CN106435477A - 有机层沉积装置、有机发光显示装置和显示装置制造方法 - Google Patents

有机层沉积装置、有机发光显示装置和显示装置制造方法 Download PDF

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Abstract

公开了有机层沉积装置、有机发光显示装置和显示装置制造方法。根据一个实施方式的有机层沉积装置，包括沉积单元，该沉积单元包括与基板间隔开的至少一个沉积组件，至少一个沉积组件将材料沉积在基板上，至少一个沉积组件包括：沉积源，排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，安装在沉积源上，沉积源喷嘴单元具有形成在其中的沉积源喷嘴；以及多个图案片，面对沉积源喷嘴单元并且彼此间隔开，以使得沉积材料经由多个图案片沉积在基板的多个不同区域上。

Description

有机层沉积装置、有机发光显示装置和显示装置制造方法
相关申请的交叉引用
于2015年8月4日在韩国知识产权局提交的标题为“有机发光显示装置、有机层沉积装置、以及通过使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法”的第10-2015-0110235号韩国专利申请通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个示例性实施方式涉及有机发光显示装置、有机层沉积装置、以及通过使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置可具有比其他显示装置更大的视角、更好的对比度特性、以及更快的响应速度，并且可成为下一代显示装置。
发明内容
实施方式可通过提供有机层沉积装置实现，该有机层沉积装置包括沉积单元，该沉积单元包括与基板间隔开的至少一个沉积组件，至少一个沉积组件将材料沉积在基板上，至少一个沉积组件包括：沉积源，排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，安装在沉积源上，沉积源喷嘴单元具有形成在其中的沉积源喷嘴；以及多个图案片，面对沉积源喷嘴单元并且彼此间隔开，以使得沉积材料经由多个图案片沉积在基板的多个不同区域上。
基板的多个不同区域中的两个可彼此平行。
多个图案片可位于单个空间内。
沉积源可位于来自多个图案片之中的相邻图案片之间。
至少一个沉积组件可包括多个沉积源，并且多个沉积源中的每个可与多个图案片中的每个对应。
多个沉积源可分别位于不同的空间内。
至少一个沉积组件还可包括框架，多个图案片安装于框架中。
至少一个沉积组件还可包括多个框架，图案片中的每个分别安装在框架中的一个中。
来自多个框架之中的相邻框架彼此可至少部分重叠。
多个图案片可布置在相同的平面上。
来自多个图案片之中的相邻图案片可关于穿过相邻图案片之间并且平行于沉积行进方向的直线成之字形。
多个图案片中的每个关于穿过相邻图案片之间并且平行于沉积行进方向的直线可以是偏心的。
有机层沉积装置还可包括与多个图案片中的每个相邻的第一遮蔽构件。
多个图案片可布置在关于基板转移的方向的斜线方向。
至少一个沉积组件还可包括第二遮蔽构件，第二遮蔽构件使多个图案片彼此分离。
第二遮蔽构件可位于来自多个图案片之中的相邻图案片之间。
至少一个沉积组件可在基板上形成图案层。
沉积单元可包括多个沉积组件，并且多个沉积组件中的至少一些可位于不同的空间内。
沉积单元可包括多个沉积组件，并且多个沉积组件可形成不同的有机层。
有机层沉积装置还可包括传送器单元，该传送器单元包括循环移动移动单元的第一传送器单元和第二传送器单元。第一传送器单元可在第一方向上传送移动单元，其中基板已可拆卸地固定至移动单元，并且第二传送器单元可在与第一方向相反的第二方向上传送与基板分离的移动单元。
沉积单元还可包括室，其中室包括位于其中的至少一个沉积组件并且移动单元穿过室。
有机层沉积装置还可包括将基板与移动单元分离的卸载单元。移动单元可在第一传送器单元与第二传送器单元之间循环，以及当基板通过第一传送器单元移动时，固定至移动单元的基板可与至少一个沉积组件是间隔开的。
第一传送器单元可将移动单元顺序传送至加载单元、沉积单元以及卸载单元。
第二传送器单元可将移动单元顺序传送至卸载单元、沉积单元以及加载单元。
第一传送器单元和第二传送器单元可穿过沉积单元。
在竖直方向上，第一传送器单元和第二传送器单元中的一个可位于另一个上。
基板和至少一个沉积组件可彼此间隔开，并且可相对于彼此移动。
沉积源喷嘴单元可包括布置在第一方向上的多个沉积源喷嘴，并且多个图案片中的每个可包括位于垂直于第一方向的第二方向上的多个图案化缝隙。
沉积源、沉积源喷嘴单元、以及多个图案片中的至少一个可通过连接构件彼此联接并且可彼此整体形成。
连接构件可引导沉积材料的移动路径。
连接构件可将沉积源、沉积源喷嘴单元以及多个图案片中的至少一个之间的空间与外面屏蔽。
实施方式可通过提供有机发光显示装置实现，该有机发光显示装置包括：基板；至少一个薄膜晶体管，形成在基板上，至少一个薄膜晶体管包括半导体有源层、与半导体有源层隔离的栅电极、以及接触半导体有源层的源电极和漏电极；多个像素电极，形成在至少一个薄膜晶体管上；多个有机层，分别形成在多个像素电极上；以及相对电极，形成在多个有机层上，基板上的多个有机层中的至少一个使用本文公开的有机层沉积装置形成。
实施方式可通过提供由使用用于在基板上形成有机层的有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法实现，该方法包括：将基板固定至移动单元，该固定通过加载单元执行；通过使用安装为穿过室的第一传送器单元将已固定有基板的移动单元传送到室中；当在基板与沉积组件分离的状态下基板相对于沉积组件移动时，通过将从室内的沉积组件排放出的沉积材料经由多个彼此间隔开的图案片沉积在基板的不同区域上，形成有机层；将沉积完成的基板与移动单元分离，该分离通过卸载单元执行；以及通过使用安装为穿过室的第二传送器单元将与基板分离的移动单元转移到加载单元。
基板的不同区域中的两个可彼此平行。
有机层可以是图案层。
多个图案片可关于与沉积材料沉积的方向平行的直线成之字形。
沉积组件可包括将沉积材料发射到外面的沉积源，并且沉积源可位于自多个图案片之中的相邻图案片之间。
沉积组件可包括将沉积材料发射到外面的多个沉积源，并且多个沉积源中的每个可与多个图案片中的每个对应。
多个图案片可布置在相同的平面上。
通过与多个图案片中的每个相邻的第一遮蔽构件可阻挡沉积材料中的一部分。
室可包括多个沉积组件，并且多个沉积组件中的至少一些可位于不同的空间内。
室可包括多个沉积组件，并且多个沉积组件可形成不同的有机层。
有机层可由用通过第二遮蔽构件彼此隔开的多个图案片中的每个形成。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施方式，对本领域技术人员来说各特征将显而易见，在附图中：
图1示出了根据实施方式的有机层沉积装置的示意性平面图；
图2示出了根据实施方式在图1中所示的有机层沉积装置中包括的沉积单元的一部分的示意性立体剖视图；
图3示出了根据实施方式在图1中所示的有机层沉积装置中包括的沉积单元的一部分的示意性剖视图；
图4示出了在图1中所示的有机层沉积装置中包括的沉积源和图案化缝隙片的布置的实施方式的概念性视图；
图5示出了图1中所示的有机层沉积装置的变型的一部分的立体图；
图6示出了通过图1所示的有机层沉积装置制造的有机发光显示装置的一部分的剖视图；
图7示出了在根据实施方式的有机层沉积装置中包括的沉积源和图案化缝隙片的布置的概念性视图；
图8示出了图7中所示的有机层沉积装置中包括的沉积组件的变型的一部分的示意性立体图；
图9示出了在根据实施方式的有机层沉积装置中包括的沉积源和图案化缝隙片的布置的概念性视图；
图10示出了图9中所示的有机层沉积装置中包括的沉积组件的变型的一部分的示意性立体图；
图11示出了在根据实施方式的有机层沉积装置中包括的沉积源和图案化缝隙片的布置的概念性视图；
图12示出了图11中所示的有机层沉积装置中包括的沉积组件的变型的一部分的示意性立体图；
图13示出了在根据实施方式的有机层沉积装置中包括的沉积源和图案化缝隙片的布置的概念性视图；以及
图14示出了图13中所示的有机层沉积装置中包括的沉积组件的变型的一部分的示意性立体图。
具体实施方式
现在将参照附图在下文中更完整地描述示例性实施方式；然而，这些实施方式可以以不同的形式实施，并且不应被理解为受限于本文中所阐述的实施方式。确切地说，这些实施方式被提供为使得本公开将是全面且完整的，并且会将示例性的实施充分地传达给本领域的技术人员。
现在将详细参考实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中相似的参考数字始终表示相似的元件。
应理解，虽然可在本文中使用“第一”、“第二”等术语来描述各部件，但是这些部件不应受限于这些术语。这些术语仅用来将一个部件与另一部件区分开。
除非上下文另外明确地指示，否则本文中所使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”还旨在包括复数形式。
还应理解，在本文中使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”表示存在所描述的特征或部件，但是不排除存在或附加一个或多个其他特征或部件。
应理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，可以是直接或间接地形成在另一层、区域或部件上。也就是，例如可以存在插入其中的层、区域或部件。
为了便于解释，附图中元件的尺寸可以被放大。换句话说，附图中部件的尺寸和厚度被随意地示出以便于解释，因而以下实施方式不限制于此。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴线，并且可在广义上来解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。
当某实施方式可以不同方式实施时，具体处理顺序可以不同于所描述的顺序执行。例如，两个接连描述的过程可以大致同时执行，或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
图1示出了根据实施方式的有机层沉积装置1的示意性平面图。图2示出了根据实施方式在图1的有机层沉积装置1中的沉积单元100的一部分的示意性立体剖视图。图3示出了根据实施方式在图1的有机层沉积装置1中的沉积单元100的一部分的示意性剖视图。
参照图1至图3，有机层沉积装置1可包括沉积单元100、加载单元200、卸载单元300以及传送器单元400。
加载单元200可包括第一支架212、引入室214、第一翻转室218以及缓冲室219。
第一支架212可保持将在沉积单元100中处理的多个基板2。引入室214可包括运输机器人以从第一支架212上获得基板2中的一个。运输机器人可将基板2放置在移动单元430上。其上可放置有基板2的移动单元430可以通过运输机器人转移到第一翻转室218中。
第一翻转室218可设置为与引入室214相邻。第一翻转室218可包括第一翻转机器人，第一翻转机器人可以使移动单元430翻转并且随后可将移动单元430加载到沉积单元100的第一传送器单元410中。
参照图1，引入室214的运输机器人可将基板2中的一个放置在移动单元430的上表面上，并且移动单元430可被转移到第一翻转室218中。第一翻转室218的第一翻转机器人可使第一翻转室218翻转，以使得基板2在沉积单元100中被倒置。
卸载单元300可配置为以与上述加载单元200相反的方式操作。第二翻转室328的第二翻转机器人可使在已穿过沉积单元100的移动单元430上的基板2翻转，并且随后可将移动单元430移动到弹出室324中。然后，弹出室324的弹出机器人可从弹出室324弹射基板2和移动单元430，可以将基板2与移动单元430分离，并且随后可将基板2加载到第二支架322中。与基板2分离的移动单元430可经由第二传送器单元420回到加载单元200。
在实施方式中，当基板2被放置在移动单元430上时，基板2可固定到移动单元430的下表面上，并随后移动到沉积单元100。在实施方式中，可省略第一翻转室218的第一翻转机器人和第二翻转室328的第二翻转机器人。
沉积单元100可包括至少一个室101。例如，沉积单元100可包括容纳多个沉积组件100-1、100-2到100-n的室101。根据图1中所示的实施方式，室101可容纳第一沉积组件100-1到第十一沉积组件100-11。沉积组件的数量不限于十一(11)，并且可根据沉积材料和沉积条件而改变。在沉积过程期间室101可维持在真空状态。
其上可放置基板2的移动单元430可通过第一传送器单元410至少移动到沉积单元100，或者可通过使用第一传送器单元410顺序穿过加载单元200、沉积单元100以及卸载单元300。移动单元430可在卸载单元300中与基板2分离，并然后可使用第二传送器单元420从卸载单元300回到加载单元200。
第一传送器单元410可配置为在穿过沉积单元100时穿过室101，并且第二传送器单元420可配置为传送可与基板2分离的移动单元430。
在有机层沉积装置1中，第一传送器单元410可设置在第二传送器单元420之上，并且在移动单元430(在由第一传送器单元410传送时，其上已完成了沉积)可在卸载单元300中与基板2分离之后，移动单元430可经由第一传送单元410下面的第二传送器单元420回到加载单元200，并且有机层沉积装置1可具有提高了的空间利用率。
图1的沉积单元100还可包括在每个有机层沉积组件的一侧设置的沉积源置换单元190。沉积源置换单元190可以是盒型结构。沉积源置换单元190可形成为从每个有机层沉积组件中抽出，并且每个有机层沉积组件的沉积源110(参照图3)可以容易被置换。
图1示出了并行布置的两个有机层沉积装置1。两个有机层沉积装置1可以并肩布置，并且在两个有机层沉积装置1之间可设置图案化缝隙片置换单元500。两个有机层沉积装置1可共享图案化缝隙片置换单元500，并可以提高空间利用率。
有机层沉积装置1的沉积单元100可包括至少一个沉积组件，例如沉积组件100-1到100-n和传送器单元400。
现在将详细描述沉积单元100。
室101可具有中空的箱型结构并可容纳至少一个沉积组件(例如沉积组件100-1)和传送器单元400。室101可以使用脚102固定在地上，脚102可附接于下壳体103上，并且下壳体103可联接至上壳体104。例如，上壳体104可堆叠在下壳体103上。室101可容纳下壳体103和上壳体104。下壳体103和室101的联接部分可以被密封，并且室101的内侧可与外侧完全隔离。由于例如这样的结构，即下壳体103和上壳体104可设置在固定于地面上的脚102上，所以即使室101可反复收缩和膨胀，下壳体103和上壳体104也可以维持在固定的位置，并且下壳体103和上壳体104可作为沉积单元100中的参考框架。
上壳体104可包括沉积组件100-1和传送器单元400的第一传送器单元410，并且下壳体103可包括传送器单元400的第二传送器单元420。当移动单元430通过使用第一传送器单元410和第二传送器单元420穿过沉积单元100时，可以连续执行沉积过程。
多个沉积组件100-1到100-n彼此可以大致相同。现在将详细描述多个沉积组件100-1至100-n之中的第五沉积组件100-5。例如，现在将详细描述形成有机层中包括的图案层的第五沉积组件100-5。
第五沉积组件100-5可包括例如沉积源110、沉积源喷嘴单元120、图案化缝隙片130、多个源遮板140、第一阶150以及第二阶160。图2和图3中示出的沉积单元100的所有部件均可设置在室101内，其中室101可维持在适度的真空。室101可维持在适当的真空以允许沉积材料115大致以直线移动通过有机层沉积装置1。
其上可沉积沉积材料115的基板2可设置在室101中。基板2可以是用于有机发光显示装置的基板。基板2可以是具有40英寸或更大尺寸并能够制成多个有机发光显示装置的大基板。也可采用其他基板。例如，基板2可包括多个单元格C。每个单元格C可形成每个层并且随后可以被切割，并可成为每个有机发光显示装置。
在沉积过程中，基板2可以穿过第五沉积组件100-5上方。
例如，在比较精细金属掩模(FMM)沉积方法中，FMM的尺寸可能必须等于基板的尺寸，并且当基板变得更大时FMM的尺寸可能必须增加。然而，制造较大的FMM或者将FMM扩大为与图案精确对准并不简单。
在第五沉积组件100-5中，沉积过程可以在第五组件100-5或基板2相对另一个移动时执行。沉积过程可以在面对第五沉积组件100-5的基板2在Y轴方向上移动时连续执行，并且沉积过程可以在图2的箭头A方向上以扫描方式执行。在图2中，沉积过程可以在基板2在室101内在Y轴方向上移动时执行。在实施方式中，沉积过程可以在第五沉积组件100-5在Y轴方向上移动而基板2保持在固定位置时执行。
在第五沉积组件100-5中，图案化缝隙片130可显著小于在比较沉积方法中使用的FMM。在第五沉积组件100-5中，沉积过程可在当在Y轴方向上移动基板2连续(即，以扫描方式)执行，并且图案化缝隙片130可在X轴和Y轴方向中的至少一个方向上具有显著小于基板2的长度的长度。在扫描沉积方法中，图案化缝隙片130可显著小于比较FMM，并且图案化缝隙片130可易于制造。与使用比较FMM的比较沉积法相比，使用可比在比较沉积法中所用的比较FMM小的图案化缝隙片130，在所有过程中均可以更方便，包括刻蚀以及其他后续过程，诸如精确外延、焊接、移动以及清洗过程。这对相对大的有机发光显示装置来说可以是更有利的。
为了在有机层沉积组件100-5或基板2如上所述相对于另一个移动时执行沉积过程，第五沉积组件100-5和基板2可彼此分离一定距离。这将在随后详细描述。
在沉积源110中，可以包括沉积材料115并且沉积材料115可被加热。沉积源110可设置在室101内，面对基板2。当沉积源110内包括的沉积材料115被汽化时，沉积材料115可沉积在基板2上。
例如，沉积源110可包括容纳沉积材料115的坩埚111以及加热器112，其中该加热器112加热坩埚111以朝向坩埚111的一侧，例如朝向沉积源喷嘴单元120，使容纳在坩埚111中的沉积材料115汽化。
沉积源喷嘴单元120可覆盖坩埚111的开口端，面对基板2。在第五沉积组件100-5中，沉积源喷嘴单元120可不同地布置为形成公共层和图案层。
图案化缝隙片130可设置在沉积源110和基板2之间。图案化缝隙片130可包括图案片131和框架132。图案片131可具有与窗框类似的形状。在图案片131中，可在X轴方向上布置多个图案化缝隙133。现在将更详细地描述图案化缝隙片130。
在沉积源110中汽化的沉积材料115可通过沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片130朝向基板2移动，其中沉积材料115可沉积在基板2上。图案化缝隙片130可通过刻蚀法制造，该刻蚀方法可以是与在制造比较FMM(例如条纹FMM)的方法中使用的相同的方法。
图案化缝隙片130可设置在沉积源110之上，与沉积源110和与沉积源110联接的沉积喷嘴单元120相隔一段距离。
如上所述，第五沉积组件100-5可在相对于基板2移动时执行沉积。为了使第五沉积组件100-5相对于基板2移动，图案化缝隙片130可与基板2隔开一定距离。
例如，在使用FMM的比较沉积方法中，为了避免在基板上形成阴影区，可用与基板紧密接触的FMM执行沉积。然而，当FMM与基板紧密接触使用时，该接触可产生缺陷。在比较沉积方法中，因为掩模不可以相对于基板移动，所以掩模的尺寸可能必须与基板的尺寸相同，并且当有机发光显示装置变大时掩模的尺寸可能必须增大。然而，制造这样的大掩模可能并不容易。
在根据当前实施方式的第五沉积组件100-5中，图案化缝隙片130可设置为与其上可沉积沉积材料115的基板2隔开一定距离。
如上所述，根据实施方式，可在图案化缝隙片130相对于基板2移动时执行沉积，并且可以容易地制造图案化缝隙片130。可以防止由于例如基板2和图案化缝隙片130之间的接触产生的缺陷。通过消除用于使基板2与图案化缝隙片130接触的处理步骤，可以减少制造时间。
现在将详细描述上壳体104中的每个部件的布置。
首先，可在上壳体104底部的开口中设置沉积源110和沉积源喷嘴单元120。上壳体104可具有限定开口的容纳部104-1。第一阶150、第二阶160以及图案化缝隙片130可按这个顺序顺序地形成在容纳部104-1上。
第一阶150可配置为在X轴方向和Y轴方向上是可移动的，并且第一阶150可将图案化缝隙片130对准在基板2上。第一阶150可包括多个致动器，并且第一阶150可在上壳体104内在X轴方向和Y轴方向上移动。
第二阶160可配置为在Z轴方向上是可移动的，并且第二阶160可在Z轴方向上调节图案化缝隙片130与基板2之间的距离。第二阶160可包括多个致动器，并且第二阶160可在上壳体104内在Z轴方向上移动。
图案化缝隙片130可设置在第二阶160上。图案化缝隙片130可设置在第一阶150与第二阶160上以便在X轴、Y轴与Z轴方向上移动，并且通过使用第一阶150与第二阶160，图案化缝隙片130可与基板2对准。
上壳体104、第一阶150和第二阶160可引导沉积材料115的流径，并且通过沉积源喷嘴121排出的沉积材料115可以不散布到流径之外。可通过上壳体104、第一阶150和第二阶160限定沉积材料115的流径，并且可以同时引导沉积材料115在X轴方向和Y轴方向上的移动。
多个源遮板140可设置在图案化缝隙片130和沉积源110之间。多个源遮板140可遮蔽从沉积源110发射出的沉积材料115。
沉积单元100还可包括用于防止沉积材料115沉积在基板2的非成膜区域上的遮蔽构件。遮蔽构件可配置为遮蔽基板2的边缘并且与基板2一起移动，基板2的非成膜区域可由遮蔽构件遮蔽，并且可以在不使用分离结构的情况下，有效防止沉积材料115沉积在基板2的非成膜区域上。遮蔽构件可围绕图案化缝隙片130设置以防止沉积材料115沉积在基板2的非成膜区域上或者沉积在基板2的、除由图案化缝隙片130叠盖的区域以外的区域上。
沉积单元100还可包括用于分别移动多个源遮板140的多个源遮板驱动单元。多个源遮板驱动单元中的每个可包括通用电机和齿轮组件，或者可包括例如可在一个方向上线性移动的柱状体。源遮板驱动单元的结构不限于此，并且每个源遮板驱动单元可包括线性移动每个源遮板140的所有设备。
传送器单元400可传送可在其上沉积沉积材料115的基板2。现在将更详细地描述传送器单元400。参照图2和图3，传送器单元400可包括第一传送器单元410、第二传送器单元420以及移动单元430。
第一传送器单元410可以直线方式传送移动单元430和附着于移动单元430上的基板2，并且可通过第五沉积组件100-5在基板2上形成有机层。移动单元430可包括载体431和附接于其上的静电卡盘432。
当在沉积单元100中完成沉积后，第二传送器单元420可使其上没有基板2的移动单元430从卸载单元300回到加载单元200。第二传送器单元420可包括线圈421、滚轮导轨422以及装料轨道423。
第一传送器单元410和第二传送器单元420移动移动单元430的载体431，并且移动单元430的静电卡盘432可结合在载体431的表面上。静电卡盘432可保持基板2。
现在将更详细地描述传送器单元400的每个部件。
首先将详细描述移动单元430的载体431。
载体431可包括主体部分431a、线性电机系统(LMS)磁铁431b、无触点电源(CPS)模块431c、电源单元431d以及导槽。
主体部分431a可构成载体431的基座部分。主体部分431a可包括诸如铁的磁性材料。由于例如载体431的主体部分431a与在第一传送器单元410中包括的磁性悬挂轴承之间的斥力，载体431可保持与第一传送器单元410的引导构件412间隔一定距离。
导槽可形成在主体部分431a的两侧。每个导槽可容纳导引构件412的引导突起。
LMS磁铁431b可在主体部分431a可能行进的方向上沿主体部分431a的中心线延伸。LMS磁铁431b可与随后描述的线圈411结合以形成线性电机。线性电机可在箭头A的方向上传送载体431。
LMS磁铁431b可在主体部分431a中设置在CPS模块431c与电源单元431d之间。电源单元431d可以是可向静电卡盘432提供电力的可充电电池，其中静电卡盘432可以卡住并保持基板2。CPS模块431c可以是可为电源单元431d充电的无线充电模块。随后描述的第二传送器单元420的装料轨道423可连接至倒换器，该倒换器可将载体431转移到第二传送器单元420中。在装料轨道423与CPS模块431c之间可形成磁场，以向CPS模块431c供应电力。供应至CPS模块431c的电力可用来为电源单元431d充电。
静电卡盘432可包括嵌入其由陶瓷形成的主体中的电极。电极可供应有电力。这种静电卡盘可使用从施加到电极上的高电压产生的静电力将基板2固定在静电卡盘432的主体表面上。
接下来，现在将详细描述移动单元430的操作。
LMS磁铁431b和线圈411可形成操作单元。该操作单元可以是线性电机。与比较性导轨系统相比，线性电机可具有相对较小的摩擦系数、较少的位置误差以及相对高程度的位置测定。如上所述，线性电机可包括线圈411和LMS磁铁431b。LMS磁铁431b可以是线状的并可设置在载体431上，并且可在LMS磁铁431b上方以预定间隔设置多个线圈411。因为LMS磁铁431b而不是线圈411可设置在载体431上，因此可以在没有使用电力的情况下移动载体431。线圈411可在大气压(ATM)箱中形成，并且可暴露给空气，并且其中可设置LMS磁铁431b的载体431能在可维持真空的室101中运行。
有机层沉积装置1的第五沉积组件100-5还可包括用于对准过程的照相机170。通过使用照相机170，第五沉积组件100-5可将图案化缝隙片130上形成的标志与基板2上形成的标志实时地对准。照相机170可安装为使得在扫描沉积过程期间其到框架132或基板2的光程可以不被阻挡。在常压状态下，照相机170可以安装在相机容纳单元171中。
图4示出了图1中所示的有机沉积装置1的沉积源和图案化缝隙片的布置的实施方式的概念性视图。图5示出了图1的有机层沉积装置1的变型的一部分的立体图。
参照图4和图5，遮蔽构件可包括第二遮蔽构件136b。第二遮蔽构件136b可包括第一子遮蔽构件。第一子遮蔽构件可安装为垂直于室的下表面，并且可平行于基板2的行进方向。
根据实施方式，第二遮蔽构件136b可包括第一子遮蔽构件和第二子遮蔽构件136b-2。第一子遮蔽构件可以与上文所述相同的方式安装或设置。第二子遮蔽构件136b-2可设置为垂直于室101的下表面。第二子遮蔽构件136b-2可设置在垂直于基板2的行进方向的方向上。例如，第二子遮蔽构件136b-2可布置为在基板2的转移方向上分割多个图案片131。为了便于描述，现在将详细描述第二遮蔽构件136b仅包括第二子遮蔽构件136b-2的实施方式。
如图5所示，每个图案化缝隙片130可包括图案片131和框架132。可包括多个图案片131并且多个图案片131可彼此间隔开。
沉积材料可穿过多个图案片131中的每个并且可以在基板2的多个不同区域上沉积。基板2的多个不同区域中的两个可以彼此平行。例如，基板2的多个不同区域中的两个可平行于基板2的行进方向(或第一方向，即Y轴方向)。
多个图案片131可布置为具有各种配置。例如，多个图案片131可布置在不同的平面上。根据实施方式，多个图案片131可布置在同一平面上。多个图案片131可平行布置。多个图案片131可以不设置在相同的直线上。多个图案片131可布置在与基板2的转移方向(或有机层沉积的行进方向，即方向A)形成某一角度的斜线方向上。多个图案片131之中的相邻图案片131可关于平行于基板2的转移方向的、穿过图案片131之间的直线成之字形。每个图案片131关于平行于基板2的转移方向的、穿过图案片131之间的直线可以是偏心的。例如，多个图案片131可关于平行于基板2的转移方向的直线成之字形。为便于描述，现在将详细描述在同一平面上布置多个图案片的实施方式。
每个图案片131可包括沉积材料可穿过其中的图案化缝隙133。每个图案片131可包括多个图案化缝隙133，并且多个图案化缝隙133可在图案片131的长度方向上彼此间隔开。
图案片131的数量可以为至少两个。为了便于描述，现在将详细描述每个图案化缝隙片130包括两个图案片131的实施方式。
图案片131可包括彼此间隔开的第一图案片131a和第二图案片131b。第一图案片131a和第二图案片131b可设置在同一平面上，并且第一图案片131a的纵向可平行于第二图案片131b的纵向。
第一图案片131a和第二图案片131b可具有相同的尺寸或者可具有不同的尺寸。为了便于描述，现在将详细描述第一图案片131a和第二图案片131b具有相同尺寸的实施方式。
第一图案片131a和第二图案片131b可以是不对齐的。例如，第一图案片131a和第二图案片131b可布置在平行于基板2的移动方向的直线的相对两侧。
第一图案片131a和第二图案片131b可设置在基板2的不同区域上。当基板2的不同区域同时经历沉积过程时，可以使用第一图案片131a和第二图案片131b。
第一图案片131a和第二图案片131b可设置为与基板2的转移方向形成一定角度。第一图案片131a和第二图案片131b可设置为垂直于基板2的转移方向。
第一图案片131a和第二图案片131b可形成在框架132中。框架132可包括开口以使得在其中分别形成第一图案片131a和第二图案片131b。
框架132可形成为大于第一图案片131a和第二图案片131b。例如，框架132的短(Y轴方向)边或长(X轴方向)边可以比第一图案片131a和第二图案片131b长。
框架132可包括与第一图案片131a在同一条线上形成的第一遮蔽单元132-1和与第二图案片131b在同一条线上形成的第二遮蔽单元132-2。第一遮蔽单元132-1和第二遮蔽单元132-2可与第一图案片131a和第二图案片131b相邻。
第一遮蔽单元132-1可遮蔽可在第一图案片131a的纵向上移动的沉积材料。第二遮蔽单元132-2可遮蔽可在第二图案片131b的纵向上移动的沉积材料。
第一遮蔽单元132-1和第二遮蔽单元132-2可形成为盘。可在第一遮蔽单元132-1和第二遮蔽单元132-2中的每个的、面对沉积源110的表面上形成突起的点阵，且可以防止沉积材料的沉积。
可以布置至少一个沉积源110。该至少一个沉积源110可设置在多个图案片131之中的相邻图案片131之间。
在根据上述实施方式的有机层沉积装置中，沉积组件的沉积源喷嘴单元120可包括在第二方向(例如X轴方向)上布置的多个沉积源喷嘴121，其中第二方向(例如X轴方向)垂直于第一方向(Y轴方向)并平行于固定到移动单元430的基板2可以被设置的方向。在根据实施方式的有机层沉积装置中，沉积源喷嘴单元120的多个沉积源喷嘴121可布置在第一方向(Y轴方向)上。
在有机发光显示装置的制造中，当形成包括发射层的中间层时，可能需要在显示区域的整个部分的上方形成单个公共层，或者可能需要仅在显示区域的预设部分的上方形成图案层。
当形成公共层时，如上所述，沉积组件的沉积源喷嘴单元120可包括在第二方向(例如X轴方向)上布置的多个沉积源喷嘴121，并且公共层的厚度均匀性可以改善，其中第二方向(例如X轴方向)垂直于第一方向(Y轴方向)并且平行于固定到移动单元430的基板2可以被设置的方向。当形成图案层时，沉积组件的沉积源喷嘴单元120可包括在第一方向(Y轴方向)上布置的多个沉积源喷嘴121，并且在垂直于第一方向(Y轴方向)的平面(ZX平面)上，一个沉积源喷嘴121可位于第二方向(例如X轴方向)上，其中第二方向(例如X轴方向)垂直于第一方向(Y轴方向)并且平行于固定到移动单元430的基板2可以被设置的方向。相应地，当形成图案层时，可以显著减少阴影的产生。为了便于描述，现在将详细描述在第二方向上布置多个沉积源喷嘴121的实施方式。
尽管在图5中示出了一个沉积源和一个沉积源喷嘴单元，但是可在第一方向(Y轴方向)上顺序布置第一沉积源和第二沉积源，可在第二方向(X轴方向)上布置第一沉积源上的第一沉积源喷嘴单元的多个沉积源喷嘴，并且也可在第二方向上(X轴方向)上布置第二沉积源上的第二沉积源喷嘴单元的多个沉积源喷嘴。
上文所述的图案化缝隙片130可具有图5所示的形状。如图5所示，图案化缝隙片130可包括在其中可形成多个开口的框架132以及通过例如焊接联接至框架132的图案片131。图案片131可包括例如在X轴方向上布置的多个图案化缝隙133。位于沉积源110的坩埚内的沉积材料可以通过加热器汽化，经由沉积源喷嘴单元120的沉积源喷嘴121发射，并且经由图案化缝隙片130的图案化缝隙133落于基板2上。沉积源110和沉积源喷嘴单元120中的至少一个可以通过使用连接构件137连接至图案化缝隙片130。连接构件137可引导自沉积源110发射出的沉积材料的移动路径。例如，连接构件137可以能够完全密封沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片130之间的空间。
为了便于描述，现在将详细描述有机层沉积装置1包括不包含连接构件137的沉积组件的实施方式。
现在将参照图1至图5描述经由有机层沉积装置1形成有机层的方法。
在加载单元200将基板2固定至移动单元430之后，移动单元430可以经由第一翻转室218安装在第一传送器单元410上。第一传送器单元410可进入室101并顺序穿过第一沉积组件100-1到第十一沉积组件100-11，并且可以形成分别与第一沉积组件100-1到第十一沉积组件100-11对应的有机层。形成的有机层可以不同。每个有机层可包括有机发射层并还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)。HIL、HTL、ETL以及EIL可以形成公共层，并且有机发射层可以形成图案层。有机发射层可根据将要实现的颜色而变化。
当有机层的形成完成时，基板2可在卸载单元300内与移动单元430分离并且弹射到外面。在这之后，可以在有机层上形成相对电极，并随后用薄膜封装层或封装基板密封有机层，并且可以完全制成有机发光显示装置。
在形成这样的图案层的方法中，基板2在随着第一传送器单元410移动而线性移动时，进入到第五沉积组件100-5中。
当沉积源110汽化或升华并然后发射沉积材料时，穿过第一图案片131a和第二图案片131b的沉积材料可以沉积在基板2上。沉积材料可以沉积在基板2的不同区域上。例如，穿过第一图案片131a的沉积材料可以沉积在基板2的第一区域S1上。穿过第二图案片131b的沉积材料可以沉积在基板2的第二区域S2上。第一区域S1和第二区域S2彼此可以不重叠，并且第一区域S1和第二区域S2可以在有机层沉积的行进方向(或基板2的行进方向，即方向A)上对准。
第一区域S1和第二区域S2之间的边界可包括在单元格C中。单元格C可形成为在第一区域S1和第二区域S2上方延伸。根据实施方式，第一区域S1和第二区域S2中的每个可包括单个单元格C。为了便于解释，现在将详细描述在第一区域S1和第二区域S2中的每个内设置单个单元格C的实施方式。
当沉积材料穿过第一图案片131a之后沉积在第一区域S1上时，设置在第二区域S2上的与第一图案片131a相邻的第一遮蔽单元132-1可防止沉积材料沉积在第二区域S2上。当沉积材料穿过第二图案片131b之后沉积在第二区域S2上时，与第一遮蔽单元132-1类似，第二遮蔽单元132-2可防止沉积材料沉积在第一区域S1上。
当基板2被转移时，该有机层沉积可以持续进行。第二子遮蔽构件136b-2可安装在相邻的沉积组件之间以防止在不同沉积组件中使用的沉积材料混合。第二子遮蔽构件136b-2可将室101分割成多个空间，以使得一个沉积组件可在一个空间内执行沉积。第一图案片131a和第二图案片131b可设置在通过两个第二子遮蔽构件136b-2限定的单个空间内。根据实施方式，可以设置连接到彼此的多个独立的室101代替第二子遮蔽构件136b-2，并且可以在一个室101内设置一个第五沉积组件100-5，并且可以根据与上文所述相同的方法形成有机层。为了便于描述，现在将详细描述通过使用第二子遮蔽构件136b-2将一个室101分割成多个空间的实施方式。
第二子遮蔽构件136b-2的外表面可具有点阵形状以防止沉积材料沉积在第二子遮蔽构件136b-2的外表面上。第二子遮蔽构件136b-2可固定到例如室101的内表面上。
基板2可具有各种尺寸中的任意尺寸。为了提高生产率，基板2可设计为在其上形成各种形状的单元格C。例如，为了提高生产率，基板2可以需要是较大的。为了形成较大的基板2，诸如上述FMM的图案片可能需要被制造为具有与基板2的尺寸几乎相同的尺寸。然而，由于例如图案片的载荷的影响，图案片可能变形或凹陷，并且可经由图案片形成的有机层的位置可能不精确，从而可增加产品误差率。
实施方式可使用多个图案片131，并且可以令每个图案片131的变形或凹陷最小化。在实施方式中，即使当基板2的尺寸增加时，仍可在基板2的整个区域上执行沉积，从而可以提高生产率。由于例如使每个图案片131的变形或凹陷最小化，因此可以形成精确的有机层。
图6示出了通过图1的有机层沉积装置1制造的有机发光显示装置10的一部分的剖视图。
参照图6，有机发光显示装置10可包括第一基板11和发光单元。有机发光显示装置10还可包括在发光单元的上表面上形成的薄膜封装层E或第二基板。第一基板11可由与用来形成基板2的材料相同的材料形成。例如，第一基板11可通过在有机发光显示装置10形成之后将基板2切割成多个基板而获得。第二基板可以与在一般的有机发光显示装置中使用的第二基板相同或相似，并且在本文中将省略其详细描述。为了便于描述，现在将详细描述有机发光显示装置10包括薄膜封装层E的实施方式。
可在第一基板11上形成发光单元。发光单元可包括薄膜晶体管TFT、覆盖薄膜晶体管TFT的钝化层70、以及在钝化层70上形成的有机发光二极管(OLED)80。
第一基板11可由例如玻璃材料形成。第一基板11可由塑料材料或金属材料形成，诸如不锈钢(SUS)或钛(Ti)。在实施方式中，第一基板11可使用聚酰亚胺(PI)。为了便于描述，现在将详细描述第一基板11由玻璃材料形成的实施方式。
在第一基板11的上表面上还形成了由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层20。缓冲层20可由硅氧化物(SiOx)(x≥1)或硅氮化物(SiNx)(x≥1)形成。
可在缓冲层20上形成以预定图案布置的有源层30并且可以随后由栅绝缘层40遮盖。有源层30可包括源区31和漏区33并且在它们之间还可包括沟道区32。
有源层30可形成为包括各种材料。例如，有源层30可包括诸如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。如另一个示例，有源层30可包括氧化物半导体。如另一个示例，有源层30可包括有机半导体材料。为了便于描述，现在将详细描述有源层30由非晶硅形成的实施方式。
通过在缓冲层20上形成非晶硅层、使非晶硅层结晶以形成多晶硅层并将多晶硅层图案化，可以形成有源层30。可根据TFT类型(诸如例如驱动TFT或开关TFT)用杂质对有源层30的源区31和漏区33进行掺杂。
可以在栅绝缘层40的上表面上形成面对有源层30的栅电极50和遮盖栅电极50的中间层绝缘层60。
可在中间层绝缘层60和栅绝缘层40中形成接触孔H1，并然后可在中间层绝缘层60上形成源电极71和和漏电极72，以使得源电极71和漏电极72分别接触源区31和漏区33。
可在如上所述形成的薄膜晶体管TFT上形成钝化层70，并且可在钝化层70上形成OLED 80的像素电极81。像素电极81可通过在钝化层70中形成的通孔H2接触薄膜晶体管TFT的漏电极72。钝化层70可由无机材料和/或有机材料形成，并且可形成为单层或多层。钝化层70可形成为平坦化层，以使得其上表面是平坦的，而与钝化层70下面的下层的不均匀性无关。在实施方式中，根据下层的不均匀性，钝化层70可形成为不均匀的。钝化层70可由透明绝缘体形成，并且可以实现共振效应。
在于钝化层70上形成像素电极81之后，可由有机材料和/或无机材料形成像素限定层90，以使得像素限定层90覆盖像素电极81和钝化层70。像素限定层90可具有孔，其中经由该孔像素电极81可以被暴露。
可至少在像素电极81上形成中间层82和相对电极83。
像素电极81可用作阳极，并且相对电极83可用作阴极。在实施方式中，像素电极81可用作阴极，并且相对电极83可用作阳极。
通过中间层82，像素电极81和相对电极83可与彼此隔离，并且可以分别向中间层82施加相反极性的电压，以在有机发射层中引起光发射。
中间层82可包括有机发射层。例如，中间层82可包括有机发射层。中间层82还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)中的至少一个。本实施方式不限于此，并且除有机发射层之外，中间层82还可包括各种其他的功能层。
一个单位像素可包括多个子像素，并且多个子像素可发射各种颜色的光。例如，单位像素可包括分别发射红光、绿光以及蓝光的多个子像素，或者分别发射红光、绿光、蓝光以及白光的多个子像素。
薄膜封装层E可包括多个无机层或包括无机层和有机层。
薄膜封装层E的有机层可由聚合物形成并且可以是由聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、PI、聚碳酸酯(PC)、环氧树脂、聚乙烯、或聚丙烯酸酯形成的单个层或层堆叠。可由聚丙烯酸酯形成有机层。有机层可包括将包括基于二丙烯酸酯的单体和基于三丙烯酸酯的单体的单体组合物聚合所得的产物。单体组合物还可包括基于单丙烯酸酯的单体。单体组合物还可包括公知的光引发剂诸如例如三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦(TPO)。
薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单个层或层堆叠。无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2或TiO2。
在薄膜封装层E中暴露于外界的最上层可由无机层形成以防止水分渗入OLED 80。
薄膜封装层E可包括在至少两个无机层之间插入至少一个有机层的至少一个夹层结构。在实施方式中，薄膜封装层E可包括在至少两个有机层之间插入至少一个无机层的至少一个夹层结构。在实施方式中，薄膜封装层E可包括在至少两个无机层之间插入至少一个有机层的夹层结构和在至少两个有机层之间插入至少一个无机层的夹层结构。
薄膜封装层E可包括从OLED 80的上部开始顺序形成的第一无机层、第一有机层和第二无机层。
在实施方式中，薄膜封装层E可包括从OLED 80的上部开始顺序形成的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、以及第三无机层。
在实施方式中，薄膜封装层E可包括从OLED 80的上部开始顺序形成的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层、以及第四无机层。
在OLED 80与第一无机层之间还可包括含氟化锂(LiF)的卤化金属层。当通过溅射形成第一无机层时，卤化金属层可防止OLED 80受到破坏。
第一有机层可具有比第二无机层更小的面积，并且第二有机层也可具有比第三无机层更小的面积。
在如上所述的有机发光显示装置10中，中间层82(可以是有机层)可以使用以上参照图1至图5描述的有机层沉积装置1来制造。
有机发光显示装置10可包括呈精确图案的中间层82。有机发光显示装置10可提供高发光性能，并且可具有最小数量的缺陷像素。
图7示出了根据实施方式的有机层沉积装置的沉积源和图案化缝隙片的布置的概念性视图。图8示出了图7中所示的有机层沉积装置的沉积组件的变型的一部分的示意性立体图。
参照图7和图8，有机层沉积装置可与图1的有机层沉积装置1类似。现在将详细专注于该有机层沉积装置中与图1的有机层沉积装置1的部件不同的部件。
有机层沉积装置的第五沉积组件1100-5可包括沉积源1110和图案化缝隙片。沉积源1110可以与上述沉积源110相同或相似，并且在本文中省略其详细描述。
图案化缝隙片可包括彼此间隔开的第一图案化缝隙片1130a和第二图案化缝隙片1130b。第一图案化缝隙片1130a可包括第一图案片1131a和第一框架1132a，并且第二图案化缝隙片1130b可包括第二图案片1131b和第二框架1132b。第一框架1132a和第二框架1132b可形成为分别大于第一图案片1131a和第二图案片1131b。第一框架1132a可包括在其中设置第一图案片1131a的部分，以及形成为与第一图案片1131a和第二图案片1131b相邻的第一遮蔽单元。第二框架1132b可包括在其中设置第二图案片1131b的部分，以及形成为与第二图案片1131b和第一图案片1131a相邻的第二遮蔽单元。根据实施方式，第一框架1132a和第二框架1132b可以没有分别包括第一遮蔽单元和第二遮蔽单元，并且第一图案片1131a和第二图案片1131b可分别固定至室。为了便于描述，现在将详细描述第一框架1132a和第二框架1132b没有分别包括第一遮蔽单元和第二遮蔽单元的实施方式。
第一框架1132a和第二框架1132b可彼此连接并且可与彼此整体地形成。根据实施方式，第一框架1132a和第二框架1132b可形成为彼此间隔开。为了便于描述，现在将详细描述第一框架1132a和第二框架1132b形成为彼此分离并且彼此不同的实施方式。
第一框架1132a和第二框架1132b可设置在同一平面上。根据实施方式，第一框架1132a和第二框架1132b可设置在不同的平面上。例如，第一框架1132a和第二框架1132b可以设置为在垂直方向上，其中一个位于另一个上。为了便于描述，现在将详细描述第一框架1132a和第二框架1132b布置在同一平面的实施方式。
第一框架1132a和第二框架1132b可关于基板2可被转移的方向成之字形。第一框架1132a和第二框架1132b可关于基板2可被转移的方向倾斜设置。第一框架1132a和第二框架1132b可设置为彼此部分重叠。如在图7的Y轴方向上观察，第一框架1132a和第二框架1132b可以看起来彼此至少部分重叠。
当第一框架1132a和第二框架1132b如上所述彼此部分重叠时，第一图案片1131a和第二图案片1131b可设置为使得第一图案片1131a的一端可连接至第二图案片1131b的一端，并且第一图案片1131a和第二图案片1131b可用作单个图案片。第一图案片1131a的一端可以不与第二图案片1131b的一端间隔开，并且在第一图案片1131a中形成的图案化缝隙可与第二图案片1131b中形成的图案化缝隙维持恒定距离。当第一图案片1131a和第二图案片1131b在单个单元格C内形成沉积材料的图案时，沉积材料可以沉积在基板2上以具有均匀的图案。
第一图案片1131a和第二图案片1131b之间的边界可与基板2上的单元格C之间的边界对齐。根据实施方式，第一图案片1131a和第二图案片1131b之间的边界可设置在基板2上的单元格C内。为了便于解释，现在将详细描述第一图案片1131a与第二图案片1131b之间的边界与基板2上的单元格C之间的边界对齐的实施方式。
对室的内侧空间进行分割的遮蔽构件可包括第一遮蔽构件1136a和第二遮蔽构件1136b。第一遮蔽构件1136a可包括第一上遮蔽构件1136a-1和第二上遮蔽构件1136a-2。
第一上遮蔽构件1136a-1可设置为与第一图案片1131a和第二图案片1131b相邻。第一上遮蔽构件1136a-1可设置为在第一图案片1131a的纵向上与第一图案片1131a并排。第一上遮蔽构件1136a-1可位于与图5的第一遮蔽单元132-1的位置相同或相似的位置，并且可执行与图5的第一遮蔽单元132-1的作用相同或相似的作用。
第二上遮蔽构件1136a-2可设置为与第二图案片1131b和第一图案片1131a相邻。第二上遮蔽构件1136a-2可设置为在第二图案片1131b的纵向上与第二图案片1131b并排。第二上遮蔽构件1136a-2可位于与图5的第二遮蔽单元132-2的位置相同或相似的位置，并且可执行与图5的第二遮蔽单元132-2的作用相同或相似的作用。
第二遮蔽构件1136b可包括第一子遮蔽构件1136b-1和第二子遮蔽构件1136b-2。第一子遮蔽构件1136b-1和第二子遮蔽构件1136b-2可以与以上参照图4和图5描述的第一子遮蔽构件和第二子遮蔽构件相同或相似，并且将在这里省略其详细描述。
第二遮蔽构件1136b可分割室的内侧空间。第一子遮蔽构件1136b-1和第二子遮蔽构件1136b-2可以使得第一图案片1131a和第二图案片1131b能够设置在不同的空间中。第二子遮蔽构件1136b-2可形成不同的空间，并且每个沉积组件1100-n可设置在每个空间上。在实施方式中，替代形成第二子遮蔽构件1136b-2，可以形成多个室并且多个室可以彼此连接，以及可在多个室中的每个中设置有机层沉积装置的沉积单元。
根据有机层沉积装置的实施方式，如图8所示，有机层沉积装置可包括连接构件1137。连接构件1137可以与上文所述的连接构件137相同或相似，并且在本文中省略其详细描述。为了便于描述，现在将详细描述当没有包括连接构件1137时，通过使用有机层沉积装置形成有机层的方法。
在有机层沉积装置的操作中，当基板2被加载并且之后在沉积源1110上方移动时，由沉积源1110汽化或升华的沉积材料可以沉积在基板2上。此时，沉积材料可以经由第一图案片1131a和第二图案片1131b同时沉积在基板2上的不同区域上。基板2的不同区域彼此可以不重叠。
当进行沉积过程时，第一遮蔽构件1136a和第二遮蔽构件1136b可防止自沉积源1110发射的沉积材料朝向第一图案片1131a和第二图案片1131b之外的空间移动。例如，第一遮蔽构件1136a可防止沉积材料沉积在基板2的、下方未布置第一图案片1131a和第二图案片1131b的区域上。
在有机层沉积装置和通过使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法中，使用了多个图案片1131，并且每个图案片1131的变形或凹陷可以最小化。在实施方式中，即使当基板2的尺寸增大时，仍可在基板2的整个区域上执行沉积，并且可以提高生产率。由于例如每个图案片1131的变形或凹陷的最小化，因此可形成精确的有机层。
图9示出了根据实施方式的有机层沉积装置的沉积源和图案化缝隙片的布置的概念性视图。图10示出了图9所示的有机层沉积装置的沉积组件的变型的一部分的示意性立体图。
参照图9和图10，该有机层沉积装置可与图1的有机层沉积装置1类似。现在将详细专注于该有机层沉积装置中与图1的有机层沉积装置1的部件不同的部件。
有机层沉积装置的第五沉积组件2100-5可包括沉积源2110和图案化缝隙片2130。
图案化缝隙片2130可包括图案片2131a和图案片2131b以及框架2132。图案片2131a和图案片2131b可包括第一图案片2131a和第二图案片2131b，其中沉积材料可穿过第一图案片2131a和第二图案片2131b通往基板2的不同区域。
第一图案片2131a和第二图案片2131b可形成在框架2132中。框架2132可包括第一遮蔽单元2132-1和第二遮蔽单元2132-2。第一遮蔽单元2132-1和第二遮蔽单元2132-2可以与以上参照图4和图5描述的第一遮蔽构件132-1和第二遮蔽构件132-2相同或相似，并且这里将省略其详细描述。
框架2132可固定第一图案片2131a和第二图案片2131b，并且图7和图8所示的第一遮蔽构件1136a可以设置在框架2132的、可以形成第一遮蔽单元2132-1和第二遮蔽单元2132-2的部分上。第一遮蔽构件1136a可与以上参照图7和图8描述的内容相同或相似，并且在本文中省略其详细描述。为了便于解释，现在将详细描述框架2132包括第一遮蔽单元2132-1和第二遮蔽单元2132-2的实施方式。
沉积源2110可包括第一沉积源2110a和第二沉积源2110b。第一沉积源2110a和第二沉积源2110b可与以上参照图1至图4描述的沉积源110相同或相似，并且在本文中省略其详细描述。
第一沉积源2110a和第二沉积源2110b可使相同的沉积材料汽化或升华。第一沉积源2110a和第二沉积源2110b可分别面对第一图案片2131a和第二图案片2131b。例如，第一沉积源2110a可设置在第一图案片2131a的下面，并且第二沉积源2110b可设置在第二图案片2131b的下面。第一沉积源2110a和第二沉积源2110b的位置不限于此，并且第一沉积源2110a和第二沉积源2110b可定位成使得通过第一沉积源2110a和第二沉积源2110b汽化或升华的沉积材料可穿过第一图案片2131a和第二图案片2131b并且可以沉积在基板2的不同区域上的全部位置处。为了便于解释，现在将详细描述第一沉积源2110a和第二沉积源2110b分别布置在第一图案片2131a的中心和第二图案片2131b的中心上方的实施方式。
第一沉积源2110a和第二沉积源2110b可以与第一图案片2131a和第二图案片2131b相似的方式设置。第一沉积源2110a和第二沉积源2110b可设置在单个空间内，或者可以在第一沉积源2110a和第二沉积源2110b之间提供遮蔽构件，并且第一沉积源2110a和第二沉积源2110b可以设置在不同的空间中。为了便于描述，现在将详细描述第一沉积源2110a和第二沉积源2110b设置在相同空间内的实施方式。
遮蔽构件可包括第二遮蔽构件2136b。第二遮蔽构件2136b可包括第二子遮蔽构件2136b-2。第二子遮蔽构件2136b-2可分割室的内侧空间，并且第五沉积组件2100-5可设置在与相邻于它的沉积组件不同的空间内。
根据实施方式，有机层沉积装置还可包括连接构件2137。连接构件2137可与以上参照图1至图5描述的连接构件137相同或相似，并且本文中省略其详细描述。
有机层沉积装置可在基板2上形成有机层。当基板2被转移时，第一沉积源2110a和第二沉积源2110b可发射沉积材料，并且经由第一图案片2131a和第二图案片2131b将沉积材料沉积在基板2上以具有图案。沉积材料可沉积在基板2上以具有条带型。
当沉积材料如上所述被沉积时，第一遮蔽单元2132-1、第二遮蔽单元2132-2以及第二子遮蔽构件2136b-2可阻止从第一沉积源2110a和第二沉积源2110b朝向基板2的、第一图案片2131a和第二图案片2131b设置的区域之外的区域发射沉积材料。通过使相邻的沉积组件彼此分离，第二子遮蔽构件2136b-2可防止沉积材料的混合。
在有机层沉积装置和通过使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法中，使用了多个图案片2131a和图案片2131b，并且可以使每个图案片2131a或图案片2131b的变形或凹陷最小化。在有机层沉积装置和通过使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法中，即使当基板2的尺寸增大时也可在基板2的整个区域上执行沉积，并且可以提高生产率。由于例如每个图案片2131a或图案片2131b的变形或凹陷的最小化，因此可形成精确的有机层。
图11示出了根据实施方式的有机层沉积装置的沉积源和图案化缝隙片的布置的概念性视图。图12示出了图11所示的有机层沉积装置的沉积组件的变型的一部分的示意性立体图。
参照图11，该有机层沉积装置可以与图1的有机层沉积装置1类似的方式来形成。现在将详细专注于该有机层沉积装置中与图1的有机层沉积装置1的部件不同的部件。
有机层沉积装置的第五沉积组件3100-5可包括沉积源3110和图案化缝隙片。
沉积源3110可包括第一沉积源3110a和第二沉积源3110b。第一沉积源3110a和第二沉积源3110b可以与以上参照图9和图10描述的第一沉积源2110a和第二沉积源2110b相同或相似，并且在本文中省略其详细描述。
图案化缝隙片可包括第一图案化缝隙片3130a和第二图案化缝隙片3130b。第一图案化缝隙片3130a可包括第一图案片3131a和第一框架3132a，并且第二图案化缝隙片3130b可包括第二图案片3131b和第二框架3132b。第一图案化缝隙片3130a和第二图案化缝隙片3130b可以与以上参照图7和图8描述的第一图案化缝隙片1130a和第二图案化缝隙片1130b相同或相似，并且在本文中可省略其详细描述。
遮蔽构件可包括第一遮蔽构件3136a和第二遮蔽构件3136b。第一遮蔽构件3136a可包括第一上遮蔽构件3136a-1和第二上遮蔽构件3136a-2。第一上遮蔽构件3136a-1和第二上遮蔽构件3136a-2可以与以上描述的第一上遮蔽构件和第二上遮蔽构件相同或相似，并且这里将省略其详细描述。
第二遮蔽构件3136b可包括第二子遮蔽构件3136b-2和第三子遮蔽构件3136b-3。第二子遮蔽构件3136b-2可以与以上描述的第二子遮蔽构件相同或相似，并且在本文中省略其详细描述。
第三子遮蔽构件3136b-3可设置为与第二子遮蔽构件3136b-2平行。第三子遮蔽构件3136b-3可将第一沉积源3110a与第二沉积源3110b分离并将第一图案化缝隙片3130a与第二图案化缝隙片3130b分离。例如，第三子遮蔽构件3136b-3可如第二子遮蔽构件3136b-2一样形成至少两个分离的空间，并且可在每个空间中设置一个沉积源和一个图案化缝隙片。在每个空间中，第一上遮蔽构件3136a-1和第二上遮蔽构件3136a-2可分别与第一图案化缝隙片3130a和第二图案化缝隙片3130b并排设置。
根据实施方式，如图12所示，有机层沉积装置还可包括连接构件3137。连接构件3137可包括将第一沉积源3110a连接至第一图案化缝隙片3130a的第一连接构件3137a和将第二沉积源3110b连接至第二图案化缝隙片3130b的第二连接构件3137b中的至少一个。
第一连接构件3137a和第二连接构件3137b可以与以上参照图1至图5描述的连接构件137相同或相似，并且在本文中省略其详细描述。例如，当提供连接构件3137时，可以包括或可以不包括第一遮蔽构件3136a。为便于描述，现在将详细描述不包括连接构件3137但包括第一遮蔽构件3136a的实施方式。
当在第一沉积源3110a和第二沉积源3110b上方移动基板2时，有机层沉积装置可沉积沉积材料。自第一沉积源3110a发射出的沉积材料可穿过第一图案片3131a并且可沉积在基板2的部分区域上。第三子遮蔽构件3136b-3和第二子遮蔽构件3136b-2可阻止自第一沉积源3110a发射出的沉积材料沉积在基板2的其他区域上。第三子遮蔽构件3136b-3和第二子遮蔽构件3136b-2可阻止自第二沉积源3110b发射出的沉积材料沉积在基板2的其他区域上。
在有机层沉积装置和通过使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法中，使用了多个图案片3131a和图案片3131b，并且可以使每个图案片3131a或图案片3131b的变形或凹陷最小化。在有机层沉积装置和通过使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法中，即使当基板2的尺寸增大时也可在基板2的整个区域上执行沉积，并且可以提高生产率。由于例如每个图案片3131a或图案片3131b的变形或凹陷的最小化，因此可形成精确的有机层。
图13示出了根据实施方式的有机层沉积装置的沉积源和图案化缝隙片的布置的概念性视图。图14示出图13中所示的有机层沉积装置的沉积组件的变型的一部分的示意性立体图。
参照图13和图14，该有机层沉积装置可以与图1的有机层沉积装置1类似。现在将详细专注于该有机层沉积装置中与图1的有机层沉积装置1的部件不同的部件。
有机层沉积装置可包括多个室4101。可在每个室4101上设置每个沉积组件，并且在多个室4101内设置的沉积组件可彼此分离。多个室4101可排成一行并且彼此连接。在多个室4101之间可形成开口，并且在开口上可安装打开或关闭开口的设备诸如闸门阀。传送器单元4430可经由开口穿过每个室4101。
有机层沉积装置的第五沉积组件4100-5可包括室4101、沉积源4110和图案化缝隙片。
室4101可包括彼此相邻设置并彼此连接的第一室4101a和第二室4101b。第一室4101a和第二室4101b可形成独立的空间。
沉积源4110可包括第一沉积源4110a和第二沉积源4110b。第一沉积源4110a和第二沉积源4110b可以与以上参照图1至图5描述的沉积源110相同或相似，并且在本文中省略其详细描述。
图案化缝隙片可包括第一图案化缝隙片4130a和第二图案化缝隙片4130b。第一图案化缝隙片4130a可包括第一图案片4131a和第一框架4132a，并且第二图案化缝隙片4130b可包括第二图案片4131b和第二框架4132b。根据实施方式，第一框架4132a和第二框架4132b可以与上参照图1至图5描述的方式相同或相似的方式包括第一遮蔽单元和第二遮蔽单元。第一图案化缝隙片4130a和第二图案化缝隙片4130b可以与以上参照图7和图8描述的第一图案化缝隙片1130a和第二图案化缝隙片1130b相同或相似，并且在本文中省略其详细描述。为了便于描述，现在将详细描述第一框架4132a和第二框架4132b没有分别包括第一遮蔽单元和第二遮蔽单元的实施方式。
第一沉积源4110a和第二沉积源4110b可分别设置在第一室4101a和第二室4101b内。第一图案化缝隙片4130a和第二图案化缝隙片4130b可分别设置在第一室4101a和第二室4101b内。
遮蔽构件可包括第一遮蔽构件4136a。第一遮蔽构件4136a可包括第一上遮蔽构件4136a-1和第二上遮蔽构件4136a-2。第一上遮蔽构件4136a-1可在第一图案片4131a的纵向上与第一图案片4131a并排设置，并且第二上遮蔽构件4136a-2可在第二图案片4131b的纵向上与第二图案片4131b并排设置。
除第一遮蔽构件4136a之外，遮蔽构件还可包括第二遮蔽构件。例如，第二遮蔽构件可包括第二子遮蔽构件和第三子遮蔽构件，并且第二子遮蔽构件和第三子遮蔽构件可分别提供在第一室4101a和第二室4101b的内表面上。为便于描述，现在将详细描述遮蔽构件不包括第二遮蔽构件的实施方式。
有机层沉积装置可在基板2上顺序形成不同的有机层。每个沉积组件可形成一个有机层。为了便于解释，现在将详细描述形成图案层的第五沉积组件400-5形成有机层的实施方式。
当基板2被传送到第一室4101a中时，沉积材料可以通过第一沉积源4110a汽化或升华，并且经由第一图案片4131a沉积在基板2上。当基板2稍微行进时，沉积材料可以通过第二沉积源4110b汽化或升华，并且经由第二图案片4131b沉积在基板2上。可以打开第一室4101a与第二室4101b之间的开口，并且第一室4101a和第二室4101b可以与彼此连通。
第一室4101a和第二室4101b可阻止从第一沉积源4110a和第二沉积源4110b发射出的沉积材料泄漏到外面。第一上遮蔽构件4136a-1可阻止从第一沉积源4110a发射出的沉积材料沉积在基板2的、第一图案片4131a上方的区域上，并且第二上遮蔽构件4136a-2可阻止从第二沉积源4110b发射出的沉积材料沉积在基板2的、第二图案片4131b上方的区域上。
在有机层沉积装置和通过使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法中，使用了多个图案片4131a和图案片4131b，并且可以使每个图案片4131a或图案片4131b的变形或凹陷最小化。在有机层沉积装置和通过使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法中，即使当基板2的尺寸增大时也可在基板2的整个区域上执行沉积，并且可以提高生产率。由于例如每个图案片4131a或图案片4131b的变形或凹陷的最小化，可以形成精确的有机层。
通过总结和回顾，有机发光显示装置可包括在彼此面对的第一电极和第二电极之间设置的中间层(包括发射层)。第一电极和第二电极以及中间层可以使用各种方法形成，这些方法中的一种是独立沉积方法。当使用该沉积方法制造有机发光显示装置时，具有与例如待形成的中间层的图案相同/相似图案的FMM可设置为与其上可形成例如中间层的基板紧密接触，并且(例如中间层的)材料可以沉积在FMM之上，并且例如可以形成具有期望图案的中间层。
然而，这样的使用FMM的沉积方法可能不适用于制造使用较大母体玻璃的较大的有机发光显示装置。当使用较大的掩模时，该掩膜例如由于其自身的重量而可能弯曲并且可能获得变形的图案。然而，这可能不益于向着高清晰度图案发展的最新趋势。
此外，将基板和FMM对准为彼此紧密接触、在其上执行沉积以及将FMM与基板分离的过程可能是费时的，并且可导致较长的制造时间和较低的生产效率。
根据实施方式的有机发光显示装置可以实现高密度的图像质量。有机层沉积装置和使用有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法可以提高生产效率。
已在本文中公开了示例性实施方式，并且尽管采用了特定术语，但是它们仅以一般和描述性含义使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些示例中，对于与提交本申请的人一样的本领域技术人员显而易见的是，除非另外明确指出，否则结合特定实施方式描述的特征、特性以及元件可以单独使用，或者与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件共同使用。相应地，本领域技术人员应理解，在没有背离所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (43)

1.一种有机层沉积装置，包括：
沉积单元，包括与基板间隔开的至少一个沉积组件，所述至少一个沉积组件将材料沉积在所述基板上，
所述至少一个沉积组件包括：
沉积源，排放沉积材料；
沉积源喷嘴单元，安装在所述沉积源上，所述沉积源喷嘴单元具有形成在其中的沉积源喷嘴；以及
多个图案片，面对所述沉积源喷嘴单元并且彼此间隔开，以使得所述沉积材料经由所述多个图案片沉积在所述基板的多个不同区域上。
2.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述基板的所述多个不同区域中的两个彼此平行。
3.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述多个图案片位于单个空间内。
4.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述沉积源位于来自所述多个图案片之中的相邻图案片之间。
5.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中：
所述至少一个沉积组件包括多个所述沉积源，以及
所述多个沉积源中的每个与所述多个图案片中的每个对应。
6.如权利要求5所述的有机层沉积装置，其中，所述多个沉积源分别位于不同的空间内。
7.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述至少一个沉积组件还包括框架，所述多个图案片安装于所述框架中。
8.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述至少一个沉积组件还包括多个框架，所述图案片中的每个分别安装在所述多个框架中的一个中。
9.如权利要求8所述的有机层沉积装置，其中，来自所述多个框架之中的相邻框架彼此至少部分重叠。
10.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述多个图案片布置在相同的平面上。
11.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，来自所述多个图案片之中的相邻图案片关于穿过所述相邻图案片之间并且平行于沉积行进方向的直线成之字形。
12.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述多个图案片中的每个关于穿过相邻图案片之间平行于沉积行进方向的直线是偏心的。
13.如权利要求1所述的有机层沉积装置，还包括与所述多个图案片中的每个相邻的第一遮蔽构件。
14.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述多个图案片布置在关于所述基板转移方向的斜线方向上。
15.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述至少一个沉积组件还包括第二遮蔽构件，所述第二遮蔽构件将所述多个图案片彼此分离。
16.如权利要求15所述的有机层沉积装置，其中，所述第二遮蔽构件位于来自所述多个图案片之中的相邻图案片之间。
17.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述至少一个沉积组件在所述基板上形成图案层。
18.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中：
所述沉积单元包括多个所述沉积组件，以及
所述多个沉积组件中的至少一些位于不同的空间内。
19.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中：
所述沉积单元包括多个所述沉积组件，以及
所述多个沉积组件形成不同的有机层。
20.如权利要求1所述的有机层沉积装置，还包括传送器单元，所述传送器单元包括循环移动移动单元的第一传送器单元和第二传送器单元，其中，所述第一传送器单元在第一方向上传送所述移动单元，其中所述基板已可拆卸地固定至所述移动单元，并且第二传送器单元在与所述第一方向相反的第二方向上传送与所述基板分离的所述移动单元。
21.如权利要求20所述的有机层沉积装置，其中，所述沉积单元还包括室，其中所述室包括位于其中的至少一个沉积组件并且所述移动单元穿过所述室。
22.如权利要求20所述的有机层沉积装置，还包括将所述基板与所述移动单元分离的卸载单元，
其中：
所述移动单元在所述第一传送器单元与所述第二传送器单元之间循环，以及
当所述基板通过所述第一传送器单元移动时，固定至所述移动单元的所述基板与所述至少一个沉积组件是间隔开的。
23.如权利要求22所述的有机层沉积装置，其中，所述第一传送器单元将所述移动单元顺序传送至加载单元、所述沉积单元、以及所述卸载单元。
24.如权利要求23所述的有机层沉积装置，其中，所述第二传送器单元将所述移动单元顺序传送至所述卸载单元、所述沉积单元、以及所述加载单元。
25.如权利要求20所述的有机层沉积装置，其中，所述第一传送器单元和所述第二传送器单元穿过所述沉积单元。
26.如权利要求20所述的有机层沉积装置，其中，在竖直方向上，所述第一传送器单元和所述第二传送器单元中的一个位于另一个上。
27.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，所述基板和所述至少一个沉积组件彼此分离并且相对于彼此移动。
28.如权利要求1所述的有机层沉积装置，其中：
所述沉积源喷嘴单元包括布置在第一方向上的多个沉积源喷嘴，以及
所述多个图案片中的每个包括在垂直于所述第一方向的第二方向上的多个图案化缝隙。
29.如权利要求28所述的有机层沉积装置，其中，所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元、以及所述多个图案片中的至少一个通过连接构件彼此连接，并且彼此整体形成。
30.如权利要求29所述的有机层沉积装置，其中，所述连接构件引导所述沉积材料的移动路径。
31.如权利要求30所述的有机层沉积装置，其中，所述连接构件将所述沉积源、所述沉积源喷嘴单元、以及所述多个图案片中的至少一个之间的空间与外面屏蔽。
32.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
至少一个薄膜晶体管，形成在所述基板上，所述至少一个薄膜晶体管包括半导体有源层、与所述半导体有源层隔离的栅电极、以及接触所述半导体有源层的源电极和漏电极；
多个像素电极，形成在所述至少一个薄膜晶体管上；
多个有机层，分别形成在所述多个像素电极上；以及
相对电极，形成在所述多个有机层上，
所述基板上的所述多个有机层中的至少一个使用如权利要求1所述的有机层沉积装置形成。
33.一种通过使用用于在基板上形成有机层的有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
将所述基板固定至移动单元，所述固定通过加载单元执行；
通过使用安装为穿过室的第一传送器单元将已固定于所述基板的所述移动单元传送到所述室中；
在所述基板与所述沉积组件分离的情况下，当所述基板相对于所述沉积组件移动时，通过将从所述室内的沉积组件排放出的沉积材料经由多个彼此隔开的图案片沉积在所述基板的不同区域上，形成所述有机层；
使沉积完成的基板与所述移动单元分离，所述分离通过卸载单元执行；以及
通过使用安装为穿过所述室的第二传送器单元使与所述基板分离的所述移动单元转移到所述加载单元。
34.如权利要求33所述的方法，其中，所述基板的不同区域中的两个彼此平行。
35.如权利要求34所述的方法，其中，所述有机层是图案层。
36.如权利要求34所述的方法，其中，多个所述图案片关于与所述沉积材料沉积的行进方向平行的直线成之字形。
37.如权利要求34所述的方法，其中：
所述沉积组件包括将所述沉积材料发射至外面的沉积源，以及
所述沉积源位于来自所述多个图案片之中的相邻图案片之间。
38.如权利要求34所述的方法，其中：
所述沉积组件包括将所述沉积材料发射至外面的多个沉积源，以及
所述多个沉积源中的每个与所述多个图案片中的每个对应。
39.如权利要求34所述的方法，其中，所述多个图案片布置在相同的平面上。
40.如权利要求34所述的方法，其中，通过与所述多个图案片中的每个相邻的第一遮蔽构件阻挡所述沉积材料中的一部分。
41.如权利要求34所述的方法，其中：
所述室包括多个所述沉积组件，以及
所述多个沉积组件中的至少一些位于不同的空间内。
42.如权利要求34所述的方法，其中：
所述室包括多个所述沉积组件，以及
所述多个沉积组件形成不同的有机层。
43.如权利要求34所述的方法，其中，所述有机层由通过第二遮蔽构件彼此隔开的多个所述图案片中的每个来形成。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108695361A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 天马日本株式会社 Oled显示装置的制造方法、掩模及掩模的设计方法
CN110783476A (zh) * 2018-07-27 2020-02-11 三星显示有限公司 显示装置和制造该显示装置的设备
CN110998869A (zh) * 2017-08-09 2020-04-10 株式会社钟化 光电转换元件的制造方法
TWI807173B (zh) * 2019-03-19 2023-07-01 義大利商應用材料義大利有限公司 沉積設備與在基板上沉積之方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016006406A1 (ja) * 2014-07-09 2016-01-14 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
WO2016006489A1 (ja) * 2014-07-09 2016-01-14 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
KR20200145902A (ko) * 2019-06-19 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20220078007A (ko) * 2020-12-02 2022-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1691356A (zh) * 2004-04-28 2005-11-02 三星Sdi株式会社 薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的有机电致发光显示器
US20120299016A1 (en) * 2011-05-25 2012-11-29 Myong-Hwan Choi Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display device using the organic layer deposition apparatus
CN103515543A (zh) * 2012-06-22 2014-01-15 三星显示有限公司 有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法
CN103545462A (zh) * 2012-07-10 2014-01-29 三星显示有限公司 有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法
CN103540896A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 三星显示有限公司 沉积设备、制造有机发光显示设备的方法及显示设备
CN103545460A (zh) * 2012-07-10 2014-01-29 三星显示有限公司 有机层沉积设备、有机发光显示设备及其制造方法
CN104428439A (zh) * 2012-07-09 2015-03-18 夏普株式会社 掩模单元和蒸镀装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7396558B2 (en) * 2001-01-31 2008-07-08 Toray Industries, Inc. Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic EL device using the same
JP3705237B2 (ja) 2001-09-05 2005-10-12 ソニー株式会社 有機電界発光素子を用いた表示装置の製造システムおよび製造方法
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
US20030232563A1 (en) 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
TWI252706B (en) * 2002-09-05 2006-04-01 Sanyo Electric Co Manufacturing method of organic electroluminescent display device
US7132016B2 (en) * 2002-09-26 2006-11-07 Advantech Global, Ltd System for and method of manufacturing a large-area backplane by use of a small-area shadow mask
JP5064810B2 (ja) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
TWI303499B (en) * 2006-05-30 2008-11-21 Au Optronics Corp Full-color organic electroluminescence panel and method of fabricating the same
JP2009170200A (ja) 2008-01-15 2009-07-30 Sony Corp 表示装置の製造方法
KR100964224B1 (ko) 2008-02-28 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 박막 형성 방법
US20100279021A1 (en) * 2009-05-04 2010-11-04 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Apparatus for depositing organic material and depositing method thereof
KR101074793B1 (ko) 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
TWI472639B (zh) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
CN102860132B (zh) * 2010-05-18 2015-06-17 夏普株式会社 有机el元件的制造方法和制造装置
JPWO2012124512A1 (ja) * 2011-03-11 2014-07-17 シャープ株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
KR101959975B1 (ko) * 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
TWI547578B (zh) * 2013-02-04 2016-09-01 夏普股份有限公司 蒸鍍裝置及蒸鍍方法
KR102216676B1 (ko) 2014-07-07 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1691356A (zh) * 2004-04-28 2005-11-02 三星Sdi株式会社 薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的有机电致发光显示器
US20120299016A1 (en) * 2011-05-25 2012-11-29 Myong-Hwan Choi Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display device using the organic layer deposition apparatus
CN103515543A (zh) * 2012-06-22 2014-01-15 三星显示有限公司 有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法
CN104428439A (zh) * 2012-07-09 2015-03-18 夏普株式会社 掩模单元和蒸镀装置
CN103545462A (zh) * 2012-07-10 2014-01-29 三星显示有限公司 有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法
CN103545460A (zh) * 2012-07-10 2014-01-29 三星显示有限公司 有机层沉积设备、有机发光显示设备及其制造方法
CN103540896A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 三星显示有限公司 沉积设备、制造有机发光显示设备的方法及显示设备

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108695361A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 天马日本株式会社 Oled显示装置的制造方法、掩模及掩模的设计方法
CN110998869A (zh) * 2017-08-09 2020-04-10 株式会社钟化 光电转换元件的制造方法
CN110783476A (zh) * 2018-07-27 2020-02-11 三星显示有限公司 显示装置和制造该显示装置的设备
TWI807173B (zh) * 2019-03-19 2023-07-01 義大利商應用材料義大利有限公司 沉積設備與在基板上沉積之方法

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KR102442609B1 (ko) 2022-09-14
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