TWI700381B - 製造顯示設備的方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一種製造顯示設備的方法。該方法包括提供包括沉積源的腔室，沉積源容納沉積材料於其中；插設基板與遮罩於腔室中，遮罩插設於沉積源與基板之間，該遮罩包含開口；對準基板和遮罩；以及藉由加熱沉積源使沉積材料通過遮罩中的開口而沉積於基板上，其中，自組裝單層(SAM )被塗佈在遮罩的至少一部分上。
Description
相關申請案之交互參照
本申請主張於2014年10月17日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請號10-2014-0141193之效益，其全部內容係於此併入作為參考。
一個或多個例示性實施例係關於一種製造顯示設備的方法。
可攜式電子裝置的用途已顯著地增加。可攜式電子裝置的實施例可包括小型電子裝置，諸如手機和平板PCs。
此種可攜式電子裝置可包括提供視覺訊息(例如，圖像)給使用者並且支援各種功能的顯示設備。由於用於驅動顯示設備的元件的尺寸縮小，顯示設備在電子裝置中變得更加重要。另外，考量了可從平坦狀態例如以預定角度彎曲的顯示設備。
一個或多個例示性實施例包括藉由使用遮罩組件來製造顯示設備的方法。
另外的態樣將一部分於以下的說明中闡述，且一部分將藉由說明而變得顯而易見或者可藉由實施所呈現之例示性實施例而習知。
根據本發明的一個態樣，提供了一種遮罩組件，其包括：包含具有圖樣的開口之遮罩以及塗佈在遮罩的至少一部分上之自組裝單層(SAM)。 SAM可包括：接觸遮罩的頭端、連接至頭端的鏈接以及連接至鏈接的尾端。頭端可以是親水性的，而尾端可以是疏水性的。SAM可包括十八烷基三氯矽烷(OTS)、含氟三氯矽烷(FOTS)和二氯二甲基矽烷(DDMS)中的至少一種。 SAM可沿著開口塗佈。 SAM可被塗佈在遮罩面對沉積源的表面上。
根據本發明的另一態樣，提供了一種用於製造顯示設備的設備，該設備包括：腔室、設置在腔室中用以容納及發射沉積材料之沉積源、與沉積源隔開且包括用於形成圖樣在基板上的開口之遮罩，其中，自組裝單層(SAM)係塗佈於遮罩的至少一部分上。 SAM可包括接觸遮罩的頭端、連接至頭端的鏈接以及連接至鏈接的尾端。頭端可以是親水性的，而尾端可以是疏水性的。 SAM可包括十八烷基三氯矽烷(OTS)、含氟三氯矽烷(FOTS)和二氯二甲基矽烷(DDMS)中的至少一種。 SAM可沿著開口塗佈。 SAM可被塗佈在遮罩面對沉積源的表面上。
根據本發明的再一態樣，提供了一種製造顯示設備的方法，該方法包括：提供包含在其中容納沉積材料之沉積源的腔室；將基板及遮罩插設於腔室中，其中該遮罩係插設於沉積源與基板之間且包括開口；對準基板及遮罩且藉由加熱沉積源使沉積材料通過遮罩中的開口而沉積在基板上，其中，自組裝單層(SAM )被塗佈在遮罩的至少一部分上。 SAM可包括接觸遮罩的頭端、連接至該頭端的鏈接、以及連接至鏈接的尾端。頭端可以是親水性的，而尾端可以是疏水性的。SAM可包括十八烷基三氯矽烷(OTS)、含氟三氯矽烷(FOTS)和二氯二甲基矽烷(DDMS)中的至少一種。 SAM可沿著開口塗佈。 SAM可被塗佈在遮罩面對沉積源的表面上。SAM可藉由使用蒸氣相沉積技術(vapor phase deposition technique)而塗佈於遮罩上。
可以藉由使用系統、方法、電腦程序，或系統、方法及電腦程序的組合來實現這些通用和特定的實施例。
現將詳細參考例示性實施例，其中示例繪示於附圖中，其中通篇相同參考符號係代表相同元件。在這方面，本例示性實施例可具有不同形式且不應被詮釋為受限於本文所述之說明。因此，下文中僅藉由參照圖式來描述例示性實施例，以說明本說明書的各態樣。如本文中所使用，詞彙「及/或」包括相關條列項目的一或多個之任何及所有組合。諸如「至少一個」的表述在前綴於元件列表時，係為修飾整個元件列表，而非修飾列表中的個別元件。
由於本發明概念允許各種變化及許多實施例，特定實施例將繪示於圖式中且在文本說明中詳細地闡述。參考對照圖式於下文中詳細描述之例示性實施例，本發明概念的效果及特徵以及實施此效果及特徵的方法將更為明確。然而，本發明概念可以各種形式來實施並且不應被詮釋為受限於例示性實施例。
下文中，本發明概念的例示性實施例將參照附圖來詳細說明。圖式中相同之參考符號係表示相同元件，且因此將不重複其描述。
將理解的是，雖然可使用詞彙「第一」、「第二」等於本文中來描述各種元件，然而這些元件不應受這些詞彙的限制。這些元件僅用於區分一個元件與另一個元件。
當於此處所使用時，除非內文另行明確指示，否則單數形式「一」、「一種」及「該」係旨在亦包括複數形式。
將進一步理解的是，於本文所使用的詞彙「包括」及/或「包含」係指定所述特徵或元件之存在，但並不排除一或多個其他特徵或元件的存在或添加。
將理解的是，當層、區域或元件被稱為「形成」在另一層、區域或元件之 「上」時，其可直接或間接地形成在另一層、區域或元件上。亦即，例如，中間層、中間區域或中間元件可能存在。
為了便於說明，可誇示圖式中元件的大小。換句話說，由於圖式中元件的大小和厚度係為了方便說明而任意繪示，故以下實施例係不受此限制。
在以下示例中，x軸、y軸及z軸不侷限於直角坐標系的三個軸，且可以更廣泛意義來詮釋。例如，x軸、y軸及z軸可能相互垂直，或者可能表示非相互垂直的不同方向。
當特定實施例可相異地實現時，可以與所述順序相異地執行特定程序之順序。例如，可基本上同時執行兩個連續描述的程序或者以相反於所述順序的順序來執行兩個連續描述的程序。
現在看向第1圖至第2C圖，第1圖是根據例示性實施例用於製造顯示設備的設備100的概念圖，第2A圖至第2C圖是第1圖的遮罩組件130的概念圖，而第3圖是第2B圖的部分A的放大圖。
參照第1圖至第3圖，用於製造顯示設備的設備100可包括腔室110、沉積源120、遮罩組件130、基板固定單元140、遮罩支撐單元150以及抽吸單元160。
遮罩組件130和基板210可插設於腔室110的內部區域並且設置在腔室110的內部區域。因此，除了透過閘閥111連接至外部的一部分外，腔室110的內部區域可完全地從外部隔絕。
沉積源120可以蒸發沉積材料並且釋出所蒸發的沉積材料至外部。可以使用各種沉積材料。舉例而言，沉積材料可包括用於形成陰極電極的金屬或者用於形成有機發射層的有機材料。替選地，沉積材料可包括用於形成薄膜封裝層的有機層的有機材料。然而，沉積材料不限於上述，且可包括可藉由蒸發來沉積且用於顯示設備領域中的任何材料。然而，下文中，為了說明方面，將詳細描述其中沉積材料包括用於形成有機發射層的有機材料的示例。
沉積源120可與一般用於製造顯示設備的沉積源相同或相似。舉例而言，沉積源120可包括其中設置沉積材料的坩堝、圍繞坩堝的外表面以加熱坩堝的加熱器、以及提供在坩堝上以釋出所蒸發沉積材料至外部的噴嘴。
遮罩組件130可包括用以形成圖樣於基板210上的開口130a。開口130a可以是狹縫或者孔洞，且遮罩組件130可包括以預定間隔分隔的複數個開口。
遮罩組件130可包括其中有開口130a形成的遮罩131。遮罩131可由金屬所形成。遮罩組件130可包括塗佈於遮罩131之至少一部分上的自組裝單層(SAM)132。 SAM 132可塗佈在遮罩131的不同位置處。例如，SAM 132可形成於其中有開口130a形成的區域。根據實施例，如第2A圖所示，SAM 132可僅塗佈於開口130a的內表面130b上。另外，根據另一實施例，如第2C圖所示，SAM 132可塗佈於開口130a之內表面130b及遮罩131面對沉積源120的表面130c上。根據另一實施例，如第2B圖所示，SAM 132可塗佈於遮罩131的整個表面上，包括開口130a之內表面130b。下文中，為了說明方便，將詳細描述其中SAM 132塗佈於遮罩131之整個表面上的第2B圖之示例。
參照第2B圖及第3圖，SAM 132可包括接觸遮罩131的頭端132a、連接至頭端132a的鏈接132b、及連接至鏈接132b的尾端132c。鏈接132b可由複數個烷基鏈所形成。另外，頭端132a可為親水性的。特別是，頭端132a可包括矽烷以具有強共價鍵。尾端132c可包括功能有機材料，且可為疏水性的。
SAM 132可包括選自十八烷基三氯矽烷(OTS)、含氟三氯矽烷(FOTS)及二氯二甲基矽烷(DDMS)中的至少一種。 OTS之架構中，SiCl3
可構成頭端132a，而C18
H37
可以構成鏈接132b，且CH3
可以構成尾端132c。當使用現有噴墨噴嘴進行測試時，本發明之SAM對於小至1 nm的厚度仍展示出優異之耐受性。然而本發明決非侷限於此厚度。與光阻劑塗佈於遮罩上之情形不同，本發明之SAM適用於形成超高解析度之圖樣於基板上，且並不會由於不規則塗佈而產生陰影。
可使用不同方法來塗佈SAM 132於遮罩131上。例如，液相沉積或氣相沉積可用於塗佈用來形成SAM 132之材料。可以藉著使用氣相沉積來塗佈SAM 132於遮罩131上。具體而言，遮罩131可插設於腔室110中，且用來形成SAM 132的材料可被蒸發而吸附於遮罩131上，從而塗佈遮罩131的表面。具體而言，頭端132a可被吸附在遮罩131上，使得藉由吸附來塗佈SAM 132於遮罩131上，而尾端132c可突出於外部。另外，當使用蒸氣相沉積時，SAM 132可均勻地塗佈於遮罩131的表面上，而不會被遮罩131之表面上所形成的奈米結構，或遮罩131之表面上的粗糙度所影響。
基板固定單元140可形成以固定基板210。基板固定單元140可固定基板210，使得其中要沉積此沉積材料的基板210的表面可面對沉積源120。
基板固定單元140可具有各種形狀。例如，基板固定單元140可以是其中附接有基板210的靜電吸盤。根據另一例示性實施例，基板固定單元140可為容納基板210於其中的夾具或支架。基板固定單元140不侷限於上述，並且可包括用來固定基板210之任何設備。然而，下文中，為了說明方便，將詳細描述其中基板固定單元140是靜電吸盤的實施例。
基板固定單元140可以相對於沉積源120移動。根據實施例，基板固定單元140可沿著一個方向線性移動，而沉積源120可被固定。根據另一實施例，沉積源120可相對於基板固定單元140沿著一個方向線性移動，且基板固定單元140可被固定。根據另一實施例，基板固定單元140及沉積源120中的每一個可沿著一個方向線性移動。然而，下文中，為了說明方便，將詳細描述其中基板固定單元140係固定於腔室110中，而沉積源120為線性可移動的示例。
遮罩支撐單元150可以固定遮罩組件130。在這種情形下，遮罩支撐單元150可以透過施加以拉伸遮罩組件130的張力(tensile force)來固定遮罩組件130。例如，遮罩支撐單元150可以藉著夾住遮罩組件130的一側，且沿著遮罩組件130的縱向方向或橫向方向來拉伸遮罩組件130而固定遮罩組件130。
抽吸單元160可連接至腔室110，並且可調整腔室110內部的壓力。抽吸單元160可包括連接至腔室110的流送管161、以及提供於流送管161上的泵162。
下面將描述藉由使用上述設備100來製造顯示設備200(參見第4圖)的方法。首先，基板210及遮罩組件130可插設於腔室110中，且接著各種層可於基板210上形成。於此情形下，薄膜電晶體(TFT)(參見第4圖)、像素定義層290(參見第4圖))等可於基板210上形成。
當基板210及遮罩組件130插設於腔室110中時，基板210可固定於基板固定單元140上，且遮罩組件130可固定於遮罩支撐單元150上。然後，可對準基板210及遮罩組件130的相對應位置，且可從沉積源120噴出沉積材料。沉積源120可沿著基板210的縱向方向或寬度方向線性移動。
從沉積源120蒸發之沉積材料可透過遮罩組件130以特定圖樣沉積於基板210上。用於有機發射層(參見第4圖))的沉積材料可沉積於像素定義層290(參見第4圖))之開口部分上。
執行上列程序時，遮罩組件130可接觸基板210，或與基板210分隔。在這種情形下，若沉積材料通過遮罩組件130中的開口130a，則沉積材料可吸附於遮罩組件130上。
在先前技術中，如果在未額外地塗佈遮罩表面的情形下來執行沉積程序，則沉積材料可能會被吸附在遮罩表面上。沉積材料可能會沿著遮罩的表面或者開口沉積，或被沉積在開口的側壁，使得開口的尺寸或者該開口附近的遮罩之厚度改變。在這種情形下，隨著沉積材料進行流送，流送路徑可能會由於沉積在遮罩組件130上的沉積材料而阻塞，且因此，陰影缺陷可能會在基板210上形成。亦即，當由於沉積材料被沉積在遮罩組件130上，使沉積材料改變上述遮罩組件130的開口130a之開口區域的大小時，可能無法以要沉積在基板210上的沉積材料來精確地形成圖樣。具體而言，當使沉積材料沉積時，因為沉積材料塗佈於遮罩組件130的開口130a之側面，故通過預先設計之開口的基板210上的圖樣可能會變形，或者是僅部分地形成，或沉積材料可能沉積在基板210的非預期部分上。另外，當藉由使用上述相同遮罩來執行沉積程序多次時，每次沉積程序期間可能會形成不同沉積圖樣，且因此，可能難以製造具有均勻圖樣之產品。
另外，在沉積材料沉積在基板210上或者沉積程序重複多次的情形下，當使用遮罩組件130時，沉積在遮罩組件130面對沉積源120的表面上的沉積材料可能堆積為預定厚度。堆積於遮罩組件130之表面上的沉積材料可能會部分地阻塞或者改變沉積材料傳輸至開口130a的路徑。在這種情形下，沉積材料無法沿著預先設計之路徑進行移動，且因此，可能難以在基板210上使沉積材料沉積並精確地圖樣化。
為了防止先前技術中的此類問題，使用預定次數或預定時段後要清理遮罩組件130，以移除吸附在遮罩上之沉積材料。
然而，根據本發明概念之例示性實施例，遮罩組件130、設備100以及製造顯示設備的方法可包括SAM 132，SAM 132可避免沉積材料被吸附於遮罩組件130上。具體而言，由於尾端132c為疏水性的，故尾端132c不會與沉積材料反應或不會與沉積材料結合。因此，尾端132c可避免沉積材料被沉積在SAM 132上。
另外，當藉由使用遮罩組件130執行沉積程序時，沉積材料相較於先前技術中沉積在遮罩上的沉積材料可以更少的量來沉積於遮罩131上。在這種情形下，即便在藉由使用先前技術的清理方法來清理遮罩組件130時，SAM 132也不會與遮罩131分離，且因此，可以持續使用遮罩組件130。
具體而言，在先前技術中，當藉由使用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶劑來清理遮罩時，可能會產生聚醯亞胺(PI)殘留物。然而，如果十八烷基三氯矽烷(OTS)沉積在遮罩上作為SAM來增加層的耐受性，且在這之後清理沉積的OTS遮罩，則能夠使用該遮罩且保持良好狀況超過90天，而在沒有OTS SAM之先前技術的遮罩清理之後，會在15天內產生缺陷。
另外，相較於先前技術的遮罩，清理本發明之遮罩131的表面後， OTS層將具有較少缺陷及高疏水性(基於去離子水(DI)的接觸角度≥105° )，使得NMP滲透之擴散時間得以延長。因此，OTS SAM起皺的發生率較低。
因此，根據遮罩組件130、設備100以及製造顯示設備的方法，因為可使用遮罩組件130較長時間，故可輕易地且以較低成本來製造顯示設備。另外，根據遮罩組件130、設備100以及製造顯示設備的方法，由於清理遮罩組件130後不用移除SAM 132，故可永久地使用遮罩組件130。
根據遮罩組件130、設備100以及製造顯示設備的方法，可以避免沉積材料被吸附於遮罩組件130的表面上，使得即使在重複製造複數個顯示設備時，沉積材料也仍以預定圖樣在基板210上形成。
具體而言，由於藉著使用本發明之遮罩組件130、設備100以及製造顯示設備的方法可減少製備顯示設備時的缺陷率，所以生產率得以提高。
現轉至第4圖，第4圖係為藉由使用第1圖的設備100所製造的顯示設備200的一部分的剖面圖。參照第4圖，顯示設備200可包括基板210和顯示單元(未示出)。另外，顯示設備200可包括形成於顯示單元上的薄膜封裝層E或封裝基板(未示出)。因為封裝基板相同或者類似於一般顯示設備中所使用的封裝基板，故封裝基板的描述將予於省略。在下文中，為了說明方便，將詳細描述其中顯示設備200包括薄膜封裝層E的示例。
顯示單元可在基板210上形成。例如，顯示單元可包括TFT，且鈍化層270可形成以覆蓋TFT。有機發光元件(OLED)280可形成在鈍化層270上。
基板210可包含例如玻璃、塑料或者金屬，例如，不銹鋼(SUS)或鈦(Ti)。另外，基板210可由聚醯亞胺(PI)形成。下文中，為了說明方便，將詳細描述其中基板210由玻璃形成的示例。
由有機化合物及/或無機化合物形成的緩衝層220可另外地形成在基板210上。例如，緩衝層220可由SiOx
(x≥1)或SiNx
(x≥1)所形成。
具有預定圖樣的主動層230可形成在緩衝層220上，且接著主動層230可被閘極絕緣層240所覆蓋。主動層230可包括源極區231、汲極區233、以及源極區231與汲極區233之間的通道區232。
主動層230可包含各種材料。例如，主動層230可包含無機半導體材料，例如，非晶矽或者晶體矽。例如，主動層230可包括氧化物半導體材料。作為另一示例，主動層230可包括有機半導體材料。在下文中，為了說明方便，將詳細描述其中主動層230由非晶矽形成的示例。
藉由在緩衝層220上形成非晶矽層，結晶非晶矽層來形成多晶矽層，並且圖樣化多晶矽層而可形成主動層230。在主動層230中，源極區231和汲極區233可以根據TFT的類型來摻雜雜質，即，根據TFT為驅動TFT或者開關TFT。
與主動層230的通道區232對應的閘極電極250以及覆蓋閘極電極250的層間絕緣層260可形成在閘極絕緣層240上。接觸孔H1s和H1d可形成在層間絕緣層260上及閘極絕緣層240中，且接著源極電極271及汲極電極272可形成在層間絕緣層260上，使其分別接觸源極區231和汲極區233，且分別填充接觸孔H1s及H1d。
鈍化層270形成在上述TFT上，且OLED 280的像素電極281可形成於鈍化層270上。像素電極281可以通過鈍化層270中之通孔H2來接觸TFT的汲極電極272。鈍化層270可形成為單層，或者形成為包括至少一個無機層及/或至少一個有機層的複數個層。鈍化層270可形成為平坦化層，使得無論其下層中的曲折如何其上表面仍然為平坦的，或者替選地，鈍化層270可形成為與其下層中的曲折相應地曲折。在一個實施方式中，鈍化層270可由透明絕緣材料所形成以獲得共振效應。
在像素電極281形成於鈍化層270上後，可藉由使用有機材料及/或無機材料形成像素定義層290以覆蓋像素電極281及鈍化層270，且可以形成像素定義層290中的開口以暴露像素電極281的一部分。此外，可包括有機發射層的中間層282以及相對電極283可以在像素定義層290中所形成的開口內形成在像素電極281的暴露部分上。
像素電極281可作用為陽極電極，而相對電極283可作用為陰極電極，或者反之亦然。像素電極281及相對電極283可以藉由中間層282彼此絕緣。不同極性的電壓可施加到中間層282，使得有機發射層(有機EML)發光。
中間層282可包括有機EML。在一個實施方式中，中間層282包括有機EML，並且可進一步包括選自電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)中的至少一個。
單位像素可包括：可發射各種顏色光的複數個子像素。例如，複數個子像素可包括發射紅光、綠光及藍光的子像素，或者發射紅光、綠光、藍光及白光之子像素。
薄膜封裝層E可包括複數個無機層、或者無機層與有機層。薄膜封裝層E的有機層可以由聚合物形成，並且可以是由選自聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、環氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯的任何材料形成的單層或多層堆疊。有機層可由聚丙烯酸酯所形成，例如，可包括聚合單體組合物，該聚合單體組合物包括二丙烯酸酯基單體及三丙烯酸酯基單體。單體組合物可進一步包括單丙烯酸酯基單體。在一個實現方式中，單體組合物可進一步包括適當的光引發劑，例如，三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦(TPO)。
薄膜封裝層E的無機層可為包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或多層堆疊。例如，無機層可包括選自SiNx
、 Al2
O3
、 SiO2
及TiO2
中的任何一個。薄膜封裝層E被暴露於外部的頂層可以無機層所形成，以助於避免水分侵入OLED 280。
在一個實施方式中，薄膜封裝層E可包括其中至少一個有機層插設於至少兩個無機層之間的至少一個夾層結構。在另一個實施方式中，薄膜封裝層E可包括其中至少一個無機層插設於至少兩個有機層之間的至少一個夾層結構。在又一個實施方式中，薄膜封裝層E可包括其中至少一個有機層插設於至少兩個無機層之間的夾層結構、以及其中至少一個無機層插設於至少兩個有機層之間的夾層結構。
在一個實施方式中，薄膜封裝層E可包括從OLED 280的頂部部分依序形成之第一無機層、第一有機層及第二無機層。在另一實施方式中，薄膜封裝層E可包括從OLED 280的頂部部分依序形成的第一有機層、第一無機層、第二有機層、第二無機層、第三有機層、及第三無機層。在再一實施方式中，薄膜封裝層E可包括從OLED 280的頂部部分依序形成的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層、第三無機層、第三有機層及第四無機層。
包括氟化鋰(LiF)的鹵化金屬層可另外地包括於OLED 280與第一無機層之間。在藉由濺射法或電漿沉積法形成第一無機層期間，鹵化金屬層可以有助於避免OLED 280受損。第一有機層可小於第二無機層，而第二有機層可小於第三無機層。
因為於藉由使用上述遮罩組件130、設備100和製造方法所製造的顯示設備200中可精細地形成層的圖樣，故可得以生產顯示設備200以具有高解析度。另外，當上述遮罩組件130、設備100及製造方法被用以持續地製造複數個顯示設備200時，顯示設備200可製造為具有相同的品質。
如上所述，根據一或多個上列例示性實施例，遮罩組件、用於製造顯示設備的設備以及製造顯示設備的方法可由改善之生產效率來定性。於真空沉積設備中，當使用蒸發/沉積技術來形成薄膜於基板上時，具有複數個開口用於在基板上形成超高解析度圖樣的遮罩係插設於沉積源與基板之間。然而，早期遮罩具有的問題在於沉積材料不僅形成在基板的一部分上，而是亦形成在遮罩的一部分上，其中包括對應於開口之遮罩的一部分。這可能會使遮罩開口的尺寸改變，因而致使基板上的沉積膜的尺寸不正確。
在本發明的實施方式中，遮罩的任一部分或者遮罩的整體所有表面塗佈了具疏水性的自組裝單層(SAM)，以防止沉積材料被沉積在遮罩上，從而在基板上實現均勻之圖樣。即便沉積材料形成在遮罩上，仍得以在未移除SAM層下清理遮罩，且在清理後該遮罩能夠保持良好狀況超過90天。因此，根據本發明之實施例，生產性(productivity)、產品產率(production yield)和生產量(throughput)可被改善，且沉積於基板上的薄膜質量也得以改善。
應理解的是，本文所述之例示性實施例應僅被視為描述性意義，而非限制之目的。每個例示性實施例的特徵或態樣的描述通常應視為可被用於其他例示性實施例中的其他類似特徵或態樣。
雖然已經參照圖式描述了一或多個例示性實施例，然而所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，在不脫離由以下申請專利範圍所定義的精神及範圍下，可於其中進行形式及細節上的各種變化。
100‧‧‧設備
110‧‧‧腔室
111‧‧‧閘閥
120‧‧‧沉積源
130‧‧‧遮罩組件
130a‧‧‧開口
130b‧‧‧內表面
130c‧‧‧表面
131‧‧‧遮罩
132‧‧‧自組裝單層
132a‧‧‧頭端
132b‧‧‧鏈接
132c‧‧‧尾端
140‧‧‧基板固定單元
150‧‧‧遮罩支撐單元
160‧‧‧抽吸單元
161‧‧‧流送管
162‧‧‧泵
200‧‧‧顯示設備
210‧‧‧基板
220‧‧‧緩衝層
230‧‧‧主動層
231‧‧‧源極區
232‧‧‧通道區
233‧‧‧汲極區
240‧‧‧閘極絕緣層
250‧‧‧閘極電極
260‧‧‧層間絕緣層
270‧‧‧鈍化層
271‧‧‧源極電極
272‧‧‧汲極電極
280‧‧‧有機發光元件
281‧‧‧像素電極
282‧‧‧中間層
283‧‧‧相對電極
290‧‧‧像素定義層
H2‧‧‧通孔
H1s、H1d‧‧‧接觸孔
E‧‧‧薄膜封裝層
A‧‧‧部分
藉由在考量搭配附圖下參考以下詳細說明，本發明的更完整理解及其許多附帶優點將顯而易見且同時變得更好理解，其中相同參考符號表示相同或相似的元件，其中：
第1圖是根據例示性實施例用於製造顯示設備的設備的概念圖；
第2A圖至第2C圖係為第1圖的遮罩組件的概念圖；
第3圖係為第2B圖的部分A的放大圖；以及
第4圖係為藉由使用第1圖的設備所製造之顯示設備的一部分的剖面圖。
100‧‧‧設備
110‧‧‧腔室
111‧‧‧閘閥
120‧‧‧沉積源
130‧‧‧遮罩組件
140‧‧‧基板固定單元
150‧‧‧遮罩支撐單元
160‧‧‧抽吸單元
161‧‧‧流送管
162‧‧‧泵
210‧‧‧基板
Claims (9)
- 一種製造顯示設備的方法，該方法包含：提供包括一沉積源的一腔室，該沉積源容納一沉積材料於其中；插設一基板與一遮罩於該腔室中，該遮罩插設於該沉積源與該基板之間，該遮罩包括一開口；對準該基板與該遮罩；以及藉由加熱該沉積源使該沉積材料通過該遮罩中的該開口而沉積於該基板上，其中，一自組裝單層(SAM)被塗佈在該遮罩的至少一部分上；其中，塗佈有該自組裝單層之該遮罩係於該方法中重複使用；其中，該自組裝單層包含：一頭端，接觸該遮罩；一鏈接，連接至該頭端；以及一尾端，連接至該鏈接；其中，該頭端為親水性的而該尾端為疏水性的。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該自組裝單層包括選自由十八烷基三氯矽烷(OTS)、含氟三氯矽烷(FOTS)和二氯二甲基矽烷(DDMS)所組成之群組中的至少一種材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該自組裝單層沿著該開口的一內表面塗佈。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該自組裝單層被塗佈在該遮罩面對該沉積源的一表面上。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該自組裝單層係藉由使用一氣相沉積技術而塗佈在該遮罩上。
- 一種用於製造顯示設備的設備，其包含：一腔室；一沉積源，設置在該腔室中用以容納及發射一沉積材料；以及一遮罩，與該沉積源隔開且包括用於在一基板上形成一圖樣的一開口；其中，一自組裝單層(SAM)係塗佈於該遮罩的至少一部分上；其中，塗佈有該自組裝單層之該遮罩係設置以於製造顯示設備的過程中重複使用；其中，該自組裝單層包含：一頭端，接觸該遮罩；一鏈接，連接至該頭端；以及一尾端，連接至該鏈接；其中，該頭端是親水性的，而該尾端是疏水性的。
- 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該自組裝單層包括選自由十八烷基三氯矽烷(OTS)、含氟三氯矽烷(FOTS)和二氯二甲基矽烷(DDMS)所組成之群組中的至少一種材料。
- 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該自組裝單層沿著該開口塗佈。
- 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該自組裝單層被塗佈在該遮罩面對該沉積源的一表面上。
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