TWI686561B - 發熱系統 - Google Patents

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TWI686561B
TWI686561B TW108105891A TW108105891A TWI686561B TW I686561 B TWI686561 B TW I686561B TW 108105891 A TW108105891 A TW 108105891A TW 108105891 A TW108105891 A TW 108105891A TW I686561 B TWI686561 B TW I686561B
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伊藤岳彥
笠木治郎太
吉野英樹
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Abstract

於本發明之發熱系統(1)中,藉由進行增加複數個發熱體單元(16)中之藉由發熱反應而發出過量熱之發熱體單元(16)之發熱反應部位之類的過量熱輸出控制,即便另外存在發熱反應不充分而未發出過量熱之發熱體單元(16),亦可利用確實地發生發熱反應之其他發熱體單元(16)補充相應量之熱之輸出回收,因此,可使用利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元(16)穩定地獲得熱。

Description

發熱系統
本發明係關於一種發熱系統。
近年來,完成有如下發表,即,將利用鈀(Pd)製作之發熱體設置於容器內部,藉由一面向該容器內部供給氘氣一面對容器內部進行加熱而產生發熱反應(例如,參照非專利文獻1及非專利文獻2)。 對於此種利用鈀(Pd)等儲氫金屬、或鈀合金等儲氫合金產生過量熱(較輸入焓高之輸出焓)之發熱現象之機制之詳情,於各國之研究者之間被討論。例如,於非專利文獻3~6中亦報告有產生發熱現象,可認為是現實中產生之物理現象。而且,由於在此種發熱現象中產生過量熱,故而若可控制該發熱現象,則亦可作為有效之熱源利用。 [先前技術文獻] [非專利文獻] [非專利文獻1] A. Kitamura,et.al “Anomalous effects in charging of Pd powders with high density hydrogen isotopes”, Physics Letters A 373 (2009) 3109-3112 [非專利文獻2] A. Kitamura, et.al “Brief summary of latest experimental results with a mass-flow calorimetry system for anomalous heat effect of nano-composite metals under D(H)-gas charging” CURRENT SCIENCE, VOL. 108, NO. 4, p.589-593,2015 [非專利文獻3] Y. Iwamura, T. Itoh, N. Gotoh and I. Toyoda, Fusion Technology, Vol.33, p.476-492,1998. [非專利文獻4] I. Dardik, et al., “Ultrasonically-excited electrolysis Experiments at Energetics Technologies”, ICCF-14 International Conference on Condensed Matter Nuclear Science. 2008. Washington, DC. [非專利文獻5] Y. ARATA and Yue-Chang ZHANG,“Anomalous Difference between Reaction Energies Generated within D2 O-Cell and H2 O-Cell”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 37 (1998) pp. L 1274-L 1276 [非專利文獻6] F. Celani et. al., “Improved understanding of self-sustained, sub-micrometric multicomposition surface Constantan wires interacting with H2 at high temperatures: experimental evidence of Anomalous Heat Effects”, Chemistry and Materials Research, Vol.3 No.12(2013)21
[發明所欲解決之問題] 然而,使用利用儲氫金屬或儲氫合金發熱之非專利文獻1~6所示之技術的發熱體單元存在如下問題,即,有時發熱現象之產生概率較低,又,有時亦產生如下現象,即,即便一次產生過量熱,亦會因某種原因而導致過量熱急遽減少,因此,不一定能夠穩定地獲得預期之熱。 因此,本發明係考慮以上方面而完成者,其目的在於提出一種發熱系統,於如上所述之不穩定之利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元之情形時,可使用該發熱系統穩定地獲得熱。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述課題,技術方案1之發熱系統之特徵在於具備:複數個發熱體單元,其等使用儲氫金屬或儲氫合金,藉由將有助於發熱之氫系氣體供給至容器內部而發出過量熱;及綜合控制部,其進行將各上述發熱體單元加熱並且向各上述發熱體單元內供給上述氫系氣體的發熱控制,並利用輸出回收器回收每一上述發熱體單元所輸出之過量熱;且上述綜合控制部係除未發出過量熱之上述發熱體單元中之發熱控制以外,另外對發出過量熱之其他上述發熱體單元進行如下控制中之至少任一個作為過量熱輸出控制,即,進行該發熱體單元之溫度調整、進行向該發熱體單元內供給之上述氫系氣體之供給控制、或進行該發熱體單元內之壓力控制,藉此,使來自該發熱體單元之過量熱之輸出增大及/或維持。 又,技術方案2之發熱系統之特徵在於具備:複數個發熱體單元,其等使用儲氫金屬或儲氫合金,藉由將有助於發熱之氫系氣體供給至容器內部而發出過量熱;及綜合控制部,其進行將各上述發熱體單元加熱並且向各上述發熱體單元內供給上述氫系氣體的發熱控制,並利用輸出回收器回收每一上述發熱體單元所輸出之過量熱;且上述綜合控制部係除發出過量熱之上述發熱體單元中之發熱控制以外,另外對未發出過量熱之其他上述發熱體單元進行如下控制中之至少任一個作為過量熱輸出控制,即,進行該發熱體單元之溫度調整、進行向該發熱體單元內供給之上述氫系氣體之供給控制、或進行該發熱體單元內之壓力控制,藉此,促使自該發熱體單元輸出過量熱。 又,技術方案3之發熱系統之特徵在於具備:複數個發熱體單元,其等使用儲氫金屬或儲氫合金,藉由將有助於發熱之電解溶液供給至容器內部而發出過量熱;及綜合控制部,其進行將各上述發熱體單元加熱並且向各上述發熱體單元內供給上述電解溶液的發熱控制,並利用輸出回收器回收每一上述發熱體單元所輸出之過量熱;且上述綜合控制部係除未發出過量熱之上述發熱體單元中之發熱控制以外,另外對發出過量熱之其他上述發熱體單元進行如下控制中之至少任一個作為過量熱輸出控制,即,進行該發熱體單元之溫度調整、進行向該發熱體單元內供給之上述電解溶液之供給控制、或進行該發熱體單元內之電解電壓·電流控制,藉此,使來自該發熱體單元之過量熱之輸出增大及/或維持。 又,技術方案4之發熱系統之特徵在於具備:複數個發熱體單元,其等使用儲氫金屬或儲氫合金,藉由將有助於發熱之電解溶液供給至容器內部而發出過量熱;及綜合控制部,其進行將各上述發熱體單元加熱並且向各上述發熱體單元內供給上述電解溶液的發熱控制,並利用輸出回收器回收每一上述發熱體單元所輸出之過量熱;且上述綜合控制部係除發出過量熱之上述發熱體單元中之發熱控制以外,另外對未發出過量熱之其他上述發熱體單元進行如下控制中之至少任一個作為過量熱輸出控制,即,進行該發熱體單元之溫度調整、進行向該發熱體單元內供給之上述電解溶液之供給控制、或進行該發熱體單元內之電解電壓·電流控制,藉此,促使自該發熱體單元輸出過量熱。 又,技術方案11之發熱系統之特徵在於具備:發熱體單元,其使用儲氫金屬或儲氫合金,藉由將有助於發熱之氫系氣體供給至內部而發熱;溫度測定部,其設置於上述發熱體單元,測定該發熱體單元之容器內部及/或容器外壁之溫度;氣體供給控制部,其基於利用上述溫度測定部所獲得之測定結果,決定向上述發熱體單元內供給之上述氫系氣體之供給位置;及氣體供給變更器,其使向上述發熱體單元內供給之上述氫系氣體之供給位置變更為由上述氣體供給控制部所決定之供給位置。 [發明之效果] 根據本發明之技術方案1、3,藉由對複數個發熱體單元中之藉由發熱反應而發出過量熱之發熱體單元進行使過量熱之輸出增大及/或維持之過量熱輸出控制,即便另外存在發熱反應不充分而未發出過量熱之發熱體單元,亦可利用發出過量熱之發熱體單元補充相應量之熱之輸出回收,因此,可使用利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元穩定地獲得熱。 又,根據本發明之技術方案2、4,複數個發熱體單元中即便存在發熱反應不充分而未發出過量熱之發熱體單元,亦可對未發出過量熱之發熱體單元嘗試促使產生發熱反應並輸出過量熱之過量熱輸出控制,並且可利用發出過量熱之發熱體單元補充相應量之熱之輸出回收,因此,可使用利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元穩定地獲得熱。 又,根據本發明之技術方案11,可根據隨著時間經過而變化之發熱體單元之發熱狀況適當地使向發熱體單元內供給之氫系氣體之供給位置變化而輸出過量熱,因此,可使用利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元穩定地獲得熱。
以下,基於圖式對本發明之實施形態進行詳細敍述。 (1)本發明之發熱系統之整體構成 如圖1所示,本發明之發熱系統1具備包含未圖示之CPU(Central Processing Unit,中央處理單元)、RAM(Random Access Memory,隨機存取記憶體)及ROM(Read Only Memory,唯讀記憶體)等之微電腦構成之綜合控制部2。又,發熱系統1具有如下構成,即,相對於模組控制部3a、3b、3c、3d、3e、氣體供給器6、氣體回收器7、熱流體循環器17、及輸出回收器9連接有綜合控制部2,上述模組控制部3a、3b、3c、3d、3e分別控制發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e;上述氣體供給器6將於發熱體單元16中有助於發熱之氫系氣體經由配管10供給至各發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e;上述氣體回收器7自各發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e將氫系氣體經由配管11而回收,並再次輸送至氣體供給器6;上述熱流體循環器17針對每一發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e而設置;輸出回收器9將自各發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e輸出之熱經由配管12a、12b、12c、12d、12e而回收。 再者,於本實施形態之情形時,對如下情形進行敍述,即,作為複數個發熱體單元,對各發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e分別設置1個發熱體單元16,而設置有5個發熱體單元16,但本發明並不限定於此,亦可為2個或3個、10個等其他各種個數之發熱體單元。 綜合控制部2可統括地控制設置於發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e之模組控制部3a、3b、3c、3d、3e、氣體供給器6、氣體回收器7、熱流體循環器17、及輸出回收器9,且以於發熱系統1整體輸出回收器9中之熱之回收成為最高之方式使發熱系統1整體動作。 此處,設置於各發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e之發熱體單元16係將Pd、Ni、Pt、Ti等儲氫金屬、或含有該等元素中之至少任一種之儲氫合金設置於容器內部,藉由一面將氫系氣體供給至容器內部一面進行加熱而引起發熱反應,從而獲得過量熱。 具體而言,發熱體單元16係使用非專利文獻1或非專利文獻2、非專利文獻6、國際公開編號WO2015/008859中揭示之技術之發熱體單元,對於內部構造之詳細構成,係揭示於該等非專利文獻1、2、6、或國際公開編號WO2015/008859中者,由於說明重複故而此處省略其說明。 再者,於本實施形態中,對如下情形進行敍述,即,作為使用儲氫金屬或儲氫合金且藉由將有助於發熱之氫系氣體供給至容器內部而發出過量熱的發熱體單元,將非專利文獻1、2、6或國際公開編號WO2015/008859設為發熱體單元,但本發明並不限定於此,只要為使用儲氫金屬或儲氫合金且藉由將有助於發熱之氫系氣體供給至容器內部而發出過量熱者,則亦可將其他各種非專利文獻或專利文獻之構成設為發熱體單元。 此種發熱體單元16係以藉由經由各發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e進行發熱控制而於發熱體單元16內發出過量熱為前提,但其中亦存在因某種原因導致發熱反應不穩定之情況,有亦產生不發出過量熱之發熱體單元之虞。 此時,對於不發出過量熱之發熱體單元,有時雖然進行最佳之發熱控制但未引起發熱反應,因此,其原因不明,有時即便於該時間點進行變更氫系氣體之供給控制等,亦難以引起發熱反應。 因此,本發明之發熱系統1以如下方式構成,即,對未發出過量熱之發熱體單元16直接使發熱控制持續,並且對發出過量熱之發熱體單元16進行過量熱輸出控制,即,進行與發熱控制不同之發熱體單元之溫度調整、或氫系氣體之供給控制、發熱體單元內之壓力控制等,使來自發熱體單元之過量熱之輸出增大及/或維持,謀求發出過量熱之發熱體單元16中之發熱反應之活性化來補充可能於未發出過量熱之發熱體單元16中獲得之熱。 再者,於本實施形態之情形時,對於模組控制部3a、3b、3c、3d、3e、及發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e,由於均具有相同之構成,故而此處,著眼於模組控制部3a及發熱體模組4a,於下文進行說明。 又,作為發熱輔助流體之氫系氣體係重水氣體、氘氣、氕氣、或輕水氣體,可根據設置於各發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e之發熱體單元16之種類而適當變更。 氣體供給器6可依照來自綜合控制部2之命令將儲罐(未圖示)內之氫系氣體、或自氣體回收器7接收到之氫系氣體供給至各發熱體模組4a、4b、4c、4d、4e。發熱體模組4a可依照來自模組控制部3a之命令,藉由周邊機器15進行向發熱體單元16供給之氫系氣體之供給量之控制、或於發熱體單元16內供給氫系氣體之供給位置(高度位置)之選擇、發熱體單元16內之壓力控制、發熱體單元16之加熱溫度控制等,而以發熱體單元16發出過量熱之方式進行發熱控制。 再者,於本實施形態之情形時,模組控制部3a可接收由綜合控制部2配合其他發熱體模組4b、4c、4d、4e之發熱體單元16之發熱狀態所決定之命令,並依照來自綜合控制部2之命令對成為控制對象之發熱體模組4a執行特定之動作。 設置於發熱體模組4a之周邊機器15藉由依照來自模組控制部3a之命令之供給方法將自氣體供給器6供給之氫系氣體向發熱體單元16內供給。又,周邊機器15形成為可將於發熱體單元16內使用之氫系氣體自該發熱體單元16內輸送至氣體回收器7,並於發熱體單元16內使氫系氣體循環。再者,周邊機器15例如可獲得發熱體單元16內所生成之產生氣體之分析結果,並將其作為分析資料送出至對應之模組控制部3a。 進而,周邊機器15形成為於將氫系氣體供給至發熱體單元16內時,例如藉由對氫系氣體進行溫度控制而對發熱體單元16內進行加熱,從而調整發熱體單元16內之溫度,於發熱體單元16內促進發熱反應。 除此以外,周邊機器15可將自發熱體單元16之容器外壁發出之熱經由熱流體而回收,並且亦從自發熱體單元16內排出之氫系氣體回收熱,並將熱輸出至輸出回收器。此時,周邊機器15將自發熱體單元16獲得之熱之輸出作為輸出資料送出至對應之模組控制部。藉此,模組控制部3a可基於輸出資料掌握於發熱體單元16輸出何種程度之熱,並將該輸出資料送出至上階層之綜合控制部2。綜合控制部2可基於自各模組控制部接收到之輸出資料,辨識各發熱體模組輸出何種程度之熱,並於發熱系統1整體執行與各發熱體單元16之熱之輸出狀態相對應之控制命令。 附帶而言,綜合控制部2亦從自各發熱體單元16回收熱之輸出回收器9,將藉由各發熱體單元16而於發熱系統1整體獲得之熱以輸出資料之形式接收,亦能夠辨識在發熱系統1整體輸出何種程度之熱。 氣體回收器7設置有循環泵及雜質去除器(未圖示),可藉由循環泵自各發熱體單元16回收氫系氣體,並藉由雜質去除器將因於各發熱體單元16中使用而產生之氫系氣體中之雜質去除之後,藉由該循環泵向氣體供給器6供給。 於發熱體模組4a設置有熱流體循環器17,藉由該熱流體循環器17而使於發熱體單元16中發出之熱之輸出回收時使用之熱流體循環。熱流體循環器17可依照來自對應之模組控制部3a之命令控制於發熱體單元16之容器外壁循環之熱流體之流速,並根據發熱體單元16中之熱之輸出狀態調整熱流體相對於發熱體單元16之接觸時間,從而進行利用熱流體之有效率之吸熱。 (2)模組控制部之電路構成 其次,對模組控制部3a之電路構成進行說明。如圖2所示,模組控制部3a具備包含CPU、RAM及ROM等之微電腦構成之發熱體狀態評估部21,且具有如下構成,即,氣體供給控制部22、氣體溫度控制部23、溫度分佈解析部24、產生氣體種類特定部25、輸出解析部26、熱媒流速·溫度控制部27、儲氫量推斷部28連接於發熱體狀態評估部21。 發熱體狀態評估部21基於利用溫度分佈解析部24、產生氣體種類特定部25、輸出解析部26、熱媒流速·溫度控制部27及儲氫量推斷部28所獲得之解析結果,對設置於發熱體模組4a之發熱體單元16之熱之輸出狀態進行評估,並將該評估結果傳送至綜合控制部2。 藉此,綜合控制部2基於自各模組控制部3a、3b、3c、3d、3e接收到之評估結果判斷各發熱體單元16是否為發出過量熱之狀態,例如對具有發出過量熱之發熱體單元16之模組控制部3a傳送發熱控制之命令,另一方面,對具有未發出過量熱之發熱體單元16之模組控制部3b傳送過量熱輸出控制之命令。 發熱體狀態評估部21可接收綜合控制部2基於評估結果所產生之發熱控制或過量熱輸出控制之命令,並基於該控制命令經由氣體供給控制部22、氣體溫度控制部23、及熱媒流速·溫度控制部27而控制發熱體模組4a。 此處,氣體供給控制部22可基於自發熱體狀態評估部21接收到之命令,使設置於發熱體模組4a內之周邊機器15之氣體供給變更器(下述)動作,例如進行發熱體單元16中之氫系氣體之供給位置之變更或向發熱體單元16供給之氫系氣體之供給量之增減。又,氣體溫度控制部23可基於自發熱體狀態評估部21接收到之命令,使設置於發熱體模組4a內之周邊機器15之氣體溫度調整器(下述)動作,例如調整氫系氣體之加熱溫度,進行發熱體單元16內之溫度調整。 熱媒流速·溫度控制部27可基於自發熱體狀態評估部21接收到之命令,使設置於發熱體模組4a內之周邊機器15之熱流體溫度調整器(下述)動作,進行環繞發熱體單元16之容器外壁回收熱之熱流體之溫度調整,並經由該熱流體進行發熱體單元16之溫度調整。又,熱媒流速·溫度控制部27可基於自發熱體狀態評估部21接收到之命令,使設置於發熱體模組4a內之周邊機器15之熱流體循環器(下述)動作,進行環繞發熱體單元16之容器外壁之熱流體之流速之調整。 溫度分佈解析部24若自設置於發熱體單元16之熱電轉換元件(下述)接收該發熱體單元16之溫度之測定結果,則可推測發熱體單元16之哪一部位為何種程度之發熱溫度。又,溫度分佈解析部24可根據自熱電轉換元件接收到之溫度測定結果算出熱量之變化,並根據熱量之變化推測於發熱體單元16內產生之熱流速。溫度分佈解析部24可將發熱體單元16中之溫度分佈之推測結果、及發熱體單元16內之熱流速之推測結果傳送至發熱體狀態評估部21,並將該等推斷結果反映至氣體供給控制部22、氣體溫度控制部23、及熱媒流速·溫度控制部27之控制。 此處,於本實施形態之情形時,發熱體狀態評估部21將可推斷未引起發熱反應之溫度作為下限溫度而記憶,另一方面,將可推斷引起發熱反應之溫度作為上限溫度而記憶,形成為可將自溫度分佈解析部24獲得之與溫度相關之推測結果與該等下限溫度及上限溫度進行對照而推斷於發熱體單元16之哪一部位發生發熱反應。 產生氣體種類特定部25根據自發熱體模組4a之氣體分析器(下述)接收到之分析結果特定於發熱體單元16內產生之產生氣體為何種類型者,並根據藉由發熱反應而產生之特有之產生氣體之有無判斷於發熱體單元16內是否發生發熱反應,並將其判斷結果傳送至發熱體狀態評估部21。輸出解析部26自發熱體模組4a內之熱回收器(下述)接收熱之輸出結果,並根據輸出結果判斷是否於發熱體單元16進行發熱反應,並將其判斷結果傳送至發熱體狀態評估部21。進而,儲氫量推斷部28若自該發熱體單元16接收位於發熱體單元16內之儲氫金屬或儲氫合金之電阻之測定結果,則基於該測定結果判斷位於發熱體單元16內之儲氫金屬或儲氫合金之儲氫量,並將其判斷結果傳送至發熱體狀態評估部21。 附帶而言,儲氫量推斷部28係於位於發熱體單元16內之儲氫金屬或儲氫合金之電阻值為預先所設定之特定值以上時,判斷儲氫金屬或儲氫合金之儲氫量較少,於該電阻值未達特定值時,判斷儲氫金屬或儲氫合金之儲氫量較多。再者,於發熱體單元16中,作為引起發熱反應之狀態,較理想為儲氫金屬或儲氫合金之儲氫量較多。 (3)發熱體模組之構成 其次,以下,對由模組控制部3a控制之發熱體模組之構成進行說明。於此情形時,如圖3所示,發熱體模組4a具備發熱體單元16、及周邊機器15,且可依照來自模組控制部3a之命令使周邊機器15動作,於未發出過量熱之發熱體單元16內引起發熱反應,或者進一步促進於發熱體單元16內發生之發熱反應。 於本實施形態之情形時,於發熱體單元16,沿著容器外壁呈陣列狀配置有作為溫度測定部之熱電轉換元件37、38、39,可測定設置有各熱電轉換元件37、38、39之部位之發熱體單元16之溫度。於此情形時,發熱體單元16具備:複數個熱電轉換元件37,其等以於該發熱體單元16之上部位置環繞發熱體單元16之容器外壁之方式設置;複數個熱電轉換元件38,其等以於該發熱體單元16之中部位置環繞發熱體單元16之容器外壁之方式設置;及複數個熱電轉換元件39,其等以於該發熱體單元16之下部位置環繞發熱體單元16之容器外壁之方式設置;且發熱體單元16之不同之高度部位之各溫度可藉由熱電轉換元件37、38、39而測定。 熱電轉換元件37、38、39將發熱體單元16之溫度之測定結果傳送至模組控制部3a之溫度分佈解析部24,可藉由該溫度分佈解析部24而檢測於發熱體單元16之哪一部位成為何種程度之溫度即溫度分佈。 於周邊機器15設置有與氣體供給器6連通且延伸至發熱體單元16內之上部供給噴嘴35a、中部供給噴嘴35b及下部供給噴嘴35c,於該等上部供給噴嘴35a、中部供給噴嘴35b及下部供給噴嘴35c設置有氣體供給變更器31。氣體供給變更器31形成為可依照來自模組控制部3a之氣體供給控制部22之命令變更向發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給位置。 實際上,氣體供給變更器31例如具備:閥31a,其設置於上部供給噴嘴35a;閥31b,其設置於較上部供給噴嘴35a長之中部供給噴嘴35b;及閥31c,其設置於較中部供給噴嘴35b長之下部供給噴嘴35c;藉由控制該等閥31a、31b、31c之開閉,可選擇發熱體單元16中之氫系氣體之供給位置。又,氣體供給變更器31可調整閥31a、31b、31c之各開閉度,從而可控制向發熱體單元16供給之氫系氣體之流速或供給量。 例如,假設設置於發熱體單元16內之由儲氫金屬構成之發熱體為Pd之情形時,氣體供給變更器31係作為引起發熱反應之發熱控制,將閥31b打開,並將其他閥31a、31c關閉,自於發熱體單元16之內部中央位置具有供給口之中部供給噴嘴35b供給氫系氣體。其後,例如,若模組控制部3a判斷發熱體單元16之上部位置成為高溫而發生發熱反應之過量熱產生部位位於上部位置,則氣體供給變更器31依照來自氣體供給控制部22之命令,除將閥31b打開以外亦將閥31a打開,仍將其他閥31c關閉,亦自於距推測發生發熱反應之上部位置最近之位置具有氫系氣體之供給口之上部供給噴嘴35a供給氫系氣體。 藉此,於發熱體單元16中,對推測發生發熱反應之上部位置供給更多之氫系氣體,藉由將發熱體單元16內之溫度保持為最佳溫度,而位於該上部位置之儲氫金屬或儲氫合金之儲氫量變多,從而促進發熱反應。 另一方,例如,於模組控制部3a判斷發熱體單元16之下部位置成為高溫而發生發熱反應之過量熱產生部位位於下部位置的情形時,依照來自氣體供給控制部22之命令,除將閥31b打開以外亦將閥31c打開,仍將其他閥31a關閉,亦自於距推測發生發熱反應之下部位置最近之位置具有氫系氣體之供給口之下部供給噴嘴35c供給氫系氣體。藉此,於發熱體單元16中,對推測發生發熱反應之下部位置供給更多之氫系氣體,位於該下部位置之儲氫金屬或儲氫合金之儲氫量變多,從而促進發熱反應。 附帶而言,於本實施形態之情形時,對自供給口靠近推測於發熱體單元16內發生發熱反應之過量熱產生部位之上部供給噴嘴35a或下部供給噴嘴35c供給氫系氣體之情形進行了敍述,但本發明並不限定於此,亦可對推測發生發熱反應之發熱體單元16,自上部供給噴嘴35a、中部供給噴嘴35b、及下部供給噴嘴35c之全部供給氫系氣體。 除此種氣體供給變更器31以外,於周邊機器15,於上部供給噴嘴35a、中部供給噴嘴35b及下部供給噴嘴35c設置有氣體溫度調整器32。氣體溫度調整器32可依照來自模組控制部3a之氣體供給控制部22之命令,對朝發熱體單元16內供給之氫系氣體進行加熱,而進行發熱體單元16內之溫度調整。 實際上,氣體溫度調整器32例如具備設置於上部供給噴嘴35a之加熱器32a、設置於中部供給噴嘴35b之加熱器32b、及設置於下部供給噴嘴35c之加熱器32c,藉由控制該等加熱器32a、32b、32c之加熱,能以特定溫度將向發熱體單元16供給之氫系氣體加熱。 於此情形時,氣體溫度調整器32可僅使設置於上部供給噴嘴35a、中部供給噴嘴35b及下部供給噴嘴35c中之用於向發熱體單元16供給氫系氣體之上部供給噴嘴35a或中部供給噴嘴35b、下部供給噴嘴35c之加熱器32a、32b、32c動作,而對供給至發熱體單元16之氫系氣體進行加熱。 又,於周邊機器15設置有與氣體回收器7連通且自發熱體單元16內延伸之氣體回收噴嘴41,於氣體回收噴嘴41設置有熱回收器40及氣體分析器43。氣體回收噴嘴41形成為可將發熱體單元16內之氫系氣體自該發熱體單元16內排出並送出至氣體回收器7。藉此,發熱體單元16形成為可藉由氫系氣體之抽吸而調整容器內部之壓力。 熱回收器40係於將發出過量熱之發熱體單元16中經加熱之氫系氣體自該發熱體單元16內朝氣體回收器7排出時,自該氫系氣體奪取熱,藉此,可將自氫系氣體獲得之熱向輸出回收器9傳輸。再者,熱回收器40將表示自氫系氣體回收之熱為何種程度之輸出回收結果傳送至模組控制部3a之輸出解析部26。又,氣體分析器43係於自發熱體單元16內朝氣體回收器7排出時,暫時收納該氫系氣體之一部分,並對氫系氣體中包含之物質進行分析,將其分析結果向產生氣體種類特定部25傳送。藉此,產生氣體種類特定部25可根據自氣體分析器43接收到之分析結果與預先所保持之氣體特徵資料進行對照而特定氫系氣體中包含之物質。 再者,於發熱體單元16,以環繞容器外壁之方式設置筒狀之循環路徑部17a,由水等構成之熱流體於該循環路徑部17a內流動。該熱流體形成為藉由熱流體循環器17而循環,且可藉由與發熱體單元16接觸而自發熱體單元16奪取熱,從而回收熱。 於周邊機器15設置有對此種熱流體進行加熱之加熱器44、及自熱流體奪取熱並將熱輸出至輸出回收器9之熱回收器45。加熱器44設置於發熱體單元16與熱流體接觸之前的位置,且形成為可藉由依照來自熱媒流速·溫度控制部27之命令於發熱體單元16與熱流體接觸之前對該熱流體進行加熱,而對發熱體單元16進行加熱。 熱回收器45設置於發熱體單元16與熱流體完成接觸之位置,可自發出過量熱之發熱體單元16中經加熱之熱流體奪取熱,並將藉此所獲得之熱向輸出回收器9傳輸。再者,熱回收器45將表示藉由熱流體而回收之熱為何種程度之輸出回收結果傳送至模組控制部3a之輸出解析部26。 於本實施形態之情形時,認為設置於發熱體單元16內之儲氫金屬或儲氫合金中之氫濃度較高時,有容易於發熱體單元16內發生發熱反應之傾向,而發出過量熱之概率較高。因此,周邊機器15形成為可藉由進行向發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給控制或發熱體單元16內之溫度控制、發熱體單元16內之壓力控制,而提高設置於發熱體單元16內之儲氫金屬或儲氫合金中之氫濃度,於發生發熱反應之發熱體單元16內進一步促進發熱反應,從而使來自發熱體單元之過量熱之輸出增大或使輸出維持。 此處,圖4係表示可用作設置於發熱體單元16內之儲氫金屬之鈀(Pd)之氫濃度的曲線圖。圖4表示容器內部之壓力為0.5[atom]、1.0[atom]、1.5[atom]、2.0[atom]時之Pd之溫度與氫濃度之關係。例如,於壓力為0.5[atom]且溫度處於130℃附近時,於Pd之氫濃度處於0.5[H/Pd]附近時(圖4中以P1表示),若保持溫度不變而將壓力提高至1.5[atom],則Pd之氫濃度上升至0.65[H/Pd]附近(圖4中以P2表示),另一方面,將壓力保持為0.5[atom]而將溫度降低至90℃左右時,Pd之氫濃度亦上升至0.65[H/Pd]附近(圖4中以P3表示)。 因此,發熱體模組4a係於在發熱體單元16內發出過量熱時,為了促進於發熱體單元16內發生之發熱反應,而依照來自模組控制部3a之命令降低利用加熱器32a、32b、32c之氫系氣體之加熱溫度,並且降低利用加熱器44之熱流體之加熱溫度,從而降低發熱體單元16之溫度。又,發熱體模組4a依照來自模組控制部3a之命令調整來自氣體回收噴嘴41之抽吸量等,而提高發熱體單元16內之壓力。藉此,發熱體模組4a使發熱體單元16內之儲氫金屬或儲氫合金之儲氫量上升,對發出過量熱之發熱體單元16設為更容易引起發熱反應之狀態,使來自發熱體單元16之過量熱之輸出增大並維持。 再者,於使用Ni作為儲氫金屬之情形時,若保持壓力不變而提高溫度,則Ni之氫濃度上升,因此,與Pd相反,提高利用加熱器32a、32b、32c之氫系氣體之加熱溫度並且提高利用加熱器44之熱流體之加熱溫度,從而提高發熱體單元16之溫度,其結果,可使發熱體單元16內之儲氫金屬之儲氫量上升,而促進發熱體單元16內之發熱反應。 (4)作用及效果 於以上構成中,於本發明之發熱系統1中,設置使用儲氫金屬或儲氫合金且藉由將有助於發熱之氫系氣體供給至容器內部而發出過量熱的複數個發熱體單元16,進而設置綜合控制部2,該綜合控制部2針對每一發熱體單元16進行將各發熱體單元16加熱並且向各發熱體單元16內供給氫系氣體的發熱控制。 此處,圖5係表示作為一例而設置有5個發熱體單元16之發熱系統1中之熱之輸出與時間之關係的曲線圖。於圖5中,以曲線H1~H5表示第1個發熱體單元16至第5個發熱體單元16之各熱之輸出結果,以H6表示將該等5個發熱體單元16之熱之輸出合併所得的發熱系統1整體之熱之輸出結果。 於此情形時,於發熱系統1中,使用利用非專利文獻1或非專利文獻2、非專利文獻6、國際公開編號WO2015/008859中之發熱反應發出過量熱之發熱體單元16,因此,有時如曲線H1~H5所示般,自各發熱體單元16輸出之熱不穩定,而無法獲得預期之熱之輸出結果。 此種利用非專利文獻1或非專利文獻2、非專利文獻6、國際公開編號WO2015/008859中之發熱反應之發熱體單元16亦存在如下情況,即,於發熱反應不充分時,即便嘗試該發熱體單元16之溫度調整、或向該發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給控制、該發熱體單元16內之壓力控制,發出過量熱之概率亦較低。 因此,於發熱系統1中,著眼於發生發熱反應之發熱體單元16,藉由綜合控制部2,例如對未發出過量熱之發熱體模組4b之發熱體單元16直接進行應該會引起發熱反應之最佳之發熱控制,並且對發出過量熱之發熱體模組4a之發熱體單元16,除進行發熱控制以外,進行如下控制作為過量熱輸出控制,即,進行發熱體單元16之溫度調整、進行向該發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給控制、或進行該發熱體單元16內之壓力控制,於發出過量熱之發熱體單元16中增加發熱反應部位使過量熱之輸出進一步增大或使過量熱之輸出進一步維持。 如此,於本發明之發熱系統1中,藉由進行增加複數個發熱體單元16中之藉由發熱反應發出過量熱之發熱體單元16之發熱反應部位之類的過量熱輸出控制,即便另外存在發熱反應不充分而未發出過量熱之發熱體單元16,亦可利用確實地發生發熱反應之其他發熱體單元16補充相應量之熱之輸出回收,因此,可使用利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元16穩定地獲得熱。 又,於本實施形態之情形時,於發熱系統1中,於各發熱體單元16分別設置測定發熱體單元16之容器外壁之溫度之複數個熱電轉換元件37、38、39。而且,於發熱系統1中,根據利用熱電轉換元件37、38、39所獲得之測定結果特定各發熱體單元16中之溫度分佈,並基於該溫度分佈利用綜合控制部2判斷各發熱體單元16是否發出過量熱。 藉此,綜合控制部2可特定複數個發熱體單元16中之發生發熱反應之發熱體單元16,並且可對該特定出之發出過量熱之發熱體單元16確實地進行如下控制作為過量熱輸出控制,即,進行發熱體單元16之溫度調整、進行向該發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給控制、或進行該發熱體單元16內之壓力控制。 又,於該發熱系統1中,藉由在各發熱體單元16設置變更向發熱體單元16內供給氫系氣體時之高度位置之氣體供給變更器31,可將向發出過量熱之發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給位置規定於位於發出過量熱之部位周邊之發生發熱反應之概率較高之部位,或者規定於已產生成為發出過量熱之徵兆之溫度上升之周邊部位,於發出過量熱之發熱體單元16中進一步增加發熱反應部位,從而使發出過量熱之發熱體單元16中之過量熱之輸出進一步增大、或使過量熱之輸出進一步維持。 進而,綜合控制部2針對與發出過量熱之發熱體單元16之容器外壁接觸而流動之熱流體,相較與未發出過量熱之其他發熱體單元16之容器外壁接觸而流動之熱流體之流速提高流速,從而使發出過量熱之發熱體單元16中之基於熱流體之熱之回收率增加。藉此,於發熱系統1中,即便另外存在發熱反應不充分而未發出過量熱之發熱體單元16,亦可利用確實地發生發熱反應之其他發熱體單元16補充相應量之熱之輸出回收,因此,可使用利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元16穩定地獲得熱。 (5)另一實施形態之發熱系統 於上述實施形態中,於發熱系統1中,於存在未發出過量熱之發熱體單元16、及發出過量熱之其他發熱體單元16時,對發生發熱反應之發熱體單元16增加發熱反應部位並維持與於未發出過量熱之發熱體單元16引起發熱反應相比,可於發熱系統1整體更確實且容易地獲得穩定之熱。 因此,於上述發熱系統1中,除未發出過量熱之發熱體單元16中之發熱控制以外,另外對發出過量熱之其他發熱體單元16進行如下控制中之至少任一個作為過量熱輸出控制,即,進行該發熱體單元16之溫度調整、進行向該發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給控制、或進行該發熱體單元16內之壓力控制,從而使來自該發熱體單元16之過量熱之輸出增大及/或維持。 然而,本發明並不限定於此,於發熱系統1中,於存在未發出過量熱之發熱體單元16、及發出過量熱之其他發熱體單元16時,於可於未發出過量熱之發熱體單元16中引起發熱反應之概率較高之情形時,亦可對未發出過量熱之發熱體單元16進行過量熱輸出控制。 即,於此情形時,於發熱系統中,可成為如下構成,即,對發出過量熱之發熱體單元16直接進行最適於引起發熱反應之發熱控制,並且除此以外,另外對未發出過量熱之其他發熱體單元16進行如下控制中之至少任一個作為過量熱輸出控制,即,進行該發熱體單元16之溫度調整、進行向該發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給控制、或進行該發熱體單元16內之壓力控制,藉此,促使自該發熱體單元16輸出過量熱。 於此種發熱系統中,複數個發熱體單元中即便存在發熱反應不充分而未產生過量熱之發熱體單元,由於可對未發出過量熱之發熱體單元嘗試促使產生發熱反應並發出過量熱之過量熱輸出控制,並且可利用發出過量熱之發熱體單元補充相應量之熱之輸出回收,因此,可使用利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元穩定地獲得熱。 (6)另一實施形態之溫度測定部 於上述實施形態中,對應用沿著發熱體單元16之容器外壁配置成陣列狀之熱電轉換元件37、38、39作為溫度測定部之情形進行了敍述,但本發明並不限定於此,亦可應用呈陣列狀配置於發熱體單元16之容器內部之溫度測定部。圖6表示溫度測定部51a、51b、51c、51d設置於發熱體單元16之容器內部之構成。溫度測定部51a、51b、51c、51d均以相同構成形成,例如,溫度測定部51a於自發熱體單元16之上部朝下部延伸之支持部54配置有熱電偶元件55a、55b、55c、55d,可藉由該熱電偶元件55a、55b、55c、55d自發熱體單元16之上部跨及下部測定溫度。再者,對於發熱體單元16之引起發熱反應之內部構造,係與上述實施形態相同,因此,此處省略圖示等。 如此般構成之溫度測定部51a、51b、51c、51d等間隔地配置於發熱體單元16內,測定發熱體單元16之內部整體之溫度,並將其測定結果傳送至模組控制部3a(圖2)之溫度分佈解析部24。藉此,溫度分佈解析部24可根據利用溫度測定部51a、51b、51c、51d所獲得之測定結果特定各發熱體單元16中之溫度分佈,並基於該溫度分佈利用綜合控制部2判斷各發熱體單元16是否發出過量熱。 再者,於該發熱體單元16設置有長度不同之供給噴嘴52a、52b、52c、52d,可配合溫度測定部51a、51b、51c、51d之位置、或熱電偶元件55a、55b、55c、55d之配置高度選定供給噴嘴52a、52b、52c、52d之供給口,並配合利用溫度測定部51a、51b、51c、51d所獲得之溫度分佈對發熱體單元16之特定部位供給氫系氣體。 (7)利用使用電解溶液作為發熱輔助流體之發熱體單元之發熱系統 於上述實施形態中,對應用氫系氣體作為有助於發熱之氫系發熱輔助流體之發熱體單元進行了敍述,但本發明並不限定於此,亦可應用將電解溶液用作氫系發熱輔助流體之發熱體單元。 對與圖1對應之部分附註相同符號而表示之圖7表示使用電解溶液作為氫系發熱輔助流體之發熱系統61。該發熱系統61中使用之發熱體單元66為利用非專利文獻3或非專利文獻4中之發熱反應發出過量熱之發熱體單元66,且於容器內部設置有Pd、Ni、Pt、Ti等儲氫金屬、或含有該等元素中之至少任一種之儲氫合金,藉由將電解溶液一面供給至容器內部一面加熱而引起發熱反應,從而可獲得過量熱。 再者,於本實施形態中,對如下情形進行了敍述,即,作為使用儲氫金屬或儲氫合金且藉由將有助於發熱之電解溶液供給至容器內部而發出過量熱之發熱體單元,將非專利文獻3、4設為發熱體單元,但本發明並不限定於此,只要為使用儲氫金屬或儲氫合金且藉由將有助於發熱之電解溶液供給至容器內部而發出過量熱者,則亦可將其他各種非專利文獻或專利文獻之構成設為發熱體單元。又,此處使用之電解溶液為以特定濃度包含氘之氘系電解溶液、例如氘氧化鋰(LiOD)、KOD、或NaOD。 於此情形時,如圖7所示,發熱系統61具有如下構成,即,相對於模組控制部63a、63b、63c、63d、63e、電解溶液供給器62、電解溶液回收器67、熱流體循環器17、輸出回收器9、及氣體回收·重水·輕水生成器69連接有綜合控制部2,上述模組控制部63a、63b、63c、63d、63e分別控制發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e;上述電解溶液供給器62將於發熱體單元66中有助於發熱之電解溶液經由配管10供給至各發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e;上述電解溶液回收器67自各發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e將電解溶液經由配管11而回收並再次輸送至電解溶液供給器62;上述熱流體循環器17針對每一發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e而設置;上述輸出回收器9將自各發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e輸出之熱經由配管12a、12b、12c、12d、12e而回收。 電解溶液供給器62可依照來自綜合控制部2之命令,進行儲罐(未圖示)內之電解溶液、或自電解溶液回收器67接收到之電解溶液之氘之濃度調整,並將已進行氘之濃度調整之電解溶液供給至各發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e。發熱體模組64a可依照來自模組控制部63a之命令,藉由周邊機器65進行向發熱體單元66供給之電解溶液之供給量之控制、或發熱體單元66內之壓力控制、發熱體單元66之加熱溫度控制等,而以於發熱體單元66內發出過量熱之方式進行發熱控制。 再者,於各發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e之發熱體單元66內,藉由利用容器內部之電極將電解溶液電解而生成氘氣或氧氣(將該等概括而亦簡稱為產生氣體)。作為氣體處理器而設置之氣體回收·重水·輕水生成器69依照來自綜合控制部2之命令,將各發熱體單元66內所生成之產生氣體回收,例如,藉由燃料電池(未圖示),自該產生氣體獲得電力,並且自該產生氣體生成重水或輕水並將其輸送至電解溶液回收器67或電解溶液供給器62等而再利用。再者,氣體回收·重水·輕水生成器69亦可設置觸媒,於此情形時,藉由觸媒自產生氣體回收熱,並且藉由該觸媒自產生氣體獲得重水或輕水並將其輸送至電解溶液回收器67或電解溶液供給器62等而再利用。此時,於氣體回收·重水·輕水生成器69所產生之電力或熱可藉由輸出回收器9而回收。 附帶而言,於設置於發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e之各周邊機器65設置有個別地進行電解溶液之氘之濃度調整之濃度調整器,形成為可針對每一發熱體單元66進行電解溶液內之氘之濃度調整。 再者,如對與圖2對應之部分附註相同符號而表示之圖8所示,模組控制部63a具有如下構成,即,其具有:電解溶液供給控制部72,其對設置於周邊機器65之電解溶液供給器(未圖示)傳送控制命令;電解溶液溫度控制部73,其對設置於周邊機器65之電解溶液溫度調整器(未圖示)傳送控制命令;及電解電壓·電流控制部75,其對設置於周邊機器65之電解電壓·電流調整器(未圖示)傳送控制命令;且該等電解溶液供給控制部72、電解溶液溫度控制部73、及電解電壓·電流控制部75亦連接於發熱體狀態評估部21。 於此情形時,發熱體狀態評估部21亦基於藉由溫度分佈解析部24或產生氣體種類特定部25、輸出解析部26、熱媒流速·溫度控制部27、儲氫量推斷部28所獲得之解析結果,對設置於發熱體模組64a之發熱體單元66之熱之輸出狀態進行評估,並將其評估結果傳送至綜合控制部2。發熱體狀態評估部21可接收綜合控制部2基於評估結果所產生之控制命令,並基於該控制命令經由電解溶液供給控制部72、電解溶液溫度控制部73、熱媒流速·溫度控制部27、及電解電壓·電流控制部75而控制發熱體模組64a。 此處,於該發熱系統61中,著眼於發生發熱反應之發熱體單元66,藉由綜合控制部2,例如對未發出過量熱之發熱體模組64b之發熱體單元66直接進行應該會引起發熱反應之最佳之發熱控制,並且對發出過量熱之發熱體模組64a之發熱體單元66,除發熱控制以外,另外進行如下控制作為過量熱輸出控制,即,進行發熱體單元66之溫度調整、進行向該發熱體單元66內供給之電解溶液之供給控制、或進行該發熱體單元66內之電解電壓·電流控制,於發出過量熱之發熱體單元66中增加發熱反應部位而使過量熱之輸出進一步增大、或使過量熱之輸出進一步維持。 再者,作為利用綜合控制部2之向發熱體單元66內供給之電解溶液之供給控制,除包含利用發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e之各周邊機器65之電解溶液向發熱體單元66之供給量之調整以外,亦包含利用各周邊機器65之電解溶液之個別之濃度調整。發熱體單元66可藉由進行所供給之電解溶液之濃度調整,使電解溶液內之氘之濃度提高或使供給之電解溶液之供給量增加,而促進發熱體單元66內之發熱反應。 又,對於發熱體單元66之溫度調整,與上述實施形態同樣地,根據設置於發熱體單元66之儲氫金屬或儲氫合金之種類而有所不同,但於過量熱輸出控制時,例如為Pd時,可藉由相較發熱控制時之加熱溫度降低溫度而增加Pd之儲氫量,從而促進發熱體單元66內之發熱反應。 進而,作為利用綜合控制部2之發熱體單元66內之電解電壓·電流控制,可藉由利用設置於發熱體模組64a、64b、64c、64d、64e之各周邊機器65內之電解電壓·電流調整器,使對設置於發熱體單元66內之電極(陽極及陰極)賦予之電壓或電流較發熱控制時高,而增加電解溶液被電解之量,從而促進發熱體單元66內之發熱反應。 如此,於本發明之發熱系統61中,藉由進行增加複數個發熱體單元66中之藉由發熱反應發出過量熱之發熱體單元66之發熱反應部位之類的過量熱輸出控制,即便另外存在發熱反應不充分而未發出過量熱之發熱體單元66,亦可利用確實地發生發熱反應之其他發熱體單元66補充相應量之熱之輸出回收,因此,可使用利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元66穩定地獲得熱。 再者,於本實施形態之情形時,輸出回收器9與上述實施形態同樣地,回收自各發熱體單元66之容器外壁發出之熱,並且亦從自各發熱體單元66內排出之電解溶液、或同樣自各發熱體單元66內排出之產生氣體(藉由發熱反應而生成之產生氣體)回收熱,從而可有效率地回收於各發熱體單元66中獲得之熱。附帶而言,於如此般回收自各發熱體單元66之容器外壁發出之熱時,亦可僅從自各發熱體單元66內排出之電解溶液、及同樣自各發熱體單元66內排出之產生氣體中之任一者回收熱。 附帶而言,於該另一實施形態中,亦與上述「(5)另一實施形態之發熱系統」同樣地,於發熱系統61中,存在未發出過量熱之發熱體單元66、及發出過量熱之其他發熱體單元66時,於可於未發出過量熱之發熱體單元66中引起發熱反應之概率較高之情形時,亦可對未發出過量熱之發熱體單元66進行過量熱輸出控制。 又,於利用電解溶液之發熱體單元66中,亦與上述「(6)另一實施形態之溫度測定部」同樣地,亦可設為於容器內部設置溫度測定部51a、51b、51c、51d之構成。 (8)其他 再者,於上述實施形態中,對如下情形進行了敍述,即,作為變更向發熱體單元內供給氫系氣體時之供給位置之氣體供給變更器,應用變更向發熱體單元16內供給氫系氣體時之高度位置之氣體供給變更器31,但本發明並不限定於此,亦可應用變更為向發熱體單元內供給氫系氣體時之寬度方向位置等其他各種位置之氣體供給變更器。於此情形時,可於發熱體單元16設置該發熱體單元16內之供給口之配置位置不同之複數個供給噴嘴。 又,於上述實施形態中,對作為氣體回收噴嘴而設置有於發熱體單元16內之特定位置具有抽吸口之1個氣體回收噴嘴41的情形進行了敍述,但本發明並不限定於此,亦可設置抽吸口之位置不同之複數個氣體回收噴嘴,抽吸發熱體單元16內之各高度位置之氫系氣體而特定產生氣體種類。例如,於將抽吸口之高度位置不同之3個上部回收噴嘴、中部回收噴嘴、及下部回收噴嘴設置於發熱體單元16之情形時,可藉由產生氣體種類特定部25特定於發熱體單元16內之各高度位置產生之產生氣體為何種類型者,並根據藉由發熱反應而產生之特有之產生氣體之有無判斷是否於發熱體單元16內之每一高度位置發生發熱反應。再者,抽吸口之位置除高度位置以外,亦可為與高度正交之橫側位置,於此情形時,可於發熱體單元16設置於橫向上於不同位置配置有抽吸口之複數個回收噴嘴。 又,於上述實施形態中,亦可於發熱體單元16、66設置溫度測定部51a、51b、51c、51d及熱電轉換元件37、38、39兩者,從而測定發熱體單元16、66之容器內部及容器外壁之溫度。 又,於上述實施形態中,對設置有複數個發熱體單元16之發熱系統1進行了敍述,但本發明並不限定於此,亦可為僅設置有1個發熱體單元16之發熱系統。於此情形時,發熱系統之特徵在於具備:溫度測定部(溫度測定部51a、51b、51c、51d及/或熱電轉換元件37、38、39),其測定發熱體單元16之容器內部及/或容器外壁之溫度;氣體供給控制部22,其基於利用溫度測定部所獲得之測定結果,決定向發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給位置(例如,高度位置或橫向位置等);及氣體供給變更器31,其進而使向發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給位置變更為由氣體供給控制部22所決定之供給位置。 於此種發熱系統中,可根據隨著時間經過而變化之發熱體單元16之發熱狀況適當地使向發熱體單元16內供給之氫系氣體之供給位置變化而輸出過量熱,因此,可使用利用儲氫金屬或儲氫合金發出熱之發熱體單元16穩定地獲得熱。 再者,於上述實施形態中,作為使用儲氫金屬或儲氫合金發出過量熱之發熱體單元,除將形成為例如筒網狀或筒狀、棒狀等特定形狀之發熱體設置於容器內部所得之發熱體單元16以外,亦可為將形成為粉末狀之儲氫金屬或儲氫合金封入至容器內部所得之發熱體單元。 又,於上述實施形態中,對藉由對氫系氣體或電解溶液進行加熱而對發熱體單元之容器內部進行加熱之情形進行了敍述,但本發明並不限定於此,亦可於發熱體單元之容器內部或容器外壁使用加熱用加熱器等其他各種溫度調整器而進行發熱體單元之溫度調整。
1‧‧‧發熱系統 2‧‧‧綜合控制部 3a‧‧‧模組控制部 3b‧‧‧模組控制部 3c‧‧‧模組控制部 3d‧‧‧模組控制部 3e‧‧‧模組控制部 4a‧‧‧發熱體模組 4b‧‧‧發熱體模組 4c‧‧‧發熱體模組 4d‧‧‧發熱體模組 4e‧‧‧發熱體模組 6‧‧‧氣體供給器 7‧‧‧氣體回收器 9‧‧‧輸出回收器 10‧‧‧配管 11‧‧‧配管 12a‧‧‧配管 12b‧‧‧配管 12c‧‧‧配管 12d‧‧‧配管 12e‧‧‧配管 15‧‧‧周邊機器 16‧‧‧發熱體單元 17‧‧‧熱流體循環器 17a‧‧‧循環路徑部 21‧‧‧發熱體狀態評估部 22‧‧‧氣體供給控制部 23‧‧‧氣體溫度控制部 24‧‧‧溫度分佈解析部 25‧‧‧產生氣體種類特定部 26‧‧‧輸出解析部 27‧‧‧熱媒流速·溫度控制部 28‧‧‧儲氫量推斷部 31‧‧‧氣體供給變更器 31a‧‧‧閥 31b‧‧‧閥 31c‧‧‧閥 32‧‧‧氣體溫度調整器 32a‧‧‧加熱器 32b‧‧‧加熱器 32c‧‧‧加熱器 35a‧‧‧上部供給噴嘴 35b‧‧‧中部供給噴嘴 35c‧‧‧下部供給噴嘴 37‧‧‧熱電轉換元件(溫度測定部) 38‧‧‧熱電轉換元件(溫度測定部) 39‧‧‧熱電轉換元件(溫度測定部) 40‧‧‧熱回收器 41‧‧‧氣體回收噴嘴 43‧‧‧氣體分析器 44‧‧‧加熱器 45‧‧‧熱回收器 51a‧‧‧溫度測定部 51b‧‧‧溫度測定部 51c‧‧‧溫度測定部 51d‧‧‧溫度測定部 52a‧‧‧供給噴嘴 52b‧‧‧供給噴嘴 52c‧‧‧供給噴嘴 52d‧‧‧供給噴嘴 54‧‧‧支持部 55a‧‧‧熱電偶元件 55b‧‧‧熱電偶元件 55c‧‧‧熱電偶元件 55d‧‧‧熱電偶元件 61‧‧‧發熱系統 62‧‧‧電解溶液供給器 63a‧‧‧模組控制部 63b‧‧‧模組控制部 63c‧‧‧模組控制部 63d‧‧‧模組控制部 63e‧‧‧模組控制部 64a‧‧‧發熱體模組 64b‧‧‧發熱體模組 64c‧‧‧發熱體模組 64d‧‧‧發熱體模組 64e‧‧‧發熱體模組 65‧‧‧周邊機器 66‧‧‧發熱體單元 67‧‧‧電解溶液回收器 69‧‧‧氣體回收·重水·輕水生成器 72‧‧‧電解溶液供給控制部 73‧‧‧電解溶液溫度控制部 75‧‧‧電解電壓·電流控制部 H1‧‧‧ 曲線 H2‧‧‧ 曲線 H3‧‧‧ 曲線 H4‧‧‧ 曲線 H5‧‧‧ 曲線 H6‧‧‧ 曲線
圖1係表示本發明之發熱系統之整體構成之概略圖。 圖2係表示模組控制部之電路構成之方塊圖。 圖3係表示發熱體模組之構成之概略圖。 圖4係表示Pd中之儲氫量與溫度及壓力之關係之曲線圖。 圖5係表示設置5個發熱體單元時之發熱系統發出之熱之輸出結果的曲線圖。 圖6係表示於發熱體單元內設置有溫度測定部時之構成之概略圖。 圖7係表示使用電解溶液作為氫系發熱輔助流體時之發熱系統之整體構成的概略圖。 圖8係表示使用電解溶液作為氫系發熱輔助流體時之模組控制部之電路構成的方塊圖。
1‧‧‧發熱系統
2‧‧‧綜合控制部
3a‧‧‧模組控制部
3b‧‧‧模組控制部
3c‧‧‧模組控制部
3d‧‧‧模組控制部
3e‧‧‧模組控制部
4a‧‧‧發熱體模組
4b‧‧‧發熱體模組
4c‧‧‧發熱體模組
4d‧‧‧發熱體模組
4e‧‧‧發熱體模組
6‧‧‧氣體供給器
7‧‧‧氣體回收器
9‧‧‧輸出回收器
10‧‧‧配管
11‧‧‧配管
12a‧‧‧配管
12b‧‧‧配管
12c‧‧‧配管
12d‧‧‧配管
12e‧‧‧配管
15‧‧‧周邊機器
16‧‧‧發熱體單元
17‧‧‧熱流體循環器

Claims (1)

  1. 一種發熱系統,其特徵在於具備: 發熱體單元,其使用儲氫金屬或儲氫合金,藉由將有助於發熱之氫系氣體供給至內部而發熱; 溫度測定部,其設置於上述發熱體單元,且測定該發熱體單元之容器內部及/或容器外壁之溫度; 氣體供給控制部,其基於利用上述溫度測定部所獲得之測定結果,決定向上述發熱體單元內供給之上述氫系氣體之供給位置;及 氣體供給變更器,其使向上述發熱體單元內供給之上述氫系氣體之供給位置變更為由上述氣體供給控制部所決定之供給位置;且 基於利用上述溫度測定部所獲得之測定結果特定於上述發熱體單元中發出過量熱之過量熱產生部位,並將向上述發熱體單元內供給之上述氫系氣體之供給位置決定為上述過量熱產生部位之周邊。
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