TWI632661B - 積體電感裝置 - Google Patents

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TWI632661B
TWI632661B TW106132291A TW106132291A TWI632661B TW I632661 B TWI632661 B TW I632661B TW 106132291 A TW106132291 A TW 106132291A TW 106132291 A TW106132291 A TW 106132291A TW I632661 B TWI632661 B TW I632661B
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顏孝璁
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瑞昱半導體股份有限公司
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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    • H01F17/0006Printed inductances
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    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01F5/04Arrangements of electric connections to coils, e.g. leads
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5227Inductive arrangements or effects of, or between, wiring layers

Abstract

本案涉及一種積體電感裝置,其包含第一線圈、第二線圈、第三線圈及第四線圈。第一線圈設置於積體電路結構的第一層。第二線圈亦設置於第一層且與第一線圈相鄰,第二線圈與該第一線圈具相同之繞組圈數。第三線圈設置於積體電路結構的第二層且位於第一線圈上方。第四線圈設置於第二層且位於第二線圈上方,第四線圈與第三線圈具相同之繞組圈數。其中第一層的第一線圈交錯耦接於第二層的第四線圈,第一層的第二線圈交錯耦接於第二層的第三線圈。

Description

積體電感裝置
本案涉及一種積體電路,尤為一種積體電路中的積體電感裝置。
電感結構為現今積體電路中不可或缺的一種元件。其中,八字型電感其具有對稱的電性,且其兩端可產生方向相反的磁場,使八字型電感產生的磁場可以相互抵消,如此可對積體電路中的其他元件造成較小的影響,故被廣泛使用於積體電路當中,尤為運用於變壓器(Transformer)之設計。然而,習知技術中的若干八字型電感尚難做到完全電性對稱。
本案之一目的是在提供一種積體電感裝置,尤為一種雙(Twin)電感結構,可利用於變壓器之設計,藉以改善先前技術中八字型電感或結構相似之變壓器的電性對稱問題。
本案之實施態樣涉及一種積體電感裝置,包含第一線圈、第二線圈、第三線圈以及第四線圈。第一線圈係設置於一積體電路結構的第一層。第二線圈係設置於第一層且與第 一線圈相鄰,其中第二線圈與第一線圈具相同之繞組圈數。第三線圈係設置於積體電路結構的第二層且位於第一線圈上方。第四線圈係設置於第二層且位於第二線圈上方,其中第四線圈與第三線圈具相同之繞組圈數。其中第一層的第一線圈交錯耦接於第二層的該第四線圈,而第一層的第二線圈交錯耦接於第二層的第三線圈。
因此,根據本案之技術內容,本案實施例藉由提供一種積體電感裝置,此積體電感裝置之結構配置使其較先前技術具有更佳之電性對稱性。
100‧‧‧第一線圈
101‧‧‧起始端
200‧‧‧第二線圈
201‧‧‧起始端
300‧‧‧第三線圈
301‧‧‧尾端
400‧‧‧第四線圈
401‧‧‧尾端
500‧‧‧第一線圈
501‧‧‧起始端
600‧‧‧第二線圈
601‧‧‧起始端
700‧‧‧第三線圈
701‧‧‧尾端
800‧‧‧第四線圈
801‧‧‧尾端
A‧‧‧第一區
B‧‧‧第二區
C‧‧‧第三區
D‧‧‧第四區
L1‧‧‧第一假想直線
L2‧‧‧第二假想直線
C1‧‧‧第一連接元件
C2‧‧‧第二連接元件
C3‧‧‧第一連接元件
C4‧‧‧第二連接元件
CA‧‧‧第一中心點
CB‧‧‧第二中心點
CC‧‧‧第三中心點
CD‧‧‧第四中心點
P1‧‧‧第一埠
P2‧‧‧第二埠
P31‧‧‧第三埠
P32‧‧‧連接點
P41‧‧‧第四埠
P42‧‧‧連接點
P5‧‧‧第一埠
P6‧‧‧第二埠
P71‧‧‧第三埠
P72‧‧‧連接點
P81‧‧‧第四埠
P82‧‧‧連接點
T1‧‧‧基準點
T2‧‧‧基準點
T3‧‧‧基準點
T4‧‧‧基準點
T5‧‧‧基準點
T6‧‧‧基準點
Q、L‧‧‧曲線
第1圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖;第2圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖;第3圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖;第4圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖;第5圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖;第6圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖;以及第7圖為本案一實施例的積體電感裝置的實驗結果示意圖。
第1圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖。在本實施例中,繪示有第一線圈100以及第二線圈200, 兩者皆為平面線圈結構,第一線圈100以及第二線圈200皆設置於積體電路板(圖中未示)的第一層上。如圖中所示,於積體電路板的第一層上,繪示有第一假想直線L1自第一層的第一側延伸至第一層的第二側,以第一假想直線L1為界,積體電路板的第一層被約略劃分為第一區A以及第二區B,第一區A具有第一中心點CA,第二區B具有第二中心點CB。第一線圈100大致係以第一中心點CA為中心設置於第一區A當中,第二線圈200大致係以第二中心點CB為中心設置於第二區B當中。
在本實施例中,第一區A具有第一側、第二側、第三側以及第四側,若參照第1圖,第一區A的第一側係指第一區A的上側,第一區A的第二側係指第一區A的下側,第一區A的第三側係指第一區A的左側,第一區A的第四側係指第一區A的右側。第二區B同樣地具有第一側、第二側、第三側以及第四側,其排列方式同於第一區A的第一側、第二側、第三側以及第四側之排列方式。其中,第一區A的第四側與第二區B的第三側相鄰。
在本實施例中,第一線圈100的繞組圈數約略為兩圈,大致可分為位於內側的第一圈以及外側的第二圈,第一線圈100的第二圈於第一區A中環繞第一線圈100的第一圈。第一線圈100的第一圈具有起始端101,由起始端101起,第一線圈100的第一圈根據第一中心點CA逆時針地進行繞設,經過第一區A的第一側、第三側、第二側、第四側來到基準點T1,然後由基準點T1繞設至第一線圈100的第二圈。第一線圈100之第二圈的金屬線段係自第一區A的基準點T1起,根據第一中心 點CA逆時針地進行繞設,經過第一區A的第一側、第三側、第二側、第四側耦接到第一連接元件C1。第一埠P1設置於第一區A的右上角與第一線圈100的第二圈外側。第一線圈100的起始端101係經由第一連接線段(圖中未示)耦接於第一埠P1,第一連接線段係設置於積體電路板上不同於第一層的其他層,第一線圈100的起始端101經由通孔耦接至第一連接線段,而第一埠P1亦經由通孔耦接至第一連接線段。第一線圈100的尾端耦接於第一連接元件C1,第一連接元件C1設置於第一區A的右上方且於第一線圈100的第二圈外側,第一連接元件C1係為約略垂直於第一層地設置於第一層上,且第一連接元件C1係設置於第一區A與第二區B之間。
在本實施例中,第二線圈200的繞組圈數約略為兩圈,大致可分為位於內側的第一圈以及外側的第二圈,第二線圈200的第二圈於第二區B中環繞第二線圈200的第一圈。第二線圈200的第一圈具有起始端201,由起始端201起,第二線圈200的第一圈根據第二中心點CB逆時針地進行繞設,經過第二區B的第二側、第四側、第一側、第三側來到基準點T2,然後由基準點T2繞設至第二線圈200的第二圈。第二線圈200之第二圈的金屬線段係自第二區B的基準點T2起,根據第二中心點CB逆時針地進行繞設,經過第二區B的第二側、第四側、第一側、第三側耦接到第二連接元件C2。第二埠P2設置於第二區B的左下角與第二線圈200的第二圈外側。第二線圈200的起始端201係經由第二連接線段(圖中未示)耦接於第二埠P2,第二連接線段係設置於積體電路板上不同於第一層的其他層,第 二線圈200的起始端201經由通孔耦接至第二連接線段,而第二埠P2亦經由通孔耦接至第二連接線段。第二線圈200的尾端則耦接於第二連接元件C2,第二連接元件C2設置於第二區B的左下方且於第二線圈200的第二圈外側,第二連接元件C2係為約略垂直於第一層地設置於第一層上,且第二連接元件C2係設置於第一區A與第二區B之間。
第2圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖。在本實施例中,繪示有第三線圈300以及第四線圈400,兩者皆為平面線圈結構,第三線圈300以及第四線圈400皆設置於積體電路板的第二層上,第二層位於如第1圖所示的第一層上方。如第2圖中所示,於積體電路板的第二層上,繪示有第二假想直線L2自第二層的第一側延伸至第二層的第二側,第二假想直線L2於空間中與第1圖的第一假想直線L1平行,以第二假想直線L2為界,積體電路板的第二層被約略劃分為第三區C以及第四區D,第三區C具有第三中心點CC,第四區D具有第四中心點CD,第三區C於空間中位於第1圖的第一區A的正上方,第四區D於空間中位於第1圖的第二區B的正上方。第三線圈300大致係以第三中心點CC為中心設置於第三區C當中,第四線圈400大致係以第四中心點CD為中心設置於第四區D當中。
在本實施例中,第三區C與第四區D分別具有第一側、第二側、第三側以及第四側,其四側的排列順序同於第1圖中的第一區A以及第二區B。其中,第三區C的第四側與第四區D的第三側相鄰。
在本實施例中,第三線圈300的繞組圈數約略為兩圈,大致可分為位於外側的第一圈以及內側的第二圈,第三線圈300的第一圈於第三區C中環繞第三線圈300的第二圈。第三線圈300的第一圈具有起始端,第三線圈300的起始端耦接於如第1圖所示的第二連接元件C2。由第二連接元件C2起,第三線圈300的第一圈根據第三中心點CC順時針地進行繞設,經過第三區C的第二側、第三側、第一側、第四側來到基準點T3,然後由基準點T3繞設至第三線圈300的第二圈。第三線圈300之第二圈的金屬線段係自第三區C的基準點T3起,根據第三中心點CC順時針地進行繞設,經過第三區C的第二側、第三側、第一側、第四側耦接到尾端301。第三線圈300的尾端301耦接於第三埠P31,第三埠P31設置於如第1圖所示的第一層中,第三埠P31設置於第一區A的右下角且設置於第一線圈100的第二圈外側。第三線圈300的尾端301係先耦接至設置於第一層上的連接點P32,再由連接點P32經由第三連接線段(圖中未示)耦接於第三埠P31,第三連接線段係設置於積體電路板上不同於第二層的其他層,第三線圈300的尾端301經由通孔耦接至連接點P32,而第三埠P31亦經由通孔耦接至第三連接線段。
在本實施例中,第四線圈400的繞組圈數約略為兩圈,大致可分為位於外側的第一圈以及內側的第二圈,第四線圈400的第一圈於第四區D中環繞第四線圈400的第二圈。第四線圈400的第一圈具有起始端,第四線圈400的起始端耦接於如第1圖所示的第一連接元件C1。由第一連接元件C1起,第四線圈400的第一圈根據第四中心點CD順時針地進行繞設,經 過第四區D的第一側、第四側、第二側、第三側來到基準點T4,然後由基準點T4繞設至第四線圈400的第二圈。第四線圈400之第二圈的金屬線段係自第四區D的基準點T4起,根據第四中心點CD順時針地進行繞設,經過第四區D的第一側、第四側、第二側、第三側耦接到尾端401。第四線圈400的尾端401耦接於第四埠P41,第四埠設置於如第1圖所示的第一層中,第四埠P41設置於第二區B的左上角且設置於如第1圖所示的第二線圈200的第二圈外側。第四線圈400的尾端401係先耦接至設置於第一層上的連接點P42,再由連接點P42經由第四連接線段(圖中未示)耦接於第四埠P41,第四連接線段係設置於積體電路板上不同於第二層的其他層,第四線圈400的尾端401經由通孔耦接至連接點P42,而第四埠連接點P41亦經由通孔耦接至第四連接線段。
第3圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖。圖中所繪示者係為係為第1圖之實施例以及第2圖之實施例於空間中配置之實施態樣,關於圖中的元件標示,請一併參照第1圖與第2圖。於本實施例中,積體電路板的第二層係平行設置於第一層之上,第二層的第三區C於空間中位於第一層的第一區A的上方,第二層的第四區D於空間中位於第一層的第二區B的上方。於本實施例中,如第1圖及第2圖所示,設置於第一層的第一線圈100係經由第一連接元件C1交錯耦接至設置於第二層的第四線圈400,而設置於第一層的第二線圈200係經由第二連接元件C2交錯耦接至設置於第二層的第三線圈300。第一線圈100與第三線圈300於電流流通時能產生可約略 相消的相反磁場,第二線圈200與第四線圈400於電流流通時能產生可約略相消的相反磁場。
第4圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖。在本實施例中,於積體電路板的第一層上配置有第一線圈500以及第二線圈600,其中,第一線圈500以及第二線圈600於第一層中的配置相同於本案第1圖之第一線圈100以及第二線圈200之配置,其相關說明請參照第1圖。第4圖與第1圖所示之積體電感裝置的差異在於,第4圖之積體電感裝置的第一線圈500具有起始端501,而起始端501則耦接至第一埠P5,第二線圈600具有起始端601,起始端601則耦接至第二埠P6。另外,第4圖之積體電感裝置的第一線圈500耦接至第一連接元件C3,而第二線圈600耦接至第二連接元件C4。另外,第4圖的第一區A的基準點T5之位置係為對應第1圖的第一區A的基準點T1之位置,而第4圖的第二區B的基準點T6之位置係為對應第1圖的第二區B的基準點T2之位置。
第5圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖。在本實施例中,於積體電路板的第二層上配置有第三線圈700以及第四線圈800。第二層被第二假想直線L2劃分為第三區C以及第四區D,第三區C以及第四區D各自具有第一側、第二側、第三側以及第四側,此四側所指涉之方向同於本案第2圖,請一併參照第2圖的詳細說明。
在本實施例中,第三線圈700的繞組圈數約略為一圈。第三線圈700的第一圈具有起始端,起始端耦接於如第4圖所示的第二連接元件C4。由第二連接元件C4起,第三線圈 700的第一圈根據第三中心點CC順時針地進行繞設,經過第三區C的第二側、第三側、第一側、第四側然後耦接至尾端701。第三線圈700的尾端701耦接於第三埠P71,第三埠P71設置於如第4圖所示的第一層中。第三線圈700的尾端係先耦接至設置於第一層上的連接點P72,再由連接點P72經由第三連接線段(圖中未示)耦接於第三埠P71,第三連接線段係設置於積體電路板上不同於第二層的其他層。
在本實施例中,第四線圈800的繞組圈數約略為一圈。第四線圈800的第一圈具有起始端,起始端耦接於如第4圖所示的第一連接元件C3。由第一連接元件C3起,第四線圈800的第一圈根據第四中心點CD順時針地進行繞設,經過第四區D的第一側、第四側、第二側、第三側,然後耦接至尾端801。第四線圈800的尾端801耦接於第四埠P81,第四埠P81設置於如第4圖所示的第一層中。第四線圈800的尾端801係先耦接至設置於第一層上的連接點P82,再由連接點P82經由第四連接線段(圖中未示)耦接於第四埠P81,第四連接線段係設置於積體電路板上不同於第二層的其他層。
第6圖為本案一實施例的積體電感裝置的示意圖。圖中所繪示者係為係為第4圖之實施例以及第5圖之實施例於空間中配置之實施態樣。根據第4圖與第5圖之實施例,於積體電路板中,第二層係平行設置於第一層之上,第二層的第三區C於空間中位於第一層的第一區A的上方,第二層的第四區D於空間中位於第一層的第二區B的上方。於空間中,配置於第一層的第一線圈500係經由第一連接元件C3交錯耦接至配 置於第二層的第四線圈800,而配置於第一層的第二線圈600係經由第二連接元件C4交錯耦接至配置於第二層的第三線圈700。
第7圖為本案一實施例的積體電感裝置的實驗結果示意圖。請參照第7圖,其中橫軸表示的係為頻率,縱軸表示的係為表示品質因子(Q factor)以及電感量(Inductance)之值。本圖實驗中所測量之積體電感裝置其線圈配置如本案上述實施例所示,其各線圈實際的線寬為2微米(μm),而各線圈的半徑長度為25微米。其中,曲線Q所繪示者係為利用本案上述實施例之積體電感裝置的品質因子曲線,其實際上為自本案的第一線圈和第四線圈所耦接構成的電感結構量測到的品質因子值,而自本案的第二線圈和第三線圈所耦接構成的電感結構量測到的品質因子值亦重合於曲線Q,由圖中可見,在所有頻率之下,本案的雙(Twin)電感結構的品質因子值係為完全對應重合的。
請繼續參照第7圖,曲線L所繪示者為利用本案上述實施例之積體電感裝置的電感量曲線。同樣地,在所有頻率之下,自本案的第一線圈和第四線圈所耦接構成的電感結構量測到的電感量(L)值與自本案的第二線圈和第三線圈所耦接構成的電感結構量測到的電感量值亦完全重合於曲線Q之上。故知,本案所提供之積體電感裝置於兩組電感結構上量測到的品質因子以及電感量值係為相當對稱的,其對稱程度較之先前技術更佳。

Claims (10)

  1. 一種積體電感裝置,包含:一第一線圈,設置於一積體電路結構的一第一層;一第二線圈,設置於該第一層且與該第一線圈相鄰,其中該第二線圈與該第一線圈具相同之繞組圈數;一第三線圈,設置於該積體電路結構的一第二層且位於該第一線圈上方;以及一第四線圈,設置於該第二層且位於該第二線圈上方,其中該第四線圈與該第三線圈具相同之繞組圈數;其中該第一層的該第一線圈交錯耦接於該第二層的該第四線圈,該第一層的該第二線圈交錯耦接於該第二層的該第三線圈。
  2. 如請求項1所述之積體電感裝置,其中該第一線圈於該第一層的一第一側透過一第一連接元件耦接該第四線圈,該第二線圈於該第一層的一第二側透過一第二連接元件耦接該第四線圈,該第一側相對於該第二側。
  3. 如請求項2所述之積體電感裝置,其中該第一線圈耦接於一第一埠,該第二線圈耦接於一第二埠,該第三線圈耦接於一第三埠,該第四線圈耦接於一第四埠,該第一埠與該第四埠電性導通,該第二埠與該第三埠電性導通,其中該第一埠、該第二埠、該第三埠以及該第四埠皆配置於該第一層,其中該第一埠與該第四埠配置於該第一層中的該 第一側,該第二埠與該第三埠配置於該第一層中的該第二側。
  4. 如請求項2所述之積體電感裝置,其中自該第一層的該第一側向該第二側作一第一假想直線,該第一假想直線將該第一層劃分為一第一區以及一第二區,該第一線圈配置於該第一區,該第二線圈配置於該第二區,該第二層具有一第三區以及一第四區,該第三區位於該第一區的上方,該第四區位於該第二區的上方,第三線圈配置於該第三區,第四線圈配置於該第四區,該第一區、該第二區、該第三區以及該第四區各自具有依相同順序排列的一第一側、一第二側、一第三側以及一第四側。
  5. 如請求項4所述之積體電感裝置,其中該第一區具有一第一中心點,該第一線圈於該第一區的該第一側與該第四側之間耦接至一第一埠,該第一線圈自該第一區的該第一側起根據該第一中心點由內向外逆時針繞設兩圈,該第一線圈於該第一區的該第一側與該第四側之間耦接於該第一連接元件。
  6. 如請求項5所述之積體電感裝置,其中該第四區具有一第四中心點,該第四線圈於該第四區的該第一側與該第三側之間耦接至該第一連接元件,該第四線圈自該第四區的該第一側與該第三側之間起根據該第四中心點由外向內順時針繞設兩圈,該第四線圈於該第四區的該第一側與該第三側之間耦接至一第四埠。
  7. 如請求項5所述之積體電感裝置,其中該第四區具有一第四中心點,該第四線圈於該第四區的該第一側與該第三側之間耦接至該第一連接元件,該第四線圈自該第四區的該第一側與該第三側之間起根據該第四中心點由外向內順時針繞設一圈,該第四線圈於該第四區的該第一側與該第三側之間耦接至一第四埠。
  8. 如請求項4所述之積體電感裝置,其中該第二區具有一第二中心點,該第二線圈於該第二區的該第二側耦接至一第二埠,該第二線圈自該第二區的該第二側與該第三側之間起根據該第二中心點由內向外逆時針繞設兩圈,該第二線圈於該第二區的該第二側與該第三側之間耦接於該第二連接元件。
  9. 如請求項8所述之積體電感裝置,其中該第三區具有一第三中心點,該第三線圈於該第三區的該第二側與該第四側之間耦接至該第二連接元件,該第三線圈自該第三區的該第二側與該第四側之間起根據該第三中心點由外向內順時針繞設兩圈,該第三線圈於該第三區的該第二側與該第四側之間耦接至一第三埠。
  10. 如請求項8所述之積體電感裝置,其中該第三區具有一第三中心點,該第三線圈於該第三區的該第二側與該第四側之間耦接至該第二連接元件,該第三線圈自該第 三區的該第二側與該第四側之間起根據該第三中心點由外向內順時針繞設一圈,該第三線圈於該第三區的該第二側與該第四側之間耦接至一第三埠。
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