TWI664492B - 維持指紋組之方法、電腦程式、及進行該方法之裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種維持表示橫越晶圓之一或多個製程參數之變化的一指紋組(316)之方法，其具有以下步驟：(a)接收對晶圓量測之一或多個參數之量測資料(324)；(b)基於該一或多個製程參數之一預期演進(322)而更新(320)該指紋組；及(c)基於該所接收量測資料依據該經更新指紋組之分解而評估該經更新指紋組。每一指紋可具有經儲存之一出現似然性(316)，且該分解可涉及：基於該所接收量測資料(324)而估計該指紋組在該所接收量測資料中之出現可能性；及基於該等所估計可能性而更新經儲存之該等出現可能性。

Description

維持指紋組之方法、電腦程式、及進行該方法之裝置
本發明係關於一種維持表示與一或多個產品單元相關聯之一或多個製程參數之變化的指紋組之方法，該一或多個產品單元可用於例如藉由微影技術進行之器件製造中。本發明亦係關於相關聯電腦程式及電腦程式產品，以及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。此等目標部分通常被稱作「場」。在半導體製造設施(廠房)中經由各種裝置來處理批量或批次中之晶圓。在每一層處藉由由微影裝置執行之微影步驟來逐層地建立積體電路，且在諸微影步驟之間執行其他廠房製程。
在成像步驟之前，使用各種化學及/或物理處理步驟來形成及製備用於圖案化之層。在成像步驟界定圖案之後，另外化學及/或物理處理步驟 貫穿圖案起作用中從而產生積體電路之功能特徵。在多層製程中重複成像及處理步驟以建置積體電路。
圖案於基板上之準確置放為用於減小電路組件及可藉由微影產生之其他產品之大小的主要挑戰。詳言之，準確地量測基板上已經被放置之特徵的挑戰為能夠足夠準確地對準處於疊加之特徵之順次層而以高良率產生工作器件的關鍵步驟。一般而言，在當今之亞微米半導體器件中，所謂的疊對應在幾十奈米內、在最臨界層中降至幾奈米來達成。
因此，現代微影裝置涉及在實際上曝光或以其他方式圖案化處於目標部位之基板之步驟之前之廣泛量測或「映射」操作。已開發且持續開發所謂的進階對準模型以更準確地模型化及校正藉由處理步驟及/或藉由微影裝置自身造成的晶圓「柵格」之非線性失真。然而，在曝光期間並非所有的失真皆可校正，且追蹤及消除儘可能多的此等失真原因仍然很重要。
現代多層微影製程及產品如此複雜使得歸因於處理之問題難以追溯到根本原因。因此，監測晶圓整合性及適當校正策略之設計係耗時且費力的工作。
全文以引用方式併入本文中之國際專利申請案WO 2015049087揭示獲得與工業製程相關之診斷資訊之方法。在微影製程之執行期間之階段處進行對準資料或其他量測，以獲得表示在橫越每一晶圓而空間地分佈之點處所量測的位置偏差或其他參數之物件資料。疊對及對準殘差通常展示橫越晶圓之圖案，其被稱為指紋。使用此物件資料以藉由執行多變量分析以將表示多維空間中之晶圓的向量之集合分解成一或多個成份向量而獲得診斷資訊。使用該等成份向量來提取關於工業製程之診斷資訊。可基於經提取診斷資訊而針對後續晶圓來控制工業製程之效能。
在廠房中，半導體製程步驟可因此將其指紋留在產品晶圓上。微影裝置除了具有對準感測器以外亦具有可量測此等指紋的許多在線感測器。此等在線感測器包括位階量測感測器、用於將倍縮光罩與晶圓載物台夾盤對準之感測器(例如「透射影像感測器」或「並行整合式透鏡干涉計」型感測器)及關於致動器穩定性之感測器。微影裝置之感測器為可量測橫越基板空間地分佈之參數之值的感測器之實例。除了表示橫越基板之空間分佈之指紋之外，指紋亦可表示橫越一晶圓批之不同晶圓之製程參數的分佈。此文件中之術語「製程參數」需要被解讀為與半導體製造製程相關聯的任何參數，其可與產品單元(例如基板、晶圓)上之(製程)參數指紋的指紋相關。製程參數因此可為與由感測器(例如在微影裝置或蝕刻裝置內)執行之量測或關於在半導體製造製程內所使用之裝置中的一或多者(例如用於蝕刻之某一蝕刻腔室)之組態的(內容脈絡)資訊相關聯的參數。舉例而言，自「並行整合式透鏡干涉計」感測器獲得之指紋可表示橫越晶圓批之倍縮光罩加熱訊跡。本發明之實施例利用此等感測器以特性化許多或所有個別製程(例如蝕刻、沈積、顯影追蹤)。此情形係可能的，此係因為在晶圓上之層之製造期間涉及掃描器至少一次。掃描器可將其感測器應用至經歷微影製程的所有晶圓每層至少一次。
經由許多感測器，可自正被曝光之晶圓導出晶圓指紋、區帶指紋、場指紋及晶粒指紋。有用的是識別存在於晶圓上之某一層集合上的指紋，且將此等指紋之存在與處理及掃描器內容脈絡相關(從而尋找「根本原因」)且與預期產品上效能效應，諸如疊對、臨界尺寸(CD)、焦點、電壓對比度、CD-SEM、電氣測試相關(從而判定「良率影響」)。
本文中所提及之指紋為經量測信號之主要系統性貢獻因素(或「潛在 因素」)。該等指紋通常與晶圓上效能影響或先前處理步驟有關係。該等指紋通常可指晶圓柵格圖案(例如來自對準、位階量測、疊對、焦點、CD)、場圖案(例如來自場內對準、位階量測、疊對、焦點、CD)、晶圓區帶圖案(例如晶圓量測之最外半徑)或甚至為關於晶圓曝光的掃描器量測中之圖案(例如來自倍縮光罩對準「透射影像感測器」或「並行整合式透鏡干涉計」型感測器量測的批次間加熱訊跡、溫度/壓力/伺服剖面等)。
本文中所提及之量測資料可為對晶圓執行之任何量測結果，且意欲用於監測及控制例如位階量測、對準、疊對、CD、焦點、側壁角(SWA)等。
本文中所提及之效能資料可為對晶圓執行的表示經處理晶圓(產品單元)之預期品質的任何量測結果。效能資料通常包含諸如以下各者之一或多個效能參數之值：疊對誤差、臨界尺寸(CD)、聚焦誤差、邊緣置放誤差(EPE)、電壓對比信號、CD-SEM信號、電氣測試信號(從而判定「良率影響」)、表示製程之良率之任何其他信號。通常，效能資料包含橫越產品單元之前述效能參數之一或多個指紋。
本文中所提及之指紋庫為可經均質地或異質地編碼之指紋集合或指紋組。
習知控制策略嘗試最小化晶圓批次或群組中之平均所觀測誤差(例如疊對、焦點、CD)。關於此途徑存在兩種限制：控制/監測係藉由假定晶圓當中之叢集而以嚴格指派進行；經監測特徵(疊對、CD等)為不同因素之貢獻的事實在此等方法中被忽略。此在監測/控制之範疇在空間方面自掃描器延伸至整個廠房且在時間方面自每層延伸至貫通堆疊時尤其具有限定性。
詳言之，吾人想要理解貢獻於潛在疊對/CD/焦點問題且最終貢獻於良率問題的主指紋-當在半導體廠房中之快速上升階段自新產品/節點/製程之曝光擷取資料時。使用慣例方法的微調及故障診斷可需要有經驗的半導體工程師花費數月時間，此損害新產品/節點/製程之良率時間且因此損害上市時間。
本發明人已設計出一種用以維持指紋組同時避免或至少減輕上文所提及之關聯問題中的一或多者之方式。
在一第一態樣中，本發明提供一種維持表示與一或多個產品單元相關聯之一或多個製程參數之變化的一指紋組之方法，該方法包含以下步驟：(a)接收對一或多個產品單元量測之一或多個參數之量測資料；(b)基於該指紋組之一預期演進而判定一第一經更新指紋組；及(c)基於該所接收量測資料依據該第一經更新指紋組之分解而判定一第二經更新指紋組。
在一第二態樣中，本發明提供一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等電腦可讀指令當執行於合適電腦裝置上時致使該電腦裝置執行該第一態樣之方法。
在一第三態樣中，本發明提供一種電腦程式產品，其包含該第二態樣之電腦程式。
在一第四態樣中，本發明提供一種裝置，其經特定調適以進行該第一態樣之方法之該等步驟。
A1‧‧‧作用中指紋
A2‧‧‧作用中指紋
AL‧‧‧對準/對準量測/量測資料
CO‧‧‧處理之內容脈絡/內容脈絡資訊
LV‧‧‧位階量測/量測資料
MA‧‧‧圖案化器件/倍縮光罩
OV‧‧‧疊對/疊對資料
R‧‧‧配方資訊
R1‧‧‧參考指紋
R2‧‧‧參考指紋
100‧‧‧微影裝置LA
102‧‧‧量測站MEA
104‧‧‧曝光站EXP
106‧‧‧微影裝置控制單元LACU
108‧‧‧塗佈裝置
110‧‧‧烘烤裝置
112‧‧‧顯影裝置
120‧‧‧經圖案化基板
122‧‧‧處理裝置
124‧‧‧處理裝置
126‧‧‧處理裝置/步驟
130‧‧‧基板
132‧‧‧基板
134‧‧‧基板
138‧‧‧監督控制系統(SCS)
140‧‧‧度量衡裝置
142‧‧‧度量衡結果
166‧‧‧小幅度調整
202‧‧‧歷史量測資料
204‧‧‧新量測資料
206‧‧‧分解
208‧‧‧是否相似
210‧‧‧調適/步驟
212‧‧‧新增/步驟
214‧‧‧參考指紋庫
216‧‧‧作用中指紋庫
218‧‧‧指紋之實例
220‧‧‧初始指紋/例項
222‧‧‧指紋/例項
224‧‧‧寫入誤差
226‧‧‧倍縮光罩加熱
228‧‧‧指紋
230‧‧‧向上掃描/向下掃描效應(SUSD)
232‧‧‧蝕刻/指紋
234‧‧‧指紋
236‧‧‧指紋
238‧‧‧掃描器夾盤
240‧‧‧化學機械拋光(CMP)/指紋
242‧‧‧指紋
244‧‧‧指紋
246‧‧‧漣波
248‧‧‧退火雙漩渦/指紋
250‧‧‧指紋
252‧‧‧指紋
302‧‧‧諮詢
304‧‧‧歷史量測資料
306‧‧‧知識引出
308‧‧‧導出/資料採擷/分析
310‧‧‧參考指紋庫/參考指紋
312‧‧‧擷取/提取及變形
314‧‧‧更新/驗證/動態識別
316‧‧‧作用中指紋庫/作用中指紋
318‧‧‧使用者輸入
320‧‧‧判定/更新/步驟
322‧‧‧預期演進/預測
324‧‧‧量測資料/內容脈絡資料
326‧‧‧製程控制動作
328‧‧‧計算/估計
402‧‧‧控制動作
404‧‧‧初始作用中指紋
406‧‧‧動態作用中指紋(AFP)
408‧‧‧內容脈絡敏感叢集
410‧‧‧分解係數
412‧‧‧晶圓量測
502‧‧‧時間例項
504‧‧‧時間例項
506‧‧‧指紋
508‧‧‧雙漩渦指紋
510‧‧‧圖案
512‧‧‧圖案
514‧‧‧圖案
516‧‧‧圖案
518‧‧‧量測結果
520‧‧‧量測結果
522‧‧‧量測結果
524‧‧‧量測結果
526‧‧‧量測結果
827‧‧‧處理器
829‧‧‧記憶體
861‧‧‧硬碟
862‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
863‧‧‧電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)
864‧‧‧隨機存取記憶體(RAM)
865‧‧‧鍵盤
866‧‧‧滑鼠
867‧‧‧讀取單元
868‧‧‧固態機
869‧‧‧CDROM
870‧‧‧印表機
871‧‧‧顯示器
872‧‧‧通信網路
873‧‧‧傳輸器/接收器
現在將參看隨附圖式作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：
圖1描繪微影裝置連同形成用於半導體器件之生產設施的其他裝置。
圖2為根據本發明之一實施例之方法的流程圖，其說明參考指紋庫及作用中指紋庫。
圖3為根據本發明之一實施例之方法的流程圖。
圖4說明作用中指紋庫之動態模型。
圖5說明圖4之動態模型的簡化實例。
圖6說明有用於實施本文中所揭示之方法的計算裝置硬體。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1在100處將微影裝置LA展示為實施大容量微影製造製程之工業設施之部分。在本實例中，製造製程適用於在諸如半導體晶圓之基板上製造半導體產品(積體電路)。熟習此項技術者將瞭解，可藉由以此製程之變體處理不同類型之基板來製造廣泛多種產品。半導體產品之生產純粹用作現今具有大商業意義之實例。
在微影裝置(或簡言之，「微影工具」100)內，在102處展示量測站MEA且在104處展示曝光站EXP。在106處展示控制單元LACU。在此實例中，每一基板造訪量測站及曝光站以被施加圖案。舉例而言，在光學微影裝置中，投影系統用以使用經調節輻射及投影系統而將產品圖案自圖案化器件MA轉印至基板上。此轉印係藉由在輻射敏感抗蝕劑材料層中形成圖案之影像來完成。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。圖案化器件MA可為將圖案賦予至由圖案化器件透射或反射之輻射光束的光罩或倍縮光罩。熟知操作模式包括步進模式及掃描模式。眾所周知，投影系統可以多種方式與用於基板及圖案化器件之支撐件及定位系統合作，以將所要圖案施加至橫越基板之許多目標部分。可使用可程式化圖案化器件來代替具有固定圖案之倍縮光罩。輻射例如可包括深紫外線(DUV)波帶或極紫外線(EUV)波帶中之電磁輻射。本發明亦適用於其他類型之微影製程，例如(例如)藉由電子束之壓印微影及直寫微影。
微影裝置控制單元LACU控制各種致動器及感測器之所有移動及量測，從而致使裝置收納基板W及倍縮光罩MA且實施圖案化操作。LACU亦包括實施與該裝置之操作相關之所要計算的信號處理及計算能力。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，每一子單元處置裝置內之一子系統或組件之即時資料獲取、處理及控制。
在曝光站EXP處將圖案施加至基板之前，在量測站MEA處處理基板使得可進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器來映射基板之表面高度，及使用對準感測器來量測基板上之對準標記之位置。對準標記係以規則柵格圖案標稱地配置。然而，歸因於產生標記時之不準確度且亦歸因於基板之貫穿其處理而發生的變形，標記偏離理想柵格。因此，在裝置應以極高準確度在正確部位處印刷產品特徵的情況下，除了量測基板之位置及定向以外，對準感測器實務上亦必須詳細地量測橫越基板區域之許多標記之位置。
微影裝置LA可屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型，每一基板台具有藉由控制單元LACU控制之定位系統。在曝光站EXP處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站MEA處將另一基板裝載至另一基板台上，使得可進行各種預備步驟。因此，對準標記之量測極耗時，且提供兩個基板台會實現裝置之產出率的相當大增加。若在基板台處於量測站處以及處於曝光站處時位置感測器IF不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。當微影裝置LA屬於具有兩個基板台之所謂的雙載物台類型時，曝光站及量測站可為相異部位，在其之間可交換基板台。然而，此僅為一個可能的配置，且量測站及曝光站無需相異的。舉例而言，已知具有單一基板台，在曝光前量測階段期間量測載物台暫時耦接至該單一基板台。本發明不限於任一類型之系統。
在生產設施內，裝置100形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分，該微影製造單元或微影叢集亦含有塗佈裝置108，該塗佈裝置用於將感光性抗蝕劑及其他塗層施加至基板W以供裝置100進行圖案化。在裝置100之輸出側處，提供烘烤裝置110及顯影裝置112以用於將經曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案。在所有此等裝置之間，基板處置系統負責支撐基板且將基板自一台裝置轉移至下一台裝置。常常被集體地稱作「塗佈顯影系統(track)」之此等裝置係在塗佈顯影系統控制單元之控制下，塗佈顯影系統控制單元自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影裝置控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。監督控制系統SCS接收配方資訊R，該配方資訊R極詳細地提供待執行以產生每一經圖案化基板之步驟的定義。
一旦已在微影製造單元中施加及顯影圖案，旋即將經圖案化基板120轉移至諸如在122、124、126處所說明之其他處理裝置。廣泛範圍之處理步驟係由典型製造設施中之各種裝置來實施。出於實例起見，此實施例中之裝置122為蝕刻站，且裝置124執行蝕刻後退火步驟。在另外裝置126等中應用另外物理及/或化學處理步驟。可需要眾多類型之操作以製造實際器件，諸如材料沈積、表面材料特性改質(氧化、摻雜、離子植入等)、化學機械拋光(CMP)等等。實務上，裝置126可表示在一或多個裝置中執行之一系列不同處理步驟。
眾所周知，半導體器件之製造涉及此處理之許多重複，以在基板上逐層地建置具有適當材料及圖案之器件結構。因此，到達微影叢集之基板130可為新近製備之基板，或其可為先前已在此叢集中或完全地在另一裝置中被處理之基板。相似地，取決於所需處理，基板132在離開裝置126時可經返回以用於同一微影叢集中之後續圖案化操作，其可經預定以用於不同叢集中之圖案化操作，或其可為待發送以用於切塊及封裝之成品。
產品結構之每一層需要不同製程步驟集合，且在每一層處所使用之裝置126可在類型方面完全不同。另外，即使在待由裝置126應用之處理步驟標稱地相同的情況下，在大設施中亦可存在並行地工作以對不同基板執行步驟126之若干假設相同機器。此等機器之間的小設置差異或疵點可意謂其以不同方式影響不同基板。即使對於每一層相對而言為共同的步驟，諸如蝕刻(裝置122)亦可由標稱地相同但並行地工作以最大化產出率之若干蝕刻裝置來實施。此外，實務上，不同層根據待蝕刻之材料的細節需要不同蝕刻製程，例如化學蝕刻、電漿蝕刻，且需要特定要求，諸如各向異性蝕刻。
可在如剛才所提及之其他微影裝置中執行先前及/或後續製程，且可甚至在不同類型之微影裝置中執行先前及/或後續製程。舉例而言，器件製造製程中之在諸如解析度及疊對之參數上要求極高的一些層相比於要求較不高之其他層可在更進階微影工具中來執行。因此，一些層可曝光於浸潤型微影工具中，而其他層曝光於「乾式」工具中。一些層可曝光於在DUV波長下工作之工具中，而其他層係使用EUV波長輻射來曝光。
為了正確地且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中處理之基板W中的一些或全部。將度量衡結果直接地或間接地提供至監督控制系統(SCS)138。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在可足夠迅速地且快速地完成度量衡以使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷的狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。
圖1中亦展示度量衡裝置140，其經提供以用於在製造製程中之所要階段對產品參數進行量測。現代微影生產設施中之度量衡裝置之常見實例為散射計，例如角度解析散射計或光譜散射計，且其可經應用以在裝置122中之蝕刻之前量測在120處之經顯影基板之屬性。在使用度量衡裝置140的情況下，可判定出例如諸如疊對或臨界尺寸(CD)之重要效能參數並不滿足經顯影抗蝕劑中之指定準確度要求。在蝕刻步驟之前，存在經由微影叢集剝離經顯影抗蝕劑且重新處理基板120的機會。亦眾所周知，藉由 監督控制系統SCS及/或控制單元LACU 106隨著時間推移進行小幅度調整(166)，可使用來自裝置140之度量衡結果142以維持微影叢集中之圖案化操作之準確效能，藉此最小化製得不合格產品且需要重工之風險。當然，度量衡裝置140及/或其他度量衡裝置(圖中未繪示)可經應用以量測經處理基板132、134及傳入基板130之屬性。
本發明之一實施例提供貫穿積體電路之生命週期藉由使用微影裝置而特性化層之全堆疊的能力，該微影裝置運用其內建式感測器來捕捉貫通該層堆疊之指紋。此特性化係與界定每一層的在曝光之間的製程步驟相關。貫通層堆疊之指紋之分析提供校正多層製程中之複雜且時變的現象之能力。舉例而言，新設備及新製程配方不斷地產生新指紋。
除了具有對準感測器以外，微影裝置亦具有許多在線感測器。此等在線感測器包括位階量測感測器、用於將倍縮光罩與晶圓載物台夾盤對準之感測器(例如「透射影像感測器」或「並行整合式透鏡干涉計」型感測器)及關於致動器穩定性之感測器。微影裝置之感測器為可量測橫越基板空間地分佈之參數之值的感測器之實例。除了表示橫越基板之空間分佈之指紋之外，指紋亦可表示橫越一晶圓批之不同晶圓之製程參數的分佈。舉例而言，自「並行整合式透鏡干涉計」感測器獲得之指紋可表示橫越晶圓批之倍縮光罩加熱訊跡。本發明之實施例利用此等感測器以特性化許多或所有個別製程(例如蝕刻、沈積、顯影追蹤)。此情形係可能的，此係因為在晶圓上之層之製造期間涉及掃描器至少一次。掃描器可將其感測器應用至經歷微影製程的所有晶圓每層至少一次。
用以判定指紋之掃描器感測器可為動態的。舉例而言，對於一個層，對準感測器可被認為最有用於判定對於一製程步驟具代表性的指紋， 而對於另一層，位階量測感測器可具有更多資訊。得到最具代表性結果(例如為了製程控制及處理裝置最佳化而具有最多資訊)的感測器及感測器信號之組合之使用可遭受改變，且機器學習途徑可用以收斂至每層最佳感測器信號分佈圖(例如層1：對準顏色1，層2：對準顏色2+位階量測，…等)。
如上文所提及，貫穿層之堆疊處理晶圓，微影裝置可在所有不同步驟下捕捉指紋。指紋圖案可藉由執行貫通堆疊分析而彼此相關，且橫越諸層共同的指紋可返回與在每一層處出現的事件及現象相關。此使得有可能針對後續製程步驟適當地最佳化處理裝置。可將由經最佳化裝置執行之此等後續製程步驟應用至獲得指紋所來自之晶圓。在彼狀況下，在晶圓貫通其層堆疊之處理期間應用校正，而作為一種即時校正。此為在多階段處理中之後續階段最佳化用於處理產品單元之裝置的實例，來自該等產品單元之物件資料被量測。由經最佳化裝置執行之後續製程步驟可適用於貫穿其他晶圓(包括在未來處理之晶圓)之處理的步驟。經最佳化裝置可用以在製程流程中比執行分析及最佳化之階段更早的階段以及更遲的階段執行製程步驟。最佳化可涉及使經識別製程裝置及/或製程配方固定。其亦可涉及使用經由對準或疊對校正之專用掃描器校正。
本發明之實施例提供傳入量測資料中之當前相關指紋的動態改進(自適應性)之計算，而不將指紋嚴格指派至製程控制執行緒。可針對各種關鍵效能指示符(例如可用掃描器資料)及良率判定指紋。使不確定性明確，且可使用所有資料以用於所有指紋之改良之估計(不必具有每執行緒之「嚴格」分裂)，同時因子模型使推斷機構易控制。
本發明之實施例藉由組合來自域知識之指紋及藉由將新傳入量測資 料分解至作用中指紋庫中來提供最佳初始化及在線分解。
在分解所接收量測資料之後，可識別基礎主指紋。基於該分解，可識別動作以供改良。
本發明之實施例提供至內容脈絡及良率影響評估之運作中連結。可將指紋連結至廠房中之傳入內容脈絡歷史，且用於即時良率(電氣探測、電壓對比、CD-SEM)影響評估。可在IC製造製程期間執行良率評估，此比可得到實際良率資料時早得多。
本發明之實施例提供用以即時地尋找及追蹤對晶圓量測之貢獻因素(被稱為作用中指紋(AFP))之方式。晶圓量測包括但不限於對準、位階量測、疊對及CD。為了達成此晶圓量測，除了即時資料分析之外，實施例亦併有關於共同指紋(被稱為參考指紋(RFP))之先前知識(亦即，域專門知識及現有資料之採擷)，以便尋找晶圓量測中之主要貢獻因素。換言之，其藉由將晶圓量測分解成已知指紋(RFP)之當前具現化(AFP)來尋找貢獻因素。此外，實施例具有用以追蹤AFP中之系統性改變及漂移(演進)且在當前AFP組不足以解釋量測時尋找新指紋之機構。另外，可將驗證符整合於對照來自量測之統計跡象檢查新近發現之AFP之模型中，以驗證所發現之AFP是否為系統性的且並非歸因於雜訊。實施例藉由將該模型用於度量衡估計從而實現動態晶圓控制。
因此，吾人除了能夠追蹤其置放於晶圓上之指紋之外，亦能夠監測量測中之不同因素之貢獻。此情形導致較自然廠房製程模型，其使得自適應性及動態控制機構能夠進行每晶圓最佳控制估計及產品上效能影響分析。另外，此方法可促進根本原因及效能影響分析，此係因為可貫通堆疊追蹤因素且將該等因素連結至製程步驟。
圖2為根據本發明之一實施例之方法的流程圖，其說明參考指紋庫及作用中指紋庫。
參看圖2，作用中指紋庫216為表示橫越諸如晶圓之一或多個產品單元之一或多個製程參數之變化的指紋組。接收對一或多個產品單元量測之一或多個參數之新量測資料204。首先基於指紋組之預期演進來更新作用中指紋庫216，該指紋組之預期演進可基於一或多個製程參數之預期演進。本文中之演進意謂與以下各者中之一或多者相關聯之發展：隨機變化(雜訊)、歸因於加熱之漂移、歸因於動力學之漂移、歸因於動力學之振盪、歸因於組件磨損之漂移、(接近)穩定行為。經更新指紋組之進一步更新係基於所接收量測資料204依據第一經更新指紋組之分解206。若經分解指紋與第一經更新指紋相似(208)，則作用中指紋庫216可藉由調適(210)指紋予以更新。若該等指紋不相似(208)，則作用中指紋庫216可藉由將新指紋新增(212)至作用中庫予以更新。亦可自作用中庫移除指紋。
可藉由自參考指紋庫214中之參考指紋組擷取指紋而將指紋新增至作用中庫216。此可涉及使經擷取指紋變形(Warping)以判定所新增指紋。自表示對晶圓量測之一或多個參數的歷史量測資料202導出參考指紋庫214中之參考指紋組。
可運用來自作用中庫216之經更新指紋來更新參考指紋庫214自身。
展示參考指紋庫214中之指紋之實例218。該等指紋為寫入誤差224、倍縮光罩加熱226、向上掃描/向下掃描效應(SUSD，其為在「向上」掃描方向上曝光之場相對於在「向下」掃描方向上曝光之場之移位的量度)230、蝕刻232、掃描器夾盤238、化學機械拋光(CMP)240、「漣波」246及退火「雙漩渦」248的實例。
展示作用中庫216之初始指紋220。指紋234、242及250分別為參考指紋232、240及248之複本。亦展示作用中庫216中在稍後時間的指紋222。指紋228為在步驟212處新增之新指紋的實例。指紋252為來自步驟210之經調適指紋的實例。指紋236及244兩者仍存在，但其經儲存之出現可能性(未圖示)自一個例項220至另一例項222可不同。
圖3為根據本發明之一實施例之方法的流程圖。其說明將指紋組維持於作用中指紋庫316中之方法。指紋表示橫越產品單元之一或多個製程參數之變化。在此實例中，產品單元為晶圓基板。該方法包括以下步驟：(a)接收對晶圓量測之一或多個參數之量測資料324；(b)基於指紋組之預期演進322而判定(320)作用中指紋庫316中之第一經更新指紋組；及(c)基於所接收量測資料依據第一經更新指紋組之分解而判定(320)第二經更新指紋組。每一指紋可具有經儲存之出現似然性，且分解可涉及：基於所接收量測資料而估計指紋組在所接收量測資料中之出現可能性；及基於所估計可能性而更新經儲存之該等出現可能性。
分解可包含使用因子模型，其中所估計之出現可能性包含因子模型之係數。
基於所接收量測資料之分解，可推斷出效能資料及/或製程控制動作之特性，該(該等)製程控制動作經組態以校正所推斷之效能資料相對於效能資料之標稱值之某一偏差。效能資料通常包含橫越產品單元之效能參數之一或多個指紋(例如疊對誤差、聚焦誤差、CD等)。
內容脈絡資料324表示量測資料被量測所關於的晶圓之一或多個製程參數之記錄。作用中指紋庫316之更新320可接著係基於內容脈絡資料324。內容脈絡資料可包含例如與用以處理基板之處理裝置之特定使用(特 定蝕刻腔室、特定CMP裝置、微影裝置之類型等)相關的資料，或表示與一或多個製程相關聯的量測值之參數資料(諸如溫度、信號強度、信號信賴等)。
更新作用中指紋庫之步驟320可包含計算(328)預期量測資料。該計算係基於經預測(322)指紋，該等經預測指紋自身可基於指紋組之預期演進。指紋組之預期演進可基於一模型，該模型基於與一或多個製程參數之所觀測之演進相關聯的知識而預測指紋組之演進。計算亦係基於所接收之內容脈絡資料。接著基於所計算之預期量測資料而判定製程控制動作326。可接著基於經判定製程控制動作326而更新作用中指紋庫316中之指紋。
更新(320)作用中庫316中之指紋組可包含調適指紋、將新指紋新增至該組及自該組移除指紋。
可藉由自參考指紋庫310中之參考指紋組擷取(提取)(312)指紋而將指紋新增至作用中指紋庫316。此可涉及使經擷取指紋變形(312)以判定所新增指紋。
自表示對晶圓量測之一或多個參數的歷史量測資料304導出(308)參考指紋庫310中之參考指紋組。
可運用來自作用中指紋庫316之經更新指紋來更新(314)參考指紋庫310。使用者輸入318可用以驗證(314)該更新。
在下文更詳細地描述此等步驟。
初始設置302至308：在初始設置期間，可使用三個工序來識別參考指紋：
知識引出306：向域專家諮詢(302)而為了識別其辨識之指紋工具/製 程指紋。接著以參數或非參數形式來編碼指紋之形狀及變化且將其置於參考指紋庫310中。
資料採擷308：藉助於不同探索性資料分析技術，例如叢集分析、成份分析來分析(308)歷史量測資料304，以識別指紋。接著以參數或非參數形式來編碼指紋形狀及變化且將其置於參考指紋庫中。
動態識別314：在下文描述在晶圓量測分解期間藉由調適工序辨識之因素。
參考庫310至312：由通用及異質指紋以及在所要佈局上具現化指紋的某功能性之儲存庫組成。
參考指紋310：容器，在其中儲存自歷史觀測或實體定義已知的通用指紋物件(被稱為參考指紋)。可以不同參數及非參數方式編碼該等指紋。 每一指紋之資訊可含有其平均形狀、形狀變化及關於其歷史、根本原因等之後設資料資訊。
提取及變形312：在所要佈局上具現化通用參考指紋的製程。此具現化可產生表示指紋之形狀及其變化的機率分佈之形式。此可藉由統計函數回歸技術(諸如高斯製程、線性回歸等)及/或藉由取樣技術(蒙特-卡羅(Monte-Carlo)取樣)及/或藉由參數函數評估來完成。變形意謂：不僅可應用佈局調適而且可應用形狀調適來具現化通用參考指紋。例如，基本形狀之仿射變換(平移、旋轉、按比例調整形狀)可被認為係同一形狀之「可容許的變體」。可明確地(例如藉由在具現化時執行變換)或隱含地(例如藉由在將新資料投影至指紋基準時使用旋轉不變相似性度量或核心)來實施變形。
作用中庫314至322：包括維持及追蹤對晶圓量測結果之指紋貢獻之 狀態的改變所需的儲存及功能性：
作用中指紋316：容器，其中將指紋之當前狀態儲存為表示指紋之形狀及其變化的幾率分佈之某種形式。此外，可將關於每一指紋之動力學及統計資料之資訊與諸如出現可能性一起儲存。最初自參考指紋庫提取作用中指紋。
預測322：為了即將到來的晶圓量測基於指紋動態(演進)模型、製程時序資訊及控制動作而預測作用中指紋之狀態。此處可使用組合機率性推斷技術(貝葉斯(Bayesian)遞歸濾波之變體，例如卡爾曼(Kalman)濾波、粒子濾波)。
更新320：使用經預測指紋及晶圓量測以：
A)依據作用中指紋來分解傳入晶圓量測。可基於所需正則化及約束來使用不同成份分析方法(例如稀疏寫碼、辭典學習、套索/脊狀回歸等)。另外，可在分解中使用內容脈絡敏感晶圓叢集以將叢集結構用於分解係數中。
資料正被分解之基礎可為正交的或過度完成的。因此，吾人賦能參考庫中之異質性且仍具有傳入資料可被分解之作用中庫。通常，可以表格形式組織若干晶圓、批次、場等之量測結果或模型參數。行表示不同特徵(例如標記、參數)，而列表示不同例項(例如場、晶圓、批次)。此矩形/正方形表示可被視為代數矩陣(實數或複數)且接受若干種類之分解。彼等分解可被認為供呈現矩陣之基本元素的不同方式。舉例而言，主成份分解展示資料內具有最大方差的指紋，其為在方差為關鍵因素的情況下自統計視點獲得指紋之極佳方式。合適分解可基於表示學習，在表示學習當中頻繁地利用流形學習方法。流形學習方法可進一步劃分成降維之線性或非線性 方法。一些實施方案可利用額外實體資訊(例如藉由使包括成份特性之預知識)。出於本發明之目的，建議利用矩陣分解及/或表示學習方法之冪。以下之清單不完整，但得到分解之可能合適演算法的想法：
i)通用：
稀疏辭典
秩因子分解(A=CF)
內插分解
約旦
薛爾
QZ
塔卡希
極性
叢集
ii)正交的：
QR分解
LQ
奇異值分解(SVD)
iii)光譜：
本徵值分解
iv)非負：
因子分解成具有非負值之矩陣
v)非線性方法：
基於神經網路之表示學習，例如變分自動編碼器(VAE)。
B)計算校正以更新作用中指紋。取決於作用中指紋之表示，可在此處使用不同方法，諸如更新足夠統計資料、最大後驗機率(MAP)估計、(最大似然)ML估計。
C)當作用中指紋組不足以解釋晶圓量測時識別新指紋。此處可使用改變/新穎性/異常偵測方法及/或非參數潛在成份模型(例如狄瑞西雷(Dirichlet)製程及印度自助(Indian Buffet)製程)之組合。
驗證314：以統計方式評估經動態識別之指紋，以檢查其是為系統性的抑或歸因於雜訊。當指紋被確認時，使用者可決定(318)將其置放至參考庫。依序對數似然比測試為對此區塊之可能的實施方案。
估計328：藉助於預測性模型使用經預測作用中指紋以及內容脈絡資訊324來計算預期量測(依據晶圓量測)。可出於此目的使用統計推斷及/或預測性模型之組合。
控制動作326：基於所計算預期量測來尋找最佳製程控制動作。
該方法之製程流程含有三個交錯迴路：識別、更新及控制。識別迴路(展示於310、312、316、314內)係藉由參考庫中經動態識別之指紋之插入速率而非同步地控管。另一方面，使更新(316、322、320內)及控制迴路(322、328、326內)循環與所接收之晶圓量測結果(每晶圓)同步。
圖4說明作用中指紋庫之動態模型。為在觀測第t個晶圓量測zt412時之作用中指紋的狀態。ut為控制動作402且ct為用於內容脈絡敏感叢集408中之內容脈絡資訊。at為分解係數410。
基於圖4中之模型，可將圖3中之區塊之功能定義如下：
提取及變形312：產生初始作用中指紋至404。
預測322：自及ut估計動態AFP 406。
估計量328：自ct、至估計zt
更新320：
自，ut及zt估計
在必要時新增。
本發明之實施例之優點包括：
A)在線估計晶圓量測中之貢獻因素(指紋)，從而在快速上升階段曝光來自新產品或節點之初始層時實現早期良率影響評估。實現較快速根本原因分析及製程最佳化，且可能實現較快速上坡時間及上市時間。
B)自適應性動態模型(對例如廠房中之製程或工具使用改變穩固)。
C)實現以「適度評估」為基礎之晶圓級控制。
D)促進根本原因及產品上效能影響分析。
E)在線製程監測及容易觀測對晶圓之指紋及內容脈絡貢獻。
圖5說明圖4之動態模型的簡化實例。
參看圖5，兩個指紋506及508處於參考指紋庫中(分別被稱作「縮放」指紋及「雙漩渦」指紋)。該兩個指紋亦被展示為參考指紋R1及R2。該兩個指紋在兩個時間例項502及504時在作用中庫中的演進被展示。圖案510及512在時間502時被展示且對應作用中指紋亦被表示為A1及A2。圖案514及516在時間504時被展示且對應作用中指紋再次被表示為A1及A2。
量測為位階量測LV、對準AL及疊對OV。應注意，一些量測結果並非總是可得到(例如OV)，但當提供該等量測結果時，可利用該等量測結果。庫中之指紋表示在晶圓量測結果中看到的圖案之共同原因，且其自身顯現為不同類型之量測結果。量測AL、LV及OV中指紋A1及A2之貢獻取 決於處理之內容脈絡CO及度量衡。在時間502時，展示對準量測AL之量測結果518及位階量測LV之量測結果520。在時間504時，展示對準量測AL之量測結果522、位階量測LV之量測結果524及疊對量測OV之量測結果526。
水平箭頭展示指紋A1及A2之演進。本文中之演進可為時間的(例如當量測結果係在不同的按時間順序排列之晶圓之單層上進行時)或貫通堆疊(例如當量測係在一個晶圓之多個按時間順序排列之層上進行時)。在圖5之實例中，顯而易見的是，雙漩渦指紋508在兩個時間例項502與504之間稍微旋轉，如藉由比較512與516所見。
內容脈絡資訊「CO」可用以將相關性參數歸因於作用中指紋A1、A2中之一或多者。相關性參數判定與該內容脈絡資訊CO相關聯的作用中指紋A1、A2在預測量測資料(AL、LV)及/或效能資料(例如疊對資料OV)之特性(例如指紋)方面具有資訊性達何種程度。低相關性參數指示出於預測性目的(例如出於製程監測目的而導出效能參數)及/或為了製程控制而不應考量出自作用中指紋庫之某一指紋。
在一實施例中，將相關性參數歸因於出自第二經更新指紋組之指紋的步驟係基於所接收之內容脈絡資料。
在一實施例中，基於相關性參數及與相關性參數相關聯之指紋而判定效能資料及/或製程控制動作。
一般而言，相關性參數為表示流形上之座標，其在線性狀況下基於因子分解之線性方法而減小至成份之傳統係數。
在以下經編號條項中揭示本發明之另外實施例：
1.一種維持表示與一或多個產品單元相關聯之一或多個製程參數之 變化的一指紋組之方法，該方法包含以下步驟：(a)接收對一或多個產品單元量測之一或多個參數之量測資料；(b)基於該指紋組之一預期演進而判定一第一經更新指紋組；及(c)基於該所接收量測資料依據該第一經更新指紋組之分解而判定一第二經更新指紋組。
2.如條項1之方法，其中該預期演進為以下各者中之一或多者：一隨機變化、歸因於加熱之漂移、歸因於動力學之漂移、歸因於動力學之振盪、歸因於磨損之漂移、(接近)穩定行為。
3.如條項1或2之方法，其中該量測資料包含以下各者中之一或多者：位階量測資料、對準資料、疊對資料、CD資料、焦點資料、側壁角資料、晶圓構形資料。
4.如任一前述條項之方法，其中每一指紋具有經儲存之一出現可能性，且該所接收量測資料依據該第一經更新指紋組之該分解包含以下步驟：基於該所接收量測資料而估計該第一經更新指紋組在該所接收量測資料中的出現可能性；及基於該等所估計可能性而更新經儲存之該等出現可能性。
5.如條項4之方法，其中該分解包含使用一因子模型，其中該等所估計出現可能性包含該因子模型之係數。
6.如任一前述條項之方法，其進一步包含基於該所接收量測資料之該分解而判定效能資料及/或一製程控制動作的一步驟。
7.如條項6之方法，其中該效能資料包含橫越一產品單元之一效能參數之一指紋。
8.如任一前述條項之方法，其進一步包含接收表示該量測資料經量測所關於的該一或多個產品單元之一或多個製程參數之記錄的內容脈絡資料之步驟，且其中該判定一第一經更新指紋組之步驟(b)係進一步基於該所接收內容脈絡資料。
9.如條項8之方法，其進一步包含基於該所接收內容脈絡資料而將一相關性參數歸因於出自該第二經更新指紋組之一指紋的一步驟。
10.如條項9之方法，其進一步包含基於該相關性參數及該指紋而判定效能資料及/或一製程控制動作。
11.如條項10之方法，其進一步包含基於該經判定效能資料及/或製程控制動作而更新該指紋組的一步驟。
12.如任一前述條項之方法，其中該判定一第一經更新指紋組之步驟(b)包含以下各操作中之一或多者：調適一指紋、將一新指紋新增至該組、自該組移除一指紋。
13.如任一前述條項之方法，其進一步包含藉由自一參考指紋組擷取一指紋而將一指紋新增至該組的步驟。
14.如條項13之方法，其進一步包含使該經擷取指紋變形以判定該經新增指紋。
15.如條項13或14之方法，其中自表示對一或多個產品單元量測之一或多個參數的歷史量測資料導出該參考指紋組。
16.如條項13、14或15之方法，其進一步包含運用來自該指紋組之一經更新指紋來更新該參考指紋組的步驟。
17.如任一前述條項之方法，其中該等產品單元為基板。
18.一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等電腦可讀指令在經執行 於合適電腦裝置上時致使該電腦裝置執行如條項1至17中任一項之方法。
19.一種裝置，其經特定調適以進行如條項1至17中任一項所揭示的方法之該等步驟。
20.如條項8之方法，其中該判定該第一經更新指紋組之步驟(b)包含以下步驟：基於以下各項計算預期量測資料：經預測指紋；及該所接收內容脈絡資料；基於所計算之該預期量測資料而判定一製程控制動作；以及基於該經判定製程控制動作而更新該指紋組。
21.如任一前述條項之方法，其中該判定一第一經更新指紋組之步驟(b)包含調適一指紋。
22.如任一前述條項之方法，其中該判定一第一經更新指紋組之步驟(b)包含將一新指紋新增至該組。
23.如任一前述條項之方法，其中該判定一第一經更新指紋組之步驟(b)包含自該組移除一指紋。
可使用含有機器可讀指令之一或多個序列的電腦程式來實施本發明之一實施例，該等機器可讀指令描述如以上所描述的維持指紋組之方法。此電腦程式可經執行於計算裝置，諸如圖1之控制單元LACU或某其他控制器內。亦可提供其中儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)。
此控制單元LACU可包括如圖6中所展示之電腦總成。該電腦總成可為在根據本發明之總成之實施例中呈控制單元之形式的專用電腦，或替代 地為控制微影裝置之中央電腦。該電腦總成可經配置以用於載入包含電腦可執行碼之電腦程式產品。此可使得電腦總成能夠在下載電腦程式產品時藉由位階感測器LS及對準感測器AS之實施例控制對微影裝置之前述使用。
連接至處理器827之記憶體829可包含數個記憶體組件，比如硬碟861、唯讀記憶體(ROM)862、電可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)863及隨機存取記憶體(RAM)864。並不需要存在所有前述記憶體組件。此外，前述記憶體組件並非必需實體地緊鄰處理器827或彼此緊鄰。其可經定位成相隔一距離。
處理器827亦可連接至某種使用者介面，例如鍵盤865或滑鼠866。亦可使用為熟習此項技術者所知之觸控螢幕、軌跡球、話語轉換器或其他介面。
處理器827可連接至讀取單元867，讀取單元經配置以自資料載體(比如固態機868或CDROM 869)讀取例如呈電腦可執行碼之形式的資料，且在一些情形下將資料儲存於資料載體(比如固態機868或CDROM 869)上。亦可使用DVD或為熟習此項技術者所知之其他資料載體。
處理器827亦可連接至印表機870以在紙張上印出輸出資料，以及連接至熟習此項技術者所知的任何其他類型之顯示器的顯示器871，例如監測器或液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)。
處理器827可藉助於負責輸入/輸出(I/O)之傳輸器/接收器873而連接至通信網路872，例如公眾交換式電話網路(PSTN)、區域網路(LAN)、廣域網路(WAN)等。處理器827可經配置以經由通信網路872而與其他通信系統通信。在本發明之一實施例中，外部電腦(圖中未繪示)(例如操作者 之個人電腦)可經由通信網路872而登入至處理器827中。
處理器827可被實施為獨立系統或被實施為並行地操作之數個處理單元，其中每一處理單元經配置以執行較大程式之子任務。亦可將處理單元劃分成一或多個主處理單元與若干子處理單元。處理器827之一些處理單元可甚至經定位成與其他處理單元相隔一距離且經由通信網路872而通信。可使模組之間的連接為有線的或無線的。
電腦系統可為具有經配置以執行此處所論述之功能的類比及/或數位及/或軟體技術之任何信號處理系統。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於例如描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。

Claims (20)

  1. 一種維持(maintaining)表示與一或多個產品單元相關聯之一或多個半導體製程參數之變化的一指紋組(a set of fingerprints)之方法，該方法包含以下步驟：(a)接收對一或多個產品單元量測之一或多個參數之量測資料；(b)基於該指紋組之一預期演進(evolution)而判定一第一經更新指紋組；及(c)基於該所接收量測資料依據該第一經更新指紋組之分解(decomposition)而判定一第二經更新指紋組。
  2. 如請求項1之方法，其中該預期演進為以下各者中之一或多者：一隨機變化、歸因於加熱之漂移、歸因於動力學之漂移、歸因於動力學之振盪、歸因於磨損之漂移、(接近)穩定行為。
  3. 如請求項1之方法，其中該量測資料包含以下各者中之一或多者：位階量測資料、對準資料、疊對資料、CD資料、焦點資料、側壁角資料、晶圓構形資料。
  4. 如請求項1之方法，其中每一指紋具有經儲存之一出現可能性，且該所接收量測資料依據該第一經更新指紋組之該分解包含以下步驟：基於該所接收量測資料而估計該第一經更新指紋組在該所接收量測資料中的出現可能性；及基於該等所估計可能性而更新經儲存之該等出現可能性。
  5. 如請求項4之方法，其中該分解包含使用一因子模型，其中該等所估計出現可能性包含該因子模型之係數。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包含基於該所接收量測資料之該分解而判定效能資料及/或一製程控制動作的一步驟。
  7. 如請求項6之方法，其中該效能資料包含橫越一產品單元之一效能參數之一指紋。
  8. 如請求項1之方法，其進一步包含接收表示該量測資料經量測所關於的該一或多個產品單元之一或多個製程參數之記錄的內容脈絡資料之步驟，且其中該判定一第一經更新指紋組之步驟(b)係進一步基於該所接收內容脈絡資料。
  9. 如請求項8之方法，其進一步包含基於該所接收內容脈絡資料而將一相關性參數歸因於出自該第二經更新指紋組之一指紋的一步驟。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包含基於該相關性參數及該指紋而判定效能資料及/或一製程控制動作。
  11. 如請求項10之方法，其進一步包含基於該經判定效能資料及/或製程控制動作而更新該指紋組的一步驟。
  12. 如請求項1之方法，其中該判定一第一經更新指紋組之步驟(b)包含以下各操作中之一或多者：調適一指紋、將一新指紋新增至該組、自該組移除一指紋。
  13. 如請求項1之方法，其進一步包含藉由自一參考指紋組擷取一指紋而將一指紋新增至該組的步驟。
  14. 如請求項13之方法，其進一步包含使該經擷取指紋變形以判定該經新增指紋。
  15. 如請求項13之方法，其中自表示對一或多個產品單元量測之一或多個參數的歷史量測資料導出該參考指紋組。
  16. 如請求項15之方法，其進一步包含運用來自該指紋組之一經更新指紋來更新該參考指紋組的步驟。
  17. 如請求項1之方法，其中該等產品單元為基板。
  18. 如請求項8之方法，其中該判定該第一經更新指紋組之步驟(b)包含以下步驟：基於以下各項計算預期量測資料：經預測指紋；及該所接收內容脈絡資料；基於所計算之該預期量測資料而判定一製程控制動作；以及基於該經判定製程控制動作而更新該指紋組。
  19. 一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等電腦可讀指令在經執行於合適電腦裝置上時致使該電腦裝置執行如請求項1之方法。
  20. 一種裝置，其經特定調適以進行如請求項1之方法之該等步驟。
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