TWI684290B - 用於安定、敏感性光檢測器的材料、製造設備與方法及由其等製成之影像感應器 - Google Patents

用於安定、敏感性光檢測器的材料、製造設備與方法及由其等製成之影像感應器 Download PDF

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Abstract

光學敏感性裝置包含一裝置，其包含一第一觸點及一第二觸點，每一者具有一功函數，及一位於第一觸點與該第二觸點間之光學敏感性材料。光學敏感性材料包含一p-型半導體，且光學敏感性材料具有一功函數。電路於第一觸點及第二電路間施用一偏電壓。光學敏感性材料具有一大於當偏電壓施用於第一觸點及第二觸點間從第一觸點至第二觸點之電子運行時間之電子壽命。第一觸點提供電子之注射及阻絕電洞之擷取。第一觸點與光學敏感性材料間之界面提供一少於1 cm/s之表面重組速率。

Description

用於安定、敏感性光檢測器的材料、製造設備與方法及由其等製成之影像感應器
本申請案係美國專利申請案第12/106,256號案(2008年4月18日申請)之部份繼續案。 本申請案請求美國專利申請案第61/082,473號案(2008年7月21日申請)之利益。 本申請案請求美國專利申請案第61/154,751號案(2009年2月23日申請)之利益。 本發明一般係有關於包含光學敏感性材料(諸如，奈米結晶及其它光學敏感性材料)之光學及電子裝置、系統及方法，及製造及使用此等裝置及系統之方法。
光電裝置(諸如，影像感應器及光伏打裝置)可包含光學敏感性材料。例示之影像感應器包含使用矽用於感應功能及讀取電子及多工功能之裝置。於某些影像感應器，光學敏感性矽光二極體及電子裝置可形成於一單矽晶圓上。其它例示之影像感應器可使用一不同材料，諸如，InGaAs(用於短波IR感應)，或非結晶之硒(用於x-射線感應)，用於感應(光子轉化成電子)功能。例示之光伏打裝置包含太陽能電池，其使用結晶矽晶圓用於光子團化成電子。其它例示之光伏打裝置可使用一個別材料層(諸如，非結晶之矽或聚結晶矽)或一個別材料用於光子轉化成電子。但是，此等影像感應器及光伏打裝置已知具有數種限制。
一種光學敏感性裝置，包含：一第一觸點及一第二觸點，每一者具有一功函數；一位於該第一觸點與該第二觸點間之光學敏感性材料，該光學敏感性材料包含一p-型半導體，且該光學敏感性材料具有一功函數；電路被建構以於該第一觸點與該第二觸點間施加一偏電壓；該光學敏感性材料之該功函數之數量係比該第一觸點之該功函數之數量大至少0.4 eV，且亦比該第二觸點之該功函數之數量大至少0.4 eV；該光學敏感性材料具有一比當該偏電壓施加於該第一觸點與該第二觸點時從該第一觸點至該第二觸點之電子運行時間更大之電子壽命；該第一觸點提供電子之注射及阻絕電洞之擷取；且該第一觸點與該光學敏感性材料之界面提供一少於1 cm/s之表面重組速率。 本說明書中述及之每一專利案、專利申請案及/或公告案在此被全部併入以供參考至如同每一專利案、專利申請案及/或公告案被特別且個別指示被併入以供參考之程度。
一種光學敏感性裝置係於下描述。此裝置包含一第一觸點及一第二觸點，每一者具有一功函數，及一位於第一觸點及第二觸點間之光學敏感性材料。此光學敏感性材料包含一p-型半導體，且此光學敏感性材料具有一功函數。此裝置包含於第一觸點及第二觸點間施加一偏電壓之電路。此光學敏感性材料之功函數之數量係比第一觸點之功函數之數量大至少0.4 eV，且亦比第二觸點之功函數之數量大至少0.4 eV。光學敏感性材料具有一大於當此偏電壓施加於第一觸點及第二觸點之間時從第一觸點至第二觸點之電子轉移時間之電子壽命。第一觸點提供電子注射及阻絕電洞擷取。第一觸點與光學敏感性材料間之界面提供一少於1 cm/s 之一表面重組速率。 一種光學敏感性裝置係於下描述。此裝置包含一第一觸點、一n-型半導體、一包含一p-型半導體之光學敏感性材料，及一第二觸點。此光學敏感性材料及第二觸點每一者具有一比4.5 ev更淺之功函數。此裝置包含於第一觸點及第二觸點間施加一偏電壓之電路。光學敏感性材料具有一大於當此偏電壓施加於第一觸點及第二觸點之間時從第一觸點至第二觸點之電子轉移時間之電子壽命。第一觸點提供電子注射及阻絕電洞擷取。第一觸點與光學敏感性材料間之界面提供一少於1 cm/s 之一表面重組速率。 一光檢測器係於下描述。此光檢測器包含一第一觸點及一第二觸點，每一者具有一功函數。此光檢測器包含一於第一觸點及第二觸點間之光學敏感性材料，光學敏感性材料包含一p-型半導體，且光學敏感性材料具有一功函數。此光檢測器包含於第一觸點及第二觸點間施加一偏電壓之電路。此光學敏感性材料之功函數之數量係比第一觸點之功函數之數量大至少0.4 eV，且亦比第二觸點之功函數之數量大至少0.4 eV。此光檢測器包含於第一觸點及第二觸點間施加一偏電壓之電路。當此偏壓施加於第一觸點及第二觸點之間時，此光學敏感性材料提供至少0.8 A/W之響應度。 於下列描述，數種特別詳情被引入以提供充份瞭解及能描述此等系統及方法之實施例。但是，熟習此項技藝者會瞭解此等實施例可於無此等特別詳情之一或多者或以其它組份、系統等而實施。於其它例子，已知之結構或操作未被顯示，或未被詳細描述，以避免混淆揭露實施例之觀點。 影像感應器併納光檢測器陣列。此等光檢測器感應光線，使其從一光學信號轉化成一電子信號。其下係數種特徵之說明，其等任一者或組合可於一實施例之光檢測器中發現；但是，此間之實施例並非僅限於此等特徵。 一實施例之光檢測器係可輕易地與和影像感應功能有關之其它電路(諸如，貯存電荷之電路、延遲至陣列周邊之信號量之電路、於類比領域操緃此等信號量之電路、將類比轉化成數位信號之電路，及將與影像有關之數據處理成數位領域之電路)積體化。 一實施例之光檢測器提供對一波長帶譜或與低暗電路一起之感興趣之帶譜內之光線之最大敏感度。敏感度通當係使用於特定照明度之測量信號雜訊比(SNR)量化。當裝置之響應度、量子效率，或增益最大時，信號係最大。當電子信號內之隨機變動最小時，雜訊係最小，易遭受特定溫度之電流及電壓之自然變動所規定之限制。相關地，背景信號之雜訊及其它未受控制或難以預期之變化一般係於暗電路之數量最小時達最小。 一實施例之光檢測器提供一與使用傳統處理方法形成之傳統光檢測器相比較時相對較快之響應時間。諸如錄影成像及無快門靜像擷取之應用典型上需要信號量實質上完全改變以響應於少於100毫秒(10個畫格/秒)，或少於33毫秒(30個畫格/秒)，或甚至1毫秒(1/1000秒曝光一靜像)內之瞬變之光檢測器。 一實施例之光檢測器提供以可藉由傳統電子電路方便地處理之方式檢測一廣範圍之光強度。此特徵係以提供高動態範圍而著稱。提供高動態範圍之一方法係壓縮為入射光刺激之函數之測得之電子響應。此壓縮可被稱為次線性，即，具減少之斜率之非線性，電信號係依入射強度而定。高動態範圍亦可藉由使用增益可被控制之光檢測器而促進，諸如，經由選擇已知用以產生一特定增益之電壓偏差。 一實施例之光檢測器可提供沿電磁輻射之不同光譜帶之識別。特別感興趣係x-射線、紫外線、可見光(包含藍、綠，及紅)、近紅外線，及短波紅外線帶譜。 以下係描述於各種應用產生、積體化(例如，與電路)，及開拓上表面光檢測器或光檢測器陣列之方法及處理。 此間所述之光檢測器及光檢測器陣列可輕易地與影像感應器電路及系統之其它部份藉由諸如旋轉塗覆、噴灑塗覆、滴液塗覆、噴濺、物理蒸氣沈積、化學蒸氣沈積，及自行組合等之方法積體化。實施例包含以鈍化奈米顆粒表面之配位體替換較短之配位體，其於一旦膜形成時會提供適當電荷載體移動性。實施例包含溶液相替換，其能實現用以實現於一陣列上具有可接受之一致暗電流及光響應性之影像感應器所需平滑形態膜。 此間所述之光檢測器提供相對最大之敏感性。其藉由提供光導增益而使信號達最大。光導增益之值範圍係1-50，造成，例如，於可見波長之範圍為從0.4 A/W至20 A/W之響應度。於實施例中，此間所述之光檢測器藉由熔合奈米結晶核使雜訊達最小，以確保於構成使電流經其流過之光學敏感性層之顆粒間實質上無雜訊降解之電通訊。於實施例中，此間所述之光檢測器藉由使活性層之淨摻雜達最小而使暗電流達最小，因此確保此等光學敏感性材料之暗載體密度及因而之暗導性達最小。於實施例中，此間所述之光檢測器藉由提供一電極與奈米結晶層電連接(其阻絕，例如，一種載體，可能包含平衡之主要載體)而使暗電流達最小。於實施例中，交聯分子被使用，其利用化學官能性移除造成p-型摻雜之氧化物、硫酸鹽，及/或氫氧化物。因此，於實施例中，一更為本質性或平坦之n-型光學敏感性層可被提供，導致降低之暗電流。於實施例中，量子點合成及/或加工處理及/或裝置封裝之許多步驟可於受控制之環境(諸如，Schlenk line或Glove Box)中實施；且光學敏感性層可使用實質上不可滲透之層(諸如，氧化物、氧氮化物，或聚合物，諸如，聚二甲苯，或環氧化物)封裝，以避免反應性氣體(諸如，氧或水)顯著滲透光學敏感性層。以此方式，諸如，增益、暗電流，及滯後之性質之組合可於一影像感應器之使用壽命保持。 此間所述之光檢測器提供可快達約sub-100毫秒，sub-30-毫秒，及sub-1-毫秒之時域響應。於實施例中，此可藉由提供與光學敏感性層有關之提供增益(及提供暫留)之捕捉態而達成，其可捉至少一種載體僅持續諸如100毫秒，30毫秒，或sub-1毫秒之有限時間。於實施例中，PbS奈米顆粒係以PbSO3(PbS之氧化物)裝點，顯示具有約20-30毫秒附近之捕捉態壽命，提供適於許多錄影成像應用之暫態響應。於實施例，光二極體係以膠體量子點層為主替代地提供，具有可察覺出之不同功函數之二電觸點被用以接觸此活性層。於實施例中，暗電流可於無需施用可察覺之外部電壓偏差經由操作此等裝置而達最小，於實施例，交聯部份(諸如，苯二硫醇、二齒連接劑)可用以移除及/或鈍化可於此等材料中存在或發展之某些捕捉態。 此間所述之光檢測器藉由產生電信號(諸如，光電流)之次線性相依性而提供促進之動態範圍。於低至中強度之範圍，捕捉態可被填充，且於某一適度暫留(或捕捉態)壽命(諸如，30毫秒)後發生逃離。於更高強度，此等捕捉態被實質上填充，因此，電荷載體遭遇相對應於較低差異之增益之較短壽命(或暫留時間)。因此，此等裝置於低至中強度範圍展現實質上固定之增益，其後，於更高強度之增益係溫和下降。換言之，於低至中強度，光電流係約線性地依強度而定，但於更高強度，光電流展現對強度之次線性相似性。於實施例，其中光導增益係依施加至裝置之偏差而定之光檢測器被提供。此係因為增益係與載體壽命除以載體轉移時間呈比例而發生，且轉移時間係與施加之場呈反比例改變。於實施例，拓展增益對偏差之相似性以增加動態範圍之電路被發展。 於實施例，此間所述之光檢測器可被輕易改變或”調整”，以提供對不同光譜帶之敏感性。調整於此係經由量子尺寸效應而提供，藉此，奈米顆粒直徑減少，於經由合成控制之情況，增加形成量子點之有效能隙。另一調整方法係經由選擇材料組成而提供，其中，使用具有較大總能隙之材料一般係促進具有於相對較高光子能量之響應度開始之光檢測器之實現。於實施例，具有不同吸收開始之光檢測器可被疊置以形成垂直像素，其中較接近光學信號來源之像素吸收且感應較高能帶之電磁輻射，而較遠離光學信號來源之像素吸收及感應較低能帶。 第1圖顯示一實施例之材料堆疊物。材料堆疊物係與互補之金屬氧化物半導體(CMOS)矽電路(但不限於此)積體化。使用CMOS矽電路讀取藉由光導性光檢測器(包含上表面光檢測器，且包含以膠體量子點為主者，包含PbS)轉換之信號包含使上表面光導性材料與矽CMOS電子器件積體化。光導性光檢測器之結構及組成係於下詳細描述。 第2圖顯示一實施例之於一部份像素上之材料堆疊物 截面。此圖式於左手及右手側或區域描述參考第1圖之相同材料之堆疊物。於此裝置之側中部係於材料金屬'1'以材料'7'替代而併入一不連續性。材料'7'一般可為一絕緣物，諸如，SiO2或SiOxNy。第2圖之實施例可被稱為一側像素之一部份。於實施例，電流係經由材料'2'(界面)、材料'3'(黏著)，及材料'4'(光敏性層)於金屬'1'間大量流動。此間所述之材料堆疊物之不同部份或區域在此被稱為"材料"或"層"，但並不限於此。 第3圖顯示一實施例之於一像素上之材料堆疊物之截面。第3圖之實施例可被稱為一垂直像素之一部份。此圖式一般係以材料' 1', '2', '3', '4', '5', '6'描述如上參考第1圖所述之相同材料之堆疊物。一界面材料或層'8'係被併納或積體化於此裝置之頂部或區域上。材料'8'包含於此以材料’2’描述之材料組之一員或多員。一金屬或接觸層或材料’9’被併納或積體化於此裝置之一頂部或區域上。此金屬或接觸層’9’包含此間以材料’1’所述之材料組之一員或多員。實施例中，材料'9'包含一透明導性材料，諸如，氧化銦錫、氧化錫，或一薄(對可見光係實質上不吸收)金屬(諸如，TiN、Al、TaN)，或於上以材料’1’描述之其它金屬。 材料"1"係一位於基材(未示出)上且可為一矽CMOS 積體化電路之金屬，其係。於加工處理期間，其可為一200 mm或300 mm之晶圓，即，尚未被單一化形成晶粒之晶圓。材料"1"係指一存在於CMOS積體電路晶圓之頂面之金屬，其被呈現且用於與其後層之物理、化學及電連接。金屬可包含：TiN、TiO2 、Tix Ny 、Al、Au、Pt、Ni、Pd、ITO、Cu、Ru、TiSi、WSi2 ，及其等之組合。材料"1"係被稱為觸點，或電極，即此於此間將探討此觸點之行為係受可位於此金屬及材料"4"(光導性量子點層)間之薄層影響。 金屬可被選擇以達一特殊功函數，且會影響歐姆或非歐姆(例如，肖特基(Schottky))接觸係關於其接近之層形成。例如，金屬被選擇以提供一淺功函數，諸如，一般係於-2.0 eV與-4.5 eV間之值，例如，位於-2.0 eV與-4.2 eV間之值。 此金屬可達少於5 nm之均方根值之表面粗糙度。 此金屬可以0.18微米或更小之臨界尺寸形成圖案。此金屬可被形成圖案以使，像素對像素，電極之間隔(諸如，一像素中間電極及一格柵之間)不會以多於1%之標準偏差改變。 金屬可以一氧化物(諸如，自然氧化物-諸如，於TiN之情況係TiOx Ny )終結。一般，此氧化物或於其上之其它材料(諸如，有機殘質、無機殘質，諸如，'聚合物'等)係具有一致且已知之組成物厚度。 此金屬係一導性材料，其中，構成此金屬之此材料主體可具有少於100 微歐姆*公分之電阻。 金屬可被加工處理如此，於晶圓上，於欲形成光敏性像素之所有區域，係未以任何另外之氧化物或有機物或污染物封蓋。 於形成界面層之前或之後，晶圓之上表面可包含金屬及絕緣材料(諸如，絕緣氧化物)之區域，如此，此表面上之特徵之峰谷距離係少於50 nm。 於引入光敏性半導體層前，於1.1x1.1 um或1.4x1.4 um矩形柵極中央之一像素電極間流動之漏電流於3V偏差需少於0.1 fA。 材料'1'上之層或材料形成一界面或界面層。形成此界面之層之每一者係依序於下詳細描述。 材料"2"係此界面層之第一部份或第一片段，且包含位於金屬上之材料。材料'2'可包含此金屬之一純淨表面。此層之材料可包含氧化物，其包含經由曝置於水、氧，或其它氧化物質，因被曝置金屬存在而一般形成者；或可有計劃地形成，諸如，曝置於一受控制之環境及曝置於高溫，諸如，於快速熱處理。自然氧化物包含，例如，下列者：於TiN上之TiO2 及TiOx Ny ；於Al上之A12 O3 ；於Au上之Au2 O3 ；於Pt上之PtO或PtO2 ；於Ni上之Ni2 O3 ；於W上之WO3 ；於Pd上之PdO；及於ITO上之富氧之ITO。此一自然氧化物可被移除，諸如，使用蝕刻，及以另一層替換。例如，諸如TiOx Ny 之自然氧化物可被蝕刻(使用諸如氬噴測之方法)，然後，一層可沈積於其上，諸如，一受控制之氧化物，諸如，TiO2 、TiOx ，或TiOx Ny 。自然氧化物及有計劃沈積之氧化物之厚度總和可為2與20 nm之間。 材料'2'之一部份可為一對大部份或所有波長之可見光係實質上透明之材料。其可具有大於2 eV或大於2.5 eV或大於3 eV之能隙。其可為一大能隙之摻雜半導體。亦可經由化學計量而達成摻雜，諸如，於材料2之下或之上之其中x被改變TiOx 之情況，以達成淨摻雜。x之值典型上係1.9，以達超過化學計量之TiO2 之過量之Ti。x之值典型上可為2.1，以達成超過化學計量之TiO2 之過量之O。其中x ＜~ 2之TiOx 可藉由使化學計量之TiO2 曝置於一還原環境而達成。游離電子之密度可藉由增加起始化學計量之TiO2被減少之程度而增加(其相對應於較大之n-型摻雜)，即，相較於數值2係更大量地減少TiOx 中之x。TiO2 可與氮摻雜以改良其游離載體濃度、功函數，及電子親和性。TiO2 或TiOx 可與B、C、Co、Fe摻雜。其可為一稍微之n-型材料，諸如，具有10^10 cm-3 之平衡載體密度之輕度摻雜之TiOx 。其可為適中摻雜之n-型材料，諸如，具有10^16 cm-3之平衡載體密度之TiOx。其可為一更強烈摻雜之n-型材料，諸如，具有10^18或10^19 cm-3 之平衡載體密度之TiOx。其電子親和性係積極地實質上緊密地相對應於此等材料之功函數。其功函數可實質上緊密地相對應於此等材料之功函數。其離子化電勢可位於比吸光層(此間所述之材料’4’)之離子電勢更深之能量。其可經由退火方法、氣相處理，或化學處理(諸如，曝置於有機分子)處理，以便使電洞於與一相鄰之半導體層(諸如，吸光層(即下探討之’4’)接觸時達到低表面重組速率。 材料'3'亦可存在於此界面層，且包含一可置於或位於此界面層之第一部份之上之材料。材料'3'包含吸附之有機物(諸如，有機分子)，其係有計劃或偶然地或經由此等之組合而引入，其係位於金屬上，與此金屬直接接觸，或與金屬氧化物直接接觸。此等分子於此間被詳細探討。 實施例包含材料'2'但缺乏材料'3'者。此等實施例包含選擇其間無需諸如藉由材料’3’提供者之黏著層之材料。舉例而言，若材料'2'併納諸如鈦之金屬(諸如，若材料'2'併納TiOx )，及若材料'4'併納一交聯劑(諸如，巰苯甲酸，其間巰苯甲酸上之一官能基結合TiOx )，則材料'4'及材料'2'間之黏著可於無明確包含材料'3'而提供。 於實施例，材料’1’、材料'2'及材料’3’之所有者可存在。實施例包含其中肖特基接觸係無有計劃地引入一異質接面下經由金屬'1'與材料’4’而為之情況。實施例包含一其中TiN或TiOx Ny 形成金屬'1'，層'2'係金屬'1'之純淨終結而無大量形成自然氧化物，一黏著層(諸如，六甲基二矽氮烷)可於材料’3’提供之裝置。 於實施例材料’1’、材料’2’及材料’3’之所有者可存在。實施例包含其中一與光敏性層'4'之異質接面係經由於材料’2’使用大能隙之氧化物而形成之情況。實施例包含一其中TiN或TiOx Ny 形成金屬'1'，層'2'包含一大能隙之半導體(諸如，TiOx (其可經結構性摻雜、雜質摻雜，或二者，或非任一者))，且一黏著層(諸如六甲基二矽氮烷)可於材料'3'提供之裝置。 於實施例，材料'1'可為鋁金屬，材料'2'可包含鋁之自然氧化物，且可包含一經摻雜之導性氧化物(諸如，經摻雜之Al2O3)，及/或可包含一大能隙之半導體，諸如，TiOx (其可經結構性摻雜、雜質摻雜，或二者，或非任一者)，且材料'3'可包含一黏著層(諸如，六甲基二矽氮烷)。 於實施例，材料'1'可包含鋁、鎵、銦、錫、鉛、鉍、鎂、鈣、鋅、鉬、鈦、釩、鑭、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋯、鈮、鈀、銀、鉿、鉭、鎢、銥、鉑、金。於實施例，用於標準CMOS之金屬(諸如，鋁、鎢、鉭、鈦、銅)係較佳。 於實施例，材料'2'可包含此金屬之表面，且可包含鋁、鎵、銦、錫、鉛、鉍、鎂、鈣、鋅、鉬、鈦、釩、鑭、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋯、鈮、鈀、銀、鉿、鉭、鎢、銥、鉑、金之氧化物、氮化物，或氧氮化物。於實施例，較佳係可使其包含用於標準CMOS之金屬(諸如，鋁、鎢、鉭、鈦、銅)之氧化物、氮化物，或氧氮化物。 於實施例，材料'2'可包含多個次層。於實施例，其可包含一由諸如鋁、鎵、銦、錫、鉛、鉍、鎂、鈣、鋅、鉬、鈦、釩、鑭、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋯、鈮、鈀、銀、鉿、鉭、鎢、銥、鉑、金之金屬組成之次層。於實施例，較佳係此次層可包含用於標準CMOS之金屬(諸如，鋁、鎢、鉭、鈦、、銅)。於實施例，材料'2'可包含一由鋁、鎵、銦、錫、鉛、鉍、鎂、鈣、鋅、鉬、鈦、釩、鑭、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋯、鈮、鈀、銀、鉿、鉭、鎢、銥、鉑、金之氧化物、氮化物，或氧氮化物所組成之另外之次層。於實施例，較佳係此另外之次層包含用於標準CMOS之金屬(諸如，鋁、鎢、鉭、鈦、、銅)之氧化物、氮化物，或氧氮化物。 稱為材料’4’之層係指一吸光層，其包含奈米結晶或石英點。量子點(QD)(第1圖中以'1220'描述)可為一奈米結構，例如，一半導體奈米結構，其限制所有三個空間方向之導電帶電子、價電帶電洞，或激子(導電帶電子及價電帶電洞之結合對)。此限制可能係由於靜電勢(例如，藉由外部電極、摻雜、應變、雜質而產生)，不同半導體材料(例如，核殼奈米結晶系統，其係併納於第1圖之'1221'內)或一半導體與另一材料(例如，藉由有機配位子；或藉由介電物質(諸如，氧化物(諸如，PbO)，硫化物(諸如，PbSO3 )，硫酸鹽(諸如，PbSO4)，或SiO2)裝點之半導體，其係併納於第1圖中之'1221’內)間之一界面之存在，併納於第1圖之’1221’內之一半導體表面之存在，或此等之一或多數之組合。一量子點於其吸收光譜展現一理想化零尺寸系統之個別量化能譜之作用。相對應於此個別能譜之波函數係於量子點內被實質上空間局部化，但於此材料之晶格之許多期間擴展。於一例示實施例，QD可具有一半導體或化合物半導體材料之核(諸如，PbS)。配位子可附接至一些或全部之外表面，或於某些實施例可被移除。於某些實施例，相鄰QD之核可熔合在一起形成具奈米規格特徵之奈米材料之連續膜。於其它實施例，核可藉由連接劑分子彼此連接。於某些實施例，，捕捉態可於奈米材料之外表面上發現。於某些實施例，，核可為PbS且捕捉態可藉由於核外表面上形成之諸如PbSO3 之氧化物形成。 一QD層可具有熔融QD核之一連續網絡，其具有具與核者不同組成，例如，氧化核材料(諸如，PbSO3 )，或不同種類之半導體之外表面。此膜之個別QD核係緻密接觸，但持續展現個別量子點之許多性質。例如，一單獨(未經熔融)之量子點具有一自與其尺寸(例如，1-10 nm)有關之量子效應產生之充份特徵化之激子吸收波長峰值。此膜內之熔融QD之激子吸收波長峰值未顯著地自熔融前存在之中央吸收波長位移。例如，熔融時中央吸收波長可以約10%或更少而改變。因此，膜內之QD保持其量子效應，即使其可能為一巨觀結構之一積分部份。於某些實施例，QD核係藉由如下進一步描述之連接劑分子連接。此使電沆能比經由未經連接未續熔融之QD者更輕易地流動。但是，使用連接劑分子形成QD之一連續膜而替代使此等核熔融會降低某些光導體及影像感應器實施例之暗電流。 於某些實施例，QD層係例外地具輻射敏感性。此敏感性對於低輻射成像應用係特別有用。同時，此裝置之增益可被動態調整以使QDPC飽和，即，另外之光子持續提供可藉由讀出電子電路識別之另外有用資訊。增益之調整可藉由改變於一特定裝置(例如，一像素)之電壓偏差及因而之形成電場而方便地達成。QD裝置之一些實施例包含一QD層及一經專門設計或預先製造之它子讀出積體電路。然後，QD層係直接形成於此經專門設計或預先製造之電子讀出積體電路上。QD層可另外被形成圖案以使其形成個別之島狀物。於某些實施例，QD層疊置於電路上，其持績重疊及接觸此電路之至少一些特徵。於某些實施例，若QD層疊置此電路之三維特徵，QD層可順應此等特徵。換言之，於QD層與下面之電子讀出積體電路間存在一實質上緊鄰之界面。此電路之一或多個電極接觸此QD層，且能續電保護有關於QD層之資訊，例如，與QD層上之與輻射量有關之電子信號，至一讀出電路。QD層可以連續方式提供以覆蓋整個底下之電路(諸如，一讀出電路)，或形成圖案。若QD層係以連續方式提供，填充因子可達約100%，形成圖案時，此填充因子被降低，但對於某些使用矽光二極體之例示CMOS感應器仍可遠大於典型之35%。於許多實施例，QD光學裝置係使用可用於一般用以製造傳統CMOS裝置之設備之技術輕易製造。例如，一QD層可使用旋轉塗覆(其係一種標準CMOS方法)以溶液塗覆於一預先製造之電子讀出電路上，及選擇性地以其它之CMOS可相容之技術進一步處理，以提供用於此裝置之最終QD層。因為QD層無需以奇特或困難之技術製造，而可替代地使用標準CMOS方法製造，QD光學裝置可以高體積製造，且相較於現今之CMOS處理步驟於資本成本(非材料上)無顯著增加。 QD材料於約可見光之端緣(諸如，約650 nm)具一吸收截斷。QD材料可於較長波長具有一吸收截斷，以確保於整個可見光之高吸收率，諸如，當於700-900 nm範圍之吸收截斷。 QD膜可使用傳統之旋轉方法、噴墨印刷方法、Langmuir-Blodgett膜沈積、電動噴灑，或奈米壓印沈積。. QD膜可使用使QD溶液以30 RPM分配於一晶圓上及其後以三步驟旋轉方法而沈積。 QD溶液吸收波峰之光譜位置可被特定而位於740 nm, +/- 10 nm。接近740 nm之QD吸收波峰及稍向此波峰之藍色之波谷之吸收率比值可被特定為1.2。 量子點層之厚度可被特定為300 nm. +/- 50 nm。量子點層層之厚度可被選擇以確保於400-640 nm之光譜範圍，入射於此膜上之所有光線之大於90%被吸收。量子點膜之粗糙度(均方根值)可被特定為少於5 nm。 於適當偏差(諸如，3V偏差)下之1.1x1.1 um像素之暗電流可為少於0.5 fA。增益於1.1x1.1 um之像素可大於10。 鹼金屬雜質可以低於5E17 cm-3濃度存在於量子點膜。尺寸大於0.16微米之缺陷於一200 mm晶圓可少於20。流動載體之移動性可超過1E-5 cm2 /Vs。此膜內之奈米結晶之裝載分率可超過30體積%。 併納於材料’4’內係諸如PbO、PbSO4 、PbSO3 、聚硫酸鹽之化學物種；且其亦可包含諸如O2 、N2 、Ar、H2 、CO2 、H2 O，及H2 S之物理吸附物種。 併納於材料’4’內可為與至少一奈米顆粒，或奈米結晶，或量子點之表面結合之分子。此等可包含以硫醇終結之配位體，諸如，苯硫醇、乙烷硫醇；以羧酸酯終結之分子，諸如，油酸及甲酸；以胺終結之配位體，諸如，吡啶、丁胺、辛胺。其亦可包含二齒交聯劑，諸如，苯二硫醇、乙烷二硫醇，及丁烷二硫醇。其亦可包含包含(1)一主幹；(2)與奈米顆粒表面結合之特定側基團及/或端基團，包含硫醇、胺、羧酸酯；及(3)其它官能基，諸如，賦予於極性、非極性，及部份極性之溶劑內之可溶性者之多齒分子。 材料’5’可包含於’4’之頂部上之層，其可提供底下材料之鈍化，包含使物種於此材料堆疊物之層’1’-‘4’及此材料堆疊物之外側間之移動程度達最小。此層亦可促進與疊置層(諸如，封裝層)之良好物理性黏著。 材料'6'係指可被包含於材料堆疊物之頂部上且可用以使物種於此材料堆疊物之層’1’-‘4’及此材料堆疊物之外側間之移動程度達最小之一層或多層。於一平面電池結構，量子點膜層可使用低溫(少於100o C)之電漿加強化學蒸氣沈積(PECVD)SiO2 、SiN，或SiOCN之方法提供適於與彩色濾波陣列(CFA)進一步積體化之光學透明性膜而封裝以抗氧及水份之擴散。此膜可被特定而具有200 nm +/- 10 nm之厚度。其可被特定而具有少於5 nm rms之表面粗糙度。光學透射率可超過99%。黏著可對底下之層提供。一實施例於一200 mm晶圓上具有少於20個大於0.1 um顆粒缺陷。一實施例可於一200 mm晶圓上具有少於20個大於0.1 um針孔。 電觸點及光敏性半導體間之界面之性質係裝置穩定性及性能之一重要決定因素。例如，無論此觸點係歐姆對肖特基，及無論此觸點及半導體係以一使{半導體及觸點}之至少一者鈍化之薄界面層分離於穩定性及性能係重要。 光導層之組成-例如，於構成光導體之半導體材料上之表面捕捉態之存在-係裝置之性能及穩定性之一重要決定因素。特別地，光導性材料通常對於奈米顆粒表面上之經物理吸收或化學吸收之物種(可能源始係以氣體存在(諸如，O2 、H2 O、CO2 ))之存在具敏感性-此等因而於加工處理期間需小心控制，且一封裝及/或鈍化層可用於此光導層之上及/或之下，以避免隨時間之固定光導性故障。進一步描述係於一實施例之金屬及半導體間之界面與一實施例之封裝之後。 層'4'可自矽(包含單結晶矽、多結晶矽、奈米結晶矽，或非結晶矽(包含氫化之非結晶矽))製成。 層'4'可包含非實質上量子限制，相反地係實質上保持一本體半導體之能隙之材料。實施例包含諸如矽、鎵、砷、碳、PbS、PbSe、PbTe、Bi2 S3 、In2 S3 、銅-銦-鎵-硒化物(或硫化物)、SnS、SnSe、SnTe之材料之結晶或多結晶或奈米結晶或非結晶之實施例，其中，其中，任何結晶或部份結晶次單元之特性尺寸典型上係不小於使用之半導體材料之Bohr激子半徑(電子-電洞對之特性空間程度)。 一實施例之界面形成可包含材料’1’之清理及終結。 一實施例之界面可包含於材料'1'上形成之氧化物，包含作為材料7之一部份之自然氧化物。此氧化物之厚度係裝置性能之一重要決定因素。過度之氧化物厚度(例如，超過10-20 nm之厚度)會提供與此光導體膜呈串聯之一過度接觸電阻，需應用非所欲之增加偏差c/o偏電流。於實施例，此自然氧化物之厚度被保持於少於5 nm之範圍。 一實施例之界面可包含作為材料'2'之一部份之另一薄層，諸如，TiO2 ，其一般被包含以改良與欲置於上之半導體之界面之功函數。此層於實施例可提供有利於一種電荷載體之敏感性：例如，TiO2 可被建構以便於操作偏壓時，使電子有效率地注射於光導性半導性層之導電帶內，但於此相同偏壓，係以遠較低之功效自此光導性半導性層之價電帶取得電洞。TiO2 可被建構以便於操作偏壓時，可有效率地自光導性半導性層之導電帶擷取電子，但於此相同偏壓，係以遠較低之功效使電洞注射於此光導性半導性層之價電帶內。 一實施例之界面可為作為材料'2'之一部份之另一薄層，諸如，聚[2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)對伸苯伸乙烯](MEH-PPV)，一般被包含以使一種電荷載體(諸如，電洞)流動，同時阻絕另一種(諸如，電子)之流動。 一實施例之界面可包含作為材料'3'之一部份之一薄層，可能為一自行組織之分子單層，其被設計使分子之一側與底下之層結合，且於此分子之另一終端，結合欲被置於其上之半導體，且確保受控制之電子通訊，亦確保機械穩定性，例如，構成多層裝置之材料間之良好黏著。 一實施例之層狀結構提供經由一界面之有效率電荷載體轉移。於實施例，此層狀結構可與光導性半導體層形成實質上歐姆接觸，提供於接近此界面處之極少或無半導體耗損，且提供至少一種電荷載體(例如，電子、電洞)之有效率注射及擷取。於實施例，此層狀結構可與此光導性半導體層形成肖特基接觸，提供欲被注射及/或取得之電荷載體欲克服之能量障壁。於實施例，此層狀結構可形成一選擇性接觸，提供比提供另一種(例如，電洞)之擷取更有效率之一種電荷載體(例如，電子)之注射；及/或提供比提供另一種(例如，電洞)之注射更有效率之一種電荷載體之取得。 一實施例之層狀結構提供此接觸表面之功函數，其中，有效功函數係藉由電極之材料、界面層之材料，及其厚度決定。 一實施例之層狀結構提供用以抑制非所欲之載體轉移之阻絕能力，例如，於p-半導體光檢測器裝置之情況之於金屬電極之表面上提供電子捕捉態之層。 一實施例之層狀結構提供光敏性半導體材料與金屬電極之強烈鍵結。 一實施例之層狀結構提供金屬電極-半導體材料之界面高溫穩定性。 具一工程界面層之一實施例之電子裝置之結構及組成物不受限地包含一金屬電極，其包含一用於半導體製造之傳統材料，其係於一選擇之化學計量混合物中被輕易氧化或氮化或二者，諸如，Ti、W、Ta、Hf、Al、Cu、Cr、Ag；或對氧化或氮化具敏感性者，諸如，Au、Pt、Rh、Ir、Ru、石墨、非結晶之碳、石墨烯，或碳奈米管。此等金屬電極亦可自合金、導性玻璃，及各種導性介金屬合金形成。形成電極之功函數可經由曝置於在特定溫度之氧、氮，或此等之混合物持續一特定時間而調整。 一實施例之電子裝置之結構及組成物包含一於金屬觸點之表面上之界面層。一實施例之界面層包含此電極之元素之氧化物或介金屬合金，其具有足以維持觸點之歐姆特性之最大厚度，但具有足以產生電子捕捉態之最小厚度。此結構可使用PVD(物理蒸氣沈積)、ALD(原子層沈積)、CVD(化學蒸氣沈積)、離子簇、離子束沈積、離子植入、退火，或其它膜沈積方法產生或生成。另外，此等膜可自水性及非水性之液體組成物形成，其可包含電化學技術，形成該等金屬之氫氧化物、氧化物、氟化物、硫化物、硫酸鹽、亞硫酸鹽、磺酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽、亞磷酸鹽、硝酸鹽、亞硝酸鹽、氮化物、碳酸鹽、碳化物，及其它型式之鹽類或錯合物。界面層之平均厚度可依最終界面層之導性及金屬電極本身之功函數而於0.1 nm-0.2 nm至10 nm-50 nm改變。 一實施例之界面層包含沈積於電極表面上另外氧化物，該氧化物係經摻雜之TiO2 、HfO2 、A12 O3 、SiO2 、Ta2 O5 、Znx Aly O、Znx Gay O、ZnInx Sny O，及相似之p-導性材料。再者，此等材料可使用先前所述之方法沈積。 界面層之另外性質係藉由與半導體光敏性層之組份形成相對較強之化學鍵結(較佳係共價)之必要性而決定。若光敏性層無一組份提供與界面層之化學鍵結，此界面層之表面係使用有機二官能性分子改質，其中，一種官能基提供與界面層表面之選擇性鍵結，而第二種官能基提供與配位體之鍵結或直接與半導體奈米結晶鍵結。此等鍵結分子可於非導性之烷或芳基主幹上形成，或可於包含苯胺、乙炔，或其它型式之sp2混雜之碳之導性主幹上形成。提供與電極之氧化表面或界面層之表面鍵結之官能基不受限地包含矽烷、矽氧烷、矽氮烷、一級，二級，或三級之胺、醯亞胺、磷酸鹽、肟、羧酸酯。形成界面層之有機分子之平均長度典型上可從2至16個碳原子變化。 若電極之金屬係鈍性(例如，Au、Pt、Cu、Ag等)，界面層可自包含提供與一邊之金屬表面及與另一邊之奈米結晶直接鍵結之二相似官能基之分子形成。一例子係形成Au-S-R-S-NC鍵。再者，有機界面層之厚度及導性係以所需之電子裝置性質界定。 若界面層之導性超過電子裝置參數所需之可容許極限(對於平面電極元素)，連續膜可使用傳統形成圖案之技術形成圖案。 於具有至少二電極之每一電子裝置，此等電極之一係由具有一功函數之金屬製成，而另一電極可具有不同功函數及/或不同導性型式(電子或電洞)。 對於一垂直結構之電子裝置，如上之相同方式被用於底部電極，而頂面上之界面層係藉由沈積有機分子或半導體材料之薄透明層而形成。 如上之分子係具有從約1至約10,000之聚合度之聚合物。 於形成一此間所述之裝置，一般，此裝置可被形成而包含材料'1'及材料'2'之一致、可靠之結合，其後可控制式地形成材料'3'及吸光層'4'。例如，一實施例可經由具有少於100微歐姆*公分之電阻及位於-2 eV與-4.5之間及位於-2 eV與-4.2 eV之間之功函數之高導性觸點之材料'1'提供。一實施例可經由具有能使電子注射於隨後之光敏性半導體層內但阻絕電洞自此層擷取之材料'2'提供。一實施例可達成一受控制厚度之經摻雜之實質上透明之氧化物，諸如，n-型TiOx，作為材料'2'之第一部份之一部份。例如，一實施例可達成2-20範圍之TiOx厚度，其被控制於1-5 nm內；且其中， TiOx 具有lx1018 cm-3 之經特別選擇之載體密度，且於載體密度具有嚴格之控制帶譜，諸如，+/-10%。 此間所述裝置之層堆疊物或結構之製造包含：(1)形成金屬，諸如，經料於氮氛圍噴濺鈦，造成TiN之形成；(2)其後加工處理，造成界面層(諸如，自然氧化物，諸如，TiOx Ny 或TiOx )之形成(此其後之加工處理可造成一範圍之可能氧化物厚度及摻雜物與載體載體)；(3)經由蝕刻，諸如，硫酸-過氧化物-去離子水蝕刻，或過氧化銨蝕刻，或物理性蝕刻(諸，氬氣噴濺)，或反應性噴濺蝕刻(諸如，氬氣及氫氣)，移除自然氧化物層；於一實施例，此蝕刻完全移除此氧化物；用以確保完全移除之有節制之過度蝕刻可被操作；(4)一實施例沈積受控制之厚度，受控制之摻雜，及受控制表面終結之氧化物層，諸如，TiOx 、TiOx Ny ，或其它界面層。諸如物理蒸氣沈積之方法(包含於O2 、N2 ，或其等之混合物存在中之TiOx 源、TN源，或Ti源之DC噴濺、RF噴濺)可用以沈積此等層。方法亦包含CVD及ALD，其中，一先質先沈積於晶圓之表面上，且一反應係於受控制之溫度進行。於其中TiOx 欲被形成之情況，先質可被使用。 此間所述裝置之層之堆疊物或結構之製造可包含：(1)形成金屬，諸如，經由於氮氛圍中之鈦噴濺，造成TiN之形成；(2)於此金屬頂部上原位轉移沈積一界面層。此可包含TiOx 或TiOx Ny 。此等層可擁有受控制之厚度，受控制之摻雜，及受控制表面終結之氧化物層，諸如，TiOx 、TiOx Ny ，或其它界面層。諸如物理蒸氣沈積之方法(包含於O2 、N2 ，或其等之混合物存在中之TiOx 源、TN源，或Ti源之DC噴濺、RF噴濺)可用以沈積此等層。方法亦包含CVD及ALD，其中，一先質先沈積於晶圓之表面上，且一反應係於受控制之溫度進行。於其中TiOx 欲被形成之情況，化學先質可被使用。 如上所述，封裝及/或鈍化之層可被用於光導層之上及/或之下，保持隨時間之一致光導特徵。此間所述之實施例確保光導層內之一致之氣體環境(或無大量氣體存在)。例如，真空、氬、氮、氧、氫、二氧化碳可被包含或被排除，以各種比例及達各種程度。實施例可排除氧、H2 O、CO2 ，且可無氣體分子，或僅包含非反應性之材料，諸如，氬及/或氮。為保持隨時間之一致光導特徵，一封裝層可被包含，其目的係避免光導層及此膜外部區域間之氣體交換。一實施例之用於此目的之材料不受限地包含：聚二甲苯；As2 S3 或As2 Se3 ；Si3 N4 、SiO2 ，及此等之混合物，即，SiOx Ny ；諸如TiO2 、HfO2 、A12 O3 、SiO2 、Ta2 O5 、Znx Aly O、Znx Gay O、ZnInx Sny 之氧化物。 封裝材料可藉由一鈍化層提供，其可能呈一實質上單分子單層之型式。此第一層可於沈積此封裝劑期間用以保護被封裝之結構：例如，一諸如聚二甲苯之材料層可使用一不會不利地改變光導層之光電行為之程序先被沈積，且於隨後之封裝方法期間提供光導層保護。其可，例如，保護此膜免於自氧及用於沈積含氧之封裝劑(諸如，SiOx 、SiOx Ny 等)之某些方法期間存在之其基而造成之反應。 於實施例，總封裝劑堆疊物(可包含多數層)之典型厚度範圍可為單一單層(典型上~nm或些微之次-nm，例如，5 A)至典型上係1微米。於實施例，總封裝劑堆疊物之總厚度所欲地可為少於1-2微米，以使此陣列之光學性質干擾達最小。 於實施例，包含於層'1', '2', '3', '4', '5'之至少一者內可為用以清除可與此裝置內之材料(包含若反應會改變裝置之光電性質之材料)反應之材料。會進入此裝置之反應性分子之例子包含O2 及H2 O及O3 。可具有藉由此等反應改變之光電性質之於此裝置內之材料之例子包含材料'4' NC、材料'3'黏著、材料'2'界面，及'1'金屬。清除作用之部份之例子包含氮化硼、硼氫化物(包含四氫硼酸鹽)、兒茶素硼烷、三仲丁基硼氫化鋰、硼氫化鋰、三乙基硼氫化鋰、硼氫化鈉，及硼氫化鈾。清除作用之部份之例子包含可水解之矽氧烷。 一實施例之裝置可包含一與半導體光敏性層之組份之強烈化學鍵(例如，共價)。於光敏性層無一組份提供與界面層化學鍵結之情況，界面層之表屇係使用有機二官能性部份改質，其中，一種官能基提供與界面層表面之選擇性鍵結，而第二種官能基提供與配位體或直接與半導體奈米結晶之鍵結。此等鍵結分子可於非導性之烷或芳基主幹上形成，或可於包含苯胺、乙炔，或其它型式之sp2混雜碳之導性主幹上形成。提供與氧化物鍵結之官能基可包含矽烷、矽氧烷、矽氮烷、一級，二級，或三級之胺、醯亞胺、磷酸鹽、肟、羧酸酯。 一實施例之裝置之製造方法可包含於乾淨之乾燥空氣氛圍內於20℃使用SCI預清理晶圓30秒。一實施例之裝置之製造方法可包含於乾淨之乾燥空氣氛圍於20℃於去離子水中沖洗30秒。一實施例之裝置之製造方法可包含使晶圓乾燥，其包含於一指定環境(諸如，乾淨之乾燥空氣、真空、氮、氬，或還原氛圍(諸如，氫)，或含有惰性氣體(諸如，N2或Ar)之控制式氧化氛圍及氧化氣體(諸如，O2 ))，於指定溫度(諸如，20、70、150，或200℃)烘烤一指定時間(諸如，30秒-24小時)。 一實施例之裝置之製造方法可包含指定其它處理方法間之最大及最小與平均之等待時間。 一實施例之裝置之製造方法可包含處理基材及量子點膜，其包含曝置於在一指定氛圍(諸如，N2 )之於指定溫度(諸如，25℃)之乙腈內之乙烷二硫醇一指定時間(諸如，20秒)。一實施例之裝置之製造方法可包含處理基材及量子點膜，其包含曝置於在一指定氛圍(諸如，N2 )之於指定溫度(諸如，25℃)之乙腈內之己烷二硫醇一指定時間(諸如，20秒)。 一實施例之裝置之製造方法可包含於特定溫度(諸如，100℃)或低於此溫度沈積一介電封蓋層(諸如，SiO2 )，且於諸如100℃達一特定厚度之介電封蓋層。 一實施例之裝置之製造方法包含微影界定欲被蝕刻之區域，其後蝕刻包含SiO2 之材料。 一實施例之裝置之製造方法可包含於特定溫度(諸如，100℃)或低於此溫度沈積一介電封蓋層(諸如，SiN)，且於諸如100℃達一特定厚度之介電封蓋層。 一實施例之裝置之製造方法包含微影界定欲被蝕刻之區域，其後蝕刻包含SiN之材料。 一實施例之裝置之製造方法可包含矽CMOS之製造，包含於沈積量子點層前於200nm Si晶圓上加工處理及以0.11微米節點之標準Al/SiO2 材料之技術。CMOS製造流可以一具圖案之金屬觸點(諸如，TiN)而完成。 一實施例之裝置之製造方法可包含使一Cu/TEOS/SiN HM單一波紋層於一通孔層上積體化，其後選擇性無電沈積Ni/Au堆疊物。 一實施例之裝置之製造方法可包含基材之預處理。金屬電極及/或介電表面之改質可能需要以改良層間之電接觸或黏著。替代濕後預清理，晶圓可藉由電漿或藉由液相或蒸氣相之方法處理形成具受控制之障壁厚度及表面狀態密度之黏著單層。 一實施例之裝置之製造方法可包含沈積光敏性膜，其中，周圍氛圍之緊密控制被提供以使氧及水份對膜性能之衝擊達最小及/或受控制。其可包含使用裝設O2 及H2 O處理監視器之生產工具。標準操作程序可被提供而確保最小，或受控制及一致之材料(諸如，量子點及其層)曝置於空氣，包含於化學品貯存期間，及流體自貯存容器轉移至處理工具槽。製造方法可與氯仿及其它溶劑相容。 一實施例之裝置之製造方法可包含使量子點層安定化。此等可包含使用於乙腈內之二硫醇稀釋溶液之化學後處理。 由於QF對周圍之氧及水份之高敏感性，QF沈積與後處理間之等待時間需達最小且於N2層下為之。相同條件應用於後處理B與介電封蓋沈積間之等待時間。 一實施例之裝置之製造方法可包含QF膜之密封以於此裝置之壽命期間免於氧及水份之擴散。SiO2 /SiN堆疊物之低溫沈積可被使用。此等方法需於低於100℃之基材溫度且於大氣壓或於儘可能高之壓力實施。其它方法之選擇可包含低溫旋塗式玻璃方法或超薄金屬膜，其不會影響封蓋層之光學透射性。 一實施例之裝置之方法控制可包含於量子點沈積前之進料晶圓檢測。一實施例之檢測步驟包含：a)檢測缺陷密度，諸如，使用明視場檢測；b)金屬電極功函數檢測，諸如，使用紫外線光電子光譜術(UPS)(UPS方法處理控制程序可於覆蓋層處理監視晶圓)；c)漏電流及介電電壓破壞於TLM(測試像素陣列)結構上實施。裝置之光電響應及膜性質可被實施作為一處理控制之一部份。 於實施例，材料'4'可包含一具有一能隙且提供於感興趣之波長範圍內之光線之吸收之材料。於實施例，光敏性層可包含諸如Si、PbS、PbSe、CdS、CdSe、GaAs、InP、InAs、PbTe、CdTe、Ge、In2 S3 、Bi2 S3 ，及其等之混合物之材料。於實施例，光敏性層可包含強烈吸光材料，諸如，卟啉。於實施例，光敏性層可包含鈍化有機配位體，諸如，乙烷硫醇、乙烷二硫醇、苯硫醇、苯二硫醇、二苯二硫醇、吡啶、丁胺。 實施例，一實施例之光檢測器包含使用一光敏性能量障壁控制至少一種電荷載體之流動之光敏性裝置。 於實施例，光檢測器可展現增益，其中，每一秒流動之額外電荷單元數對每秒衝擊於一裝置止之光子數之比率會超過1，例如，位於約2-60範圍之值。 於實施例，光檢測器可展現高的正規化響應，即，高的光電流對暗電流之比例，即使於低光量時。例如，當150 nW/cm2 之可見光衝擊於光檢測器，光電流對發光電流之比率可超過20。一般，此值需儘可能地高(同時符合其它規定，諸如，滯後(on lag)及暗電流均一性及光響應均一性)。高達100及更高之值對於150 nW/cm2 之正規化響應係可能。 於實施例，光檢測器可展現快速之時間響應，且光電流(包含下列強烈照明，諸如，於像素上之1 uW/cm2 及更大)於少於1秒內停留於接近暗電流之值(諸如，距暗電流一最低有效位元)。理想上，光電流係於一曝光期(可為1/15 s、1/30 s、1/200 s、1/1000 s，或相似者)內停留於此值。 於實施例，黑暗內之電流-電壓特性於零與第一電壓(稱為飽和電壓)間可展現單調增加之函數關係。此範圍可被稱為觸發相。電流-電壓可於第一電壓與第二之較大電壓(稱為穿通電壓)間展現具有比零至第一電壓範圍期間更低之平均斜率之單調增加之函數。此第一至第二電壓範圍可被稱為飽和範圍。於大於第二(或穿通)電壓之電壓，電流-電壓關係可展現相較於第一電壓至第二電壓範圍係增加之斜率。此最高電壓範圍可被稱為穿通後範圍。 於實施例，增益可於當於偏差下使電荷載體(例如，電子)流動通過此裝置之時間(即，於二觸點間(諸如，於第2圖之左側材料'1'及右側材料'1'間)運行之時間，或第3圖之材料'1'與材料'9'間運行之時間)超過電荷載體之平均壽命時，當注射流動電荷載體(例如，電子)之觸點亦避免擷取其它型式之電荷載體(可被稱為經阻絕之載體(例如，電洞))時，及當提供流動電荷載體(例如，電子)之觸點與半導體膜間之界面提供經阻絕載體(例如，電洞)低的表面重組速率時達成。此界面係於第1圖之材料'2'及材料'3'，第2圖之材料'2'及材料'3'，及第2圖之材料'7'及材料'3'，及第3圖之材料'2'、材料'3'、材料'5'及材料'8'實施。 更特別地，增益可於在偏差下流動電荷載體(例如，電子)通過此裝置之時間超過電荷載體之平均壽命時達成。量化地，亦可認為基本運送因子(α-t)係少於但接近1。此可於小量之用於流動載體之載體擴散長度超過界面層間之分隔時達成。 再者，增益可於在偏差下注射流動電荷載體(例如，電子)之觸點亦避免擷取其它型式之電荷載體(可被稱為經阻絕之載體(例如，電洞))時達成。量化地，可認為發射體注射效率(γ)係少於但接近1。此可藉由使用一接近阻絕擷取其它型式之電荷載體之流動載體注射觸點之界面層而達成。此可藉由自一其中一帶譜(諸如，導電帶)於能量係與和其接近之金屬觸點之功函數實質上接近校準；且於能量係與阻絕擷取電荷載體之半導體之帶譜實質上不校準之大能隙材料製造此界面層而達成。 再者，增益可於在偏壓下提供流動電荷載體(例如，電子)之觸點及半導體膜間之界面提供經阻絕之載體(例如，電洞)低的表面重組速率時達成。量化地，可認為重組因子係少於但接近1。此可於在流動載體(例如，電子)之小量載體壽命內，僅小分率之經阻絕載體(例如，電洞)於提供流動電荷載體(例如，電子)之觸點及半導體膜間之界面附近重組。此可能需使經阻絕之載體之表面重組速率少於0.1 cm/s，例如，0.01 cm/s或更少。 參考第2圖，實施例可包含用以降低於最左之材料'1'與最右之材料'1'間通過之暗電流之方法及結構。實施例可包含移除位於最左之材料'1'及最右之材料'1'之觸點間之材料'3'之部份內之導性部份。實施例可包含移除位於最左之材料'1'及最右之材料'1'之觸點間之諸如金屬氧化物、金屬氫氧化物、有機污染、聚合物、導性氧化物之導性部份。參考第2圖，實施例可包含改良材料'7'與材料'4'間之界面，以控制於此界面之重組速率、被捕捉之電荷、黏著，或數個此等性質。 參考第1圖，實施例包含控制諸如存在於界面層'2'及'3'者之表面狀態。實施例包含以氙或其它物種或使用氬噴濺撞擊金屬(諸如，材料'1'之Tin)或金屬氧氫化物(諸如，材料'2'之TiOx )，以便控制或改良表面上之重組速率。實施例可包含使一種電荷載體之表面重組速率於此界面降至少於0.1 cm/s或至少於0.01 cm/s。 實施例包含實現於每一側尺寸具0.9 um之像素間距之小像素。實施例包含使用窄通孔(諸如，0.15 um)。實施例包含使用14 um之金屬與金屬之間隔。 此間所述之實施例包含一種光學敏感性裝置，包含：一第一觸點及一第二觸點；每一者具有一功函數；一位於第一觸點與第二觸點間之光學敏感性材料，此光學敏感性材料包含一p-型半導體，且此光學敏感性材料具有一功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；光學敏感性材料之功函數之數量係比第一觸點之功函數之數量大至少0.4 eV，且亦比第二觸點之功函數之數量大至少0.4 eV；光學敏感性材料具有大於當偏電壓施加於第一觸點與第二觸點之間時從第一觸點至第二觸點之電子運行時間之電子壽命；第一觸點提供電子之注射及阻絕電洞之擷取；第一觸點與光學敏感性材料間之界面提供少於1 cm/s之表面重組速率。 此間所述之實施例包含一種光學敏感性裝置，其包含一第一觸點；一n-型半導體；一包含一p-型半導體之光學敏感性材料；一第二觸點；光學敏感性材料及第二觸點每一者具有一比4.5 ev淺之功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；光學敏感性材料具有大於當偏電壓施加於第一觸點與第二觸點之間時從第一觸點至第二觸點之電子運行時間之電子壽命；第一觸點提供電子之注射及阻絕電洞之擷取；第一觸點與光學敏感性材料間之界面提供少於1 cm/s之表面重組速率。 此間所述之實施例包含一種光檢測器，其包含：一第一觸點及一第二觸點，每一者具有一功函數；一位於第一觸點與第二觸點間之光學敏感性材料，光學敏感性材料包含一p-型半導體，且光學敏感性材料具有一功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；光學敏感性材料之功函數之數量係比第一觸點之功函數之數量大至少0.4 eV，且亦比第二觸點之功函數之數量大至少0.4 eV；電流被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；且光學敏感性材料被建構以於偏電壓施加於第一觸點與第二觸點時提供至少0.8 A/W之響應度。 一實施例之光檢測器之第一觸點係一注射觸點，且第二觸點係一拉取觸點。 一實施例之光檢測器之注射觸點被建構而以比注射觸點自光學敏感性材料取得一經捕捉之載體者更大效率使一流動電流注射於光學敏感性材料內。 一實施例之光檢測器之注射觸點被建構而以比取得之載體注射一經捕捉之載體注射於光學敏感性材料內者更大之效率自光學敏感性材料取得一流動載體。 一實施例之光檢測器之光學敏感性材料係一種p-型半導體材料。 一實施例之光檢測器之第一觸點包含金屬，且其中第二第二觸點包含金屬。 一實施例之光檢測器之偏電壓係於約-0.1伏特至- 2.8伏特之範圍，且流動載體係電子。 一實施例之光檢測器之光學敏感性材料包含選自PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge，或C所組成族群之奈米顆粒。 一實施例之光檢測器之每一奈米顆粒包含於此奈米顆粒之表面上之氧化物。 一實施例之光檢測器之光學敏感性層包含選自PbSO4 、PbO、PbSeO4 、PbTeO4 、SiOx Ny 、In2 O3 、硫、硫酸鹽、 亞碸、碳，及碳酸鹽所組成族群之材料。 一實施例之光檢測器之奈米顆粒係相互連接。 一實施例之光檢測器之注射觸點及拉取觸點每一者包含選自Al、Ag、In、Mg、Ca、Li、Cu、Ni、NiS、TiN，或TaN所組成族群之材料。 一實施例之光檢測器之光學敏感性層具有100至3000 nm範圍之與光線之入射方向垂直之尺寸。 一實施例之光檢測器之第一載體型式係於黑暗中之主要者，且第二載體型式於照明下係主要者。 一實施例之光檢測器之第一載體型式係電洞，且第二載體型式係電子。 一實施例之光檢測器之第一觸點及第二觸點包含淺功函數之金屬。 一實施例之光檢測器之第一觸點及第二觸點每一者具有比4.5 ev更淺之功函數。 一實施例之光檢測器之第一觸點與第二觸點間之距離係於200 nm至2 um之範圍。 一實施例之光檢測器之流動載體具有至少lE-5 cm2 /Vs之移動性。 一實施例之光檢測器之p-型半導體材料係經摻雜之p-型材料。 一實施例之光檢測器之偏電壓係於約+0.1伏特至+2.8伏特之範圍，且流動載體係電洞。 一實施例之光檢測器之注射觸點及拉取觸點每一者包含選自An、Pt、Pd、Cu、Ni、NiS、TiN及TaN所組成族群之材料。 一實施例之光檢測器之第一載體型式係黑暗之主要者，且一實施例之光檢測器之第二載體型式係照明下之主要者。 一實施例之光檢測器之第一載體型式係電極，且第二載體型式係電洞。 一實施例之光檢測器之第一觸點及第二觸點包含深功函數之金屬。 一實施例之光檢測器之第一觸點及第二觸點每一者具有比4.5 ev更深之功函數。 一實施例之光檢測器n-型半導體材料係經摻雜之n-型材料。 一實施例之光檢測器之光學敏感性材料具有比第一觸點及第二觸點之功函數更深至少0.3 ev之功函數。 一實施例之光檢測器之第一觸點及第二觸點每一者包含選自Al、Ag、In、Mg、Ca、Li、Cu、Ni、NiS、TiN、TaN、n-型聚矽及n-型非結晶矽所組成族群之材料。 此間所述之實施例包含一種光檢測器，其包含：一第一觸點及一第二觸點；一位於第一觸點與第二觸點間之光學敏感性材料，光學敏感性材料包含一n-型半導體；第一觸點及第二觸點每一者具有比4.5ev更深之功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；且光學敏感性材料被建構以於偏電壓施加於第一觸點與第二觸點間時提供光導性增益及至少0.4 A/W之響應度。 一實施例之光檢測器之光學敏感性材料具有比第一觸點及第二觸點之功函數更淺至少0.3 ev之功函數。 一實施例之光檢測器之第一觸點及第二觸點每一者包含選自Au、Pt、Pd、Cu、Ni、NiS、TiN、TaN、p-型聚矽，及p-型非結晶矽所組成族群之材料。 此間所述之實施例包含一種光電晶體，包含：一第一觸點及一第二觸點；一位於第一觸點與第二觸點間之光學敏感性材料，光學敏感性材料包含一n-型半導體；第一觸點及第二觸點每一者具有肖特基接觸或比4.5 ev更深之功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；且光學敏感性材料具有一大於當偏電壓施加於第一觸點與第二觸點間時從第一觸點至第二觸點之電洞運行時間之電洞壽命。 一實施例之光檢測器之流動載體係電洞，且經捕捉之載體係電子。 此間所述之實施例包含一種光電晶體，其包含：一第一觸點及一第二觸點；一位於第一觸點與第二觸點間之光學敏感性材料，光學敏感性材料包含一p-型半導體；第一觸點及第二觸點每一者具有肖特基接觸或比4.5 ev更淺之功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；且當此偏電壓施加於第一觸點與第二觸點間時，光學敏感性材料具有一電子壽命；其中，光學敏感性材料之電子移動性、第一觸點與第二觸點間之距離，及偏電壓被選擇以使當此偏電壓被施加於第一觸點與第二觸點間時，從第一觸點至第二觸點之電子運行時間係少於電子壽命。 一實施例之光檢測器之流動電荷係電子，且經捕捉之載體係電洞。 此間所述之實施例包含一種光電晶體，其包含：一第一觸點及一第二觸點；一位於第一觸點與第二觸點間之光學敏感性材料，光學敏感性材料包含一n-型半導體；第一觸點及第二觸點每一者具有肖特基接觸或比4.5 ev更深之功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；當偏電壓施加於第一觸點與第二觸點間時，光學敏感性材料具有一電洞壽命；其中，光學敏感性材料之電洞移動性、第一觸點與第二觸點間之距離，及偏電壓被選擇以便當偏電壓施加於第一觸點與第二觸點間時，從第一觸點至第二觸點之電洞運行時間少於電洞壽命。 一實施例之光檢測器之流動載體係電洞，且經捕捉之載體係電子。 一實施例之光檢測器包含一包含p-摻雜之矽之p-型半導體。 一實施例之光檢測器包含一包含GaAs之p-型半導體。 一實施例之光檢測器包含一包含量子點/奈米結晶之p-型半導體。 一實施例之光檢測器包含一包含一相互連接奈米結晶網絡之p-型半導體。 一實施例之光檢測器包含一包含奈米結晶及結合劑分子之p-型半導體。 一實施例之光檢測器包含一包含一化合物半導體之p-型半導體。 一實施例之光檢測器包含一包含PbS、具PbSO3 之PbS之p-型半導體。 此間所述之實施例包含一種光學敏感性裝置，其包含：一第一觸點及一第二觸點，每一者具有一功函數；一位於第一觸點與第二觸點間之光學敏感性材料；光學敏感性材料包含一p-型半導體，且光學敏感性材料具有一功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；光學敏感性材料之功函數之數量係比第一觸點之功函數之數量大至少0.4 eV；且亦比第二觸點之功函數之數量大至少0.4 eV；光學敏感性材料具有一大於當偏電壓施加於第一觸點與第二觸點之間時從第一觸點至第二觸點之電子運行時間之電子壽命；第一觸點提供電子之注射及阻絕電洞之擷取；且第一觸點與光學敏感性材料間之界面提供少於1 cm/s之表面重組速率。 一實施例之裝置之第一觸點及第二觸點之功函數每一者係比4.5ev更淺。 一實施例之裝置之偏電壓係於約-0.1伏特至- 2.8伏特之範圍。 一實施例之裝置之光學敏感性材料包含多數個奈米顆粒，其中，每一奈米顆粒具有於個別奈米顆粒之表面上之氧化物。 一實施例之裝置之光學敏感性材料包含選自PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge，或C所組成族群之奈米顆粒。 一實施例之裝置之光學敏感性層包含選自PbSO4 、PbO、PbSeO4 、PbTeO4 、SiOx Ny 、In2 O3 、硫、硫酸鹽、亞碸、碳，及碳酸鹽所組成族群之材料。 一實施例之裝置之光學敏感性材料包含多數個相互連接之奈米顆粒。 一實施例之裝置之第一觸點及第二觸點每一者包含選自Al、Ag、In、Mg、Ca、Li、Cu、Ni、NiS、TiN，或TaN所組成族群之材料。 一實施例之裝置之第一觸點及第二觸點係以200 nm至2 um範圍之距離間隔，且光學敏感性材料內之電子移動性係至少1E-5 cm2 /Vs。 一實施例之裝置之光學敏感性材料被建構以於偏電壓施加於第一觸點與第二觸點間時提供至少0.8 A/W之響應度。 此間所述之實施例包含一種光學敏感性裝置，其包含：一第一觸點；一n-型半導體；一包含一p-型半導體之光學敏感性材料；一第二觸點；光學敏感性材料及第二觸點每一者具有一比4.5 ev更淺之功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；光學敏感性材料具有一大於當偏電壓施加於第一觸點與第二觸點間時從第一觸點至第二觸點之電子運行時間之電子壽命；第一觸點提供電子之注射及阻絕電洞之擷取；且第一觸點與光學敏感性材料間之界面提供少於1 cm/s之表面重組速率。 一實施例之裝置之n-型半導體包含選自TiO2 、經化學還原之TiO2 、經氧化之TiO2 、CdTe、CdS、CdSe、Si，或選自PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge，或C所組成族群之奈米顆粒所組成族群之材料。 一實施例之裝置之偏電壓係於約-0.1伏特至- 2.8伏特之範圍。 一實施例之裝置之光學敏感性材料包含多數個奈米顆粒，其中，每一奈米顆粒具有於個別奈米顆粒之表面上之氧化物。 一實施例之裝置之光學敏感性材料包含選自PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge，或C所組成族群之奈米顆粒。 一實施例之裝置之光學敏感性材料包含多數個相互連接之奈米顆粒。 一實施例之裝置之第一觸點及第二觸點係以200 nm至2 um範圍之距離分隔。 此間所述之實施例包含一種光檢測器，其包含：一第一觸點及一第二觸點，每一者具有一功函數；一位於第一觸點及第二觸點間之光學敏感性材料，光學敏感性材料包含一p-型半導體，且光學敏感性材料具有一功函數；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；光學敏感性材料之功函數之數量係比第一觸點之功函數之數量大至少0.4 eV，且亦比第二觸點之功函數之數量大至少0.4 eV；電路被建構以於第一觸點與第二觸點間施加一偏電壓；且光學敏感性材料被建構以於偏電壓施加於第一觸點與第二觸點間時提供至少0.8 A/W之響應度。 一實施例之光檢測器之第一觸點及第二觸點之功函數每一者係比4.5 ev更淺。 一實施例之光檢測器之偏電壓係約-0.1伏特至- 2.8伏特之範圍。 一實施例之光檢測器之光學敏感性材料包含選自PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge，或C所組成族群之奈米顆粒。 一實施例之光檢測器之光學敏感性層包含選自PbSO4 、PbO、PbSeO4 、PbTeO4 、SiOx Ny 、In2 O3 、硫、硫酸鹽、亞碸、碳，及碳酸鹽所組成族群之材料。 一實施例之光檢測器之第一觸點及第二觸點每一者包含選自Al、Ag、In、Mg、Ca、Li、Cu、Ni、NiS、TiN，或TaN所組成族群之材料。 一實施例之光檢測器之第一觸點及第二觸點係以200 nm至2 um範圍之距離分隔，且光學敏感性材料內之電子移動性係至少1E-5 cm2 /Vs。 除非此內容明確需要其它外，於全部之說明內容及申請專利範圍中，”包含”一辭係以與排除或詳盡之意思相反之含有之意思解釋；即，以"不受限地包含"之意思。使用單數或複數之字亦個別包含複數或單數。另外，"此間"、"於下"、"之上"、"之下"之字及相似含意之字當用於本申請案時係指本申請案之全部且非指此申請案之任何特別部份。當"或"一字係用以指二或更多項目之列示時，此字包含此字之所有下列解釋：此列示中之項目之任一者，此列示中之項目之所有者，及此列示中之項目之任何組合。 如上之實施例說明非意指係詳盡或使此等系統或方法限於所揭露之確切型式。雖然特別實施例及此等實施例之範例於此用以例示說明而被描，如熟習此項技藝者所認知，各種相等之改良於此等系統及方法之範圍內係可能。此間提供之實施例之教示可應用於其它系統及方法，而非僅於如上所述之系統及方法。 上述各種實施例之元素及動作可被結合而提供其它實施例。此等及其它之改變可基於如上之詳細說明而對實施例為之。
1‧‧‧材料/材料金屬/金屬/層2, 3‧‧‧材料/層/界面層4‧‧‧材料/層/光敏性層/吸光層5‧‧‧材料/層6, 7‧‧‧材料8‧‧‧材料/界面材料/層9‧‧‧材料/金屬/接觸層1220‧‧‧量子點1221‧‧‧殼
第1圖顯示一實施例之一材料堆疊物。 第2圖顯示一實施例之於一像素之一部份上之材料堆疊物之截面圖。 第3圖顯示一實施例之於一像素上之材料堆疊物之截面圖。
1,2,3,4,5,6‧‧‧材料
1220‧‧‧量子點
1221‧‧‧殼

Claims (13)

  1. 一種光學敏感性裝置，包含：一第一觸點，其包括一金屬且具有一第一功函數(work function)；一第二觸點，其具有一第二功函數；一光學敏感性材料，其位於該第一觸點及該第二觸點之間，該光學敏感性材料包含一p-型半導體且具有一第三功函數，其中該第三功函數之量(magnitude)大於該第二功函數之量至少0.4eV；及一n-型半導體，其設置於該第一觸點與該光學敏感性材料之間，且包含藉由將該第一觸點之該金屬曝露至一氧化物質(species)所形成之該第一觸點的一氧化物，並提供電子注入(injection)及阻絕(blocking)電洞之擷取(extraction)，其中該n-型半導體與該光學敏感性材料之間的一界面提供小於1cm/s之表面重組速率(surface recombination velocity)。
  2. 如請求項1之裝置，其中該氧化物係將在該第一觸點中的一曝置金屬曝置於水、氧，或其它氧化物質而形成，並防止(prevent)該等電洞之擷取。
  3. 如請求項1之裝置，其中該光學敏感性材料具有一電子壽命，在一偏壓施加於該第一觸點與該第二觸點之間時，該電子壽命大於從該第一觸點至該第二觸點之一電子運行時間(transit time)。
  4. 如請求項3之裝置，其中該偏壓係在-0.1伏特至-2.8伏特之一範圍內。
  5. 如請求項3之裝置，其中該光學敏感性材料經組態以在當該偏壓施加至該第一觸點與該第二觸點之間時提供至少0.8A/W之響應度(responsivity)。
  6. 如請求項1之裝置，其中該第三功函數之量大於該第一功函數之量至少0.4eV。
  7. 如請求項6之裝置，其中該第一功函數及該第二功函數之各者淺於4.5eV。
  8. 如請求項1至7中任一項之裝置，其中該光學敏感性材料包含複數個奈米粒子。
  9. 如請求項8之裝置，其中該等奈米粒子之每一者在其表面上具有一氧化物。
  10. 如請求項8之裝置，其中該等奈米粒子係互連的(interconnected)。
  11. 如請求項8之裝置，其中該等奈米粒子係選自由以下組成之群組： PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge及C。
  12. 如請求項11之裝置，其中該光學敏感性材料層進一步包含由以下組成所選擇的一材料：PbSO4、PbO、PbSeO4、PbTeO4、SiOxNy、In2O3、硫、硫酸鹽、亞碸(sulfoxides)、碳及碳酸鹽。
  13. 如請求項1至7中任一項之裝置，其中該第一觸點及該第二觸點之每一者包含選自下列群組之一材料：Al、Ag、In、Mg、Ca、Li、Cu、Ni、NiS、TiN、TaN、TiO2、TixNy、ITO、Ru、TiSi、WSi2、摻雜B的TiOx、摻雜C的TiOx、摻雜Co的TiOx、摻雜Fe的TiOx、摻雜Nd的TiOx及摻雜N的TiOx。
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