TWI702142B - 導電性積層體、觸控面板及導電性積層體之製造方法 - Google Patents

導電性積層體、觸控面板及導電性積層體之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之目的在於提供一種耐溶劑性及耐擦傷性均優異，並且具有低霧度(haze)值及極高透光率之導電性積層體。
本發明係於最表面具有含有導電性纖維狀填料之導電性層之導電性積層體，其特徵在於：自表面起之壓入量為100nm時之馬氏硬度為150~3000N/mm2，於上述導電性層之最表面側之面中構成上述導電性纖維狀填料之導電材料元素之比率以原子組成百分率計為0.15~5.00at%。

Description

導電性積層體、觸控面板及導電性積層體之製造方法
本發明係關於一種導電性積層體、觸控面板及導電性積層體之製造方法。
習知，作為液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)等顯示器或觸控面板、太陽電池等之透明電極，使用有透明且導電性之薄膜，作為此種薄膜，例如使用於玻璃基材上積層有由氧化銦錫(ITO)等構成之導電膜之透明導電性薄板。
然而，由於使用玻璃基板之透明導電性薄板之可撓性較差，故而近年來主要使用於聚酯(PET)膜或由聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)等可撓性樹脂構成之基材膜上，藉由真空蒸鍍法或濺鍍法設置有由ITO等構成之導電膜之導電性膜。
然而，由於由ITO等構成之導電膜不具有柔軟性，故而若於由可撓性樹脂構成之基材膜上設置該導電膜，則存在容易產生龜裂之問題。
對此，例如已知有將含有金屬奈米線之透明導電性層設置於基板上而成之透明導電體(例如，參照專利文獻1等)。
專利文獻1所記載之透明導電體係將金屬奈米線分散於分散溶劑中而得之水性分散物塗設於基板上(較佳為設置於基材上之親水性聚合物層上)並使其乾燥，藉此形成透明導電性層而製造，藉由該方法所製造之透明導電體成為於基材中或親水性聚合物層中埋入有金屬奈米線之狀態。
然而，此種透明導電體中，由於埋入有金屬奈米線之基材等之表面不為硬化之狀態，故而存在耐溶劑性及耐擦傷性差之問題。
又，例如於專利文獻2中揭示有如下方法：於基材上形成透明導電膜並於該透明導電膜上進而設置硬化膜後，藉由蝕刻進行透明導電膜之圖案化而製造透明導電性膜。藉由將此種硬化膜設置於透明導電膜上之方法，可期待耐溶劑性及耐擦傷性之提高。
但是，於透明導電膜上設置有硬化膜之透明導電性膜中，若硬化層之厚度較厚，則表面電阻變高，又，透明導電膜之蝕刻需要長時間，因而必須使設置於透明導電膜上之硬化膜之厚度變薄。
然而，由於難以較薄地形成硬化膜，故而較多情況是特別選擇成膜性良好之聚合物材料使用，由此種成膜性良好之聚合物材料構成之硬化膜之硬度差，即便使用高硬度單體，亦存在因膜較薄而硬化不完全，耐擦傷性不足之問題。
又，例如亦已知有如下方法：藉由在支持體上形成導電膜並將其轉印至基材膜之所謂轉印法製造導電性膜(例如，參照專利文獻3、4等)。藉由此種導電性膜，可期待耐溶劑性及耐擦傷性之提高。
然而，近年來，由於圖像顯示裝置等所要求之光學性能之水準日益增高，故而對導電性膜亦要求優異之光學性能，尤其是低霧度(haze)值且透 光性能極其優異，但難謂藉由轉印法設置有導電膜之習知之導電性膜之此種光學性能已足夠。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2010-084173號公報
專利文獻2：日本專利特開2014-188828號公報
專利文獻3：日本專利特開2009-252493號公報
專利文獻4：日本專利第5430792號
本發明之目的在於鑒於上述現狀而提供一種耐溶劑性及耐擦傷性均優異，並且具有低霧度值及極高透光率之導電性積層體、使用該導電性積層體而成之觸控面板及導電性積層體之製造方法。
本發明係一種導電性積層體，於最表面具有含有導電性纖維狀填料之導電性層，其特徵在於：自表面起之壓入量為100nm時之馬氏硬度為150~3000N/mm2，於上述導電性層之最表面側之表面中構成上述導電性纖維狀填料之導電材料元素之比率以原子組成百分率計為0.15~5.00at%。
又，本發明之導電性積層體較佳為總光線透射率為80%以上，霧度為5%以下。
又，較佳為上述導電性層具有黏合劑樹脂及上述黏合劑樹脂中所含有之導電性纖維狀填料，上述導電性纖維狀填料之一部分自上述導電性層之最表面側之面突出。
又，較佳為上述導電性層之厚度未達導電性纖維狀填料之纖維直徑。
又，較佳為上述導電性纖維狀填料之纖維直徑為200nm以下，纖維長度為1μm以上。
又，較佳為上述導電性纖維狀填料係選自由導電性碳纖維、金屬纖維及金屬被覆合成纖維組成之群中之至少1種。
又，本發明之導電性積層體較佳於樹脂層上具有上述導電性層。
又，本發明亦為一種觸控面板，其特徵在於：可使用上述本發明之導電性積層體而成。
又，本發明亦為一種導電性積層體之製造方法，其係製造於最表面具有含有導電性纖維狀填料之導電性層之導電性積層體之方法，其特徵在於：具有下述轉印步驟：使用脫模膜上至少具有上述導電性層之轉印膜，將上述導電性層轉印至上述被轉印體。
又，於本發明之導電性積層體之製造方法中，較佳為上述導電性膜之霧度值為5%以下，總光線透射率為80%以上。
又，較佳為上述轉印膜中之導電性層具有黏合劑樹脂及上述黏合劑樹脂中所含有之導電性纖維狀填料，上述導電性纖維狀填料之一部分自上述導電性層之與脫模膜側相反之側之表面突出。
又，較佳為上述導電性層之厚度未達上述導電性纖維狀填料之纖維直徑。
又，較佳為上述導電性纖維狀填料之纖維直徑為200nm以下，纖維長度為1μm以上。
又，較佳為上述導電性纖維狀填料係選自由導電性碳纖維、金屬纖維及金屬被覆合成纖維組成之群中之至少1種。
又，較佳為進而具有對上述導電性層進行紫外線照射及/或加熱之處理步驟。
又，較佳為上述被轉印體為樹脂層。
以下，對本發明詳細地進行說明。
再者，於本說明書中，所謂「樹脂」，只要無特別說明，則為包含單體、低聚物、聚合物等之概念。
本發明係於最表面具有含有導電性纖維狀填料之導電性層之導電性積層體。
本發明人等進行努力研究，結果發現，於最表面設置有含有導電性纖維狀填料之導電性層之導電性積層體中，表面硬度處於特定之範圍內，且構成導電性纖維狀填料之導電材料元素以特定之比率存在於上述導電性層之最表面側之面，，藉此可製成耐溶劑性及耐擦傷性均優異，並且具有低霧度值及極高透光率之導電性積層體，從而完成本發明。
本發明之導電性積層體自表面起之壓入量為100nm時之馬氏硬度為150~3000N/mm2。再者，上述「表面」意指本發明之導電性積層體之導電性層側之最表面。
若自表面起之壓入量為100nm時之馬氏硬度未達150N/mm2，則於本發明之導電性積層體之製造過程中容易損傷，若超過3000N/mm2，則蝕刻 速率變慢，或容易產生因彎曲而發生破裂之問題。上述自表面起之壓入量為100nm時之馬氏硬度之較佳下限為200N/mm2，較佳上限為1000N/mm2，更佳之下限為250N/mm2，更佳之上限為500N/mm2。
再者，於本說明書中，上述馬氏硬度係指使用Fischer公司製造之超微小硬度試驗系統「Picodentor」測得之自表面起之壓入量為100nm時之馬氏硬度。
又，本發明之導電性積層體較佳為於更靠近最表面之位置之馬氏硬度較高。具體而言，較佳為上述自表面起之壓入量為5~10nm時之馬氏硬度為1000~40000N/mm2。藉由具有此種馬氏硬度，即便於對本發明之導電性積層體實施耐溶劑性試驗或耐擦傷性試驗等耐久性試驗後，亦容易獲得該耐久性試驗之實施前之耐擦傷性或耐溶劑性。
又，於本發明之導電性積層體中，較佳為上述自表面起之壓入量為500~1000nm時，馬氏硬度為20~1000N/mm2。藉由具有此種馬氏硬度，容易改善本發明之導電性積層體整體之硬度平衡，改善本發明之導電性積層體之蝕刻速率或密接性等特性。再者，所謂上述自表面起之壓入量為500~1000nm係指較上述導電性層與設置於該導電性層之與最表面側相反之側之下層之界面更下側，即下層側之深度。
再者，根據製造法之不同，亦存在溶劑或些許樹脂成分等溶解、滲透至本發明之導電性積層體之上述下層等之情況，因而有時相較於上述導電性層之馬氏硬度，即使過於柔軟，上述自表面起之壓入量亦會對各物性產生影響。因此，更佳為相對於上述自表面起之壓入量為100nm時之馬氏硬度，本發明之導電性積層體整體之馬氏硬度平衡亦為適當之範圍。
上述導電性層含有導電性纖維狀填料。
於本發明中，上述導電性層除了含有上述導電性纖維狀填料以外亦可含有黏合劑樹脂，於該情形時，較佳為上述導電性纖維狀填料之一部分自上述導電性層之最表面側之面(以下，亦簡稱為表面)突出。
可將具有此種導電性層之導電性積層體設為具有低霧度值及高透光性能者。
又，藉由設為於上述黏合劑樹脂中具有導電性纖維狀填料之構成，上述導電性層之耐擦傷性變得尤其優異。
作為上述黏合劑樹脂，並無特別限定，例如較佳為透明性者，例如作為藉由紫外線或電子束而硬化之樹脂之游離輻射硬化型樹脂較佳為藉由紫外線或電子束之照射而硬化者。
作為上述游離輻射硬化型樹脂，例如可列舉丙烯酸酯系等具有官能基之化合物等具有1或2個以上不飽和鍵之化合物。
作為具有1個不飽和鍵之化合物，例如可列舉：(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、苯乙烯、甲基苯乙烯、N-乙烯基吡咯啶酮等。作為具有2個以上之不飽和鍵之化合物，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三伸丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二伸乙甘醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙烯甘醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三新戊四醇八(甲基)丙烯酸酯、四新戊四醇十(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯、 異三聚氰酸二(甲基)丙烯酸酯、聚酯三(甲基)丙烯酸酯、聚酯二(甲基)丙烯酸酯、雙酚二(甲基)丙烯酸酯、雙甘油四(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸金剛烷基酯、二(甲基)丙烯酸異莰基酯、二環戊烷二(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯等多官能化合物等。其中，可較佳地使用新戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、二新戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)及新戊四醇四丙烯酸酯(PETTA)。再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」係指甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯。又，於本發明中，作為上述游離輻射硬化型樹脂，亦可使用將上述化合物藉由PO、EO等進行改質而成者。
除了上述化合物以外，亦可使用具有不飽和雙鍵之相對低分子量之聚酯樹脂、聚醚樹脂、丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、多硫醇多烯樹脂等作為上述游離輻射硬化型樹脂。
上述游離輻射硬化型樹脂亦可與溶劑乾燥型樹脂(熱塑性樹脂等，僅藉由使用以於塗敷時調整固形物成分而添加之溶劑乾燥而成為被膜之樹脂)併用而使用。藉由併用溶劑乾燥型樹脂，可於形成導電性層時，有效地防止塗佈液之塗佈面之被膜缺陷。
作為可與上述游離輻射硬化型樹脂併用而使用之溶劑乾燥型樹脂，並無特別限定，一般而言，可使用熱塑性樹脂。
作為上述熱塑性樹脂，並無特別限定，例如可列舉：苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、乙烯基醚系樹脂、含鹵素之樹脂、脂環式烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、纖維 素衍生物、聚矽氧系樹脂及橡膠或彈性體等。上述熱塑性樹脂較佳為非晶性且可溶於有機溶劑(尤其是可將複數種聚合物或硬化性化合物溶解於之共用溶劑)。就透明性或耐候性之觀點而言，尤佳為苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、脂環式烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、纖維素衍生物(纖維素酯類等)等。
又，上述導電性層亦可含有熱硬化性樹脂。
作為上述熱硬化性樹脂，並無特別限定，例如可列舉：酚樹脂、脲樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯(diallylphthalate)樹脂、三聚氰胺樹脂、胍胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、胺基醇酸樹脂、三聚氰胺-脲共縮合樹脂、矽樹脂、聚矽氧烷樹脂等。
含有上述黏合劑樹脂之導電性層例如可藉由如下方式形成：將含有上述導電性纖維狀填料、游離輻射硬化型樹脂之單體成分及溶劑之導電性層用組成物塗佈於後述基材膜上，使其乾燥而形成塗膜，藉由游離輻射照射等使該塗膜硬化。
作為上述導電性層用組成物所含之溶劑，例如可例示：醇(例如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇、第三丁醇、苄醇、PGME、乙二醇)、酮類(丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等)、醚類(二
Figure 105110731-A0202-12-0009-9
烷、四氫呋喃等)、脂肪族烴類(己烷等)、脂環式烴類(環己烷等)、芳香族烴類(甲苯、二甲苯等)、鹵化碳類(二氯甲烷、二氯乙烷等)、酯類(乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等)、賽珞蘇類(甲基賽珞蘇、乙基賽珞蘇等)、乙酸賽珞蘇類、亞碸類(二甲基亞碸等)、醯胺類(二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等)等，亦可為該等之混合物。
上述導電性層用組成物較佳為進而含有光聚合起始劑。
作為上述光聚合起始劑，並無特別限定，可使用公知者，具體例例如可列舉：苯乙酮類、二苯甲酮類、米氏苯甲醯基苯甲酸酯、α-戊基肟酯、9-氧硫
Figure 105110731-A0202-12-0010-10
類、丙醯苯類、二苯乙二酮類、安息香類、醯基膦氧化物類。又，較佳為混合光增感劑而使用，作為其具體例，例如可列舉：正丁基胺、三乙基胺、聚正丁基膦等。
作為上述光聚合起始劑，於上述導電性層用組成物所含之樹脂成分為具有自由基聚合性不飽和基之樹脂系之情形時，較佳為將苯乙酮類、二苯甲酮類、9-氧硫
Figure 105110731-A0202-12-0010-11
類、安息香、安息香甲醚等單獨使用或混合而使用。又，於上述樹脂成分為具有陽離子聚合性官能基之樹脂系之情形時，作為上述光聚合起始劑，較佳為將芳香族重氮鹽、芳香族鋶鹽、芳香族錪鹽、茂金屬(metallocene)化合物、安息香磺酸酯等單獨使用或以混合物之形式使用。
上述導電性層用組成物中之上述光聚合起始劑之含量相對於上述樹脂成分100質量份，較佳為0.5~10.0質量份。若未達0.5質量份，則存在所形成之導電性層之硬度不足之情況，若超過10.0質量份，則相反地亦有可能阻礙硬化。
作為上述導電性層用組成物中之原料之含有比率(固形物成分)，並無特別限定，但通常較佳為設為5~70質量%，尤佳為設為25~60質量%。
於上述導電性層用組成物中，亦可根據提高導電性層之硬度、抑制硬化收縮、控制折射率等目的而添加習知公知之分散劑、界面活 性劑、抗靜電劑、矽烷偶合劑、增黏劑、防著色劑、著色劑(顏料、染料)、消泡劑、調平劑、難燃劑、紫外線吸收劑、接著賦予劑、聚合抑制劑、抗氧化劑、表面改質劑等。
作為上述調平劑，就避免硬化性樹脂層成為貝納得穴流結構而言，例如較佳為聚矽氧油、氟系界面活性劑等。於將含有溶劑之樹脂組成物進行塗敷、乾燥之情形時，在塗膜內於塗膜表面與內面間產生表面張力差等，因此於塗膜內引起較多之對流。因該對流而產生之結構稱為貝納得穴流結構，成為於所形成之導電性層產生橘皮或塗敷缺陷之問題之原因。
作為上述導電性層用組成物之製備方法，只要可將各成分均勻地混合，則並無特別限定，例如可使用塗料振盪機、珠磨機、捏合機、混合機等公知之裝置進行。
作為將上述導電性層用組成物塗佈於基材膜上之方法，並無特別限定，例如可列舉：旋轉塗佈法、浸漬法、噴霧法、模嘴塗佈法、棒式塗佈法、輥式塗佈機法、液面彎曲式塗佈機法、軟版印刷法、網版印刷法、液滴塗佈機法等公知之方法。
又，作為使上述乾燥後之塗膜硬化時之游離輻射之照射方法，例如可列舉使用超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧燈、黑光螢光燈、金屬鹵化物燈等光源之方法。
又，作為紫外線之波長，可使用190~380nm之波長區域。作為電子束源之具體例，可列舉：Cockcroft-Walton型、Van de Graft型、共振變壓器型、絕緣芯變壓器型、或直線型、高頻高壓加速器型、高頻型等各種電子束加速器。
又，於上述導電性層含有上述黏合劑樹脂之情形時，該導電性層中之上述黏合劑樹脂之硬化物(以下，亦稱為黏合劑樹脂層)之厚度較佳為未達上述導電性纖維狀填料之纖維直徑。若上述黏合劑樹脂層之厚度為導電性纖維狀填料之纖維直徑以上，則存在黏合劑樹脂進入至導電性纖維狀填料之接點之量變多而使導電性層之導通變差，無法獲得目標電阻值之情況。
作為上述黏合劑樹脂層之厚度，具體而言，較佳為200nm以下。若上述黏合劑樹脂層之厚度超過200nm，則必須使導電性纖維狀填料之纖維直徑超過後述較佳之範圍而變粗，因而會使導電性積層體之霧度上升，總光線透射率降低，就光學性質而言欠佳。
上述黏合劑樹脂層之厚度更佳為50nm以下，進而較佳為30nm以下。
另一方面，於上述導電性層不含有上述黏合劑樹脂之情形時，由於該導電性層由導電性纖維狀填料構成，故而於其厚度方向之剖面上可觀察到存在導電性纖維狀填料之部位與不存在導電性纖維狀填料之部位。於存在導電性纖維狀填料之部位可具有由該導電性纖維狀填料單獨積層而成之位置及由2個以上積層而成之位置，但由於具有不存在導電性纖維狀填料之部位(即，厚度為0nm之位置)，故而若基於下述定義對該導電性層之厚度進行測定，則不含有上述黏合劑樹脂之導電性層之厚度通常亦未達導電性纖維狀填料之纖維直徑。
再者，上述導電性層之厚度例如可使用SEM、STEM、TEM等電子顯微鏡，以1000~50萬倍對上述導電性層之剖面進行觀察並對厚度進行測定，求出測得之任意10處之平均值。
上述導電性纖維狀填料較佳為纖維直徑為200nm以下，纖維長度為1μm以上。
若上述纖維直徑超過200nm，則存在所製造之導電性積層體之霧度值變高或透光性能變得不足之情況。就導電性層之導電性之觀點而言，上述導電性纖維狀填料之纖維直徑之較佳下限為10nm，上述纖維直徑之更佳之範圍為15~180nm。
又，若上述導電性纖維狀填料之纖維長度未達1μm，則存在無法形成具有充分之導電性能之導電性層之情況，有產生凝集而造成霧度值之上升或透光性能之降低之虞，故而上述纖維長度之較佳上限為500μm，上述纖維長度之更佳範圍為3~300μm，進而較佳之範圍為10~30μm。
再者，上述導電性纖維狀填料之纖維直徑、纖維長度例如可使用SEM、STEM、TEM等電子顯微鏡，以1000~50萬倍對上述導電性纖維狀填料之纖維直徑及纖維長度進行測定，求出測得之10處之平均值。
作為此種導電性纖維狀填料，較佳為選自由導電性碳纖維、金屬纖維及金屬被覆合成纖維組成之群中之至少1種。
作為上述導電性碳纖維，例如可列舉：氣相成長法碳纖維(VGCF)、奈米碳管、纖維絲罩(wire cap)、纖維絲壁(wire wall)等。該等導電性碳纖維可使用1種或2種以上。
作為上述金屬纖維，例如可使用藉由將不鏽鋼、鐵、金、銀、鋁、鎳、鈦等拉伸為細、長之拉絲法、或切削法而製作之纖維。此種金屬纖維可使用1種或2種以上。
作為上述金屬被覆合成纖維，例如可列舉於丙烯酸系纖維塗 佈金、銀、鋁、鎳、鈦等而成之纖維等。此種金屬被覆合成纖維可使用1種或2種以上。
於上述導電性層含有上述黏合劑樹脂之情形時，作為上述導電性纖維狀填料之含量，例如相對於上述黏合劑樹脂100質量份較佳為20~3000質量份。若未達20質量份，則存在無法形成具有充分之導電性能之導電性層之情況，若超過3000質量份，則存在本發明之導電性積層體之霧度變高或透光性能變得不足之情況。又，存在黏合劑樹脂進入至導電性纖維狀填料之接點之量變多而使導電性層之導通變差，從而使本發明之導電性積層體無法獲得目標電阻值之情況。上述導電性纖維狀填料之含量之更佳下限為50質量份，更佳上限為1000質量份。
於上述導電性層含有上述黏合劑樹脂之情形時，上述導電性纖維狀填料之一部分較佳自上述導電性層之表面突出。
如下所述，於藉由使用轉印膜之轉印法製造本發明之導電性積層體之情形時，以使上述導電性層側面與被轉印體對向之方式積層並加以按壓，上述導電性纖維狀填料自導電性層之與脫模膜側相反之側之表面(即，導電性層之按壓至被轉印體之面)突出，藉此該突出之導電性纖維狀填料以埋入至被轉印體之狀態轉印，其結果，所獲得之導電性積層體之耐溶劑性提高，可藉由蝕刻等較佳地形成導電圖案等。又，導電性積層體之耐擦傷性亦優異。
於上述導電性層含有上述黏合劑樹脂之情形時，較佳為上述導電性纖維狀填料之一部分自上述導電性層之表面以5~600nm之範圍突出。於本發明中，自上述導電性層之表面之導電性纖維狀填料未突出之平 坦的部位起至突出之導電性纖維狀填料之前端為止的垂直距離之範圍較佳為5~600nm。若上述垂直距離未達5nm，則存在本發明之導電性積層體之耐溶劑性不會提高之情況，若超過600nm，則存在導電性纖維狀填料自導電性層脫落之情況。上述垂直距離之更佳下限為10nm，更佳上限為200nm。
再者，自上述導電性層之表面突出之導電性纖維狀填料的垂直距離例如可使用SEM、STEM、TEM等電子顯微鏡，以1000~50萬倍對上述導電性層之表面進行觀察，並對自上述導電性層之表面之平坦之部位起至突出之導電性纖維狀填料之前端為止的垂直距離進行測定，求出測得之10處之平均值。
於本發明之導電性積層體中，於上述導電性層之上述表面中構成上述導電性纖維狀填料之導電材料元素之比率以原子組成百分率計為0.15~5.00at%。若未達0.15at%，則會產生本發明之導電性積層體之導電性不足、或蝕刻速度變慢之不良情況。若超過5.00at%，則本發明之導電性積層體之透光率降低，又，耐擦傷性較差。存在於上述導電性層之表面中構成導電性纖維狀填料之導電材料元素之比率之較佳下限為0.20at%，較佳上限為2.00at%，更佳下限為0.30at%，更佳上限為1.00at%。
再者，存在於上述導電性層之表面中構成導電性纖維狀填料之導電材料元素之比率可使用X射線光電子分光分析法，根據以下條件進行測定。
加速電壓：15kV
發射電流：10mA
X射線源：Al雙陽極
測定面積：300×700μm
Figure 105110731-A0202-12-0015-2
對自表面起深度10nm進行測定
n=3次之平均值
再者，具有此種表面之導電性層較佳為於該表面形成有因導電性纖維狀填料而可達成耐溶劑性及耐擦傷性、進而低霧度值及極高透光率之程度之凹凸形狀。
作為本發明之導電性積層體之製造方法，只要為滿足上述馬氏硬度及原子組成百分率之方法則並無特別限定，較佳可列舉具有使用於脫模膜上至少具有上述導電性層之轉印膜，將上述導電性層轉印至被轉印體之轉印步驟之方法。此種製造本發明之導電性積層體之方法亦為本發明之一。
於上述轉印步驟中，使用於脫模膜上至少具有導電性層之轉印膜。
作為上述被轉印體，只要為可設置導電性層之構件則並無特別限定，例如可列舉：由玻璃、樹脂、金屬、陶瓷等任意材料構成之基材、或形成於該等基材上之樹脂層或黏著層等被轉印層等。
其中，較佳為形成於用以使用上述導電性層設置LCD等顯示器或觸控面板、太陽電池等之透明電極之基材膜上之樹脂層。
即，本發明之導電性積層體較佳為於樹脂層上具有上述導電性層之結構。
作為上述基材膜，並無特別限定，例如可列舉：聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯 硫系樹脂等。其中，可較佳地使用聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂。
此外，作為上述基材膜，可列舉具有脂環結構之非晶質烯烴聚合物(Cyclo-Olefin-Polymer：COP)膜。其係使用降莰烯系聚合物、單環之環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯基脂環式烴系聚合物等之基材，例如可列舉：日本傑恩(Zeon)公司製造之Zeonex或Zeonor(降莰烯系樹脂)、住友電木公司製造之Sumilite FS-1700、JSR公司製造之Arton(改質降莰烯系樹脂)、三井化學公司製造之Apel(環狀烯烴共聚物)、Ticona公司製造之Topas(環狀烯烴共聚物)、日立化成公司製造之Optorez OZ-1000系列(脂環式丙烯酸系樹脂)等。
又，作為三乙醯纖維素之代替基材，旭化成化學公司製造之FV系列(低雙折射率、低光彈性模數膜)亦較佳。
作為上述基材膜之厚度，較佳為1~100μm。若未達1μm，則存在上述被轉印體之機械強度不足之情況，若超過100μm，則存在導電性膜之可撓性不足之情況。關於上述基材膜之厚度，更佳之下限為20μm，更佳之上限為80μm，進而較佳下限為40μm，進而較佳上限為60μm。
上述基材膜亦可於表面預先實施濺鍍、電暈放電、紫外線照射、電子束照射、化學處理、氧化等蝕刻處理或底塗處理。藉由預先實施該等處理，可提高與形成於上述基材膜上之樹脂層之密接性。又，於形成樹脂層之前，亦可視需要藉由溶劑清洗或超音波清洗等對基材膜表面進行除塵、清潔。
作為上述轉印膜之脫模膜，並無特別限定，例如，可較佳地使用未經處理之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。未經處理之PET膜於將導電性層轉印至上述被轉印體時導電性層之脫模性優異，又，相比於由其他材料構成之膜、例如表面經處理之PET膜或COP膜等可低價地取得，且可防止本發明之導電性積層體之製造成本之高漲。
作為使用上述轉印膜將導電性層轉印至被轉印體之方法，可列舉使上述轉印膜以導電性層側面成為被轉印體側之方式積層並加以按壓後，將脫模膜剝離之方法。
於製造本發明之導電性積層體之方法中，上述被轉印體如上所述較佳為樹脂層，該樹脂層較佳為使用與上述導電性層用組成物相同之組成之樹脂層用組成物而形成塗膜後不使其完全地硬化而製成未硬化狀態之塗膜，將該未硬化狀態之塗膜作為被轉印體利用上述方法進行導電性層之轉印，然後藉由上述處理步驟一併進行上述未硬化之塗膜之完全硬化。
如上所述，轉印膜中之導電性層較佳為導電性纖維狀填料之一部分自與脫模膜側相反之側之表面突出，且該突出之導電性纖維狀填料埋入至被轉印體，藉由上述被轉印體為未硬化狀態之塗膜，可更佳地進行此種導電性纖維狀填料之埋入。再者，作為上述導電性纖維狀填料，可列舉與上述本發明之導電性積層體中所說明之導電性纖維狀填料相同者。
再者，本發明之導電性積層體可藉由使用上述轉印膜使導電性層轉印至被轉印體而製造，該轉印膜例如於上述導電性層之與脫模膜側相反側之面上形成有被覆樹脂層，亦可對每一該被覆樹脂層藉由上述方法進行利用轉印膜之導電性層之轉印。於該情形時，上述導電性層成為經由上述被覆 樹脂層轉印至被轉印體之結構。作為上述被覆樹脂層，並無特別限定，例如可列舉由與上述樹脂層相同之材料所構成者。
此處，關於本發明之導電性積層體，於上述導電性層之表面(與上述脫模膜側相反側之面)中構成上述導電性纖維狀填料之導電材料元素的比率以原子組成百分率計為0.15~5.00at%，於形成有上述被覆樹脂層之情形時，該被覆樹脂層之與導電性層側相反側之面中之原子組成百分率成為上述範圍內。為了滿足此種原子組成百分率之要件，上述被覆樹脂層之厚度例如需為1~200nm左右即相當薄。因此，上述導電性層之表面之電子組成百分率亦限定積層於該導電性層上之被覆樹脂層等層之結構或表面狀態。
又，關於本發明之導電性積層體之製造方法，於上述導電性層含有黏合劑樹脂之情形時，較佳為進而具有對該導電性層進行紫外線照射及/或加熱之處理步驟。再者，於上述轉印膜具有上述被覆樹脂層之情形時，上述處理步驟亦可對每一上述被覆樹脂層針對上述導電性層進行紫外線照射及/或加熱。藉由進行上述處理步驟，可使所製造之導電性積層體之導電性更優異。
再者，上述處理步驟可於上述轉印步驟之前進行，可於上述轉印步驟之後進行，進而亦可於上述轉印步驟中將脫模膜剝離之前進行。
於上述處理步驟中照射紫外線之情形時，例如就獲得導電性更優異之導電性積層體而言，較佳為使用公知之閃光燈。自具有UV至可見光之波長之閃光燈發出之光由於可將導電性層表面集中地加熱，故而相比於習知之熱源，可使對配置於導電性層之下側之層或基材膜等之熱影響極小，即，可僅將表層瞬間加熱，故而較佳。
又，作為紫外線照射之條件，並無特別限定，但較佳為照射50~3000mJ左右之紫外線。
又，於上述處理步驟中進行加熱之情形時，作為其條件，例如較佳為於110~150℃之溫度1~30分鐘左右。
如此所製造之本發明之導電性積層體可兼顧低霧度值及較高之透明性。具體而言，上述導電性積層體較佳為霧度值為5%以下，總光線透射率為80%以上。若霧度值超過5%，或總光線透射率未達80%，則光學性能變得不足。上述霧度值之較佳上限為1.5%，更佳之上限為1.2%。又，上述總光線透射率之較佳下限為88%，更佳之上限為89%。
再者，上述霧度值係內部霧度值與表面霧度值之合計，係依照JIS K-7136(2000)所測得之值。作為測定中所使用之機器，可列舉反射．透射率計HM-150(村上色彩技術研究所製造)。
又，上述總光線透射率係依照JIS K-7361-1(1997)所測得之值。作為測定中所使用之機器，可列舉反射．透射率計HM-150(村上色彩技術研究所製造)。
又，源自上述導電性纖維狀填料之霧度值較佳為4%以下，更佳為1.5%以下，進而較佳為1.0%以下。再者，關於源自上述導電性纖維狀填料之霧度值，針對於除了不含導電性纖維狀填料以外與上述導電性層相同之膜之兩面使用高透明性接著劑轉印膠帶(Optically Clear Adhesive Tape：OCA)貼合於玻璃而製作之樣品0進行測定，將測得之霧度設為H0，針對於含有導電性纖維狀填料之上述導電性層之兩面使用OCA貼合於玻璃上而製作之樣品1進行測定，將測得之霧度設為H1，將根據H1-H0求出之霧度設為源 自導電性纖維狀填料之霧度值。
該源自導電性纖維狀填料之霧度值之測定時之玻璃係使用1.1mm厚之鈉玻璃，OCA係使用3M公司製造之OCA、8146-2(膠帶厚50μm)而使用樣品。
又，本發明之導電性積層體係耐擦傷性優異者。例如較佳為使用學振磨耗試驗機，於上述導電性層之與被轉印體側相反之側之表面，使安裝於1kg/4cm2之治具之抹布往返5次後，於上述導電性層之與被轉印體側相反之側之表面，看不到損傷產生或明顯之電阻值上升。
又，本發明之導電性積層體可用作液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)等顯示器、或觸控面板、太陽電池等之透明電極。此種使用本發明之導電性積層體而成之觸控面板亦為本發明之一。
本發明之導電性積層體由於係由上述構成所構成者，故而具有低霧度值及極高透光率。因此，本發明之導電性積層體能夠較佳地用於液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)等顯示器、或觸控面板、太陽電池等之透明電極，其中特別適合於觸控面板。
又，本發明之導電性積層體之製造方法由於由上述構成所構成，故而能夠較佳地製造具有低霧度值及極高透光率之導電性積層體。
以下，列舉實施例及比較例對本發明更詳細地進行說明，但本發明不僅限於該等實施例及比較例。
再者，文中，「份」或「%」只要無特別說明，則為質量基準。
(實施例1)
(轉印膜之製作)
使用厚度50μm之聚酯膜(A4100，東洋紡公司製造)作為脫模膜，將下述導電性層用組成物以成為10mg/m2之方式塗佈於該聚酯膜之未處理面而形成塗膜，於70℃乾燥1分鐘後，以UV50mJ進行紫外線照射，形成導電性層，而製作轉印膜。
(導電性層用組成物之製備)
使用乙二醇(EG)作為還原劑，使用聚乙烯基吡咯啶酮(PVP：平均分子量130萬，Aldrich公司製造)作為形態控制劑兼保護膠體劑，使下述所示之核形成步驟及粒子成長步驟分離而進行粒子形成，製備銀奈米線分散液。
(核形成步驟)
於反應容器內一面攪拌保持於160℃之EG液100mL，一面以固定之流量耗時1分鐘添加硝酸銀之EG溶液(硝酸銀濃度：1.0莫耳/L)2.0mL。
然後，一面於160℃保持10分鐘一面使銀離子還原而形成銀之核粒子。反應液呈源自奈米尺寸之銀微粒子之表面電漿子吸收之黃色，確認銀離子被還原而形成銀之微粒子(核粒子)。
繼而，以固定之流量耗時10分鐘添加PVP之EG溶液(PVP濃度：3.0×10-1 莫耳/L)10.0mL。
(粒子成長步驟)
一面攪拌上述核形成步驟結束後之含有核粒子之反應液一面保持於160℃，使用雙噴射法以固定之流量耗時120分鐘添加硝酸銀之EG溶液(硝酸銀濃度：1.0×10-1莫耳/L)100mL及PVP之EG溶液(PVP濃度：3.0×10-1莫耳/L)100mL。
於本粒子成長步驟中，每隔30分鐘採取反應液並利用電子顯微鏡進行確認，結果於核形成步驟中所形成之核粒子隨著時間經過成長為線狀之形態，未看到於粒子成長步驟中之新微粒子之生成。關於最終所獲得之銀奈米線，拍攝電子顯微鏡照片，對300個銀奈米線粒子像之長軸方向及短軸方向之粒徑進行測定而求出算術平均。短軸方向之平均粒徑為100nm，長軸方向之平均長度為40μm。
(脫鹽水洗步驟)
將粒子成長步驟結束之反應液冷卻至室溫後，使用區分分子量0.2μm之超濾膜實施脫鹽水洗處理，並將溶劑替換為乙醇。最後將液量濃縮至100mL而製備銀奈米線之EtOH分散液。
將PET-30(日本化藥公司製造)及Irgacure 184(BASF公司製造)及稀釋溶劑添加至所獲得之銀奈米線EtOH分散液中，以銀奈米線濃度成為0.1質量%，PET-30成為0.1質量%，Irgacure 184成為(PET-30之5%)之方式進行調配，而製備導電性層用組成物。再者，稀釋溶劑之30質量%設為環己酮。
(被轉印體之製作)
作為基材膜，使用厚度50μm之聚酯膜(A4100，東洋紡公司製造)，將下述組成之硬塗層用組成物以乾燥後之厚度成為2μm之方式塗佈於該聚酯膜之底塗處理面而形成塗膜，使該塗膜於70℃乾燥1分鐘，而製作基材膜上形成有硬塗層之被轉印體。
(硬塗層用組成物)
KAYARAD PET-30(新戊四醇三丙烯酸酯/新戊四醇四丙烯酸酯之混合物，日本化藥公司製造)
30質量%
Irgacure 184(BASF公司製造)1.5質量%
MEK 50質量%
環己酮18.5質量%
以所獲得之轉印膜之形成導電性層之面與被轉印體之硬塗層貼合之方式進行層壓後，於貼合之狀態下，自轉印膜側照射紫外線(600mJ)。再者，該紫外線之照射亦可自被轉印體側進行照射。
然後，將轉印膜之脫模膜剝離，而獲得於被轉印體轉印有導電性層之導電性積層體。
(實施例2)
於轉印膜之製作中，將導電性層用組成物之塗佈量以成為12mg/m2之方式進行變更，除此以外，以與實施例1相同之方式製作轉印膜，然後使用所製作之轉印膜，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。
(實施例3)
於實施例1中所獲得之銀奈米線EtOH分散液中添加稀釋溶劑，以銀奈 米線濃度成為0.1質量%之方式進行調配，而製備導電性層用組成物2。再者，稀釋溶劑之30質量%設為環己酮。
於轉印膜之製作中，使用導電性層用組成物2且以塗佈量成為12mg/m2之方式進行變更，除此以外，以與實施例1相同之方式製作轉印膜，然後使用所製作之轉印膜，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。
(實施例4)
於轉印膜之製作中，使用導電性層用組成物2且以塗佈量成為15mg/m2之方式進行變更，除此以外，以與實施例1相同之方式製作轉印膜，然後使用所製作之轉印膜，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。
(實施例5)
於轉印膜之製作中，使用導電性層用組成物2且以塗佈量成為25mg/m2之方式進行變更，除此以外，以與實施例1相同之方式製作轉印膜，然後使用所製作之轉印膜，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。
(實施例6)
於轉印膜之製作中，使用導電性層用組成物2且以塗佈量成為50mg/m2之方式進行變更，除此以外，以與實施例1相同之方式製作轉印膜，然後使用所製作之轉印膜，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。
(實施例7)
將以與實施例3相同之方式所製作之轉印膜之脫模膜剝離後，追加照射紫外線(600mJ)而獲得導電性膜。
(實施例8)
將下述組成之被覆樹脂層用組成物以乾燥後之厚度成為100nm之方式塗佈於以與實施例3相同之方式所製作之轉印膜之導電性層上，於70℃乾燥1分鐘後，藉由紫外線照射(10mJ)，形成被覆樹脂層，而製作轉印膜。然後，使用所製作之轉印膜，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。
(被覆樹脂層用組成物)
KAYARAD PET-30(新戊四醇三丙烯酸酯/新戊四醇四丙烯酸酯之混合物，日本化藥公司製造)
5質量%
Irgacure 184(BASF公司製造)0.25質量%
MEK 70質量%
環己酮24.75質量%
(比較例1)
將以與實施例1相同之方式製作之轉印膜直接作為導電性膜。
(比較例2)
將與實施例8相同組成之被覆樹脂層用組成物以乾燥後之厚度成為30nm之方式塗佈於以與實施例1相同之方式製作之轉印膜之導電性層上，於70℃乾燥1分鐘後，藉由紫外線照射(600mJ)，形成被覆樹脂層，而獲得導電性膜。
(比較例3)
將被覆樹脂層用組成物以乾燥後之厚度成為100nm之方式進行塗佈，除此以外，以與比較例2相同之方式，獲得導電性膜。
(比較例4)
將被覆樹脂層用組成物以乾燥後之厚度成為5μm之方式進行塗佈，除此以外，以與比較例2相同之方式，獲得導電性膜。
(比較例5)
於轉印膜之製作中，將導電性層用組成物1之塗佈量以成為75mg/m2之方式進行變更，除此以外，以與實施例1相同之方式製作轉印膜，然後使用所製作之轉印膜，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電性膜。
關於實施例及比較例中所獲得之導電性膜，進行以下評價。將結果示於表1。
(總光線透射率)
使用村上色彩技術研究所製造之Haze Meter(HM150)，藉由依據JIS K7105之方法，對導電性膜之總光線透射率進行測定。
(霧度值)
使用村上色彩技術研究所製造之Haze Meter(HM150)，藉由依據JIS K7105之方法，對導電性膜之霧度進行測定。
(源自導電性纖維狀填料之霧度值)
如表1所示，針對於除了不含導電性纖維狀填料以外以與實施例之導電性層相同之方式製作的實驗例1之基材之兩面使用高透明性接著劑轉印膠帶(Optically Clear Adhesive Tape：OCA)貼合於玻璃而製作之樣品0進行 測定，將所測得之霧度設為H0，針對於各實施例及比較例之導電性層之兩面使用OCA貼合於玻璃而製作之樣品1進行測定，將所測得之霧度設為H1，將根據H1-H0求出之霧度設為源自導電性纖維狀填料之霧度值。
(薄片電阻值)
依據JIS K7194：1994(利用導電性塑膠之四探針法之電阻率試驗方法)，使用三菱化學公司製造之Loresta GP(MCP-T610型)，對各導電性膜之導電性層之與被轉印體側相反之側之表面的電阻值(薄片電阻)進行測定。
(導電性材料元素之比率)
對各導電性膜之導電性層之與被轉印體側相反之側之表面中之導電性材料元素(Ag)之比率於以下條件下使用X射線光電子分光分析法以原子組成百分率計進行測定。再者，測定係如下所述，將自表面起深度10nm之測定值設為表面之導電性材料元素之比率。
加速電壓：15kV
發射電流：10mA
X射線源：Al雙陽極
測定面積：300×700μm
Figure 105110731-A0202-12-0028-12
對自表面起深度10nm進行測定
n=3之平均值(任意之3個部位)
(表面硬度)
使用微小硬度試驗機(Picodentor硬度測定機，Fischer公司製造)，於下述測定條件下對各導電性膜之導電層之表面硬度進行測定。
最大荷重：40mN
荷重應用：20s
自表面起之壓入量：於1000nm、100nm、10nm處進行測定
各測定n=5之平均值(分別任意5個部位)
(耐溶劑性)
使用學振磨耗試驗機，對導電性膜之導電性層之與被轉印體側相反之側之表面的耐溶劑性於以下條件下進行評價。
分別準備於安裝於1kg/4cm2之治具之抹布含有IPA者及含有PMA者，對各抹布之於各導電性膜之導電性層之與被轉印體側相反之側之表面往返5次後之表面電阻值及外觀進行評價。
再者，往返5次之評價長度為50mm，摩擦速度為100mm/sec，外觀係於螢光燈反射下目視確認表面之損傷。
(耐擦傷性)
使用學振磨耗試驗機，對導電性膜之導電性層之與被轉印體側相反之側之表面的耐擦傷性於以下條件下進行評價。
對安裝於1kg/4cm2之治具之抹布的於各導電性膜之導電性層之與被轉印體側相反之側之表面往返5次後之薄片電阻與外觀進行評價。
再者，往返5次之評價長度為50mm，摩擦速度為100mm/sec，外觀係於螢光燈反射下目視確認表面之損傷。
(蝕刻適性)
將磷硝乙酸水溶液(SEA-5，關東化學公司製造)加溫至35℃，將導電性膜浸泡2分鐘，對之後之導電性層之與被轉印體側相反側之面之電阻值 進行測定，確認濕式條件下之蝕刻適性。
(彎折試驗)
將於實施例及比較例中所獲得之各導電性層塗佈面設為外側，以上述方法對捲繞於
Figure 105110731-A0202-12-0030-14
4mm之金屬棒後之薄片電阻值進行測定，以目視確認有無龜裂產生。
Figure 105110731-A0202-12-0031-1
再者，表1中，記載為過負荷表示由於電阻值大於可測定範圍故而無法測定。
如表1所示，實施例之導電性積層體之總光線透射率、霧度、表面硬度、耐溶劑性、耐擦傷性及蝕刻適性之任一者均優異，於導電性層不含有黏合劑樹脂之實施例3~6及8之導電性膜相比於導電性層中含有黏合劑樹脂之實施例1及2而言電阻值更低。再者，實施例8之導電性膜係於被覆樹脂層表面之電阻值。又，實施例7之導電性膜由於將轉印膜之脫模膜剝離後，進行追加之紫外線照射，故而相比於實施例3之導電性膜而言表面硬度更優異。
另一方面，比較例1之導電性積層體由於為僅將導電性層塗佈於脫模膜上之構成，故而表面硬度、耐溶劑性及耐擦傷性較差。又，關於導電性層上設置有被覆樹脂層之比較例2及比較例3之導電性積層體，於導電性層之表面中構成導電性纖維狀填料之導電材料元素之比率較少，於設置有薄膜之被覆樹脂層之比較例2之導電性積層體中，表面硬度、耐溶劑性及耐擦傷性較差，於設置有厚膜之被覆樹脂層之比較例3之導電性積層體中，表面硬度、耐擦傷性較差，並且蝕刻適性亦較差。又，設置有極厚膜之被覆樹脂層之比較例4之導電性膜之薄片電阻較差。又，比較例5之導電性膜由於導電性層用組成物之塗佈量較多，故而總光線透射率較低，霧度(及源自導電性纖維狀填料之霧度)之值較小。
[產業上之可利用性]
本發明之導電性積層體係耐溶劑性及耐擦傷性均優異，並且具有低霧度值及極高透光率者，可較佳地用於液晶顯示器(LCD)、電漿顯 示面板(PDP)等顯示器、或觸控面板、太陽電池等之透明電極，尤佳地用於觸控面板之透明電極。

Claims (16)

  1. 一種導電性積層體，於最表面具有含有導電性纖維狀填料之導電性層，其特徵在於：自表面起之壓入量為100nm時之馬氏硬度為150~3000N/mm2，於該導電性層之最表面側之表面中構成該導電性纖維狀填料之導電材料元素之比率，以原子組成百分率計為0.15~5.00at%。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電性積層體，其中，總光線透射率為80%以上，霧度(haze)為5%以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之導電性積層體，其中，導電性層具有黏合劑樹脂及該黏合劑樹脂中所含有之導電性纖維狀填料，該導電性纖維狀填料之一部分自該導電性層之最表面側之面突出。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之導電性積層體，其中，導電性層之厚度未達導電性纖維狀填料之纖維直徑。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之導電性積層體，其中，導電性纖維狀填料之纖維直徑為200nm以下，纖維長度為1μm以上。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之導電性積層體，其中，導電性纖維狀填料係選自由導電性碳纖維、金屬纖維及金屬被覆合成纖維組成之群中之至少1種。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之導電性積層體，其於樹脂層上具有導電性層。
  8. 一種觸控面板，使用申請專利範圍第1、2、3、4、5、6或7項之導電性積層體而成。
  9. 一種申請專利範圍第1、2、3、4、5、6或7項之導電性積層體之製造方法，其係製造於最表面具有含有導電性纖維狀填料之導電性層之導電性積層體之方法，其特徵在於：具有下述轉印步驟：使用脫模膜上至少具有該導電性層之轉印膜，將該導電性層轉印至被轉印體。
  10. 如申請專利範圍第9項之導電性積層體之製造方法，其中，導電性積層體之霧度值為5%以下，總光線透射率為80%以上。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之導電性積層體之製造方法，其中，轉印膜中之導電性層具有黏合劑樹脂及該黏合劑樹脂中所含有之導電性纖維狀填料，該導電性纖維狀填料之一部分自該導電性層之與脫模膜側相反之側之表面突出。
  12. 如申請專利範圍第9或10項之導電性積層體之製造方法，其中，導電性層之厚度未達導電性纖維狀填料之纖維直徑。
  13. 如申請專利範圍第9或10項之導電性積層體之製造方法，其中，導電性纖維狀填料之纖維直徑為200nm以下，纖維長度為1μm以上。
  14. 如申請專利範圍第9或10項之導電性積層體之製造方法，其中，導電性纖維狀填料係選自由導電性碳纖維、金屬纖維及金屬被覆合成纖維組成之群中之至少1種。
  15. 如申請專利範圍第9或10項之導電性積層體之製造方法，其進而具有對導電性層進行紫外線照射及/或加熱之處理步驟。
  16. 如申請專利範圍第9或10項之導電性積層體之製造方法，其中，被轉 印體為樹脂層。
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