TWI659437B - 變壓器裝置 - Google Patents

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Abstract

變壓器裝置包含多個第一導電線段、多個第二導電線段與多個第三導電線段。多個第二線段包含多個第二導電線段與多個第一跨接線段。多個第一跨接線段用於連接該些第一導電線段，以形成第一電感。多個第三導電線段包含多個第二跨接線段，其中該些第三導電線段用於連接該些第二導電線段，以形成第二電感。該第一電感位於該第二電感上，該些第一跨接線段與該些第一導電線段在第一方向上形成多個第一交錯部分，該些第二跨接線段與該些第二導電線段在第二方向上形成多個第二交錯部分，且該第一方向不同於該第二方向。

Description

變壓器裝置
本案是有關於一種變壓器裝置，且特別是有關於使用堆疊型電感的變壓器裝置。
電感為電路系統常見的被動元件。依據實際需求，電感可用來被濾波、儲能或無線耦合。例如，可使用兩個電感互相耦合來實現變壓器。
在積體電路的應用中，為了減少電感所佔用的面積，通常會採用堆疊式電感來實現。然而，現有技術的設置方式會讓電感具有較低的品質因素(quality factor)。
為了解決上述問題，本案之一態樣提供變壓器裝置，其包含多個第一導電線段、多個第二線段與多個第三導電線段。多個第一導電線段形成於一第一金屬層。多個第二線段形成於一第二金屬層並包含多個第二導電線段與多個第一跨接線段，其中該些第一跨接線段用於連接該些第一導電線段，以形成一第一電感。多個第三導電線段形成於一第三金屬層並包含多個第二跨接線段，其中該些第三導電線段用於連接該些 第二導電線段，以形成一第二電感。該第一電感位於該第二電感上，該些第一跨接線段與該些第一導電線段在一第一方向上形成多個第一交錯部分，該些第二跨接線段與該些第二導電線段在一第二方向上形成多個第二交錯部分，且該第一方向不同於該第二方向。
綜上所述，本案藉由不同方向上的跨接線段來連接不同層的導電線段以形成電感。如此，可在單位面積內有效地提升電感的品質因素，進而改善變壓器裝置的效能。
100、300‧‧‧變壓器裝置
101~103‧‧‧導電線段
V12、V23‧‧‧通孔
A1‧‧‧第一區
A2‧‧‧第二區
P1-1、P2-1‧‧‧第一埠
P1-2、P2-2‧‧‧第二埠
P1-3、P2-3‧‧‧第三埠
C1-A~C1-G‧‧‧斷開部分
102A~102G‧‧‧跨接線段
110、120‧‧‧電感
103A~103S‧‧‧跨接線段
C2-A~C2-F‧‧‧斷開部分
C2-J~C2-O‧‧‧斷開部分
C2-G‧‧‧斷開部分
V23-1、V23-2‧‧‧通孔
V23-3、V23-4‧‧‧通孔
V12-1、V12-2‧‧‧通孔
102-1、102-2‧‧‧外圈線段
X、Y‧‧‧方向
CR1‧‧‧交錯部分
CR2-1、CR2-2‧‧‧交錯部分
L1、L2‧‧‧電感曲線
Q1、Q2‧‧‧品質因素
本案所附圖式之說明如下：第1A圖為根據本案的一些實施例所繪示之變壓器裝置的示意圖；第1B圖為根據本案一些實施例所繪示之第1A圖中多個導電線段的示意圖；第1C圖為根據本案一些實例所繪示之第1A圖中部分導電線段的示意圖；第1D圖為根據本案一些實施例所繪示之由第1B至1C圖中多個導電線所形成之電感的示意圖；第1E圖為根據本案一些實施例所繪示之第1A圖中部份導電線段的設置示意圖；第1F圖為根據本案一些實例所繪示之第1A圖中多個導電線段的設置示意圖；第1G圖為根據本案一些實施例所繪示之由第1E 與第1F圖中多個導電線段所形成之電感的設置示意圖；第1H圖為根據本案一些實施例所繪示之第1C圖與第1E圖中多個導電線段的設置示意圖；第2圖為根據本案一些實施例所繪示之第1A圖的變壓器裝置的量測結果；第3圖為根據本案一些實施例所繪示第1A圖的變壓器裝置之其他設置示意圖；第4圖為根據本案一些實施例所繪示第1A圖的多個導電線段的其他設置示意圖；以及第5圖為根據本案一些實施例所繪示第1A圖的多個導電線段的其他設置示意圖。
為易於理解，下述各圖式中的類似元件將被指定為相同標號。
參照第1A圖，第1A圖為根據本案的一些實施例所繪示之變壓器裝置100的示意圖。
於一些實施例中，變壓器裝置100包含多個導電線段101~103以及多個通孔(VIA)V12與V23，其中通孔V23位於多個導電線段101下(如後第1G圖所示)。多個導電線段101~103以及多個通孔V12與V23可用於形成兩個互疊的電感(如後第1D圖的電感110與第1G圖的電感120)。
於一些實施例中，多個導電線段101、102以及103由不同金屬層實現。在一些實施例中，多個導電線段101 與102可由製程中阻值最低的兩個金屬層實現，以提高變壓器裝置100的性能。例如，多個導電線段101以超厚金屬(ultra-thick metal,UTM)層實現，多個導電線段102以重佈線層(redistribution layer,RDL)實現，且多個導電線段103由金屬層M6實現，其中UTM層、RDL與金屬層M6屬於製程中的頂層金屬層，且UTM層之阻值低於RDL之阻值，RDL之阻值低於金屬層M6的阻值。此外，UTM層堆疊於RDL上，且RDL堆疊於金屬層M6上。於一些實施例中，通孔V12或V23可由導孔結構、導孔陣列或是直通矽晶導孔(Through-Silicon Via)實施。通孔V12或V23可由各種導電材料實現，以連接不同的導電線段。
上述關於多個導電線段101~103與通孔V12~V23的實現方式與數量僅用於示例，其他各種可適用於實現多個導電線段101~103與通孔V12~V23的金屬層/導電材料亦為本案所涵蓋的範圍。舉例而言，金屬層M6可為任意金屬層的集合，例如為多個金屬層M4~M6的並聯。
多個通孔V12用以耦接多個導電線段101中至少一對應者至多個導電線段102中至少一對應者。多個通孔V23設置於多個導電線段101之下，並用以耦接多個導電線段102中至少一對應者至多個導電線段103中至少一對應者。此處之設置方式將於後述說明。
參照第1A圖至第1D圖，第1B圖為根據本案一些實施例所繪示之第1A圖中多個導電線段101的示意圖，第1C圖為根據本案一些實例所繪示之第1A圖中部分導電線段102 的示意圖，且第1D圖為根據本案一些實施例所繪示之由第1B至1C圖中多個導電線101與102所形成之電感110的示意圖。
第1B圖中多個導電線段101與第1C圖中多個跨接線段102A~102E(即部分的導電線段102)對應設置。如第1D圖所示，多個跨接線段102A~102G分別對應於第1B圖的多個導電線段101之間的多個斷開部分C1-A~C1-G設置，其中多個導電線段101堆疊於多個跨接線段102A~102G之上。多個通孔V12對應於多個跨接線段102A~102G之兩個末端設置，以耦接多個跨接線段102A~102G至多個導電線段101。
於一些實施例中，第1B圖的多個導電線段101與第1C圖的多個跨接線段102A~102G經由多個通孔V12相互耦接以形成電感110。例如，在第一區A1中的多個導電線段101自電感110的第一埠P1-1依序經由第一區A1的外圈與多個跨接線段102A、102F與102B設置，並耦接至第一區A1中靠近第二區A2的外圈。在第二區A2中的多個導電線段101自第一區A1的外圈依序經由第二區A2的外圈、電感110的第三埠P1-3以及跨接線段102E、102G、102D以及102C設置，並耦接至電感110的第二埠P1-2。於一些實施例中，第一埠P1-1與第二埠P1-2可操作為輸入/輸出埠，且第三埠P1-3可操作為中央抽頭(center tap)。
於一些實施例中，多個導電線段101在第一區A1以及第二區A2分別形成兩個具有多圈繞組的螺旋狀線圈，以形成8字型電感110。例如，如第1D圖所示，在第一區A1的多個導電線段101由外圈向內圈並順時鐘地設置，以形成螺旋狀 線圈。在第二區A2的多個導電線段101由外圈向內圈並逆時鐘地擺設，以形成另一螺旋狀線圈。此兩個線圈可形成8字型電感110。藉由上述設置方式，若此兩個螺旋狀線圈收到訊號並各自產生磁場時，此兩個磁場之磁場方向兩者為相反而可相互抵消。如此，可降低雜訊耦合(例如：電磁干擾(EMI))。
另外，如第1D圖所示，多個通孔V12設置於電感110的最內圈，以耦接下方的導電線段102F~102G(如第1C圖所示)。透過此堆疊方式，可進一步調整電感110的品質因素。
參照第1A圖以及第1E至1H圖，第1E圖為根據本案一些實施例所繪示之第1A圖中部份導電線段102的設置示意圖，第1F圖為根據本案一些實例所繪示之第1A圖中多個導電線段103的設置示意圖，第1G圖為根據本案一些實施例所繪示之由第1E與第1F圖中多個導電線段102與103所形成之電感120的設置示意圖，且第1H圖為根據本案一些實施例所繪示之第1C圖與第1E圖中全部導電線段102的設置示意圖。
第1E圖中多個導電線段102與第1F圖中多個跨接線段103A~103O(即多個導電線段103)對應設置。為易於理解，第1G圖示出第1E圖多個導電線段102，第1D圖的跨接線段102C以及多個通孔V23的設置方式，且第1H圖僅示出第1A圖中所有導電線段102的設置方式。
如第1G圖所示，多個跨接線段103A~103F與103J~103O分別對應於第1E圖的多個導電線段102之間的多個斷開部分C2-A~C2-F與C2-J~C2-O設置，且多個跨接線段103G~103I以及第1D圖的跨接線段102C對應於第1E圖的 多個導電線段102之間的斷開部分C2-G設置。多個導電線段102堆疊於多個跨接線段103A~103O之上。於一些實施例中，多個跨接線段103B、103E、103K以及103N之一部分線段堆疊於第1C圖的跨接線段102F以及102G之下(如第1C圖所示)，以增加電感110以及電感120之間的耦合。
多個通孔V23對應於多個跨接線段103A~~103O之兩個末端設置，以耦接多個跨接線段103A~103O至多個導電線段102。需特別說明的是，跨接線段103I是對應設置於通孔V23-1與V23-2(鄰近於第1D圖的通孔V12-1)之間，以耦接第二區A2的外圈至跨接線段102C。同理，跨接線段103H是對應設置於通孔V23-3(鄰近於第1D圖的通孔V12-2)與V23-4之間，以耦接跨接線段102C至第一區A1的外圈。換言之，於一些實施例中，跨接線段102C可同時用於橋接第1D圖的電感110以及第1G圖的電感120。
於一些實施例中，第1H圖的多個導電線段102與第1F圖的多個跨接線段103A~103O經由多個通孔V23相互耦接以形成電感120。例如，如第1G圖所示，多個導電線段102自電感120的第一埠P2-1依序經由第二區A2的外圈、跨接線段103I、跨接線段102C、跨接線段103H、第一區A1的外圈、多個跨接線段103D、103A與103E、第一區A1的內圈以及多個跨接線段103B、103C、103F與103A(與/或第一區A1的外圈線段102-1)、電感120的第三埠P2-3、跨接線段103G設置，並耦接至第二區A2鄰近第一區A1的外圈。接著，多個導電線段102自第二區A2的外圈經由多個跨接線段103M、103O、 103K、第二區A2的內圈以及多個跨接線段103N、103L與103J、103O(與/或第二區A2的外圈線段102-2)設置，並耦接至第二埠P2-2。於一些實施例中，第一埠P2-1與第二埠P2-2可操作為輸入/輸出埠，第三埠P2-3可操作為中央抽頭。
於一些實施例中，電感120可在不使用第一區A1的外圈線段102-1以及第二區A2的外圈線段102-2進行操作，於此條件下，電感120的外圈可透過跨接線段103A的左側與103O的右側以及額外的通孔V23(未繪示)連接，其中，跨接線段103A的左側和右側不相連，跨接線段103O的左側和右側不相連。相較於上述例子，如第1G圖所示，由於RDL的阻值低於金屬層M6的阻值，藉由設置外圈線段102-1與102-2，可進一步降低電感120走線的阻值，以提升電感120的效能。
於一些實施例中，第1E圖的多個導電線段102與第1C圖的跨接線段102C在第一區A1與第二區A2形成多個螺旋狀線圈，以形成8字型電感。例如，如第1G圖所示，在第一區A1的多個導電線段102由外圈向內圈並順時鐘地擺設，以形成螺旋狀線圈。在第二區A2的多個導電線段102由外圈向內圈並逆時鐘地擺設，以形成另一螺旋狀線圈。此兩個線圈可形成8字型電感120，且此兩個線圈所產生的磁場方向互相相反，如先前所述，此種設置方式可降低雜訊耦合，以使電感120的效能提升。
據此，第1A圖的變壓器裝置100可由第1D圖的電感110與第1G圖的電感120形成，其中電感110堆疊於電感120之上。於此例中，變壓器裝置100由不對稱的兩個電感110與 120形成。於一些實施例中，多個跨接線段102F~102G僅用於堆疊電感110。於此例中，電感110為兩個4圈的螺旋狀線圈，且電感120實質上為兩個3圈的螺旋狀線圈。於一些實施例中，由於互感的影響，電感110與電感120之間的電感比例實質上為3：2。
上述採用不對稱電感的變壓器裝置100僅為示例，本案並不依此為限。依據在不同應用，變壓器裝置100亦可採用對稱的兩個電感實現。
在一些相關技術中，使用兩個螺旋狀電感堆疊所形成的變壓器裝置通常需要至少四層的金屬層來實現。由於各金屬層阻值不同，若使用的金屬層數越多，可能會使得電感之間的對稱性降低，而降低了品質因素。此外，當使用的金屬層數越多，可能需要更多的面積來提高電感的對稱性。
相較於上述相關技術，如先前所述，電感110由設於第一層(例如為UTM層)之多個導電線段101與設於第二層(例如為RDL)的部分導電線段102形成，且電感120由設於第二層之多個導電線段102與設於第三層的導電線段103形成。電感110的斷開部分可藉由第二層的多個跨接線段102A~102G連接，電感120的斷開部分可藉由第三層的多個跨接線段103A~103O連接。
如第1D圖所示，由外圈連至內圈的多個導電線段101與多個跨接線段102A~102G在X方向上形成多個交錯部分CR1。例如，跨接線段102A用以連接位於第一區A1的螺旋形電感之一圈至另一圈並與導電線段101交錯設置，而形成交 錯部分CR1。依此類推，電感110在X方向上具有多個交錯部分CR1。如第1G圖所示，由外圈連至內圈的多個導電線段102與多個跨接線段103C、103D、103L與103M在Y方向上形成多個交錯部分CR2-1與CR2-2，其中X方向不同於Y方向。例如，跨接線段103C用以連接位於第一區A1的螺旋形電感之一圈至另一圈並與導電線段102交錯設置，而形成交錯部分CR2-1的一部分。依此類推，電感120在Y方向上具有多個交錯部分CR2-1與CR2-2。藉由上述設置方式，電感110與電感120的交錯部分可以彼此錯開。如此，可在單位面積內密集地利用阻值最低的兩層金屬層(例如為UTM層與RDL)來形成電感110與120，進而提高變壓器裝置100的效能。
前述實施例中，僅以方形電感為例說明，但本案並不以此為限。各種形狀(例如：六角形、八角形等等)的電感皆可適用於上述設置方式，故亦為本案所涵蓋的範圍。於方形電感的實施例中，X方向與Y方向可為兩個互相垂直的方向。於具有不同形狀電感的實施例中，X方向不同於Y方向。
參照第2圖，第2圖為根據本案一些實施例所繪示之第1A圖的變壓器裝置100的量測結果。如先前所述，變壓器裝置100採用不對稱的電感110與120形成。如第2圖所示，電感110的電感曲線L1與品質因素Q1皆不同於電感120的電感曲線L2與品質因素Q2。如第2圖所示，藉由本案的設置方式，可以有效地提高堆疊型電感的品質因素。例如，如第2圖所示，當應用於2.4G的頻率時，電感110的電感值約為4.93奈亨利(nH)並具有約為6.06的品質因素。電感120的電感值約為 3.2nH並具有約為3.69的品質因素。上述數值僅用於示例，本案並不限於上述數值。
參照第3圖，第3圖為根據本案一些實施例所繪示第1A圖的變壓器裝置300之其他設置示意圖。
相較於第1A圖，於此例中，多個導電線段101形成兩個3圈的螺旋狀線圈，且多個導電線段102形成兩個4圈的螺旋狀線圈，以形成電感比為3：2的變壓器裝置300。於各個不同的實施例中，電感110的圈數與電感120的圈數可根據實際要求進行調整。因此，各種圈數的電感110與電感120皆為本案所涵蓋的範圍。於不同的實施例中，多個導電線段101與102的圈數或其最內圈是否需設置多個通孔V12可依據電感之間的容值與/或品質因素等等條件調整。
參照第4圖，第4圖為根據本案一些實施例所繪示第1A圖的多個導電線段101與102的其他設置示意圖。
相較於第1A圖，於此例中，電感110的第一埠P1-1與第二埠1-2改設置於第二區A2，且電感120的第一埠P2-1與第二埠P2-2改設置於第一區A1。於各個不同的實施例中，電感110之第一埠P1-1與第二埠1-2以及電感120之第一埠P2-1與第二埠P2-2的擺放位置可根據實際要求進行調整。
在一些實施例中，若需要採用中央抽頭的條件下，可於第一埠P1-1與第二埠P1-2之間訊號路徑的中間位置設置一中央抽頭埠(例如為前述的第三埠P1-3)，且可於第一埠P2-1與第二埠P2-2之間訊號路徑的中間位置設置另一中央抽頭埠(例如為前述的第三埠P2-3)。
參照第5圖，第5圖為根據本案一些實施例所繪示第1A圖的多個導電線段102與103的其他設置示意圖。
於此例中，多個導電線段103更包含跨接線段103P~103S。跨接線段103P的兩端各自設置有通孔V23，以耦接第一埠P2-1至第二區A2的內圈之一端。跨接線段103Q的兩端上各自設置有通孔V23，以耦接第二埠P2-2至第二區A2的內圈之另一端。跨接線段103R與103S的兩端設置有通孔V23，以耦接第三埠P2-3至第一區A1的內圈。
如先前第1G圖所示，電感120的多個導電線段102是在第一區A1由外圈向內圈設置，再於第二圈A2由外圈向內圈設置。相較於第1G圖，於此例中，多個導電線段102是依序在第二區A2由內圈向外圈地設置一半的繞組，接著於第一區A1設置所有繞組，再回到第二區A2設置剩餘的繞組以形成電感。
為易於說明，線圈的多圈繞組由外至內依序為第一圈、第二圈、第三圈與第四圈，其中第四圈設置以經由導電線段103耦接至第三圈。如第5圖所示，多個導電線段102與103自第一埠P2-1依序經由跨接線段103P、第二區A2的多圈繞組之一部分(包含第三圈繞組的左半部、第二圈繞組的右半部、第一圈繞組的左半部)、第一區A1之多圈繞組、第二區A2的多圈繞組之另一部分(包含第一圈繞組的右半部、第二圈繞組的左半部以及第三圈繞組的左半部)以及跨接線段103Q設置，並耦接至第二埠P2-2。藉由此設置方式，當操作於共模模式(即第一埠P2-1與第二埠P2-2接收相同方向的電流)時，自第一埠 P2-1所接收的訊號與第二埠P2-2所接收訊號在電感120內會具有相反電流方向。如此，可使得電感120的共模電感值更低。
上述的設置方式僅以電感120為例說明。於其他的一些實施例中，電感110亦可適用於類似的設置方式。亦即第一埠P1-1、第二埠P1-2與第三埠P1-3自內圈經由額外線段延伸而出，其中多個導電線段101可依序在第一區A1由內圈向外圈地設置一半的路徑，接著於第二區A2繞設，再回到第一區A1設置剩餘的路徑。於一些實施例中，前述的額外線段可由導電線段102實施。此處之設置方式類似於第5圖之相關說明，故於此不再重複贅述。
綜上所述，本案藉由設置在不同方向上的跨接線段來連接不同層的導電線段來形成電感。如此，可在單位面積內有效地提升電感的品質因素，進而改善變壓器裝置的效能。
雖然本案已以實施方式揭露如上，然其並非限定本案，任何熟習此技藝者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (10)

  1. 一種變壓器裝置，包含：複數個第一導電線段，形成於一第一金屬層；複數個第二線段，形成於一第二金屬層，並包含複數個第二導電線段以及複數個第一跨接線段，其中該些第一跨接線段用於連接該些第一導電線段，以形成一第一電感；以及複數個第三導電線段，形成於一第三金屬層並包含複數個第二跨接線段，其中該第二金屬層位於該第三金屬層上，且該些第三導電線段用於連接該些第二導電線段，以形成一第二電感，其中該第一電感位於該第二電感上，該些第一跨接線段與該些第一導電線段在一第一方向上形成複數個第一交錯部分，該些第二跨接線段與該些第二導電線段在一第二方向上形成複數個第二交錯部分，且該第一方向不同於該第二方向。
  2. 如請求項1所述的變壓器裝置，其中該些第一導電線段於一第一區形成一第一螺旋狀線圈並於一第二區形成一第二螺旋狀線圈，該第一螺旋狀線圈與該第二螺旋狀線圈每一者具有複數圈繞組，且該第一螺旋狀線圈與該第二螺旋狀線圈用以形成該第一電感。
  3. 如請求項2所述的變壓器裝置，其中該第一電感包含一第一埠、一第二埠與一第三埠，該些第一導電線段於該第一區內由該第一螺旋狀線圈之外圈向該第一螺旋狀線圈之內圈設置，並自該第一埠經由一部分的該些第一跨接線段耦接至該第二螺旋狀線圈之外圈，且該些第一導電線段於該第二區內由該第二螺旋狀線圈之外圈向該第二螺旋狀線圈之內圈設置，並自該第三埠經由另一部分的該些第一跨接線段耦接至該第二埠。
  4. 如請求項2所述的變壓器裝置，其中該些第一跨接線段中之一者用於連接該第一螺旋狀線圈之一第一圈至該第一螺旋狀線圈之一第二圈，並與該些第一導電線段中之一者交錯設置，以形成該些第一交錯部分之一者。
  5. 如請求項1所述的變壓器裝置，其中該些第二導電線段於一第一區形成一第一螺旋狀線圈並於一第二區形成一第二螺旋狀線圈，該第一螺旋狀線圈與該第二螺旋狀線圈每一者具有複數圈繞組，且該第一螺旋狀線圈與該第二螺旋狀線圈用以形成該第二電感。
  6. 如請求項5所述的變壓器裝置，其中該第二電感包含一第一埠、一第二埠與一第三埠，該些第二導電線段於該第一區內由該第一螺旋狀線圈之外圈向該第一螺旋狀線圈之內圈設置，並自該第一埠經由一部分的該些第二跨接線段設置以耦接至該第二螺旋狀線圈之外圈，且該些第二導電線段於該第二區內由該第二螺旋狀線圈之外圈向該第二螺旋狀線圈之內圈設置，並自該第三埠經由另一部分的該些第二跨接線段設置以耦接至該第二埠。
  7. 如請求項5所述的變壓器裝置，其中該些第二跨接線段中之一者為用於連接該第一螺旋狀線圈之一第一圈至該第一螺旋狀線圈之一第二圈，並與該些第二導電線段中之一者交錯設置，以形成該些第二交錯部分之一者。
  8. 如請求項1所述的變壓器裝置，其中該些第一導電線段或該些第二導電線段於一第一區形成一第一螺旋狀線圈並於一第二區形成一第二螺旋狀線圈，且該第一螺旋狀線圈與該第二螺旋狀線圈每一者具有複數圈繞組，其中該些第一導電線段或該些第二導電線段經設置以依序形成該第一螺旋狀線圈之該些圈繞組的一部分、該第二螺旋狀線圈之該些圈繞組以及該第一螺旋狀線圈之該些圈繞組的剩餘部分。
  9. 如請求項8所述的變壓器裝置，其中該些第一導電線段或該些第二導電線段於該第一區內自該第一螺旋狀線圈之內圈向該第一螺旋狀線圈之外圈設置，且該些第一導電線段或該些第二導電線段於該第二區內由該第二螺旋狀線圈之內圈向該第二螺旋狀線圈之外圈設置。
  10. 如請求項1所述的變壓器裝置，更包含：複數個第一通孔，該些第一通孔對應設置於該些第一跨接線段之複數個末端設置，以耦接該些第一跨接線段至該些第一導電線段；以及複數個第二通孔，該些第二通孔對應設置於該些第三導電線段之複數個末端設置，以耦接該些第二跨接線段至該些第二導電線段。
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