TWI553676B - 平面式變壓器及平衡不平衡轉換器之結構 - Google Patents

平面式變壓器及平衡不平衡轉換器之結構 Download PDF

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Description

平面式變壓器及平衡不平衡轉換器之結構
本發明是關於變壓器,尤其是關於平面式變壓器及平衡不平衡轉換器之結構。
用於射頻訊號接收端的積體電路常需要使用變壓器來調整訊號的阻抗匹配。積體電路之變壓器不外乎包含平面式的線圈,利用線圈之圈數比及耦合關係來達到阻抗匹配之效果。除了阻抗匹配之外,用於射頻訊號接收端的積體電路亦可能需要將訊號在共模(common mode)模式與差動(differential)模式之間作轉換。這類的轉換常使用一種平衡不平衡轉換器(balanced-to-unbalanced transformer),或稱為巴倫(BALUN)。平衡不平衡轉換器屬於變壓器的一種應用,在積體電路中也是由線圈所組成。因此,不論是變壓器或是平衡不平衡轉換器,如何安排其線圈,使線圈具有良好的耦合效果、高的品質因素(quality factor)Q及避免磁場散射(radiation)以保護其他元件成為重要的課題。
鑑於先前技術之不足,本發明之一目的在於提供一種平面式變壓器及平衡不平衡轉換器之結構,以提高品質因素Q及減少磁場散射。
本發明揭露了一種平面式變壓器結構,包含:一第一平面式線圈,包含一第一環狀結構、一第二環狀結構及一連接部,該第一環狀結構及該第二環狀結構透過該連接部相連接;一第二平面式線圈,其範圍與該第一環狀結構之範圍至少一部分重疊;以及一第三平面式線圈,其範圍與該第二環狀結構之範圍至少一部分重疊;其中該第一平面式線圈與該第二平面式線圈或該第三平面式線圈構成一變壓器。
本發明另揭露了一種平面式平衡不平衡轉換器結構,包含:一第一平面式線圈,包含一第一環狀結構、一第二環狀結構及一連接部,該第一環狀結構及該第二環狀結構透過該連接部相連接;一第二平面式線圈,其範圍與該第一環狀結構之範圍至少一部分重疊,具有一第一接點及一第二接點;以及一第三平面式線圈,其範圍與該第二環狀結構之範圍至少一部分重疊,具有一第三接點及一第四接點;其中該第一接點與該第三接點相連接,該第二接點與該第四接點相連接。
本發明之平面式變壓器及平衡不平衡轉換器之結構,相較於習知技術,提高了對稱性及品質因素Q,並且電感值容易調整因此更容易逹成阻抗匹配的需求。再者,本發明的結構亦減少磁場的散射以保護其他元件。
有關本發明的特徵、實作與功效,茲配合圖式作較佳實施例詳細說明如下。
以下說明內容之技術用語係參照本技術領域之習慣用語,如本說明書對部分用語有加以說明或定義,該部分用語之解釋係以本說明書之說明或定義為準。本發明之揭露內容包含平面式變壓器及平衡不平衡轉換器之結構,在實施為可能的前提下,本技術領域具有通常知識者能夠依本說明書之揭露內容來選擇等效之元件來實現本發明,亦即本發明之實施並不限於後敘之實施例。由於本發明之平面式變壓器及平衡不平衡轉換器之結構所包含之部分元件單獨而言可能為已知元件,因此在不影響該裝置發明之充分揭露及可實施性的前提下,以下說明對於已知元件的細節將予以節略。
請參閱圖1A~圖1D,其係依據本發明之一實施例之平面式變壓器的結構與其等效元件圖。圖1A所示之平面式變壓器100由三個平面式線圈組成。為了清楚說明平面式變壓器100之結構,將其細部構件顯示於圖1B及圖1C。圖1B為其中一平面式線圈120,包含環狀結構130、連接部140及環狀結構150。連接部140連接環狀結構130及環狀結構150。環狀結構130及環狀結構150各自包含圍繞成兩圈的金屬線段。其中不同圖案之金屬線段代表位於半導體結構中不同的金屬層,例如金屬線段132(以條紋表示)以及金屬線段134(以點狀表示)可以分別製作於半導體結構中之超厚金屬(Ultra Thick Metal, UTM)層及重佈線層(Re-Distribution Layer, RDL),或是相反。不同金屬層之金屬線段以垂直於該金屬線段之半導體結構(以黑色表示)相連接,例如連接結構136。連接結構136可以例如是導孔(via)結構。連接部140為一個交叉狀(crossing)的結構,因此由接點138進入環狀結構130的電流以逆時鐘方向流過環狀結構130的大部分的金屬線段後,經過金屬線段142進入環狀結構150。電流在環狀結構150中以順時鐘方向流經所有金屬線段後,再經由金屬線段144回到環狀結構130,最後由接點139流出平面式線圈120。如此的設計使得電流在兩個環狀結構中具有不同的電流方向,因此環狀結構130及環狀結構150所生成的磁場會互相耦合,可以避免磁場四處散射。
圖1C顯示平面式線圈160及平面式線圈170。平面式線圈160及平面式線圈170各自包含圍繞成三圈的金屬線段。同樣的,以灰色表示的金屬線段(例如金屬線段166)與以點狀表示的金屬線段(例如金屬線段168)位於半導體結構中的不同金屬層。在一個實施例中,平面式線圈160與平面式線圈170中灰色的金屬線段與平面式線圈120中條紋的金屬線段製作於半導體結構中的同一層,在其他實施例中亦可能製作於不同層。平面式線圈160及平面式線圈170各自形成一個對稱式的螺旋狀電感,並且兩電感的兩端分別為接點162、164以及接點172、174。
將圖1B之平面式線圈120與圖1C之平面式線圈160及平面式線圈170結合後,便如圖1A之平面式變壓器100所示。平面式線圈160與平面式線圈120不互相連接,同樣的,平面式線圈170與平面式線圈120亦不互相連接。平面式線圈160的範圍與環狀結構130的範圍至少一部分重疊,同樣的,平面式線圈170的範圍與環狀結構150的範圍至少一部分重疊。圖1A之平面式變壓器100可以利用圖1D之元件表示。線圈125代表平面式線圈120,線圈165代表平面式線圈160,線圈175代表平面式線圈170。線圈125之中央的接點152對應圖1A的接點152。此三個線圈即實現變壓器的功能。更明確地說,線圈125與線圈165可形成一變壓器,線圈125與線圈175可形成另一變壓器。在不同的實施例中,此三個線圈亦可作為平衡不平衡轉換器使用。線圈125的三個接點可以作為平衡不平衡轉換器的平衡傳輸端(balanced terminals);而線圈165的接點162可以先與線圈175的接點174相連接形成第一接點,線圈165的接點164可以先與線圈175的接點172相連接形成第二接點,第一接點及第二接點可以作為平衡不平衡轉換器的不平衡傳輸端(unbalanced terminals)。也就是說,當本發明用於平衡不平衡轉換器的應用時,上述的線圈165與線圈175呈並聯關係。此種連接關係的好處是,當環狀結構130與平面式線圈160的圈數差異不大,且環狀結構150與平面式線圈170的圈數差異不大時,可以藉由將平面式線圈160與平面式線圈170並聯來調整平面式線圈120與平面式線圈160及平面式線圈170的電感值的比例,以調整阻抗匹配。另外,可於任一組輸入/輸出端並聯一個或多個電容,亦可調整阻抗匹配。
請參閱圖2A及圖2B,其係依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構與其等效元件圖。平面式變壓器200同樣由三個平面式線圈所組成,分別為具有接點238及接點239的平面式線圈220、具有接點262及接點264的平面式線圈260以及具有接點272及接點274的平面式線圈270。與平面式線圈120類似,平面式線圈220由兩個環狀結構及一個連接部所組成,連接部連接兩個環狀結構。連接部同樣為交叉狀的結構,因此電流在兩個環狀結構中的方向不同,有助於減少平面式線圈220的磁場向外散射。平面式線圈260及平面式線圈270同樣為對稱式螺旋狀電感。平面式線圈260還包含中央抽頭(central tap)266,平面式線圈270還包含中央抽頭276。
圖2A之平面式變壓器200可以利用圖2B之元件表示。線圈225代表平面式線圈220,線圈265代表平面式線圈260,線圈275代表平面式線圈270。此三個線圈即實現變壓器的功能。更明確地說,線圈225與線圈265可形成一變壓器,線圈225與線圈275可形成另一變壓器。在不同的實施例中,此三個線圈亦可作為平衡不平衡轉換器使用。線圈225的二個接點可以作為平衡不平衡轉換器的不平衡傳輸端;而線圈265的接點262、264及266可以先分別與線圈275的接點274、272及276相連接。連接後線圈265與線圈275成為一個並聯的線圈。該並聯的線圈的三個接點可以作為平衡不平衡轉換器的平衡傳輸端。同樣的,藉由將線圈並聯可以調整平面式線圈220與平面式線圈260及平面式線圈270的電感值的比例,以進一步調整阻抗匹配。此外,本實施例亦可藉由在平面式線圈220上設置跨接金屬線段來分別連接平面式線圈220之其中之一環狀結構(圖左側)的外圈與內圈,以及另一環狀結構(圖右側)的外圈與內圈,例如跨接金屬線段222及跨接金屬線段224。以跨接金屬線段連接內外圈後平面式線圈220的電感值將下降。也就是說,本實施例藉由設置跨接金屬線段來進一步調整阻抗匹配。跨接金屬線段222或224的兩端分別連接平面式線圈220之部分的金屬線段,被跨接金屬線段222或跨接金屬線段224連接的金屬線段基本上互相平行,並且中間包含其他元件之金屬線段。舉例來說,與跨接金屬線段222兩端連接之金屬線段為平面式線圈220之金屬線段,而中間部分的金屬線段為平面式線圈260的金屬線段。平面式線圈260的金屬線段不與跨接金屬線段222以及平面式線圈220的金屬線段相連接。請注意,這裡僅以跨接金屬線段222及跨接金屬線段224為例作說明,平面式線圈220可以包含如圖2A所示或是更多的跨接金屬線段。
請參閱圖3,其係依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構。圖3之結構與圖2A相似,平面式線圈320具有兩個接點,而平面式線圈360與平面式線圈370各具有3個接點。因此圖3之結構的等效元件圖與圖2B相似。應用於平衡不平衡轉換器時,同樣可以將平面式線圈320作為不平衡傳輸端,將平面式線圈360及平面式線圈370的並聯作為平衡傳輸端。與圖2A之實施例不同的是,平面式變壓器300沒有跨接金屬線段,且包含製作於第三層(有別於條紋及灰色金屬線段所屬之金屬層及點狀金屬線段所屬之金屬層)之金屬線段,即金屬線段322、金屬線段324及金屬線段326。此外,在圖2A之實施例中,具有三個端點之線圈(即平面式線圈260及平面式線圈270)的最外圈位於具有二個端點之線圈(即平面式線圈220)的最外圈之內,但圖3A為另一種不同的實施方式。
請參閱圖4,其係依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構。平面式變壓器400之平面式線圈420、平面式線圈460及平面式線圈470的配置與圖3之實施例相似,但平面式線圈420沒有直接與其接點438及接點439相連接。接點438及接點439直接連接連接部440,再透過連接部440連接平面式線圈420。將接點438及接點439設置於平面式線圈420的中間可以提高平面式線圈420的對稱性,也就是平面式線圈420的兩個環狀結構以接點438及接點439的連線為對稱軸對稱。連接部440不再是交叉狀的結構,而是兩個不交叉的金屬線段。電流在兩個環狀結構中仍以不同的方向流動,所以這樣的平面式線圈420不僅提高對稱性,且仍具有避免磁場向外散射的功效。由實驗結果得知,提升對稱性有助提高平面式線圈420的品質因素Q。
請參閱圖5,其係依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構。平面式變壓器500之平面式線圈520、平面式線圈560及平面式線圈570的配置與圖4之實施例相似,平面式線圈520的接點538及接點539同樣設置在平面式線圈520的中心位置以提升平面式線圈520的對稱性及其品質因素Q。接點538直接連接平面式線圈520的其中一個環狀結構,接點539直接連接平面式線圈520的另一個環狀結構,而不是透過連接部540連接。本實施例中平面式線圈520的兩個環狀結構同樣具有不同的電流方向,以避免磁場向外散射。相較於圖4之實施例,電流由任一接點進入平面式線圈520後,會先流經兩個環狀結構之其中之一的全部,再經由連接部540流至另一個環狀結構。此電流的時間差使得先有電流流通之環狀結構所產生的磁場可以順利地與另一環狀結構所產生的磁場耦合。由實驗結果得知,平面式線圈520的磁場耦合效果提高有助提升平面式線圈560及平面式線圈570的品質因素Q。因此與圖4的實施例相較,圖5之實施例不僅提高對稱性,亦提升品質因素Q。
請參閱圖6,其係依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構。平面式變壓器600包含平面式線圈620、平面式線圈660及平面式線圈670。平面式線圈660的接點662及接點664形成傳輸埠669,以及平面式線圈670的接點672及接點674形成傳輸埠679。傳輸埠669與傳輸埠679分別朝向遠離連接部640的方向。傳輸埠669與傳輸埠679的連線形成對稱軸A-A’,平面式線圈660或平面式線圈670依據此對稱軸A-A’對稱。這樣設計的優點在於平面式線圈660及平面式線圈670有更好的對稱性。更明確地說,平面式線圈660及平面式線圈670在靠近連接部640的部分的磁場耦合效應明顯。此耦合效應不論對平面式線圈660而言或是對平面式線圈670而言都是對稱的(對稱於對稱軸A-A’)。較佳的對稱性有助提升其品質因素Q。此實施中,平面式線圈620的接點638及接點639雖設置於平面式線圈620的其中一個環狀結構上,然而亦可以如圖4或圖5所示之實施例一般,將接點638及接點639設置於平面式線圈620的中間位置。
請參閱圖7,其係依據本發明之另一實施例之平衡不平衡轉換器的結構。平衡不平衡轉換器700包含平面式線圈720、平面式線圈760及平面式線圈770。平面式線圈760的傳輸埠769(由其兩個接點所構成)及平面式線圈770的傳輸埠779(由其兩個接點所構成)分別朝向連接部740(包含金屬線段740-1及金屬線段740-2)。類似地,傳輸埠769與傳輸埠779的連線形成對稱軸(圖未示),不論是平面式線圈760或平面式線圈770皆對稱於此對稱軸。平面式線圈760的其中一個接點與平面式線圈770的其中一個接點相連接後形成接點782,平面式線圈760的另一個接點與平面式線圈770的另一個接點相連接後形成接點784。另外,平面式線圈760的中央抽頭766也可與平面式線圈770的中央抽頭776連接。也就是說在這樣的設置下,平面式線圈760與平面式線圈770自然形成並聯,使得平面式線圈720成為平衡不平衡轉換器700的不平衡傳輸端,平面式線圈760與平面式線圈770的並聯成為平衡不平衡轉換器700的平衡傳輸端。
請參閱圖8,其係依據本發明之另一實施例之平衡不平衡轉換器的結構。平衡不平衡轉換器800包含平面式線圈820、平面式線圈860及平面式線圈870。平面式線圈860的傳輸埠869(由其兩個接點所構成)及平面式線圈870的傳輸埠879(由其兩個接點所構成)分別朝向平面式線圈820的連接部。與圖7之實施例不同的是,此連接部為一個交叉狀的結構。傳輸埠869與傳輸埠879的連線形成對稱軸(圖未示),不論是平面式線圈860或平面式線圈870皆對稱於此對稱軸。平面式線圈860的其中一個接點與平面式線圈870的其中一個接點相連接後形成接點882,平面式線圈860的另一個接點與平面式線圈870的另一個接點相連接後形成接點884。另外,平面式線圈860的中央抽頭866也可與平面式線圈870的中央抽頭876連接。也就是說在這樣的安排下,平面式線圈860與平面式線圈870自然形成並聯,使得平面式線圈820成為平衡不平衡轉換器800的不平衡傳輸端,平面式線圈860與平面式線圈870的並聯成為平衡不平衡轉換器800的平衡傳輸端。
不論是變壓器或是平衡不平衡轉換器,當有需要調整平面式線圈的電感值來達成阻抗匹配的需求時,可以藉由將同一平面式線圈的金屬線段並排,以藉由提高金屬線段間的互感(mutual inductance)來增加該平面式線圈的電感值。請參閱圖9,其係本發明增加平面式線圈之電感值之一實施方示的結構圖。圖9顯示兩個平面式線圈的局部結構,此兩個平面式線圈具有至少部分重疊的範圍。金屬線段910及金屬線段940屬於其中一平面式線圈,金屬線段920及金屬線段930屬於另一平面式線圈。金屬線段920及金屬線段930相鄰排列,中間不包含其他平面式線圈之金屬線段,因此金屬線段920與金屬線段930具有良好的互感效應,有助提升其所屬之平面式線圈的電感值。此外,跨接金屬線段950的一端連接金屬線段910(透過連接結構952),另一端連接金屬線段940(透過連接結構954),其中間橫跨非屬與其相連接之平面式線圈的金屬線段,亦即金屬線段920與金屬線段930不與金屬線段910或金屬線段940相連接。藉由跨接金屬線段950的連接, 金屬線段910及金屬線段940所屬之平面式線圈的電感值會降低。藉由圖9之設計,可以進一步提高兩個平面式線圈的電感值的比例,藉此調整阻抗匹配。
請參閱圖10,其係對應本發明之變壓器或平衡不平衡轉換器之半導體結構的剖面圖。基板1010之上為氧化層1020。氧化層1020中間包含圖案接地保護層(pattern-ground shielding)1022及金屬層1024。氧化層1020之上為另一金屬層1030。金屬層1024例如是半導體製程中的超厚金屬層,金屬層1030例如是重佈線層。前述之實施例中,以灰色及條紋表示的金屬線段可製作於同一金屬層,而以點狀表示的金屬線段(包含跨接金屬線段)可製作於另一金屬層。也就是三個平面式線圈的大部分的金屬線段皆製作於同一金屬層。在其他的實施例中,三個平面式線圈的至少其中之一可製作於不同的金屬層。然而即使將螺旋狀電感之平面式線圈與具有兩個環狀結構之平面式線圈製作於不同的金屬層,兩者之間仍實質上具有至少一部分重疊的範圍。圖案接地保護層1022能夠避免平面式線圈與基板1010之間產生基板損耗,基板損耗會使平面式線圈的品質因素Q下降。連接結構1040即代表圖1~圖9中黑色部分之連接結構,例如連接結構136、連接結構952、954。請注意,即使三個平面式線圈分佈於金屬層1024及金屬層1030,本發明仍可利用氧化層1020中的其他金屬層(圖未示)來製作跨接金屬線段。
上揭之實施例中平面式線圈及環狀結構雖然以四邊形為例,但亦有可能為其他多邊形或是圓形。此外,平面式線圈的圈數亦不受限於上述之實施例。前揭圖示中,元件之形狀、尺寸以及比例等僅為示意,係供本技術領域具有通常知識者瞭解本發明之用,非用以限制本發明。另外,於實施為可能的前提下,本技術領域人士可依本發明之揭露內容及自身的需求選擇性地實施任一實施例之部分或全部技術特徵,或者選擇性地實施複數個實施例之部分或全部技術特徵之組合,藉此增加本發明實施時的彈性。
雖然本發明之實施例如上所述,然而該些實施例並非用來限定本發明,本技術領域具有通常知識者可依據本發明之明示或隱含之內容對本發明之技術特徵施以變化,凡此種種變化均可能屬於本發明所尋求之專利保護範疇,換言之,本發明之專利保護範圍須視本說明書之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400、500、600‧‧‧平面式變壓器
120、160、170、220、260、270、320、360、370、420、460、470、520、560、570、620、660、670、720、760、770、820、860、870‧‧‧平面式線圈
125、165、175、225、265、275‧‧‧線圈
130、150‧‧‧環狀結構
132、134、142、144、166、168、322、324、326、910、920、930、940‧‧‧金屬線段
136、952、954、1040‧‧‧連接結構
138、139、152、162、164、172、174、238、239、262、264、272、274、438、439、538、539、638、639、662、664、672、674、782、784、882、884‧‧‧接點
140、440、540、640、740‧‧‧連接部
222、224、950‧‧‧跨接金屬線段
266、276、766、776、866、876‧‧‧中央抽頭
669、679、769、779、869、879‧‧‧傳輸埠
700、800‧‧‧平衡不平衡轉換器
1010‧‧‧基板
1020‧‧‧氧化層
1022‧‧‧圖案接地保護層
1024、1030‧‧‧金屬層
[圖1A]~[圖1D]為依據本發明之一實施例之平面式變壓器的結構與其等效元件圖; [圖2A]~[圖2B]為依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構與其等效元件圖; [圖3]為依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構; [圖4]為依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構; [圖5]為依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構; [圖6]為依據本發明之另一實施例之平面式變壓器的結構; [圖7]為依據本發明之另一實施例之平衡不平衡轉換器的結構; [圖8]為依據本發明之另一實施例之平衡不平衡轉換器的結構; [圖9]為本發明增加平面式線圈之電感值之一實施方示的結構圖;以及 [圖10]為對應本發明之變壓器或平衡不平衡轉換器之半導體結構的剖面圖。
200‧‧‧平面式變壓器
220、260、270‧‧‧平面式線圈
238、239、262、264、272、274‧‧‧接點
222、224‧‧‧跨接金屬線段
266、276‧‧‧中央抽頭

Claims (24)

  1. 一種平面式變壓器結構,包含:一第一平面式線圈,包含一第一環狀結構、一第二環狀結構及一連接部,該第一環狀結構及該第二環狀結構實質上位於同一平面且透過該連接部相連接;一第二平面式線圈,其範圍與該第一環狀結構之範圍至少一部分重疊;以及一第三平面式線圈,其範圍與該第二環狀結構之範圍至少一部分重疊;其中該第一平面式線圈與該第二平面式線圈或該第三平面式線圈構成一變壓器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,其中該第一平面式線圈的最外圈係位於該第二平面式線圈或該第三平面式線圈之外。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,其中該第一平面式線圈的最外圈係位於該第二平面式線圈或該第三平面式線圈之內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,其中該第一平面式線圈具有一第一接點及一第二接點,該第一接點及該第二接點係直接連接該連接部。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,其中該第一平面式線圈具有一第一接點及一第二接點,該第一接點及該第二接點位於該第一平面式線圈的中間部分,該第一接點係直接連接該第一環狀結 構,該第二接點係直接連接該第二環狀結構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,其中該第二平面式線圈具有一第一接點及一第二接點,該第一接點及該第二接點係構成一第一傳輸埠,該第三平面式線圈具有一第三接點及一第四接點,該第三接點及該第四接點係構成一第二傳輸埠,該第二平面式線圈及該第三平面式線圈係各自以該第一傳輸埠及該第二傳輸埠之連線為對稱軸對稱。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之平面式變壓器結構,其中該第一傳輸埠及該第二傳輸埠係朝向遠離該連接部之方向。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之平面式變壓器結構,其中該第一傳輸埠及該第二傳輸埠係朝向該連接部。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,其中該第二平面式線圈及該第三平面式線圈係與該第一平面式線圈位於同一平面。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,其中該第二平面式線圈及該第三平面式線圈之至少其中之一係與該第一平面式線圈位於不同平面。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,更包含:一跨接金屬線段,其兩端連接屬於該第一環狀結構、該第二環狀結構、該第二平面式線圈及該第三平面式線圈之其中之一的一金屬線段,其中間部分橫跨非與該金屬線段相連之一另一金屬線段。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,其中該第一環狀結構、該第二環狀結構、該第二平面式線圈及該第三平面式線圈之 其中之一的金屬線段之一部分係相鄰排列,且該相鄰排列之金屬線段之間係不包含其他金屬線段。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,更包含:一基板;以及一圖案接地保護層,位於該基板與該第一平面式線圈、該第二平面式線圈及該第三平面式線圈之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之平面式變壓器結構,其中進入該第一環狀結構之電流係流經該第一環狀結構之所有金屬線段後才離開該第一環狀結構。
  15. 一種平面式平衡不平衡轉換器結構,包含:一第一平面式線圈,包含一第一環狀結構、一第二環狀結構及一連接部,該第一環狀結構及該第二環狀結構實質上位於同一平面且透過該連接部相連接;一第二平面式線圈,其範圍與該第一環狀結構之範圍至少一部分重疊,具有一第一接點及一第二接點;以及一第三平面式線圈,其範圍與該第二環狀結構之範圍至少一部分重疊,具有一第三接點及一第四接點;其中該第一接點與該第三接點相連接,該第二接點與該第四接點相連接。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之平面式平衡不平衡轉換器結構,其中該第一平面式線圈具有一第五接點、一第六接點及一第七接點,該平衡不平衡轉換器結構之一不平衡傳輸端包含該相連接後之該第 一接點與該第三接點以及相連接後之該第二接點與該第四接點,該平衡不平衡轉換器結構之一平衡傳輸端包含該第五接點、該第六接點及該第七接點。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之平面式平衡不平衡轉換器結構,其中該第二平面式線圈更包含一第五接點,該第三平面式線圈更包含一第六接點,該第五接點與該第六接點相連接,該第一平面式線圈具有一第七接點及一第八接點,該平衡不平衡轉換器結構之一不平衡傳輸端包含該第七接點及該第八接點,該平衡不平衡轉換器結構之一平衡傳輸端包含相連接後之該第一接點與該第三接點、相連接後之該第二接點與該第四接點以及相連接後之該第五接點與該第六接點。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之平面式平衡不平衡轉換器結構,其中該第一平面式線圈具有一第五接點及一第六接點,該第五接點及該第六接點係直接連接該連接部。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之平面式平衡不平衡轉換器結構,其中該第一平面式線圈具有一第五接點及一第六接點,該第五接點及該第六接點位於該第一平面式線圈的中間部分,該第五接點係直接連接該第一環狀結構,該第六接點係直接連接該第二環狀結構。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之平面式平衡不平衡轉換器結構,其中該第一接點及該第二接點係構成該第二平面式線圈之一第一傳輸埠,該第三接點及該第四接點係構成該第三平面式線圈之一第二傳輸埠,該第二平面式線圈及該第三平面式線圈係各自以該第一傳輸埠及該第二傳輸埠之連線為對稱軸對稱。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之平面式平衡不平衡轉換器結構,其中該第一傳輸埠及該第二傳輸埠係朝向遠離該連接部之方向。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之平面式平衡不平衡轉換器結構,其中該第一傳輸埠及該第二傳輸埠係朝向該連接部。
  23. 如申請專利範圍第15項所述之平面式平衡不平衡轉換器結構,其中進入該第一環狀結構之電流係流經該第一環狀結構之所有金屬線段後才離開該第一環狀結構。
  24. 如申請專利範圍第15項所述之平面式平衡不平衡轉換器結構,更包含:一跨接金屬線段,其兩端連接屬於該第一環狀結構、該第二環狀結構、該第二平面式線圈及該第三平面式線圈之其中之一的一金屬線段,其中間部分橫跨非與該金屬線段相連之一另一金屬線段。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI619130B (zh) * 2016-12-06 2018-03-21 聚睿電子股份有限公司 具備不平衡磁場抵銷架構的射頻線圈以及用於進行磁場抵銷的裝置
CN110024062A (zh) * 2016-12-01 2019-07-16 康明斯发电Ip公司 高电流半匝绕组
TWI666664B (zh) * 2018-07-24 2019-07-21 瑞昱半導體股份有限公司 具有平衡的響應的多匝電感及其製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI619128B (zh) 2015-12-08 2018-03-21 瑞昱半導體股份有限公司 螺旋狀堆疊式積體電感及變壓器
TWI632657B (zh) 2016-08-05 2018-08-11 瑞昱半導體股份有限公司 半導體元件
TWI627644B (zh) * 2016-08-05 2018-06-21 瑞昱半導體股份有限公司 半導體元件
TWI612697B (zh) 2016-08-05 2018-01-21 瑞昱半導體股份有限公司 半導體元件
TWI641099B (zh) 2017-03-06 2018-11-11 瑞昱半導體股份有限公司 半導體元件
US10522282B2 (en) 2017-04-07 2019-12-31 Realtek Semiconductor Corp. High isolation integrated inductor and method thereof
TWI632661B (zh) * 2017-09-20 2018-08-11 瑞昱半導體股份有限公司 積體電感裝置
CN111357066A (zh) * 2017-12-27 2020-06-30 华为技术有限公司 变压器
TWI643218B (zh) 2018-01-05 2018-12-01 瑞昱半導體股份有限公司 堆疊型電感裝置
US11393619B2 (en) * 2018-06-08 2022-07-19 Qualcomm Incorporated Triple inductor transformer for multiband radio frequency integrated circuits
CN110676028B (zh) * 2018-07-03 2021-08-03 瑞昱半导体股份有限公司 变压器装置
JP6989465B2 (ja) * 2018-09-05 2022-01-05 株式会社東芝 磁気カプラ及び通信システム
TWI681415B (zh) 2019-01-31 2020-01-01 瑞昱半導體股份有限公司 積體變壓器
US11387036B2 (en) 2019-03-29 2022-07-12 Realtek Semiconductor Corporation Inductor device
TWI703591B (zh) * 2019-03-29 2020-09-01 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置
US11587710B2 (en) 2019-03-29 2023-02-21 Realtek Semiconductor Corporation Inductor device
US12027298B2 (en) 2019-03-29 2024-07-02 Realtek Semiconductor Corporation Inductor device
US11587709B2 (en) 2019-03-29 2023-02-21 Realtek Semiconductor Corporation Inductor device
TWI681418B (zh) * 2019-04-22 2020-01-01 瑞昱半導體股份有限公司 雙八字形電感裝置
TWI674595B (zh) * 2019-04-25 2019-10-11 瑞昱半導體股份有限公司 積體變壓器
US11694835B2 (en) 2019-07-08 2023-07-04 Realtek Semiconductor Corporation Inductor device
TWI692783B (zh) * 2019-09-25 2020-05-01 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置
TWI692780B (zh) 2019-09-25 2020-05-01 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置
TWI707370B (zh) * 2020-05-13 2020-10-11 瑞昱半導體股份有限公司 變壓器裝置
US11367697B2 (en) * 2020-05-15 2022-06-21 Qualcomm Incorporated High-density flip chip package for wireless transceivers
CN114255962A (zh) * 2020-09-22 2022-03-29 瑞昱半导体股份有限公司 电感装置
TWI727904B (zh) * 2020-10-26 2021-05-11 瑞昱半導體股份有限公司 電感裝置
CN114446572A (zh) * 2020-10-30 2022-05-06 瑞昱半导体股份有限公司 电感器装置
US20220157506A1 (en) * 2020-11-18 2022-05-19 Realtek Semiconductor Corporation Transformer device
US20230170131A1 (en) * 2021-11-30 2023-06-01 Dialog Semiconductor (Uk) Limited 3D MIS-FO Hybrid for Embedded Inductor Package Structure

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6603383B2 (en) * 2000-12-22 2003-08-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Multilayer balun transformer structure
TW200701265A (en) * 2005-05-20 2007-01-01 Murata Manufacturing Co Multilayer balun transformer
TW201005768A (en) * 2008-07-31 2010-02-01 Freescale Semiconductor Inc BALUN signal transformer and method of forming
US8198970B2 (en) * 2008-05-14 2012-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Transformers, balanced-unbalanced transformers (baluns) and integrated circuits including the same

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3274396A (en) * 1962-05-16 1966-09-20 Bell Telephone Labor Inc Multi-waveform generator
DE1287710B (zh) * 1965-07-13 1969-01-23
US3908364A (en) * 1973-01-19 1975-09-30 United Technologies Corp Putty propellant stress refief system
US4398149A (en) * 1981-02-02 1983-08-09 Varian Associates, Inc. NMR Probe coil system
US6153885A (en) * 1999-06-03 2000-11-28 Nikon Corporation Toroidal charged particle deflector with high mechanical stability and accuracy
FR2819938B1 (fr) * 2001-01-22 2003-05-30 St Microelectronics Sa Dispositif semi-conducteur comprenant des enroulements constituant des inductances
US6970064B2 (en) * 2001-09-05 2005-11-29 Zhang Minghao Mary Center-tap transformers in integrated circuits
US6653910B2 (en) * 2001-12-21 2003-11-25 Motorola, Inc. Spiral balun
DE10233980A1 (de) 2002-07-25 2004-02-12 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Planarinduktivität
EP1789756A2 (en) * 2004-08-09 2007-05-30 Sensopad Limited Sensing apparatus and method
FR2886466B1 (fr) * 2005-05-25 2012-06-15 Oberthur Card Syst Sa Entite electronique a antenne magnetique
WO2009125324A1 (en) 2008-04-10 2009-10-15 Nxp B.V. 8-shaped inductor
CN102084439A (zh) * 2008-05-29 2011-06-01 意法爱立信有限公司 8字形射频平衡变换器
US20100001985A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Chun-Hsi Chen Dot-matrix display charging control method and system
US20100019857A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Star Rf, Inc. Hybrid impedance matching
US8049589B2 (en) * 2008-09-10 2011-11-01 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Balun circuit manufactured by integrate passive device process
US8791775B2 (en) * 2010-03-30 2014-07-29 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming high-attenuation balanced band-pass filter
EP2421011A1 (en) 2010-08-19 2012-02-22 Nxp B.V. Symmetrical inductor
KR101141471B1 (ko) 2010-09-16 2012-05-04 삼성전기주식회사 트랜스포머
US9196409B2 (en) * 2010-12-06 2015-11-24 Nxp, B. V. Integrated circuit inductors
GB2497310A (en) * 2011-12-06 2013-06-12 Cambridge Silicon Radio Ltd Inductor structure
FR2984603B1 (fr) * 2011-12-20 2014-01-17 St Microelectronics Sa Circuit integre comprenant un transformateur integre de type "balun" a plusieurs voies d'entree et de sortie.
HUE025783T2 (en) 2012-04-03 2016-05-30 ERICSSON TELEFON AB L M (publ) Coil arrangement and voltage controlled oscillator (VCO) system
US9312060B2 (en) * 2012-09-20 2016-04-12 Marvell World Trade Ltd. Transformer circuits having transformers with figure eight and double figure eight nested structures
US9312820B2 (en) * 2012-09-23 2016-04-12 Dsp Group Ltd. CMOS based TX/RX switch
US9519075B2 (en) * 2014-05-06 2016-12-13 Halliburton Energy Services, Inc. Front tangential antenna for nuclear magnetic resonance (NMR) well logging
TWI553679B (zh) * 2014-06-13 2016-10-11 瑞昱半導體股份有限公司 具有兩平面式電感的電子裝置
US9543068B2 (en) * 2014-06-17 2017-01-10 Qualcomm Technologies International, Ltd. Inductor structure and application thereof
US9912307B2 (en) * 2015-03-19 2018-03-06 Qorvo Us, Inc. Decoupling loop for reducing undesired magnetic coupling between inductors, and related methods and devices
US9843301B1 (en) * 2016-07-14 2017-12-12 Northrop Grumman Systems Corporation Silicon transformer balun

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6603383B2 (en) * 2000-12-22 2003-08-05 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Multilayer balun transformer structure
TW200701265A (en) * 2005-05-20 2007-01-01 Murata Manufacturing Co Multilayer balun transformer
US8198970B2 (en) * 2008-05-14 2012-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Transformers, balanced-unbalanced transformers (baluns) and integrated circuits including the same
TW201005768A (en) * 2008-07-31 2010-02-01 Freescale Semiconductor Inc BALUN signal transformer and method of forming

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110024062A (zh) * 2016-12-01 2019-07-16 康明斯发电Ip公司 高电流半匝绕组
TWI619130B (zh) * 2016-12-06 2018-03-21 聚睿電子股份有限公司 具備不平衡磁場抵銷架構的射頻線圈以及用於進行磁場抵銷的裝置
TWI666664B (zh) * 2018-07-24 2019-07-21 瑞昱半導體股份有限公司 具有平衡的響應的多匝電感及其製造方法
CN110752085A (zh) * 2018-07-24 2020-02-04 瑞昱半导体股份有限公司 具有平衡的响应的多匝电感及其制造方法
CN110752085B (zh) * 2018-07-24 2021-03-19 瑞昱半导体股份有限公司 具有平衡的响应的多匝电感及其制造方法

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