TWI667532B - 最佳化用於製造產品單元之製程序列 - Google Patents

最佳化用於製造產品單元之製程序列 Download PDF

Info

Publication number
TWI667532B
TWI667532B TW107112965A TW107112965A TWI667532B TW I667532 B TWI667532 B TW I667532B TW 107112965 A TW107112965 A TW 107112965A TW 107112965 A TW107112965 A TW 107112965A TW I667532 B TWI667532 B TW I667532B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sequence
product
product unit
performance parameter
correction
Prior art date
Application number
TW107112965A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201842400A (zh
Inventor
裘簡 賽巴斯汀 威爾登伯格
馬利那 喬錢森
艾瑞克 傑森
艾瑞克 裘漢斯 瑪麗亞 瓦勒伯斯
康納利斯 喬漢斯 理澤尼爾斯
比喬伊 拉傑什卡蘭
羅伊 渥克曼
尤爾根 喬漢斯 亨德利克斯 馬利亞 史庫諾斯
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201842400A publication Critical patent/TW201842400A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI667532B publication Critical patent/TWI667532B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32291—Task sequence optimization
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

一種用於最佳化用於製造產品單元之一製程序列之方法，其包括：使效能參數(指紋)之量測結果與經記錄製程特性(內容脈絡)相關聯(406)；獲得(408)該序列中已經對一產品單元執行的一先前製程(例如沈積)之一特性(內容脈絡)；獲得(410)該序列中待對該產品單元執行的一後續製程(曝光)之一特性(內容脈絡)；藉由使用所獲得之該等特性以擷取對應於該等經記錄特性的該等效能參數(指紋)之量測結果來判定(412)與該先前及後續製程序列相關聯的該產品單元之一經預測效能參數(指紋)；及基於該經判定之經預測效能參數來判定(414、416)待應用(418)至該序列中待對該產品單元執行的未來製程(例如曝光、蝕刻)之校正。

Description

最佳化用於製造產品單元之製程序列
本發明係關於一種最佳化用於製造可用於例如藉由微影技術進行半導體器件晶圓之製造中的產品單元之製程序列之方法。本發明亦係關於相關聯電腦程式及電腦程式產品，以及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。此等目標部分通常被稱作「場」。在半導體製造設施(廠房)中經由各種裝置來處理批量或批次中之晶圓。在每一層處藉由由微影裝置執行之微影步驟來逐層地建立積體電路，且在諸微影步驟之間執行其他廠房製程。
在成像步驟之前，使用各種化學及/或物理處理步驟來形成及製備用於圖案化之層。在成像步驟界定圖案之後，另外化學及/或物理處理步驟 貫穿圖案起作用從而產生積體電路之功能特徵。在多層製程中重複成像及處理步驟以建置積體電路。
圖案於基板上之準確置放為用於減小電路組件及可藉由微影產生之其他產品之大小的主要挑戰。詳言之，準確地量測基板上已經被放置之特徵的挑戰為能夠足夠準確地對準處於疊加之特徵之順次層而以高產率產生工作器件的關鍵步驟。一般而言，在當今之亞微米半導體器件中，所謂的疊對應在幾十奈米內、在最臨界層中降至幾奈米來達成。
因此，現代微影裝置涉及在實際上曝光或以其他方式圖案化處於目標部位之基板之步驟之前之廣泛量測或「映射」操作。已開發且持續開發所謂的進階對準模型以更準確地模型化及校正藉由處理步驟及/或藉由微影裝置自身造成的晶圓「柵格」之非線性失真。然而，在曝光期間並非所有的失真皆可校正，且追蹤及消除儘可能多的此等失真原因仍然很重要。
現代多層微影製程及產品如此複雜使得歸因於處理之問題難以追溯到根本原因。因此，監視晶圓整合性及適當校正策略之設計係耗時且費力的工作。
全文以引用方式併入本文中之國際專利申請案WO 2015049087揭示獲得與工業製程相關之診斷資訊之方法。在微影製程之執行期間之階段處進行對準資料或其他量測，以獲得表示在橫越每一晶圓而空間地分佈之點處所量測的位置偏差或其他參數之物件資料。疊對及對準殘差通常展示橫越晶圓之圖案，其被稱為指紋。使用此物件資料以藉由執行多變量分析以將表示多維空間中之晶圓的向量之集合分解成一或多個分量向量而獲得診斷資訊。使用該等分量向量來提取關於工業製程之診斷資訊。可基於經提取診斷資訊而針對後續晶圓來控制工業製程之效能。
在半導體製造中，可使用簡單控制迴路來校正臨界尺寸(CD)效能參數指紋。通常回饋機構將掃描器(微影裝置之類型)用作致動器來控制每晶圓之平均劑量。相似地，對於疊對效能參數疊對，可藉由調整掃描器致動器而校正由處理工具誘發之指紋。
然而，關於此類途徑之缺點為：校正之粒度仍有限。來自一批次之每一晶圓獲得相同校正，亦即，存在批次級校正。而且，僅適用可用致動器中之最合適的一致動器(例如掃描器或蝕刻器)來校正干擾指紋。
晶圓間變化存在於一批次內，且鑒於可用感測器及度量衡資料及用於進行校正之致動器之自由度，整個微影製程(CMP/沈積/塗佈/曝光/顯影/蝕刻/沈積/…等)之最佳化並非最佳的。
本發明人已設計出用以最佳化製程序列之方式。舉例而言，其可用於藉由微影技術進行之器件製造中，以減小諸如沈積厚度變化及蝕刻器指紋之指紋對蝕刻後CD的不利影響，因此增加良率，同時避免或至少減輕上文所提及之關聯問題中的一或多者。
在一第一態樣中，本發明提供一種用於最佳化用於製造產品單元之一製程序列之方法，該方法包含：(a)獲得該序列中已經對一產品單元執行的一先前製程之一特性；(b)獲得該序列中待對該產品單元執行的一後續製程之一特性；(c)使用所獲得之該等特性判定與該先前及後續製程序列相關聯的該產品單元之一經預測效能參數；及(d)基於該經判定之經預測效能參數來判定該序列中待對該產品單元執行的一第一未來製程之一第一校正。
該判定該經預測效能參數之步驟(c)可包含以下步驟：(c1)獲得該序列中對複數個產品單元執行的製程之經記錄特性；(c2)獲得出自該複數個產品單元之每一產品單元之效能參數的量測結果；(c3)使該等效能參數之該等量測結果與該等各別經記錄特性相關聯；及(c4)藉由使用所獲得之該等特性以擷取對應於該等經記錄特性的該等效能參數之量測結果從而判定與該先前及後續製程序列相關聯的該產品單元之一經預測效能參數。
在一第二態樣中，本發明提供一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等電腦可讀指令當執行於合適電腦裝置上時致使該電腦裝置執行該第一態樣之方法。
在一第三態樣中，本發明提供一種電腦程式產品，其包含該第二態樣之電腦程式。
在一第四態樣中，本發明提供一種裝置，其經特定調適以進行該第一態樣之方法之該等步驟。
100‧‧‧微影裝置LA
102‧‧‧量測站MEA
104‧‧‧曝光站EXP
106‧‧‧微影裝置控制單元LACU
108‧‧‧塗佈裝置(COA)
110‧‧‧烘烤裝置
112‧‧‧顯影裝置
120‧‧‧經圖案化基板
122‧‧‧處理裝置
124‧‧‧處理裝置
126‧‧‧處理裝置/步驟
130‧‧‧基板
132‧‧‧基板
134‧‧‧基板
138‧‧‧監督控制系統(SCS)
140‧‧‧度量衡裝置(MET)
142‧‧‧度量衡結果
166‧‧‧小幅度調整
202‧‧‧製程序列
204‧‧‧製程
206‧‧‧製程
208‧‧‧製程
210‧‧‧度量衡工具
212‧‧‧設置應用程式
214‧‧‧資料庫
216‧‧‧資料庫
218‧‧‧資料庫
302‧‧‧序列
304‧‧‧先前製程
306‧‧‧第一未來製程/後續製程/曝光製程
308‧‧‧第二未來製程/後續製程/蝕刻製程/工具
320‧‧‧CD均一性(CDU)最佳化應用程式
322‧‧‧沈積指紋
324‧‧‧線性組合
326‧‧‧組合
328‧‧‧計算/第一校正
330‧‧‧曝光指紋
332‧‧‧劑量敏感度
334‧‧‧蝕刻最佳化應用程式
336‧‧‧蝕刻指紋
338‧‧‧第二校正
402‧‧‧步驟
404‧‧‧步驟
406‧‧‧步驟
408‧‧‧步驟
410‧‧‧步驟
412‧‧‧步驟
414‧‧‧步驟
416‧‧‧步驟
418‧‧‧步驟
527‧‧‧處理器
529‧‧‧記憶體
561‧‧‧硬碟
562‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
563‧‧‧電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)
564‧‧‧隨機存取記憶體(RAM)
565‧‧‧鍵盤
566‧‧‧滑鼠
567‧‧‧讀取單元
568‧‧‧固態機
569‧‧‧CDROM
570‧‧‧印表機
571‧‧‧顯示器
572‧‧‧通信網路
573‧‧‧傳輸器/接收器
MA‧‧‧圖案化器件/倍縮光罩
R‧‧‧配方資訊
現在將參看隨附圖式作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1描繪微影裝置連同形成用於半導體器件之生產設施的其他工具。
圖2描繪根據本發明之一實施例的與製程序列之經記錄特性相關聯的效能參數之量測結果的高階流程圖。
圖3描繪根據本發明之一實施例的判定對圖2之序列中之兩個製程的 校正且應用該等校正之高階流程圖。
圖4為根據本發明之一實施例之方法的流程圖。
圖5說明有用於實施本文中所揭示之方法的計算裝置。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1在100處將微影裝置LA展示為實施大容量微影製造製程之工業設施之部分。在本實例中，製造製程適用於在諸如半導體晶圓之基板上製造半導體產品(積體電路)。熟習此項技術者將瞭解，可藉由以此製程之變體處理不同類型之基板來製造廣泛多種產品。半導體產品之生產純粹用作現今具有大商業意義之實例。
在微影裝置(或簡言之，「微影工具」100)內，在102處展示量測站MEA且在104處展示曝光站EXP。在106處展示控制單元LACU。在此實例中，每一基板造訪量測站及曝光站以被施加圖案。舉例而言，在光學微影裝置中，投影系統用以使用經調節輻射及投影系統而將產品圖案自圖案化器件MA轉印至基板上。此轉印係藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖案之影像來完成。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。圖案化器件MA可為將圖案賦予至由圖案化器件透射或反射之輻射光束的光罩或倍縮光罩。熟知操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知，投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化器件之支撐 件及定位系統合作，以將所要圖案施加至橫越基板之許多目標部分。可使用可程式化圖案化器件來代替具有固定圖案之倍縮光罩。輻射例如可包括深紫外線(DUV)波帶或極紫外線(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於其他類型之微影製程，例如(例如)藉由電子束之壓印微影及直寫微影。
微影裝置控制單元LACU控制各種致動器及感測器之所有移動及量測，從而致使裝置收納基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作。LACU亦包括實施與該裝置之操作相關之所要計算的信號處理及計算能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，每一子單元處置裝置內之一子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。
在曝光站EXP處將圖案施加至基板之前，在量測站MEA處處理基板使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器來映射基板之表面高度，及使用對準感測器來量測基板上之對準標記之位置。對準標記係以規則柵格圖案標稱地配置。然而，歸因於產生標記時之不準確度且亦歸因於基板之貫穿其處理而發生的變形，標記偏離理想柵格。因此，在裝置應以極高準確度在正確部位處印刷產品特徵的情況下，除了量測基板之位置及定向以外，對準感測器實務上亦必須詳細地量測橫越基板區域之許多標記之位置。
微影裝置LA可屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型，每一基板台具有藉由控制單元LACU控制之定位系統。在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。因此，對準標記之量測極耗時，且提供兩個基板台會實現裝置之產出率的相當大增加。若在基板台處於量測站處以及處於曝光站處時位置感測器IF不能夠量測基板台之位置，則可提 供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。當微影裝置LA屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型時，曝光站及量測站可為相異部位，在其之間可交換基板台。然而，此僅為一個可能的配置，且量測站及曝光站無需相異的。舉例而言，已知具有單一基板台，在曝光前量測階段期間量測載物台暫時耦接至該單一基板台。本發明不限於任一類型之系統。
在生產設施內，裝置100形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分，該微影製造單元或微影叢集亦含有塗佈裝置108(COA)，該塗佈裝置用於將感光性抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以供裝置100進行圖案化。在裝置100之輸出側處，提供烘烤裝置110及顯影裝置112以用於將經曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案。在所有此等裝置之間，基板處置系統負責支撐基板且將基板自一台裝置轉移至下一台裝置。常常被集體地稱作「塗佈顯影系統(track)」之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元之控制下，塗佈顯影系統控制單元自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影裝置控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R，該配方資訊R極詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟的定義。
一旦已在微影製造單元中施加及顯影圖案，旋即將經圖案化基板120轉移至諸如在122、124、126處所說明之其他處理裝置。廣泛範圍之處理步驟係由典型製造設施中之各種裝置來實施。出於實例起見，此實施例中之裝置122為蝕刻站(ETC)，且裝置124執行蝕刻後熱退火步驟(ANN)。在另外裝置126等中應用另外物理及/或化學處理步驟。可需要眾多類型之操作來製造真正器件，諸如材料沈積(DEP)、表面材料特性之改質(氧化、摻 雜、離子植入等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，裝置126可表示在一或多個裝置中執行之一系列不同處理步驟。
眾所周知，半導體器件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之器件結構。因此，到達微影叢集之基板130可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或完全地在另一裝置中被處理之基板。相似地，取決於所需處理，基板132在離開裝置126時可經返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可經預定以用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為待發送以用於切塊及封裝之成品。
產品結構之每一層需要不同製程步驟集合，且在每一層處所使用之裝置126可在類型方面完全不同。另外，即使在待由裝置126應用之處理步驟標稱地相同的情況下，在大設施中亦可存在並行地工作以對不同基板執行步驟126之若干假設相同機器。此等機器之間的小設置差異或疵點可意謂其以不同方式影響不同基板。即使對於每一層相對而言為共同的步驟，諸如蝕刻(裝置122)亦可由標稱地相同但並行地工作以最大化產出率之若干蝕刻裝置來實施。此外，實務上，不同層根據待蝕刻之材料的細節需要不同蝕刻製程，例如化學蝕刻、電漿蝕刻，且需要特定要求，諸如各向異性蝕刻。
可在如剛才所提及之其他微影裝置中執行先前及/或後續製程，且可甚至在不同類型之微影裝置中執行先前及/或後續製程。舉例而言，器件製造製程中之在諸如解析度及疊對之參數上要求極高的一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階微影工具中來執行。因此，一些層可曝光於浸潤型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。
為了正確地且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中處理之基板W中的一些或全部。將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統(SCS)138。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在可足夠迅速地且快速地完成度量衡以使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷的狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。
圖1中亦展示度量衡裝置140(MET)，其經提供以用於在製造製程中之所要階段對產品參數進行量測。現代微影生產設施中之度量衡裝置之常見實例為散射計，例如角度解析散射計或光譜散射計，且其可經應用以在裝置122中之蝕刻之前量測在120處之經顯影基板之屬性。在使用度量衡裝置140的情況下，可判定出例如諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數並不滿足經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板120的機會。亦眾所周知，藉由監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 106隨著時間推移進行小幅度調整(166)，可使用來自裝置140之度量衡結果142以維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能，藉此最小化製得不合格產品且需要重工之風險。當然，度量衡裝置140及/或其他度量衡裝置(圖中未繪示)可經應用以量測經處理基板132、134及傳入基板130之屬性。
通常，半導體製造商進行製程執行緒且將晶圓嘗試並保持於彼製程 執行緒中。執行緒為晶圓在其於廠房中經由製程序列改進時被處理的特定工具序列。接著所有晶圓得到恆定指紋且可進行每批次校正以控制該指紋。為了得到最佳產出率，最佳的是並不致力於處理流程中之任一者。實務上，沒有可能運用相同工具處理每一晶圓。尤其在吾人將蝕刻工具中之每一腔室認為係單獨工具的情況下亦如此，此係因為一批次中之晶圓可橫越例如六個蝕刻腔室而分裂。每一腔室可引起稍微不同的指紋。在例如產出率極重要的半導體記憶器件處理中，在一批次內之不同晶圓除了經由一個蝕刻工具之不同腔室被處理之外亦可經由不同蝕刻工具被處理。
本發明之實施例將個別製程對效能參數(例如蝕刻後疊對及CD指紋)之貢獻解耦。此解耦係藉由記錄針對許多不同執行緒所獲得之效能參數結果(指紋)來完成。在小於穩定性製程的時間刻度內產生效能參數結果(指紋)。該方法可使用統計方法來擷取內容脈絡至效能模型。舉例而言，執行緒：塗佈工具#1+掃描器工具#3+蝕刻工具#1+沈積工具#12係由CD均一性最佳化應用程式使用以擷取效能模型CD(1,3,1,12)，從而預測指紋。
當存在內容脈絡(例如每晶圓之執行緒)之廣泛變化時，吾人可將效能量測(疊對/CD指紋)與特定內容脈絡參數(例如工具ID(#)、工具參數等)相關。產生能夠自某一內容脈絡導出微影製程整體上之經預測(蝕刻後)效能的內容脈絡對效能模型。此模型之產生係在下文參看圖2來描述。
此內容脈絡對效能模型具有重大效用，此係因為其允許對後續製程步驟(例如接下來的層)進行製程(例如掃描器及蝕刻)校正。
一旦產生模型，其旋即可用以校正關於廠房中正在進展中的晶圓之指紋。在已記錄晶圓之先前執行緒且已預測包括曝光後製程之製程之貢獻的情況下，有可能計算曝光校正，從而考量a)基板之歷史及b)未來處理對 CD/疊對之貢獻。
舉例而言，在內容脈絡直至製程N-1係已知的情況下，吾人可預測歸因於製程N+1，…之疊對指紋差量，吾人可接著基於經預測疊對指紋差量及應用至製程N+M(蝕刻)之預料校正來校正製程N(曝光)。
應用每製程之校正的致動因此基於晶圓之歷史及未來製程特性而演進。所有校正可以每晶圓為基礎，從而最小化晶圓間變化。在採用此策略的情況下，可在高度粒狀尺度(每晶圓、每具有相似內容脈絡的晶圓群組)下獲得潛在的多工具校正之完整益處。
圖2描繪與用於製造產品單元之製程序列之經記錄特性相關聯的效能參數之量測結果的高階流程圖。在圖2及圖3中所展示之此實例中，產品單元為半導體器件之晶圓。製程之特性為內容脈絡資料。內容脈絡資料表示產品單元之一或多個處理參數，諸如工具識別符或經量測製程參數。又，在此實例中，效能參數之量測結果為經量測指紋。因此，效能參數包含表示橫越晶圓而量測之一或多個參數的物件資料橫越晶圓之變化之指紋。
參看圖2，對晶圓執行製程序列202。該等製程包括：在204處之例如化學機械拋光(CMP)、沈積(DEP)、熱退火(ANN)及抗蝕劑塗佈(COA)。該等製程亦包括：在206處，在複數個掃描器工具上曝光(EXP)；在208處，在複數個蝕刻工具(包括不同蝕刻腔室)上蝕刻(ETC)；及在210處，度量衡(MET)，諸如蝕刻後檢測(AEI)以用於CD及疊對量測。此等製程對應於圖1中所展示的具有相同參考標籤(COA、EXP、ETC等等)的製程。
設置應用程式212獲得對許多晶圓執行的序列202中之製程204(例如CMP/DEP/ANN/COA)、製程206(EXP)及製程208(ETC)之經記錄特性。舉例而言，自製程204獲得沈積內容脈絡、自製程206獲得曝光內容脈絡 且自製程208獲得蝕刻內容脈絡。因為並未得到膜厚度，所以將沈積指紋用作本發明之應用之實例。經沈積之非晶碳層可橫越晶圓且在不同沈積腔室之間在厚度方面變化。量測工具無法區分與折射率(n)及消光係數(k)之薄膜光學屬性相關的厚度及硬度。
設置應用程式212獲得出自內容脈絡已被記錄之許多晶圓的每一晶圓之效能參數之量測結果。舉例而言，自度量衡工具210獲得蝕刻後檢測CD(AEI CD)。
設置應用程式212藉由各別經記錄內容脈絡獲得AEI CD。舉例而言，此係藉由計算沈積、掃描器及蝕刻指紋且將每內容脈絡之指紋儲存於一或多個資料庫中來完成。因此，214為具有每CMP/DEP/ANN/COA內容脈絡之CD指紋的資料庫、216為具有每曝光內容脈絡之CD指紋的資料庫，且218為具有每曝光內容脈絡之蝕刻腔室指紋的資料庫。儘管被描繪為三個單獨的資料庫，但可使用其他合適儲存方案，諸如儲存於一個資料庫中或儲存於電腦記憶體中之矩陣中。
圖3描繪判定對圖2之序列202中之用於製造晶圓之兩個製程的校正且應用該等校正之高階流程圖。校正之判定係基於對晶圓執行的先前製程304及待執行之未來製程306、308兩者之特性。
CD均一性(CDU)最佳化應用程式320獲得序列302中已經對晶圓執行的先前製程304(例如DEP)之特性(例如沈積內容脈絡)。
CDU最佳化應用程式320獲得序列302中之待對晶圓執行的後續製程306(EXP)之特性(曝光內容脈絡)。在此實例中，蝕刻最佳化應用程式334亦獲得序列302中待對晶圓執行的另一後續製程308(ETC)之特性(蝕刻內容脈絡)。CDU最佳化應用程式320可獲得可供使用之若干曝光及蝕刻工 具的內容脈絡，使得可針對可能經由特定工具集合而排程的若干潛在製程執行緒預測指紋(如下文所描述)。可針對具有最不嚴重的經預測指紋之潛在製程執行緒來判定校正。替代地，可針對不同潛在的製程執行緒來判定不同校正，且選擇最實務或最有效的校正。
CDU最佳化應用程式320使用所獲得特性判定與先前製程304及後續製程306、308之序列相關聯的晶圓之經預測效能參數(在此實例中為指紋)。在此實施例中，此係藉由使用所獲得內容脈絡以擷取對應於經記錄內容脈絡之經量測指紋來完成。接著，在給出已經對晶圓執行之製程及在未來待執行之後續製程的情況下，將經擷取之經量測指紋組合以產生經預測指紋。
在此實例中，CDU最佳化應用程式320使用沈積內容脈絡來查詢資料庫214(由自320至214之箭頭表示)。回應於該查詢，自資料庫214擷取沈積指紋(由自214返回至320之箭頭表示)。
CDU最佳化應用程式320使用曝光內容脈絡來查詢資料庫216(由自320至216之箭頭表示)。回應於該查詢，自資料庫216擷取曝光指紋(由自216返回至320之箭頭表示)。
蝕刻最佳化應用程式334使用蝕刻內容脈絡來查詢資料庫218(由自334至218之箭頭表示)。回應於該查詢，自資料庫218擷取曝光指紋(由自218返回至334之箭頭表示)。
儘管CDU最佳化應用程式320及蝕刻最佳化應用程式334被描述為單獨應用程式，但其可為一個應用程式之部分，或自身可分裂成若干軟體應用程式或程式。
CDU最佳化應用程式320判定與先前製程304及後續製程306、308之 序列302相關聯的晶圓之經預測指紋(亦即效能參數)。應用程式320評估沈積指紋322及曝光指紋330。經預測指紋為沈積指紋322與曝光指紋330之線性組合324。將經預測指紋與劑量敏感度332組合(326)且接著計算(328)掃描器劑量校正。以此方式，CDU最佳化應用程式320基於經判定之經預測指紋而判定對序列302中待對晶圓執行的第一未來製程306(EXP)之第一校正。當晶圓經受彼製程時，將校正應用至曝光製程306，如由自320至306之箭頭表示。
蝕刻最佳化應用程式334判定與先前製程304及後續製程306、308之序列302相關聯的晶圓之經預測指紋(亦即效能參數)。應用程式334評估蝕刻指紋336。經預測指紋用以計算對未來蝕刻製程之校正338。以此方式，在序列中待對晶圓執行的第一未來製程(EXP)之後，蝕刻最佳化應用程式334基於經判定之經預測指紋而判定對第二未來製程308(ETC)之第二校正。當晶圓經受彼製程時，藉由將蝕刻配方傳輸至蝕刻工具而將校正應用至蝕刻製程308，如由自334至308之箭頭表示。
圖4為根據本發明之一實施例的用於最佳化用於製造產品單元之製程序列之方法的流程圖。
參看圖4且亦參看圖2及圖3，該方法具有以下步驟：
402：獲得序列202中對許多晶圓執行的製程204(例如CMP/DEP/ANN/COA)、製程206(EXP)及製程208(ETC)之經記錄內容脈絡。
404：自度量衡工具210獲得出自該等許多晶圓之每一晶圓的經量測指紋(亦即效能參數之量測結果)。
406：使經量測指紋與各別經記錄內容脈絡相關聯。步驟402至406在 上文中關於圖2加以描述。結果為資料庫214、216、218。
408：獲得序列中已經對晶圓執行的先前製程304(例如DEP)之內容脈絡。
410：獲得序列中待對晶圓執行的一或多個後續製程306、308(EXP、ETC)之內容脈絡。
412：使用所獲得之內容脈絡判定與先前製程及後續製程之序列相關聯的晶圓之經預測指紋。在此實施例中，此係藉由使用所獲得內容脈絡以擷取對應於經記錄內容脈絡之經量測指紋來完成。此步驟可涉及自針對序列中之製程之複數個內容脈絡的指紋之統計分析導出模型。
414：基於經判定之經預測指紋而判定序列302中待對晶圓執行的未來製程306(EXP)之第一校正328。
416：基於經判定之經預測指紋而判定對第二未來製程308(ETC)之第二校正338，該第二未來製程在此實例中在序列302中待對晶圓執行的第一未來製程306(EXP)之後。第一校正328可係關於與第二未來製程308(ETC)相關聯的經預測指紋之橫越複數個工具之變化(例如平均值)，且第二校正338係與特定工具308(例如蝕刻腔室)之變化有關。因此，校正係基於在個別工具層級處(此處使用掃描器及蝕刻器)之最佳分佈式校正。舉例而言，掃描器可校正平均蝕刻指紋，而蝕刻器校正保持腔室間變化接近於零。
418：將經判定第一校正328及第二校正338應用至序列中對晶圓進行的製程306、308。步驟408至418在上文關於圖3加以描述。
在掃描器與蝕刻器之間分裂校正之優點為：其會得到更大自由度。補償蝕刻階段及先前掃描器階段兩者處之某一指紋係有利的。吾人可在蝕 刻器上進行補償，此為最後步驟，但接著吾人知曉此等指紋中之一些無法由蝕刻器補償。吾人應考慮蝕刻器可補償哪些指紋且掃描器可補償哪些指紋。掃描器具有最大自由度。對於某些指紋，蝕刻器較擅長補償。幸運的是，蝕刻器亦可引起待校正之某種指紋。若蝕刻器引起之指紋係已知的，則可在蝕刻器處對彼指紋進行補償，且該指紋將趨向為零。
致動蝕刻器之實例係藉由改變蝕刻夾盤中之溫度量變曲線。對於CD，將溫度量變曲線置於夾盤上。對於疊對，將外環向上或向下移動。彼情形影響晶圓之邊緣處之電場方向。因此，實際上晶圓之邊緣隨著環而延伸，其亦被蝕刻。環之高度可經調整以匹配於晶圓之頂部。藉由將環向上及向下移動，晶圓之邊緣處之疊對受到影響。
實施例因此將掃描器及蝕刻器工具兩者用作致動器，且將其個別致動成果共同最佳化以便最小化蝕刻後指紋，而無需特定晶圓佈線。例如可在對掃描器之致動時考量平均蝕刻器貢獻。若蝕刻器致動歸因於蝕刻製程可改變多少而為限制因素，其中在掃描器上關注平均蝕刻器貢獻，則蝕刻器將僅必須校正相對於平均蝕刻貢獻之腔室相依增量。
實施例允許估計關於蝕刻後CD之沈積工具層厚度變化，而不明確量測層厚度。
校正之粒度現在可在晶圓級上而非批次級上。
實施例使用來自比如蝕刻器、CMP、RTA、抗蝕劑旋轉及塗佈之多個廠房處理工具之內容脈絡資訊。可每引起指紋的工具或工具腔室準確地量測抗蝕劑層上由此等工具產生之疊對指紋。
實施例之優點包括得到較高產率、歸因於可用資訊之高效聚合之較小度量衡時間、較高效致動，及無需專用晶圓佈線。
該途徑之另一優點為不需要專用晶圓佈線。
本發明之實施例可使用含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式來實施，該等機器可讀指令描述最佳化用於製造產品單元之製程序列之方法，如以上所描述。此電腦程式可被執行於計算裝置，諸如圖1之控制單元LACU或某其他控制器內。亦可提供其中儲存有此電腦程式的資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)。
在以下經編號條項中揭示了本發明之另外實施例：
1.一種用於最佳化用於製造產品單元之一製程序列之方法，該方法包含：(a)獲得(408)該序列中已經對一產品單元執行的一先前製程之一特性；(b)獲得(410)該序列中待對該產品單元執行的一後續製程之一特性；(c)使用所獲得之該等特性判定(412)與該先前及後續製程序列相關聯的該產品單元之一經預測效能參數；及(d)基於該經判定之經預測效能參數來判定(414)該序列中待對該產品單元執行的一第一未來製程之一第一校正。
2.如條項1之方法，其中該判定一經預測效能參數之步驟(c)包含自針對該序列中之製程之複數個特性的該效能參數之複數個量測結果之統計分析導出一模型。
3.如條項1之方法，其中該判定該經預測效能參數之步驟(c)包含以下步驟：(c1)獲得該序列中對複數個產品單元執行的製程之經記錄(402)特性； (c2)獲得出自該複數個產品單元之每一產品單元之效能參數的量測結果(404)；(c3)使該等效能參數之該等量測結果與該等各別經記錄特性相關聯(406)；及(c4)藉由使用所獲得之該等特性以擷取對應於該等經記錄特性的該等效能參數之量測結果從而判定(412)與該先前及後續製程序列相關聯的該產品單元之一經預測效能參數。
4.如任一前述條項之方法，其中該等特性包含表示產品單元之一或多個處理參數的內容脈絡資料。
5.如任一前述條項之方法，其中該效能參數包含表示橫越產品單元而量測之一或多個參數的物件資料橫越產品單元之變化之一指紋。
6.如任一前述條項之方法，其進一步包含將該經判定第一校正應用至該序列中對一產品單元進行的一製程之步驟。
7.如任一前述條項之方法，其進一步包含基於該經判定之經預測效能參數來判定(416)對該序列中待對該產品單元執行的一第二未來製程之一第二校正的步驟。
8.如條項7之方法，其進一步包含將該經判定第二校正應用至該序列中對一產品單元進行的一製程之步驟。
9.如條項7或條項8之方法，其中該第一校正係關於與該第二未來製程相關聯的該經判定之經預測效能參數橫越複數個工具之變化，且該第二校正係關於一特定工具之變化。
10.如任一前述條項之方法，其中一產品單元係一基板。
11.如任一前述條項之方法，其中該先前製程包含對一產品單元進 行選自以下製程之一製程：化學機械拋光、沈積、熱退火及抗蝕劑塗佈。
12.如任一前述條項之方法，其中該第一未來製程或該第二未來製程包含一產品單元之曝光。
13.如任一前述條項之方法，其中該第一未來製程或該第二未來製程包含一產品單元之蝕刻。
14.一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等電腦可讀指令在經執行於合適電腦裝置上時致使該電腦裝置執行如條項1至13中任一項之方法。
15.一種電腦程式產品，其包含如條項14之電腦程式。
此控制單元LACU可包括如圖5所展示之電腦總成。該電腦總成可為在根據本發明之裝置之實施例中呈控制單元之形式的專用電腦，或替代地為控制微影裝置之中央電腦。該電腦總成可經配置以用於載入包含電腦可執行碼之電腦程式產品。此可使得電腦總成能夠在下載電腦程式產品時藉由位階感測器LS及對準感測器AS之實施例控制對微影裝置之前述使用。
連接至處理器527之記憶體529可包含數個記憶體組件，比如硬碟561、唯讀記憶體(ROM)562、電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)563及隨機存取記憶體(RAM)564。並不需要存在所有前述記憶體組件。此外，前述記憶體組件並非必需實體地緊鄰處理器527或彼此緊鄰。其可經定位成相隔一距離。
處理器527亦可連接至某種使用者介面，例如鍵盤565或滑鼠566。亦可使用為熟習此項技術者所知之觸控螢幕、軌跡球、話語轉換器或其他介面。
處理器527可連接至讀取單元567，讀取單元經配置以自資料載體(比 如固態機568或CDROM 569)讀取例如呈電腦可執行碼之形式的資料，且在一些情形下將資料儲存於資料載體(比如固態機或CDROM 569)上。亦可使用DVD或為熟習此項技術者所知之其他資料載體。
處理器527亦可連接至印表機570以在紙張上印出輸出資料，以及連接至熟習此項技術者所知的任何其他類型之顯示器的顯示器571，例如監視器或液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)。
處理器527可藉助於負責輸入/輸出(I/O)之傳輸器/接收器573而連接至通信網路572，例如公眾交換式電話網路(PSTN)、區域網路(LAN)、廣域網路(WAN)等。處理器527可經配置以經由通信網路572而與其他通信系統通信。在本發明之一實施例中，外部電腦(圖中未繪示)(例如操作者之個人電腦)可經由通信網路572而登入至處理器527中。
處理器527可被實施為獨立系統或被實施為並行地操作之數個處理單元，其中每一處理單元經配置以執行較大程式之子任務。亦可將處理單元劃分成一或多個主處理單元與若干子處理單元。處理器527之一些處理單元可甚至經定位成與其他處理單元相隔一距離且經由通信網路572而通信。可使模組之間的連接為有線的或無線的。
電腦系統可為具有經配置以執行此處所論述之功能的類比及/或數位及/或軟體技術之任何信號處理系統。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措 辭或術語係出於例如描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。

Claims (15)

  1. 一種用於最佳化(optimizing)用於製造產品單元(product units)之一製程序列之方法，該方法包含：(a)獲得(408)該序列中已經對一產品單元執行的一先前製程之一特性；(b)獲得(410)該序列中待對該產品單元執行的一後續製程之一特性；(c)使用所獲得之該等特性判定(412)與該先前及後續製程序列相關聯的該產品單元之一經預測效能參數(predicted performance parameter)；及(d)基於該經判定之經預測效能參數來判定(414)該序列中待對該產品單元執行的一第一未來製程之一第一校正。
  2. 如請求項1之方法，其中該判定一經預測效能參數之步驟(c)包含：自針對該序列中之製程之複數個特性的該效能參數之複數個量測結果之統計分析導出一模型。
  3. 如請求項1之方法，其中該判定該經預測效能參數之步驟(c)包含以下步驟：(c1)獲得該序列中對複數個產品單元執行的製程之經記錄(402)特性；(c2)獲得出自該複數個產品單元之每一產品單元之效能參數的量測結果(404)；(c3)使該等效能參數之該等量測結果與該等各別經記錄特性相關聯(406)；及(c4)藉由使用所獲得之該等特性以擷取對應於該等經記錄特性的該等效能參數之量測結果從而判定(412)與該先前及後續製程序列相關聯的該產品單元之一經預測效能參數。
  4. 如請求項1之方法，其中該等特性包含表示產品單元之一或多個處理參數的內容脈絡資料。
  5. 如請求項1之方法，其中該效能參數包含表示橫越產品單元而量測之一或多個參數的物件資料橫越產品單元之變化之一指紋。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包含將該經判定第一校正應用至該序列中對一產品單元進行的一製程之步驟。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包含基於該經判定之經預測效能參數來判定(416)對該序列中待對該產品單元執行的一第二未來製程之一第二校正的步驟。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包含將該經判定第二校正應用至該序列中對一產品單元進行的一製程之步驟。
  9. 如請求項7或請求項8之方法，其中該第一校正係關於與該第二未來製程相關聯的該經判定之經預測效能參數橫越複數個工具之變化，且該第二校正係關於一特定工具之變化。
  10. 如請求項1之方法，其中一產品單元係一基板。
  11. 如請求項1之方法，其中該先前製程包含對一產品單元進行選自以下製程之一製程：化學機械拋光、沈積、熱退火及抗蝕劑塗佈。
  12. 如請求項1之方法，其中該第一未來製程或該第二未來製程包含一產品單元之曝光。
  13. 如請求項1之方法，其中該第一未來製程或該第二未來製程包含一產品單元之蝕刻。
  14. 一種包含電腦可讀指令之用於最佳化用於製造產品單元之一製程序列之電腦程式，該等電腦可讀指令在經執行於合適電腦裝置上時致使該電腦裝置執行如請求項1之方法。
  15. 一種用於最佳化用於製造產品單元之一製程序列之電腦程式產品，其包含如請求項14之電腦程式。
TW107112965A 2017-04-28 2018-04-17 最佳化用於製造產品單元之製程序列 TWI667532B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??EP17168734 2017-04-28
EP17168734 2017-04-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201842400A TW201842400A (zh) 2018-12-01
TWI667532B true TWI667532B (zh) 2019-08-01

Family

ID=58671411

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107112965A TWI667532B (zh) 2017-04-28 2018-04-17 最佳化用於製造產品單元之製程序列
TW108124187A TW202016659A (zh) 2017-04-28 2018-04-17 最佳化用於製造產品單元之製程序列

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108124187A TW202016659A (zh) 2017-04-28 2018-04-17 最佳化用於製造產品單元之製程序列

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11106141B2 (zh)
JP (3) JP2020519932A (zh)
KR (2) KR102580686B1 (zh)
CN (2) CN110546576B (zh)
TW (2) TWI667532B (zh)
WO (1) WO2018197144A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102580686B1 (ko) * 2017-04-28 2023-09-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제품 유닛들의 제조를 위한 공정들의 시퀀스의 최적화
US10816904B2 (en) * 2017-06-22 2020-10-27 Asml Netherlands B.V. Method for determining contribution to a fingerprint
US20220244649A1 (en) * 2019-07-04 2022-08-04 Asml Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
EP3767391A1 (en) * 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
JP7482651B2 (ja) * 2020-03-04 2024-05-14 キヤノン株式会社 情報処理装置、監視方法、プログラムおよび物品製造方法
KR20240058219A (ko) 2022-10-25 2024-05-03 주식회사 엘지에너지솔루션 리튬 이차 전지용 고상-액상 하이브리드 전해질막

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102054074A (zh) * 2009-10-30 2011-05-11 新思科技有限公司 后绕线布局的光刻热点的更正方法及系统
CN102147820A (zh) * 2010-02-09 2011-08-10 台湾积体电路制造股份有限公司 分解集成电路布局的方法以及计算机可读取媒体
CN103970922A (zh) * 2013-01-25 2014-08-06 英属开曼群岛商达盟系统有限公司 在半导体晶圆厂中以设计为基础的制程最佳化装置
TW201528016A (zh) * 2014-01-09 2015-07-16 Dom Systems Ltd 改善製造半導體元件之微影製程的設計特徵分析法
TW201530333A (zh) * 2013-12-17 2015-08-01 Asml Netherlands Bv 良率評估及控制
US20160062226A1 (en) * 2014-08-28 2016-03-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photomask and method for fabricating integrated circuit
JP2016066093A (ja) * 2009-01-08 2016-04-28 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation 計測ターゲットを設計するための方法、装置および媒体
US20160266484A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask set, fabrication method of mask set, manufacturing method of semiconductor device, and recording medium
TW201704849A (zh) * 2015-07-27 2017-02-01 達盟系統有限公司 在半導體製程的晶片設計佈局中發現未知問題圖案的系統與方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11260683A (ja) * 1998-03-10 1999-09-24 Sony Corp 半導体材料の製造工程における露光条件の決定方法、及び半導体材料の製造装置
US6622059B1 (en) * 2000-04-13 2003-09-16 Advanced Micro Devices, Inc. Automated process monitoring and analysis system for semiconductor processing
US6759112B2 (en) * 2000-12-30 2004-07-06 Intel Corporation Exposed and embedded overlay structure
EP1374600A1 (en) * 2001-03-26 2004-01-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Storage of multi-media items
DE60133452T2 (de) * 2001-04-27 2009-10-01 Motorola, Inc., Schaumburg Verfahren zur Justierung von Verarbeitungsparametern plattenförmiger Gegenstände in einer Verarbeitungsvorrichtung
WO2003104929A2 (en) * 2002-06-05 2003-12-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control
JP2004311584A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Renesas Technology Corp 重ね合わせ補正量算出装置
US7065423B2 (en) * 2004-07-08 2006-06-20 Timbre Technologies, Inc. Optical metrology model optimization for process control
JP2007305655A (ja) 2006-05-09 2007-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造工程の制御方法
JPWO2009110366A1 (ja) * 2008-03-07 2011-07-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2010118404A (ja) 2008-11-11 2010-05-27 Sharp Corp プロセス制御システム
JP2010141063A (ja) 2008-12-11 2010-06-24 Panasonic Corp 半導体基板の露光方法及び半導体装置製造システム
JP2010258356A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2013135044A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置
JP2013161913A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9715180B2 (en) 2013-06-11 2017-07-25 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
WO2015049087A1 (en) 2013-10-02 2015-04-09 Asml Netherlands B.V. Methods & apparatus for obtaining diagnostic information relating to an industrial process
US11637002B2 (en) * 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
CN108369412B (zh) * 2015-10-08 2020-10-16 Asml荷兰有限公司 用于控制工业过程的方法和设备
JP2017078755A (ja) * 2015-10-19 2017-04-27 キヤノン株式会社 パターン形成方法、および物品の製造方法
EP3396458A1 (en) * 2017-04-28 2018-10-31 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for optimization of lithographic process
KR102580686B1 (ko) * 2017-04-28 2023-09-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제품 유닛들의 제조를 위한 공정들의 시퀀스의 최적화

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016066093A (ja) * 2009-01-08 2016-04-28 ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation 計測ターゲットを設計するための方法、装置および媒体
CN102054074A (zh) * 2009-10-30 2011-05-11 新思科技有限公司 后绕线布局的光刻热点的更正方法及系统
CN102147820A (zh) * 2010-02-09 2011-08-10 台湾积体电路制造股份有限公司 分解集成电路布局的方法以及计算机可读取媒体
CN103970922A (zh) * 2013-01-25 2014-08-06 英属开曼群岛商达盟系统有限公司 在半导体晶圆厂中以设计为基础的制程最佳化装置
TW201530333A (zh) * 2013-12-17 2015-08-01 Asml Netherlands Bv 良率評估及控制
TW201528016A (zh) * 2014-01-09 2015-07-16 Dom Systems Ltd 改善製造半導體元件之微影製程的設計特徵分析法
US20160062226A1 (en) * 2014-08-28 2016-03-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photomask and method for fabricating integrated circuit
US20160266484A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask set, fabrication method of mask set, manufacturing method of semiconductor device, and recording medium
TW201704849A (zh) * 2015-07-27 2017-02-01 達盟系統有限公司 在半導體製程的晶片設計佈局中發現未知問題圖案的系統與方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018197144A1 (en) 2018-11-01
TW201842400A (zh) 2018-12-01
US11442367B2 (en) 2022-09-13
KR102451504B1 (ko) 2022-10-06
CN110546576B (zh) 2021-09-10
KR102580686B1 (ko) 2023-09-21
KR20220138019A (ko) 2022-10-12
JP2022016547A (ja) 2022-01-21
JP2020519932A (ja) 2020-07-02
JP2023052695A (ja) 2023-04-11
TW202016659A (zh) 2020-05-01
CN110546576A (zh) 2019-12-06
US11106141B2 (en) 2021-08-31
KR20190142385A (ko) 2019-12-26
CN113741155A (zh) 2021-12-03
US20200026200A1 (en) 2020-01-23
US20210389684A1 (en) 2021-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI667532B (zh) 最佳化用於製造產品單元之製程序列
TWI668518B (zh) 獲得量測的方法、用於執行處理步驟的設備、度量衡設備、器件製造方法
EP3382606A1 (en) Optimizing an apparatus for multi-stage processing of product units
US20210349402A1 (en) Method and apparatus for optimization of lithographic process
TWI664492B (zh) 維持指紋組之方法、電腦程式、及進行該方法之裝置
TWI685726B (zh) 用於控制基板之定位之方法及用於判定參照基板之特徵之位置的方法
TW201837619A (zh) 計算用於控制製程的修正之方法、度量衡設備、元件製造方法、及模型化方法
TWI685881B (zh) 判定出自複數個器件之一器件對一參數之一指紋之一貢獻的方法、系統、及程式
CN112585538B (zh) 用于控制制造过程的方法及相关联的设备
TW202221427A (zh) 微影製程之子場控制及相關聯裝置
TWI803728B (zh) 判定用於微影製程的控制參數之方法及設備、包含指令之電腦程式、度量衡設備及微影設備