TWI691611B - 濺鍍裝置及成膜方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種在將燒結靶材進行濺鍍而成膜的情況時，可使基板面內之膜厚分布均勻地而成膜的濺鍍裝置。 本發明之濺鍍裝置(SM)係具備：真空腔(1)，係具有將原料粉末燒結而成的靶材(31)、和磁鐵單元(4)，係具有被配置於不能旋轉地安裝於真空腔之靶材的上方之同一平面內的複數個磁鐵(41、42)而作用集中存在於濺鍍面(31a)並貫通靶材的洩漏磁場、和旋轉軸(44)，係被配置於通過靶材中心的中心線(CI)上並與磁鐵單元連結、以及驅動馬達(45)，係將旋轉軸進行旋轉驅動，並以使相對於濺鍍面之漏洩磁場的作用區域繞著以靶材中心作為中心的假想圓周上旋轉的方式，來使磁鐵單元旋轉，且進一步具備：傾動手段(5)，係因應於原料粉末之燒結時的靶材的密度分布，以使各磁鐵相對於靶材的上面接近、遠離的方式，來使旋轉軸相對於中心線而傾斜。

Description

濺鍍裝置及成膜方法
本發明係關於濺鍍裝置及成膜方法，更詳細而言，係關於適於以燒結靶材之濺鍍所致之成膜者。
作為大容量的半導體裝置，已知有將記憶體胞於縱方向層積而成的3D(3維)-NAND快閃記憶體。於3D-NAND快閃記憶體之製造工程中，例如，係有作為蝕刻停止層而將氧化鋁膜成膜的工程(例如，參照專利文獻1)。於此種氧化鋁膜之成膜中，通常是使用濺鍍裝置，作為此種濺鍍裝置，係利用使被配置於與靶材之濺鍍面配向之側的磁鐵單元以靶材中心作為旋轉中心進行旋轉的磁控管方式者。此外，作為濺鍍裝置用的靶材，一般是利用將氧化鋁粉末燒結而成者。
在此，係如上述般地，得知在使用具有將原料粉末燒結而成的靶材之濺鍍裝置來將此靶材進行濺鍍而於基板表面成膜的情況時，會在基板面內局部性地產生膜厚變薄的區域。此種膜厚為薄的區域的存在，係由於會在提高膜厚分布均勻性上造成阻礙，因此有必要盡可能地抑制此種區域的產生。因此，本案發明者們，再三努力研究，發現以下見解，亦即：在將原料粉末燒結來製造靶材時，因為製造上的某些原因而會在靶材面內局部性地產生密度為低的區域，起因於此，在將靶材進行濺鍍時，於密度較低的區域之濺鍍速率(每單位時間從靶材表面飛散之濺鍍粒子的量)會局部性地降低。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-25141號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明係以上述見解為基礎而完成者，其課題為，提供一種在使用燒結靶材，將此燒結靶材進行濺鍍而成膜的情況時，可使基板面內之膜厚分布均勻地而成膜的濺鍍裝置及成膜方法。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之濺鍍裝置，其特徵為，係具備：真空腔，係具有將原料粉末燒結而成的靶材、和磁鐵單元，係作為將被濺鍍所侵蝕的靶材面設為濺鍍面，並將靶材的厚度方向設為上下方向，以濺鍍面朝向下方的姿勢使靶材不能旋轉地安裝於真空腔者，而具有被配置於靶材上方的同一平面內的複數個磁鐵，並作用集中存在於濺鍍面並貫通靶材的洩漏磁場、和旋轉軸，係被配置於通過靶材中心的中心線上並與磁鐵單元連結、以及驅動馬達，係將旋轉軸進行旋轉驅動，並以使相對於濺鍍面之漏洩磁場的作用區域繞著以靶材中心作為中心的假想圓周上旋轉的方式，來使磁鐵單元旋轉，且進一步具備：傾動手段，係因應於原料粉末之燒結時的靶材的密度分布，以使各磁鐵相對於靶材的上面接近、遠離的方式，來使旋轉軸相對於中心線而傾斜。
依據本發明，即使因製作上的某些原因而於靶材面內局部性地存在有密度為低的區域，藉由將旋轉軸相對於中心線而傾斜，當磁鐵通過密度為低的區域的上方時，係使磁鐵與靶材之間的距離較短，當通過其他區域的上方時，係使磁鐵與靶材之間的距離較長，來因應於靶材的密度而改變作用於靶材的洩漏磁場的強度，藉此可使當磁鐵單元繞著假想圓周上旋轉時之其周方向整體的濺鍍速率成為大致均勻。其結果，在將燒結靶材進行濺鍍而於基板表面成膜的情況時，可更提昇該基板面內之膜厚分布的均勻性。另外，在局部性地改變作用於靶材的洩漏磁場的強度的情況，雖亦可考慮適當設置所謂的磁分路，但並無法以目視等簡單地判斷靶材中之哪個區域為密度低的區域，因此並不實際。
於本發明中，亦可採用下述構造，亦即：前述傾動手段係具備：基底板，係具備有讓前述旋轉軸插穿的中央開口、和傾動板，係支承較基底板而更往上方突出的旋轉軸的上部、和至少3個傾動軸，係於周方向上空出有間隔地立設於傾動板的下面、以及驅動單元，係被設置於基底板上，經由各傾動軸來使傾動板相對於中心線而傾斜，驅動單元係具備：具有傾斜面，且藉由被設置於基底板上之致動器來沿著基底板移動自如的第1塊體、和藉由伴隨著第1塊體的移動而沿著該傾斜面移動來於上下方向位移的第2塊體、以及被設置於第2塊體並將傾動軸的下端可自由搖動地作納入之納入部，且構成為：起因於任1個納入部伴隨其他的第2塊體的上下方向之位移的反作用力而朝其中一個方向移動，使傾動軸搖動。依據此，若藉由第1塊體的移動而使第2塊體朝上方或下方移動，則藉由使傾動軸搖動而使傾動板傾斜，與此相對應，旋轉軸也會相對於中心線而傾斜。若在此狀態下使磁鐵單元繞著旋轉軸旋轉，則可實現下列構造，亦即：例如，當磁鐵通過密度為低的區域的上方時，係使磁鐵與靶材之間的距離成為較短，當通過其他區域的上方時，係使磁鐵與靶材之間的距離成為較長。
又，為了解決上述課題，本發明係於真空腔內配置將原料粉末燒結而成的靶材與被處理基板，於真空腔內導入濺鍍氣體，對靶材投入電力來將靶材進行濺鍍，而使從靶材飛散的濺鍍粒子附著、堆積於被處理基板表面而成膜的成膜方法，其特徵為，將被濺鍍所侵蝕的靶材面設為濺鍍面，將靶材的厚度方向設為上下方向，並將濺鍍面所面對的方向設為下，藉由具有被配置於靶材上方的同一平面內的複數個磁鐵的磁鐵單元，而作用集中存在於濺鍍面並貫通靶材的洩漏磁場，於以濺鍍所致之成膜中，以使相對於濺鍍面之洩漏磁場的作用區域繞著以靶材中心作為中心的假想圓周上旋轉的方式，來使磁鐵單元以配置於通過靶材中心的中心線上之旋轉軸為中心進行旋轉之裝置中，該成膜方法係包含：在以濺鍍所致之成膜之前，先取得靶材的密度分布的工程、和以使靶材的密度為低之區域與磁鐵之間的距離成為較短，且其他區域與磁鐵之間的距離成為較長的方式，來使旋轉軸相對於中心線而傾斜的工程。於此情況中，前述靶材的密度分布，係可根據被成膜於被處理基板表面的薄膜的膜厚分布所算出。
以下，參照附圖，以將被處理基板W設為矽基板(以下，稱為「基板W」)，將靶材設為原料粉末燒結而成的氧化鋁製，將身為絕緣膜的氧化鋁膜成膜於基板W表面的情況為例，針對本發明之實施形態的成膜方法及濺鍍裝置進行說明。於以下內容中，係設為以第1圖所示的姿勢進行成膜者，且代表上、下的方向之用語，係以第1圖作為基準。
參照第1圖，SM係磁控管方式之濺鍍裝置，此濺鍍裝置SM，係具備區劃出處理室10的真空腔1。於真空腔1之側壁係連接導入濺鍍氣體的氣體管11，氣體管11，係經由質量流控制器12而與氣體源13連通。作為濺鍍氣體，係除了氬等之稀有氣體以外，在進行反應性濺鍍時，亦包含氧氣或水蒸氣等之反應性氣體。於真空腔1的側壁，係連接有與由渦輪分子泵或旋轉泵等所構成之真空排氣手段P相通的排氣管14，在將處理室10真空吸引達特定壓力之後，若將藉由質量流控制器12流量控制後的濺鍍氣體導入至處理室10內，則會使處理室10的壓力保持在大致一定。
於真空腔1的下部，係隔著絕緣構件I1 而配置有平台2。平台2，係具有圖示省略之周知的靜電吸盤，藉由對靜電吸盤的電極從吸盤電源施加吸盤電壓，而可將基板W以該成膜面為上的方式吸附保持在平台2上。於真空腔1之上部係安裝有靶材組件3。靶材組件3，係由靶材31、和經由銦等之黏結材料(圖示省略)被接合於靶材31的上面之背板32所構成，以將靶材31的濺鍍面31a朝向下方的姿勢，使背板32的周緣部隔著絕緣構件I2 安裝於真空腔1的上部。另外，靶材31的製法本身由於可利用周知者，在此係省略詳細的說明。又，於背板32，係形成冷媒循環通路32a，而可於以濺鍍所致之成膜中將靶材31進行冷卻。於靶材31，係經由背板32而連接有作為濺鍍電源E之高頻電源的輸出，而可對靶材31投入高頻電力。另外，濺鍍電源E，係可因應於靶材31的種類而適當選擇，可利用直流電流或直流脈衝電源等。
於靶材組件3的上方係配置磁鐵單元4，使洩漏磁場局部性地作用於靶材31的濺鍍面31a的下方，而可於以濺鍍所致之成膜中捕捉在濺鍍面31a的下方而電離的電子等來將從靶材31飛散的濺鍍粒子有效率地離子化。磁鐵單元4，係具有圓板狀的磁軛41、和環狀地排列設置於磁軛41的下面的複數個第1磁鐵42、以及以包圍第1磁鐵42之周圍的方式來環狀地排列設置的複數個第2磁鐵43。另外，該等磁鐵42、43的配置係可使用周知者。於磁軛41上面的中央，係連結位於通過靶材31中心的中心線CI上的旋轉軸44，將此旋轉軸44藉由驅動馬達45進行旋轉驅動，藉此使相對於濺鍍面31a之漏洩磁場的作用區域繞著以靶材31中心作為中心的假想圓周上旋轉。
在此，在將上述靶材31進行濺鍍而成膜於基板W表面的情況，於密度較低的區域之濺鍍速率(每單位時間從靶材31的濺鍍面31a飛散之濺鍍粒子的量)會局部性降低，因此，有必要盡可能地抑制此情況。因此，於本實施形態中，係設置有傾動手段5，其係因應於原料粉末之燒結時的靶材31的密度分布，以使各磁鐵42、43相對於靶材31的上面而進行接近、遠離的方式，來使旋轉軸44相對於中心線CI而傾斜(參照第2圖)。以下，參照第2圖～第4圖來具體地說明傾動手段5的構造。
傾動手段5，係具備有具備讓旋轉軸44插穿的圓形的中央開口51a的圓形的基底板51。基底板51，係隔著絕緣構件I3 設置於背板32的周緣部的上面。於基底板51的上方係空出有間隔地設置有傾動板52。傾動板52，係由具有大致正六角形的輪廓的中央之基端部521、和於周方向上以等間隔(120度間隔)從基端部521突出至徑方向外方地設置的3根臂部522所構成。於此情況中，於基端部521，係經由軸承521a支承著較基底板51更突出至上方的旋轉軸44的上部。又，於臂部522前端的下面522a，係分別立設有傾動軸53。另一方面，於基底板51上，係經由各傾動軸53來設置有使傾動板52傾斜的3個驅動單元54。
各驅動單元54，係具有相同的形態，若以一個驅動單元54為例進行說明，則驅動單元54係具備第1塊體541與第2塊體542。第1塊體541與第2塊體542，係將長方體的塊體以相對於基底板51的上面而具有相同角度的傾斜面541a、542a的方式來分割所構成，第1塊體541，係以使其下面541b往基底板51的切線方向延伸的方式，來經由第1線性導軌543而被安裝於基底板51上。於此情況中，於第1塊體541，係開設有往切線方向延伸的螺孔541c，於此螺孔541c係螺合有進送螺釘544a。並且，若藉由設置於進送螺釘544a之一端的驅動馬達544b而使進送螺釘544a進行旋轉驅動，則第1塊體541會被第1線性導軌543所引導而沿著切線方向進退(移動)。於此情況中，進送螺釘544a和驅動馬達544b等係構成本實施形態的致動器544。
第2塊體542，係在使其傾斜面542a經由第2線性導軌545來重疊於第1塊體541的傾斜面541a的狀態下，使其之一側面經由第3線性導軌546而被安裝於朝向上方而立設於基底板51上的引導壁51b處。藉此，若使第1塊體541移動，則第2塊體542會被第2及第3線性導軌545、546所引導而於上下方向位移。又，於第2塊體542的上面，係於相對於切線方向而為正交的方向凹設有縱長的收容溝542b，於收容溝542b，係經由第4線性導軌547來設置塊狀的納入部548，於納入部548經由球形接頭531來與傾動軸53的下端連結。藉此，當任何1個第2塊體542位移至上方或下方時，藉由此時的反作用力而使被設置於任何另1個(或2個)的第2塊體542的收容溝542b的納入部548被第4線性導軌547所引導而朝其中一個方向(徑方向)移動，藉此而使傾動軸53以球形接頭531為起點而作搖動。其結果，只要適當調整第1塊體541的移動量，則可使傾動板52朝任意的方向以任意的角度傾斜，與此相對應，可使旋轉軸44相對於中心線CI而傾斜。另外，作為第1～第4之各線性導軌543、545、545、547，由於係可利用周知者，因此在此省略詳細的說明。
上述濺鍍裝置SM，係具有具備有微電腦或序列器等的控制部(圖示省略)，並統籌控制質量流控制器12之運作、真空排氣手段P之運作、濺鍍電源E之運作等。此控制部，係如後述般地取得靶材31的密度分布，因應於所取得的密度分布來求出使傾動板52傾斜的方向及角度，並算出實現此之第1塊體541的移動量來將致動器544進行驅動控制。以下，針對使用有上述濺鍍裝置SM的本發明之實施形態之成膜方法來進行說明。
在成膜之前，先取得靶材31的密布分布。作為該密度分布的取得方法，係並非僅取得靶材31之製造時所測定的密度分布，而亦可根據將該靶材31以第1圖的姿勢進行濺鍍而被成膜於基板W的薄膜(氧化鋁膜)的膜厚分布來算出。控制部，係因應於所取得的密度分布來求出相對於中心線CI而傾斜的旋轉軸44的方向及角度，並為了實現所求出的方向及角度而將致動器544進行驅動控制。於第5圖所示之例中，在靶材31之左側的密度為低的情況時，移動右側的第1塊體541，藉此使第2塊體542於上下方向位移，並藉由該反作用力使被設置於左側的第2塊體542之收容溝542b的納入部548朝徑方向(與紙面正交的方向)移動，藉此而使傾動軸53以球形接頭531為起點而作搖動，其結果，傾動板52係以使其左側下降的方式傾斜，與此相對應，旋轉軸44會相對於中心線CI而傾斜。
在如此般地使旋轉軸44傾斜之後，使用圖示省略的搬送機器人，將基板W搬送至平台2上，藉由平台2將基板W定位並保持。接著，控制質量流控制器12來將氬氣以特定的流量(例如，100～200sccm)導入(此時，處理室10的壓力係成為1.8～2.2Pa)，與此相配合，一邊以作了傾斜的旋轉軸44為中心使磁鐵單元4進行旋轉，一邊從高頻電源E對靶材31投入例如頻率為13.56MHz的高頻電力2kW～5kW，於真空腔1內形成電漿，而將靶材31進行濺鍍。藉由使因濺鍍而飛散的濺鍍粒子附著、堆積於基板W的表面，而於基板W表面成膜氧化鋁膜。
依據本實施形態，即使因製作上的某些原因而於靶材31面內局部性地存在有密度為低的區域，藉由將旋轉軸44相對於中心線CI而傾斜，當磁鐵42、43通過密度為低的區域的上方時，係使磁鐵42、43與靶材31之間的距離成為較短，當通過其他區域的上方時，係使磁鐵42、43與靶材31之間的距離成為較長，而因應於靶材31的密度而改變作用於靶材31的洩漏磁場的強度，藉此可使當磁鐵單元4繞著假想圓周上旋轉時之其周方向整體的濺鍍速率成為大致均勻。其結果，在將燒結靶材31進行濺鍍而成膜於基板W表面的情況時，可更提昇該基板W面內之膜厚分布的均勻性。另外，在局部性地改變作用於靶材31的洩漏磁場的強度的情況，亦可考慮適當設置所謂的磁分路一事，但由於並無法以目視等簡單地判斷靶材31中之哪個區域為密度低的區域，因此並不實際。
接著，為了確認上述效果，使用上述濺鍍裝置SM來進行以下的實驗。於本實驗中，首先作為比較對象，而如第1圖所示般地不使旋轉軸44相對於中心線CI而傾斜(將旋轉軸44配置於中心線CI上)，作為基板W而使用φ300mm的矽基板，並將基板W設定在真空腔1內的平台2，之後，將氬氣以流量200sccm導入至處理室10內(此時之處理室10內的壓力為約2.2Pa)，對氧化鋁製的燒結靶材31投入13.56MHz的高頻電力4kW。藉此，於處理室10內形成電漿，一邊使磁鐵單元4以60rpm的速度進行旋轉，一邊將靶材31進行濺鍍，而於基板W表面將氧化鋁膜作了200sec的成膜。測定所成膜之氧化鋁膜的膜厚分布為2.87%。
取得此膜厚分布作為靶材31表面的密度分布，將膜厚較薄的區域視為靶材密度為低的區域，以使該靶材密度為低的區域與磁鐵之間的距離拉近的方式，如第2圖所示般地相對於中心線CI使旋轉軸44傾斜，之後，以與上述相同的條件對於基板W成膜氧化鋁膜。測定如此般地使旋轉軸44傾斜所成膜之氧化鋁膜的膜厚分布為1.86%，得知可更提昇基板面內之膜厚分布的均勻性。
以上，雖針對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並非限定於上述內容者。於上述實施形態中，雖以使用氧化鋁製的靶材31來將氧化鋁膜成膜的情況為例進行了說明，但在使用其他燒結靶材來將其他的薄膜(絕緣膜)進行成膜的情況中，當然也可適用本發明。
於上述實施形態中，雖以具備有基底板51與傾動板52與傾動軸53與驅動單元54者作為傾動手段5為例進行了說明，但並不限定於此，只要是可使旋轉軸44相對於中心線CI以任意的方向及角度傾斜者都可使用。
CI‧‧‧中心線 SM‧‧‧濺鍍裝置 W‧‧‧被處理基板 1‧‧‧真空腔 31‧‧‧靶材 31a‧‧‧濺鍍面 31b‧‧‧靶材的上面 4‧‧‧磁鐵單元 42、43‧‧‧磁鐵 44‧‧‧旋轉軸 45‧‧‧驅動馬達 5‧‧‧傾動手段 51‧‧‧基底板 51a‧‧‧中央開口 52‧‧‧傾動板 53‧‧‧傾動軸 54‧‧‧驅動單元 541‧‧‧第1塊體 541a‧‧‧傾斜面 542‧‧‧第2塊體 544‧‧‧致動器 548‧‧‧納入部
[第1圖]係展示本發明之實施形態之濺鍍裝置的示意性剖面圖。 [第2圖]係展示使旋轉軸相對於中心線而傾斜的狀態之濺鍍裝置的示意性剖面圖。 [第3圖]係展示第2圖所示之傾動手段的示意性平面圖。 [第4圖](a)係驅動單元的平面圖、(b)係驅動單元的正面圖、(c)係驅動單元的背面圖、及(d)係沿著第4圖(a)所示之A-A線的剖面圖。 [第5圖]係說明使旋轉軸相對於中心線而傾斜的動作的示意圖。
1‧‧‧真空腔
2‧‧‧平台
3‧‧‧靶材組件
4‧‧‧磁鐵單元
5‧‧‧傾動手段
10‧‧‧處理室
11‧‧‧氣體管
12‧‧‧質流控制器
13‧‧‧氣體源
14‧‧‧排氣管
31‧‧‧靶材
31a‧‧‧濺鍍面
31b‧‧‧靶材的上面
32‧‧‧背板
32a‧‧‧冷媒循環通路
41‧‧‧磁軛
42、43‧‧‧磁鐵
44‧‧‧旋轉軸
45‧‧‧驅動馬達
51‧‧‧基底板
51a‧‧‧中央開口
52‧‧‧傾動板
53‧‧‧傾動軸
54‧‧‧驅動單元
521‧‧‧基端部
521a‧‧‧軸承
522‧‧‧臂部
522a‧‧‧臂部前端的下面
541‧‧‧第1塊體
542‧‧‧第2塊體
544b‧‧‧驅動馬達
CI‧‧‧中心線
E‧‧‧濺鍍電源
I1、I2、I3‧‧‧絕緣構件
P‧‧‧真空排氣手段
SM‧‧‧濺鍍裝置
W‧‧‧被處理基板

Claims (4)

  1. 一種濺鍍裝置，其特徵為，具備： 真空腔，係具有將原料粉末燒結而成的靶材、和 磁鐵單元，係作為將被濺鍍所侵蝕的靶材面設為濺鍍面，並將靶材的厚度方向設為上下方向，以濺鍍面朝向下方的姿勢使靶材不能旋轉地安裝於真空腔者，而具有被配置於靶材上方的同一平面內的複數個磁鐵，並作用集中存在於濺鍍面並貫通靶材的洩漏磁場、和 旋轉軸，係被配置於通過靶材中心的中心線上並與磁鐵單元連結、以及 驅動馬達，係將旋轉軸進行旋轉驅動，並以使相對於濺鍍面之漏洩磁場的作用區域繞著以靶材中心作為中心的假想圓周上旋轉的方式，來使磁鐵單元旋轉，且 進一步具備：傾動手段，係因應於原料粉末之燒結時的靶材的密度分布，以使各磁鐵相對於靶材的上面而進行接近、遠離的方式，來使旋轉軸相對於中心線而傾斜。
  2. 如申請專利範圍第1項之濺鍍裝置，其中，前述傾動手段係具備：基底板，係具備有讓前述旋轉軸插穿的中央開口、和傾動板，係支承較基底板而更往上方突出的旋轉軸的上部、和至少3個傾動軸，係於周方向上空出有間隔地立設於傾動板的下面、以及驅動單元，係被設置於基底板上，經由各傾動軸來使傾動板相對於中心線而傾斜， 驅動單元係具備：具有傾斜面，且藉由被設置於基底板上之致動器來沿著基底板移動自如的第1塊體、和藉由伴隨著第1塊體的移動而沿著該傾斜面移動來於上下方向位移的第2塊體、以及被設置於第2塊體並將傾動軸的下端可自由搖動地作納入之納入部，且構成為：起因於任1個納入部伴隨其他的第2塊體的上下方向之位移的反作用力而朝其中一個方向移動，使傾動軸搖動。
  3. 一種成膜方法，其係於真空腔內配置將原料粉末燒結而成的靶材與被處理基板，於真空腔內導入濺鍍氣體，對靶材投入電力來將靶材進行濺鍍，而使從靶材飛散的濺鍍粒子附著、堆積於被處理基板表面而成膜，其特徵為， 將被濺鍍所侵蝕的靶材面設為濺鍍面，將靶材的厚度方向設為上下方向，並將濺鍍面所面對的方向設為下，藉由具有被配置於靶材上方的同一平面內的複數個磁鐵的磁鐵單元，而作用集中存在於濺鍍面並貫通靶材的洩漏磁場，於以濺鍍所致之成膜中，以使相對於濺鍍面之洩漏磁場的作用區域繞著以靶材中心作為中心的假想圓周上旋轉的方式，來使磁鐵單元以配置於通過靶材中心的中心線上之旋轉軸為中心進行旋轉之裝置中， 該成膜方法係包含：在以濺鍍所致之成膜之前，先取得靶材的密度分布的工程、和以使靶材的密度為低之區域與磁鐵之間的距離成為較短，且其他區域與磁鐵之間的距離成為較長的方式，來使旋轉軸相對於中心線而傾斜的工程。
  4. 如申請專利範圍第3項之成膜方法，其中，前述靶材的密度分布，係根據被成膜於被處理基板表面的薄膜的膜厚分布所算出。
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