藉由粉末加壓成形裝置、均壓加壓成形裝置等成形為特定形狀，視需要實施切削加工而獲得基板狀之成形體。
繼而，將煅燒溫度設為1500℃以上且1700℃以下，將保持時間設為4小時以上且6小時以下而進行煅燒後，使用平均粒徑為1 μm以上且5 μm以下之金剛石研磨粒、及包含錫之研磨盤對形成膜之側之表面進行研磨，藉此可獲得基材12。
繼而，對於膜13之形成方法使用圖4進行說明。圖4係表示濺鍍裝置10之模式圖，濺鍍裝置20具備：腔室14、連接至腔室14內之氣體供給源18、及位於腔室14內之陽極15與陰極17以及與陰極17側連接之靶16。
作為膜13之形成方法，將藉由上述方法所獲得之基材12設置於腔室14內之陽極15側。又，於腔室14內之相反側將以稀土元素、此處以金屬釔作為主成分之靶16設置於陰極17側。於該狀態下，藉由排氣泵使腔室14內為減壓狀態，自氣體供給源8供給作為氣體G之氬氣及氧氣。
然後，一面將壓力控制在0.3 Pa±0.1 Pa之範圍，一面藉由電源對陽極15與陰極17之間施加電場以產生電漿P而進行濺鍍，藉此於基材12之表面形成金屬釔膜。再者，1次形成之厚度為次nm。繼而進行金屬釔膜之氧化步驟。然後，以膜13之厚度之合計成為10 μm以上且200 μm以下之方式交替進行金屬釔膜之形成與氧化步驟而進行積層，藉此可獲得本發明之電漿處理裝置用構件。再者，自電源輸入之電力可為高頻電力及直流電力之任一種。
本發明之電漿處理裝置用構件只要為暴露於電漿之構件即可，例如為使用以產生電漿之高頻透過之高頻透過用窗構件、用以分配電漿生成用氣體之簇射板、及用以載置半導體晶圓之基座等。
繼而，對於本發明之電漿處理裝置進行說明。本發明之電漿處理裝置由於具備本發明之電漿處理裝置用構件，故而由膜之厚度較薄之部分之基材露出導致品質降低之顧慮較少，可維持製品之品質。又，由於發生突發性之電漿處理裝置用構件之更換之情況較少，故而生產效率之降低較少。又，由於電漿處理裝置用構件之更換時期之偏差較少，可預測更換時間並容易安排更換預定，故而作為結果，生產效率提高。
本發明可不偏離其精神或主要之特徵而以其他各種形態來實施。因此，上述實施形態於所有方面上僅為例示，本發明之範圍係申請專利範圍所示者，並不受說明書正文任何限定。進而，屬於申請專利範圍之變化或變更全部為本發明之範圍內者。例如，自本發明之實施形態之組合產生之發明亦為本發明之範圍內者。
1‧‧‧電漿處理裝置用構件 2‧‧‧基材 2a‧‧‧上表面 3‧‧‧膜 4‧‧‧腔室 5‧‧‧陽極 6‧‧‧靶 7‧‧‧陰極 8‧‧‧氣體供給源 10‧‧‧濺鍍裝置 11‧‧‧電漿處理裝置用構件 12‧‧‧基材 12a‧‧‧上表面 13‧‧‧膜 14‧‧‧腔室 15‧‧‧陽極 16‧‧‧靶 17‧‧‧陰極 18‧‧‧氣體供給源 20‧‧‧濺鍍裝置 G‧‧‧氣體 P‧‧‧電漿
本發明之目的、特色、及優點係根據下述詳細之說明及圖式而變得更明確。 圖1係表示本發明之一實施形態之電漿處理裝置用構件的模式圖。 圖2係表示用以獲得本發明之一實施形態之電漿處理裝置用構件之濺鍍裝置的模式圖。 圖3係表示本發明之另一實施形態之電漿處理裝置用構件的模式圖。 圖4係表示用以獲得本發明之另一實施形態之電漿處理裝置用構件之濺鍍裝置的模式圖。
1‧‧‧電漿處理裝置用構件
2‧‧‧基材
2a‧‧‧上表面
3‧‧‧膜

Claims (6)

  1. 一種電漿處理裝置用構件，其具備基材、及該基材之至少一部分上之以氧化釔為主成分之膜，該基材係包含石英、純度為99.999%(5N)以上之鋁、鋁合金、氮化鋁質陶瓷、或氧化鋁質陶瓷之基材，該膜係氧化釔占90質量%以上之膜，閉氣孔之面積佔有率為0.2面積%以下，且藉由X射線繞射所獲得之氧化釔之(222)面之繞射峰的半值寬為0.25°以下。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置用構件，其中上述膜之上述閉氣孔之圓當量徑之平均值為8μm以下。
  3. 如請求項1或2之電漿處理裝置用構件，其中上述膜之上述閉氣孔之圓當量徑之變動係數為2以下。
  4. 如請求項1或2之電漿處理裝置用構件，其中上述膜之上述半值寬為0.13°以下。
  5. 如請求項1或2之電漿處理裝置用構件，其中上述膜之上述氧化釔之(222)面之繞射峰向低角側的偏移量為0.3°以下。
  6. 一種電漿處理裝置，其具備如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置用構件。
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