TWI679714B - 基板之吸附裝置、基板之貼合裝置與貼合方法、及電子裝置之製造方法 - Google Patents

基板之吸附裝置、基板之貼合裝置與貼合方法、及電子裝置之製造方法 Download PDF

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TWI679714B
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宇津木洋
Hiroshi Utsugi
伊藤泰則
Yasunori Ito
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日商Ａｇｃ股份有限公司
AGC Inc.
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Abstract

本發明之基板之吸附裝置包含：平台，其具有吸附基板之吸附面；與複數個吸引部，其設置於平台之吸附面。該基板之吸附裝置包含：控制部，其以複數個吸引部中一部分吸引部為起點，使配置於自設為起點之一部分吸引部離開之方向之剩餘複數個吸引部，沿著自設為起點之一部分吸引部離開之方向依序減壓。

Description

基板之吸附裝置、基板之貼合裝置與貼合方法、及電子裝置之製造方法
本發明係關於基板之吸附裝置、基板之貼合裝置與貼合方法、及電子裝置之製造方法。
隨著顯示面板、太陽電池、薄膜二次電池等電子裝置之薄型化、輕量化，而期望該等電子裝置所使用之玻璃板、樹脂板、金屬板等基板(第1基板)之薄板化。
然而，當基板之厚度變薄時，基板之操作性惡化。因此，難以於基板表面形成電子裝置用之功能層(薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)、彩色濾光片(CF：Color Filter))。
因此，提出一種使補強板(第2基板)貼合於基板背面，而製造藉由補強板補強基板之積層體，且於積層體之狀態於基板表面形成功能層之電子裝置之製造方法(例如，參照專利文獻1)。以該製造方法，由於提高了基板之操作性，故可於基板表面良好地形成功能層。且，補強板於形成功能層後自基板剝離。
於專利文獻2中，揭示一種貼合基板與補強板之貼合裝置(貼合裝置)。
專利文獻2之貼合裝置包含：上平台，其係以其下表面吸附基板；與下平台，其配置於上平台之下方，並將補強板載置於其上表面。又，尚包含：旋轉輥，其接觸於載置於下平台之補強板之下表 面，使補強板因自重而撓曲變形；按壓汽缸，其將藉由旋轉輥撓曲變形之補強板按壓於被吸附於上平台之基板上；及移動機構，其使旋轉輥及按壓汽缸相對於上平台之下表面移動。
根據專利文獻2之貼合裝置，首先，與於上平台吸附基板之同時於下平台載置補強板。接著，藉由按壓汽缸使旋轉輥上升，使旋轉輥接觸於補強板之下表面。其後，使旋轉輥進一步上升從而使補強板因自重而撓曲變形，於該狀態將補強板按壓於基板。繼而，藉由以移動機構使旋轉輥及按壓汽缸移動，而將補強板貼合於基板。
根據專利文獻2之貼合裝置，由於於使補強板撓曲變形之狀態與基板貼合，故於基板與補強板之間難以夾帶氣泡。又，由於未吸附固定補強板，故可以補強版之應變較少之狀態貼合補強板與基板。藉此，可降低貼合後產生之積層體之翹曲。
然而，專利文獻2之上平台於接收自搬送機構搬送來之基板之前，首先，使下表面之吸附面朝向上方之方式反轉。其後，當基板移載至自吸附面突出之複數根桿之前端時，桿收縮且自吸附面沒入。藉由該動作，將基板載置於吸附面，其後，藉由吸氣源使吸附面所包含之複數個吸引孔之內壓減壓。藉由以上之動作，將基板吸附保持於平台之吸附面。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-326358號公報
專利文獻2：日本特開2013-155053號公報
專利文獻2之貼合裝置藉由使補強板因自重而撓曲變形之旋轉輥之作用，可改善因貼合引起之積層體之翹曲。然而，例如於將厚度 0.2mm以下之薄基板載置於上平台時，有因薄基板自身所具有之翹曲、及基板載置於桿前端時所產生之因基板自重所致之翹曲，而在基板翹曲之狀態載置(亦稱為多點載置)於平台之情形。於該情形時，即使於上平台之吸附面吸附基板，基板之整面亦無法服貼於吸附面，有可能造成基板部分性浮起。於部分無法吸附之情形時，有於貼合後之積層體留有應變、於積層體產生翹曲之問題。
本發明係鑑於此種問題而完成者，其目的在於提供一種藉由改善基板對於平台之吸附方式，而可降低貼合後積層體翹曲之基板之吸附裝置、基板之貼合裝置與貼合方法、及電子裝置之製造方法。
為了達成上述目的，本發明之基板吸附裝置之一態樣係基板吸附裝置，其包含：平台；其具有吸附基板之吸附面；與複數個吸引部，其設置於上述平台之上述吸附面；該基板吸附裝置之特徵在於包含：控制部，其以上述複數個吸引部中之一部分吸引部為起點，使配置於自設為起點之上述一部分吸引部離開之方向之剩餘複數個吸引部沿著上述離開方向依序減壓。
根據本發明之一態樣，當基板載置於平台之吸附面時，控制部以複數個吸引部中一部分吸引部為起點，使配置於自該一部分吸引部離開之方向之剩餘複數個吸引部沿著離開之方向依序減壓。藉此，基板可以對應於一部分吸引部之一部分為起點，於自該一部分離開之方向，一邊將基板自身所具有之翹曲矯正至平坦，一邊依序吸附，使基板整面吸附於平台之吸附面。因此，根據本發明之一態樣，由於可改善基板對於平台之吸附方式，故可降低貼合後積層體之翹曲。
上述控制部較好以配置於矩形狀之上述平台之中央部之上述一部分吸引部為起點，使配置於自設為起點之上述一部分吸引部離開之方向之剩餘複數個吸引部沿著上述離開方向依序減壓。
根據本發明之一態樣，基板相對於平台係以基板中央部為起點，波紋狀地依序吸附。本發明之一態樣係將複數個吸引部分割為複數個吸引區域之形態，即以平台之中央部為中心波紋狀分割之形態。根據本發明之一態樣，可抑制於將基板載置於平台之初期載置時，因多點載置所致之非吸附部分之產生。
上述控制部較好以沿著矩形狀之上述平台之一邊部配置之上述一部分吸引部為起點，使配置於自設為起點之上述一部分吸引部離開之方向之剩餘複數個吸引部沿著上述離開方向依序減壓。
根據本發明之一態樣，基板相對於平台係以基板之一邊部為起點，於自一邊部離開之方向依序吸附。所謂一邊部可為一邊部全域，亦可為一部分。
上述複數個吸引部兼作空氣噴射部，於上述複數個吸引部中，由上述控制部驅動前之上述吸引部較好藉由上述控制部切換至上述空氣噴射部。
根據本發明之一態樣，藉由自吸引部噴射之空氣，使基板一邊被送風，一邊依序吸附於切換為真空之吸引部。藉此，可於減輕平台之吸附面與基板間之摩擦，即基板多點載置於平台之吸附面時之摩擦(亦稱為初期載置部分之摩擦)之狀態進行吸附。
為了達成上述目的，本發明之基板貼合裝置之一態樣係基板貼合裝置，其貼合第1基板與第2基板，且其特徵在於包含：本發明之基板之吸附裝置，亦即藉由上述吸附裝置之平台吸附上述第1基板之吸附裝置；與輥，其將上述第2基板以因自重而撓曲變形之狀態按壓於上述第1基板，且一邊轉動一邊將上述第2基板整面貼附於上述第1基板。
為了達成上述目的，本發明之基板貼合方法之一態樣係經由吸附層貼合第1基板與第2基板之基板貼合方法，其特徵在於包含：吸附 步驟，其將上述第1基板吸附保持於本發明之基板吸附裝置之平台；與貼合步驟；其藉由輥將上述第2基板以因自重而撓曲變形之狀態按壓於上述第1基板，且使上述輥一邊轉動一邊將上述第2基板整面貼合於上述第1基板。
根據本發明之一態樣，由於可改善第1基板對於平台之吸附方式，故可降低因吸附步驟所致之積層體之翹曲。又，於貼合步驟中，藉由使第2基板因自重而撓曲變形之旋轉輥之作用，亦可降低因貼合步驟所致之積層體之翹曲。
為了達成上述目的，本發明之電子裝置之製造方法之一態樣之特徵在於包含：積層體製造步驟，其藉由貼合第1基板與第2基板製造積層體；功能層形成步驟，其於上述積層體之上述第1基板之露出面形成功能層；及分離步驟，其自形成有上述功能層之上述第1基板分離上述第2基板；上述積層體製造步驟包含：吸附步驟，其將上述第1基板吸附保持於本發明之吸附裝置之平台；與貼合步驟，其藉由輥將上述第2基板以因自重而撓曲變形之狀態按壓於上述第1基板，且使上述輥一邊轉動一邊將上述第2基板整面貼合於上述第1基板。
根據本發明之一態樣，藉由於電子裝置製造方法之積層體製造步驟中包含本發明之吸附步驟與貼合步驟，可提供能夠降低貼合後積層體翹曲之電子裝置之製造方法。由於以積層體製造步驟製造之積層體已減低翹曲，故於功能層形成步驟中，可於第1基板之露出面形成品質更佳之功能層。
根據本發明之基板吸附裝置、基板貼合裝置與貼合方法以及電子裝置之製造方法，由於可改善基板對於平台之吸附方式，故可降低貼合後積層體之翹曲。
1‧‧‧積層體
1A‧‧‧第1積層體
1B‧‧‧第2積層體
2‧‧‧基板
2a‧‧‧表面
2b‧‧‧背面
2A‧‧‧基板
2Aa‧‧‧表面
2B‧‧‧基板
2Ba‧‧‧表面
3‧‧‧補強板
3a‧‧‧表面
3A‧‧‧補強板
3B‧‧‧補強板
4‧‧‧樹脂層
4A‧‧‧樹脂層
4B‧‧‧樹脂層
6‧‧‧積層體
7‧‧‧功能層
10‧‧‧貼合裝置
12‧‧‧上平台
13‧‧‧吸附面
14‧‧‧下平台
15‧‧‧樹脂片
16‧‧‧輥
16A‧‧‧中心軸
22‧‧‧汽缸裝置
24‧‧‧汽缸本體
26‧‧‧桿
30‧‧‧吸附孔
30A‧‧‧吸引孔群
30B‧‧‧吸引孔群
30C‧‧‧吸引孔群
30D‧‧‧吸引孔群
30E‧‧‧吸引孔群
30F‧‧‧吸引孔群
30G‧‧‧吸引孔群
30H‧‧‧吸引孔群
30N‧‧‧吸引孔群
30P‧‧‧吸引孔群
30Q‧‧‧吸引孔群
30R‧‧‧吸引孔群
32‧‧‧桿
34‧‧‧控制部
36‧‧‧通氣路徑
38‧‧‧通氣路徑
40‧‧‧通氣路徑
42‧‧‧吸引泵
44‧‧‧配管
44A‧‧‧配管
44B‧‧‧配管
44C‧‧‧配管
46A‧‧‧切換閥
46B‧‧‧切換閥
46C‧‧‧切換閥
48A‧‧‧壓力計
48B‧‧‧壓力計
48C‧‧‧壓力計
50‧‧‧供給泵
52‧‧‧配管
52A‧‧‧配管
52B‧‧‧配管
52C‧‧‧配管
54‧‧‧切換閥
56‧‧‧通氣路徑
58‧‧‧通氣路徑
60‧‧‧通氣路徑
62‧‧‧通氣路徑
64‧‧‧通氣路徑
I‧‧‧第一次吸附區域
J‧‧‧第二次吸附區域
K‧‧‧第三次吸附區域
L‧‧‧第四次吸附區域
M‧‧‧第五次吸附區域
N‧‧‧第一次吸附區域
P‧‧‧第二次吸附區域
Q‧‧‧第三次吸附區域
R‧‧‧第四次吸附區域
S‧‧‧第一次吸附區域
T‧‧‧第二次吸附區域
U‧‧‧第三次吸附區域
圖1係顯示提供至電子裝置製造步驟之積層體之一例之主要部分放大側視圖。
圖2係顯示於LCD製造步驟之中途製作之積層體之一例之主要部分放大側視圖。
圖3(A)~(D)係顯示積層體製造步驟之貼合步驟中所使用之貼合裝置之主要部分構成之側視圖。
圖4係將本發明之基板吸附裝置應用於上平台之俯視圖。
圖5係顯示圖4之上平台之抽真空系統及送風系統之上平台之構造圖。
圖6(A)係顯示基板2正要載置於上平台吸附面之前之狀態之上平台側視圖，(B)係於上平台吸附面載置基板之上平台之側視圖。
圖7(A)~(D)係時間序列地顯示基板依序吸附於吸附面之說明圖。
圖8係顯示上平台之其他態樣之上平台之俯視圖。
圖9係顯示上平台之其他態樣之上平台之俯視圖。
以下，按照隨附圖式，對本發明之實施形態進行說明。
於以下，對將本發明之基板吸附裝置、基板貼合裝置及貼合方法使用於電子裝置之製造步驟中之情形進行說明。
所謂電子裝置意指顯示面板、太陽電池、薄膜二次電池等電子零件。作為顯示面板，可例示液晶顯示面板(LCD：Liquid Crystal Display)、電漿顯示面板(PDP：Plasma Display Panel)、及有機EL顯示面板(OELD：Organic Electro Luminescence Display)。
[電子裝置之製造步驟]
電子裝置藉由於玻璃製、樹脂製、金屬製等基板之表面形成電 子裝置用之功能層(若為LCD，則為薄膜電晶體(TFT)、彩色濾光片(CF))而製造。
上述基板係構成為於形成功能層前，將其背面貼合於補強板而成之積層體。其後，於積層體之狀態於基板之表面(露出面)形成功能層。接著，於形成功能層後，將補強板自基板剝離。
即，於電子裝置之製造步驟中，包含：積層體製造步驟，其貼合基板與補強板而製造積層體；功能層形成步驟，其於積層體之狀態於基板表面形成功能層；及分離步驟，其自形成有功能層之基板分離補強板。於上述積層體製造步驟，應用本發明之基板吸附裝置、基板貼合裝置、及貼合方法。
[積層體1]
圖1係顯示積層體1之一例之主要部分放大側視圖。
積層體1包含：基板(第1基板)2，其形成有功能層；與補強板(第2基板)3，其補強該基板2。又，補強板3於表面3a具有作為吸附層之樹脂層4，且於樹脂層4貼合基板2之背面2b。即，基板2藉由作用於與樹脂層4之間之凡德瓦力、或樹脂層4之黏著力，經由樹脂層4可剝離地貼合於補強板3。
[基板2]
基板2於其表面2a形成有功能層。作為基板2，可例示玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、半導體基板。於該等基板中，由於玻璃基板耐藥品性、耐透濕性優異、且線膨脹係數較小，故較適合作為電子裝置用之基板2。又，亦有隨著線膨脹係數變小，高溫下形成之功能層圖案於冷卻時不易產生偏離之優點。
作為玻璃基板之玻璃，可例示無鹼玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高矽氧玻璃、其他以氧化矽為主成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃較好為根據氧化物換算之氧化矽含量為40~90質量%之玻 璃。
玻璃基板之玻璃較好選擇採用適於所製造之電子裝置種類之玻璃、適於該製造步驟之玻璃。例如，於液晶面板用之玻璃基板，較好採用實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)。
基板2之厚度係根據基板2之種類而設定。例如，於基板2採用玻璃基板之情形時，為了電子裝置之輕量化、薄板化，其厚度較好設為0.7mm以下，更佳為0.3mm以下，進而更佳為0.1mm以下。於厚度為0.3mm以下之情形時，可賦予玻璃基板良好之可撓性。再者，於厚度為0.1mm以下之情形時，可將玻璃基板捲繞為捲筒狀，但自玻璃基板製造之觀點、及玻璃基板處理之觀點，其厚度較好為0.03mm以上。
另，於圖1中基板2係由1片基板構成，但基板2亦可為由複數片基板構成者。即，基板2亦可由積層複數片基板之積層體構成。
[補強板3]
作為補強板3可例示玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、半導體基板。
補強板3之厚度設定為0.7mm以下，且根據欲補強之基板2之種類、厚度等而設定。另，補強板3之厚度可厚於亦可薄於基板2，但為了補強基板2，較好設為0.4mm以上。
另，於本例中補強板3係由1片基板構成，但補強板3亦可由積層複數片基板之積層體構成。
[樹脂層4]
為了防止樹脂層4與補強板3間剝離，而將樹脂層4與增強板3間之結合力設定為高於與基板2間之結合力。藉此，於剝離步驟中，係剝離樹脂層4與基板2之界面。
構成樹脂層4之樹脂無特別限定，可例示丙烯酸系樹脂、聚烯烴 樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、聚醯亞胺聚矽氧樹脂。亦可混合若干種樹脂使用。其中，自耐熱性或剝離性之觀點，較好為聚矽氧樹脂、聚醯亞胺聚矽氧樹脂。
樹脂層4之厚度無特別限定，但較好設定為1~50μm，更佳設定為4~20μm。藉由將樹脂層4之厚度設為1μm以上，於樹脂層4與基板2之間混入氣泡或異物時，藉由樹脂層4之變形，可吸收氣泡或異物之厚度。另一方面，藉由將樹脂層4之厚度設為50μm以下，可縮短樹脂層4之形成時間，再者由於不會使用必要以上之樹脂層4之樹脂故較經濟。
另，樹脂層4之外形較好以補強板3可支持樹脂層4整體之方式與補強板3之外形相同，或小於補強板3之外形。又，樹脂層4之外形較好以樹脂層4可密著基板2整體之方式與基板2之外形相同，或大於基板2之外形。
又，於圖1中樹脂層4係由1層構成，但樹脂層4亦可由2層以上構成。於該情形時，構成樹脂層4之全部之層之合計厚度成為樹脂層之厚度。又，於該情形時，構成各層之樹脂之種類亦可不同。
再者，於實施形態中，係使用有機膜的樹脂層4作為吸附層，但亦可代替樹脂層4使用無機層。構成無機層之無機膜例如包含選自由金屬矽化物、氮化物、碳化物、及碳氮化物所組成之群之至少1種。
再者又，圖1之積層體1包含樹脂層4作為吸附層，但亦可為無樹脂層4而包含基板2與補強板3之構成。於該情形時，藉由作用於基板2與補強板3間之凡德瓦力等使基板2與補強板3可剝離地貼附。又，於該情形時，為了不使玻璃基板的基板2與玻璃基板的補強板3於高溫接著，較好於補強板3之表面3a形成無機薄膜。
[形成有功能層之實施形態之積層體6]
藉由經過功能層形成步驟而於積層體1之基板2之表面2a，形成功 能層。作為功能層之形成方法係使用CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣體沉積)法、PVD(Physical Vapor Deposition：物理氣體沉積)法等蒸鍍法、濺鍍法。功能層係藉由光微影法、蝕刻法形成為特定圖案。
圖2係顯示於LCD製造步驟之中途製造之矩形狀之積層體6之一例之主要部分放大側視圖。
積層體6係依序積層補強板3A、樹脂層4A、基板2A、功能層7、基板2B、樹脂層4B、及補強板3B而構成。即，圖2之積層體6相當於圖1所示之積層體1隔著功能層7對稱配置之積層體。以下，將包含基板2A、樹脂層4A、及補強板3A之積層體稱為第1積層體1A，將包含基板2B、樹脂層4B、及補強板3B之積層體稱為第2積層體1B。
於第1積層體1A之基板2A表面2Aa，形成作為功能層7之薄膜電晶體(TFT)，於第2積層體1B之基板2B表面2Ba，形成作為功能層7之彩色濾光片(CF)。
第1積層體1A與第2積層體1B係基板2A、2B之表面2Aa、2Ba彼此重合而一體化。藉此，製造第1積層體1A與第2積層體1B隔著功能層7對稱配置之構造之積層體6。
積層體6係於分離步驟中藉由刀具之刀尖於其界面形成剝離開始部後，依序剝離補強板3A、3B，其後，安裝偏光板、背光燈等，而製造產品的LCD。
[實施形態之貼合裝置]
圖3(A)~(D)係顯示積層體製造步驟所包含之吸附步驟及貼合步驟中使用之貼合裝置10之主要部分構成之側視圖，係以時間序列表示貼附步驟之動作之說明圖。又，上述吸附步驟中使用之實施形態之基板吸附裝置係組入於貼合裝置10。關於上述吸附裝置將於後述。
<貼合裝置10>
圖3(A)~(D)所示之貼合裝置10係藉由輥16將補強板3以因自重而撓曲變形之狀態按壓於基板2，且使輥16一邊轉動一邊藉由自輥16賦予之按壓力將補強板3整面貼合於基板2之裝置。
如圖3(A)之貼合裝置10包含：上平台(平台)12，其以其下表面真空吸附基板2；與下平台14，其配置於上平台12之下方，且於其上表面載置有補強板3。上平台12之下表面與下平台14之上表面設定為平行。又，於下平台14之上表面，包含降低與補強板3摩擦之樹脂片15，且於該樹脂片15上載置補強板3。
另，基板2與補強板3之配置亦可相反。即，亦可將基板2載置於下平台14，將補強板3吸附於上平台12。又，於貼合裝置10中，較好包含對上平台12及下平台14交接基板2及補強板3之搬送機構。
貼合裝置10包含：輥16，其接觸於載置於下平台14之補強板3之下表面，並使補強板3因自重而撓曲變形；與汽缸裝置22，其將藉由輥16而撓曲變形之補強板3按壓於被吸附於上平台12之基板2。
汽缸裝置22由汽缸本體24、與自汽缸本體24突沒之桿26所構成。於該桿26之前端，以中心軸16A為中心自如旋轉地支持輥16。
又，貼合裝置10包含：移動機構(未圖示)，其使下平台14、輥16、及汽缸裝置22相對於上平台12之下表面平行、且於水平方向一體地移動。
如圖3(B)之輥16係藉由使桿26突出而於箭頭A方向上升，並接觸於載置於下平台14之補強板3之下表面，並使補強板3因自重而撓曲變形。輥16係為了抑制增強板3之損傷，而由例如金屬製之輥本體、與固定於輥本體外周面之橡膠片構成，且橡膠片接觸於補強板3之下表面。
汽缸裝置22將藉由輥16撓曲變形之補強板3按壓於被吸附於上平台12之基板2。即，自汽缸裝置22賦予附加於輥16之載荷，補強板3因 由該載荷經由輥16被按壓於基板2。
[貼合裝置10之貼合方法]
如圖3(B)之輥16於貼合基板2與補強板3時，藉由汽缸裝置22而上升，使載置於下平台14之補強板3撓曲變形，並自下方按壓於被吸附於上平台12之基板2。此時，由於補強板3於撓曲變形之狀態貼合於基板2，故於基板2與補強板3之間難以夾帶氣泡。
於該狀態，如圖3(C)之輥16藉由上述移動機構而於箭頭B方向移動，並貼合基板2之右半部分與補強板3之右半部分。其後，如圖3(D)，使輥16於箭頭C方向移動，並貼合基板2之左半部分與補強板3之左半部分。此時，輥16因與增強板3下表面間之摩擦而一邊轉動，一邊將補強板3整面貼合於基板2。藉此，補強板3整面貼合於基板2，製造積層體1。
根據圖3(A)~(D)所示之貼合步驟，由於補強板3可僅載置於下平台14，而非吸附固定於下平台14，故可於補強板3之應變較少之狀態將補強板3貼合於基板2。藉此，可降低貼合後之積層體1(參照圖3(D))之翹曲。該效果於基板2及補強板3兩者皆包含玻璃板之情形較顯著。
例如，於貼合玻璃板、與比玻璃板剛性更低之樹脂板之情形時，由於樹脂板之剛性低於玻璃板之剛性，故貼合後之樹脂板產生應變而服貼於玻璃板。相對於此，由於玻璃板幾乎不產生應變故容易成為平板狀，積層體難以翹曲。另一方面，於使玻璃板彼此貼合之情形時，由於貼合後兩者玻璃板產生應變，難以服貼於一者，故而積層體容易翹曲。
另，如圖3(B)，貼附開始時之輥16係配置於與補強板3之兩側緣等距離之位置，但亦可配置於補強板3之一側緣附近，並自該位置朝向另一側緣移動，將補強板3整面貼合於基板2。
[吸附裝置之構成]
圖4係將本發明之基板吸附裝置應用於圖3(A)~(D)之上平台12之俯視圖，顯示於其吸附面13之大致整面棋盤格狀配置有複數個吸引孔(吸引部)30。圖5係顯示連結於吸引孔30之抽真空(吸引)系統及送風系統之上平台12之構造圖。
另，於圖4、圖5中，係例示吸附縱橫尺寸為880mm×680mm之矩形狀基板2之上平台12，但基板2之尺寸並非限定於上述尺寸者。又，於圖4、圖5中，例示厚度0.2mm以下之基板2，但並非限定於該厚度者。再者，上平台12包含上述送風系統，但亦可應用僅包含上述抽真空系統者。
圖6(A)係顯示正要將自搬送機構(未圖示)搬送來之基板2載置於上平台12之吸附面之前之狀態之上平台12之側視圖，(B)係於上平台12之吸附面13載置基板2之上平台12之側視圖。
如圖6(A)，上平台12於接收基板2之前，首先，將吸附面13朝向上方之方式反轉。其後，當基板2移動至自吸附面13突出之複數根桿32之前端時，如圖6(B)，桿32收縮並自吸附面13沒入。藉由該動作，將基板2載置於吸附面13。此時，會有基板2因薄基板自身所具有之翹曲、及將基板2載置於桿32前端時所產生之因基板2自重所致之翹曲，而以翹曲之狀態載置於吸附面13之情形。若以該狀態吸附基板2整體，則被多點載置之部分先被吸附，且基板2因先被吸附之部分之摩擦而無法移動，如圖6(B)以虛線區域A所示般，導致基板2以部分性浮起之狀態被吸附。於此種狀態而如圖3(A)~(D)般進行貼合時，有貼合後之積層體殘留應變，而使積層體產生翹曲之問題。
因此，於實施形態之上平台12中，為了降低圖6(B)所示之翹曲，而包含抽真空系統及送風系統，且包含控制抽真空系統及送風系統之控制部34(參照圖5)。
[吸引孔30之分割構造]
如圖4，複數個吸引孔30被3分割為吸引孔群30A、30B、30C。
吸引孔群(一部分吸引孔)30A構成為：藉由彼此連通之縱橫4行之通氣路徑36連通配置於吸附面13中央之複數個吸引孔30。藉由吸引孔群30A吸附之基板2之以一點鏈線包圍之中央區域S為第一次吸附區域，其縱a之長度設定為大致550mm，橫b之長度設定為大致670mm。
吸引孔群(剩餘之複數個吸引部)30B構成為：以包圍吸引孔群30A之方式框狀地配置，且藉由彼此連通之縱橫4行之通氣路徑38連通複數個吸引孔30。藉由吸引孔群30B吸附之基板2之以一點鏈線包圍之區域T設定為第二次吸附區域。另，所謂第二次吸附區域為自區域T去除中央區域S之區域。
吸引孔群(剩餘之複數個吸引部)30C構成為：以包圍吸引孔群30B之方式框狀地配置，且藉由彼此連通之縱4行橫2行之通氣路徑40連通複數個吸引孔30。藉由吸引孔群30C吸附之直至基板2外緣之區域U設定為第三次吸附區域。另，所謂第三次吸附區域為自區域U去除中央區域S與區域T之區域。
使基板2以第一次吸附區域、第二次吸附區域、及第三次吸附區域依序吸附於吸附面13，藉此使基板2整面吸附保持於吸附面13。
[抽真空系統]
如圖5，抽真空系統具有吸引泵42。於吸引泵42，連結有配管44，該配管44分支為配管44A、44B、44C。配管44A經由三通閥等切換閥46A連通於通氣路徑36，配管44B經由切換閥46B連通於通氣路徑38，配管44C經由切換閥46C連通於通氣路徑40。又，於配管44A，設置有檢測配管44A內壓之壓力計48A，於配管44B，設置有檢測配管44B內壓之壓力計48B，於配管44C，設置有檢測配管44C內壓之壓力計48C。
因此，根據抽真空系統，於將切換閥46A、46B、46C分別切換為抽真空系統側關閉位置之狀態，當驅動吸引泵42開啟切換閥46A時，吸引孔群30A之各吸引孔30經由配管44A及通氣路徑36而減壓。藉此，基板2之第一次吸附區域吸附於吸附面13。接著，藉由開啟切換閥46B，使吸引孔群30B之各吸引孔30經由配管44B及通氣路徑38減壓，故使基板2之第二次吸附區域吸附於吸附面13。繼而，藉由開啟切換閥46C，吸引孔群30C之各吸引孔30經由配管44C及通氣路徑40而減壓。藉此，使基板2之第三次吸附區域吸附於吸附面13。
[送風系統]
如圖5，送風系統具有壓縮空氣供給泵(以下，稱為供給泵)50。於供給泵50，連結有配管52，該配管52經由大氣開放切換閥(以下，稱為切換閥)54分支為配管52A、52B、52C。配管52A經由切換閥46A連通於通氣路徑36，配管52B經由切換閥46B連通於通氣路徑38，配管52C經由切換閥46C連通於通氣路徑40。
因此，根據送風系統，於切換閥54切換至供給泵50側，且切換閥46A切換至送風系統側之狀態下，當驅動供給泵50時，來自供給泵50之壓縮空氣經由配管44A、及通氣路徑36而供給至吸引孔群30A之各吸引孔30。藉此，壓縮空氣自各吸引孔30噴射，對基板2之第一次吸附區域進行送風。
又，當切換閥46B切換至送風系統側時，來自供給泵50之壓縮空氣經由配管44B、及通氣路徑38供給至吸引孔群30B之各吸引孔30。藉此，壓縮空氣自各吸引孔30噴射，對基板2之第二次吸附區域進行送風。
再者，當切換閥46C切換至送風系統側時，來自供給泵50之壓縮空氣經由配管44C、及通氣路徑40供給至吸引孔群30C之各吸引孔30。藉此，壓縮空氣自各吸引孔30噴射，對基板2之第三次吸附區域 進行送風。
[控制部34]
於控制部34，記憶表示基板2確實吸附於吸附面13之壓力值，基於自壓力計48A、48B、48C輸出之配管44A、44B、44C之內壓(壓力)值，控制切換閥46A、46B、46C之動作。
具體而言，控制部34檢測到切換閥46A被切換至抽真空系統後，自壓力計48A輸出之配管44A之內壓值達到上述壓力值時，即，當基板2之第一吸附區域確實地吸附於吸附面13時，將切換閥46B自送風系統切換至抽真空系統。又，當檢測到自壓力計48B輸出之配管44B之內壓值達到上述壓力值時，即，當基板2之第二吸附區域確實地吸附於吸附面13時，將切換閥46C自送風系統切換至抽真空系統。
即，於配管44A之內壓值達到上述壓力值之前，自吸引孔群30B、30C之各吸引孔30噴射來自供給泵50之壓縮空氣，對基板2之第二次吸附區域及第三次吸附區域進行送風。接著，於配管44B之內壓值達到上述壓力值之前，自吸引孔群30C之各吸引孔30噴射來自供給泵50之壓縮空氣，對基板2之第三次吸附區域進行送風。
另，控制部34於圖3(A)~(D)所示之貼合步驟結束時，將切換閥46A、46B、46C切換至送風系統，並將切換閥54切換至大氣開放側，將減壓恢復至大氣，解除上平台12對積層體1之吸附保持。
[上平台12之作用]
圖7(A)、(B)、(C)、(D)係時間序列地顯示依序減壓吸引孔群30A、30B、30C，且於上平台12之吸附面13依序吸附基板2之說明圖。
如圖7(A)，於基板2載置於上平台12之吸附面13時，控制部34首先如圖7(B)，將吸引孔群30A切換至抽真空系統予以減壓。藉此，使基板2之第一次吸附區域吸附於吸附面13。接著，當第一次吸附區域 確實地吸附於吸附面13時，控制部34以吸引孔群30A為起點，將配置於自吸引孔群30A離開之方向之吸引孔群30B如圖7(C)，切換至抽真空系統並驅動。藉此，使基板2之第二次吸附區域吸附於吸附面13。接著，當第二次吸附區域確實地吸附於吸附面13時，控制部34將配置於自吸引孔群30A進一步離開之方向之吸引孔群30C如圖7(D)，切換至抽真空系統予以減壓。藉此，使基板2之第三次吸附區域吸附於吸附面13，基板2整面確實地吸附於吸附面13。
即，載置於上平台12之吸附面13之基板2，以對應於吸引孔群30A之中央部為起點，於自中央部離開之方向，一邊將基板2自身所具有之翹曲矯正為平坦一邊波紋狀地依序吸附於吸附面13，使基板2整面吸附於吸附面13。因此，根據實施形態之上平台12，由於可改善基板2對於上平台12之吸附方式，故可減低貼合後積層體1之翹曲。又，可抑制於將基板2載置於上平台12之初期載置時，因多點載置所致之非吸附部分之產生。
再者，吸引孔群30B、30C兼作送風用之空氣噴射部，轉換至抽真空系統之驅動前之吸引孔群30B、30C藉由控制部34被切換至送風系統。
藉此，藉由自吸引孔群30B、30C噴射之空氣，使基板2一邊被送風，一邊被切換至抽真空系統之吸引孔群30B、30C依序吸附。藉由如此進行送風，可於減輕上平台12之吸附面13與基板2間之摩擦、即減輕基板2多點載置於吸附面13時之摩擦之狀態進行吸附。另，亦可於圖7(A)之載置狀態將吸引孔群30A作為空氣噴射部使用，隨後，切換至抽真空系統。
圖8係顯示上平台12之其他態樣之上平台12之俯視圖。
圖8所示之上平台12之複數個吸引孔30被5分割為平行於矩形狀上平台12長邊之吸引孔群30D、30E、30F、30G、30H。
吸引孔群(一部分吸引孔)30D構成為：於圖8中，沿著吸附面13下邊(一邊部之全域)2行配置之複數個吸引孔30藉由框狀之通氣路徑56連通。藉由吸引孔群30D吸附之基板2之以一點鏈線包圍之中央區域I為第一次吸附區域。
吸引孔群(剩餘之複數個吸引部)30E、30F、30G、30H亦相同，構成為：沿著吸附面13下邊2行配置之複數個吸引孔30藉由框狀之通氣路徑56連通。藉由吸引孔群30E、30F、30G、30H吸附之基板2之以一點鏈線包圍之中央區域J、K、L、M為第二次吸附區域、第三次吸附區域、第四次吸附區域、第五次吸附區域。
使基板2自第一次吸附區域至第五次吸附區域依序吸附於吸附面13，藉此使基板2整面吸附保持於吸附面13。
圖9係顯示上平台12之其他態樣之上平台12之俯視圖。
如圖9，複數個吸引孔30被4分割為吸引孔群30N、30P、30Q、30R。
吸引孔群(一部分吸引孔)30N構成為：配置於吸附面13之短邊中央(一邊部之一部分)之複數個吸引孔30藉由彼此連通之縱6行橫4行之通氣路徑58連通。藉由吸引孔群30N吸附之基板2之以一點鏈線包圍之中央區域N為第一次吸附區域。
吸引孔群(剩餘之複數個吸引部)30P構成為：以包圍吸引孔群30N之方式U字狀配置，且複數個吸引孔30藉由彼此連通之縱橫2行之通氣路徑60連通。藉由吸引孔群30P吸附之基板2之以一點鏈線包圍之區域P設定為第二次吸附區域。另，所謂第二次吸附區域為自區域P去除區域N之區域。
吸引孔群(剩餘之複數個吸引部)30Q構成為：以包圍吸引孔群30P之方式U字狀配置，且複數個吸引孔30藉由彼此連通之縱橫2行之通氣路徑62連通。藉由吸引孔群30Q吸附之基板2之以一點鏈線包圍之 區域Q設定為第三次吸附區域。另，所謂第三次吸附區域為自區域Q去除區域N、P之區域。
吸引孔群(剩餘之複數個吸引部)30R構成為：以包圍吸引孔群30Q之方式U字狀配置，且複數個吸引孔30藉由彼此連通之縱橫2行之通氣路徑64連通。藉由吸引孔群30R吸附之基板2之直至外緣之區域R設定為第四次吸附區域。另，所謂第四次吸附區域為自區域R去除區域N、P、R之區域。
使基板2自第一次吸附區域至第四次吸附區域依序波紋狀地吸附於吸附面13，藉此使基板2整面吸附保持於吸附面13。
[貼合裝置10之特徵]
根據包含上平台12之圖3(A)~(D)之貼合裝置10，由於可改善基板2對於上平台12之吸附方式，故可降低因吸附步驟所致之積層體1之翹曲。又，於貼合步驟中，藉由使補強板3因自重而撓曲變形之輥16之作用，亦可減低因貼合步驟所致之積層體1之翹曲。
[電子裝置之製造方法之特徵]
於電子裝置之製造方法之積層體製造步驟，由於包含貼合裝置10之吸附步驟與貼合步驟，故可提供能夠減低貼合後積層體1翹曲之電子裝置之製造方法。由於以積層體製造步驟製造之積層體1已減低翹曲，故於功能層形成步驟中，可於基板2之表面2a形成品質較佳之功能層。
以上，對本發明之一實施形態進行說明，但本發明不限制於上述實施形態。於申請專利範圍所記載之本發明之主旨範圍內，可有各種變化、變更。
例如，實施形態之貼合裝置10及吸附裝置即上平台12係使用於電子裝置製造步驟中所使用之積層體1之製造，但貼合裝置10及上平台12之用途係多種多樣。
又，本申請案係基於2014年10月29日申請之日本專利申請案2014-220107者，其內容作為參照併入於本文。

Claims (6)

  1. 一種基板之吸附裝置，其包含：平台，其具有吸附基板之吸附面；與複數個吸引部，其設置於上述平台之上述吸附面；其特徵在於包含：控制部，其係以上述複數個吸引部中之一部分吸引部為起點，使配置於自設為起點之上述一部分吸引部離開之方向之剩餘複數個吸引部，沿著上述離開之方向依序減壓，上述複數個吸引部係兼作空氣噴射部，且上述控制部藉由自上述吸引部噴射之空氣，使上述基板一邊被送風，一邊使上述基板依序吸附於切換為真空之上述吸引部。
  2. 如請求項1之基板之吸附裝置，其中上述控制部係以配置於矩形狀之上述平台之中央部之上述一部分吸引部為起點，使配置於自設為起點之上述一部分吸引部離開之方向之剩餘複數個吸引部沿著上述離開之方向依序減壓。
  3. 如請求項1之基板之吸附裝置，其中上述控制部係以沿著矩形狀之上述平台之一邊部配置之上述一部分吸引部為起點，使配置於自設為起點之上述一部分吸引部離開之方向之剩餘複數個吸引部沿著上述離開之方向依序減壓。
  4. 一種基板之貼合裝置，其貼合第1基板與第2基板，且特徵在於包含：吸附裝置，其係請求項1至3中任一項之基板之吸附裝置，且藉由上述吸附裝置之平台吸附上述第1基板；及輥，其將上述第2基板以因自重而撓曲變形之狀態按壓於上述第1基板，且一邊轉動一邊將上述第2基板整面貼合於上述第1基板。
  5. 一種基板之貼合方法，其貼合第1基板與第2基板，且特徵在於包含：吸附步驟，其將上述第1基板吸附保持於請求項1至3中任一項之基板吸附裝置之平台；及貼合步驟，其藉由輥將上述第2基板以因自重而撓曲變形之狀態按壓於上述第1基板，且使上述輥一邊轉動一邊將上述第2基板整面貼合於上述第1基板。
  6. 一種電子裝置之製造方法，其特徵在於包含：積層體製造步驟，其藉由貼合第1基板與第2基板而製造積層體；功能層形成步驟，其於上述積層體之上述第1基板之露出面形成功能層；及分離步驟，其自形成有上述功能層之上述第1基板分離上述第2基板；且上述積層體製造步驟包含：吸附步驟，其將上述第1基板吸附保持於請求項1至3中任一項之基板吸附裝置之平台；及貼合步驟，其藉由輥將上述第2基板以因自重而撓曲變形之狀態按壓於上述第1基板，且使上述輥一邊轉動一邊將上述第2基板整面貼合於上述第1基板。
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