CN105529408A - 掩模组件、用于制造显示设备的装置和方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 64
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- -1 octadecyl trichlorosilane alkane Chemical class 0.000 claims description 16
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 7
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 100
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 108010038083 amyloid fibril protein AS-SAM Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000002520 cambial effect Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000001540 jet deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011027 product recovery Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
提供了一种掩模组件、用于制造显示设备的装置和方法。掩模组件包括：掩模，该掩模包括具有图案的开口；以及自组装单层膜(SAM)，涂敷在掩模的至少一部分上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年10月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2014-0141193的权益，通过引用将其全部公开内容结合于此。
技术领域
一个或多个示例性实施方式涉及一种掩模组件、用于制造显示设备的装置以及制造显示设备的方法。
背景技术
便携式电子设备的用途已显著增加。便携式电子设备的实例可包括小型电子设备，诸如移动电话和平板PC。
此种便携式电子设备可包括为用户提供视觉信息(例如，图像)并且支持各种功能的显示设备。由于用于驱动显示设备的部件的大小的减小，显示设备在电子设备中变得更加重要。另外，可从平坦状态(例如以预定角度)弯曲的显示设备已被考虑。
发明内容
一个或多个示例性实施方式包括掩模组件、通过使用该掩模组件用于制造显示设备的装置以及通过使用该掩模组件制造显示设备的方法。
将在以下的描述中部分地阐述额外方面，并且额外方面的一部分将通过描述而变得显而易见或者可通过所提出的示例性实施方式的实践来获悉。
根据本发明的一个方面，提供了一种掩模组件，包括：掩模，该掩模包括具有图案的开口；以及自组装单层膜(SAM)，涂敷在掩模的至少一部分上。SAM可包括：接触掩模的头端、连接至头端的连接器以及连接至连接器的末端。头端可以是亲水的并且末端可以是疏水的。SAM可包括十八烷基三氯硅烷(OTS)、含氟三氯硅烷(FOTS)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一种。SAM可被涂覆在开口的各处。SAM可被涂敷在掩模的面向沉积源的表面上。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于制造显示设备的装置，该装置包括：腔室；沉积源，设置在腔室内以容纳和发射沉积材料；掩模，与沉积源分离并且包括用来在基板上形成图案的开口，其中，自组装单层膜(SAM)被涂敷在掩模的至少一部分上。SAM可包括：接触掩模的头端、连接至该头端的连接器以及连接至连接器的末端。头端可以是亲水的并且末端可以是疏水的。SAM可包括十八烷基三氯硅烷(OTS)、含氟三氯硅烷(FOTS)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一种。SAM可被涂覆在开口的各处。SAM可被涂敷在掩模的面向沉积源的表面上。
根据本发明的又一方面，提供了一种制造显示设备的方法，该方法包括：设置包括沉积源的腔室，沉积源在内部容纳沉积材料；将基板和掩模插入到腔室中，该掩模介于沉积源与基板之间并且包括开口；将基板和掩模对准；并且通过加热沉积源将沉积材料经由掩模中的开口沉积在基板上，其中，自组装单层膜(SAM)被涂敷在掩模的至少一部分上。SAM可包括接触掩模的头端、连接至该头端的连接器以及连接至连接器的末端。头端可以是亲水的并且末端可以是疏水的。SAM可包括十八烷基三氯硅烷(OTS)、含氟三氯硅烷(FOTS)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一种。SAM可被涂覆在开口各处。SAM可被涂敷在掩模的面向沉积源的表面上。
通过使用系统、方法、计算机程序或者系统、方法和计算机程序的组合可以实现这些一般和特定的实施方式。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参考以下详细说明，随着本发明变得更好理解，本发明的更完整的理解及其许多附带优点将易于显而易见，在附图中，相同参考符号表示相同或者相似的部件，其中：
图1是根据示例性实施方式的用于制造显示设备的装置的概念图；
图2A、图2B和图2C是图1的掩模组件的概念图；
图3是图2B的部分A的放大图；以及
图4是通过使用图1的装置制造的显示设备的一部分的截面图。
具体实施方式
现将详细参考示例性实施方式，示例性实施方式的实例在附图中示出，其中，贯穿全文，相同参考标号指代相同元件。就此而言，本示例性实施方式可具有不同的形式并且不应被解释为局限于本文所阐述的描述。相应地，在以下通过参照附图仅描述示例性实施方式，以说明本描述的各个方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多个的任何与全部组合。诸如“……中的至少一个”的表述在一系列元件之前时，其修饰整个系列的元件，而不是修饰系列中的个别元件。
由于本发明构思容许各种改变和许多实施方式，具体实施方式将在附图中示出并且在书面说明中进行详细地描述。参考以下对照附图详细描述的示例性实施方式，本发明构思的效果和特征以及实现该效果和特征的方法将清晰可见。然而，本发明构思可以各种形式来体现并且不应被解释为局限于示例性实施方式。
在下文中，将参照附图详细描述本发明构思的示例性实施方式。附图中相同参考标号表示相同元件，并且因此将不重复对它们的描述。
应当理解的是，尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但是这些部件不应受这些术语的限制。这些部件仅用于区分一个部件与另一个部件。
除非上下文另有明确说明，否则如本文中使用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在也包括复数形式。
应当进一步理解的是，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”指定存在所陈述的特征或部件，但是不排除存在或者添加一个或多个其他特征或部件。
应当理解的是，当层、区域或部件相对另一层、区域或部件被称为“形成在其上”时，其可以直接或间接地形成在另一层、区域或部件之上。即，例如，可存在中间层、中间区域或中间部件。
为了便于说明，可放大附图中部件的大小。换言之，因为附图中的部件的大小和厚度为了说明的方便而任意示出，所以以下实施方式不限于此。
在以下实例中，x轴、y轴和z轴不局限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以代表不彼此垂直的不同方向。
当某些实施方式可被不同地实现时，可以与描述的次序不同地执行特定工序次序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的次序相反的次序执行两个连续描述的工序。
现在转至图1至图2C，图1是根据示例性实施方式的用于制造显示设备的装置100的概念图，图2A、图2B和图2C是图1的掩模组件130的概念图，以及图3是图2B的部分A的放大图。
参照图1至图3，用于制造显示设备的装置100可包括腔室110、沉积源120、掩模组件130、基板固定单元140、掩模支撑单元150以及抽吸单元160。
掩模组件130和基板210会被插入腔室110的内部区域并且布置在腔室110的内部区域内。因此，除了经由闸门阀111连接至外部的一部分外，腔室110的内部区域会从外部完全阻挡。
沉积源120可以蒸发沉积材料并且将所蒸发的沉积材料喷出至外部。可以使用各种沉积材料。例如，沉积材料可包括用于形成阴极的金属或者用于形成有机发射层的有机材料。可替代地，沉积材料可包括用于形成薄膜封装层的有机层的有机材料。然而，沉积材料不限于以上所述，并且可包括可以通过蒸发来沉积并且用于显示设备领域中的任何材料。然而，在下文中，为了便于描述，将详细描述其中沉积材料包括用于形成有机发射层的有机材料的实例。
沉积源120可与通常用于制造显示设备的沉积源相同或者类似。例如，沉积源120可包括其中布置沉积材料的坩埚、围绕坩埚的外表面以加热坩埚的加热器、以及设置在坩埚上以将所蒸发的沉积材料发射到外部的喷嘴。
掩模组件130可包括在基板210上形成图案的开口130a。开口130a可以是狭缝或者孔洞，并且掩模组件130可包括以预定间隔隔开的多个开口。
掩模组件130可包括其中形成开口130a的掩模131。掩模131可以由金属形成。掩模组件130可包括涂敷在掩模131的至少一部分上的自组装单层膜(SAM)132。SAM132可以涂敷在掩模131的不同位置处。例如，SAM132可以形成在其中形成开口130a的区域中。根据实施方式，SAM132仅会涂敷在开口130a的内表面130b上。可替代地，根据另一实施方式，SAM132会涂敷在开口130a的内表面130b以及掩模131的面向沉积源120的表面130c上。根据另一实施方式，SAM132会涂敷在掩模131的整个表面上，所述整个表面包括开口130a的内表面130b。在下文中，为了便于描述，将详细描述其中SAM132涂敷在掩模131的整个表面上的实例。
SAM132可包括接触掩模131的头端132a、连接至头端132a的连接器132b以及连接至连接器132b的末端132c。连接器132b可由多个烷基链形成。另外，头端132a可以是亲水的。具体地，头端132a可包括具有强共价键的硅烷。末端132c可包括功能有机材料并且可以是疏水的。
SAM132可包括选自十八烷基三氯硅烷(OTS)、含氟三氯硅烷(FOTS)和二氯二甲基硅烷(DDMS)中的至少一种。OTS具有的SiCl3可以构成头端132a，同时C18H37可以构成连接器132b并且CH3可以构成末端132c。当使用现有喷墨喷嘴测试时，本发明的SAM层对小到1nm的厚度展现出优异强固性，然而本发明决不受该厚度的如此限制。与光阻剂涂敷在掩模上的情形不同，本发明的SAM层适用于在基板上形成超高清晰度的图案，并且不会由于不规则的涂敷而产生阴影。
可以使用各种方法将SAM132涂敷在掩模131上。例如，液相沉积或者汽相沉积可被用来涂敷用于形成SAM132的材料。可以通过使用汽相沉积将SAM132涂敷在掩模131上。具体地，掩模131可被插入腔室110中，并且用于形成SAM132的材料可被蒸发并且吸附在掩模131上，从而涂敷掩模131的表面。具体地，头端132a可被吸附在掩模131上，使得通过吸附将SAM132涂敷在掩模131上，并且末端132c可突出到外部。另外，当使用汽相沉积时，SAM132可被均匀地涂敷在掩模131的表面上，而不受在掩模131的表面上形成的纳米结构或掩模表面的粗糙度的影响。
基板固定单元140可形成为固定基板210。基板固定单元140可以固定基板210，使得其中沉积材料将要被沉积处的基板210的表面可以面向沉积源120。
基板固定单元140可具有各种形状。例如，基板固定单元140可以是基板210附接至此的静电卡盘。根据另一示例性实施方式，基板固定单元140可以是基板210容纳其中的夹具或者托架。基板固定单元140不限于以上所述，并且可包括用于固定基板210的任何装置。然而，在下文中，为了便于描述，将详细描述其中基板固定单元140是静电卡盘的实例。
基板固定单元140可以相对于沉积源120移动。根据实施方式，基板固定单元140可以沿着一个方向线性移动并且沉积源120会被固定。根据另一实施方式，沉积源120可以关于基板固定单元140沿着一个方向线性移动，并且基板固定单元140会被固定。根据另一实施方式，基板固定单元140和沉积源120中的每一个可以沿着一个方向线性移动。然而，在下文中，为了便于描述，将详细描述其中基板固定单元140固定在腔室110内并且沉积源120是线性可移动的实例。
掩模支撑单元150可以固定掩模组件130。在这种情况下，掩模支撑单元150可以经由为拉伸掩模组件130而施加的张力来固定掩模组件130。例如，掩模支撑单元150可以通过夹紧掩模组件130的一侧并且沿着掩模组件130的纵向方向或者横向方向拉伸掩模组件130来固定掩模组件130。
抽吸单元160可连接至腔室110，并且可以调整腔室110内部的压力。抽吸单元160可包括连接至腔室110的流动管161以及设置在流动管161上的泵162。
以下将描述通过使用以上所述的装置100制造显示设备(200)(参见图4)的方法。首先，基板210和掩模组件130会被插入腔室110中，且然后各种层会形成在基板210上。在这种情况下，薄膜晶体管(TFT)(参见图4)、像素限定层290(参见图4)等会形成在基板210上。
当基板210和掩模组件130插入腔室110中时，基板210会被固定在基板固定单元140上，并且掩模组件130会被固定到掩模支撑单元150上。然后，基板210和掩模组件130的相应位置会被对准，并且会从沉积源120喷射沉积材料。沉积源120会沿着基板210的纵向方向或者宽度方向线性移动。
从沉积源120蒸发的沉积材料经由掩模组件130会以某种图案沉积在基板210上。用于有机发射层(参见图4)的沉积材料会沉积在像素限定层290(参见图4)的开口部分上。
在执行以上工序时，掩模组件130可以接触基板210或者与基板210间隔开。在这种情况下，如果沉积材料穿过掩模组件130中的开口130a，则沉积材料会被吸附在掩模组件130上。
在现有技术中，如果在未单独地涂敷掩模的表面的情况下执行沉积工序，则沉积材料会被吸附在掩模表面上。沉积材料会被沉积在掩模的表面或者开口的各处，或者被沉积在开口的侧壁处，使得开口的大小或者围绕该开口的掩模的厚度改变。在这种情况下，随着沉积材料流动，流动路径会变得被沉积在掩模组件130上的沉积材料阻挡，并且因此，阴影缺陷会形成在基板210上。即，当由于沉积材料沉积在掩模组件130上，沉积材料改变如上所述的掩模组件130的开口130a的开口面积的大小时，不能利用将要沉积在基板210上的沉积材料来精确地形成图案。具体地，当使沉积材料沉积时，因为沉积材料被涂布在掩模组件130的开口130a的侧面，所以穿过先前设计的开口的基板210上的图案会变形或者仅部分形成，或者沉积材料会沉积在基板210的未预期的部分上。另外，当通过使用如以上的相同掩模多次执行沉积工序时，在每个沉积工序期间会形成不同的沉积图案，并且因此，可能难以制造具有均匀图案的产品。
可替代地，在沉积材料沉积在基板210上或者沉积工序重复多次的情况下，当使用掩模组件130时，沉积在掩模组件130的面向沉积源120的表面上的沉积材料可被堆积到预定厚度。堆积在掩模组件130的表面上的沉积材料可以部分地阻挡或者改变沉积材料经其传送到开口130a的路径。在这种情况下，沉积材料不会沿着先前设计的路径移动，并且因此，可能难以在基板210上将沉积材料沉积和精确地图案化。
为了避免现有技术中的这种问题，在掩模组件130使用预定次数或者预定时间段后对其进行清洗，以去除吸附在掩模上的沉积材料。
然而，根据本发明构思的示例性实施方式，掩模组件130、装置100以及制造显示设备的方法会包括SAM132，SAM132可以防止沉积材料被吸附在掩模组件130上。具体地，因为末端132c是疏水的，末端132c不会与沉积材料起反应或者不会与沉积材料结合。因此，末端132c可防止沉积材料被沉积在SAM132上。
另外，当通过使用掩模组件130执行沉积工序时，沉积材料会以比现有技术中沉积在掩模上的沉积材料更少的量沉积在掩模上。在这种情况下，即使当通过使用现有技术的清洗方法来清洗掩模组件130时，SAM132也不会与掩模131分离，并且因此，可以持续使用掩模组件130。
具体地，在现有技术中，当通过使用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)溶剂清洗掩模时，会产生聚酰亚胺(PI)残留物。然而，如果十八烷基三氯硅烷(OTS)作为SAM层沉积在掩模上来增加层的耐用性，并且此后清洗沉积的OTS掩模，则能够使用该掩模并且保持良好状况达90天以上，而在没有OTSSAM层的现有技术的掩模清洗之后，会在15天内出现缺陷。
另外，与现有技术的掩模相比，在本发明的掩模的表面被清洗后，OTS层将具有较少的缺陷以及高疏水特性(基于去离子水的接触角(DI)≥105°)，使得NMP渗透的扩散时间延长。因此，关于OTSSAM层起皱的发生率较低。因此，根据掩模组件130、装置100以及制造显示设备的方法，因为掩模组件130可被使用较长时间，所述可以容易地且以较低成本来制造显示设备。另外，根据掩模组件130、装置100以及制造显示设备的方法，因为在清洗掩模组件130之后不去除SAM132，所以可以永久地使用掩模组件130。
根据掩模组件130、装置100以及制造显示设备的方法，可以防止沉积材料被吸附在掩模组件130的表面上，使得即使当重复制造多个显示设备时，沉积材料也会以预定图案形成在基板210上。
具体地，因为通过使用本发明的掩模组件130、装置100以及制造显示设备的方法会减少制造显示设备时的缺陷率，所以生产率会得到提高。
现在转至图4，图4是通过使用图1的装置100制造的显示设备200的一部分的截面图。参照图4，显示设备200可包括基板210和显示单元(未示出)。另外，显示设备200可包括形成在显示单元上的薄膜封装层E或者封装基板(未示出)。因为封装基板与一般显示设备中使用的封装基板相同或者类似，所以将省略封装基板的描述。在下文中，为了便于描述，将详细描述其中显示设备200包括薄膜封装层E的实例。
显示单元可形成在基板210上。例如，显示单元可包括TFT，并且钝化层270可被形成为覆盖TFT。有机发光器件(OLED)280可形成在钝化层270上。
基板210可包含例如玻璃、塑料或者金属，诸如，不锈钢(SUS)或者钛(Ti)。可替代地，基板210可以由聚酰亚胺(PI)形成。在下文中，为了便于描述，将详细描述其中基板210由玻璃形成的实例。
由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层220可以附加地形成在基板210上。例如，缓冲层220可以由SiOx(x≥1)或者SiNx(x≥1)形成。
具有预定图案的有源层230可形成在缓冲层220上，且然后有源层230可由栅极绝缘层240来覆盖。有源层230可包括源极区231、漏极区233以及源极区231与漏极区233之间的沟道区232。
有源层230可包含各种材料。例如，有源层230可包含无机半导体材料，诸如，非晶硅或者晶体硅。例如，有源层230可包括氧化物半导体材料。作为另一实例，有源层230可包括有机半导体材料。在下文中，为了便于描述，将详细描述其中有源层230由非晶硅形成的实例。
通过在缓冲层220上形成非晶硅层，使非晶硅层结晶以形成多晶硅层，并且将多晶硅层图案化，可形成有源层230。在有源层230中，源极区231和漏极区233可以根据TFT的类型来掺杂杂质，即，根据TFT是否为驱动TFT或者开关TFT。
与有源层230的沟道区232对应的栅电极250以及覆盖栅电极250的层间绝缘层260可形成在栅极绝缘层240上。接触孔H1s和H1d可形成在层间绝缘层260上以及栅极绝缘层240中，且然后源电极271和漏电极272可形成在层间绝缘层260上，使得它们分别接触源极区231和漏极区233，并且分别填充接触孔H1s和H1d。
钝化层270形成在上述TFT上，并且OLED280的像素电极281可形成在钝化层270上。像素电极281可以经由钝化层270中的通孔H2接触TFT的漏电极272。钝化层270可以形成为单层或者包括至少一个无机层和/或至少一个有机层的多个层。钝化层270可以形成为平坦化层，使得在不管其下层中的弯曲的情况下其上表面是平坦的，或者可替代地，钝化层270可形成为与其下层中的弯曲对应地弯曲。在一个实现方式中，钝化层270可以由透明绝缘材料形成以获得共振效应。
在像素电极281形成在钝化层270上之后，可以通过使用有机材料和/或无机材料形成像素限定层290以覆盖像素电极281和钝化层270，并且像素限定层290中的开口可以形成为暴露像素电极281的一部分。此外，可包括有机发射层的中间层282和相对电极283可以在像素限定层290中所形成的开口内形成在像素电极281的暴露部分上。
像素电极281可以起到阳极的作用，并且相对电极283可以起到阴极的作用，或者反之亦然。像素电极281和相对电极283可以通过中间层282彼此绝缘。不同极性的电压可被施加到中间层282，使得有机发射层(有机EML)发光。
中间层282可包括有机EML。在一个实现方式中，中间层282包括有机EML，并且可进一步包括选自空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)中的至少一个。
单位像素可包括：可发射各种颜色的光的多个子像素。例如，多个子像素可包括发射红光、绿光和蓝光的子像素，或者发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素。
薄膜封装层E可包括多个无机层、或者无机层和有机层。薄膜封装层E的有机层可以由聚合物形成，并且可以是由选自聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯的任何材料形成的单个层或者许多层。有机层可以由聚丙烯酸酯形成，例如，可包括聚合单体组合物，该聚合单体组合物包括二丙烯酸酯基单体和三丙烯酸酯基单体。单体组合物可进一步包括单丙烯酸酯基单体。在一个实现方式中，单体组合物可进一步包括适当的光引发剂，例如，三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦(TPO)。
薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或者金属氮化物的单个层或者许多层。例如，无机层可包括选自SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的任何一个。薄膜封装层E的暴露于外部的顶层可由无机层形成，以便有助于防止水分侵入OLED280中。
在一个实现方式中，薄膜封装层E可包括其中至少一个有机层插入至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。在另一个实现方式中，薄膜封装层E可包括其中至少一个无机层插入至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。在又一个实现方式中，薄膜封装层E可包括其中至少一个有机层插入至少两个无机层之间的夹层结构以及至少一个无机层插入至少两个有机层之间的夹层结构。
在一个实现方式中，薄膜封装层E可包括从OLED280的顶部部分顺序形成的第一无机层、第一有机层和第二无机层。在另一实现方式中，薄膜封装层E可包括从OLED280的顶部部分顺序形成的第一有机层、第一无机层、第二有机层、第二无机层、第三有机层和第三无机层。在又一实现方式中，薄膜封装层E可包括从OLED280的顶部部分顺序形成的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
包括氟化锂(LiF)的卤化金属层可额外地包括在OLED280与第一无机层之间。在通过溅射法或者等离子体沉积法形成第一无机层期间，卤化金属层可以帮助防止OLED280受到损坏。第一有机层可小于第二无机层，并且第二有机层可小于第三无机层。
因为在通过使用掩模组件130制造的显示设备200中可以精细地形成层的图案，所以以上描述的装置100和制造方法可以生产具有高分辨率的显示设备200。另外，当上述的掩模组件130、装置100和制造方法被用来持续地制造多个显示设备200时，显示设备200可被制造为具有相同的质量。
如上所述，根据一个或多个上述示例性实施方式，掩模组件、用于制造显示设备的装置以及制造显示设备的方法可通过改善的生产效率来表征。在真空沉积装置中，当使用蒸发/沉积技术将薄膜形成在基板上时，用来在基板上形成超高清晰度图案的具有多个开口的掩模插入沉积源和基板之间。然而，早期掩模具有的问题在于沉积材料不仅形成在基板的部分上，而且形成在掩模的部分上，该掩模的部分包括对应于开口的掩模的部分。这可以使掩模开口的大小改变，从而导致基板上的沉积膜的尺寸不正确。
在本发明的实施方式中，掩模的部分或者掩模的全部所有表面涂敷有具有疏水性的自组装单层膜(SAM)，以防止沉积材料被沉积在掩模上，从而在基板上实现均匀图案。即使沉积材料形成在掩模上，仍能够在不去除SAM层的情况下清洗掩模，并且该掩模在清洗后能够保持良好状况达90天以上。因此，根据本发明的实施方式，生产率、产品收得率和生产量能得到提高，以及沉积在基板上的薄膜的质量也得到提高。
应当理解，本文描述的示例性实施方式应仅被视为描述意义的，而非用于限制的目的。每个示例性实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其他示例性实施方式中的其他类似特征或方面。
虽然已经参照附图描述了一个或多个示例性实施方式，但是本领域的普通技术人员应理解，在不背离由以下权利要求所限定的精神和范围的情况下，可在其中做出形式和细节上的各种变化。
Claims (20)
1.一种掩模组件，包括：
掩模，包括开口；以及
自组装单层膜，涂敷在所述掩模的至少一部分上。
2.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述自组装单层膜包括：
头端，接触所述掩模；
连接器，连接至所述头端；以及
末端，连接至所述连接器。
3.根据权利要求2所述的掩模组件，其中，所述头端是亲水的。
4.根据权利要求2所述的掩模组件，其中，所述末端是疏水的。
5.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述自组装单层膜包括选自于由以下各项组成的组中的至少一种材料：十八烷基三氯硅烷、含氟三氯硅烷和二氯二甲基硅烷。
6.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述自组装单层膜被涂覆在所述开口的内表面的各处。
7.根据权利要求1所述的掩模组件，其中，所述自组装单层膜被涂敷在所述掩模的面向沉积源的表面上。
8.一种用于制造显示设备的装置，所述装置包括：
腔室；
沉积源，设置在所述腔室内以容纳和发射沉积材料；
掩模，与所述沉积源分离并且包括用来在基板上形成图案的开口，
其中，自组装单层膜被涂敷在所述掩模的至少一部分上。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述自组装单层膜包括：
头端，接触所述掩模；
连接器，连接至所述头端；以及
末端，连接至所述连接器。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述头端是亲水的并且所述末端是疏水的。
11.根据权利要求8所述的装置，其中，所述自组装单层膜包括选自于由以下各项组成的组中的至少一种材料：十八烷基三氯硅烷、含氟三氯硅烷和二氯二甲基硅烷。
12.根据权利要求8所述的装置，其中，所述自组装单层膜被涂覆在所述开口的各处。
13.根据权利要求8所述的装置，其中，所述自组装单层膜被涂敷在所述掩模的面向所述沉积源的表面上。
14.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
设置包括沉积源的腔室，所述沉积源在内部容纳沉积材料；
将基板和掩模插入所述腔室中，所述掩模介于所述沉积源与所述基板之间，所述掩模包括开口；
将所述基板与所述掩模对准；并且
通过加热所述沉积源将所述沉积材料经由所述掩模中的所述开口沉积在所述基板上，
其中，自组装单层膜被涂敷在所述掩模的至少一部分上。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述自组装单层膜包括：
头端，接触所述掩模；
连接器，连接至所述头端；以及
末端，连接至所述连接器。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述头端是亲水的并且所述末端是疏水的。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述自组装单层膜包括选自于由以下各项组成的组中的至少一种材料：十八烷基三氯硅烷、含氟三氯硅烷和二氯二甲基硅烷。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，将所述自组装单层膜涂覆在所述开口的内表面的各处。
19.根据权利要求14所述的方法，其中，将所述自组装单层膜涂敷在所述掩模的面向所述沉积源的表面上。
20.根据权利要求14所述的方法，其中，通过使用汽相沉积技术将所述自组装单层膜涂敷在所述掩模上。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140141193A KR102220427B1 (ko) | 2014-10-17 | 2014-10-17 | 마스크 어셈블리, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR10-2014-0141193 | 2014-10-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105529408A true CN105529408A (zh) | 2016-04-27 |
| CN105529408B CN105529408B (zh) | 2019-11-26 |
Family
ID=55749762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510670931.7A Active CN105529408B (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-15 | 掩模组件、用于制造显示设备的装置和方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9637816B2 (zh) |
| KR (1) | KR102220427B1 (zh) |
| CN (1) | CN105529408B (zh) |
| TW (1) | TWI700381B (zh) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20160111681A1 (en) | 2016-04-21 |
| KR102220427B1 (ko) | 2021-02-26 |
| KR20160046071A (ko) | 2016-04-28 |
| US9637816B2 (en) | 2017-05-02 |
| TWI700381B (zh) | 2020-08-01 |
| TW201621067A (zh) | 2016-06-16 |
| CN105529408B (zh) | 2019-11-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |