CN106255738A - 液晶介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及包含式(I)化合物的液晶介质，
Description
本发明涉及包含式I的化合物的液晶介质，
该类型介质特别用于具有基于ECB效应的有源矩阵寻址的电光显示器并用于IPS(平面内切换)显示器或FFS(边缘场切换)显示器。
电控双折射，ECB效应亦或DAP(配向相变形)效应的原理首次描述于1971年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon,"Deformation of nematic liquid crystals withvertical orientation in electrical fields",Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。之后J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)发表了论文。
J.Robert和F.Clerc(SID 80Digest Techn.Papers(1980),30),J.Duchene(Displays 7(1986),3)以及H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982),244)的论文显示液晶相必须具有高数值的弹性常数K3/K1比、高数值的光学各向异性△n和△ε≤-0.5的介电各向异性值以适用于基于ECB效应的高信息显示器元件。基于ECB效应的电光学显示器元件具有垂面边缘配向(VA技术＝垂直配向)。负介电液晶介质也可用于使用所谓的IPS或FFS效应的显示器。
除了IPS(平面内切换)显示器(例如：Yeo,S.D.,论文15.3："An LC Display forthe TV Application",SID 2004 International Symposium,Digest of TechnicalPapers,XXXV,Book II,pp.758&759)和长久已知的TN(扭转向列)显示器之外，使用ECB效应的显示器，如例如在MVA(多域垂直配向，例如：Yoshide,H.等,论文3.1："MVA LCD forNotebook or Mobile PCs...",SID 2004 International Symposium,Digest ofTechnical Papers,XXXV,Book I,第6至9页，和Liu,C.T.等,论文15.1："A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...",SID 2004 International Symposium,Digest of TechnicalPapers,XXXV,Book II,第750至753页)、PVA(图案化垂直配向，例如：Kim,Sang Soo,论文15.4："Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV",SID 2004 InternationalSymposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,第760至763)、ASV(先进超视角，例如：Shigeta,Mitzuhiro和Fukuoka,Hirofumi,论文15.2："Development of HighQuality LCDTV",SID 2004 International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,第754至757页)模式中的所谓的VAN(垂直配向向列)显示器，自身已确立为当今最重要的三种较新型液晶显示器之一，特别是对于电视应用而言。该技术以一般形式进行比较，例如，在Souk,Jun,SID Seminar 2004,seminar M-6："Recent Advances in LCDTechnology",Seminar Lecture Notes,M-6/1至M-6/26，和Miller,Ian,SID Seminar2004,seminar M-7："LCD-Television",Seminar Lecture Notes,M-7/1至M-7/32中。虽然现代ECB显示器的响应时间已通过在超速驱动下的寻址方法得以显著改进，例如：Kim,Hyeon Kyeong等,论文9.1："A 57-in.Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application",SID2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,第106至109页，但获得视频兼容响应时间，特别是在灰阶切换的情况下，仍为尚未得到满意解决的问题。
该效应在电光显示器元件中的工业应用需要LC相，其必须满足多种要求。此处尤为重要的是化学抗湿、空气和物理影响，例如热、红外线、可见光和紫外辐射以及直流和交流电场。
此外，工业可用LC相需要在适合的温度范围和低粘度下具有液晶中间相。
迄今公开的具有液晶中间相的系列化合物均不包括符合全部这些要求的单一化合物。因此，通常制备2-25种，优选3-18种化合物的混合物以获得可用作LC相的物质。然而，还没有可能以该方式容易地制备最优相，因为目前还没有可用的具有显著负介电各向异性和适当长期稳定性的液晶材料。
已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。可用于单像素单转换的非线性元件为，例如，有源元件(即晶体管)。随后使用术语“有源矩阵”，其中以下两种类型可存在区别：
1.位于硅晶片(作为基板)上的MOS(金属氧化物半导体)晶体管
2.位于玻璃板(作为基板)上的薄膜晶体管(TFT)。
在类型1的情况下，所用的电光效应通常为动态散射或宾主效应。使用单晶硅作为基板材料限制了显示器的尺寸，因为多个部分显示器的平滑模块化装配在接合处存在问题。
在更加有前景的类型2(其为优选的)的情况下，所用的电光效应通常为TN效应。
两种技术之间存在区别：包含化合物半导体，例如，CdSe的TFT，或基于多晶或无定形硅的TFT。后一技术正于全球范围内集中研发中。
TFT矩阵应用于显示器一个玻璃板的内侧，同时另一个玻璃板于其内侧携带透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小并且对影像无实质的不利影响。该技术也可扩展至能全色可行(fully colour-capable)的显示器，其中红、绿和蓝色过滤器的镶嵌以如此方式设置以致过滤器元件相对于每个可转换像素。
术语“MLC显示器”在此处覆盖具有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即除了有源矩阵外，还有具有无源元件的显示器，例如可变电阻或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。
该类型MLC显示器特别适用于TV应用(例如袖珍TV)或用于汽车或飞行器构造中的高信息显示器。除了关于对比度的角度依赖性和响应时间的问题之外，由于液晶混合物不足够高的比电阻，MLC显示器也存在问题[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay84,9月，1984:A 210-288Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings,第141页,Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,9月，1984:Design of Thin FilmTransistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays,第145页,Paris]。随着电阻的降低，MLC显示器的对比度变差。由于显示器内表面的相互作用，液晶混合物的比电阻通常在MLC显示器的寿命下降，因而高(初始)电阻对于经长期运行后必须具有可接受电阻值的显示器而言非常重要。
因而仍然非常需要具有快速响应时间同时具有宽工作温度范围和低阈值电压的MLC显示器，在其辅助下可产生多种灰阶。
经常使用的MLC-TN显示器的缺点在于它们比较低的对比度、相对高的视角依赖性和难于在这些显示器中产生灰阶。
VA显示器具有显著更好的视角依赖性并因此主要用于电视和监控器。然而，此处仍然需要改进响应时间，特别是对于具有大于60Hz帧速度(图像改变频率/重复率)的电视应用。然而，必须同时不影响例如低温稳定性的性能。
本发明基于提供基于ECB效应或IPS或FFS效应的液晶混合物，特别是用于监控器和TV应用的液晶混合物的目的，所述液晶混合物不具有以上所述缺点，或仅具有减少程度的以上所述缺点。特别地，对于监控器和电视而言必须确保它们也在非常高和非常低的温度下工作并同时具有非常短的响应时间和同时具有改进的可靠性行为，特别是展示出长期运行后无图像残留或显著降低的图像残留。
令人惊讶地，如果将式I的化合物用于液晶混合物，特别是具有负介电各向异性、优选用于VA、IPS和FFS显示器、此外用于PM(无源矩阵)-VA显示器的LC混合物中，可降低旋转粘度γ1和弹性常数K33的比(γ1/K33)和由此改进响应时间。
令人惊讶地，式I的化合物同时具有非常低的旋转粘度和高的介电各向异性绝对值。因此可以制备具有非常短响应时间、同时具有良好相性能和良好低温行为的液晶混合物，优选VA、IPS和FFS混合物。
因此本发明涉及根据权利要求1包含式I的化合物的的液晶介质。
根据本发明的混合物优选地展示出非常宽的向列相范围、以及≥68℃、优选≥70℃的清亮点、非常有利的电容阈值值、相对高的保持率值和同时非常良好的-20℃和-30℃下的低温稳定性、以及低的旋转粘度值和短的响应时间。此外,根据本发明的混合物的特征在于：除了改进旋转粘度γ1，还可观察到相对高的弹性常数值K33以改进响应时间。
根据本发明混合物的一些优选的实施方案阐述于下。
式I的化合物优选以基于整个混合物以≥1wt％，优选≥3wt％的量用于液晶介质。特别优选的是包含5-30wt％，非常特别优选5-15wt％的式I的化合物的液晶介质。
根据本发明的液晶介质的优选实施方案阐述于下：
a)额外包含一种或多种选自式IIA、IIB和IIC化合物的化合物的液晶介质，
其中
R2A、R2B和R2C各自彼此独立地表示H、具有最多15个C原子的烷基或烯基，其为未取代的、被CN或CF3单取代的或被卤素至少单取代的，其中，在这些基团中的一个或多个CH2基团还可被-O-、-S-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，或具有3-6个C原子的环烷基，
L1-4各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2，
Z2和Z2’各自彼此独立地表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CH＝CHCH2O-，
p表示1或2，
q表示0或1，和
v表示1至6。
在式IIA和IIB化合物中，Z2可具有相同或不同的含义。在式IIB化合物中，Z2和Z2'可具有相同或不同的含义。
在式IIA、IIB和IIC的化合物中，R2A、R2B和R2C各自优选表示具有1-6个C原子的烷基，特别是CH3、C2H5、n-C3H7、n-C4H9、n-C5H11。
在式IIA和IIB的化合物中，L1、L2、L3和L4优选表示L1＝L2＝F和L3＝L4＝F，还有L1＝F和L2＝Cl，L1＝Cl和L2＝F，L3＝F和L4＝Cl，L3＝Cl和L4＝F。式IIA和IIB中Z2和Z2'优选各自彼此独立地表示单键、以及-C2H4-或-CH2O-桥。
如果，在式IIB中，Z2＝-C2H4-或-CH2O-，则Z2'优选为单键,或者如果Z2'＝-C2H4-或-CH2O-，则Z2优选为单键。在式IIA和IIB化合物中，(O)CvH2v+1优选表示OCvH2v+1以及CvH2v+1。在式IIC化合物中，(O)CvH2v+1优选表示CvH2v+1。在式IIC化合物中，L3和L4优选各自表示F。
优选的式IIA、IIB和IIC化合物阐述于下：
其中alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基。
根据本发明的特别优选的混合物包含一种或多种式IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、II-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIB-2、IIB-11、IIB-16和IIC-1的化合物。
整个混合物中式IIA和/或IIB化合物的比例优选为至少20wt％。
根据本发明的特别优选的介质包含至少一种式IIC-1化合物，
其中alkyl和alkyl*具有以上所述含义，优选量为>3wt％，特别是>5wt％和特别优选5-25wt％。
b)额外包含一种或多种式III化合物的液晶介质，
其中
R31和R32各自彼此独立地表示具有最多12个C原子的直链烷基、烷氧基烷基或烷氧基，和
表示
Z3表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H8-、-CF＝CF-。
优选的式III化合物阐述于下：
其中
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基。
根据本发明的介质优选包含至少一种式IIIa和/或式IIIb的化合物。
在整个混合物中,式III化合物的比例优选为至少5wt％。
c)额外包含一种或多种下式的四环化合物的液晶介质，
其中
R7-10各自彼此独立地具有对于权利要求2中R2A所述含义之一，和
w和x各自彼此独立地表示1至6。
特别优选的是包含至少一种式V-9化合物的混合物。
d)额外包含一种或多种式Y-1至Y-6化合物的液晶介质，
其中R14-R19各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的烷基或烷氧基；z和m各自彼此独立地表示1-6；x表示0、1、2或3。
根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式Y-1至Y-6化合物，优选量为≥5wt％。
e)额外包含一种或多种式T-1至T-21氟化三联苯的液晶介质，
其中
R表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基或具有2-7个C原子的烯基，和m＝0、1、2、3、4、5或6和n表示0、1、2、3或4。
R优选表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。
根据本发明的介质优选以2-30wt％，特别是5-20wt％的量包含式T-1至T-21的三联苯。
特别优选的是式T-1、T-2、T-20和T-21的化合物。在这些化合物中，R优选表示烷基以及烷氧基，其各自具有1-5个C原子。在式T-20的化合物中，R优选表示烷基或烯基，特别是烷基。在式T-21的化合物中，R优选表示烷基。
如果混合物的△n值≥0.1，则三联苯优选在根据本发明的混合物中采用。优选的混合物包含2-20wt％的一种或多种选自化合物T-1至T-21的三联苯化合物。
f)额外包含一种或多种式B-1至B-4联二苯的液晶介质，
其中
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，
alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基,和
alkoxy表示具有1-6个C原子的直链烷氧基。
在整个混合物中,式B-1至B-4的联二苯的比例优选为至少3wt％，特别是≥5wt％。
在式B-1至B-4的化合物中，特别优选式B-2的化合物。
特别优选的联二苯为
其中alkyl*表示具有1-6个C原子的烷基。根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式B-1a和/或B-2c的化合物。
g)包含至少一种式Z-1至Z-7化合物的液晶介质，
其中
R表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基或具有2-7个C原子的烯基，
alkyl表示具有1-6个C原子的烷基，和
(O)alkyl表示烷基或O-烷基。
h)包含至少一种式O-1至O-17化合物的液晶介质，
其中R1和R2具有对于R2A所指明的含义，和式O-17的化合物与式I的化合物不相同。R1和R2优选各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基或R1表示具有1-6个C原子的直链烷基和R2表示具有2-6个C原子的烯基。
优选的介质包含一种或多种式O-1、O-3、O-4、O-5、O-9、O-12、O-14、O-15、O-16和/或O-17的化合物。
根据本发明的混合物非常特别优选包含式O-9、O-12、O-16和/或O-17的化合物，特别地量为5-30wt％。
优选的式O-9和O-17的化合物阐述于下：
根据本发明的介质特别优选包含式O-9a和/或式O-9b的三环化合物以及一种或多种式O-17a至O-17d的双环化合物。式O-9a和/或O-9b化合物以及一种或多种选自式O-17a至O-17d双环化合物的化合物的总比例优选为5-40％，非常特别优选为15-35％。
非常特别优选的混合物包含化合物O-9a和O-17a：
化合物O-9a和O-17a优选以基于整个混合物15-35％，特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。
非常特别优选的混合物包含化合物O-9b和O-17a：
化合物O-9b和O-17a优选以基于整个混合物15-35％，特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。
非常特别优选的混合物包含以下三种化合物：
化合物O-9a、O-9b和O-17a优选以基于整个混合物15-35％，特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。
此外，式O-17优选的化合物为选自下式化合物的化合物
优选在每种情况下，量为≥3wt％，特别是≥10wt％。
i)包含一种或多种式BA的化合物的液晶介质
其中
alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-12个C原子的直链烯基，
表示
Z3表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H8-、-CF＝CF-。
优选的式BA化合物阐述于下：
优选的混合物包含5-60wt％，优选10-55wt％，特别是20-50wt％的式O-17e的化合物。
液晶混合物优选还包含化合物O-17e
和化合物O-17i
优选总量为3-60wt％。
j)优选的根据本发明的液晶介质包含一种或多种含有四氢化萘基或萘基单元的物质，例如式N-1至N-5的化合物，
其中R1N和R2N各自彼此独立地具有对于R2A所述含义，优选表示直链烷基、直链烷氧基或直链烯基，和
Z1和Z2各自彼此独立地表示-C2H4-、-CH＝CH-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-、-O(CH2)3-、-CH＝CHCH2CH2-、-CH2CH2CH＝CH-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2-或单键。
k)优选的混合物包含一种或多种选自式BC的二氟二苯并色满化合物、式CR的色满、式PH-1和PH-2的氟化菲、式BF-1和BF-2的氟化二苯并呋喃，和式BS-1和BS-2的氟化二苯并噻吩的化合物，
其中
RB1、RB2、RCR1、RCR2、R1、R2各自彼此独立地具有R2A的含义。c为0、1或2。d为1或2。R1和R2优选分别彼此独立地表示具有1-6或2-6个C原子的烷基、烷氧基、烯基或烯基氧基。
根据本发明的混合物优选以3-20wt％的量，特别是以3-15wt％的量包含式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1和/或BS-2的化合物。
特别优选的式BC、CR、BF和BS的化合物为化合物BC-1至BC-7和CR-1至CR-5，
其中
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个原子的直链烷基，
alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基，和
alkenyloxy表示具有2-6个C原子的直链烯基氧基。
非常特别优选包含一种、两种或三种式BC-2和/或BF-1a的化合物。
l)优选的混合物包含一种或多种式In的茚化合物，
其中
R11、R12、R13分别各自彼此独立地表示具有1-6个C原子或2-6个C原子的直链烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，
R12和R13额外表示卤素，优选F，
表示
i表示0、1或2。
优选的式In的化合物为阐述于下的式In-1至In-16的化合物：
特别优选的是式In-1、In-2、In-3和In-4的化合物。
式In和子式In-1至In-16的化合物优选以≥5wt％，特别是5-30wt％和非常特别优选5-25wt％的浓度在根据本发明的混合物中采用。
m)优选的混合物额外包含一种或多种式L-1至L-11的化合物，
其中
R、R1和R2各自彼此独立地具有在权利要求2中对于R2A所述含义，和alkyl表示具有1-6个C原子的烷基。s表示1或2。
特别优选式L-1和L-4，特别是L-4的化合物。
式L-1至L-11化合物优选以5-50wt％，特别是5-40wt％和非常特别优选10-40wt％的浓度使用。
n)所述介质额外地包含一种或多种式EY的化合物
其中
R1和R1*各自彼此独立地具有在权利要求2中对于R2A所指明的含义，和
L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2。
在式EY的化合物中，R1和R1*优选表示具有≥2个C原子的烷氧基和L1＝L2＝F。特别优选下式的化合物
o)所述介质额外地包含一种或多种选自下式的化合物：
在式Q-1至Q-9的化合物中，RQ和XQ各自彼此独立地具有权利要求2中R2A的含义。RQ和XQ优选表示具有1-6个C原子，特别是具有2-5个C原子的直链烷基。
特别优选的混合物概念阐述于下：(所用缩写在表1-3和表A中解释。此处n和m各自彼此独立地表示1-6)。
根据本发明的混合物优选包含
-式I的化合物与一种或多种式O-17的化合物，优选与化合物CCH-23，
和/或
-式I的化合物与CCH-25、CCH-34和/或CCH-35，
和/或
-CPY-n-Om，特别是CPY-2-O2、CPY-3-O2和/或CPY-5-O2，优选浓度>5％，特别是10-30％，基于整个混合物，
和/或
-B-nO-Om，优选浓度为1-15，
和/或
-CY-n-Om，优选CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2和/或CY-5-O4，优选浓度为>5％，特别是15-50％，基于整个混合物，
和/或
-CCY-n-Om，优选CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1和/或CCY-5-O2，优选浓度为>5％，特别是10-30％，基于整个混合物，
和/或
-CLY-n-Om，优选CLY-2-O4、CLY-3-O2和/或CLY-3-O3，优选浓度>5％，特别是10-30％，基于整个混合物，
和/或
-CK-n-F，优选CK-3-F、CK-4-F和/或CK-5-F，优选>5％，特别是5-25％，基于整个混合物。
此外优选根据本发明的的混合物包含以下混合物概念：
(n和m各自彼此独立地表示1-6。)
-CPY-n-Om和CY-n-Om，优选浓度为10-80％，基于整个混合物，
和/或
-CPY-n-Om和CK-n-F，优选浓度为10-70％，基于整个混合物，
和/或
-CPY-n-Om和PY-n-Om，优选CPY-2-O2和/或CPY-3-O2和PY-3-O2，优选浓度为10-40％，基于整个混合物，
和/或
-CPY-n-Om和CLY-n-Om，优选浓度为10-80％，基于整个混合物，
和/或
-CC-3-V1，优选量为3–15％
和/或
CC-V-V，优选量为5–60％
和/或
CC-3-V，优选量为5–60％
和/或
PGIY-n-Om，优选量为3-15％,
和/或
CC-n-2V1，优选量为3-20％。
此外本发明涉及基于ECB-、VA-、PS-VA、PVA-、PM-VA、SS-VA、IPS-、PS-IPS-、FFS效应，特别是UB-FFS或PS-FFS-效应、具有有源矩阵寻址的电光显示器，特征在于其含有根据权利要求1-14的一项或多项的液晶介质作为电介质。
根据本发明的液晶介质优选具有≤-20℃至≥70℃的向列相，特别优选≤-30℃至≥80℃，非常特别优选≤-40℃至≥90℃。
表述“具有向列相”此处一方面意指于低温下于相应温度下未观察到近晶相和结晶和另一方面意指自向列相加热未变得清亮。低温研究在流动粘度计中、于相应温度下进行并通过储存于具有相应于至少100小时电光用途的层厚度的测试盒中检验。如果-20℃温度下相应测试盒中的储存能力为1000h或更多，则该介质被称为于该温度下稳定。在-30℃或-40℃的温度下，相应时间分别为500h或250h。高温下，清亮点通过传统方法于毛细管中测量。
液晶混合物优选具有至少60K的向列相范围和于20℃下最多30mm2·s-1的流动粘度ν20。
液晶混合物中双折射值△n通常为0.07-0.16，优选0.08-0.13。
根据本发明的液晶混合物具有-0.5至-8.0的△ε，特别是-2.5至-6.0，其中△ε表示介电各向异性。20℃下旋转粘度γ1优选为≤150mPa·s，特别是≤130mPa·s。
根据本发明的液晶介质具有相对低的阈值电压值(V0)。其优选范围为1.7V-3.0V，特别优选≤2.5V和非常特别优选≤2.3V。
对于本发明，术语“阈值电压”涉及电容阈值(V0)，也称作Freedericks阈值，除非另有明确说明。
另外，根据本发明的液晶介质具有液晶盒中高电压保持率值。
通常，具有低寻址电压或阈值电压的液晶介质展示出比具有更高寻址电压或阈值电压的那些更低的电压保持率，反之亦然。
对于本发明，术语“正介电化合物”表示具有△ε>1.5的化合物，术语“中性介电化合物”表示其中-1.5≤△ε≤1.5的那些和术语“负介电化合物”表示具有△ε<-1.5的那些。此处，化合物的介电各向异性通过在至少一个测试盒中将10％的化合物溶于液晶主体并测定所得混合物的电容而测定，每种情况下测试盒具有20μm的层厚度并在1kHz下具有垂面和沿面表面取向。测量电压通常为0.5V-1.0V，但总是低于所研究的各液晶混合物的电容阈值。
本发明所述全部温度值以℃表示。
根据本发明的混合物适用于全部VA-TFT应用，例如，VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA(聚合物稳定VA)、SS(表面稳定化)-VA和PS-VA(聚合物稳定化VA)。此外它们适用于具有负△ε的IPS(平面内切换)和FFS(边缘场切换)，特别是UB-FFS。
在根据本发明的显示器中的向列液晶混合物通常包含两种成分A和B，它们由一种或多种单独的化合物组成。
成分A具有显著负的介电各向异性并给予向列相≤-0.5的介电各向异性。除了一种或多种式I的化合物，其优选包含式IIA、IIB和/或IIC的化合物、以及式III的化合物。
成分A的比例优选为45-100％，特别是60-100％。
对于成分A，优选选择具有△ε≤-0.8值的一种(或多种)单独的化合物。在整个混合物中A的比例越小，则该值必须越负。
成分B具有显著的向列性(nematogeneity)和20℃下不大于30mm2·s-1，优选不大于25mm2·s-1的流动粘度。
本领域技术人员自文献可知多种适合的物质。特别优选的是式III的化合物。
成分B中特别优选的单个化合物为粘性非常低的向列性液晶，其于20℃下具有不大于18mm2·s-1的流动粘度，优选不大于12mm2·s-1。
成分B为单向转变或互相转变向列相，不具有近晶相并在液晶混合物中降至非常低温时能够防止近晶相的出现。例如，如果在每种情况下将多种高向列性材料加入近晶液晶混合物，则这些材料的向列性可通过所实现近晶相的抑制程度来进行比较。
混合物也可任选包含成分C，其包含具有△ε≥1.5介电各向异性的化合物。这些所谓的正性化合物通常以基于整个混合物≤20wt％的量存在于负介电各向异性混合物中。
如果根据本发明的混合物包含一种或多种具有△ε≥1.5介电各向异性的化合物，则这些优选为一种或多种式P-1和/或P-2的化合物，
其中
R表示各自分别具有1或2至6个C原子的直链烷基、烷氧基或烯基，和
X表示F、Cl、CF3、OCF3、OCHFCF3或CCF2CHFCF3，优选F或OCF3。
式P-1和/或P-2化合物优选以0.5-10wt％，特别是0.5-8wt％的浓度使用于根据本发明的混合物中。
特别优选下式的化合物
其优选以0.5-3wt％的量使用。
另外，这些液晶相也可包含大于18种成分，优选18-25种成分。
除一种或多种式I的化合物之外，该相优选还包含4-15种，特别是5-12种，和特别优选<10种的式IIA、IIB和/或IIC和任选III的化合物。
除式I的化合物和式IIA、IIB和/或IIC以及任选的式III的化合物之外，也可存在其它成分，例如以最多整个混合物的45％，但优选最多35％，特别是最多10％的量存在。
其它成分优选选自向列型或向列性物质，特别是已知物质，来自氧化偶氮苯、苯亚甲基苯胺、联二苯、三联苯、苯基或环己基苯甲酸酯、苯基或环己基环己烷羧酸酯、苯基环己烷、环己基联二苯、环己基环己烷、环己基萘、1,4-双环己基联二苯或环己基嘧啶、苯基-或环己基二氧杂环己烷、任选卤化的均二苯代乙烯、苄基苯基醚、二苯乙炔和取代的肉桂酸酯。
适合作为该类型液晶相成分的最重要化合物可以式IV表征
R20-L-G-E-R21 IV
其中L和E各自表示选自1,4-二取代苯和环己烷环、4,4’-二取代联二苯、苯基环己烷和环己基环己烷体系、2,5-二取代嘧啶和1,3-二氧杂环己烷环、2,6-二取代萘、二和四氢化萘、喹唑啉和四氢化喹唑啉的碳环或杂环体系，
G表示-CH＝CH-、-N(O)＝N-、-CH＝CQ-、-CH＝N(O)-、-C≡C-、-CH2-CH2-、-CO-O-、-CH2-O-、-CO-S-、-CH2-S-、-CH＝N-、-COO-Phe-COO-、-CF2O-、-CF＝CF-、-OCF2-、-OCH2-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-
或C-C单键，Q表示卤素，优选氯，或-CN，且R20和R21各自表示具有最多18个，优选最多8个碳原子的烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或这些基团之一还表示CN、NC、NO2、NCS、CF3、SF5、OCF3、F、Cl或Br。
在这些化合物的大多数中，R20和R21彼此不同，这些基团之一通常为烷基或烷氧基。所提出的取代基的其它变形也是常见的。许多该类物质或其混合物为可商购的。全部这些物质可通过文献已知方法制备。
对于本领域技术人员不言而喻的是根据本发明的VA、IPS或FFS混合物也可包含其中例如H、N、O、Cl和F已被相应的同位素替代的化合物。
可聚合化合物，所谓的反应性介晶(RM)，例如U.S.6,861,107中所公开的，可进一步以基于混合物优选0.01-5wt％，特别优选0.2-2wt％的浓度加入至根据本发明的混合物中。这些混合物也可任选包含引发剂，如U.S.6,781,665中所描述的。引发剂，例如来自BASF的Irganox-1076，优选以0-1％的量加入至包含可聚合化合物的混合物中。该类型混合物可用于所谓的聚合物稳定化VA模式(PS-VA)或PSA(聚合物稳定VA)，其中反应性介晶的聚合意欲发生于液晶混合物中。前提是液晶混合物自身不包含任何可聚合成分，这些可聚合成分同样在式M的化合物聚合的条件下聚合。
所述聚合优选在以下条件下进行：可聚合成分使用在限定时间和施加电压下(通常10至30V交替电压，频率在60Hz至1kHz的范围内)限定强度的UV-A灯在盒中聚合。所采用的UV-A灯源通常是具有50mW/cm2强度的金属-卤化物蒸汽灯或高压汞灯。这些是其中例如含有烯基或烯基氧基侧链的液晶化合物，例如下式的化合物不聚合的条件。
其中n＝2、3、4、5或6，
在本发明的优选实施方案中，可聚合化合物选自式M的化合物
RMa-AM1-(ZM1-AM2)m1-RMb M
其中各基团具有以下含义：
RMa和RMb各自彼此独立地表示P、P-Sp-、H、卤素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基，其中基团RMa和RMb的至少一个优选表示或含有基团P或P-Sp-，
P表示可聚合基团，
Sp表示间隔基团或单键，
AM1和AM2各自彼此独立地表示芳基、杂芳基、脂环基或杂环基，优选具有4-25个环原子，优选C原子，其也包括或可含有稠合环，和其可任选被L单或多取代，
L表示P、P-Sp-、OH、CH2OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)N(Rx)2、-C(＝O)Y1、-C(＝O)Rx、-N(Rx)2、任选取代的甲硅烷基、具有6-20个C原子的任选取代的芳基、或具有1-25个C原子的直链或支链烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中，一个或多个H原子还可被F、Cl、P或P-Sp-替代，优选P、P-Sp-、H、OH、CH2OH、卤素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基，
Y1表示卤素，
ZM1表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-(CH2)n1-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-(CF2)n1-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CH＝CH-、-COO-、-OCO-CH＝CH-、CR0R00或单键，
R0和R00各自彼此独立地表示H或具有1-12个C原子的烷基，
Rx表示P、P-Sp-、H、卤素、具有1-25个C原子的直链、支链或环状烷基，其中，另外，一个或多个不相邻的CH2基团可被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，另外，一个或多个H原子可被F、Cl、P或P-Sp-替代、具有6-40个C原子的任选取代的芳基或芳氧基、或具有2-40个C原子的任选取代的杂芳基或杂芳氧基，
m1表示0、1、2、3或4和
n1表示1、2、3或4，
其中所存在的基团RMa、RMb和取代基L的至少一个，优选一个、两个或三个，特别优选一个或两个表示基团P或P-Sp-或含有至少一个基团P或P-Sp-。
特别优选的式M化合物为其中以下的那些
RMa和RMb各自彼此独立地表示P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF5或具有1-25个C原子的直链或支链烷基，其中，一个或多个不相邻的CH2基团还可各自彼此独立地被-C(R0)＝C(R00)-、-C≡C-、-N(R00)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子还可被F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-替代，其中基团RMa和RMb的至少一个优选表示或含有基团P或P-Sp-，
AM1和AM2各自彼此独立地表示1,4-亚苯基、萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、蒽-2,7-二基、芴-2,7-二基、香豆素、黄酮，其中，这些基团中的一个或多个CH基团还可被N替代，环己烷-1,4-二基，其中，一个或多个不相邻的CH2基团还可被O和/或S替代，1,4-亚环己烯基、二环[1.1.1]戊烷-1,3-二基、二环[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、哌啶-1,4-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、茚-2,5-二基或八氢-4,7-桥亚甲基茚-2,5-二基，其中全部这些基团可为未取代的或被L单或多取代，
L表示P、P-Sp-、OH、CH2OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)N(Rx)2、-C(＝O)Y1、-C(＝O)Rx、-N(Rx)2、任选取代的甲硅烷基、具有6-20个C原子的任选取代的芳基、或具有1-25个C原子的直链或支链烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中，一个或多个H原子还可被F、Cl、P或P-Sp-替代，
P表示可聚合基团，
Y1表示卤素，
Rx表示P、P-Sp-、H、卤素、具有1-25个C原子的直链、支链或环状烷基，其中，一个或多个不相邻的CH2基团还可被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子还可被F、Cl、P或P-Sp-替代，具有6-40个C原子的任选取代的芳基或芳氧基、或具有2-40个C原子的任选取代的杂芳基或杂芳氧基。
非常特别优选的是其中RMa和RMb之一或均表示P或P-Sp-的式M的化合物。
用于根据本发明的液晶介质和PS-VA显示器或PSA显示器的合适并优选的RM例如选自下式：
其中各基团具有以下含义：
P1和P2 各自彼此独立地表示可聚合基团，优选地具有上下文对于P所述含义之一，特别优选丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氧杂环丁基、乙烯氧基或环氧基，
Sp1和Sp2 各自彼此独立地表示单键或间隔基团，优选具有上下文对于Sp所述含义之一，和特别优选-(CH2)p1-、-(CH2)p1-O-、-(CH2)p1-CO-O-或-(CH2)p1-O-CO-O-，其中p1为1-12的整数，和其中在后提及的基团中与相邻环的连接经由O原子发生，其中基团P1-Sp1-和P2-Sp2-之一还可以表示Raa，
Raa 表示H、F、Cl、CN或具有1-25个C原子的直链或支链烷基，其中，一个或多个不相邻的CH2基团还可各自彼此独立地被C(R0)＝C(R00)-、-C≡C-、-N(R0)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子还可被F、Cl、CN或P1-Sp1-替代，特别优选具有1-12个C原子的直链或支链、任选单或多氟化的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基(其中烯基和炔基具有至少两个C原子和支链基团具有至少三个C原子)，
R0、R00 各自彼此独立且每次出现时相同或不同地表示H或具有1-12个C原子的烷基，
Ry和Rz 各自彼此独立地表示H、F、CH3或CF3，
ZM1 表示-O-、-CO-、-C(RyRz)-或-CF2CF2-，
ZM2和ZM3 各自彼此独立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-或-(CH2)n-，其中n为2、3或4，
L 在每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN或具有1-12个C原子的直链或支链、任选单或多氟化的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，优选F，
L'和L" 各自彼此独立地表示H、F或Cl，
r 表示0、1、2、3或4，
s 表示0、1、2或3，
t 表示0、1或2，和
x 表示0或1。
合适的可聚合化合物列于例如表D中。
根据本申请的液晶介质优选包含总计0.1-10％，优选0.2-4.0％，特别优选0.2-2.0％的可聚合化合物。
特别优选的是式M和式RM-1至RM-102的可聚合化合物。
根据本发明的混合物可进一步包含常规添加剂，例如稳定剂、抗氧化剂、UV吸收剂、纳米颗粒、微粒等。
根据本发明的液晶显示器的结构符合通常的几何学，如例如EP-A 0 240 379中所描述的。
以下实施例意欲解释本发明而非对其进行限制。上下文中，百分数数据表示重量百分数；全部温度以摄氏度表示。
贯穿本申请，1,4-亚环己环和1,4-亚苯基环描绘于下：
亚环己基环为反式-1,4-亚环己基环。
贯穿本专利申请和工作实施例，液晶化合物的结构通过缩写的方式表达。除非另有说明，依据表1-3转变为化学式。全部基团CnH2n+1、CmH2m+1和Cm‘H2m‘+1或CnH2n和CmH2m为在每种情况下分别具有n、m、m‘或z个C原子的直链烷基基团或烯基基团。n,m,m‘,z各自彼此独立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12，优选1、2、3、4、5或6。表1中编码各化合物的环单元，表2中列出桥元和表3中指出了化合物左手侧链或右手侧链的符号含义。
表1:环单元
表2：桥元
表3：侧链
除式IIA和/或IIB和/或IIC的化合物和一种或多种式I的化合物之外，根据本发明的混合物还优选包含一种或多种来自以下所指出的表A的化合物。
表A
使用了以下缩写：
(n,m,m’,z：各自彼此独立地为1、2、3、4、5或6；
(O)CmH2m+1是指OCmH2m+1或CmH2m+1)
AIK-n-F
AIY-n-Om
AY-n-Om
B-nO-Om
B-n-Om
B(S)-nO-Om
B(S)-n-Om
CB(S)-n-(O)m
CB-n-m
CB-n-Om
PB-n-m
PB-n-Om
BCH-nm
BCH-nmF
CY(Cl,F)-n-Om
CCY-n-Om
CAIY-n-Om
CCY(F,Cl)-n-Om
CCY(Cl,F)-n-Om
CCY-n-m
CCY-V-m
CCY-Vn-m
CCY-n-OmV
CBC-nmF
CBC-nm
CCP-V-m
CCP-Vn-m
CCP-nV-m
CCP-n-m
CPYP-n-(O)m
CYYC-n-m
CCYY-n-(O)m
CCY-n-O2V
CCH-nOm
CY-n-m
CCH-nm
CC-n-V
CC-n-V1
CC-n-Vm
CC-2V-V2
CC-V-V
CC-V-V1
CVC-n-m
CC-n-mV
CCOC-n-m
CP-nOmFF
CH-nm
CEY-n-Om
CEY-V-n
CVY-V-n
CY-V-On
CY-n-O1V
CY-n-OC(CH3)＝CH2
CCN-nm
CY-n-OV
CCPC-nm
CCY-n-zOm
CPY-n-Om
CPY-n-m
CPY-V-Om
CQY-n-(O)m
CQIY-n-(O)m
CCQY-n-(O)m
CCQIY-n-(O)m
CPQY-n-(O)m
CPQIY-n-(O)m
CPYG-n-(O)m
CCY-V-Om
CCY-V2-(O)m
CCY-1V2-(O)m
CCY-3V-(O)m
CCVC-n-V
CPYG-n-(O)m
CPGP-n-m
CY-nV-(O)m
CENaph-n-Om
COChrom-n-Om
COChrom-n-m
CCOChrom-n-Om
CCOChrom-n-m
CONaph-n-Om
CCONaph-n-Om
CCNaph-n-Om
CNaph-n-Om
CETNaph-n-Om
CTNaph-n-Om
CK-n-F
CLY-n-Om
CLY-n-m
LYLI-n-m
CYLI-n-m
LY-n-(O)m
COYOICC-n-m
COYOIC-n-V
CCOY-V-O2V
CCOY-V-O3V
COY-n-Om
CCOY-n-Om
D-nOmFF
PCH-nm
PCH-nOm
PGIGI-n-F
PGP-n-m
PGIY-n-Om
PP-n-m
PP-n-Om
PP-n-2V1
PP-n-mVk
PPGU-n-F
PYP-n-mV
PYP-n-m
PYP-n-Om
PPYY-n-m
YPY-n-m
YPY-n-mV
PY-n-Om
PY-n-m
PY-V2-Om
C-DFDBF-n-(O)m
COY-1V-Om
COY-V-Om
CCOY-V-Om
CCOY-1V-Om
B-n-m
DFDBC-n(O)-(O)m
Y-nO-Om
Y-nO-OmV
Y-nO-OmVm'
YG-n-Om
YG-nO-Om
YGI-n-Om
YGI-nO-Om
YY-n-Om
YY-nO-Om
YG-VnO-Om
YG-nO-OmV
YY-VnO-Om
根据本发明可使用的液晶混合物以本身常规的方式制备。通常，将以较小量使用的组分的所需量溶解在构成主要成分的组分中，有利地在升高的温度下进行。也可以在有机溶剂中混合组分的溶液，所述有机溶剂例如为在丙酮、氯仿或甲醇中，并在充分混合之后再次移除溶剂，例如通过蒸馏。
通过合适的添加剂，根据本发明的液晶相以它们可在任意类型例如迄今已经公开的ECB-、VAN-、IPS-、GH-或ASM-VA LCD-显示器中使用的方式来改良。
电介质也可进一步包含本领域技术人员已知和描述于文献中的添加剂，例如UV吸收剂、抗氧化剂、纳米颗粒和自由基净化剂。例如，可加入0-15％多色性染料、稳定剂或手性掺杂剂。用于根据本发明混合物的合适稳定剂特别为表B中所列的那些。
例如，可加入0-15％多色性染料以及可加入导电盐，优选乙基二甲基十二烷基4-己氧基苯甲酸铵、四丁基四苯基硼烷酸铵或冠醚的复合盐(参见，例如，Haller等,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,Volume 24,pages 249-258(1973))，以改进导电性或可加入物质以改进介电各向异性、粘性和/或向列相的配向。该类型物质描述于，例如，DE-A 22 09127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430 和28 53 728中。
表B
表B显示了通常加入根据本发明混合物的可能的掺杂剂。混合物优选包含0-10wt％，特别是0.01-5wt％和特别优选0.01-3wt％的掺杂剂。如果所述混合物仅包含一种掺杂剂，其以0.01-4wt％的量，优选0.1-1.0wt％的量采用。
表C
可例如以0-10wt％的量加入根据本发明混合物的稳定剂示于下。
根据本发明的介质特别优选包含770(双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯)，优选量为0.001-5wt％，基于液晶介质。
表D
表D显示了可优选用作根据本发明的LC介质中反应性介晶化合物的示例化合物。如果根据本发明的混合物包含一种或多种反应性化合物，则它们优选以0.01-5wt％的量使用。也可能需要加入引发剂或两种或更多种引发剂的混合物用于聚合。引发剂或引发剂混合物优选以基于混合物0.001-2wt％的量加入。合适的引发剂例如为Irgacure(BASF)或Irganox(BASF)。
在优选实施方案中，根据本发明的混合物包含一种或多种可聚合化合物，优选选自式RM-1至RM-102的可聚合化合物。该类型介质是适合的，特别是，适合用于PS-FFS和PS-IPS应用。表D所示反应性介晶之中，特别优选化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-9、RM-17、RM-42、RM-48、RM-68、RM-87、RM-91、RM-98、RM-99和RM-101。
此外，式M和式RM-1至RM-102的反应性介晶或可聚合化合物适用作稳定剂。在这种情况下，可聚合的化合物不聚合，而相反以>1％的浓度添加至液晶介质。
工作实施例：
以下实施例意欲解释本发明而非对其进行限制。实施例中，m.p.表示熔点和C表示液晶物质以摄氏度表示的清亮点；沸腾温度表示为m.p。此外：C表示晶体固态，S表示近晶相(指数表示相类型)，N表示向列相，Ch表示胆甾相，I表示各向同性相，Tg表示玻璃转变温度。两符号之间的数值表示以摄氏度表示的转变温度。
用于测定式I的化合物光学各向异性△n的主体混合物为商购混合物ZLI-4792(Merck KGaA)。介电各向异性△ε使用商购混合物ZLI-2857测定。待研究化合物的物理数据获自主体混合物在加入待研究化合物之后介电常数的改变并外推至100％所用的化合物。通常，取决于溶解度，将10％待研究化合物溶于主体混合物。
除非另有说明，份数或百分数数据表示以重量计的份数或以重量计的百分数。
上下文中，符号和缩写具有以下含义：
Vo 阈值电压，电容性[V]，20℃下，
△n 20℃和589nm下测量的光学各向异性
△ε 20℃和1kHz下的介电各向异性
cl.p. 清亮点[℃]
K1 弹性常数，20℃下的“斜展”变形[pN]
K3 弹性常数，20℃下的“弯曲”变形[pN]
γ1 20℃下测量的旋转粘度[mPa·s]，通过磁场中旋转方法测定，
LTS 低温稳定性(向列相)，测试盒中测定。
用于测量所述阈值电压的显示器具有间隔为20μm的两个平面平行的外板和在外板的内侧顶部的具有包含SE-1211(Nissan Chemicals)的取向层的电极层，其影响液晶的垂面取向。
除非另有明确说明，本申请中所有浓度涉及相应的混合物或混合物组分。所有物理性质根据“Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals”,Status November 1997,Merck KGaA,Germany测定，并应用于20℃的温度，除非另有说明。
混合物实施例
实施例M1
实施例M2
实施例M3
实施例M4
实施例M5
实施例M6
实施例M7
实施例M8
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M1的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M9
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M10
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M11
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M12
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M13
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M14
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M15
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M16
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M17
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M18
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M19
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M20
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M21
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M22
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M23
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M24
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M3的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M25
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M3的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M26
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M27
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M28
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M29
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M30
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M4的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M31
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M32
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M33
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M4的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M34
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M35
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M36
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M5的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M37
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M38
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M5的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M39
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M40
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M41
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M42
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M43
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M6的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M44
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M6的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M45
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M6的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M46
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M7的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M47
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M7的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M48
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M7的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M49
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M7的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M50
实施例M51
实施例M52
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M51的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M53
实施例M54
实施例M55
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M54的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M56
实施例M57
实施例M58
实施例M59
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M58的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M60
实施例M61
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M60的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M62
实施例M63
实施例M64
实施例M65
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M62的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M66
实施例M67
实施例M68
实施例M69
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M68的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M70
实施例M71
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.75％的根据实施例M70的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合
实施例M72
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M70的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M73
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M70的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合。
根据实施例M73的混合物优选适用于PS-VA应用，特别是2D和3D TV应用。
以上提及的用于PS-VA应用的混合物实施例当然也适用于PS-IPS和PS-FFS应用。
为了改进可靠性，根据实施例M1至M69的混合物可以额外地使用一种或两种选自以下提及的化合物a)至h)的稳定剂稳定：
a)
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)
其中在每种情况下，稳定剂以0.01-0.04％的量加入，基于混合物。
实施例M74
实施例M75
实施例M76
实施例M77
实施例M78
实施例M79
实施例M80
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M60的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合
实施例M81
实施例M82
实施例M83
实施例M84
实施例M85
实施例M86
实施例M87
实施例M88
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M87的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M89
实施例M90
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M89的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合
实施例M91
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M89的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合
实施例M92
实施例M93
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M6的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M94
实施例M95
实施例M96
实施例M95的混合物额外地包含0.001％的下式的化合物
实施例M97
实施例M98
根据实施例M97的混合物额外地使用0.01％的下式的化合物稳定
实施例M99
实施例M100
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M99的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M101
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M77的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M102
实施例M103
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M102的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M104
实施例M105
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M102的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M106
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M7的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M107
实施例M108
实施例M109
实施例M108的混合物额外地包含0.001％的下式的化合物
实施例M110
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M109的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M111
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M108的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合
实施例M112
实施例M113
实施例M114
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M113的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合
实施例M115
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M70的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M116
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M113的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合
实施例M117
实施例M118
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M117的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M119
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M117的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M120
实施例M121
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M120的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合
实施例M122
实施例M123
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M122的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M124
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M122的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M125
实施例M126
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M125的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M127
实施例M128
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M127的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M129
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M127的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M130
实施例M131
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.99％的根据实施例M130的混合物与0.01％的下式的可聚合化合物混合
实施例M132
实施例M133
实施例M134
实施例M135
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M134的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M136
实施例M137
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M136的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M138
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M136的混合物与0.25％的下式的可聚合化合物混合
实施例M139
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M136的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M140
实施例M141
根据实施例M140的混合物额外地包含0.03％的
实施例M142
实施例M143
实施例M144
实施例M145
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M144的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M146
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M144的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M147
实施例M148
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M147的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M149
实施例M150
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M149的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M151
实施例M152
实施例M153
为了制备PS-FFS混合物，将99.7％的根据实施例M152的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M154
实施例M155
根据实施例M152的混合物额外地包含0.04％的下式化合物
以及0.02％的下式化合物
实施例M156
实施例M157
根据实施例M156的混合物额外地包含0.03％的下式的化合物
实施例M158
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M156的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物混合
实施例M159
实施例M160
实施例M161
根据实施例M160的混合物额外地包含0.03％的下式化合物
实施例M162
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M160的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合。
实施例M163
实施例M164
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M163的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合。
实施例M165
根据实施例M163的混合物额外地包含0.03％的下式化合物
实施例M166
实施例M167
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M166的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M168
实施例M169
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.99％的根据实施例M168的混合物与0.01％的下式可聚合化合物混合。
实施例M169
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M168的混合物与0.3％的下式可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合。
实施例M170
实施例M171
实施例M172
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.99％的根据实施例M171的混合物与0.1％的下式的可聚合化合物混合
实施例M173
实施例M174
实施例M175
实施例M176
实施例M177
实施例M178
实施例M179
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M173的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M180
实施例M181
实施例M182
实施例M183
实施例M184
实施例M185
实施例M186
实施例M187
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M186的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M188
实施例M189
实施例M190
实施例M191
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M190的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M192
实施例M193
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M192的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M194
实施例M195
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M194的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M196
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.8％的根据实施例M194的混合物与0.2％的下式的可聚合化合物混合
实施例M197
实施例M198
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.7％的根据实施例M197的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M199
为了制备聚合物稳定的LC混合物，将99.8％的根据实施例M197的混合物与0.2％的下式的可聚合化合物混合
实施例M200
根据实施例M188的混合物额外地包含0.03％的下式的化合物
实施例M201
根据实施例M188的混合物额外地包含0.04％的下式的化合物
以及0.02％的下式的化合物
实施例M202
根据实施例M99的混合物额外地包含0.03％的下式的化合物
实施例M203
根据实施例M99的混合物额外地包含0.04％的下式的化合物
以及0.02％的下式的化合物
实施例M204
实施例M205
根据实施例M204的混合物额外地包含0.03％的下式的化合物
实施例M206
实施例M207
实施例M208
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M207的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M209
实施例M210
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M209的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
实施例M211
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M151的混合物与0.3％的下式的可聚合化合物以及0.001％的Irganox-1076(BASF)混合
Claims (18)
1.基于极性化合物的混合物的液晶介质，其特征在于其包含式I的化合物，
2.根据权利要求1的液晶介质，其特征在于其额外地包含一种或多种选自式IIA、IIB和IIC的化合物的化合物，
其中
R2A、R2B和R2C各自彼此独立地表示H、具有最多15个C原子的烷基或烯基，其为未取代的、被CN或CF3单取代的或被卤素至少单取代的，其中，在这些基团中的一个或多个CH2基团还可被-O-、-S-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，
L1-4各自彼此独立地表示F或Cl，
Z2和Z2’各自彼此独立地表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CH＝CHCH2O-，
p表示1或2，
q表示0或1，和
v表示1-6。
3.根据权利要求1或2的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式III的化合物，
其中
R31和R32各自彼此独立地表示具有最多12个C原子的直链烷基、烷氧基烷基或烷氧基，
表示 或
Z3表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H9-、-CF＝CF-。
4.根据权利要求1-3的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式L-1至L-11的化合物，
其中
R、R1和R2各自彼此独立地具有在权利要求2中对于R2A所指出的含义，和alkyl表示具有1-6个C原子的烷基，和
s表示1或2。
5.根据权利要求1-4的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式T-1至T-21的三联苯，
其中
R表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基或具有2-7个C原子的直链烯基，和
m表示1-6。
6.根据权利要求1-5的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式O-1至O-17的化合物，
其中
R1和R2各自彼此独立地具有在权利要求2中对于R2A所指出的含义，和式O-17的化合物与式I的化合物不相同。
7.根据权利要求1-6的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质额外地包含一种或多种式In的茚化合物，
其中
R11、R12、R13表示分别具有1-6或2-6个C原子的直链烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，
R12和R13还额外地表示卤素，
表示
i表示0、1或2。
8.根据权利要求1-7的一项或多项的液晶介质，其特征在于在整个混合物中式I的化合物的比例为1-30wt％。
9.根据权利要求1-8的一项或多项的液晶介质，其特征在于其额外地包含一种或多种下式化合物的化合物
10.根据权利要求1-9的一项或多项的液晶介质，其特征在于其额外地包含选自以下组的化合物
11.根据权利要求1-10的一项或多项的液晶介质，其特征在于其额外地包含一种或多种选自式BC、CR、PH-1、PH-2、BF-1、BF-2、BS-1和BS-2的化合物的化合物
其中
RB1、RB2、RCR1、RCR2、R1、R2各自彼此独立地具有在权利要求2中R2A的含义，
c表示0、1或2，
d表示1或2，
R1和R2各自彼此独立地表示分别具有1-6或2-6个C原子的烷基、烷氧基、烯基或烯基氧基。
12.根据权利要求1-11的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质包含至少一种可聚合化合物(反应性介晶)。
13.根据权利要求1-12的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述介质包含一种或多种添加剂。
14.根据权利要求1-13的一项或多项的液晶介质，其特征在于所述添加剂选自自由基净化剂、抗氧化剂和/或UV稳定剂。
15.制备根据权利要求1-14的一项或多项的液晶介质的方法，其特征在于将至少一种式I的化合物与至少一种其它液晶化合物混合，并且任选地加入一种或多种添加剂和任选地至少一种可聚合化合物(反应性介晶)。
16.根据权利要求1-14的一项或多项的液晶介质在电光显示器中的用途。
17.具有有源矩阵寻址的电光显示器，其特征在于其含有根据权利要求1-14的一项或多项的液晶介质作为电介质。
18.根据权利要求17的电光显示器，其特征在于其为VA、PSA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、SS-VA、PM-VA、FFS或PS-FFS显示器。
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