TWI690910B - 具有熔絲發光二極體之顯示器 - Google Patents

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Abstract

一種具有熔絲發光二極體(LED)之顯示器包含一顯示器基板及經安置於該顯示器基板上之一像素組件陣列。每一像素組件包括一發光二極體及與該發光二極體串聯電連接之一電熔絲。可微轉印像素組件包含：一LED，其具有用於將電力提供至該LED以致使該LED發射光之第一LED電觸點及第二LED電觸點；一熔絲，其具有第一熔絲電觸點及第二熔絲電觸點，該第一熔絲電觸點係與該第一LED電觸點串聯電連接；一第一電極，其經連接至該第二熔絲電觸點；及一第二電極，其經連接至該第二LED電觸點。

Description

具有熔絲發光二極體之顯示器
本發明係關於具有無機發光二極體像素之顯示器。
平板顯示器廣泛地與計算裝置結合使用、用於可攜式裝置中且用於娛樂裝置，諸如電視。此等顯示器通常採用分佈於一顯示器基板上方之複數個像素來顯示影像、圖形或文字。在一彩色顯示器中，每一像素包含發射不同色彩(諸如紅色、綠色及藍色)之光之光發射器。舉例而言，液晶顯示器(LCD)採用液晶來阻擋或透射來自液晶後面之一背光之光，且有機發光二極體(OLED)顯示器依賴於使電流通過回應於該電流而放光之一層有機材料。使用無機發光二極體(LED)之顯示器亦廣泛用於室外標牌且已在一55英吋電視中得以證明。 在一顯示器基板上使用無機微型LED之無機發光二極體顯示器亦係眾所周知的。微型LED可具有小於1 mm²、小於100 µm²或小於50 µm²之一面積或具有足夠小以致對於該顯示器之一無輔助觀測者而言在一設計好觀察距離處不可見之一面積。標題為Optical Systems Fabricated by Printing-Based Assembly 之美國專利8,722,458教示將發光半導體元件、感光半導體元件或聚光半導體元件自一晶圓基板轉移至一目的地基板。 在需要諸多元件之任何應用中，每一元件皆可靠以確保良好製造良率及效能係重要的。主動矩陣控制電路以及受控元件(例如，一光發射器)經受故障。由於不存在完美製造程序，因此任何大型系統可具有缺陷元件。特定而言，無機發光二極體經受製造缺陷，當為LED提供電力時該等缺陷會增加通過該LED之電流量，此導致一非期望亮度、電力使用或系統控制問題。 一非期望電流增加亦可使LED過熱。用以防止此過熱之一種方法係為每一LED像素配備與LED串聯之一電阻器或電阻器群組，如美國專利第9,226,361號中所闡述。美國專利申請公開案第20160057827號揭示用於一照明系統之一LED電路中之一電流限制二極體，該照明系統具有經正向偏壓LED及經反向偏壓LED兩者以及一極性切換裝置。用於感測電流位準且減少電力耗散之電路亦係眾所周知的，舉例而言如美國專利申請公開案第20160057822號及第20160057832號中所教示，此等電路係電壓控制電路，舉例而言如美國專利申請公開案第20160056725號中所闡述。然而，此等方法需要與每一LED相關聯之複雜或昂貴電路組件或者導致光輸出減少。 另一選擇係，為了確保大型多元件系統得以可靠地製造及操作，此等系統可採用冗餘元件。舉例而言，顯示器有時經設計有冗餘光發射器。美國專利第5,621,555號闡述了具有冗餘像素電極及薄膜電晶體以減少缺陷之一LCD。在美國專利第6,577,367號中所闡述之另一方法中，提供一另外像素列或行以替換任何缺陷列或缺陷行。用以改良顯示器良率之一替代方法係使用額外冗餘發光元件，舉例而言針對顯示器中之每一期望光發射器而使用兩個光發射器。美國專利第8,766,970號揭示具有兩個子像素之一像素電路及用以判定是否啟用一子像素(舉例而言另一子像素是否出現故障)之電路。類似地，美國專利第7,012,382號教示包含一主要光源及至少一個冗餘光源的一基於LED照明系統。主要光源係自我啟動且量測該光源之效能以判定是否驅動冗餘光源。當效能量測指示出僅主要光源無法滿足一效能特性時，啟動冗餘光源。一旦做出啟動冗餘光源之決策，便可將第一光系統與冗餘光源組合啟動。美國專利第8,791,474號揭示由一共同電晶體驅動之冗餘微型LED裝置對。WO 2014149864闡述單獨受控微型LED裝置。然而，冗餘發射器之使用係昂貴的且不能解決LED傳導過多電流之問題。 因此，需要可控制或避免由一顯示器中之LED所致的非期望地傳導過多電流之問題的LED像素電路。
本發明包含具有一熔絲發光二極體陣列之一顯示器之實施例。該顯示器包含一顯示器基板，該顯示器基板上、該顯示器基板上方或該顯示器基板中安置有一像素組件陣列。每一像素組件具有至少一個發光二極體及至少一個電熔絲。每一電熔絲串聯電連接至至少一個發光二極體。更詳細而言，一可微轉印像素組件包含：一LED，其具有用於將電力提供至該LED以致使該LED發射光之第一LED電觸點及第二LED電觸點；及一熔絲，其具有第一及第二熔絲電觸點，該第一熔絲電觸點與該第一LED電觸點串聯電連接。一第一電導體連接至該第二熔絲電觸點且一第二電導體連接至該第二LED電觸點。 在另一實施例中，一可微轉印像素組件晶圓包含：一像素晶圓，其具有形成由錨定部分離之一犧牲部分陣列之一經圖案化犧牲層；及複數個像素組件。每一像素組件完全安置於一對應犧牲部分上或上方。 一熔絲係提供過電流保護之一導電犧牲型低電阻電阻器，當一預定電流通過該熔絲時其變得永久不導電。 像素組件可各自包含複數個LED及對應複數個電熔絲，每一電熔絲與一對應LED串聯電連接。該複數個LED可包含在一顯示器之一全彩色像素中形成全彩色像素組件之紅色發光二極體、綠色發光二極體及藍色發光二極體。每一不同色彩之LED可具有一熔絲，該熔絲具有一不同電流額定值。另一選擇係，一單個電熔絲可與多個LED串聯電連接。 可利用一經正向偏壓電壓或一經反向偏壓電壓對LED進行短路電路(舉例而言，當供應電力時，一不適當大電傳導會導致一過電流)測試。若過多電流流動通過LED，則過多電流亦流動通過熔絲，熔絲會被熔斷，且LED將不再在一LED控制電路中操作。 可利用一熔絲控制器來操作、測試顯示器中之LED或使顯示器中之LED變得不導電。熔絲控制器可係提供充足電流以熔斷熔絲來作為一測試之一部分之一電路。在一實施例中，熔絲控制器亦可操作顯示器中之LED以顯示一影像。熔絲控制器可係用於一矩陣尋址顯示器之一被動矩陣顯示器控制器或一主動矩陣顯示器控制器或可係上述顯示器控制器之一部分，且可係或可包含列控制器或行控制器或者列控制器及行控制器兩者。若該熔絲控制器係一主動矩陣顯示器控制器，則像素組件可包含用以提供本端像素資訊儲存及像素控制之一像素控制器。像素控制器電連接至一像素組件中之一或多個LED及熔絲且亦可提供充足電流以使熔絲變得不導電。 LED或熔絲或者LED及熔絲兩者可被提供為在個別封裝中或一起在一個組件中之可微轉印組件。在另一實施例中，LED及熔絲或者多個LED及一或多個熔絲(諸如在一全彩色顯示器像素中)安裝且電連接於與顯示器基板分離、獨立於顯示器基板且與顯示器基板相異之一像素基板上。然後像素基板安裝於顯示器基板上。像素基板亦可係一可微轉印組件。LED、熔絲或像素基板或者LED、熔絲與像素基板之任何組合可被設置於具有連接柱之組件中，該等連接柱達成與一目的地基板(諸如一顯示器基板)上之電導體之電連接，組件被微轉印於目的地基板上。 一種製作一可微轉印像素組件之方法包含提供一像素晶圓，該像素晶圓具有形成由錨定部分離之一犧牲部分陣列之一經圖案化犧牲層。舉例而言藉由微轉印將一或多個LED完全安置於像素晶圓上之一犧牲部分中、一犧牲部分上或一犧牲部分上方。每一LED具有用於將電力提供至該LED以致使該LED發射光之第一LED電觸點及第二LED電觸點。亦將具有第一熔絲電觸點及第二熔絲電觸點一或多個熔絲完全安置於犧牲部分中、犧牲部分上或犧牲部分上方。可藉由微轉印或藉由使用光微影方法使熔絲形成於犧牲部分上方來安置熔絲。至少一個第一熔絲電觸點與第一LED電觸點串聯電連接。提供一第一電導體且將其電連接至第二熔絲電觸點，並且提供一第二電導體且將其電連接至第二LED電觸點。 本發明之實施例提供用以克服一顯示器之LED製造故障且達成簡單偵測、校正及修復之一簡單方式。 在一項態樣中，所揭示技術包含具有熔絲發光二極體(LED)之一顯示器，該顯示器包含：一顯示器基板；及一像素組件陣列，其安置於該顯示器基板上、該顯示器基板上方或該顯示器基板中，每一像素組件包括一發光二極體及與對應發光二極體串聯電連接之一電熔絲。 在特定實施例中，每一像素組件包括複數個LED，該複數個LED串聯電連接或並聯電連接，且電熔絲與全部該複數個LED串聯電連接。 在特定實施例中，每一像素組件包括複數個LED，每一LED具有一單獨電熔絲與LED串聯電連接。 在特定實施例中，每一像素組件包括發射紅色光之一紅色LED、發射綠色光之一綠色LED及發射藍色光之一藍色LED，且其中紅色LED、綠色LED及藍色LED電連接至一共同電連接或其中單獨電熔絲電連接至一共同電連接。 在特定實施例中，每一像素組件包括發射紅色光之一紅色LED、發射綠色光之一綠色LED、發射藍色光之一藍色LED、一紅色電熔絲、一綠色電熔絲及一藍色電熔絲，其中紅色LED與紅色熔絲串聯電連接，綠色LED與綠色熔絲串聯電連接，且藍色LED與藍色熔絲串聯電連接，且紅色熔絲、綠色熔絲及藍色熔絲中之至少一者因不同於紅色熔絲、綠色熔絲或藍色熔絲中之另一者之一電力量而變得不導電。 在特定實施例中，顯示器包含提供充足電力以使每一熔絲變得不導電之一熔絲控制器。 在特定實施例中，熔絲控制器沿一經正向偏壓方向將電力提供至LED。 在特定實施例中，熔絲控制器沿一經反向偏壓方向將電力提供至LED。 在特定實施例中，熔絲控制器提供致使LED陣列顯示一影像之影像控制信號及可使每一熔絲變得不導電之熔絲控制信號。 在特定實施例中，熔絲控制器係一被動矩陣控制器。 在特定實施例中，熔絲控制器係一主動矩陣控制器且其中每一像素組件包括電連接至LED之一像素控制器，該像素控制器包括與熔絲控制器組合而提供充足電力以使每一熔絲變得不導電之電路。 在特定實施例中，熔絲中之一或多者包括並聯連接之單獨導體。 在特定實施例中，顯示器包含：一個列導體陣列，其形成於顯示器基板上、顯示器基板中或顯示器基板上方，該等列導體沿一列方向延伸；及一個行導體陣列，其形成於顯示器基板上、顯示器基板中或顯示器基板上方，該等行導體沿不同於列方向之一行方向延伸，且其中一像素組件電連接至列導體與行導體之每一組合。 在特定實施例中，顯示器包含與每一像素組件並聯地電連接至列導體與行導體之每一組合之一冗餘像素組件，每一冗餘像素組件包括一發光二極體及與發光二極體串聯電連接之一電熔絲。 在特定實施例中，每一像素組件包括與顯示器基板分離、獨立於顯示器基板、與顯示器基板相異之一像素基板，且該等像素基板係安置於顯示器基板上。 在特定實施例中，熔絲、LED或像素組件係設置於一可微轉印組件中。 在特定實施例中，每一像素組件係設置於一可微轉印組件中，且熔絲及LED中之任一者或兩者係設置於一可微轉印組件中。 在特定實施例中，熔絲、LED或像素組件係可替換的。 在另一態樣中，所揭示技術包含一種操作具有熔絲發光二極體(LED)之一顯示器之方法，該方法包含：提供一顯示器，該顯示器包括一顯示器基板及一像素組件陣列，該像素組件陣列安置於該顯示器基板上、該顯示器基板上方或該顯示器基板中，每一像素組件包括一發光二極體及與對應發光二極體串聯電連接之一電熔絲；操作該顯示器以判定該等LED之操作狀態；判定具有一電短路之該等LED；及提供一電流以使其通過該等短路LED且通過串聯電連接至該等短路LED之該等對應熔絲，以使該等熔絲變得不導電。 在特定實施例中，該方法包含：操作該顯示器使得該等LED發射光，量測每一LED之明度，及比較自該等LED發射之該光與一預定期望明度以判定該等LED之該操作狀態。 在特定實施例中，該方法包含：操作該顯示器使得該等LED傳導電流，量測傳導通過每一LED之該電流或者跨越每一LED或像素組件之電壓，及比較傳導通過每一LED之該電流與一預定期望電流以判定該等LED之該操作狀態或比較跨越每一LED或像素組件之該電壓與一預定期望電壓以判定該等LED之該操作狀態。 在特定實施例中，該方法包含：一次操作該顯示器中之全部該等LED，一次操作一列中之全部該等LED且依序操作若干列LED，一次操作一行中之全部該等LED且依序操作若干行LED，或依序操作該等LED。 在特定實施例中，該方法包含：提供一電流以使其一次通過全部該等短路LED及電連接至該等短路LED之對應熔絲，提供一電流以使其一次通過一列或一行中之全部該等短路LED及電連接至該等短路LED之對應熔絲，或依序提供一電流以使其通過該等短路LED及電連接至該等短路LED之對應熔絲中之每一者。 在特定實施例中，該方法包含：沿一經正向偏壓方向提供電流。 在特定實施例中，該方法包含：沿一經反向偏壓方向提供電流。 在特定實施例中，該方法包含：換短路LED及對應熔絲。 在特定實施例中，該方法包含：提供與一短路像素組件並聯之一冗餘像素組件。 在特定實施例中，將操作該顯示器以判定該等LED之該操作狀態且判定具有一電短路之該等LED之該等步驟與提供一電流以使其通過該等短路LED且通過串聯電連接至該等短路LED之該等對應熔絲以使該等熔絲變得不導電設置成一共同步驟。 在另一態樣中，所揭示技術包含一種可微轉印像素組件，該可微轉印像素組件包含：一LED，其具有用於將電力提供至該LED以致使該LED發射光之第一LED電觸點及第二LED電觸點；一熔絲，其具有第一熔絲電觸點及第二熔絲電觸點，該第一熔絲電觸點與該第一LED電觸點串聯電連接；一第一電極，其連接至該第二熔絲電觸點；及一第二電極，其連接至該第二LED電觸點。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件包含第一連接柱及第二連接柱，且其中該第一連接柱電連接至該第一電極或該第二連接柱電連接至該第二電極。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件包含：複數個LED，該複數個LED中之每一LED具有用於將電力提供至該LED以致使該LED發射光之第一LED電觸點及第二LED電觸點；及對應複數個熔絲，每一熔絲具有第一熔絲電觸點及第二熔絲電觸點，每一熔絲之該第一熔絲電觸點與一對應LED之該第一LED電觸點串聯電連接。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件包含該LED、該熔絲、該第一電極及該第二電極安置於上面之一像素基板。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件包含：一像素控制器，該像素控制器電連接至該第一LED電觸點、該第二LED電觸點、該第一熔絲電觸點或該第二熔絲電觸點中之任一者或任何組合。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件包含：第一連接柱及第二連接柱，且其中該第一連接柱電連接至該第一電極或該像素控制器或者其中該第二連接柱電連接至該第二電極或該像素控制器。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件包含：一冗餘LED，該冗餘LED具有用於將電力提供至該冗餘LED以致使該冗餘LED發射光之第一冗餘LED電觸點及第二冗餘LED電觸點；一冗餘熔絲，其具有第一冗餘熔絲電觸點及第二冗餘熔絲電觸點，該第一冗餘熔絲電觸點與該第一冗餘LED電觸點串聯電連接；該第一電極，其連接至該第二冗餘熔絲電觸點；及該第二電極，其連接至該第二冗餘LED電觸點。 在特定實施例中，該熔絲距該LED之一距離大於或等於該LED之長度或寬度之1倍、2倍、3倍、4倍、5倍、10倍或20倍。 在另一態樣中，所揭示技術包含一種製作一可微轉印像素組件之方法，該方法包含：提供一像素晶圓，該像素晶圓具有形成由錨定部分離之一犧牲部分陣列之一經圖案化犧牲層；將一LED完全安置於該像素晶圓上一犧牲部分中、一犧牲部分上或一犧牲部分上方，該LED具有用於將電力提供至該LED以致使該LED發射光之第一LED電觸點及第二LED電觸點；將具有第一熔絲電觸點及第二熔絲電觸點之一熔絲完全安置於該犧牲部分中、該犧牲部分上或該犧牲部分上方；串聯電連接該第一熔絲電觸點與該第一LED電觸點；提供一第一電極且將該第一電極電連接至該第二熔絲電觸點；及提供一第二電極且將該第二電極電連接至該第二LED電觸點。 在特定實施例中，該方法包含：藉由將該LED微轉印於該犧牲部分上或上方而將該LED安置於該犧牲部分上或上方，或者藉由將該熔絲微轉印於該犧牲部分上或上方而將該熔絲安置於該犧牲部分上或上方。 在特定實施例中，該方法包含：將一冗餘LED完全安置於該像素晶圓上該犧牲部分中、該犧牲部分上或該犧牲部分上方，該冗餘LED具有用於將電力提供至該冗餘LED以致使該冗餘LED發射光之第一冗餘LED電觸點及第二冗餘LED電觸點；將具有第一冗餘熔絲電觸點及第二冗餘熔絲電觸點之一冗餘熔絲完全安置於該犧牲部分中、該犧牲部分上或該犧牲部分上方；串聯電連接該第一冗餘熔絲電觸點與該第一冗餘LED電觸點；將第一電極電連接至該第二冗餘熔絲電觸點；及將該第二電極電連接至該第二冗餘LED電觸點。 在另一態樣中，所揭示技術包含一可微轉印像素組件晶圓，該可微轉印像素組件晶圓包含：一像素晶圓，其具有形成由錨定部分離之一犧牲部分陣列之一經圖案化犧牲層；複數個像素組件，每一像素組件完全安置於一對應犧牲部分上或上方，其中該複數個像素組件包括與一短路像素組件並聯之一冗餘像素組件。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件晶圓包含：第一連接柱及第二連接柱，且其中該第一連接柱電連接至第一電極或該第二連接柱電連接至第二電極。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件晶圓包含：複數個LED，該複數個LED中之每一LED具有用於將電力提供至該LED以致使該LED發射光之第一LED電觸點及第二LED電觸點；及對應複數個熔絲，每一熔絲具有第一熔絲電觸點及第二熔絲電觸點，每一熔絲之該第一熔絲電觸點與一對應LED之該第一LED電觸點串聯電連接。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件晶圓包含該LED、該熔絲、第一電導體及第二電導體安置於上面之一像素基板。 在特定實施例中，該可微轉印像素組件晶圓包含一像素控制器，該像素控制器電連接至該第一LED電觸點、該第二LED電觸點、該第一熔絲電觸點或該第二熔絲電觸點中之任一者或任何組合。 在另一態樣中，所揭示技術包含一種操作具有熔絲發光二極體(LED)之一顯示器之方法，該方法包含：提供一顯示器，該顯示器包括一顯示器基板及安置於該顯示器基板上、該顯示器基板上方或該顯示器基板中之一像素組件陣列，每一像素組件包括一發光二極體及與該對應發光二極體串聯電連接之一電熔絲；及提供一電流以使其通過該等像素組件中之一或多者，使具有具一電短路之一LED的該等像素組件中之任一者之該熔絲變得不導電。 在特定實施例中，該方法包含提供一經正向偏壓電流。 在特定實施例中，該方法包含提供一經反向偏壓電流。 在特定實施例中，該方法包含：依序提供一電流以使其一次通過該等像素組件中之每一者，提供一電流以使其一次通過若干列或若干行之該等像素組件，或提供一電流以使其一次通過全部該等像素組件。
本申請案主張2016年3月21日提出申請之標題為Display with Fused LEDs之美國專利申請案第62/311,288號及2017年2月21日提出申請之標題為Display with Fused LEDs之美國專利申請案第15/438,319號的優先權及權益，上述申請案中每一者的內容藉此係以其全文引用的方式併入。 本發明包含具有一熔絲發光二極體(LED) 22陣列之一顯示器10之實施例，如圖1中所圖解說明。顯示器10包含一顯示器基板12與經安置於顯示器基板12上、顯示器基板12上方或顯示器基板12中之一像素組件20陣列。每一像素組件20具有至少一個發光二極體22，及至少一個電熔絲24。每一熔絲24 (舉例而言)係藉助一電極28串聯電連接至至少一個發光二極體22。每一熔絲24可包含用於將電連接提供至熔絲24之熔絲電觸點25。電極28可係或可提供熔絲電觸點25或者熔絲電觸點25可係或可提供電極28之一部分。電極28及熔絲電觸點25係電導體且可係由利用光微影方法、工具及材料而圖案化之金屬製成。 顯示器10可包含經形成於顯示器基板12上、顯示器基板12中或顯示器基板12上方之一個列導體15陣列，列導體15沿一列方向延伸。一個行導體17陣列亦係形成於顯示器基板12上、顯示器基板12中或顯示器基板12上方。行導體17沿不同於列方向之一行方向延伸，且並不直接電連接至列導體15，使得列導體15及行導體17可同時傳導不同電信號。一像素組件20經電連接至列導體15與行導體17之每一組合，以形成經安置於顯示器基板12上或上方之一像素組件20陣列，像素組件20透過一顯示器10中之列導體15及行導體17進行矩陣尋址。一個行控制器16及一個列控制器14透過匯流排18將信號分別提供至行導體17及列導體15，以在顯示器10上顯示影像。在各種實施例中，行導體17及列導體15亦可將測試信號提供至像素組件20，或可使像素組件20中之熔絲24變得不導電。 顯示器基板12可係一玻璃基板、聚合物基板、陶瓷基板或金屬基板，該等基板具有適合於構造列導體15及行導體17且在上面接納或形成像素組件20或像素組件20之元件(諸如LED 22及熔絲24以及電極28)之至少一側。顯示器基板12可具有自5至10 µm、10至50 µm、50至100 µm、100至200 µm、200至500 µm、500 µm至0.5 mm、0.5至1 mm、1 mm至5 mm、5 mm至10 mm或者10 mm至20 mm之一厚度，且可係但不必係透明的。 發光二極體22可係由一半導體材料(諸如一複合半導體(例如，GaN))製成之無機發光二極體。該半導體材料可係結晶。LED 22或熔絲24中之任一者或每一者可具有自2至5 µm、5至10 µm、10至20 µm或20至50 µm之一寬度，具有自2至5 µm、5至10 µm、10至20 µm或20至50 µm之一長度，或具有自2至5 µm、4至10 µm、10至20 µm或20至50 µm之一高度。 列導體15及行導體17可係使用(舉例而言)光微影方法、工具及材料而形成或安置於顯示器基板12上之導電金屬導線。列控制器14及行控制器16可係積體電路且設置於顯示器基板12外部或顯示器基板12上且係使用印刷電路板工具、方法及材料電連接。 熔絲24係在一預定電流通過熔絲時變得永久不導電之一導電元件且係提供過電流保護的一種類型之犧牲型低電阻電阻器。熔絲24之基本組件係當過多電流流動通過熔絲24時熔融、氧化、汽化、昇華，反應或者失去導電性之一低電阻電導體，熔絲24之該基本組件在本文中被稱為熔融部，但本發明之熔絲24並不限於熔融之熔絲24。熔絲24可具有大於LED 22或顯示器10之最大額定操作溫度之一熔融溫度。根據本發明之一實施例，熔絲24包含一金屬導線或條帶。如本文中所使用，變得不導電之一熔絲24係一已熔斷熔絲24且使熔絲24變得不導電之程序係熔斷熔絲24之程序。使一熔絲24達到熔斷程度之電流係其額定電流或電流額定值。在一實施例中，額定電流大於或等於最大期望LED 22電流之2倍、5倍、10倍、20倍、50倍、100倍、500倍或1000倍。 電熔絲24可係以一預定形狀及大小而形成之金屬導線，諸如提供經設計以在傳導一期望電流時熔融之一剖面之一形狀及大小。熔絲24可由(舉例而言)諸如鋅、銅、銀、鋁、鎳、鉻或錫等一種金屬或者包含此等或其他金屬之金屬合金(諸如鎳鉻)製成。在其他實施例中，熔絲24可由經高度摻雜且以類似於一自然金屬之一方式傳導電流之最大程度退化半導體製成。熔絲24可由一半導體製成或製作於一半導體中且可係多晶矽。在一實施例中，熔絲24具有一不同剖面但由與熔絲電觸點25、電極28或LED電觸點23相同之材料製成。熔絲24可具有小或小於其他電導體之剖面之一剖面，熔絲24與該等其他電導體(諸如電極28、LED電觸點23及熔絲電觸點25)串聯電連接。熔絲24可係兩個其他電導體之間的一接點。若LED 22太具導電性(亦即，短路的)，舉例而言若LED 22具有一電短路或短路電路(無論LED 22發射任何光、過多光、過少光還是不發射光)，熔絲24將完全停止傳導任何電流。術語「短路的」或「短路」係指一組件中之一電短路電路，在此情形中係指一像素組件20中之一LED 22。具有一短路LED 22之一像素組件20被稱為一短路像素組件70，如下文所論述。 參考圖2，在一實施例中，一或多個全彩色像素組件21包括複數個LED 22，每一LED 22具有與LED 22串聯電連接之一單獨電熔絲24。如圖2中所展示，全彩色像素組件21中之每一者包含發射紅色光之一紅色LED 22R、發射綠色光之一綠色LED 22G及發射藍色光之一藍色LED 22B (統稱為LED 22)。一全彩色像素組件21亦係一像素組件20。在一實施例中，紅色LED 22R、綠色LED 22G及藍色LED 22B電連接至一共同電連接(如圖5中所展示，下文所闡述)。另一選擇係，單獨電熔絲24電連接至一共同電連接26 (如所展示，連接至行導體17但在另一實施例中連接至列導體15)。此等連接可透過列導體15及行導體17啟用像素組件20之矩陣尋址控制。 此外，不同色彩之紅色LED 22R、綠色LED 22G及藍色LED 22B中之每一者可具有一不同最佳電流或最大期望電流。因此，在一實施例中，紅色LED 22R與一紅色電熔絲(紅色熔絲24R)串聯電連接，綠色LED 22G與一綠色電熔絲(綠色熔絲24G)串聯電連接，且藍色LED 22B與一藍色電熔絲(藍色熔絲24B)串聯電連接，且紅色熔絲24R、綠色熔絲24G及藍色熔絲24B中之至少一者因不同於紅色熔絲24R、綠色熔絲24G或藍色熔絲24B中之另一者之一電力量而變得不導電。因此，熔絲24可針對與之電串聯之特定LED 22進行定製。 參考圖3A，在另一實施例中，像素組件20中之一或多者包括並聯電連接之複數個LED 22。在此實施例中，該複數個LED 22包含紅色LED 22R、綠色LED 22G及藍色LED 22B以形成一全彩色像素組件21。一電熔絲24與共同電連接26共同電連接且與該複數個LED 22中之LED 22中之每一者電串聯。參考圖3B，該複數個LED 22串聯電連接且形成一單色像素組件21。電熔絲24與共同電連接26共同電連接且與串聯連接之LED 22電串聯。此減少必需之熔絲24之數目且仍提供保護以免於電短路LED 22。 在一實施例中，列控制器14及行控制器16控制LED 22以顯示一影像且亦包括一熔絲控制器13，熔絲控制器13提供致使LED 22陣列顯示一影像之影像控制信號及可提供充足電力以測試LED 22或熔斷熔絲24之熔絲控制信號。在一項實施例中，熔絲控制器13沿一經正向偏壓方向將電力提供至LED 22。在另一實施例中，熔絲控制器13沿一經反向偏壓方向將電力提供至LED 22。沿一經正向偏壓方向將電流提供至LED 22及熔絲24以熔斷熔絲24並顯示一影像需要比使用一經正向偏壓電流以顯示一影像且使用一經反向偏壓電流以熔斷熔絲24更簡單之一電路。然而，一經反向偏壓電流可採用一較大電壓(但小於發光二極體之崩潰電壓之一電壓)，使熔絲24對操作參數變得不太敏感。因此，在此實施例中，短路LED 22在小於其他非短路LED 22之反向崩潰電壓之一電壓下傳導一大的經反向偏壓電流以便熔斷短路LED 22之熔絲而不會損壞非短路LED 22。 參考圖4，在一實施例中，熔絲24中之一或多者包含並聯連接之單獨導體。此一配置可提供一更準確受控額定電流。 在本發明之一項實施例中，熔絲控制器13係一被動矩陣控制器，如圖1中所展示。在另一實施例中，參考圖5及圖6，熔絲控制器13 (或列控制器14及行控制器16一起或個別地)係一主動矩陣控制器，且每一像素組件20包括電連接至LED 22且可將主動矩陣像素控制提供至LED 22之一像素控制器32。像素控制器32亦可包含與熔絲控制器13 (或列控制器14及行控制器16一起或個別地)組合地提供充足電力以熔斷每一熔絲24並使其變得不導電之電路。如圖5中所展示，一全彩色像素組件21可包含由像素控制器32控制之紅色LED 22R、綠色LED 22G及藍色LED 22B以及紅色熔絲24R、綠色熔絲24G及藍色熔絲24B，該等熔絲與紅色LED 22R、綠色LED 22G及藍色LED 22B串聯連接、位於像素控制器32與紅色LED 22R、綠色LED 22G及藍色LED 22B之間。紅色LED 22R、綠色LED 22G及藍色LED 22B共同電連接至行導體17。在圖6之實施例中，紅色LED 22R、綠色LED 22G及藍色LED 22B在像素控制器32與紅色熔絲24R、綠色熔絲24G及藍色熔絲24B之間與紅色熔絲24R、綠色熔絲24G及藍色熔絲24B串聯連接。紅色熔絲24R、綠色熔絲24G及藍色熔絲24B共同電連接至行導體17。在兩項實施例中，不同列導體15可電連接至像素控制器32以將主動矩陣控制提供至全彩色像素組件21。另一選擇係，一個列導體15可共同連接且不同行導體17可電連接至像素控制器32以提供主動矩陣控制。如熟習此項技術者將理解，「列」及「行」係在本發明之替代實施例中可交換之任意指定。 如圖1及圖2中所展示，在本發明之一實施例中，LED 22及熔絲24直接安置於一顯示器基板12上。在一替代實施例中且如圖5及圖6中所展示，LED 22及熔絲24安置於與顯示器基板12分離、獨立於顯示器基板12、與顯示器基板12相異之一像素基板30上。然後像素基板30安置於顯示器基板12上。像素基板30之使用可提供更易測試、修復或替換之一更模組化顯示器架構。 參考圖7及圖8，熔絲24、LED 22、像素控制器32或像素組件20中之一或多者被設置於一可微轉印組件中。如圖7中所展示，LED 22具有LED電觸點23以將電力提供至LED 22且致使LED 22發射光。LED電觸點23可係電接觸墊或僅係LED 22之經指定部分。電極28係將LED電觸點23及LED 22電連接至顯示器基板12上之列導體15及行導體17之電導體。視情況，在一實施例中，LED 22具有一下伏像素基板30及使電極28與列導體15或行導體17之間的電連接能夠在微轉印程序期間形成之連接柱40。如圖7之實施例中所展示，熔絲24可利用電連接至電極28之熔絲電觸點25而併入於具有LED 22之一共同可微轉印組件。在一不同實施例中，LED 22設置於獨立於熔絲24且與熔絲24分離之一可微轉印組件中。根據圖25中所圖解說明的本發明之另一實施例，下伏像素基板30包含電連接電極28與連接柱40之導通體44。一黏合劑層19可將像素組件20黏合至顯示器基板12。一囊封層62可囊封圖7及圖25之像素組件20。 如圖8中之另一實施例中所展示，熔絲24係獨立於LED 22之一可微轉印組件。在一選用實施例中，熔絲24具有一下伏像素基板30及使能夠在一微轉印程序期間形成與列導體15或行導體17之電連接的連接柱40。一囊封層62可囊封熔絲24 (未展示)。特定而言，在一實施例中，熔絲24亦可充當在顯示器基板12上方連接在一個行導體17之相對側上之不同列導體15 (如所展示)或連接在一個列導體15之相對側上之不同行導體17(未展示)之一跨接線。可微轉印LED 22、熔絲24或像素組件20可係可移動的或可替換的。在另一實施例中，熔絲24係使用光微影技術而與LED 22分離地形成，舉例而言，係在與電連接至連接柱40之電極28共同之一步驟中形成。 如圖7及圖9之剖面中所展示，參考圖1及圖2之示意性圖解說明且如上文所述，個別發紅色光像素組件20R、發綠色光像素組件20G及發藍色光像素組件20B可係使用微轉印及連接柱40而直接安置於顯示器基板12上以提供LED 22與列導體15及行導體17之間的電連接。另一選擇係，參考圖10且參考圖5、圖6及圖7，一可微轉印像素組件20 (舉例而言，一全彩色像素組件21)包含與顯示器基板12分離、獨立於顯示器基板12且與顯示器基板12相異之一像素基板30。一或多個LED 22安置於像素基板30上，該一或多個LED 22各自具有用於將電力提供至LED 22以致使LED 22發射光之第一LED電觸點23及第二LED電觸點23 (圖7)。一或多個熔絲24各自具有第一熔絲電觸點25及第二熔絲電觸點25。第一熔絲電觸點25與第一LED電觸點23串聯電連接，一第一電極28電連接至第二熔絲電觸點25且一第二電極28電連接至第二LED電觸點23。如圖5及圖6中所展示，像素組件20可係一全彩色像素組件21且可包括複數個LED 22，該複數個LED 22中之每一LED 22具有用於將電力提供至LED 22以致使LED 22發射光之第一LED電觸點23及第二LED電觸點23。對應複數個熔絲24具有第一熔絲電觸點25及第二熔絲電觸點25，該等熔絲電觸點25中之一者與一對應LED 22之一LED電觸點23串聯電連接。如圖10中所展示，全彩色像素組件21包含複數個不同單色彩像素組件20、紅色像素組件20R、綠色像素組件20G及藍色像素組件20B。 在一實施例中，可微轉印像素組件20包含第一連接柱40及第二連接柱40。第一連接柱40電連接至第一電極28或第二連接柱40電連接至第二電極28。因此，在一實施例中，像素組件20、LED 22或熔絲24可微轉印至像素基板30上以形成一全彩色像素組件21且全彩色像素組件21本身可被微轉印。像素組件20亦可包含電連接至LED電觸點23或熔絲電觸點25中之任一者或其任何組合之一像素控制器32。連接柱40可電連接至電極28或像素控制器32中之任一者或其任何組合。圖11係一全彩色像素組件21陣列之一透視圖，全彩色像素組件21各自包含被微轉印於具有一像素控制器32之一像素基板30上之紅色像素組件20R、綠色像素組件20G及藍色像素組件20B。全彩色像素組件21安置於一顯示器10之一顯示器基板12上。 參考圖17A至圖17G，在本發明之一方法中，藉由提供一像素晶圓50而形成一可微轉印像素組件20及像素組件晶圓(圖17A)。使用光微影材料及方法來將一犧牲層52圖案化於像素晶圓50中、像素晶圓50上或像素晶圓50上方以形成由像素晶圓50之若干部分分離之犧牲部分54，從而形成錨定部58 (圖17B)。像素晶圓50可係一基板，諸如一半導體、玻璃、聚合物、金屬或陶瓷晶圓。在犧牲部分54中蝕刻連接柱形態42 (圖17C)。如圖17D中所展示，藉由完全在犧牲部分54上形成或安置一LED 22 (舉例而言，藉由將LED 22自一LED源晶圓微轉印至犧牲部分54上)而提供一LED 22。LED 22具有用於將電力提供至LED 22以致使LED 22發射光之第一LED電觸點23及第二LED電觸點23。在LED 22上形成或者安置一經圖案化介電結構60以保護LED 22及LED電觸點23。諸如電極28等電導體形成為與犧牲部分54上方之LED電觸點23及連接柱形態42電接觸以形成連接柱40。舉例而言，經圖案化介電結構60可係二氧化矽且導電電極28可係使用光微影材料、工具及方法(諸如塗佈、濺鍍或蒸鍍及利用經圖案化光阻劑之蝕刻)而沈積且圖案化之金屬。 將具有第一熔絲電觸點25及第二熔絲電觸點25之一熔絲24完全安置於犧牲部分54中、犧牲部分54上或犧牲部分54上方(圖17E)。在一項實施例中，熔絲24 (或LED 22)係使用光微影程序而形成於像素晶圓50之犧牲部分54上，且可係部分地或完全在與電極28共同之一步驟中且使用相同材料或包含至少某些相同材料而製成。另一選擇係，可藉由自一熔絲源晶圓微轉印熔絲24 (圖8)而提供熔絲24。LED 22及熔絲24中之任一者或兩者可具有連接柱40以在像素基板30中、像素基板30上或像素基板30上方或者在像素組件20中達成電連接。第一熔絲電觸點25 (舉例而言)使用一電極28與第一LED電觸點23串聯電連接。提供一第一電極28且將其電連接至第二熔絲電觸點25，且提供一第二電極28且將其電連接至第二LED電觸點23。在一實施例中，電極28塗佈連接柱形態42以形成連接柱40。 電極28、熔絲24以及第一熔絲電觸點25及第二熔絲電觸點25可係在一個步驟中由共同材料製成，或者可係在一共同步驟中使用光微影而由某些共同材料至少部分地形成。舉例而言，熔絲24可與第一熔絲電觸點25及第二熔絲電觸點25、電極28以及連接柱40之一部分一起形成有一期望剖面。在一以下步驟中，可將額外材料提供至第一熔絲電觸點25及第二熔絲電觸點25、電極28以及連接柱40以與熔絲24相比而增加其等之剖面及導電性。此等元件形成像素組件20且全部在圖17E中展示。在LED 22、電極28及熔絲24上方提供一選用囊封層62 (圖17F)。 可蝕刻犧牲部分54以形成將像素組件20連接至錨定部58之繫鏈56，且在像素組件20與像素晶圓50之間形成一間隙(圖17G)，從而能夠利用一轉印印模來微轉印像素組件20。舉例而言，犧牲部分54可係一個氧化物層或像素晶圓50之一經指定非等向性可蝕刻部分，或者一旦被蝕刻便可係像素組件20與像素晶圓50之間的間隙。在一實施例中，選用囊封層62被圖案化(如所展示)且可包含一種氧化物或氮化物(諸如氮化矽)且可形成繫鏈56之至少一部分。 在另一實施例中，複數個LED 22及熔絲24完全形成或安置於一共同犧牲部分54上方。視情況，一像素控制器32亦(舉例而言)藉由微轉印完全安置於共同犧牲部分54上以形成圖5、圖6、圖10或圖11之全彩色像素組件21結構。像素晶圓50可包含複數個犧牲部分54及安置於犧牲部分54上之對應複數個像素組件20，每一像素組件20具有一或多個LED 22、與一對應LED 22串聯電連接之一或多個熔絲24且視情況具有用於形成與像素組件20之電連接之第一連接柱40及第二連接柱40。 在一項實施例中，可微轉印像素組件20然後被轉印至顯示器基板12以形成圖1、圖2或圖9中所圖解說明之結構。囊封層62及電極28可給像素組件20提供充足機械剛性及結構剛性，使得像素組件20可在無額外支撐之情況下被微轉印。在一實施例中且如圖17G中所展示，犧牲層52提供具有充足機械剛性之一表面以使LED 22、熔絲24或像素控制器32能夠被微轉印於該表面上且能夠使用光微影程序形成電極28。電極28及囊封層62提供足夠機械結構及剛性以達成像素組件20自像素晶圓50之微轉印。另一選擇係，可提供一選用像素基板30，可在像素基板30上安置、微轉印或者形成LED 22、熔絲24、像素控制器32或電極28。參考圖18A，可(舉例而言)在圖17C或圖17D中所圖解說明之步驟之後使用光微影程序、工具及材料而在犧牲部分54上或上方形成一像素基板30 (舉例而言一個氧化物層或氮化物層，諸如一個二氧化矽層)。圖18B圖解說明具有像素基板30之一離型式(released)像素組件20 (對應於圖17G)。 參考圖19，圖解說明一像素組件20陣列，其中矩陣尋址列導體15及矩陣尋址行導體17分別由對應於圖1之列控制器14及行控制器16 (未展示)控制。(在圖19及圖20中，為清晰起見未圖解說明熔絲24。) 虛線列導體15或行導體17未配備有一經正向偏壓電壓差，而中心列導體15及行導體17展示有一較厚粗線以圖解說明其等配備有一經正向偏壓電壓差。在具有功能像素組件20之正常規操作中，中心像素組件20 (以一虛線圓圈指示)將把電流自中心列導體15傳導至中心行導體17並發射光。中心行中之其餘像素組件20不發射光，此乃因對應列導體15不存在電壓差。在中心列中且連接至其他行之其他像素組件20不發射光，此乃因其等經反向偏壓。 參考圖20，然而，若一像素組件20係短路的以形成一短路像素組件70，則將透過該短路像素組件70向短路像素組件70電連接於其中之列提供來自對應行導體17之電力。具有短路像素組件70之中心行及中心列中之像素組件72亦將因此發射光。若除了短路像素組件70之行導體17之外，所有行導體17被供電以自中心列中之像素組件20發射光，則短路像素組件70之列中之所有像素組件20包含將發射光(惟短路像素組件70除外)。因此，短路像素組件70可致使其他功能像素組件20發射光且使顯示器10變得不可用。已經證明具有一短路像素組件70之一列非期望地致使列中之其餘像素發射光且已經證明與短路像素組件70串聯之一導體之移除(在電學上相當於熔斷一熔絲24)防止非期望之光發射。 根據本發明之實施例，可藉由熔斷具有短路LED之短路像素組件70之熔絲24來緩解一顯示器10中之此電短路LED問題。此可以各種方式來達成。在本發明之一種方法中，參考圖12，在步驟100中提供顯示器且在步驟110中操作顯示器，使得像素組件20發射光。在步驟120中，量測每一像素組件20之一操作參數(舉例而言光輸出或通過每一像素組件20之電流)。在步驟130中判定短路像素組件70且在步驟140中熔斷短路像素組件70之熔絲24。 參考圖13，可藉由量測每一像素組件20之光輸出(步驟122)並比較每一像素組件20之光輸出與一所期望光輸出(步驟124)來判定短路像素組件70。短路像素組件70通常不發射光，且可藉由控制與如上文關於圖20所闡述之非發光像素組件20處於一共同列或行中的像素組件20來區分短路像素組件70與斷開像素組件20 (不傳導電流且不發射光之像素組件20)。參考圖14，亦可藉由個別地量測(步驟126)通過每一LED 22之電流並比較所量測電流與一所期望標準(步驟128)來判定短路像素組件70。短路像素組件70可傳導比功能像素組件20更多之電流，舉例而言，在短路像素組件70配備有小於LED 22之所期望電壓降之一電壓差時，在配備有一經反向偏壓電壓差時，或藉由在由一預定操作電壓驅動時，表明一大於預期之電流。在另一實施例中，藉由使一電流通過一短路像素組件70並跨越短路像素組件70量測電壓來判定該短路像素組件70。與可具有超過2伏特之一電壓降之一良好像素組件20相比，一電短路可經量測為一極低電壓降。舉例而言，一電短路可經量測為跨越一短路像素組件70之電力供應線(電力線及接地線)的小於2伏特、小於1.5伏特、小於1.0伏特、小於0.5伏特或小於0.25伏特之一電壓降。 可藉由跨越具有大於LED 22之正常操作電壓但小於崩潰電壓之一電壓之短路像素組件70來提供一經反向偏壓電流而熔斷短路像素組件70之熔絲24，以避免破壞功能像素組件20。另一選擇係，如上文關於圖20所述，一短路像素組件70可傳導足夠電流以驅動一列功能像素組件20。藉由將熔絲24之電流額定值設定為大於操作一單個功能像素組件20所必需之電流但小於操作多個像素組件20所必需之電流之一電流位準，可藉由控制該列以自該列中之所有其他像素組件20發射光來熔斷一短路像素組件70的熔絲24。 可以各種方式操作顯示器10以判定任何短路像素組件70。在一種方式中，依序操作每一LED 22並量測其操作特性。在另一方式中，一次操作一列或一行中之所有LED 22，且依序操作若干列或若干行。在又一方式中，同時操作所有LED 22。 類似地，可以不同方式來熔斷短路像素組件70之熔絲24。在一種方式中，依序熔斷短路像素組件70之每一熔絲24。在另一方式中，一次熔斷一列或一行中之短路像素組件70之所有熔絲24，且依序啟動若干列或若干行。在又一方式中，同時熔斷短路像素組件70之所有熔絲24。舉例而言，藉由給顯示器中之所有像素組件20 (依序地、成列或成行地或者同時全部)提供一經反向偏壓電壓及足夠電流以熔斷熔絲24，所有熔絲24可相繼地、一次成列或成行地或者同時全部被熔斷。(可藉由使用被動矩陣控制或主動矩陣控制中之任一者或兩者熔斷熔絲24。)在另一實例中，藉由一次操作一列或一行中之所有像素組件20，一經正向偏壓低電阻短路像素組件70將傳導比一共同列或一共同行中之正常功能像素組件20更多的電流，且將熔斷短路像素組件70的熔絲24。 在本發明之一實施例中，熔斷一熔絲24之步驟140係與在步驟120中量測操作參數且在步驟130中判定短路LED 22 (短路像素組件70)共同之一步驟，且可甚至係與操作顯示器10相同之步驟110。藉由提供具有一預定電流額定值之一熔絲24，且利用充足電流來將一影像信號或熔絲信號提供至像素組件20，以熔斷一短路像素組件70之熔絲24，且使功能像素組件20操作，內在地比較電流與額定電流(步驟120)，且若一短路像素組件70之熔絲24被熔斷，則已熔斷熔絲24判定電短路像素組件70之短路LED 22。因此，在一實施例中，藉由在步驟110中根據本發明之實施例提供顯示器且然後提供藉由在步驟102中熔斷短路像素組件70之相關聯熔絲24而撤銷啟動顯示器之任何短路像素組件70且使其餘像素組件20起作用之一熔絲信號來使顯示器10變得適當起作用。 一熔絲24之電流額定值可至少部分地取決於熔絲24之溫度。由於一操作LED 22可具有一高溫，因此相關聯熔絲24亦可具有影響其電流額定值之一高溫。因此，參考圖24，熔絲24相對於其對應LED 22之空間位置可經選擇以減少由於LED 22之溫度改變所致之熔絲24電流額定值的改變。如圖24中所展示，一熔絲24位於距其相關聯LED 22一距離D處。相關聯LED 22在顯示器基板12上具有之一長度L及一寬度W (圖1)。在一實施例中，距離D大於或等於長度L或寬度W。在其他實施例中，距離D大於或等於長度L或寬度W之1.5倍、2倍、3倍、4倍、5倍、10倍或20倍。熔絲24之額定電流可經設定以補償LED 22、像素組件20或顯示器10之操作溫度。 一旦一短路像素組件70之熔絲24被熔斷，短路像素組件70便不可傳導電流，且因此不可發射光(若其曾發射光的話)。因此，顯示器10將具有一缺失像素。參考圖15，此可係藉由在步驟150中移除短路LED 22及熔絲24 (舉例而言，一像素組件20中之短路LED 22及熔絲24，諸如圖7中所圖解說明)來校正。可在步驟160中，以一新像素組件20替換經移除短路像素組件70。可手動移除短路像素組件70，且可使用連接柱40或利用光微影方法，將一新像素組件20微轉印至適當位置中並電連接。另一選擇係，參考圖16及圖23，在步驟170中，可添加一冗餘LED 22E及冗餘熔絲24E (舉例而言，在一共同像素組件20中)。可在短路像素組件70被移除之後或之前，添加冗餘像素組件74。因此，在一實施例中且如圖21及圖22中所展示，作為顯示器10製造程序之一部分且在測試顯示器10之前，可為每一像素組件20提供一冗餘像素組件74，並將該冗餘像素組件74與對應像素組件20並聯電連接。 若一LED 22係電斷開的，則一冗餘像素組件74可提供所需光輸出。若LED 22係電短路的，則熔斷短路像素組件70之熔絲24從而提供一已熔斷像素組件76，且冗餘像素組件74提供所需光輸出。因此，如圖21中所展示，顯示器10在一個列導體15及一個行導體17之每一接合點處、在像素組件20位點處包含一冗餘像素組件74。短路像素組件70之熔絲24被熔斷且冗餘像素組件74經操作以提供所需像素發射。若像素組件20及冗餘像素組件74兩者皆起作用，則其等一起皆被操作以一起提供期望光輸出(舉例而言，藉由以期望亮度之一半驅動每一像素組件20及冗餘像素組件74)。若冗餘像素組件74係一短路像素組件70，則冗餘像素組件74之冗餘熔絲24可如上文關於像素組件20所闡述地被熔斷。 列導體15可包含用以在顯示器基板12上方提供一空間之一導電導體延伸部78，冗餘像素組件74可安置於該空間中且電連接至列導體15及行導體17。導體延伸部78可係一電導體(舉例而言，由金屬或與用於列導體15或行導體17相同之材料製成且以相同步驟或使用類似光微影程序製成)，該電導體電連接至列導體15且實質上平行於行導體17。如圖22中所展示，可提供多個導體延伸部78且該等導體延伸部78可實質上平行於列導體15或行導體17。可以與提供且電連接像素組件20類似或相同之步驟來提供且電連接冗餘像素組件74。 如熟習基板及組件佈局技術者將明瞭，像素組件20及冗餘像素組件74之替代配置係可能的，舉例而言如圖22中所圖解說明。 在一替代實施例中且參考圖23，每一像素組件20包含一冗餘LED 22E及與冗餘LED 22E串聯電連接之相關聯冗餘熔絲24E。冗餘LED 22E及冗餘熔絲24E與LED 22及熔絲24並聯電連接。因此本發明之一可微轉印像素組件20包括一冗餘LED 22E，冗餘LED 22E具有用於將電力提供至冗餘LED 22E以致使冗餘LED 22E發射光之第一冗餘LED電觸點23及第二冗餘LED電觸點23。一冗餘熔絲24E具有第一冗餘熔絲電觸點25及第二冗餘熔絲電觸點25。第一冗餘熔絲電觸點25與第一冗餘LED電觸點23串聯電連接。第一電極28連接至第二冗餘熔絲電觸點25且第二電極28連接至第二冗餘LED電觸點23。可以與提供且電連接LED 22及熔絲24類似或相同之步驟來提供且電連接冗餘LED 22E及冗餘熔絲24E。 因此，本發明之方法及結構可達成全功能LED顯示器，諸如併入無機LED之矩陣尋址陣列之顯示器。 在本發明之某些實施例中，LED 22、熔絲24或像素組件20 (下文統稱為元件)具有一薄基板，該薄基板具有僅幾微米之一厚度(舉例而言小於或等於25 µm、小於或等於15 µm或小於或等於10 µm)及5至10 µm、10至50 µm、50至100 µm或100至1000 µm之一寬度或長度。此等可微轉印元件可在一半導體源晶圓(例如，一矽晶圓或GaN晶圓)中被製成，該半導體源晶圓具有用於處置並輸送晶圓之一程序側及一背側。該等元件係使用微影程序而形成於一源晶圓之程序側上或一源晶圓之程序側中之一作用層上。一空離型層空間(對應於圖17G或圖18B中之犧牲部分54)形成於可微轉印元件下面，其中繫鏈56可以下述方式將微轉印元件連接至源晶圓(例如，像素晶圓50、LED源晶圓或熔絲源晶圓)：施加至具有一轉印印模之可微轉印元件之壓力使繫鏈56斷裂以自源晶圓釋放可微轉印元件。然後該等元件被微轉印至一目的地基板，諸如一像素晶圓50或顯示器基板12。可使用積體電路技術中用於在一源晶圓中形成可微轉印元件(舉例而言電晶體、LED、導線及電容器)之微影程序。可使用相同蝕刻及轉印程序以將經組裝或經構造元件微轉印至像素晶圓50或顯示器基板12上。 舉例而言在論文AMOLED Displays using Transfer-Printed Integrated Circuits及上文所參考之美國專利8,889,485中闡述了形成此等可微轉印結構之方法。為了論述微轉印技術，參見美國專利第8,722,458、7,622,367及8,506,867號，該等專利中之每一者藉此以其全文引用方式併入。使用複合微組裝結構及方法之微轉印亦可與本發明搭配使用，舉例而言，如2015年8月10日提出申請的標題為Compound Micro-Assembly Strategies and Devices之美國專利申請案第14/822,868號中所闡述，該申請案藉此以其全文引用方式併入。在一實施例中，像素組件20係一複合微組裝裝置。 根據本發明之各種實施例，像素晶圓50可配備有已經形成之LED 22、離型層(犧牲層52)、繫鏈56及連接柱40，或其等可作為本發明之程序之一部分而被構造。類似地，上有可微轉印LED 22之任何源晶圓可作為本發明之程序之一部分而被構造或轉印。 連接柱40係形成於一可微轉印元件(諸如LED 22、熔絲24或像素組件20)之一側上、通常垂直於元件之一表面而延伸之電連接。此等連接柱40可由金屬形成，諸如鋁、鈦、鎢、銅、銀、金或其他導電金屬。在某些實施例中，連接柱40係由一或多種高彈性係數金屬製成，諸如鎢。如本文中所使用，一高彈性係數係在連接柱40被按壓至一顯示器基板12、列導體15或行導體17中時足以維持連接柱40之功能及結構之一彈性係數(連接柱40可包含如上文所論述之電接觸墊)。 連接柱40可係藉由建立三維結構之重複遮蔽及沈積程序而形成，舉例而言，藉由蝕刻蒸鍍或濺鍍於元件之程序側上之一或多層金屬。此等結構亦可藉由以下步驟製成：在元件表面(例如，犧牲層52)上方形成一層，在該表面中蝕刻一井以形成一連接柱形態42，以諸如金屬等一經圖案化導電材料填充或覆蓋該連接柱形態42，且然後移除該層。連接柱40可具有各種縱橫比且通常具有小於一基座區域之一頂峰區域。連接柱40可具有用於嵌入於電連接至列導體15或行導體17、電極28或熔絲電觸點25之電接觸墊中或刺穿該電接觸墊的一尖點。連接柱40可包含一柱材料，該柱材料塗佈有不同於柱材料之一導電材料。柱材料可係一導電金屬或係一經摻雜或未經摻雜半導體或係一電絕緣聚合物(舉例而言一樹脂、固化樹脂或環氧樹脂)，且可具有各種硬度或彈性係數值中之任一者。在一實施例中，柱材料軟於導電材料，使得導電材料可在連接柱40處於機械壓力下時起皺。另一選擇係，導電材料軟於柱材料，使得導電材料在柱材料處於機械壓力下時在柱材料之前變形。「變形」意指連接柱40、接觸墊或導電材料由於轉印印刷而改變形狀。連接柱40或柱材料可係一半導體材料(諸如矽或GaN)、係藉由自連接柱40周圍蝕刻材料而形成。諸如導電材料等塗層可被蒸鍍或濺鍍於柱材料結構上方且然後進行圖案式蝕刻以形成連接柱40。導電材料可係在一相對低溫度(舉例而言小於120℃)下塑變之一焊料或其他金屬或金屬合金。特定而言，導電材料可具有小於柱材料之熔融點之一熔融點。 在特定實施例中，兩個或多於兩個毗鄰連接柱40包括具有不同高度之一第一連接柱40及一第二連接柱40。在特定實施例中，兩個或多於兩個連接柱40之間的距離在平行於顯示器基板12之一方向上小於接觸墊之一寬度或長度。在特定實施例中，連接柱40被安置成群組，一群組內之連接柱40電連接至一共同接觸墊且不同群組中之連接柱40電連接至不同接觸墊。在特定實施例中，連接柱40被安置成群組且一給定群組內之毗鄰連接柱40之間的一間隔小於毗鄰群組之間的一間隔。在特定實施例中，一群組內之連接柱40係電短路在一起。在特定實施例中，兩個或多於兩個連接柱40中之每一者係一多層連接柱40。在特定實施例中，接觸墊包括與連接柱40中所包含之一材料相同之材料的一材料。 在特定實施例中，接觸墊包括軟於連接柱40之材料之一材料。在特定實施例中，連接柱40包括軟於接觸墊之材料之一材料。在特定實施例中，不同於接觸墊或連接柱40之一材料之一導電材料將接觸墊黏合或電連接或者既黏合又電連接至連接柱40。在特定實施例中，接觸墊之至少一部分具有一第一導電層及一第二導電層，第二導電層位於第一導電層上方，且第二導電層具有比第一導電層低之一熔融溫度。在實施例中，接觸墊塗佈有一不導電層或接觸墊形成於一柔性不導電層上。在特定實施例中，第二導電層係一焊料。在特定實施例中，接觸墊經焊接至連接柱40。在特定實施例中，接觸墊係不平坦的且連接柱40被插入至接觸墊中。 顯示器基板12接觸墊可係由一相對軟金屬製成或包含一相對軟金屬(諸如錫、焊料或基於錫之焊料)以輔助形成與連接柱40之良好電接觸及與元件之良好黏合。如本文中所使用，一軟金屬可係指一連接柱40可被按壓至其中以形成連接柱40與接觸墊之間的一電連接之一金屬。在此配置中，接觸墊可在機械壓力下可塑地變形且塑變以提供連接柱40與接觸墊之間的一良好電連接。 在本發明之另一實施例中，連接柱40可包含一軟金屬且接觸墊包含一高彈性係數金屬。在此配置中，連接柱40可在機械壓力下可塑地變形且塑變以提供連接柱40與接觸墊之間的一良好電連接。 若一選用黏合劑層形成於顯示器基板12上，則連接柱40可受驅動穿過黏合劑層以與黏合劑層下面之接觸墊形成一電連接。黏合劑層可經固化以在存在機械應力之情況下更牢固地黏合元件且維持連接柱40與接觸墊之間的一穩健電連接。黏合劑層可在固化程序期間經受某些收縮，此可進一步加強連接柱40與接觸墊之間的電連接及黏合。 在本發明之替代實施例中，連接柱40與元件之接觸墊接觸、嵌入於元件之接觸墊中或刺穿元件之接觸墊。在其他或額外實施例中，連接柱40及接觸墊中之任一者或兩者或多者變形或起皺成一不平坦形狀，或者變形使得連接柱40及接觸墊之表面與彼此一經接觸旋即改變形狀。變形或起皺可藉由增加連接柱40與接觸墊之間的接觸表面面積而改良連接柱40與接觸墊之間的電連接。為了促進變形，在一實施例中，連接柱40具有軟於接觸墊之組成之一組成或接觸墊具有軟於連接柱40之一組成。 在另一實施例中，接觸墊塗佈有可被圖案化之一選用聚合物層。連接柱40受驅動穿過該聚合物層以與接觸墊形成電接觸。聚合物層可保護接觸墊且用於藉由黏合至連接柱40而將連接柱40嵌入於接觸墊中。另一選擇係，一柔性聚合物層形成於接觸墊下面以在連接柱40嵌入於接觸墊中時促進形成機械接觸。舉例而言，一金屬或含有如金、錫、銀或鋁之金屬合金可形成於一聚合物層上方或者一聚合物層塗佈於一金屬或含有金、錫、銀或鋁之金屬合金上方。柔性聚合物層亦可用於將連接柱40黏合至接觸墊。 在某些實施例中，像素組件20包含形成於一半導體晶圓(舉例而言砷化鎵或矽)中或安置一半導體晶圓上之小積體電路(例如，像素控制器32)或此等小積體電路之總成，該半導體晶圓可具有一結晶結構。針對此等材料之處理技術通常採用高熱及反應性化學物質。然而，藉由採用不會對像素組件20或基板材料施加應力之轉印技術，可使用比薄膜製造程序更良性之環境條件。因此，本發明具有一優點，此乃因不耐受極端處理條件(例如熱、化學或機械程序)之撓性基板(諸如聚合物基板)可用於顯示器基板12或像素組件20。此外，已證明結晶半導體基板具有強機械性質且在大小小時可係相對撓性的且耐受機械應力。此尤其符合具有5 µm、10 µm、20 µm、50 µm或甚至100 µm厚度之基板。另一選擇係，可印刷LED組件10可形成於一微晶、多晶或非晶半導體層中。 本發明之可微轉印元件可使用本技術中所使用之鑄造製作程序來構造。可使用多個材料層，該等材料層包含諸如金屬、氧化物、氮化物等材料及積體電路技術中所使用之其他材料。每一元件可係或包含一完整半導體積體電路且可包含(舉例而言)電晶體。元件可具有不同大小(舉例而言，1000 µm²或10,000 µm²、100,000 µm²或1 mm²或更大大小)且可具有可變縱橫比，舉例而言1:1、2:1、5:1或10:1。元件可係矩形的或可具有其他形狀。 本發明之實施例提供優於先前技術中所闡述之其他印刷方法之優點。藉由採用連接柱40及將可微轉印元件設置於一目的地基板上且將連接柱40設置成毗鄰目的地基板之一印刷方法，提供用於在一目的地基板上方大量印刷元件之一低成本方法。此外，避免了用於將可微轉印元件電連接至目的地基板之額外程序步驟。 可單獨地且在不同時間或以不同時間順序或位置製成且在各種程序狀態中提供元件源晶圓及可微轉印元件、微轉印印模及目的地基板。 可對一單個或多個目的地基板反覆應用本發明之方法。可藉由以下操作將在一高密度下形成於一源晶圓(例如，像素晶圓50)上之一可微轉印元件陣列在一更低密度下轉印至一目的地基板(例如，顯示器基板12)：在可微轉印元件之每一次轉印之間，將可微轉印元件之子陣列自一轉印印模重複地轉印至一目的地基板，且在衝壓操作之間相對地移動轉印印模及目的地基板達等於經轉印子陣列中之選定可微轉印元件之間隔之一距離。實際上，源晶圓可係昂貴的，且尤其在與目的地基板上之可微轉印元件相比時，在源晶圓上形成具有一高密度之可微轉印元件將減少可微轉印元件之成本。 特定而言，在其中主動可微轉印元件係或包含形成於一結晶半導體材料中之一積體電路之情形中，積體電路基板提供充足黏合性、強度及撓性，使得其可在轉印印模被移除時黏合至目的地基板而不會斷裂。 與薄膜製造方法相比，使用經密集充填源基板晶圓且將可微轉印元件轉印至上面僅需要定位一稀疏可微轉印元件陣列一目的地基板不會浪費或不需要一目的地基板上之作用層材料。本發明亦可用於轉印以結晶半導體材料製成之可微轉印元件，該等可微轉印元件具有比薄膜主動組件更高之效能。此外，可降低對本發明之實施例中所使用之一目的地基板平整度、平滑度、化學穩定性及熱穩定性要求，此乃因黏合及轉印程序實質上並不受材料性質及目的地基板限制。製造及材料成本可減少，此乃因昂貴材料(例如，源基板)之利用率高且用於目的地基板之材料減少且處理要求降低。 如熟習此項技術者將理解，術語「上方」及「下方」係相對性術語且可參考本發明中所包含之層、元件及基板之不同定向交換。舉例而言，一第一層位於一第二層上，在某些實施方案中意指一第一層位於一第二層正上方且與該第二層接觸。在其他實施方案中，一第一層位於一第二層上包含在一第一層與一第二層之間具有另一層。 術語列及行係任意的且係相對性指定，且在本發明之實施例中可交換。 已闡述實施例之特定實施方案，熟習此項技術者現在將明瞭可使用併入本發明之概念之其他實施方案。因此，不應將本發明限制於特定實施方案，而是本發明應僅受以下申請專利範圍之精神及範疇限制。 在其中設備及系統經闡述為具有、包含或包括特定組件或程序及方法經闡述為具有、包含或包括特定步驟之說明通篇，另外預期存在基本上由所敘述組件組成或由所敘述組件組成的所揭示技術之設備及系統，且存在基本上由所敘述處理步驟組成或由所敘述處理步驟組成的根據所揭示技術之程序及方法。 應理解，只要所揭示技術保持可操作，各步驟之次序或用於執行特定動作之次序並不重要。此外，在某些情況下可同時進行兩個或多於兩個步驟或動作。已具體參考照本發明之特定實施例詳細地闡述了本發明，但應理解，可在本發明之精神及範疇內實現各種變化及修改。
10‧‧‧顯示器/可印刷發光二極體組件 12‧‧‧顯示器基板 13‧‧‧熔絲控制器 14‧‧‧列控制器 15‧‧‧列導體/矩陣尋址列導體/虛線列導體/中心列導體 16‧‧‧行控制器 17‧‧‧行導體/矩陣尋址行導體/中心行導體 18‧‧‧匯流排 19‧‧‧黏合劑層 20‧‧‧像素組件/可微轉印像素組件/不同單色彩像素組件/離型式像素組件/功能像素組件/中心像素組件/良好像素組件/正常功能像素組件/新像素組件/共同像素組件 20B‧‧‧發藍色光像素組件/藍色像素組件 20G‧‧‧發綠色光像素組件/綠色像素組件 20R‧‧‧發紅色光像素組件/紅色像素組件 21‧‧‧全彩色像素組件/單色像素組件 22‧‧‧熔絲發光二極體/發光二極體/短路發光二極體/電短路發光二極體/非短路發光二極體/可微轉印發光二極體/相關聯發光二極體 22B‧‧‧藍色發光二極體 22E‧‧‧冗餘發光二極體 22G‧‧‧綠色發光二極體 22R‧‧‧紅色發光二極體 23‧‧‧發光二極體電觸點/第一發光二極體電觸點/第二發光二極體電觸點/第一冗餘發光二極體電觸點/第二冗餘發光二極體電觸點 24‧‧‧電熔絲/熔絲/已熔斷熔絲/單獨電熔絲/相關聯熔絲 24B‧‧‧藍色熔絲 24E‧‧‧冗餘熔絲/相關聯冗餘熔絲 24G‧‧‧綠色熔絲 24R‧‧‧紅色熔絲 25‧‧‧熔絲電觸點/第一熔絲電觸點/第二熔絲電觸點/第一冗餘熔絲電觸點/第二冗餘熔絲電觸點 26‧‧‧共同電連接 28‧‧‧電極/第一電極/第二電極/導電電極 30‧‧‧像素基板/下伏像素基板/選用像素基板 32‧‧‧像素控制器 40‧‧‧連接柱/第一連接柱/第二連接柱/多層連接柱 42‧‧‧連接柱形態 44‧‧‧導通體 50‧‧‧像素晶圓 52‧‧‧犧牲層 54‧‧‧犧牲部分/共同犧牲部分 56‧‧‧繫鏈 58‧‧‧錨定部 60‧‧‧經圖案化介電結構 62‧‧‧囊封層 70‧‧‧短路像素組件/經正向偏壓低電阻短路像素組件/經移除短路像素組件 72‧‧‧像素組件 74‧‧‧冗餘像素組件 76‧‧‧已熔斷像素組件 78‧‧‧導電導體延伸部/導體延伸部 100‧‧‧步驟 102‧‧‧步驟 110‧‧‧步驟 120‧‧‧步驟 122‧‧‧步驟 124‧‧‧步驟 126‧‧‧步驟 128‧‧‧步驟 130‧‧‧步驟 140‧‧‧步驟 150‧‧‧步驟 160‧‧‧步驟 170‧‧‧步驟 D‧‧‧距離 L‧‧‧長度 W‧‧‧寬度
藉由參考結合附圖所做之以下說明，本發明之前述及其他目標、態樣、特徵及優點將變得更顯而易見及更好理解，在附圖中： 圖1係具有一經放大圖解說明的本發明之一實施例之一示意性圖解說明； 圖2係具有一經放大圖解說明之本發明之另一實施例之一示意性圖解說明； 圖3A及圖3B係根據本發明之實施例之呈並聯及串聯組態之一個三LED像素電路的示意圖； 圖4係根據本發明之一實施例之一個三線式熔絲之一示意性圖解說明。 圖5及圖6係根據本發明之一實施例之主動矩陣像素之示意性圖解說明； 圖7係根據本發明之一實施例之一像素組件之一剖面； 圖8係根據本發明之一實施例之一熔絲結構之一剖面； 圖9及圖10係根據本發明之替代實施例之顯示器結構之剖面； 圖11係根據本發明之一實施例之一顯示器之一透視圖； 圖12至圖16係圖解說明本發明之方法之流程圖；且 圖17A至圖17G係圖解說明根據本發明之實施例製作一可微轉印像素組件及晶圓之一方法中之步驟的順序剖面； 圖18A及圖18B係圖解說明根據本發明之實施例之具有像素基板之像素組件的剖面； 圖19及圖20係根據本發明之實施例圖解說明本發明之操作的電路圖； 圖21至圖23係圖解說明根據本發明之實施例之冗餘元件的示意圖；且 圖24係圖解說明在根據本發明之一實施例之一像素組件中一熔絲相對於一LED之空間位置之一示意圖；且 圖25係根據本發明之另一實施例之一像素組件之一剖面。 在與圖式結合時，依據下文所陳述之詳細說明，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，其中在通篇中相似元件符號識別對應元件。在圖式中，相似元件符號通常指示相同的、功能上類似及/或結構上類似的元件。各圖並非按比例繪製，此乃因各圖中之各個元件之大小的變化太大，以致不能准許按比例繪示。
10‧‧‧顯示器/可印刷發光二極體組件
12‧‧‧顯示器基板
13‧‧‧熔絲控制器
14‧‧‧列控制器
15‧‧‧列導體/矩陣尋址列導體/虛線列導體/中心列導體
16‧‧‧行控制器
17‧‧‧行導體/矩陣尋址行導體/中心行導體
18‧‧‧匯流排
20‧‧‧像素組件/可微轉印像素組件/不同單色彩像素組件/離型`像素組件/功能像素組件/中心像素組件/良好像素組件/正常功能像素組件/新像素組件/共同像素組件
22‧‧‧熔絲發光二極體/發光二極體/短路發光二極體/電短路發光二極體/非短路發光二極體/可微轉印發光二極體/相關聯發光二極體
24‧‧‧電熔絲/熔絲/已熔斷熔絲/單獨電熔絲/相關聯熔絲
25‧‧‧熔絲電觸點/第一熔絲電觸點/第二熔絲電觸點/第一冗餘熔絲電觸點/第二冗餘熔絲電觸點
28‧‧‧電極/第一電極/第二電極/導電電極

Claims (13)

  1. 一種具有熔絲發光二極體(LED)之顯示器，其包括：一顯示器基板；及一像素組件陣列，其經安置於該顯示器基板上、該顯示器基板上方，或該顯示器基板中，每一像素組件包括：複數個發光二極體，其經並聯電連接，及一共同電熔絲(common electrical fuse)，其係與全部該複數個發光二極體串聯電連接，其中該共同電熔絲係一導電犧牲型低電阻電阻器，當一預定電流通過該共同電熔絲時其變得永久不導電。
  2. 如請求項1之顯示器，其中每一像素組件包括發射紅色光之一紅色LED、發射綠色光之一綠色LED，及發射藍色光之一藍色LED，且其中該紅色LED、該綠色LED及該藍色LED經電連接至一共同電連接。
  3. 如請求項1之顯示器，其包括提供充足電力以使每一共同電熔絲變得不導電之一熔絲控制器。
  4. 如請求項3之顯示器，其中該熔絲控制器沿一經正向偏壓方向將電力提供至該等LED。
  5. 如請求項3之顯示器，其中該熔絲控制器沿一經反向偏壓方向將電力 提供至該等LED。
  6. 如請求項3之顯示器，其中該熔絲控制器提供致使LED陣列顯示一影像之影像控制信號，及可使每一共同電熔絲變得不導電之熔絲控制信號。
  7. 如請求項3之顯示器，其中該熔絲控制器係一被動矩陣控制器。
  8. 如請求項3之顯示器，其中該熔絲控制器係一主動矩陣控制器，且其中每一像素組件包括經電連接至該LED之一像素控制器，該像素控制器包括與該熔絲控制器組合而提供充足電力以使每一共同電熔絲變得不導電之電路。
  9. 如請求項1之顯示器，其中該等共同電熔絲中之一或多者包括並聯連接之單獨(separate)導體。
  10. 如請求項1之顯示器，其中每一像素組件包括與該顯示器基板分離、獨立於該顯示器基板、與該顯示器基板相異(distinct)之一像素基板，且該等像素基板係安置於該顯示器基板上。
  11. 如請求項1之顯示器，其中該等共同電熔絲、該等LED或該等像素組件係設置於一可微轉印組件中。
  12. 如請求項1之顯示器，其中每一像素組件係設置於一可微轉印組件 中，且該等共同電熔絲及該等LED中之任一者或兩者係設置於一可微轉印組件中。
  13. 一種操作具有熔絲發光二極體之一顯示器之方法，其包括：提供一顯示器，該顯示器包括一顯示器基板及一像素組件陣列，該像素組件陣列係安置於該顯示器基板上、該顯示器基板上方或該顯示器基板中，每一像素組件包括經並聯電連接之複數個發光二極體(LED)及與全部該複數個LED串聯電連接之一共同電熔絲；操作該顯示器以判定每一像素組件中之該複數個LED之一操作狀態；判定該像素組件陣列之一或多個LED具有一電短路；及提供一電流以使其通過該一或多個短路LED且通過經串聯電連接至該一或多個短路LED之至少一個的每一共同電熔絲，以使經串聯電連接至該一或多個短路LED之至少一個的每一共同電熔絲變得不導電，其中該共同電熔絲係一導電犧牲型低電阻電阻器，當一預定電流通過該共同電熔絲時其變得永久不導電。
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