TWI671768B - 線圈部件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供可抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良並且電感提高的線圈部件。一種線圈部件，其包括主體、埋設於主體的線圈導體、以及設置於主體的表面的外部電極，主體包括：包含球形金屬磁性材料的第一磁性體層；以及包含扁平金屬磁性材料的第二磁性體層和第三磁性體層，在線圈導體的軸線方向上，線圈導體的至少捲繞部位於第二磁性體層與第三磁性體層之間，在與上述軸線正交的方向上，第二磁性體層和第三磁性體層的寬度為線圈導體的捲繞部的外徑以上，第二磁性體層和第三磁性體層所包含的扁平金屬磁性材料取向為扁平金屬磁性材料的扁平面與線圈導體的軸線正交，在第二磁性體層和第三磁性體層與外部電極之間存在第一磁性體層。
Description
本發明涉及線圈部件。
以往，在扼流線圈等線圈部件中，以實現更高透磁率，獲取更高電感作為目的，使用扁平形狀的磁性材料。
專利文獻1公開有如下電子部件，其特徵在於，在至少由繞組、磁芯、電極構成的電子部件中，磁芯是由在表面具有氧化被膜的扁平狀和/或者針狀的軟磁性體粉末、和有機結合劑構成的複合磁性體層。
專利文獻2公開有如下線圈型電子部件，其特徵在於，是包括由軟磁性金屬材料構成的磁性體部、埋設於磁性體部的線圈導體、以及在磁性體部所對置的側表面設置的一對外部電極而構成的線圈型電子部件，磁性體部的側表面部的至少局部包括扁平率為0.50以上的扁平軟磁性金屬材料，該扁平軟磁性金屬材料在線圈軸線方向上取向。
專利文獻1：日本特開平9-306715號公報
專利文獻2：日本特開2015-88522號公報
然而，根據本發明者們的研究，得知存在以下問題，即使用了扁平形狀的磁性材料的磁性體層的電阻率低成為重要因素而導致產生外部電極間的電短路、外部電極形成時的鍍層延伸等鍍敷不良。
本發明的目的在於提供可抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良，並且電感提高的線圈部件。
本發明者們發現藉由將包含扁平金屬磁性材料的磁性體層配置於線圈導體之上和之下並且在包含扁平金屬磁性材料的磁性體層與外部電極之間設置包含球形金屬磁性材料的磁性體層，能夠抑制外部電極間的電短路和外部電極形成時的鍍層延伸等鍍敷不良，並且電感可提高，從而完成本發明。
根據本發明的一的主旨，提供線圈部件，其包括主體、埋設於主體的線圈導體、以及設置於主體的表面的外部電極，
主體包括：包含球形金屬磁性材料的第一磁性體層；以及包含扁平金屬磁性材料的第二磁性體層和第三磁性體層，
在線圈導體的軸線方向上，線圈導體的至少捲繞部位於第二磁性體層與第三磁性體層之間，
在與上述軸線正交的方向上，第二磁性體層和第三磁性體層的寬度為線圈導體的捲繞部的外徑以上，
第二磁性體層和第三磁性體層所含的扁平金屬磁性材料取向為扁平金屬磁性材料的扁平面相對於線圈導體的軸線而正交，
在第二磁性體層與外部電極之間、第三磁性體層與外部電極之間存在第一磁性體層。
本發明的線圈部件藉由具備上述特徵，從而可抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良，並且電感提高。
1‧‧‧線圈部件
2‧‧‧主體
3‧‧‧線圈導體
4‧‧‧外部電極
5‧‧‧外部電極
6‧‧‧第一磁性體層
71‧‧‧第二磁性體層
72‧‧‧第三磁性體層
73‧‧‧第四磁性體層
74‧‧‧第五磁性體層
14‧‧‧線圈導體的末端
15‧‧‧線圈導體的末端
16‧‧‧線圈導體的端面
17‧‧‧線圈導體的端面
18‧‧‧線圈導體的側表面
21‧‧‧主體前表面
22‧‧‧主體背面
23‧‧‧主體端面
24‧‧‧主體端面
25‧‧‧主體上表面
26‧‧‧主體下表面
圖1是示意性地示出本發明的一實施形態的線圈部件的立體圖。
圖2是省略了外部電極的圖1所示的線圈部件的透視立體圖。
圖3是示意性地示出圖1所示的線圈部件的與LT面平行的剖面的剖視圖。
圖4是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第一變形例的剖視圖。
圖5是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第二變形例的剖視圖。
圖6是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第三變形例的剖視圖。
圖7是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第四變形例的剖視圖。
圖8是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第五變形例的剖視圖。
圖9是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第六變形例的剖視圖。
圖10是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第七變形例的剖視圖。
圖11是表示模擬所使用的模型的概略圖和模擬所求出的電感值的圖。
圖12是表示磁性材料的填充率與電阻率的關係的圖。
圖13是表示包括扁平金屬磁性材料的磁性體層與主體的上表面之間的距離、和外部電極間的絕緣電阻間的關係的圖。
以下，參照圖式對本發明的實施形態的線圈部件詳細地進行說明。其中，本發明的線圈部件和各構成要素的形狀和配置等不限定於以下所說明的實施形態和圖示的結構。
圖1示意性地示出本發明的一實施形態的線圈部件1的立體圖，圖2表示線圈部件1的主體2的透視立體圖，圖3表示線圈部件1的剖視圖。
如圖1~圖3所示那樣，本實施形態的線圈部件1大致具有長方體形狀。線圈部件1大致包括主體2、埋設於主體2的線圈導體3、以及設置於主體2的表面的外部電極4、5。在主體2中，將圖3的圖式中左右側的面稱為“端面”，
將圖式中上側的面稱為“上表面”，將圖式中下側的面稱為“下表面”，將圖式中紙外側的面稱為“前表面”，將圖式中紙裡側的面稱為“背面”。另外，端面、前表面和背面也僅稱為“側表面”。主體2包括：包含球形金屬磁性材料的第一磁性體層、和包含扁平金屬磁性材料的第二磁性體層和第三磁性體層。在主體2的內部埋設有線圈導體3。此處，在線圈導體3中，將沿著繞組的捲繞方向的面稱為線圈導體3的“側表面”，將沿著繞組的厚度方向的面稱為線圈導體3的“端面”。在本實施形態中，由處於線圈導體3的最外層的扁線的主表面構成的與線圈導體3的軸線平行的面是側表面18，由各層的扁線的側表面構成的與線圈導體3的軸線垂直的面是端面16、17。另外，外部電極4、5分別設置於主體2的表面(兩端面23、24)。在圖1~圖3所示的結構中，外部電極4、5分別從主體2的端面23、24延伸至下表面26的局部。即，外部電極4、5是L形電極。但是，在本實施形態的線圈部件1中，外部電極4、5的形狀和配置不局限於圖1和圖3所示的內容。線圈導體3的兩端(末端14、15)分別在主體2的端面23、24中與外部電極4、5電連接。
在本說明書中，將線圈部件1的長度稱為“L”，將寬度稱為“W”，將厚度(高度)稱為“T”(參照圖1和圖2)。在本說明書中，將與主體2的前表面21和背面22平行的面稱為“LT面”，將與端面23、24平行的面稱為“WT面”，將與上表面25和下表面26平行的面稱為“LW面”。
在本實施形態的線圈部件1中，主體2包括：包含球形金屬磁性材料的第一磁性體層6、和包含扁平金屬磁性材料的第二磁性體層71和第三磁性體層72。
(第一磁性體層)
第一磁性體層6包括球形金屬磁性材料，並且不包括扁平金屬磁性材料。第一磁性體層6不包括扁平金屬磁性材料，從而能夠抑制外部電極間的電短路
和鍍敷不良。此外，在本說明書中，“球形”是指金屬磁性材料的由長徑a與短徑b之比定義的長寬比(a/b)為1以上且10以下，“扁平”是指金屬磁性材料的長寬比(a/b)為50以上且150以下。第一磁性體層6除了球形金屬磁性材料之外還包括樹脂材料。第一磁性體層6也可以由球形金屬磁性材料和樹脂材料的複合材料構成。對於第一磁性體層6而言，相對透磁率為15以上，優選為20以上，更優選為30以上。
作為構成球形金屬磁性材料的金屬磁性材料，只要具有磁性則不做特別限定，例如可舉出：鐵、鈷、鎳或釓、或者包括它們的1種或者2種以上的合金。優選金屬磁性材料為鐵或者鐵合金。鐵也可以是鐵本身，也可以是鐵衍生物，例如絡合物。作為這樣的鐵衍生物，不做特別限定，可舉出作為鐵和CO的絡合物的羰基鐵，優選為五羰基鐵。特別是，洋蔥皮構造(從粒子的中心形成同心球狀的層的構造)的硬等級的羰基鐵(例如，BASF社製的硬等級的羰基鐵)。作為鐵合金，不做特別限定，但例如可舉出：Fe-Ni系合金、Fe-Si-Al系合金、Fe-Si系合金、Fe-Co系合金、Fe-Cr系合金、Fe-Cr-Al系合金、Fe-Cr-Si系合金、各種Fe基非晶體合金、各種Fe基納米結晶合金等。也可以是，上述合金還包括B、C等作為其他副成分。副成分的含量不做特別限定，但例如可以是0.1重量%以上且5.0重量%以下，優選為0.5重量%以上且3.0重量%以下。上述金屬磁性材料可以僅為1種，也可以為2種以上。
在優選的方式中，球形金屬磁性材料優選具有0.5μm以上且10μm以下的粒徑，更優選具有1μm以上且5μm以下的粒徑，進一步優選具有1μm以上且3μm以下的平均粒徑。藉由使球形金屬磁性材料的平均粒徑成為0.5μm以上，從而球形金屬磁性材料的處理變容易。另外，藉由使球形金屬磁性材料的平均粒徑成為10μm以下，從而能夠進一步提高球形金屬磁性材料的填充率，進而第一磁性體層6的磁特性提高。
在本說明書中，“平均粒徑”是指磁性體層的剖面的SEM(掃描式電子顯微鏡)圖像中的粒子的等效圓直徑的平均值。例如，藉由針對將線圈部件1切斷而獲得的剖面，利用SEM來拍攝複數個位置(例如5個位置)的區域(例如130μm×100μm)，使用圖像解析軟體(例如，旭化成工程株式會社製，A像君(註冊商標))對該SEM圖像進行解析，並針對500個以上的球形金屬磁性材料，求出等效圓直徑，對其平均值進行計算，從而能夠獲得平均粒徑。
也可以是，球形金屬磁性材料的表面由絕緣材料的被膜(以下，也僅稱為“絕緣被膜”)覆蓋。該情況下，球形金屬磁性材料的表面以能夠提高球形金屬磁性材料間的絕緣性的程度被絕緣被膜覆蓋即可。即，球形金屬磁性材料的表面也可以僅球形金屬磁性材料的表面的局部被絕緣被膜覆蓋，也可以整個面被覆蓋。另外，絕緣被膜的形狀不做特別限定，可以是網眼狀，也可以是層狀。在優選的方式中，對於球形金屬磁性材料而言，其表面的30%以上、優選60%以上、更優選80%以上、進一步優選90%以上、特別優選100%的區域被絕緣被膜覆蓋。藉由利用絕緣被膜來覆蓋球形金屬磁性材料的表面，從而能夠提高第一磁性體層6內部的電阻率。
絕緣被膜的厚度不做特別限定，但優選為1nm以上且100nm以下，更優選為3nm以上且50nm以下，進一步優選為5nm以上且30nm以下，例如可以為10nm以上且30nm以下或者5nm以上且20nm以下。藉由進一步增大絕緣被膜的厚度，從而能夠進一步提高第一磁性體層6的電阻率。另外，藉由進一步縮小絕緣被膜的厚度，能夠使第一磁性體層6中的球形金屬磁性材料的量更多，從而第一磁性體層6的磁特性提高，容易實現第一磁性體層6的小型化。
作為第一磁性體層6所含的樹脂材料，不做特別限定，但例如可舉出：環氧樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂等熱固化性樹脂。第一磁性體層6也可以僅包括一種樹脂材料，也可以包括兩種以上樹
脂材料。
在上述方式中，第一磁性體層6中的球形金屬磁性材料的含量可以是，相對於第一磁性體層6整體，優選為70重量%以上，更優選為80重量%以上，進一步優選為90重量%以上。另外，第一磁性體層6中的球形金屬磁性材料的含量的上限不做特別限定，但可以是相對於第一磁性體層6整體，優選為99.5重量%以下。
第一磁性體層6中的球形金屬磁性材料的填充率可以是優選為40%以上，更優選為50%以上，進一步優選為60%以上，更進一步優選為70%以上。另外，第一磁性體層6中的球形金屬磁性材料的填充率的上限不做特別限定，但該填充率可以是95%以下、90%以下、85%以下、80%以下。藉由提高第一磁性體層6中的球形金屬磁性材料的填充率，從而第一磁性體層6的透磁率變高，能夠獲得更高的電感。
在本說明書中，“填充率”是指磁性體層的剖面的SEM圖像中的粒子所占的面積的比例。例如，藉由利用線鋸(Meiwafosis株式會社製DWS3032-4)在產品中央部附近將線圈部件1切斷，使LT面的大致中央部暴露。相對於所獲得的剖面，進行離子銑削(例如，株式會社日立高新技術社製離子銑削裝置IM4000)，將由切斷引起的塌邊除去，獲得觀察用的剖面。利用SEM來拍攝剖面的複數個位置(例如5個位置)的規定的區域(例如130μm×100μm)，並使用圖像解析軟體(例如，旭化成工程株式會社製，A像君(註冊商標))對該SEM圖像進行解析，且求出區域中的球形金屬磁性材料所占的面積的比例，從而能夠獲得填充率。
在一個方式中，也可以是，第一磁性體層6還包括其他物質粒子。藉由包括其他物質的粒子，從而能夠調整製造磁性體層時的流動性。
(第二磁性體層和第三磁性體層)
第二磁性體層71和第三磁性體層72包括扁平金屬磁性材料。也可以是，第二磁性體層71和第三磁性體層72除了扁平金屬磁性材料之外，還包括球形金屬磁性材料。第二磁性體層71和第三磁性體層72除了扁平金屬磁性材料之外還包括樹脂材料。也可以是，第二磁性體層71和第三磁性體層72由扁平金屬磁性材料和樹脂材料的複合材料構成。第二磁性體層71和第三磁性體層72相對透磁率為40以上，優選為60以上，更優選為80以上。
構成扁平金屬磁性材料的金屬磁性材料只要具有磁性則未特別限定，作為構成第一磁性體層6所含的球形金屬磁性材料的金屬磁性材料，可以是與上述的材料相同的材料。第二磁性體層71和第三磁性體層72所含的扁平金屬磁性材料可以具有與第二磁性體層71和第三磁性體層72所含的球形金屬磁性材料相同的組成，也可以具有不同的組成。
在優選的方式中，扁平金屬磁性材料優選具有1μm以上且200μm以下的平均粒徑，更優選具有5μm以上且100μm以下的平均粒徑，進一步優選具有10μm以上且70μm以下的平均粒徑。藉由使扁平金屬磁性材料的平均粒徑成為10μm以上，從而扁平金屬磁性材料的處理變容易。另外，藉由使扁平金屬磁性材料的平均粒徑成為70μm以下，從而能夠進一步增大扁平金屬磁性材料的填充率，磁性體層的磁特性提高。另外，短徑的長度優選為0.12μm以上且7μm以下，更優選為0.12μm以上且5μm以下。長徑的長度優選為30μm以上且200μm以下，例如為40μm以上且90μm以下。
也可以是，第二磁性體層71和第三磁性體層72所含的扁平金屬磁性材料的表面由絕緣被膜覆蓋。也可以是，在扁平金屬磁性材料的表面形成的絕緣被膜的形狀和厚度與在上述的球形金屬磁性材料的表面形成有絕緣被膜的情況下，其絕緣被膜相同。此外，不形成絕緣被膜則透磁率更高，但電阻率變低，因此具有容易引起短路、鍍敷不良的趨勢。相對於此，本實施形態的線
圈部件藉由在包含扁平金屬磁性材料的磁性體層(第二磁性體層71和第三磁性體層72)與外部電極之間存在有包含球形金屬磁性材料的磁性體層(第一磁性體層6)，從而能夠抑制短路、鍍敷不良的產生。因此，在使用未形成絕緣被膜的扁平金屬磁性材料而提高透磁率的同時，能夠抑制短路、鍍敷不良的產生。
第二磁性體層71和第三磁性體層72所含的樹脂材料不做特別限定，作為第一磁性體層6所含的樹脂材料，可以與上述的材料相同。第二磁性體層71和第三磁性體層72所含的樹脂材料可以具有與第一磁性體層6所含的樹脂材料相同的組成，也可以具有不同組成。
在上述方式中，第二磁性體層71和第三磁性體層72各自的扁平金屬磁性材料的含量，相對於第二磁性體層71和第三磁性體層72各自的整體，優選為70重量%以上，更優選為80重量%以上，進一步優選為90重量%以上。另外，第二磁性體層71和第三磁性體層72的扁平金屬磁性材料的含量的上限不做特別限定，但可以是相對於第二磁性體層71和第三磁性體層72各自的整體，優選為99.5重量%以下。
第二磁性體層71和第三磁性體層72各自的扁平金屬磁性材料的填充率可以是優選為30%以上，更優選為50%以上，進一步優選為60%以上，更進一步優選為70%以上。另外，第二磁性體層71和第三磁性體層72各自的扁平金屬磁性材料的填充率的上限不做特別限定，但該填充率可以是80%以下、75%以下、70%以下、65%以下。藉由提高第二磁性體層71和第三磁性體層72的扁平金屬磁性材料的填充率，從而第二磁性體層71和第三磁性體層72的透磁率變高，能夠獲得更高的電感。
在一個方式中，第二磁性體層71和第三磁性體層72也可以包括其他的物質粒子。藉由包括其他的物質粒子，能夠調整製造磁性體層時的流動
性。
此外，第二磁性體層71與第三磁性體層也可以具有相同的組成，也可以具有互不相同的組成。
第二磁性體層71和第三磁性體層72配置為：線圈導體3的至少捲繞部在線圈導體3的軸線方向上位於第二磁性體層71與第三磁性體層72之間。第二磁性體層71和第三磁性體層72所含的扁平金屬磁性材料取向為，扁平金屬磁性材料的扁平面與線圈導體3的軸線正交。扁平金屬磁性材料由於形狀各向異性而扁平面內方向的透磁率變大。此處，“扁平面”是指包括扁平金屬磁性材料的長徑的面。在第二磁性體層71和第三磁性體層72中，扁平金屬磁性材料的扁平面取向為與線圈導體3的軸線正交，由此扁平金屬磁性材料的扁平面與穿過第二磁性體層71和第三磁性體層72的磁通平行。這樣透磁率高的扁平面方向與磁通平行，由此能夠提高線圈部件的電感。如上述那樣，扁平金屬磁性材料的長寬比為50以上且150以下。若長寬比為上述範圍內，則能夠提高透磁率，能夠實現高電感值。
在本實施形態的線圈部件1中，在第二磁性體層71和第三磁性體層72、與外部電極4、5之間存在第一磁性體層6。第一磁性體層6包含球形金屬磁性材料，並且不包含扁平金屬磁性材料。與包含扁平金屬磁性材料的磁性體層相比，包含球形金屬磁性材料的磁性體層存在電阻率變高的趨勢。因此，若第二磁性體層71和第三磁性體層72與外部電極4、5接觸，則恐怕容易產生外部電極間的電短路、鍍敷不良。相對於此，在本實施形態的線圈部件1中，在第二磁性體層71和第三磁性體層72、與外部電極4、5之間存在包含電阻率低的球形金屬磁性材料的第一磁性體層6，由此外部電極4、5、與第二磁性體層71和第三磁性體層72不會直接接觸。藉由這樣使外部電極4、5、與第二磁性體層71和第三磁性體層72分離配置，從而能夠抑制外部電極間的電短路、外部電極形
成時的鍍層延伸等鍍敷不良的產生。
在與線圈導體3的軸線正交的方向上，第二磁性體層71和第三磁性體層72的寬度為線圈導體3的捲繞部的外徑以上。此處，“捲繞部的外徑”是指由線圈導體3的側表面18構成的線圈導體3的捲繞部的外周的直徑。如圖3所示，優選在與線圈導體3的軸線正交的方向上，第二磁性體層71和第三磁性體層72的寬度與線圈導體3的捲繞部的外徑相同。藉由這樣配置第二磁性體層71和第三磁性體層72，從而能夠在主體2的上表面25側和下表面26側的線圈導體3附近的磁通密度集中的區域高效地配置扁平金屬磁性材料，能夠高效地獲得電感提高效果。
在本實施形態的線圈部件1中，優選主體2的與線圈導體3的軸線正交的表面(即上表面25和下表面26)的至少一個表面由第一磁性體層6構成。藉由這樣的結構，能夠使包含扁平金屬磁性材料的第二磁性體層71和第三磁性體層72與外部電極4、5充分分離配置，能夠進一步有效地抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良的產生。在圖3所示的結構中，主體2的與線圈導體3的軸線正交的表面(上表面25和下表面26)雙方由第一磁性體層6構成。根據該結構，能夠進一步抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良。
在本實施形態的線圈部件1中，優選第二磁性體層71和第三磁性體層72中的至少一者設置於主體2的內部。根據這樣的結構，能夠使包含扁平金屬磁性材料的第二磁性體層71和第三磁性體層72與外部電極4、5充分分離配置，能夠進一步有效地抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良的產生。在圖3所示的結構中，第二磁性體層71和第三磁性體層72雙方設置於主體2的內部。根據該結構，能夠進一步抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良。
如圖3所示，優選第二磁性體層71和第三磁性體層72設置於主體2的內部，主體2的表面整體由第一磁性體層6構成。根據這樣的結構，電阻率
低的第二磁性體層和第三磁性體層未在主體2的表面暴露，因此能夠充分確保外部電極4、5與第二磁性體層和第三磁性體層間的分離距離，能夠進一步有效地抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良的產生。
在圖3所示的結構中，第二磁性體層71和第三磁性體層72雙方設置於主體2的內部，並且在與線圈導體3的軸線正交的方向上，第二磁性體層71和第三磁性體層72的寬度與線圈導體3的捲繞部的外徑相同。圖3所示的結構能夠更高效地獲得電感提高效果，同時能夠更有效地抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良的產生。
如圖3所示，優選第二磁性體層71配置為與線圈導體3的端面16接觸。同樣，第三磁性體層72優選配置為與線圈導體3的端面17接觸。根據這樣的配置，能夠在線圈導體3附近的磁通密度集中的區域高效地配置扁平金屬磁性材料，能夠進一步高效地獲得電感提高效果。
根據優選的方式，在線圈導體3的軸線方向上，在第二磁性體層71和第三磁性體層72的外側存在第一磁性體層6。該情況下，存在於第二磁性體層71和第三磁性體層72的外側的第一磁性體層6的厚度優選為20μm以上，更優選為80μm以上，且優選為140μm以下。此外，在圖3中，將存在於第二磁性體層71的外側的第一磁性體層6的厚度作為例子用圖式標記“T”示出。藉由使存在於第二磁性體層71和第三磁性體層72的外側的第一磁性體層6的厚度成為20μm以上，更優選成為80μm以上，從而能夠提高設置有外部電極的主體2的表面的電阻率值，從而能夠進一步有效地抑制外部電極間的短路和鍍敷不良的產生。另外，藉由使存在於第二磁性體層71和第三磁性體層72的外側的第一磁性體層6的厚度為140μm以下，從而能夠抑制外部電極間的短路和鍍敷不良的產生，並且使線圈部件1小型化。
(線圈導體)
線圈導體3埋設於主體2，線圈導體3的至少捲繞部在線圈導體3的軸線方向上位於第二磁性體層71與第三磁性體層72之間。在本實施形態中，如圖2和圖3所示那樣，線圈導體3配置為軸線朝向主體2的上下方向。線圈導體3的兩末端14、15在主體2的端面23、24引出，與外部電極4、5電連接。
作為構成線圈導體3的導電性材料，不做特別限定，但例如可舉出金、銀、銅、鈀、鎳等。優選導電性材料為銅。線圈導體3可以包含一種導電性材料，或者也可以包含兩種以上。
線圈導體3能夠由導線、導電糊料、導電性材料的箔等形成，但由導線形成更能夠降低線圈部件1的直流電阻，從而優選。導線可以是圓線，也可以是扁線，但優選為扁線。藉由使用扁線，容易無縫隙地捲繞導線。
在一個方式中，優選形成線圈導體3的導線由絕緣性物質覆蓋。藉由由絕緣性物質覆蓋形成線圈導體3的導線，從而能夠使線圈導體與磁性體層的絕緣更可靠，進而能夠提高線圈部件1的可靠性。此外，當然在與導線的外部電極4、5連接的部分不存在絕緣性物質，導線暴露。
作為上述的絕緣性物質，不做特別限定，但例如可舉出：聚氨基甲酸乙酯樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂，優選為聚醯胺醯亞胺樹脂。
線圈導體3也能夠使用任一種類型的線圈導體，例如能夠使用α繞、扁立(Edgewise)繞、旋渦繞(Spiral)、螺旋繞等的線圈導體。在由導線形成線圈導體3的情況下，在部件的小型化方面，優選α繞、扁立繞。在圖2所示的線圈部件1中，線圈導體3是α繞的線圈導體。在優選的方式中，線圈導體3可以是使扁線α繞而成的線圈導體。
在一個方式中，線圈導體3配置為使從主體的上表面25至一個端面16的距離、與從下表面26至另一個端面17的距離相等。由此主體整體更均衡
地有助於電感，作為整體的電感提高。
(外部電極)
外部電極4、5分別設置於主體2的表面，並與線圈導體3的末端14、15電連接。
在一個方式中，如圖1和圖3所示那樣，外部電極4、5分別在線圈部件1的主體2的端面23、24、以及下表面26的局部作為L形電極(雙面電極)而形成。在其他方式中，外部電極4、5也可以是僅在線圈部件1的主體2的下表面26的局部形成的底面電極。藉由將外部電極4、5作為L形電極或者底面電極而形成於主體2的表面，從而能夠防止線圈部件安裝於基板等時與位於上方的其他部件例如殼體、遮罩件等短路的情況。
在又一其他方式中，也可以是，外部電極4、5作為五面電極而形成於線圈部件1的主體2的端面23、24、以及前表面21、背面22、上表面25、下表面26的局部。
外部電極4、5由導電性材料、優選為從Au、Ag、Pd、Ni、Sn和Cu中選擇的一種或者一種以上的金屬材料構成。
外部電極4、5可以是單層，也可以是多層。在一個方式中，在外部電極4、5為多層的情況下，外部電極4、5可包括包含Ag或者Pd的層、包含Ni的層、或者包含Sn的層。在優選的方式中，外部電極4、5由包含Ag或者Pd的層、包含Ni的層、以及包含Sn的層構成。優選上述的各層從線圈導體3側起依次設置包含Ag或者Pd的層、包含Ni的層、包含Sn的層。可以是，優選包含Ag或者Pd的層是焙燒Ag糊料或者Pd糊料而成的層(即，熱固化的層)，包含Ni的層和包含Sn的層是鍍敷層。
外部電極4、5的厚度不做特別限定，但可以是例如1μm以上且20μm以下，優選為5μm以上且10μm以下。
在其他方式中，也可以是，線圈部件1除去外部電極4、5之外，由保護層覆蓋。藉由設置保護層，從而能夠防止線圈部件1在安裝於基板等時與其他電子部件短路。
作為構成保護層的絕緣性材料，例如可舉出：丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等電絕緣性高的樹脂材料。
(線圈部件的製造方法)
接下來，對線圈部件1的製造方法進行說明。首先，在模具配置複數個線圈導體。接下來，在上述線圈導體上重疊第一磁性體層的片材，接下來進行一次衝壓。藉由一次衝壓，將線圈導體的側表面埋入第一磁性體層的片材中，在線圈導體3的內部填充第一磁性體層的局部。
接下來，從模具拆下被埋入了由一次衝壓獲得的線圈導體的片材，接下來，在線圈導體的一個端面暴露的面，重疊第二磁性體層的片材，進一步在其之上重疊第一磁性體層的片材而進行二次衝壓。其後，在線圈導體的另一個端面暴露的面重疊第三磁性體層的片材，進一步在其之上重疊第一磁性體層的片材而進行三次衝壓。由此，獲得包括複數個主體的集合線圈基板。上述的第一磁性體層的片材、第二磁性體層的片材以及第三磁性體層的片材藉由三次衝壓而成為一體，形成線圈部件1的主體2。
此外，在第二磁性體層的片材和第三磁性體層的片材中，扁平金屬磁性材料的取向能夠藉由適當地採用公知的方法來控制。例如，使熔融了的樹脂材料和扁平金屬磁性材料的混合物成形為片狀，並施加與片材的主面平行的方向的剪切力，由此能夠使扁平金屬磁性材料的扁平面在與片材的主面平行的方向上取向。在上述的方法中，也可以是，藉由除了剪切力之外，還施加磁場，從而控制扁平金屬磁性材料的取向。
接下來，將由三次衝壓獲得的集合線圈基板分割為各個主體。
線圈導體3的末端14、15分別在獲得的主體所對置的端面23、24暴露。
接下來，在主體2的規定的位置，例如藉由鍍敷處理、優選電鍍處理而形成外部電極4、5。
在優選的方式中，鍍敷處理在與形成外部電極的位置對應的主體表面照射鐳射後進行。藉由在主體表面照射鐳射，從而將構成磁性體層的樹脂材料的至少局部除去，金屬磁性材料暴露。由此，主體表面的電阻變小，容易形成鍍敷。
由此製造本實施形態的線圈部件1。
此外，本實施形態的線圈部件的製造方法不限定於上述的製造方法，也能夠藉由將上述的製造方法的局部變更而成的方法、其他方法來製造。
(第一變形例)
接下來，以下對本發明的實施形態的線圈部件1的變形例進行說明。圖4是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第一變形例的剖視圖。本變形例在第二磁性體層71和第三磁性體層72與線圈導體3之間存在第一磁性體層6這點上與圖3所示的結構不同。如圖4所示，即使在第二磁性體層71和第三磁性體層72與線圈導體3分離的情況下，也與圖3所示的結構同樣，可抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良，並且電感提高。
(第二變形例)
圖5是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第二變形例的剖視圖。本變形例在第二磁性體層71和第三磁性體層72的寬度比線圈導體3的捲繞部的外徑大這點上與圖3所示的結構不同。根據這樣的結構，也可抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良，並且電感提高。此外，在圖5中，第二磁性體層71和第三磁性體層72分別與線圈導體的端面16、17接觸，但也可以在第二磁性體層71和第
三磁性體層72與線圈導體3之間存在第一磁性體層6。
(第三變形例)
圖6是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第三變形例的剖視圖。本變形例在主體2的與線圈導體3的軸線正交的表面中的未設置有外部電極的面由第二磁性體層71或者第三磁性體層72構成這點上，與圖3所示的結構不同。在圖6中，主體2的未設置有外部電極的上表面25由第二磁性體層71構成。如圖6所示，在外部電極4、5為L形電極的情況下，即使由包含扁平金屬磁性材料的磁性體層構成未設置有外部電極的面，也由於包含扁平金屬磁性材料的磁性體層與外部電極分離，因此能夠確保外部電極間的絕緣電阻。本變形例具有線圈部件的製造容易，並且能夠期待更大的電感提高效果這樣的優點。此外，在圖6中，第二磁性體層71和第三磁性體層72分別與線圈導體的端面16、17接觸，但也可以在第二磁性體層71和第三磁性體層72、與線圈導體3之間存在第一磁性體層6。另外，在本變形例中，第三磁性體層72的寬度大於線圈導體3的捲繞部的外徑，但也可以第三磁性體層72的寬度與線圈導體3的捲繞部的外徑相同。
(第四變形例)
圖7是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第四變形例的剖視圖。本變形例在主體2的與線圈導體3的軸線正交的表面中的未設置有外部電極的面由第二磁性體層71或者第三磁性體層72構成這點上與圖3所示的結構不同。在圖7中，主體2的未設置有外部電極的上表面25由第二磁性體層71構成，並且第二磁性體層71和第三磁性體層72在主體2的兩端面23、24暴露。在本變形例中，外部電極4、5是底面電極。在作為外部電極而使用底面電極的情況下，藉由不包含扁平金屬磁性材料的第一磁性體層6僅構成主體2的設置外部電極4、5的面(主體2的下表面26)，從而能夠使外部電極4、5、與第二磁性體層71和第三磁性體層72充分分離配置，從而能夠充分抑制外部電極間的電短路和鍍敷不良
的產生。本變形例具有線圈部件的製造容易，並且能夠期待更大的電感提高效果這樣的優點。此外，在圖7中，第二磁性體層71和第三磁性體層72分別與線圈導體的端面16、17接觸，但也可以在第二磁性體層71和第三磁性體層72、與線圈導體3之間存在第一磁性體層6。
(第五變形例)
圖8是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第五變形例的剖視圖。本變形例在第二磁性體層71和第三磁性體層72僅設置於在線圈導體3的軸線方向上與線圈導體3重疊的部分這點上，與圖3所示的結構不同。本變形例具有以下優點，即藉由僅在磁通密度集中的線圈導體3的兩端面的附近區域配置扁平金屬磁性材料，從而能夠高效地獲得電感提高效果。此外，在圖8中，第二磁性體層71和第三磁性體層72分別與線圈導體的端面16、17接觸，但也可以在第二磁性體層71和第三磁性體層72、與線圈導體3之間存在第一磁性體層6。
(第六變形例)
圖9是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第六變形例的剖視圖。本變形例在主體2還包括包圍線圈導體3的捲繞部的外側的第四磁性體層73這點上與第五變形例不同。此外，也可以是，第四磁性體層73還設置於例如圖3~圖7、圖10所示的變形例。第四磁性體層73包括扁平金屬磁性材料，第四磁性體層73所含的扁平金屬磁性材料取向為扁平金屬磁性材料的扁平面與線圈導體3的軸線平行，在第四磁性體層73與外部電極4、5之間存在第一磁性體層6。藉由在第四磁性體層73中使扁平金屬磁性材料這樣取向，從而第四磁性體層73內的扁平金屬磁性材料的扁平面與穿過第四磁性體層73的磁通平行。藉由設置第四磁性體層73，從而能夠進一步提高線圈部件1的電感。另外，藉由在第四磁性體層73與外部電極4、5之間存在第一磁性體層6，從而能夠確保外部電極間的絕緣電阻。此外，在圖9所示的結構中，第四磁性體層73未在主體2的表面暴露，
但只要可以充分確保第四磁性體層73與外部電極4、5之間的分離距離，第四磁性體層73也可以在主體2的表面暴露。
(第七變形例)
圖10是表示本發明的一實施形態的線圈部件的第七變形例的剖視圖。本變形例在主體2還包括填充於線圈導體3的捲繞部的內側的第五磁性體層74這點上，與圖3所示的結構不同。此外，第五磁性體層74例如也可以還設置於圖4~圖9所示的變形例。第五磁性體層74包括扁平金屬磁性材料，第五磁性體層74所含的扁平金屬磁性材料取向為扁平金屬磁性材料的扁平面與線圈導體3的軸線平行，在第五磁性體層74與外部電極4、5之間存在第一磁性體層6。藉由在第五磁性體層74中使扁平金屬磁性材料這樣取向，由此第五磁性體層74內的扁平金屬磁性材料的扁平面與穿過第五磁性體層74的磁通平行。藉由設置第五磁性體層74，從而能夠進一步提高線圈部件1的電感。另外，藉由在第五磁性體層74與外部電極4、5之間存在第一磁性體層6，從而能夠確保外部電極間的絕緣電阻。另外在本變形例中，第二磁性體層71和第三磁性體層72的寬度與線圈導體3的捲繞部的外徑相同，但第二磁性體層71和第三磁性體層72的寬度可以大於線圈導體3的捲繞部的外徑，也可以小於線圈導體3的捲繞部的外徑。例如，也可以是，在從線圈導體3的軸線方向俯視時，第二磁性體層71和第三磁性體層72的在L方向上的寬度大於線圈導體3的捲繞部的在L方向上的外徑，在從線圈導體3的捲繞部的內側觀察時，第二磁性體層71和第三磁性體層72的在L方向上的端部位於比線圈導體的側表面18靠外側。或者，也可以是，第二磁性體層71和第三磁性體層72的寬度小於線圈導體3的捲繞部的外徑，第二磁性體層71和第三磁性體層72僅在線圈導體3的軸線方向上與線圈導體3重疊的部分設置。
接下來，針對本發明的實施形態的線圈部件所起到的作用效果
進一步進行詳述。對於扁平金屬磁性材料而言，其扁平度越高，由於形狀各向異性而扁平面內方向的透磁率越大。但是，扁平金屬磁性材料的扁平度越高，則與扁平面垂直的方向的透磁率越小。通常，粒子的透磁率與由其形狀決定的退磁因數成反比例。此處，考慮扁平金屬磁性材料的扁平面處於xy面內，與扁平面垂直的方向處於z軸方向的情況。該情況下，扁平面內方向的退磁因數(Nd＿x，Nd＿y)隨著扁平度(長寬比)變大而變小。另一方面，與扁平面垂直的方向的退磁因數(Nd＿z)隨著扁平度(長寬比)變大而變大。例如，在長寬比為100的扁平金屬磁性材料中，與球形的磁性材料的有效透磁率相比，扁平面內方向的有效透磁率提高至約5倍。此時，扁平金屬磁性材料的Nd＿x和Nd＿y降低至球形的磁性材料的1/5左右。另一方面，各方向的退磁因數滿足Nd＿z+Nd＿y+Nd＿z=1的關係。因此，與球形的磁性材料相比，扁平金屬磁性材料的Nd＿z增加至3.5倍左右。即，扁平金屬磁性材料的垂直方向的透磁率成為球形的磁性材料的約3/10倍。
在將扁平金屬磁性材料用於線圈部件的情況下，也可以存在線圈的勵磁磁場相對於扁平金屬磁性材料的扁平面而垂直地施加的部分。因此，根據扁平金屬磁性材料的配置，有時得不到所希望的電感提高的效果。
因此，針對扁平金屬磁性材料的優選的配置，藉由以下進行說明的有限元法電磁場模擬進行了研究。圖11的(A)~圖11的(D)示出研究所使用的模型的概略圖，圖11的(E)針對各模型示出模擬所求出的電感。此外，圖11的(D)所示的構造與本發明的一實施形態的圖3所示的線圈部件的構造相同。
若考慮到相對於上述的扁平金屬磁性材料的扁平面而垂直的方向的透磁率，則在圖11的(B)的構造中，與使用了球形的磁性材料的(A)的構造相比，電感反而降低。這是由於線圈的內部和外側的磁場的方向是與扁平面垂直的方向即透磁率低的方向。據此可知，(B)的構造作為扁平金屬磁性
材料的配置不恰當。
另一方面，針對圖11的(C)和(D)的構造，與使用了球形的磁性材料的(A)的構造相比，能夠確認較高的電感提高效果。其中，(C)的構造由於主體的上表面和下表面雙方由包含電阻率值低的扁平金屬磁性材料的磁性體層構成，因此主體的耐電壓性降低，存在外部電極間的電短路的可能性變高這樣的問題。相對於此，(D)的構造由於主體的表面整體由包含電阻率值高的球形金屬磁性材料的磁性體層構成，因此能夠避免包含扁平金屬磁性材料的層與外部電極間的電接觸(形成電路那樣的接觸)。換言之，根據本實施形態的(D)的構造，能夠實現與主體的上表面和下表面雙方由包含扁平金屬磁性材料的層構成的(C)的構造等同的高電感，並且能夠實現比(C)的構造更抑制了外部電極間的電短路和鍍敷不良的產生的線圈部件。
以下，使用本實施形態的線圈部件的具體的結構例對本實施形態的線圈部件的絕緣性提高效果進行說明。
圖12是表示磁性材料的填充率與電阻率的關係的圖。一般，在將扁平金屬磁性材料用作金屬填料的情況下，與球形的磁性材料相比，填充率變低，但能夠獲得更高的透磁率。另一方面，在以相同的填充率比較的情況下，與包含球形金屬磁性材料的磁性體層相比，包含扁平金屬磁性材料的磁性體層電阻率變小。
因此，如圖3所示，針對配置有包含扁平金屬磁性材料的層的線圈部件，對外部電極間的絕緣電阻(IR)進行了計算。在計算中，將主體的上表面與線圈的端面間的距離固定為170μm，使包含扁平金屬磁性材料的磁性體層的厚度變化，從而使主體的上表面與包含扁平金屬磁性材料的磁性體層間的距離變化。使球形的磁性材料的电阻率为1×109Ω‧cm，使扁平金属磁性材料的电阻率为1×104~1×108Ω‧cm。圖13示出計算結果。根據圖13可知：隨著主體上
表面與包含扁平金屬磁性材料的層間的距離變大，IR變高。在線圈部件的表面中，若考慮到主體的耐電壓性，則需要109左右的IR。在計算所使用的結構中，根據扁平金屬磁性材料的電阻率，藉由將主體的表面與包含扁平金屬磁性材料的層間的距離設定為70μm以上，能夠確保所希望的IR。
另外，在產生了外部的電位差的情況下，主體的表面也由耐電壓性更高的球形的磁性材料覆蓋，因此能夠抑制耐久電壓的降低。並且，若與圖11相關而說明的那樣，圖3所示的構造的線圈部件不僅可抑制耐久電壓的降低，還能夠獲得充分的電感提高效果。這是由於線圈部件中產生的磁通在線圈的附近集中，因此因存在於主體的表面附近的扁平金屬磁性材料而產生的電感提高的效果比較小。另外，在由主體的上表面或者下表面、和側表面形成的角的部分，磁通的方向相對於扁平金屬磁性材料的扁平面傾斜(不平行)，因此在該角的部分配置了扁平金屬磁性材料的情況下，因扁平金屬磁性材料而產生的電感提高的效果比較小。
以上，對本發明的一實施形態的線圈部件進行了說明，但本發明不限定於上述的實施形態，在不脫離本發明的主旨的範圍內能夠設計變更。
例如，在上述的實施形態的線圈部件1中，各磁性體層分別由單一的層構成，但也可以是層疊複數個磁性體片材而成的層疊體。
本發明包括以下的方式，但不限定於這些方式。
(方式1)
一種線圈部件，其包括主體、埋設於該主體的線圈導體、以及設置於該主體的表面的外部電極，上述主體包括：包含球形金屬磁性材料的第一磁性體層；以及包含扁平金屬磁性材料的第二磁性體層和第三磁性體層，在上述線圈導體的軸線方向上，上述線圈導體的至少捲繞部位於上述第二
磁性體層與上述第三磁性體層之間，在與上述軸線正交的方向上，上述第二磁性體層和上述第三磁性體層的寬度為上述線圈導體的捲繞部的外徑以上，上述第二磁性體層和上述第三磁性體層所包含的扁平金屬磁性材料取向為該扁平金屬磁性材料的扁平面與上述線圈導體的軸線正交，在上述第二磁性體層和上述第三磁性體層與上述外部電極之間存在上述第一磁性體層。
(方式2)
在方式1所記載的線圈部件中，形成上述線圈導體的導線由絕緣性物質覆蓋。
(方式3)
在方式1或2所記載的線圈部件中，上述主體的與上述軸線正交的表面的至少一者由上述第一磁性體層構成。
(方式4)
在方式1~3中任一個所記載的線圈部件中，上述第二磁性體層和上述第三磁性體層中的至少一者設置於上述主體的內部。
(方式5)
在方式1~4中任一個所記載的線圈部件中，上述第二磁性體層和上述第三磁性體層設置於上述主體的內部，上述主體的表面整體由上述第一磁性體層構成。
(方式6)
在方式1~5中任一個所記載的線圈部件中，在上述線圈導體的軸線方向上，上述第一磁性體層存在於上述第二磁性體層和上述第三磁性體層的外側，存在於該第二磁性體層和該第三磁性體層的外側的第一磁性體層的厚度為80μm
以上。
(方式7)
在方式1~6中任一個所記載的線圈部件中，在與上述軸線正交的方向上，上述第二磁性體層和上述第三磁性體層的寬度與上述線圈導體的捲繞部的外徑相同。
(方式8)
在方式1~7中任一個所記載的線圈部件中，在上述第二磁性體層和上述第三磁性體層與上述線圈導體之間存在上述第一磁性體層。
(方式9)
在方式1~8中任一個所記載的線圈部件中，上述第二磁性體層和上述第三磁性體層僅設置於在上述軸線方向上與上述線圈導體重疊的部分。
(方式10)
在方式1或2所記載的線圈部件中，上述主體的與上述軸線正交的表面中的未設置有上述外部電極的面由上述第二磁性體層或者上述第三磁性體層構成。
(方式11)
在方式1~10中任一個所記載的線圈部件中，上述主體還包括：包圍上述線圈導體的捲繞部的外側的第四磁性體層，上述第四磁性體層包括扁平金屬磁性材料，上述第四磁性體層所含的扁平金屬磁性材料取向為該扁平金屬磁性材料的扁平面與上述軸線平行，在上述第四磁性體層與上述外部電極之間存在上述第一磁性體層。
(方式12)
在方式1~11中任一個所記載的線圈部件中，上述主體還包括：填充於上述線圈導體的捲繞部的內側的第五磁性體層，上述第五磁性體層包括扁平金屬磁性材料，上述第五磁性體層所含的扁平
金屬磁性材料取向為該扁平金屬磁性材料的扁平面與上述軸線平行，在上述第五磁性體層與上述外部電極之間存在上述第一磁性體層。
[工業上的可利用性]
本發明的線圈部件可作為電感器等而在廣泛的各種用途中使用。
Claims (15)
- 一種線圈部件，其包括主體、埋設於該主體的線圈導體、以及設置於該主體的表面的外部電極，所述線圈部件的特徵在於，所述主體包括：包含球形金屬磁性材料的第一磁性體層；以及包含扁平金屬磁性材料的第二磁性體層和第三磁性體層，在所述線圈導體的軸線方向上，所述線圈導體的至少捲繞部位於所述第二磁性體層與所述第三磁性體層之間，在與所述軸線正交的方向上，所述第二磁性體層和所述第三磁性體層的寬度為所述線圈導體的捲繞部的外徑以上，所述第二磁性體層和所述第三磁性體層所包含的扁平金屬磁性材料取向為該扁平金屬磁性材料的扁平面與所述線圈導體的軸線正交，在所述第二磁性體層和所述第三磁性體層與所述外部電極之間存在所述第一磁性體層。
- 如請求項1所述之線圈部件，其中，所述主體的與所述軸線正交的表面的至少一者由所述第一磁性體層構成。
- 如請求項2所述之線圈部件，其中，在與所述軸線正交的方向上，所述第二磁性體層和所述第三磁性體層的寬度與所述線圈導體的捲繞部的外徑相同。
- 如請求項2所述之線圈部件，其中，在所述第二磁性體層和所述第三磁性體層與所述線圈導體之間存在所述第一磁性體層。
- 如請求項2所述之線圈部件，其中，所述第二磁性體層和所述第三磁性體層僅設置於在所述軸線方向上與所述線圈導體重疊的部分。
- 如請求項2所述之線圈部件，其中，所述主體的與所述軸線正交的表面中的未設置有所述外部電極的面由所述第二磁性體層或者所述第三磁性體層構成。
- 如請求項3、5、6中任一項所述之線圈部件，其中，在所述第二磁性體層和所述第三磁性體層與所述線圈導體之間存在所述第一磁性體層。
- 如請求項1~6中任一項所述之線圈部件，其中，所述第二磁性體層和所述第三磁性體層中的至少一者設置於所述主體的內部。
- 如請求項7所述之線圈部件，其中，所述第二磁性體層和所述第三磁性體層中的至少一者設置於所述主體的內部。
- 如請求項1~5中任一項所述之線圈部件，其中，所述第二磁性體層和所述第三磁性體層設置於所述主體的內部，所述主體的表面整體由所述第一磁性體層構成。
- 如請求項10所述之線圈部件，其中，在所述線圈導體的軸線方向上，所述第一磁性體層存在於所述第二磁性體層和所述第三磁性體層的外側，存在於該第二磁性體層和該第三磁性體層的外側的第一磁性體層的厚度為80μm以上。
- 如請求項10所述之線圈部件，其中，在所述第二磁性體層和所述第三磁性體層與所述線圈導體之間存在所述第一磁性體層。
- 如請求項1~6中任一項所述之線圈部件，其中，所述主體還包括：包圍所述線圈導體的捲繞部的外側的第四磁性體層，所述第四磁性體層包括扁平金屬磁性材料，所述第四磁性體層所含的扁平金屬磁性材料取向為該扁平金屬磁性材料的扁平面與所述軸線平行，在所述第四磁性體層與所述外部電極之間存在所述第一磁性體層。
- 如請求項1~6中任一項所述之線圈部件，其中，所述主體還包括：填充於所述線圈導體的捲繞部的內側的第五磁性體層，所述第五磁性體層包括扁平金屬磁性材料，所述第五磁性體層所含的扁平金屬磁性材料取向為該扁平金屬磁性材料的扁平面與所述軸線平行，在所述第五磁性體層與所述外部電極之間存在所述第一磁性體層。
- 如請求項1~6中任一項所述之線圈部件，其中，形成所述線圈導體的導線由絕緣性物質覆蓋。
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