TWI695876B - 液晶介質 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種包含式I化合物之液晶介質，
且關於其用於主動矩陣顯示器，尤其基於VA、PSA、PS-VA、PM-VA、SS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效應之主動矩陣顯示器的用途。
Description
本發明係關於一種包含式I化合物之液晶介質，
此類介質可尤其用於基於ECB效應之具有主動矩陣定址之電光顯示器及IPS(共平面切換型)顯示器或FFS(邊緣場切換型)顯示器。
電控雙折射(ECB)效應或此外配向相之變形(DAP)效應之原理首次描述於1971年(M.F.Schieckel及K.Fahrenschon,「Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields」,Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。隨後描述於J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)及G.Labrunie及J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)之論文中。
J.Robert及F.Clerc(SID 80 Digest Techn.Papers(1980),30)、J.Duchene(Displays 7(1986),3)及H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982),244)之論文展示液晶相必須具有彈性常數K3/K1之高比值、高光學各向異性Δn值及介電各向異性值Δε
-0.5以適用於基於ECB效應之高資訊顯示元件。基於ECB效應之電光顯示元件具有垂直邊緣配向(VA技術=豎直配向)。介電負性液晶介質亦可用於使用所謂IPS或FFS效應之顯示器。
除共平面轉換型(IPS)顯示器(例如：Yeo,S.D.,論文15.3：「An LC Display for the TV Application」,SID 2004 International
Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,第II冊,第758及759頁)及很早已知的扭轉向列型(TN)顯示器之外，使用ECB效應之顯示器，如所謂豎直配向向列型(VAN)顯示器，例如利用多域豎直配向(MVA，例如：Yoshide,H.等人,論文3.1：「MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,第I冊,第6至9頁,及Liu,C.T.等人,論文15.1：「A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,第II冊,第750至753頁)、圖案化豎直配向(PVA，例如：Kim,Sang Soo,文件15.4：「Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,第II冊,第760至763頁)、先進的超級視圖(ASV，例如：Shigeta,Mitzuhiro及Fukuoka,Hirofumi,文件15.2：「Development of High Quality LCDTV」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,第II冊,第754至757頁)模式之顯示器，本身已確立為當前最重要的三種較新型液晶顯示器(尤其用於電視應用)之一。該等技術在例如Souk,Jun,SID Seminar 2004,研討會M-6：「Recent Advances in LCD Technology」,Seminar Lecture Notes,M-6/1至M-6/26及Miller,Ian,SID Seminar 2004,研討會M-7：「LCD-Television」,Seminar Lecture Notes,M-7/1至M-7/32中以一般形式進行比較。儘管現代ECB顯示器之反應時間已藉由使用超速驅動之定址方法顯著改良，例如：Kim,Hyeon Kyeong等人,論文9.1：「A 57-in.Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」,SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,第I冊,第106頁至第109頁，但視訊相容性反應時間之達成，尤其關於灰度轉換仍為尚未得到圓滿解決之問題。
此效應在電光顯示元件中之工業應用需要LC相，其必須滿足多種要求。在本文中，對濕氣、空氣之化學抗性及物理影響(諸如熱、紅外、可見光及紫外輻射以及直流及交流電場)尤其重要。
此外，工業上可使用之LC相為在適合之溫度範圍內及低黏度下具有液晶中間相所必需。
迄今揭示之具有液晶中間相之一系列化合物均不包括符合所有此等要求之單一化合物。因此一般製備兩種至25種、較佳三種至18種化合物之混合物以獲得可用作LC相之物質。然而，以此方式不可能容易地製備最佳相，因為迄今尚未獲得具有顯著負介電各向異性及足夠長期穩定性之液晶材料。
已知矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)。可用於個別像素之個別轉換的非線性元件為例如主動元件(亦即電晶體)。隨後使用術語「主動矩陣」，其中可在兩種類型之間進行區分：
1.矽晶圓上之金屬氧化物半導體(MOS)電晶體作為基板
2.玻璃板上之薄膜電晶體(TFT)作為基板。
在類型1之情形下，所用電光效應通常為動態散射或客體-主體效應。使用單晶矽作為基板材料限制了顯示器尺寸，因為即使模組組裝各種部分顯示器亦會在接合點處產生問題。
在更有前景之類型2(其為較佳)之情形下，使用電光效應通常為TN效應。
在兩種技術之間進行區分：包含化合物半導體(諸如CdSe)之TFT或基於多晶或非晶矽之TFT。後一技術在全世界廣泛使用。
將TFT矩陣塗覆於顯示器之一個玻璃板的內部，而另一玻璃板在其內部攜有透明相對電極。相較於像素電極之尺寸，TFT極小且對影像實際上無不良影響。此技術亦可沿用至全色能顯示器，其中以某種方式配置紅光、綠光及藍光濾光器之嵌合體以使得濾光器元件與各可
切換像素相對。
本文之術語MLC顯示器涵蓋具有整合之非線性元件的任何矩陣顯示器，亦即除主動矩陣以外，顯示器亦具有被動元件，諸如變阻器或二極體(MIM=金屬-絕緣體-金屬)。
此類型之MLC顯示器尤其適用於TV應用(例如口袋型TV)或汽車或飛機構造中之高資訊顯示器。除關於對比度及反應時間之角度依賴性的問題以外，MLC顯示器中亦由於液晶混合物之不夠高之比電阻而產生困難[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月：A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings,第141頁及以下,Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月：Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays,第145頁及以下,Paris]。隨著電阻減小，MLC顯示器之對比度劣化。由於液晶混合物之比電阻一般由於與顯示器內表面相互作用而隨MLC顯示器之壽命下降，故對於必須在長操作時間段具有可接受之電阻值的顯示器，高(初始)電阻極其重要。
因此，仍非常需要在大工作溫度範圍及低臨限電壓之同時具有快速反應時間的MLC顯示器，從而可產生各種灰度。
常使用之MLC-TN顯示器的缺點係由於其相對較低的對比度、相對較高的視角依賴性及在此等顯示器中產生灰度之困難。
VA顯示器具有顯著較佳視角依賴性。因此主要用於電視及監視器。然而，此處仍需要改良反應時間，尤其考慮到用於圖框速率(影像變化頻率/刷新速率)大於60Hz之電視。然而，同時必須不減弱諸如低溫穩定性之特性。
本發明係基於提供尤其用於監視器及TV應用，基於ECB效應或
基於IPS或FFS效應之液晶混合物之目標，該等液晶混合物無上文指示之缺點，或僅具有降低程度之上文指示之缺點。詳言之，必須確保監視器及電視在極高及極低溫度下亦工作，且同時具有極短反應時間且同時具有改良之可靠性行為，尤其在長操作時間之後不展現影像殘留或展現顯著降低之影像殘留。
意外地，若將式I化合物用於液晶混合物，尤其具有負介電各向異性之LC混合物，較佳用於VA、IPS及FFS顯示器，進一步用於PM(被動矩陣)-VA顯示器，則可降低旋轉黏度γ1與彈性常數K33之比率(γ1/K33)，因此改良反應時間。
意外地，式I化合物同時具有極低旋轉黏度及介電各向異性之高絕對值。因此可能製備具有極短反應時間，同時具有優良相特性及優良低溫行為之液晶化合物，較佳VA、IPS及FFS混合物。
因此，本發明係關於如技術方案1之液晶介質，其包含式I化合物。
本發明之混合物較佳展現極寬向列相範圍，且清澈點
68℃，較佳
70℃，展現極有利之電容臨限值，相對高之保持率值，且同時在-20℃及-30℃下極優良之低溫穩定性以及低旋轉黏度及短反應時間。此外，除旋轉黏度γ1改良之外，本發明之混合物藉由可觀察到用於改良反應時間之相對高的彈性常數K33值而區分。
本發明混合物之一些較佳實施例如下所指示。
以混合物作為整體計，式I化合物較佳以
1重量%、較佳
3重量%之量用於液晶介質中。尤其較佳為包含5至30重量%、極尤其較佳5至15重量%式I化合物之液晶介質。
本發明之液晶介質之較佳實施例如下所指示：
a)另外包含一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群的化合物的液晶介質，
其中R2A、R2B及R2C各彼此獨立地表示H；具有至多15個C原子之烷基或烯基，其未經取代、經CN或CF3單取代或至少經鹵素單取代，其中，另外，此等基團中之一或多個CH2基團可以使得O原子不直接彼此鍵聯之方式經-O-、-S-、
、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-
O-或-O-CO-置換；或具有3至6個C原子之環烷基環，L1-4各獨立地表示F、Cl、CF3或CHF2，Z2及Z2'各獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、-CH=CHCH2O-，p表示1或2，q表示0或1，且v表示1至6。
在式IIA及IIB之化合物中，Z2可具有相同或不同含義。在式IIB化合物中，Z2及Z2'可具有相同或不同含義。
在式IIA、IIB及IIC之化合物中，R2A、R2B及R2C各較佳表示具有1至6個C原子之烷基，尤其CH3、C2H5、n-C3H7、n-C4H9、n-C5H11。
在式IIA及IIB之化合物中，L1、L2、L3及L4較佳表示L1=L2=F，且L3=L4=F，此外L1=F，且L2=Cl，L1=Cl，且L2=F，L3=F，且L4=Cl，L3=Cl，且L4=F。式IIA及IIB中之Z2及Z2'較佳各彼此獨立地表示單鍵，此外表示-C2H4-或-CH2O-橋。
若在式IIB中，Z2=-C2H4-或-CH2O-，則Z2'較佳為單鍵，或若Z2'=-C2H4-或-CH2O-，則Z2較佳為單鍵。在式IIA及IIB之化合物中，(O)CvH2v+1較佳表示OCvH2v+1，此外CvH2v+1。在式IIC化合物中，(O)CvH2v+1較佳表示CvH2v+1。在式IIC化合物中，L3及L4較佳各表示F。
較佳之式IIA、IIB及IIC之化合物如下所指示：
本發明之尤其較佳混合物包含一或多種式IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、IIA-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIB-2、IIB-11、IIB-16及IIC-1之化合物。
式IIA及/或IIB之化合物在整個混合物中之比例較佳為至少20重量%。
本發明之尤其較佳介質包含至少一種式IIC-1之化合物，
其中烷基及烷基*具有上文所指示之含義，其量較佳為>3重量%，尤其>5重量%且尤其較佳5至25重量%。
b)另外包含一或多種式III化合物之液晶介質，
其中R31及R32各獨立地表示有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基烷基或烷氧基，且
表示
、
、
、
或
Z3表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H8-、-CF=CF-。
較佳式III化合物如下所指示：
其中烷基及烷基*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。
本發明之介質較佳包含至少一種式IIIa及/或式IIIb之化合物。
式III化合物在整體混合物中之比例較佳為至少5重量%。
c)另外包含一或多種下式之四環化合物的液晶介質：
其中R7-10各彼此獨立地具有技術方案2中對於R2A所指示之含義之一，且w及x各獨立地表示1至6。
尤其較佳為包含至少一種式V-9化合物之混合物。
d)另外包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物的液晶介質，
其中R14-R19各獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基；z
及m各獨立地表示1至6；x表示0、1、2或3。
本發明之介質尤其較佳包含一或多種式Y-1至Y-6之化合物，其量較佳為
5重量%。
e)另外包含一或多種式T-1至T-21之氟化聯三苯的液晶介質，
其中R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至7個C原子
之烯基，且m=0、1、2、3、4、5或6，且n表示0、1、2、3或4。
R較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。
本發明之介質較佳包含式T-1至T-21之聯三苯，其量為2至30重量%，尤其5至20重量%。
尤其較佳為式T-1、T-2、T-20及T-21之化合物。在此等化合物中，R較佳表示烷基，此外烷氧基，其各具有1至5個C原子。在式T-20化合物中，R較佳表示烷基或烯基，尤其烷基。在式T-21化合物中，R較佳表示烷基。
若混合物之Δn值欲為
0.1，則聯三苯較佳用於本發明之混合物中。較佳混合物包含2至20重量%的一或多種選自化合物T-1至T-21之群的聯三苯化合物。
f)另外包含一或多種式B-1至B-4之聯苯的液晶介質，
其中烷基及烷基*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，烯基及烯基*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且烷氧基表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基。
式B-1至B-4之聯苯在整體混合物中之比例較佳為至少3重量%，尤其
5重量%。
在式B-1至B-4之化合物中哦和那個，式B-2化合物為尤其較佳。
尤其較佳聯苯為
g)包含至少一種式Z-1至Z-7之化合物的液晶介質，
其中R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之烯基，烷基表示具有1至6個C原子之烷基，且(O)烷基表示烷基或O烷基。
h)包含至少一種式O-1至O-17之化合物的液晶介質，
其中R1及R2具有對於R2A所指示之含義，且式O-17化合物與式I化合物不相同。R1及R2較佳各獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，或R1表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且R2表示具有2至6個C原子之烯基。
較佳介質包含一或多種式O-1、O-3、O-4、O-5、O-9、O-12、O-14、O-15、O-16及/或O-17之化合物。
本發明之混合物極尤其較佳包含式O-9、O-12、O-16及/或O-17之化合物，其量尤其為5至30%。
較佳之式O-9及O-17之化合物如下所指示：
本發明之介質尤其較佳包含式O-9a及/或式O-9b之三環化合物以及一或多種式O-17a至O-17d之雙環化合物。式O-9a及/或O-9b之化合物以及一或多種選自式O-17a至O-17d之雙環化合物的化合物之總比例較佳為5至40%，極尤其較佳為15至35%。
極尤其較佳混合物包含化合物O-9a及O-17a：
以混合物作為整體計，化合物O-9a及O-17a較佳以15至35%、尤其較佳15至25%且特別較佳18至22%之濃度存在於混合物中。
極尤其較佳混合物包含化合物O-9b及O-17a：
以混合物作為整體計，化合物O-9b及O-17a較佳以15至35%、尤其較佳15至25%且尤其較佳18至22%之濃度存在於混合物中。
極尤其較佳混合物包含以下三種化合物：
以混合物作為整體計，化合物O-9a、O-9b及O-17a較佳以15至35%、尤其較佳15至25%且尤其較佳18至22%之濃度存在於混合物中。
此外，較佳式O-17化合物為選自下式之化合物的群的化合物
在各情形下，其量較佳為
3重量%，尤其
10重量%。
i)包含一或多種式BA化合物之液晶介質
其中烯基及烯基*各彼此獨立地表示具有2至12個C原子之直鏈烯基，
表示
、
或
，
Z3表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H8-、-CF=CF-。
較佳式BA化合物如下所指示：
較佳混合物包含5至60重量%、較佳10至55重量%、尤其20至50重量%式O-17e化合物
此外，較佳為包含化合物O-17e
及化合物O-17i
之液晶混合物，其總量較佳為3至60重量%。
j)本發明之較佳液晶介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之物質，諸如式N-1至N-5之化合物，
其中R1N及R2N各彼此獨立地具有對於R2A所指示之含義，較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基，且Z1及Z2各獨立地表示-C2H4-、-CH=CH-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-、-O(CH2)3-、-CH=CHCH2CH2-、-CH2CH2CH=CH-、-CH2O-、-OCH2-、-
COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2-或單鍵。
k)較佳混合物包含一或多種選自以下之群的化合物：式BC之二氟二苯并
烷化合物、式CR之
烷、式PH-1及PH-2之氟化菲、式BF-1及BF-2之氟化二苯并呋喃以及式BS-1及BS-2之氟化二苯并噻吩，
其中
RB1、RB2、RCR1、RCR2、R1、R2各彼此獨立地具有R2A之含義。c為0、1或2。d為1或2。R1及R2分別較佳彼此獨立地表示具有1至6或2至6個C原子之烷基、烷氧基、烯基或烯氧基。
本發明之混合物較佳以3至20重量%之量、尤其以3至15重量%之量包含式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1及/或BS-2之化合物。
尤其較佳之式BC、CR、BF及BS之化合物為化合物BC-1至BC-7及CR-1至CR-5，
其中烷基及烷基*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且烯基及烯基*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基，且烯氧基表示具有2至6個C原子之直鏈烯氧基。
極尤其較佳為包含一種、兩種或三種式BC-2及/或BF-1a之化合物的混合物。
1)較佳混合物包含一或多種式In之茚滿化合物，
其中R11、R12、R13各分別獨立地表示具有1至6個C原子或2至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，R12及R13另外表示鹵素，較佳F，
表示
、
、
、
、
i表示0、1或2。
較佳式In化合物為如下所指示之式In-1至In-16之化合物：
尤其較佳為式In-1、In-2、In-3及In-4之化合物。
式In及次式In-1至In-16之化合物較佳以
5重量%、尤其5至30重量%且極尤其較佳5至25重量%之濃度用於本發明之混合物。
m)較佳混合物另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物，
其中R、R1及R2各彼此獨立地具有技術方案2中對於R2A所指示之含義，且烷基表示具有1至6個C原子之烷基。s表示1或2。
尤其較佳為式L-1及L-4、尤其L-4之化合物。
式L-1至L-11之化合物較佳以5至50重量%、尤其5至40重量%及極尤其較佳10至40重量%之濃度使用。
n)介質另外包含一或多種式EY化合物
其中R1及R1*各彼此獨立地具有技術方案2中對於R2A所指示之含義，且L1及L2各獨立地表示F、Cl、CF3或CHF2。
在式EY化合物中，R1及R1*較佳表示具有
2個C原子之烷氧基，且L1=L2=F。尤其較佳為下式之化合物
o)介質另外包含一或多種選自下式之化合物：
在式Q-1至Q-9之化合物中，RQ及XQ各彼此獨立地具有技術方案2
中R2A之含義。RQ及XQ較佳表示具有1至6個C原子、尤其具有2至5個C原子之直鏈烷基。
尤其較佳混合物概念如下所指示：(所用首字母縮寫詞於表1-3及表A中說明。本文之n及m各彼此獨立地表示1至6)。
本發明之混合物較佳包含-式I化合物以及一或多種式O-17化合物，較佳以及化合物CCH-23，及/或-式I化合物以及CCH-25、CCH-34及/或CCH-35，及/或-CPY-n-Om，尤其CPY-2-O2、CPY-3-O2及/或CPY-5-O2，以混合物作為整體計，其濃度較佳為>5%，尤其10至30%，及/或-B-nO-Om，其濃度較佳為1至15，及/或-CY-n-Om，較佳CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及/或CY-5-O4，以混合物作為整體計，其濃度較佳為>5%、尤其15-50%，及/或-CCY-n-Om，較佳CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1及/或CCY-5-O2，以混合物作為整體計，其濃度較佳為>5%、尤其10至30%，及/或-CLY-n-Om，較佳CLY-2-O4、CLY-3-O2及/或CLY-3-O3，以混合物作為整體計，其濃度較佳為>5%、尤其10至30%，及/或- CK-n-F，較佳CK-3-F、CK-4-F及/或CK-5-F，以混合物作為整
體計，較佳>5%、尤其5至25%。
此外，較佳為包含以下混合物概念之本發明混合物：(n及m各獨立地表示1至6。)
- CPY-n-Om及CY-n-Om，以混合物作為整體計，其濃度較佳為10至80%，及/或- CPY-n-Om及CK-n-F，以混合物作為整體計，其濃度較佳為10至70%，及/或-CPY-n-Om及PY-n-Om，較佳CPY-2-O2及/或CPY-3-O2及PY-3-O2，以混合物作為整體計，其濃度較佳為10至40%，及/或- CPY-n-Om及CLY-n-Om，以混合物作為整體計，其濃度較佳為10至80%，及/或-CC-3-V1，其量較佳為3至15%
及/或CC-V-V，其量較佳為5至60%
及/或CC-3-V，其量較佳為5至60%
及/或PGIY-n-Om，其量較佳為3至15%，及/或CC-n-2V1，其量較佳為3至20%。
此外，本發明係關於一種基於ECB、VA、PS-VA、PVA、PM-VA、SS-VA、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效應、尤其UB-FFS之具有
主動矩陣定址的電光顯示器，其特徵在於其含有如技術方案1至14中之一或多者的液晶介質作為介電質。
本發明之液晶介質較佳在
-20℃至
70℃、尤其較佳
-30℃至
80℃、極尤其較佳
-40℃至
90℃下具有向列相。
表述「具有向列相」在本文中意謂：一方面，在相應溫度下在低溫下未觀察到近晶相及結晶，且另一方面，在加熱時自向列相不會出現清澈現象。低溫下之研究在相應溫度下於流動黏度計中進行，且藉由儲存於層厚度對應於電光用途之測試單元中至少100小時來檢驗。若在-20℃之溫度下於相應測試單元中儲存穩定性為1000小時或1000小時以上，則介質稱為在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，相應時間分別為500小時及250小時。在高溫下，藉由習知方法在毛細管中量測清澈點。
液晶混合物較佳具有至少60K之向列相範圍及在20℃下至多30mm2．s-1之流動黏度ν20。
在液晶混合物中雙折射值Δn一般為0.07至0.16，較佳0.08至0.13。
本發明之液晶混合物的Δε為-0.5至-8.0，尤其-2.5至-6.0，其中Δε表示介電各向異性。在20℃下之旋轉黏度γ1較佳為
150mPa．s，尤其為
130mPa．s。
本發明之液晶介質具有相對小之臨限電壓(V0)值。其較佳在1.7V至3.0V範圍內，尤其較佳
2.5V且極尤其較佳
2.3V。
對於本發明，除非另外明確指示，否則術語「臨限電壓」係關於電容臨限值(V0)，亦稱為弗雷德里克臨限值(Freedericks threshold)。
另外，本發明之液晶介質在液晶單元中具有高電壓保持率值。
一般而言，相較於具有較高定址電壓或臨限電壓之液晶介質，
具有低定址電壓或臨限電壓之液晶介質展現較低電壓保持率，且反之亦然。
對於本發明，術語「介電正性化合物」表示Δε>1.5之化合物，術語「介電中性化合物」表示-1.5
Δε
1.5之化合物，且術語「介電負性化合物」表示Δε<-1.5之化合物。在本文中，化合物之介電各向異性藉由以下步驟測定：將10%化合物溶解於液晶主體中，且測定至少一個測試單元中所得混合物之電容，在各情形下該測試單元之層厚度為20μm，且在1kHz下具有垂直及均質表面配向。量測電壓通常為0.5V至1.0V，但總低於所研究之各別液晶混合物之電容臨限值。
對於本發明所指示之所有溫度值以℃為單位。
本發明之混合物適用於所有VA-TFT應用，諸如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA(聚合物支撐型VA)、SS(表面穩定之)-VA及PS-VA(聚合物穩定型VA)。此外，其適用於具有負Δε之IPS(共平面切換型)及FFS(邊緣場切換型)，尤其UB-FFS。
本發明之顯示器中的向列型液晶混合物一般包含兩種組分A及B，其自身由一或多種個別化合物組成。
組分A具有顯著負性介電各向異性且賦予向列相
-0.5之介電各向異性。除一或多種式I化合物以外，其較佳包含式IIA、IIB及/或IIC之化合物，此外式III化合物。
組分A之比例較佳為45至100%，尤其60至100%。
對於組分A，較佳選擇一種(或多種)Δε值
-0.8之個別化合物。必定是，此值愈負，整體混合物中A之比例愈小。
組分B具有明顯向列原基，且在20℃下，流動黏度不大於30mm2．s-1，較佳不大於25mm2．s-1。
多種適合材料為熟習此項技術者由文獻已知。尤其較佳為式III化合物。
組分B中之尤其較佳個別化合物為在20℃下流動黏度不大於18mm2．s-1，較佳不大於12mm2．s-1的極低黏度向列型液晶。
組分B為單變性或互變性向列型，無近晶相且能夠在降至極低溫度時阻止液晶混合物中出現近晶相。舉例而言，若各種高向列原基材料在各情形下添加至近晶液晶混合物中，則此等材料之向列原基可經由達成之近晶相抑制程度比較。
混合物亦可視情況包含組分C，其包含具有
1.5之介電各向異性Δε之化合物。以負性介電各向異性之混合物作為整體計，此等所謂正性化合物一般以
20重量%之量存在於該混合物中。
若本發明之混合物包含一或多種介電各向異性Δε
1.5之化合物，則其較佳為一或多種式P-1及/或P-2之化合物，
其中R表示直鏈烷基、烷氧基或烯基，其各分別具有1或2至6個C原子，且X表示F、Cl、CF3、OCF3、OCHFCF3或CCF2CHFCF3，較佳F或OCF3。
式P-1及/或P-2之化合物較佳以0.5至10重量%、尤其0.5至8重量%之濃度用於本發明之混合物中。
尤其較佳為下式之化合物
其較佳以0.5至3重量%之量使用。
另外，此等液晶相亦可包含超過18種組分，較佳18至25種組分。
除一或多種式I化合物以外，該等相較佳包含4至15種、尤其5至12種且尤其較佳<10種式IIA、IIB及/或IIC及視情況存在之III之化合物。
除式I化合物及式IIA、IIB及/或IIC及視情況存在之III之化合物以外，其他成分亦可例如以整體混合物的至多45%、但較佳至多35%、尤其至多10%之量存在。
其他成分較佳選自向列型或向列原基物質，尤其以下之類別的已知物質：氧偶氮苯、苯亞甲基苯胺、聯苯、聯三苯、苯甲酸苯酯或苯甲酸環己酯、環己烷甲酸苯酯或環己烷甲酸環己酯、苯基環己烷、環己基聯苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4-雙環己基聯苯或環己基嘧啶、苯基-或環己基二噁烷、視情況經鹵化之芪、苯甲基苯基醚、二苯乙炔及經取代之肉桂酸酯。
適合作為此類型液晶相之成分的最重要化合物可由式IV表徵，R20-L-G-E-R21 IV
其中L及E各表示來自由1,4-二取代之苯及環己烷環、4,4'-二取代之聯苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5-二取代之嘧啶及1,3-二噁烷環、2,6-二取代之萘、二氫萘及四氫萘、喹唑啉及四氫喹唑啉形成之群的碳環或雜環系統。
G表示 -CH=CH- -N(O)=N-
-CH=CQ- -CH=N(O)-
-C≡C- -CH2-CH2-
-CO-O- -CH2-O-
-CO-S- -CH2-S-
-CH=N- -COO-Phe-COO-
-CF2O- -CF=CF-
-OCF2- -OCH2-
-(CH2)4- -(CH2)3O-
或C-C單鍵，Q表示鹵素，較佳氯或-CN，且R20及R21各表示具有至多18個、較佳至多8個碳原子之烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或者此等基團中之一者表示CN、NC、NO2、NCS、CF3、SF5、OCF3、F、Cl或Br。
在大多數此等化合物中，R20及R21彼此不同，此等基團中之一者通常為烷基或烷氧基。所提出之取代基的其他變體亦為常見的。多種此類物質或其混合物亦可購得。所有此等物質可藉由自文獻已知之方法製備。
對於熟習此項技術者不言而喻，本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包含如下化合物，其中例如H、N、O、Cl及F已經相應同位素置換。
此外，以本發明之混合物計，可將可聚合化合物(所謂反應性液晶原基(RM)，例如U.S.6,861,107中所揭示)以較佳0.01至5重量%、尤其較佳0.2至2重量%之濃度添加至該混合物中。此等混合物可視情況亦包含引發劑，如例如U.S.6,781,665所述。較佳將引發劑(例如來自BASF之Irganox-1076)以0至1%之量添加至包含可聚合化合物之混合物中。此類型之混合物可用於所謂聚合物穩定型VA模式(PS-VA)或PSA(聚合物支撐型VA)，其中意欲在液晶混合物中進行反應性液晶原基之聚合。其前提條件為液晶混合物自身不包含亦在式M化合物聚合之條
件下聚合的可聚合組分。
聚合較佳在以下條件下進行：使用具有規定強度之UV-A燈規定時段使可聚合組分在單元中聚合且施加電壓(通常10至30V交流電壓，頻率在60Hz至1kHz範圍內)。所用UV-A光源通常為強度為50mW/cm2之金屬-鹵化物蒸氣燈或高壓汞燈。其為例如含有烯基或烯氧基側鏈之液晶化合物，諸如下式之化合物
其中n=2、3、4、5或6，不聚合之條件。
在本發明之一較佳實施例中，可聚合化合物係選自式M化合物RMa-AM1-(ZM1-AM2)m1-RMb M
其中個別基團具有以下含義：RMa及RMb各獨立地表示P、P-Sp-、H、鹵素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基，其中基團RMa及RMb中之至少一者較佳表示或含有基團P或P-Sp-，P表示可聚合基團，Sp表示間隔基或單鍵，AM1及AM2各獨立地表示芳族基、雜芳族基、脂環族基或雜環基，其較佳具有4至25個環原子，較佳C原子，其亦包括或可含有環化環且其可視情況經L單取代或多取代，L表示P；P-Sp-；OH；CH2OH；F；Cl；Br；I；-CN；-NO2；-NCO；-NCS；-OCN；-SCN；-C(=O)N(Rx)2；-C(=O)Y1；-C(=O)Rx；-N(Rx)2；視情況經取代之矽烷基；視情況經取代之具有6至20個C原子之芳基；或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中，另外，一或
多個H原子可經以下置換：F、Cl、P或P-Sp-，較佳P、P-Sp-、H、OH、CH2OH、鹵素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基，Y1表示鹵素，ZM1表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-(CH2)n1-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-(CF2)n1-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-、-COO-、-OCO-CH=CH-、CR0R00或單鍵，R0及R00各獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，Rx表示P；P-Sp-；H；鹵素；具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中，另外，一或多個不相鄰CH2基團可以使得O及/或S原子不彼此直接鍵聯之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換；、視情況經取代之具有6至40個C原子之芳基或芳氧基；或視情況經取代之具有2至40個C原子之雜芳基或雜芳氧基，m1表示0、1、2、3或4，且n1表示1、2、3或4，其中所存在之基團RMa、RMb及取代基L中之至少一者、較佳一者、兩者或三者、尤其較佳一或兩者表示基團P或P-Sp-或含有至少一個基團P或P-Sp-。
尤其較佳之式M化合物為如下化合物，其中RMa及RMb各獨立地表示P；P-Sp-；H；F；Cl；Br；I；-CN；-NO2；-NCO；-NCS；-OCN；-SCN；SF5；或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中，另外，一或多個不相鄰CH2基團可各彼此獨立地以使得O及/或S原子不彼此直接鍵聯之方式經以下置換：-C(R0)=C(R00)-、-C≡C-、-N(R00)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-，且其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-置
換，其中基團RMa及RMb中之至少一者較佳表示或含有基團P或P-Sp-，AM1及AM2各獨立地表示1,4-伸苯基；萘-1,4-二基；萘-2,6-二基；菲-2,7-二基；蒽-2,7-二基；茀-2,7-二基；香豆素；黃酮，其中，另外，此等基團中之一或多個CH基團可經N置換；環己烷-1,4-二基，其中，另外，一或多個不相鄰CH2基團可經O及/或S置換；1,4-伸環己烯基；雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基；雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基；螺[3.3]庚烷-2,6-二基；哌啶-1,4-二基；十氫萘-2,6-二基；1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基；茚滿-2,5-二基；或八氫-4,7-亞甲基茚滿-2,5-二基，其中所有此等基團可未經取代或經L單取代或多取代，L表示P；P-Sp-；OH；CH2OH；F；Cl；Br；I；-CN；-NO2；-NCO；-NCS；-OCN；-SCN；-C(=O)N(Rx)2；-C(=O)Y1；-C(=O)Rx；-N(Rx)2；視情況經取代之矽烷基；視情況經取代之具有6至20個C原子之芳基；或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換，p表示可聚合基團，Y1表示鹵素，Rx表示P；P-Sp-；H；鹵素；具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中，另外，一或多個不相鄰CH2基團可以使得O及/或S原子不彼此直接鍵聯之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換；視情況經取代之具有6至40個C原子之芳基或芳氧基；或視情況經取代之具有2至40個C原子之雜芳基或雜芳氧基。
極尤其較佳為RMa及RMb中之一者或兩者表示P或P-Sp-之式M化合物。
用於本發明之液晶介質及PS-VA顯示器或PSA顯示器之適合及較
佳RM例如選自下式：
其中個別基團具有以下含義：P1及P2各彼此獨立地表示可聚合基團，其較佳具有上文及下文對於P所指示之含義中之一者，尤佳為丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、氟丙烯酸酯、氧雜環丁烷、乙烯氧基或環氧基，Sp1及Sp2各獨立地表示單鍵或間隔基，其較佳具有上文及下文對於Sp所指示之含義中之一者，且尤其較佳為-(CH2)p1-、-(CH2)p1-O-、-(CH2)p1-CO-O-或-(CH2)p1-O-CO-O-，其中p1為1至12之整數，且其中在最後提及之基團中鍵聯至相鄰環經由O原子進行，其中基團P1-Sp1-及P2-Sp2-中之一者亦可表示Raa，Raa表示H；F；Cl；CN；或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中，另外，一或多個不相鄰CH2基團可各彼此獨立地經-C(R0)=C(R00)-、-C≡C-、-N(R0)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以使得O及/或S原子不彼此直接鍵聯之方式置換，且其中，另外，一或多個H原子可經F、Cl、CN或P1-Sp1-置換，尤其較佳為直鏈或分支鏈、視情況經單或多氟化之具有1至12個C原子烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基(其中烯基及炔基具有至少兩個C原子，且分支鏈基團具有至少三個C原子)，R0、R00各彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基，Ry及Rz各彼此獨立地表示H、F、CH3或CF3，ZM1表示-O-、-CO-、-C(RyRz)-或-CF2CF2-，ZM2及ZM3各獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-或-(CH2)n-，其中n為2、3或4，
L在每次出現時相同或不同地表示F、Cl、CN或直鏈或分支鏈、視情況經單或多氟化之具有1至12個C原子之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基，較佳F，L'及L"各彼此獨立地表示H、F或Cl，r表示0、1、2、3或4，s表示0、1、2或3，t表示0、1或2，且x表示0或1。
適合可聚合化合物列於例如表D中。
本申請案之液晶介質較佳總共包含0.1至10%、較佳0.2至4.0%、尤其較佳0.2至2.0%之可聚合化合物。
尤其較佳為式M及式RM-1至RM-102之可聚合化合物。
此外，本發明之混合物可包含習知添加劑，諸如穩定劑、抗氧化劑、UV吸收劑、奈米粒子、微米粒子等。
本發明之液晶顯示器之結構對應於如在例如EP-A 0 240 379中所述之常見幾何結構。
以下實例意欲解釋本發明，而不對其進行限制。在上文及下文中，百分比資料表示重量百分比；所有溫度以攝氏度表示。
在整個專利申請案中，1,4-伸環己基環及1,4-伸苯基環描繪如下：
伸環己基環為反-1,4-伸環己基環。
在整個專利申請案中及實施例中，液晶化合物之結構藉助於首字母縮寫詞指示。除非另外指示，否則根據表1-3進行向化學式之轉
化。所有基團CnH2n+1、CmH2m+1及Cm'H2m'+1或CnH2n及CmH2m均為直鏈烷基或伸烷基，在各情形下分別具有n、m、m'或z個C原子。n、m、m'及z各獨立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，較佳1、2、3、4、5或6。在表1中，將各別化合物之環要素編碼，在表2中，列出橋接成員，且在表3中，指示化合物之左側或右側側鏈之符號的含義。
表3：側鏈
除式IIA及/或IIB及/或IIC之化合物及一或多種式I化合物以外，本發明之混合物較佳亦包含一或多種來自下示表A之化合物。
可根據本發明使用之液晶混合物以本身習知之方式製備。一般而言，宜在高溫下將以較少量使用之所要量之組分溶解於構成主要成分之組分中。亦可能將組分於有機溶劑中(例如丙酮、氯仿或甲醇中)之溶液混合，且例如藉由在充分混合之後蒸餾來再次移除溶劑。
藉助於適合添加劑，本發明之液晶相可以一定方式改質以使得其可用於迄今已揭示之任何類型(例如ECB、VAN、IPS、GH或ASM-VA LCD)顯示器中。
介電質亦可包含熟習此項技術者已知及文獻中所述之其他添加劑，諸如UV吸收劑、抗氧化劑、奈米粒子及自由基清除劑。舉例而言，可添加0至15%多色染料、穩定劑或對掌性摻雜劑。本發明混合物之適合穩定劑尤其為表B中所列之物質。
舉例而言，可添加0至15%多色染料，此外導電鹽，較佳4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四苯基氫硼化四丁基銨或冠醚之複合鹽(參見例如Haller等人,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,第24卷,第249-258
頁(1973))以改良導電性，或可添加物質以改良向列相之介電各向異性、黏度及/或配向。此類型之物質描述於例如DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。
本發明之介質尤其較佳包含Tinuvin® 770(雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯)，以液晶介質計，其量較佳為0.001至5重量%。
在一較佳實施例中，本發明之混合物包含一或多種可聚合化合
物，其較佳選自式RM-1至RM-102之可聚合化合物。此類型之介質尤其適合於PS-FFS及PS-IPS應用。在表D中所示之反應性液晶原基中，化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-9、RM-17、RM-42、RM-48、RM-68、RM-87、RM-91、RM-98、RM-99及RM-101為尤其較佳。
此外，式M及式RM-1至RM-102之反應性液晶原基或可聚合化合物適合作為穩定劑。在此情形下，可聚合化合物不聚合，而是以>1%之濃度添加至液晶介質中。
以下實例意欲解釋本發明，而不對其進行限制。在實例中，m.p.表示液晶物質之熔點(攝氏度)且C表示液晶物質之清澈點(攝氏度)；沸騰溫度由b.p.表示。此外：C表示結晶固體狀態，S表示近晶相(指數表示相類型)，N表示向列狀態，Ch表示膽固醇相，I表示各向同性相，Tg表示玻璃轉化溫度。兩個符號之間的數字表示轉化溫度(攝氏度)。
用於測定式I化合物之光學各向異性Δn之主體混合物為市售混合物ZLI-4792(Merck KGaA)。介電各向異性Δε係使用市售混合物ZLI-2857測定。待研究化合物之物理資料由在添加待研究化合物之後主體混合物之介電常數的變化及外推至100%所用化合物獲得。一般而言，視溶解性而定，將10%待研究化合物溶解於主體混合物中。
除非另外指示，否則份數或百分比資料表示重量份或重量百分比。
在上文及下文中，符號及縮寫具有以下含義：V0 在20℃下之臨限電壓，電容[V]
Δn 在20℃及589nm下量測之光學各向異性，Δε 在20℃及1kHz下之介電各向異性，
cl.p. 清澈點[℃]
K1 彈性常數，在20℃下之「扇狀」變形[pN]
K3 彈性常數，在20℃下之「彎曲」變形[pN]
γ1 在20℃下量測之旋轉黏度[mPa．s]，其藉由磁場中之旋轉方法測定
LTS 在測試單元中測定之低溫穩定性(向列相)。
用於量測臨限電壓之顯示器具有兩個分隔20μm之平面平行之外部板及電極層，其中在外部板之內側的頂部上具有包含SE-1211(Nissan Chemicals)之配向層，其實現液晶之垂直配向。
除非另外明確指示，否則本申請案中之所有濃度與相應混合物或混合物組分有關。除非另外明確指示，否則所有物理特性根據「Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals」,1997年11月狀態,Merck KGaA,Germany測定，且適用於20℃之溫度。
BCH-32 2.50% 清澈點[℃]：75.7
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M1之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M1之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M1之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M1之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M1之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合<
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M2之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M2之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M3之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M3之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M3之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M3之混合物與0.3%下式之可
聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M4之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M4之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M4之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M4之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M4之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M4之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M5之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.8%實例M5之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M5之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M6之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M6之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M6之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M7之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M7之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M51之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M54之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M58之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M60之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M62之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M68之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.75%實例M70之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M70之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M70之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
實例M73之混合物較佳適用於PS-VA應用，尤其2D及3D TV應用。
用於PS-VA應用之上述混合物實例當然亦適用於PS-IPS及PS-FFS應用。
為改良可靠性，實例M1至M69之混合物可另外用一或兩種選自下述化合物a)至h)之群的穩定劑穩定：
a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)
其中以混合物計，在各情形下添加0.01至0.04%之量的穩定劑。
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M60之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M87之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M89之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M89之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M6之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
實例M95之混合物另外包含0.001%下式之化合物
實例M97之混合物另外用0.01%下式之化合物穩定
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M99之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M77之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M102之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M102之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M7之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
實例M108之混合物另外包含0.001%下式之化合物
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M109之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M108之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M113之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M70之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M113之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M117之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M117之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M120之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M122之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M122之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M125之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M127之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M127之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.99%實例M130之混合物與0.01%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M134之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M136之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.75%實例M136之混合物與0.25%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M136之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
BCH-32 4.50% 清澈點[℃]：74.2
實例M140之混合物另外包含0.03%
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M144之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M144之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M147之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M149之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-FFS混合物，將99.7%實例M152之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
實例M152之混合物另外包含0.04%下式之化合物
及0.02%下式之化合物
實例M156之混合物另外包含0.03%下式之化合物
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M156之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
實例M160之混合物另外包含0.03%下式之化合物
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M160之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M163之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
實例M163之混合物另外包含0.03%下式之化合物
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M166之混合物與0.3%下式之可聚合化合物混合
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.99%實例M168之混合物與0.01%下式之可聚合化合物混合
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M168之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.9%實例M171之混合物與0.1%下式之可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M173之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
CC-3-V1 8.50% 清澈點[℃]：74.5
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M186之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
BCH-32 2.50% 清澈點[℃]：75
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M190之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M192之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M194之混合物與
0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.8%實例M194之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.7%實例M197之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備聚合物穩定型LC混合物，將99.8%實例M197之混合物與0.2%下式之可聚合化合物混合
實例M188之混合物另外包含0.03%下式之化合物
實例M188之混合物另外包含0.04%下式之化合物
及0.02%下式之化合物
實例M99之混合物另外包含0.03%下式之化合物
實例M99之混合物另外包含0.04%下式之化合物
及0.02%下式之化合物
實例M204之混合物另外包含0.03%下式之化合物
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M207之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M209之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
為製備PS-VA混合物，將99.7%實例M151之混合物與0.3%下式之可聚合化合物
及0.001% Irganox-1076(BASF)混合。
Claims (17)
- 一種基於極性化合物之混合物的液晶介質，其特徵在於其包含式I化合物，
- 如請求項1之液晶介質，其中其另外包含一或多種選自式IIA、IIB及IIC之化合物之群的化合物，
、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-置換，L1-4各獨立地表示F或Cl，Z2及Z2'各獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-、- CH=CHCH2O-，p表示1或2，q表示0或1，且v表示1至6。
- 如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式III化合物，
表示
、
、
、
或
Z3表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H9-、-CF=CF-。
- 如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式L-1至L-11之化合物，
- 如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式O-1至O-17之化合物，
- 如請求項1之液晶介質，其中該介質另外包含一或多種式In之茚滿化合物，
表示
- 如請求項1至6中任一項之液晶介質，其中該式I化合物在該整體混合物中之比例為1至30重量%。
- 如請求項1至6中任一項之液晶介質，其中其另外包含一或多種來自下式之化合物之群的化合物，
- 如請求項1至6中任一項之液晶介質，其中其另外包含選自以下之群的化合物
- 如請求項1至6中任一項之液晶介質，其中其另外包含一或多種 選自式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1及BS-2之化合物之群的化合物，
- 如請求項1至6中任一項之液晶介質，其中該介質包含至少一種可聚合化合物(反應性液晶原基)。
- 如請求項1至6中任一項之液晶介質，其中該介質包含一或多種添加劑。
- 如請求項1至6中任一項之液晶介質，其中該添加劑係選自自由基清除劑、抗氧化劑及/或UV穩定劑之群。
- 一種製備如請求項1至13中任一項之液晶介質之方法，其特徵在於將至少式I化合物與至少另一種液晶化合物混合，且添加視情況存在之一或多種添加劑及視情況存在之至少一種可聚合化合物(反應性液晶原基)。
- 一種如請求項1至13中任一項之液晶介質之用途，其係用於電光顯示器中。
- 一種具有主動矩陣定址之電光顯示器，其特徵在於其含有如請求項1至13中任一項之液晶介質作為介電質。
- 如請求項16之電光顯示器，其中其為VA、PSA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、SS-VA、PM-VA、FFS或PS-FFS顯示器。
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