CN108183179A - 一种oled功能层喷墨打印制备方法及其掩膜板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种OLED功能层喷墨打印制备方法，包括以下步骤：提供掩膜板基体，对掩膜板基体进行疏水处理，形成疏水层；在具有疏水层的掩膜板基体表面沉积缓冲层，形成掩膜板；将掩膜板的缓冲层与TFT阵列基板对位贴合，使掩模板阵列通孔与TFT阵列基板上预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置；在掩模板上的阵列通孔处使用喷墨打印工艺，注入OLED HIL功能层墨水材料，再将掩膜板和TFT阵列基板一同进行干燥，使OLED功能层墨水干燥，随后去除掩膜板，得到OLED功能层。利用表面具有疏水层和缓冲层的掩膜板来采用喷墨打印法制备OLED功能层，省略了像素bank的制备工艺，大大简化了生产工艺，降低了生产成本，提高生产效率和OLED的质量。
Description
技术领域
本发明属于OLED面板制备技术领域，具体涉及一种OLED功能层喷墨打印制备方法及其掩膜板。
背景技术
OLED因其优异的性能，现成为新兴热门的平板显示装置。目前为实现OLED全彩化主要采用喷墨打印技术。在喷墨打印技术中，为了使打印出来的液态材料更好的成型，需要在像素电极周围制备像素bank，再在像素bank区内注入OLED功能层墨水材料。但由于制作像素bank的流程相当繁琐，而且像素bank对像素电极的质量带来很大的影响。因此，现在亟待寻找一种新的方法去制备像素电极。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED功能层喷墨打印制备方法，利用表面具有疏水层和缓冲层的掩膜板来注入OLED功能层墨水材料，省略了像素bank的制备工艺，大大简化了生产工艺，降低了生产成本，提高生产效率和OLED的质量。
本发明第一方面提供了一种OLED功能层喷墨打印制备方法，包括以下步骤：
提供掩膜板基体，对所述掩膜板基体进行疏水处理，形成疏水层，所述掩膜板基体上开设有阵列通孔，所述阵列通孔用于喷墨打印工艺时注入OLED功能层墨水材料，所述阵列通孔与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置；
在具有疏水层的所述掩膜板基体表面沉积缓冲层，形成掩膜板，所述掩膜板包括掩膜板基体、疏水层和缓冲层，所述疏水层设置在所述掩膜板基体相对的两侧，所述缓冲层设置在所述掩膜板基体一侧或相对两侧的所述疏水层上；
将所述掩膜板的缓冲层与TFT阵列基板对位贴合，使所述阵列通孔与所述TFT阵列基板上所述预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置；
在所述阵列通孔处采用喷墨打印工艺注入所述OLED功能层墨水材料，再将所述掩膜板和所述TFT阵列基板一同进行干燥，使所述OLED功能层墨水材料干燥，随后去除所述掩膜板，得到OLED功能层。
其中，所述疏水层的材质为聚四氟乙烯、有机硅树脂、氟硅树脂或长链聚合物。
其中，所述疏水层采用蒸镀法或磁控溅射法制备而成。
其中，所述疏水层的厚度为20-50nm，所述缓冲层的厚度为1-10μm。
其中，所述缓冲层的材质为氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅。
其中，所述缓冲层采用等离子增强化学气相沉积法或喷墨打印法制备而成。
其中，所述疏水层覆盖所述阵列通孔的内壁。
其中，所述阵列通孔与所述预注入OLED功能层墨水材料的区域的大小和数量相等，所述阵列通孔与所述预注入OLED功能层墨水材料的区域的位置相同。
本发明第二方面提供了一种OLED，包括OLED功能层，所述OLED功能层如本发明第一方面提供的制备方法制备而成。
本发明第三方面提供了一种掩膜板，包括掩膜板基体、疏水层和缓冲层，所述掩膜板基体上开设有阵列通孔，所述阵列通孔用于喷墨打印工艺时注入OLED功能层墨水材料，所述阵列通孔与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置，所述疏水层设置在所述掩膜板基体相对的两侧，所述缓冲层设置在所述掩膜板基体一侧或相对两侧的所述疏水层上。
本发明第一方面提供的一种OLED功能层喷墨打印制备方法，首先，本发明采用的掩膜板包括掩膜板基体，掩膜板基体上开设有阵列通孔，使掩膜板在TFT阵列基板上制备OLED功能层时，直接在阵列通孔处注入相应墨水材料即可，起到了一个很好的定位作用。掩膜板基体相对的两侧设有疏水层，在疏水层上设有缓冲层。因此疏水层不会与OLED功能层墨水材料相结合或相粘结，在制作OLED功能层时方便与TFT阵列基板相分离，使掩膜板可以重复使用。而缓冲层则起到一个缓冲、保护TFT阵列基板的作用，防止掩膜板基体直接与TFT阵列基板相接触时，TFT阵列基板承受的压力过大而使源、漏电极或栅极损坏。
其次，本发明采用上述掩膜板来采用喷墨打印工艺注入OLED功能层墨水材料。当掩膜板与TFT阵列基板对位贴合时，使阵列通孔与TFT阵列基板上预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应，进而采用喷墨打印工艺制备OLED功能层，此时不需要制备像素bank区域。因为阵列通孔与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应，所以掩膜板首先起到了一个定位的作用，直接在阵列通孔处制备OLED功能层即可。又由于掩膜板具有一定的厚度，在掩膜板起到定位作用的同时，可以使每个功能层都可以单独地在各自的阵列通孔处制备完成。相邻的功能层不会互相接触到，进而发生短路的情况。所以掩膜板则起到了替代像素bank的作用。避免了像素bank对TFT阵列基板和OLED的质量带来的干扰。大大提高了产品的质量。而且由于掩膜板具有疏水层和缓冲层，当干燥工艺后，掩膜板可以很简洁地取下来并重复使用。
本发明第二方面提供的一种OLED，在像素电极区域没有bank层，不仅降低了OELD的重量，还大大提高了OLED的质量。本发明第三方面提供的一种掩膜板，利用本发明提供的掩膜板，可以在制备OLED功能层时，不需要制作bank层，而由掩膜板来代替，在OLED功能层墨水材料干燥、制备结束后，可及时取走掩膜板。并且掩膜板可重复使用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图进行说明。
图1为本发明实施方式OLED功能层喷墨打印制备方法的流程示意图；
图2为本发明实施方式中掩膜板的截面示意图；
图3为本发明实施方式中掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
以下是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
请参阅图1-图3，本发明第一方面提供了一种OLED功能层喷墨打印制备方法，包括以下步骤：
步骤1：提供掩膜板基,1，对所述掩膜板基体1进行疏水处理，形成疏水层2，所述掩膜板基体1上开设有阵列通孔11，所述阵列通11用于喷墨打印工艺时注入OLED功能层墨水材料，所述阵列通孔11与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置；
步骤2：在具有疏水层2的所述掩膜板基体1表面沉积缓冲层3，形成掩膜板100，所述掩膜板100包括掩膜板基体1、疏水层2和缓冲层3，所述疏水层2设置在所述掩膜板基体1相对的两侧，所述缓冲层3设置在所述掩膜板基体1一侧或相对两侧的所述疏水层2上；
步骤3：将掩膜板100的缓冲层3与TFT阵列基板对位贴合，使阵列通孔11与TFT阵列基板上所述预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置；
步骤4：在阵列通孔11处采用喷墨打印工艺注入OLED HIL功能层墨水材料，再将掩膜板100和TFT阵列基板一同进行干燥，使所述OLED功能层干燥，随后去除掩膜板100，得到OLED功能层，并采用相同的工艺制备其他功能层，最终得到OLED。
首先，本发明采用的掩膜板100包括掩膜板基体1，掩膜板基体1上开设有阵列通孔11，阵列通孔11与TFT阵列基板(图中未示出)上预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置。使掩膜板100在TFT阵列基板上制备OLED功能层时，直接在阵列通孔11处注入OLED功能层墨水材料即可，起到了一个很好的定位作用。掩膜板基体1相对的两侧设有疏水层2，在疏水层2上设有缓冲层3。因此疏水层2不会与OLED功能层墨水材料相结合或相粘结，在制作OLED功能层时方便与TFT阵列基板相分离，使掩膜板可以重复使用。而缓冲层3则起到一个缓冲、保护TFT阵列基板的作用，防止掩膜板基体1直接与TFT阵列基板相接触时，TFT阵列基板承受的压力过大而使源、漏电极或栅极损坏。
其次，本发明采用上述掩膜板100来采用喷墨打印工艺注入OLED功能层墨水材料。当掩膜板100与TFT阵列基板对位贴合时，使阵列通孔11与TFT阵列基板上预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应，进而采用喷墨打印工艺制备OLED功能层，此时不需要制备像素bank区域。因为阵列通孔11与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应，所以掩膜板100首先起到了一个定位的作用，直接在阵列通孔11处制备OLED功能层即可。又由于掩膜板100具有一定的厚度，在掩膜板100起到定位作用的同时，可以使每个功能层都可以单独地在各自的阵列通孔11处制备完成。相邻的功能层不会互相接触到，进而发生短路的情况。所以掩膜板100则起到了替代像素bank的作用。避免了像素bank对TFT阵列基板和OLED的质量带来的干扰。大大提高了产品的质量。而且由于掩膜板100具有疏水层2和缓冲层3，当干燥工艺后，掩膜板100可以很简洁地取下来并重复使用。
本发明实施方式中，缓冲层3的数量为一层。具体地，在掩膜板基体1的一侧设有疏水层2，在掩膜板基体1的另一侧依次设有疏水层2和缓冲层3。只需要使具有缓冲层3的一侧与TFT阵列基板对位贴合即可保护TFT阵列基板免遭破坏。
本发明实施方式中，疏水层2是由蒸镀法或磁控溅射法制备而成，疏水层2的材质为聚四氟乙烯、有机硅树脂、氟硅树脂或长链聚合物。疏水层2的厚度为20-50nm。掩膜板基体1上设置的疏水层2只需要20-50nm即可把OLED功能层与掩膜板基体1分隔开来，并且由于疏水层2的特性，可以方便、快捷地把掩膜板100从TFT阵列基板上分离开来。
本发明实施方式中，缓冲层3是由等离子增强化学气相沉积法或喷墨打印法制备而成，缓冲层3的材质为氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅。缓冲层3的厚度为1-10μm。1-10μm厚的缓冲层3即可有效地保护TFT阵列基板避免因压力而遭受破坏。
本发明实施方式中，疏水层2覆盖设置在阵列通孔11的内壁111。这样可以使掩膜板100在注入OLED功能层墨水材料并且干燥后，掩膜板100与功能层和TFT阵列基板更好地分离。优选地，缓冲层3也设置在疏水层2的表面，使OLED功能层的质量得到更好的提升。
本发明实施方式中，阵列通孔11与预注入OLED功能层墨水材料的区域的大小和数量相等，阵列通孔11与预注入OLED功能层墨水材料的区域的位置相同。使阵列通孔11可以准确无误地与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应。
本发明实施方式中，TFT阵列基板包括阵列基板、有源层、绝缘层、源、漏电极、栅极和平坦层，并在平坦层上开设孔洞，从而漏出漏极，孔洞用于沉积像素电极，并在像素电极上沉积OLED功能层。
本发明第二方面提供的一种OLED，包括OLED功能层，所述OLED功能层如本发明第一方面提供的制备方法制备而成。本发明提供的OLED，在像素电极区域没有bank层，不仅降低了OELD的重量，还大大提高了OLED的质量
请参阅图2-图3，本发明第三方面提供的一种掩膜板100，包括掩膜板基体1、疏水层2和缓冲层3，所述掩膜板基体1上开设有阵列通孔11，所述阵列通孔11用于注入OLED功能层墨水材料，所述阵列通孔11与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置，所述疏水2设置在所述掩膜板基体1相对的两侧，所述缓冲层3设置在所述掩膜板基体1一侧或相对两侧的所述疏水层2上。利用本发明提供的掩膜板100，可以在制备OLED功能层时，不需要制作bank层，而由掩膜板100来代替，并且在OLED功能层墨水材料干燥、制备结束后，可及时取走掩膜板100。并且掩膜板100可重复使用。
以上对本发明实施方式所提供的一种OLED功能层喷墨打印制备方法及其掩膜板进行了详细介绍，本文对本发明的原理及实施方式进行了阐述与说明，以上说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种OLED功能层喷墨打印制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供掩膜板基体，对所述掩膜板基体进行疏水处理，形成疏水层，所述掩膜板基体上开设有阵列通孔，所述阵列通孔用于喷墨打印工艺时注入OLED功能层墨水材料，所述阵列通孔与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置；
在具有疏水层的所述掩膜板基体表面沉积缓冲层，形成掩膜板，所述掩膜板包括掩膜板基体、疏水层和缓冲层，所述疏水层设置在所述掩膜板基体相对的两侧，所述缓冲层设置在所述掩膜板基体一侧或相对两侧的所述疏水层上；
将所述掩膜板的缓冲层与TFT阵列基板对位贴合，使所述阵列通孔与所述TFT阵列基板上所述预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置；
在所述阵列通孔处采用喷墨打印工艺注入所述OLED功能层墨水材料，再将所述掩膜板和所述TFT阵列基板一同进行干燥，使所述OLED功能层墨水材料干燥，随后去除所述掩膜板，得到OLED功能层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述疏水层的材质为聚四氟乙烯、有机硅树脂、氟硅树脂或长链聚合物。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述疏水层采用蒸镀法或磁控溅射法制备而成。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述疏水层的厚度为20-50nm，所述缓冲层的厚度为1-10μm。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为氧化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层采用等离子增强化学气相沉积法或喷墨打印法制备而成。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述疏水层覆盖所述阵列通孔的内壁。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阵列通孔与所述预注入OLED功能层墨水材料的区域的大小和数量相等，所述阵列通孔与所述预注入OLED功能层墨水材料的区域的位置相同。
9.一种OLED，其特征在于，包括OLED功能层，所述OLED功能层如权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备而成。
10.一种掩膜板，其特征在于，包括掩膜板基体、疏水层和缓冲层，所述掩膜板基体上开设有阵列通孔，所述阵列通孔用于喷墨打印工艺时注入OLED功能层墨水材料，所述阵列通孔与预注入OLED功能层墨水材料的区域相对应设置，所述疏水层设置在所述掩膜板基体相对的两侧，所述缓冲层设置在所述掩膜板基体一侧或相对两侧的所述疏水层上。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109037482A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-12-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜封装层的制备方法及oled显示装置 |
| CN110095934A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜板及oled面板的制备方法 |
| US10790472B2 (en) | 2018-08-03 | 2020-09-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film encapsulation layer and organic light emitting diode display device |
| WO2023065406A1 (zh) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 用于显示装置的基板的线路制作方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1522098A (zh) * | 2002-12-03 | 2004-08-18 | 精工爱普生株式会社 | 掩模蒸镀方法及装置、掩模及其制造方法、显示板制造装置 |
| CN1630438A (zh) * | 2003-12-19 | 2005-06-22 | 精工爱普生株式会社 | 掩模及其制造方法、有机电致发光装置及其制造方法、电子设备 |
| CN105374852A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-03-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种无像素bank的印刷型发光显示器及其制作方法 |
| WO2016051972A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜の製造方法、有機トランジスタ |
| CN105529408A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-04-27 | 三星显示有限公司 | 掩模组件、用于制造显示设备的装置和方法 |
| CN106696501A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-05-24 | 纳晶科技股份有限公司 | 表面改性掩模板、其制作方法、电致发光器件的制作方法 |
| CN107026187A (zh) * | 2016-07-25 | 2017-08-08 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 具有亲疏性差异的像素界定层及其制备方法和应用 |
-
2017
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1522098A (zh) * | 2002-12-03 | 2004-08-18 | 精工爱普生株式会社 | 掩模蒸镀方法及装置、掩模及其制造方法、显示板制造装置 |
| CN1630438A (zh) * | 2003-12-19 | 2005-06-22 | 精工爱普生株式会社 | 掩模及其制造方法、有机电致发光装置及其制造方法、电子设备 |
| WO2016051972A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜の製造方法、有機トランジスタ |
| CN105529408A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-04-27 | 三星显示有限公司 | 掩模组件、用于制造显示设备的装置和方法 |
| CN105374852A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-03-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种无像素bank的印刷型发光显示器及其制作方法 |
| CN107026187A (zh) * | 2016-07-25 | 2017-08-08 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 具有亲疏性差异的像素界定层及其制备方法和应用 |
| CN106696501A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-05-24 | 纳晶科技股份有限公司 | 表面改性掩模板、其制作方法、电致发光器件的制作方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109037482A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-12-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜封装层的制备方法及oled显示装置 |
| US10790472B2 (en) | 2018-08-03 | 2020-09-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing a thin film encapsulation layer and organic light emitting diode display device |
| CN110095934A (zh) * | 2019-04-11 | 2019-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜板及oled面板的制备方法 |
| WO2023065406A1 (zh) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 用于显示装置的基板的线路制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108183179B (zh) | 2019-08-20 |
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