TWI666694B - Substrate processing method - Google Patents

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Abstract

本發明的基板處理方法係處理在表面形成有低介電常數被覆膜的基板。執行緻密化步驟，該緻密化步驟係藉由將低介電常數被覆膜之表層部緻密化來轉換成緻密化層。然後，執行修復液供給步驟，該修復液供給步驟係在緻密化層形成步驟之後，對低介電常數被覆膜之表面供給用以修復緻密化層的修復液。

Description

基板處理方法
本發明係關於一種處理基板的基板處理方法。在成為處理對象的基板中，例如包含有半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等。
近年來，在利用基板所製作的元件(device)(例如半導體元件)係為了配線彼此之絕緣等而設置有層間絕緣膜。為了謀求元件之高速化，被要求層間絕緣膜之寄生電容的減低。於是，為了減低寄生電容，有提出使用低介電常數被覆膜(low dielectric constant coating film)作為層間絕緣膜，該低介電常數被覆膜係由屬於介電常數比氧化矽(SiO2)更低(例如4.0以下)之材料的低介電常數(Low-k)材料所構成。
在對基板施予乾蝕刻(dry etching)或化學研磨法(CMP：Chemical Mechanical Polishing；化學機械研磨)時，偶爾低介電常數被覆膜會受到損傷(damage)。在已受到損傷的低介電常數被覆膜之表面附近係形成有損傷層，藉此，低介電常數被覆膜之介電常數會上升。為此，恐有無法獲得所 期待的元件特性之虞。於是，在專利文獻1中已有揭示一種修復低介電常數被覆膜所受到之損傷的方法。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2008-10610號公報。
在專利文獻1所記載的方法中係將損傷層暴露於損傷修復劑中，並且加壓損傷修復劑。藉此，損傷修復劑容易浸透至損傷層之內部為止。
但是，在專利文獻1所記載的方法中，有時損傷修復劑會超過損傷層並浸透至並未受到損傷的部分為止。亦即，恐有損傷修復劑過度地浸透至低介電常數被覆膜。
由於損傷修復劑浸透至低介電常數被覆膜中並未受到損傷的部分，而恐有使低介電常數被覆膜的介電常數變化之虞。而且，難以將已暫時浸透至低介電常數被覆膜中的損傷修復劑從低介常數被覆膜排除。
於是，本發明之一目的係在於提供一種可以抑制液狀之修復劑相對於低介電常數被覆膜的過度之浸透的基板處理方法。
本發明提供一種基板處理方法，係處理在表面形成有低介電常數被覆膜的基板，且該基板處理方法包含：緻密化步驟，係藉由將形成於前述低介電常數被覆膜之表層 部的損傷層緻密化來轉換成緻密化層；以及修復液供給步驟，係在前述緻密化步驟之後，對前述低介電常數被覆膜之表面供給用以修復前述緻密化層之損傷的修復液。
依據本方法，將修復液供給至形成於表層部的損傷層已被轉換成緻密化層後的低介電常數被覆膜之表面。藉此，液狀之修復液能浸透至緻密化層，且緻密化層之損傷能獲得修復。在將損傷層緻密化時以緻密化層之厚度成為所期望之厚度(例如1nm至5nm)的方式來調整緻密化之程度，藉此能在修復液供給步驟中，抑制供給至低介電常數被覆膜之表面的修復液越過緻密化層並浸透至低介電常數被覆膜。換句話說，能抑制修復液過度地浸透至低介電常數被覆膜。
在本發明之一實施形態中，前述緻密化步驟係包含：形成與前述損傷層相較使前述修復液不易浸透的前述緻密化層的步驟。
依據本方法，與損傷層相較，修復液不易浸透至緻密化層。為此，與損傷層相較，緻密化層藉由修復液之供給條件(供給量或供給時間)之變化所致的修復液之浸透的程度(深度)之變化會較小。為此，例如即便是在修復液之供給條件中發生不意圖之變化的情況下，仍能抑制修復液之浸透程度的變化。從而，與不將損傷層轉換成緻密化層的基板處理相較，還容易管理修復液浸透至低介電常數被覆膜之表層部的程度。為此，能更加抑制修復液過度地浸透至低介電常數被覆膜。
在本發明之一實施形態中，前述緻密化步驟係包含：將前述低介電常數被覆膜之表層部中之鄰接於前述損傷層的部分轉換成前述緻密化層的步驟。
依據本方法，除了損傷層，在低介電常數被覆膜之表層部中之鄰接於損傷層的部分亦能轉換成緻密化層。為此，與僅將損傷層轉換成緻密化層的情況相較，還可以增厚緻密化層。從而，即便是在損傷層比較薄的情況下，仍能抑制供給至低介電常數被覆膜之表面的修復液立即越過緻密化層並浸透至低介電常數被覆膜之內部。因而，能抑制修復液過度地浸透至低介電常數被覆膜。
在本發明之一實施形態中，在前述損傷層係形成有複數個空孔。又，前述緻密化步驟係包含：壓縮前述損傷層並使前述複數個空孔縮小，藉此將前述損傷層轉換成前述緻密化層的步驟。
依據本方法，能藉由損傷層被壓縮且複數個空孔被縮小，來使損傷層轉換成緻密化層。為此，藉由將損傷層轉換成緻密化層，就能抑制修復液通過空孔並浸透至低介電常數被覆膜之內部。
在本發明之一實施形態中，前述緻密化步驟係包含：緻密化藥劑供給步驟，係將用以將前述低介電常數被覆膜之表層部轉換成前述緻密化層的緻密化藥劑供給至前述低介電常數被覆膜之表面。
依據本方法，能藉由將緻密化藥劑供給至低介電常數被覆膜之表面來形成緻密化層。為此，可以藉由調整緻密 化藥劑之供給量或供給時間等，來調整緻密化藥劑相對於低介電常數被覆膜之表層部的浸透程度。從而，可以將緻密化層之厚度精度佳地調整成所期望之厚度。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理方法係更包含：洗淨步驟，係在前述緻密化藥劑供給步驟之前對前述低介電常數被覆膜之表面供給洗淨液，藉此來洗淨前述低介電常數被覆膜之表面。
依據本方法，能在緻密化藥劑供給步驟之前藉由洗淨液來洗淨低介電常數被覆膜之表面。藉此，能沖走已附著於損傷層之表面的汙垢等。為此，能抑制因損傷層之表面的汙垢所引起的緻密化藥劑之浸透程度(深度)的變化。為此，可以將緻密化層之厚度更精度佳地調整成所期望之厚度。
本發明中的前述之目的、特徵及功效以及更進一步之其他的目的、特徵及功效係能參照圖式並藉由以下所述的實施形態之說明而獲得明白。
1、1Q‧‧‧基板處理裝置
2、2P、2Q‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制器
3A‧‧‧處理器
3B‧‧‧記憶體
5‧‧‧旋轉夾盤
8‧‧‧杯體
10‧‧‧DIW噴嘴
11‧‧‧第一噴嘴
12‧‧‧第二噴嘴
13‧‧‧第三噴嘴
14‧‧‧腔室
15‧‧‧第一噴嘴移動機構
16‧‧‧第二噴嘴移動機構
17‧‧‧第三噴嘴移動機構
20‧‧‧夾盤銷
21‧‧‧旋轉基座
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧電動馬達
30‧‧‧DIW供給管
31‧‧‧洗淨液供給管
32‧‧‧氧化劑供給管
33‧‧‧修復液供給管
34‧‧‧有機溶劑供給管
35‧‧‧惰性氣體供給管
40‧‧‧DIW閥
41‧‧‧洗淨液閥
42‧‧‧氧化劑閥
43‧‧‧修復液閥
44‧‧‧有機溶劑閥
45‧‧‧惰性氣體閥
50‧‧‧低介電常數被覆膜
51‧‧‧表層部
52‧‧‧損傷部
53‧‧‧非損傷部
54‧‧‧空孔
55‧‧‧聚合物殘渣
56‧‧‧緻密化層
57‧‧‧修復層
60‧‧‧屏蔽構件
60a‧‧‧對向面
60b‧‧‧連通孔
61‧‧‧屏蔽構件旋轉機構
62‧‧‧屏蔽構件升降機構
63‧‧‧中空軸
64‧‧‧支撐構件
70‧‧‧紅外線加熱器
70A‧‧‧紅外線燈
70B‧‧‧燈殼
71‧‧‧加熱器移動機構
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧載具
CR、IR‧‧‧搬運機器人
LP‧‧‧裝載埠口
W‧‧‧基板
圖1係用以說明本發明之一實施形態的基板處理裝置之內部的布局(layout)之圖解俯視圖。
圖2係用以說明前述基板處理裝置中所備置的處理單元之一構成例的圖解縱剖視圖。
圖3係用以說明前述基板處理裝置之主要部分之電氣構成的方塊圖。
圖4係用以針對藉由前述基板處理裝置所為的基板處 理之一例加以說明的流程圖。
圖5A係用以說明藉由基板處理所致的基板之表面之構成變化的剖視圖。
圖5B係用以說明藉由基板處理所致的基板之表面之構成變化的剖視圖。
圖5C係用以說明藉由基板處理所致的基板之表面之構成變化的剖視圖。
圖5D係用以說明藉由基板處理所致的基板之表面之構成變化的剖視圖。
圖6係用以說明藉由前述基板處理所致的低介電常數被覆膜之表層部之化學結構變化的示意剖視圖。
圖7係用以說明藉由前述基板處理所致的低介電常數被覆膜之表層部之化學結構變化的示意剖視圖。
圖8係在氧化處理(圖4之S3)中已在損傷層之一部分形成緻密化層的情況的基板之低介電常數被覆膜周邊的示意剖視圖。
圖9係用以說明第一實施形態的處理單元之另一構成例的圖解縱剖視圖。
圖10係用以說明第二實施形態的基板處理裝置的處理單元之構成例的圖解縱剖視圖。
(第一實施形態)
圖1係用以說明本發明之一實施形態的基板處理裝置1之內部的布局之圖解俯視圖。基板處理裝置1係指逐片 處理矽晶圓(silicon wafer)等之基板W的單片式之裝置。在本實施形態中，基板W為圓形狀之基板。
基板處理裝置1係包含：複數個處理單元2，用以處理基板W；複數個裝載埠口(load port)LP，係分別保持用以收容在處理單元2所處理的複數片基板W的載具(carrier)C；搬運機器人IR及CR，係在裝載埠口LP與處理單元2之間搬運機板W；以及控制器3，用以控制基板處理裝置1。搬運機器人IR係在載具C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。複數個處理單元2，例如是具有同樣的構成。
圖2係用以說明處理單元2之一構成例的圖解縱剖視圖。
處理單元2係包含：旋轉夾盤5，係一邊以水平之姿勢來保持一片基板W，一邊使基板W繞通過基板W之中央部的鉛直之旋轉軸線A1旋轉；筒狀之杯體(cup)8，係包圍旋轉夾盤5；DIW(deionized water；去離子水)噴嘴10，係對基板W之上表面供給作為沖洗液的去離子水(DIW)；以及噴嘴11至13(第一噴嘴11、第二噴嘴12及第三噴嘴13)，係對基板W之上表面供給流體。處理單元2係更包含用以收容杯體8的腔室(chamber)14(參照圖1)。在腔室14係形成有用以搬入/搬出基板W的搬入/搬出口(未圖示)。在腔室14係具備有用以開閉該搬入/搬出口的擋門單元(shutter unit)。
旋轉夾盤5係包含於使保持於水平的基板W繞沿著鉛 直方向的預定之旋轉軸線A1旋轉的基板保持旋轉單元中。旋轉夾盤5係包含夾盤銷(chuck pin)20、旋轉基座(spin base)21、旋轉軸22及電動馬達23。旋轉軸22係沿著旋轉軸線A1朝向鉛直方向延伸。旋轉軸22之上端係結合於旋轉基座21之下表面中央。旋轉基座21係具有沿著水平方向的圓盤形狀。在旋轉基座21之上表面的周緣部係朝向圓周方向隔出間隔地配置有複數個夾盤銷20。電動馬達23係對旋轉軸22提供旋轉力。旋轉軸22係藉由電動馬達23所旋轉，藉此能使基板W繞旋轉軸線A1旋轉。
在本實施形態中，DIW噴嘴10係指以朝向基板W之上表面的旋轉中心吐出DIW的方式所配置的固定噴嘴。在DIW噴嘴10係從DIW供給源透過DIW供給管30而供給有DIW。在DIW供給管30係夾設有用以開閉DIW供給管30內部之流路的DIW閥40。DIW噴嘴10係沒有必要為固定噴嘴。DIW噴嘴10亦可為至少朝向水平方向移動的移動噴嘴。
DIW噴嘴10亦可為供給DIW以外之沖洗液的沖洗液噴嘴。作為沖洗液，除了DIW以外，還能例示碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如，1ppm至100ppm左右)的鹽酸水、還原水(氫水)、氨水等。
第一噴嘴11係藉由第一噴嘴移動機構15朝向水平方向及鉛直方向移動。第一噴嘴11係可以在中心位置與起始位置(退避位置)之間朝向水平方向移動。第一噴嘴11係在位於中心位置時，會與基板W之上表面的旋轉中心對向。 第一噴嘴11係在位於起始位置時，不會與基板W之上表面對向。起始位置係在俯視觀察下，為旋轉基座21之外方的位置。更具體而言，起始位置亦可為杯體8之外方的位置。第一噴嘴11係沒有必要是藉由第一噴嘴移動機構15所移動的移動噴嘴。第一噴嘴11亦可為水平方向及鉛直方向上的位置已被固定的固定噴嘴。
在本實施形態中，第一噴嘴11係具有作為將用以洗淨基板W之上表面的氟酸等之洗淨液供給至基板W之上表面的洗淨液供給手段之功能。在第一噴嘴11係結合有洗淨液供給管31。在洗淨液供給管31係夾設有用以開閉洗淨液供給管31內部之流路的洗淨液閥41。在洗淨液供給管31係從洗淨液供給源供給有氟酸等的洗淨液。
洗淨液係未被限於氟酸。作為洗淨液，除了氟酸以外，還能列舉可以去除藉由乾蝕刻或CMP而形成於基板W之上表面的聚合物(polymer)殘渣(參照後面所述的圖5A)的聚合物去除液等。作為聚合物去除液，例如可列舉能夠對金屬或低介電常數膜使用之由氟化銨(ammonium fluoride)等的氟化合物、水溶性有機溶劑、緩衝劑及鹼性化合物所構成的組合物(例示於日本特開2003-241400號公報)等。
第二噴嘴12係藉由第二噴嘴移動機構16朝向水平方向及鉛直方向移動。第二噴嘴12係可以在中心位置與起始位置(退避位置)之間朝向水平方向移動。第二噴嘴12係在位於中心位置時，會與基板W之上表面的旋轉中心對向。第二噴嘴12係在位於起始位置時，不會與基板W之上表 面對向。起始位置係在俯視觀察下，為旋轉基座21之外方的位置。更具體而言，起始位置亦可為杯體8之外方的位置。第二噴嘴12係沒有必要是藉由第二噴嘴移動機構16所移動的移動噴嘴。第二噴嘴12亦可為水平方向及鉛直方向上的位置已被固定的固定噴嘴。
在本實施形態中，第二噴嘴12係具有作為將臭氧水等的液狀之氧化劑供給至基板W之上表面的氧化劑供給手段之功能。在第二噴嘴12係結合有氧化劑供給管32。在氧化劑供給管32係夾設有用以開閉氧化劑供給管32內部之流路的氧化劑閥42。在氧化劑供給管32係從氧化劑供給源供給有臭氧水等的液狀之氧化劑。作為氧化劑，除了臭氧水以外，還能列舉SC1(氨氣過氧化氫水混合液)等的液狀之氧化劑。與本實施形態不同，供給至基板W之上表面的氧化劑亦可為臭氧水等的氣體。
第三噴嘴13係藉由第三噴嘴移動機構17朝向水平方向及鉛直方向移動。第三噴嘴13係可以在中心位置與起始位置(退避位置)之間朝向水平方向移動。第三噴嘴13係在位於中心位置時，會與基板W之上表面的旋轉中心對向。第三噴嘴13係在位於起始位置時，不會與基板W之上表面對向。起始位置係在俯視觀察下，為旋轉基座21之外方的位置。更具體而言，起始位置亦可為杯體8之外方的位置。第三噴嘴13係沒有必要是藉由第三噴嘴移動機構17所移動的移動噴嘴。第三噴嘴13亦可為水平方向及鉛直方向上的位置已被固定的固定噴嘴。
在本實施形態中，第三噴嘴13係具有：作為將液狀之有機矽烷(silane)等的修復劑供給至基板W之上表面的氧化劑供給手段之功能；作為將異丙醇(IPA；isopropyl alcohol)等的有機溶劑供給至基板W之上表面的有機溶劑供給手段之功能；以及作為將氮氣(N2)等的惰性氣體供給至基板W之上表面的惰性氣體供給手段之功能。
在第三噴嘴13係結合有修復液供給管33、有機溶劑供給管34及惰性氣體供給管35。在修復液供給管33係夾設有用以開閉修復液供給管33內部之流路的修復劑閥43。在修復劑供給管33係從修復劑供給源供給有液狀之有機矽烷等的修復劑。在有機溶劑供給管34係夾設有用以開閉有機溶劑供給管34內部之流路的有機溶劑閥44。在有機溶劑供給管34係從有機溶液供給源供給有IPA等的有機溶劑。在惰性氣體供給管35係夾設有用以開閉惰性氣體供給管35內部之流路的惰性氣體閥45。在惰性氣體供給管35係從惰性氣體供給源供給有氮氣等的惰性氣體。
被使用作為修復液的液狀之有機矽烷係指至少具有碳的矽烷化合物。作為液狀之有機矽烷，具體而言包含1,1,3,3-四甲基二矽烷(TMDS；1,1,3,3-tetramethyldisilazane)、三甲基矽烷基二甲胺(TMSDMA；trimethyl silyl-dimethylamine)、三甲基矽烷基二乙胺(TMSDEA；trimethyl silyl-diethylamine)、二甲基矽烷基二乙胺(DMSDMA；dimethyl silyl-diethylamine)、三甲基甲胺基矽烷(TMMAS；trimethyl(methylamino)silane)、三甲基(異氰酸 酯基)矽烷(TMICS；trimethyl(isocyanate)silane)、三甲基矽基乙炔(TMSA；trimethylsilylacetylene)、三甲基氰矽烷(TMSC；trimethylsilyl cyanide)、六甲基二矽氮烷(HMDS；hexamethyldisilazane)、六甲基環三矽氧烷(HMCTS；hexamethylcyclotrisiloxane)、四甲基二矽氮烷(TMDS；tetramethyldisilazane)、氯三甲基矽烷(TMCS；chlorotrimethylsilane)、溴三甲基矽烷(TMBS；bromotrimethylsilane)、三甲基碘矽烷(TMIS；iodotrimethylsilane)、三甲基甲氧基矽烷(TMMS；trimethylmethoxysilane)、二甲基二甲氧基矽烷(DMDMS；dimethyldimethoxysilane)、二甲基二乙醯氧基矽烷(DMDAS；dimethyldiacetoxysilane)、二甲基胺基二甲基矽烷(DMADMS；dimethylamino dimethylsilane)、二氯二甲基矽烷(DMDCS；dichlorodimethylsilane)、1-三甲基甲矽烷基吡咯(TMSPyrole；1-trimethylsilylpyrrole)、N,O-雙(三甲基矽烷基)三氟乙醯胺(BSTFA；N,O-Bis(trimethylsilyl)trifluoroacetamide)、雙(二甲基胺基)二甲基矽烷(BDMADMS；Bis(dimethylamino)dimethylsilane)、O-三甲基矽乙酸酯(OTMSA；O-trimethylsilylacetate)、苯基三甲氧基矽烷(PTMOS；phenyltrimethoxysilane)、苯基二甲基氯矽烷(PDMCS；phenyldimethylchlorosilane)、1,3-聯苯基四甲基二矽氮烷(DPTMDS；1,1,3,3-Tetramethyl-1,3-diphenyldisilazane)、二甲基丁基氯矽烷(BDMCS；dimethylbutylchlorosilane)、二甲基辛基氯矽烷(ODMCS；dimethyloctylchlorosilane)、二甲 基癸基氯矽烷(DDMCS；dimethyldecylchlorosilane)等之中的至少其中任一個的液體等。
有機溶劑係未限於IPA。有機溶劑只要是與液狀之有機矽烷混合且揮發性比純水更高的溶媒即可。有機溶劑，例如亦可為丙二醇-1-單甲醚-2-乙酸酯(PEGMEA；propylene glycol 1-monomethyl ether 2-acetate)等。
惰性氣體係未限於氮氣。惰性氣體係相對於基板W之上表面為惰性的氣體。惰性氣體例如亦可為氬(argon)等的稀有氣體類。
圖3係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電氣構成的方塊圖。控制器3係具備微電腦(microcomputer)，且按照預定之程式來控制基板處理裝置1中所備置的控制對象。更具體而言，控制器3係包含：處理器(processor)(CPU；Central Processing Unit；中央處理單元)3A；以及儲存有程式的記憶體3B；且以處理器3A執行控制程式，藉此執行基板處理用之各種的控制的方式所構成。特別是，控制器3係控制搬運機器人IR、CR、電動馬達23、第一噴嘴移動機構15、第二噴嘴移動機構16、第三噴嘴移動機構17、以及閥類40至45等的動作。
圖4係用以說明藉由基板處理裝置1所為的基板處理之一例的流程圖，且主要是顯示藉由控制器3執行程式所實現的處理。
在藉由基板處理裝置1所為的基板處理中，例如是如圖4所示，依順序執行基板搬入(S1)、洗淨處理(S2)、氧化 處理(S3)、修復處理(S4)、有機溶劑處理(S5)、乾燥處理(S6)及基板搬出(S7)。
首先，在藉由基板處理裝置1所為的基板處理中，已施予乾蝕刻或CMP等的基板W係藉由搬運機器人IR、CR從載具C搬入於處理單元2並交給旋轉夾盤5(S1)。此後，基板W係在藉由搬運機器人CR所搬出為止的期間，藉由夾盤銷20從旋轉基座21之上表面朝向上方隔出間隔地保持於水平(基板保持步驟)。又，控制器3亦可在基板W藉由搬運機器人CR搬出為止的期間，維持於已開啟惰性氣體閥45的狀態，且朝向基板W之上表面持續供給惰性氣體(惰性氣體供給步驟)。惰性氣體供給步驟亦能夠適當中止。在基板處理中，供給至旋轉狀態的基板W上之液體係藉由離心力從基板W之周緣朝向徑向外方飛散，且藉由杯體8所承接。
然後，執行用以洗淨由夾盤銷20所保持的基板W之上表面的洗淨處理(S2)。
具體而言，控制器3係驅動電動馬達23來使基板W與旋轉基座21一起以例如100rpm旋轉(基板旋轉步驟)。該轉速的基板旋轉步驟亦可持續直至後面所述的乾燥處理(S6)之開始為止。然後，控制器3係控制第一噴嘴移動機構15，並將第一噴嘴11配置於基板W之上方的處理位置。亦可在第一噴嘴11位於處理位置時，使從第一噴嘴11所吐出的氟酸等之洗淨液供給至基板W之上表面的旋轉中心。然後，控制器3係開啟洗淨液閥41，且使氟酸等之洗 淨液從第一噴嘴11朝向旋轉狀態的基板W之上表面供給(洗淨液供給步驟)。供給至旋轉狀態的基板W之上表面的洗淨液係藉由離心力沿著基板W之上表面朝向徑向外方流動。藉此，洗淨液能遍及於基板W之上表面的整體。
其次，在一定時間的洗淨處理(S2)之後，執行藉由氧化劑來處理基板W之上表面的氧化處理(S3)。
具體而言，控制器3係控制第二噴嘴移動機構16，並將第二噴嘴12配置於基板W之上方的處理位置。亦可在第二噴嘴12位於處理位置時，使從第二噴嘴12所吐出的臭氧水等之氧化劑供給至基板W之上表面的旋轉中心。然後，控制器3係關閉洗淨液閥41，取而代之開啟氧化劑閥42。藉此，使臭氧水等之氧化劑從第二噴嘴12朝向旋轉狀態的基板W之上表面供給(氧化劑供給步驟)。已著液於基板W之上表面的氧化劑係藉由離心力沿著基板W之上表面朝向徑向外方流動。藉此，基板W上的洗淨液能藉由氧化劑所置換。另一方面，控制器3係控制第一噴嘴移動機構15來使第一噴嘴11退避至退避位置。
再者，在氧化處理(S3)中，與本實施形態的基板處理不同，控制器3亦可在使DIW從DIW噴嘴10供給至基板W之上表面並以DIW來置換基板W上的洗淨液之後，使氧化劑從第二噴嘴12朝向基板W之上表面供給。
作為使用臭氧水作為氧化劑之情況的基板處理條件之一例，可列舉臭氧濃度為20ppb，液體處理溫度為室溫(通常為15℃至30℃之範圍內的溫度)，處理時間為1分鐘至2 分鐘，基板轉速約100rpm的處理條件。
再者，為了使基板W之上表面的整體均一地氧化，較佳是使供給臭氧水的第二噴嘴12藉由第二噴嘴移動機構16朝向水平方向移動。
作為使用SC1作為氧化劑之情況的基板處理條件之一例，可列舉SC1之組成為氫氧化銨(ammonium hydroxide)：過氧化氫水：水=1：4：20，液體處理溫度為65℃，處理時間為1分鐘至2分鐘，基板轉速約100rpm的處理條件。
再者，為了使基板W之上表面的整體均一地氧化，較佳是使供給SC1的第二噴嘴12藉由第二噴嘴移動機構16朝向水平方向移動。
又，氧化處理(S3)亦可指將臭氧氣暴露於基板W的處理。在氧化處理(S3)中，亦可同時進行藉由上面所述之氧化劑所為的氧化處理和藉由UV照射所為的氧化處理來執行。又，在氧化處理(S3)中，亦可不執行藉由氧化劑所為的氧化處理，而執行藉由UV照射所為的氧化處理。
其次，在一定時間的氧化處理(S3)之後，執行藉由液狀之有機矽烷等的修復液來處理基板W之上表面的修復處理(S4)。
具體而言，控制器3係控制第三噴嘴移動機構17，並將第三噴嘴13配置於基板W之上方的處理位置。亦可在第三噴嘴13位於處理位置時，使從第三噴嘴13所吐出的修復液或有機溶劑供給至基板W之上表面的旋轉中心。然後，控制器3係關閉氧化劑閥42，取而代之開啟有機溶劑 閥44。藉此，從第三噴嘴13所吐出的IPA等之有機溶劑就會在著液於旋轉狀態的基板W之上表面之後，藉由離心力沿著基板W之上表面朝向徑向外方流動。藉此，基板W上的液狀之氧化劑能藉由有機溶劑所置換。然後，控制器3係控制第二噴嘴移動機構16來使第二噴嘴12退避至退避位置。之後，控制器3係關閉有機溶劑閥44，取而代之開啟修復液閥43。藉此，液狀之有機矽烷等的修復液能從第三噴嘴13朝向基板W之上表面供給(修復液供給步驟)。已著液於基板W之上表面的修復液係藉由離心力沿著基板W之上表面朝向徑向外方流動。藉此，基板W上的有機溶劑能藉由修復液所置換。在修復處理(S4)中以惰性氣體來覆蓋基板W之上表面，藉此能減低基板W之上表面的周圍濕度。為此，能抑制因濕度所引起的修復液之活性的減低。
其次，在一定時間的修復處理(S4)之後，執行藉由IPA等的有機溶劑來置換將基板W之上表面的修復液的有機溶劑處理(S5)。
具體而言，控制器3係關閉修復液閥43，取而代之開啟有機溶劑閥44。藉此，從第三噴嘴13所吐出的IPA等之有機溶劑係著液於基板W之上表面。之後，已著液於基板W之上表面的有機溶劑係藉由離心力沿著基板W之上表面朝向徑向外方流動。藉此，基板W上的修復液能藉由有機溶劑所置換。
其次，進行使基板W乾燥的乾燥處理(S6)。
具體而言，控制器3係關閉修復液閥43，且控制第三噴嘴移動機構17以使第三噴嘴13退避至退避位置。然後，控制器3係控制電動馬達23，使基板W以比洗淨處理(S2)至有機溶劑處理(S5)的基板W之轉速更快的高轉速(例如500rpm至3000rpm)旋轉。藉此，較大的離心力會作用於基板W上的有機溶劑。為此，基板W上的有機溶劑會朝向基板W之周圍甩開。如此，能從基板W去除有機溶劑。藉此，基板W會乾燥。然後，當基板W之高速旋轉開始之後經過預定時間時，控制器3就使藉由旋轉基座21所為的基板W之旋轉停止。
之後，搬運機器人CR進入處理單元2，並從旋轉夾盤5掬取處理完成的基板W，且往處理單元2外部搬出(S7)。基板W係從搬運機器人CR交給搬運機器人IR。然後，基板W係藉由搬運機器人IR收納於載具C。
其次，針對藉由基板處理所致的基板W之表面附近的狀態變化加以說明。
圖5A至圖5D係用以說明藉由基板處理所致的基板W之表面之構成變化的剖視圖。
圖5A係基板處理前的基板W之表面附近的縱剖視圖。參照圖5A，在由夾盤銷20所保持的基板W之上表面(基板W之表面)的整體係形成有低介電常數被覆膜50。低介電常數被覆膜50係指由屬於介電常數比氧化矽(SiO2)更低之材料的低介電常數(Low-k)材料所構成的被覆膜。具體而言，低介電常數被覆膜50係由在氧化矽(SiO2)加上碳後的絕緣 材料(SiOC)所構成。
低介電常數被覆膜50之表層部51係具有損傷層52和非損傷層53。低介電常數被覆膜50之表層部51係指與基板W側為相反側的低介電常數被覆膜50之表面附近的部分。
損傷層52係指在低介電常數被覆膜50之表層部51中已受到損傷的部分。損傷層52係從低介電常數被覆膜50之表面的整體露出。非損傷層53係指在低介電常數被覆膜50之表層部51中並未受到損傷的部分。非損傷層53係從低介電常數被覆膜50之厚度方向鄰接於損傷層52。所謂低介電常數被覆膜50之厚度方向係指大致垂直於低介電常數被覆膜50之表面的方向。所謂損傷係指介電常數上升。所謂損傷，具體而言是指藉由化學的作用或物理的作用使甲基(methyl group)置換成羥基(hydroxyl group)，且在該羥基中吸附介電常數為80左右的氛圍中的水分，藉此使介電常數上升。低介電常數被覆膜50之損傷層52的介電常數係比非損傷層53的介電常數更高。
損傷層52係指在低介電常數被覆膜50之表層部51中形成有複數個空孔54的部分。損傷層52之厚度，例如為1nm至3nm。所謂損傷層52之厚度係指低介電常數被覆膜50之厚度方向上的損傷層52之寬度。有的情況在低介電常數被覆膜50之損傷層52以外的部分亦形成有複數個空孔(未圖示)。在損傷層52之複數個空孔54係藉由損傷使甲基之一部分被置換成羥基且藉此積留有水分。為此，損 傷層52之複數個空孔54的介電常數係比形成於低介電常數被覆膜50中的損傷層52以外之部分的空孔之介電常數更上升。
損傷層52係藉由乾蝕刻或CMP等使低介電常數被覆膜50受到損傷，且藉此形成於低介電常數被覆膜50之表層部51。在執行洗淨處理(圖4之S2)之前的損傷層52之表面係附著有藉由屬於基板處理裝置1所為的基板處理之前步驟的乾蝕刻或CMP所形成的聚合物(polymer)殘渣55。
圖5B係洗淨處理(圖4之S2)中的基板W之表面附近的縱剖視圖。參照圖5B，在洗淨處理中，氟酸等的洗淨液係供給至形成於基板W之表面的低介電常數被覆膜50之表面。藉此，為了能去除聚合物殘渣55(參照圖5A)，而洗淨低介電常數被覆膜50之表面。亦即，在洗淨處理中，藉由對低介電常數被覆膜50之表面供給洗淨液，就能洗淨低介電常數被覆膜50之表面(洗淨步驟)。在洗淨液為氟酸的情況下，有時能使損傷層52之一部分與聚合物殘渣55一起被去除。
圖5C係氧化處理(圖4之S3)中的基板W之表面附近的縱剖視圖。參照圖5C，在氧化處理(圖4之S3)中，臭氧水等的液狀之氧化劑係供給至形成於基板W之表面的低介電常數被覆膜50之表面。藉此，液狀之氧化劑會從低介電常數被覆膜50之表面浸透至低介電常數被覆膜50之表層部51。藉此，低介電常數被覆膜50之表層部51就會被 氧化。藉此，低介電常數被覆膜50之表層部51的損傷層52及非損傷層53就會被緻密化而轉換成緻密化層56(緻密化步驟、緻密化層形成步驟)。在圖5C係為了方便說明起見而圖示被轉換成緻密化層56之前的損傷層52和非損傷層53。損傷層52係藉由損傷層52被壓縮而複數個空孔54被縮小來轉換成緻密化層56。如此，藉由將氧化劑供給至低介電常數被覆膜50之表面就能形成緻密化層56。換句話說，氧化劑係具有作為用以形成緻密化層56的緻密化藥劑之功能，氧化劑供給步驟係緻密化藥劑供給步驟之一例。前面所述的洗淨步驟係在緻密化藥劑供給步驟之前執行。
圖5D係修復處理(圖4之S4)中的基板W之表面附近的縱剖視圖。參照圖5D，在氧化處理(圖4之S3)之後的修復處理(S4)中，修復液被供給至形成於基板W之表面的低介電常數被覆膜50之表面(修復液供給步驟)。藉此，修復液能從低介電常數被覆膜50之表面浸透至低介電常數被覆膜50之表層部51的緻密化層56。藉此，緻密化層56就能修復。因緻密化層56係比損傷層52更為緻密，故而修復液係比損傷層52更不易浸透至緻密化層56。
如前面所述般，藉由氧化處理(圖4之S3)，表層部51之複數個空孔54就能縮小。在此，列舉處理由PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition；電漿輔助化學氣相沉積)所成膜之相對介電係數(relative dielectric constant)2.5的低介電常數被覆膜50的情況為例，且針對可以有效地抑制修復液越過緻密化層56並浸透至低介電常 數被覆膜50的緻密化層56之構成加以說明。
假設在氧化處理(S3)前的低介電常數被覆膜50之表層部51以20%之空孔率形成有直徑為1nm至3nm左右的複數個空孔54。所謂空孔率係指表層部51總體積中的空孔54之體積的比例。藉由對如此的低介電常數被覆膜50執行氧化處理(S3)，就會在表層部51之中形成有例如空孔率為0%至10%、厚度1nm至5nm的緻密化層56。只要在表層部51形成有如此的緻密化層56，就可以在氧化處理(S3)之下一個所執行的修復處理(S4)中，有效地抑制供給至低介電常數被覆膜50之表面的修復液越過緻密化層56並浸透至低介電常數被覆膜50。
藉由修復液浸透至緻密化層56就能修復低介電常數被覆膜50之表層部51的損傷。藉此，緻密化層56會被轉換成修復層57。修復層57之介電常數係比損傷層52更低。修復層57係具有與非損傷層53同等的介電常數。
其次，針對藉由氧化處理(S3)及修復處理(S4)所致的低介電常數被覆膜50之表層部51的化學結構之變化加以詳細說明。雖然未圖示，但是在施予乾蝕刻或CMP之前，在低介電常數被覆膜50之表面係露出了已與矽原子(Si)鍵結後的甲基(CH3)。藉由對低介電常數被覆膜50施予蝕刻或CMP，就能使低介電常數被覆膜50之表面的甲基之一部分置換成羥基(OH)。該羥基會使低介電常數被覆膜50之介電常數上升。亦即，藉由低介電常數被覆膜50之表面的甲基之一部分被置換成羥基(OH)，低介電常數被覆膜50就會受 到損傷。
為此，參照圖6，在施予蝕刻或CMP之後，且氧化處理(S3)前，在低介電常數被覆膜50之表面(損傷層52之表面)係露出了已與矽原子鍵結後的甲基、和已與矽原子鍵結後的羥基。
在氧化處理(S3)中，低介電常數被覆膜50之表層部51係藉由氧化劑所氧化。藉此，低介電常數被覆膜50之表面的甲基就會藉由羥基所置換。在氧化處理後的低介電常數被覆膜50之表面，亦即緻密化層56之表面主要是露出了羥基。
然後，在修復處理(S4)中，在修復液為液狀之有機矽烷的情況下，緻密化層56會被矽烷化。藉此，低介電常數被覆膜50之表面的羥基就會被置換成根源於有機矽烷的化學結構。在有機矽烷為烷基矽烷(alkylsilane)的情況下，低介電常數被覆膜50之表面的羥基之氫原子會被置換成烷基甲矽烷基(alkylsilyl group)。烷基甲矽烷基係指具有碳原子的直鏈或支鏈的官能基。作為烷基甲矽烷基，例如可列舉三甲基矽烷基(trimethylsilyl group)、三乙基矽烷基(triethylsilyl group)、二甲基矽烷基(dimethylsilyl group)、二乙基矽烷基(diethylsilyl group)及二甲基乙基矽烷基(dimethylethylsilyl group)等。
具體地說明藉由烷基矽烷所為的矽烷化。圖6係顯示被用於低介電常數被覆膜50之表層部51的矽烷化的烷基矽烷為己二胺(HMDS；hexamethylene diamine)之例。在該情 況下，低介電常數被覆膜50之表面的羥基能藉由(-O-Si-(CH3)-3)所置換。
又，在有機矽烷例如為癸基二甲基氯矽烷(chloro(decyl)dimethylsilane)的情況下，如下述化學式1，低介電常數被覆膜50之表面的羥基之氫原子能藉由烷基甲矽烷基所置換。
又，在有機矽烷例如為正十二烷基二甲基氯矽烷(chloro(dodecyl)dimethylsilane)的情況下，如下述化學式2，低介電常數被覆膜50之表面的羥基之氫原子能藉由烷基甲矽烷基所置換。
參照圖7，在氧化處理(S3)前，在低介電常數被覆膜50之損傷層52中包圍空孔54的面係除了露出羥基(未圖示)以外，還露出了矽原子與甲基之鍵結(-Si-CH3)。在氧化處理(S3)中，低介電常數被覆膜50之表層部51會藉由氧化 劑所氧化。藉此，從損傷層52中包圍空孔54的面所露出的二個甲基會被置換成一個氧原子。換言之，二個甲基會分別從所對應的矽原子脫離，且形成矽氧烷(siloxane)鍵結(Si-O-Si)。為此，由於存在於損傷層52中包圍空孔54的面的化學結構之體積會變小，所以空孔54被縮小。由於在緻密化層56係存在許多親水性比甲基更高(疏水性較低)的羥基或矽氧烷鍵結，所以疏水性比損傷層52更低。為此，與損傷層52相較，緻密化層56變得不易使包含疏水性較高之官能基的有機矽烷浸透。
依據本實施形態，對形成於表層部51的損傷層52已被轉換成緻密化層56後的低介電常數被覆膜50之表面供給修復液。藉此，修復液會浸透至緻密化層56，緻密化層56之損傷能獲得修復。在將損傷層52轉換成緻密化層56時，以緻密化層56之厚度成為所期望之厚度(具體而言，為1nm至5nm)的方式來調整緻密化之程度，藉此能在修復液供給步驟中，抑制供給至低介電常數被覆膜50之表面的修復液越過緻密化層56並浸透至低介電常數被覆膜50。換句話說，能抑制修復液過度地浸透至低介電常數被覆膜50。
又，依據本實施形態，與損傷層52相較，修復液較不易浸透至緻密化層56。為此，與損傷層52相較，緻密化層56藉由修復液之供給條件(供給量或供給時間)的變化所致的修復液之浸透的程度(深度)之變化較小。為此，例如，即便是在修復液之供給條件中發生了不意圖之變化的情況 下，仍能抑制修復液之浸透程度的變化。從而，與不將損傷層52轉換成緻密化層56的基板處理相較，還容易管理修復液浸透至低介電常數被覆膜50之表層部51的程度。為此，能更加抑制修復液過度地浸透至低介電常數被覆膜50。
又，依據本實施形態，除了損傷層52，非損傷層53(表層部51中鄰接於損傷層52的部分)亦被轉換成緻密化層56。為此，與僅將損傷層52轉換成緻密化層56的情況相較，還可以增厚緻密化層56。從而，即便是在損傷層52比較薄的情況下，仍能抑制供給至低介電常數被覆膜50之表面的修復液立即越過緻密化層56並浸透至低介電常數被覆膜50之內部。因而，能抑制修復液過度地浸透至低介電常數被覆膜50。
又，依據本實施形態，損傷層52被壓縮且複數個空孔54被縮小。藉此，損傷層52就能轉換成緻密化層。為此，藉由將損傷層52轉換成緻密化層56，就能抑制修復液通過空孔54並浸透至低介電常數被覆膜50之內部。
又，依據本實施形態，能藉由將氧化劑(緻密化藥劑)供給至低介電常數被覆膜50之表面來形成緻密化層56。為此，可以藉由調整氧化劑之供給條件(供給量或供給時間等)，來調整氧化劑相對於低介電常數被覆膜50之表層部51的浸透程度。從而，可以將緻密化層56之厚度精度佳地調整成所期望之厚度。
又，依據本實施形態，能在氧化劑供給步驟(緻密化藥劑供給步驟)之前藉由洗淨液來沖洗損傷層52之表面。為此，能抑制因損傷層52之表面的汙垢(聚合物殘渣55)所引起的緻密化藥劑之浸透程度(深度)的變化。為此，可以將緻密化層56之厚度更精度佳地調整成所期望之厚度。
又，依據本實施形態，能使洗淨處理(S2)和氧化處理(S3)作為不同的處理(步驟)來分別執行。為此，可以按照各個處理最佳地選擇適於低介電常數被覆膜50之表面洗淨的洗淨液、以及低介電常數被覆膜50之表層部51的氧化劑之各個。
與本實施形態的基板處理不同，如圖8所示，在氧化處理(S3)中，亦可在低介電常數被覆膜50之表層部51中僅將損傷層52轉換成緻密化層56。又，並沒有必要一定要將損傷層52之整體轉換成緻密化層56，亦可將損傷層52之一部分轉換成緻密化層56。
圖9係用以說明與第一實施形態的處理單元2(參照圖2)不同之構成的處理單元2P的圖解縱剖視圖。在圖9中，在與目前所說明之構件相同的構件係附記相同的參照符號，並省略其說明。該構成的處理單元2P係包含：屏蔽構件60，係具有與基板W之上表面對向的對向面60a；屏蔽構件旋轉機構61，用以使屏蔽構件60旋轉；以及屏蔽構件升降機構62，用以使屏蔽構件60升降。
屏蔽構件60係形成為具有與基板W大致相同之直徑或更大之直徑的圓板狀。在屏蔽構件60中與對向面60a為 相反側的面係固定有中空軸63。在屏蔽構件60係形成有上下貫通屏蔽構件60且與中空軸63之內部空間連通的連通孔60b。屏蔽構件升降機構62係透過中空軸63藉由用以支撐屏蔽構件60的支撐構件64來連結於屏蔽構件60。屏蔽構件旋轉機構61係包含內建於支撐構件64之前端的電動馬達。屏蔽構件升降機構62及屏蔽構件旋轉機構61係藉由控制器3所控制(參照圖3)。在本實施形態中，處理單元2P之第三噴嘴13係插通於中空軸63之內部空間和屏蔽構件60之連通孔60b。
即便藉由具備該構成例之處理單元2P的基板處理裝置1，仍可以執行與圖4中所說明之基板處理同樣的基板處理。
(第2實施形態)
圖10係用以說明第二實施形態的基板處理裝置1Q的處理單元2Q之構成例的圖解縱剖視圖。在圖10中，在與目前所說明之構件相同的構件係附記相同的參照符號，並省略其說明。
處理單元2Q與第一實施形態的處理單元2(參照圖2)之差異點係在於：處理單元2Q係包含用以加熱已供給至基板W之上表面的氧化劑的紅外線加熱器70，來取代第一噴嘴11。
紅外線加熱器70係包含：紅外線燈70A，用以發出紅外線；以及燈殼(lamp housing)70B，用以收容紅外線燈70A。紅外線燈70A係配置於燈殼70B內。紅外線燈70A，例如 是包含：燈絲(filament)；以及收容燈絲的石英管。
紅外線加熱器70係藉由加熱器移動機構71朝向水平方向及鉛直方向移動。紅外線加熱器70係在中心位置與起始位置(退避位置)之間朝向水平方向移動。紅外線加熱器70係在位於中心位置時，紅外線相對於基板W之上表面的照射區域會位於包含基板W之上表面的旋轉中心的中央區域。紅外線加熱器70係在位於起始位置時，不與基板W之上表面對向。紅外線加熱器70及加熱器移動機構71係藉由控制器3所控制(參照圖3)。
與第一實施形態的基板處理不同，在藉由第二實施形態之基板處理裝置1Q所為的基板處理中係未執行洗淨處理(圖4之S2)。
在氧化處理(圖4之S3)中，控制器3是控制第二噴嘴移動機構16，並將第二噴嘴12配置於基板W之上方的處理位置。亦可在第二噴嘴12位於處理位置時，使從第二噴嘴12所吐出的SC1等之氧化劑朝向基板W之上表面的旋轉中心供給。然後，控制器3係開啟氧化劑閥42。藉此，SC1等的氧化劑會從第二噴嘴12朝向基板W之上表面供給(氧化劑供給步驟)。從第二噴嘴12所吐出的氧化劑係在著液於基板W之上表面之後，藉由離心力沿著基板W之上表面朝向徑向外方流動。控制器3亦可控制加熱器移動機構71使紅外線加熱器70從退避位置移動至處理位置，且使紅外線加熱器71加熱基板W之上表面的氧化劑。
在藉由SC1所為的氧化處理中，藉由對低介電常數被 覆膜50之表面供給SC1，就能去除聚合物殘渣55(參照圖5A)並洗淨低介電常數被覆膜50之表面，同時氧化低介電常數被覆膜50之表層部51並轉換成緻密化層56(洗淨步驟、緻密化步驟、緻密化層形成步驟)。換句話說，洗淨步驟和緻密化步驟係同時執行。
依據第二實施形態，能達成與第一實施形態同樣的功效。
再者，從圖4所示的基板搬入(S1)到基板搬出(S7)之一系列的步驟亦可在大氣壓下執行。
本發明並非被限定於以上所說明的實施形態，而可以更進一步以其他的形態來實施。
例如，在上述之實施形態中所示的基板處理中，雖然是在修復處理(S4)之修復液供給步驟中供給修復液，但是亦可與上述之實施形態所示的基板處理不同，而是在修復處理(S4)之修復液供給步驟中，將使修復液和有機溶劑攙和後的液體供給至基板W上。
又，在上述之實施形態中，第一噴嘴11具有作為洗淨液供給手段之功能，第二噴嘴12具有作為氧化劑供給手段之功能，第三噴嘴13具有作為修復液供給手段之功能。但是，各個第一噴嘴11、第二噴嘴12、第三噴嘴13之任務亦可與上述之實施形態不同。例如，在第一實施形態中，只要使第一噴嘴11、第二噴嘴12、第三噴嘴13之其中任一個具備有作為洗淨液供給手段、修復液供給手段及氧化劑供給手段之各個手段的功能即可。又，亦可僅設置有第 一噴嘴11、第二噴嘴12、第三噴嘴13之其中任一個，且該噴嘴具有作為洗淨液供給手段、修復液供給手段及氧化劑供給手段之功能。
雖然已針對本發明之實施形態加以詳細說明，但是此等只不過是為了明白本發明之技術內容所用的具體例，本發明不應被解釋限定於此等的具體例，本發明之範圍係僅藉由所附的申請專利範圍所限定。
本申請案係對應於2016年9月26日在日本特許廳所提出的特願2016-187250號，且該申請案的全部揭示係藉由引用而編入於此。

Claims (9)

  1. 一種基板處理方法，係處理在表面形成有低介電常數被覆膜的基板，且該基板處理方法包含：緻密化步驟，係藉由將形成於前述低介電常數被覆膜之表層部的損傷層緻密化來轉換成緻密化層；以及修復液供給步驟，係在前述緻密化步驟之後，對前述低介電常數被覆膜之表面供給用以修復前述緻密化層之損傷的修復液；前述緻密化步驟係包含：將前述低介電常數被覆膜之表層部中之鄰接於前述損傷層的非損傷層轉換成前述緻密化層的步驟。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中在前述修復液供給步驟中，藉由前述緻密化層抑制前述修復液浸透至前述低介電常數被覆膜中之比前述緻密化層還靠近與前述低介電常數被覆膜的前述表層部為相反側的部分。
  3. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中在前述損傷層係形成有複數個空孔；前述緻密化步驟係包含：壓縮前述損傷層並使前述複數個空孔縮小，藉此將前述損傷層轉換成前述緻密化層的步驟。
  4. 一種基板處理方法，係處理在表面形成有低介電常數被覆膜的基板，且該基板處理方法包含：緻密化步驟，係藉由將形成於前述低介電常數被覆膜之表層部的損傷層緻密化來轉換成緻密化層；以及修復液供給步驟，係在前述緻密化步驟之後，對前述低介電常數被覆膜之表面供給用以修復前述緻密化層之損傷的修復液；在前述損傷層係形成有複數個空孔；前述緻密化步驟係包含：壓縮前述損傷層並使前述複數個空孔縮小，藉此將前述損傷層轉換成前述緻密化層的步驟。
  5. 如請求項4所記載之基板處理方法，其中前述緻密化步驟係包含：將前述低介電常數被覆膜之前述表層部中之鄰接於前述損傷層的部分轉換成前述緻密化層的步驟。
  6. 如請求項5所記載之基板處理方法，其中在前述修復液供給步驟中，藉由前述緻密化層抑制前述修復液浸透至前述低介電常數被覆膜中之比前述緻密化層還靠近與前述低介電常數被覆膜的前述表層部為相反側的部分。
  7. 如請求項1至6中任一項所記載之基板處理方法，其中前述緻密化步驟係包含：形成與前述損傷層相較使前述修復液不易浸透的前述緻密化層的步驟。
  8. 如請求項1至6中任一項所記載之基板處理方法，其中前述緻密化步驟係包含：緻密化藥劑供給步驟，係將用以將前述低介電常數被覆膜之表層部轉換成前述緻密化層的緻密化藥劑供給至前述低介電常數被覆膜之表面。
  9. 如請求項8所記載之基板處理方法，其中更包含：洗淨步驟，係在前述緻密化藥劑供給步驟之前對前述低介電常數被覆膜之表面供給洗淨液，藉此來洗淨前述低介電常數被覆膜之表面。
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