TWI658499B - 晶圓接合方法及其接合裝置 - Google Patents

晶圓接合方法及其接合裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI658499B
TWI658499B TW106109607A TW106109607A TWI658499B TW I658499 B TWI658499 B TW I658499B TW 106109607 A TW106109607 A TW 106109607A TW 106109607 A TW106109607 A TW 106109607A TW I658499 B TWI658499 B TW I658499B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
silicon carbide
gallium nitride
bonding
microwave
Prior art date
Application number
TW106109607A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201830479A (zh
Inventor
三重野文健
Original Assignee
上海新昇半導體科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 上海新昇半導體科技有限公司 filed Critical 上海新昇半導體科技有限公司
Publication of TW201830479A publication Critical patent/TW201830479A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI658499B publication Critical patent/TWI658499B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

本發明提供一種晶圓接合方法及其接合裝置，所述接合方法包括：提供氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓；在所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上均形成無定型碳化矽；將所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓形成有所述無定型碳化矽的一面進行接合，並且在接合過程中進行微波退火；所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上的無定型碳化矽通過微波退火轉換為結晶碳化矽，從而使氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓完成接合，提高了接合的效率，從而提高了氮化鎵基半導體裝置的可靠性。

Description

晶圓接合方法及其接合裝置
本發明係關於半導體製造領域，尤其係關於一種晶圓接合方法及裝置。
氮化鎵(GaN)基半導體具有優良的材料性質，如：能隙大、熱穩定性及化學穩定性佳、電子飽和速度高等。此外，使用氮化鎵基半導體的電子裝置具有各種優點，如：擊穿電場高、最大電流密度高、在高溫下穩定的工作特性等。由於這樣的材料性質，氮化鎵基半導體不僅可以應用於光學裝置，而且可以應用於高頻及高功率的電子裝置以及高功率裝置。
由於很難獲得品質良好的氮化鎵單晶基板，目前氮化鎵材料磊晶生產製程中，具有與氮化鎵晶格失配(mismatch)較低、熱失配較小、且價格經濟的藍寶石佔了主導地位。然而，由於藍寶石的導熱性能差，使得氮化鎵基裝置的散熱問題嚴重，尤其於較大電流密度注入時，高產熱量係使裝置溫度升高，從而嚴重影響裝置性能。雖然可以碳化矽(SiC)基板代替藍寶石基板以改善散熱特性，但是碳化矽基板相對昂貴，由此製造氮化鎵基半導體裝置的總成本增大。
為了改善這種情況，利用接合和研磨技術將氮化鎵基磊晶結構轉移到導熱性好的基板上，係實現可承受大電流密度注入的氮化鎵基半 導體裝置的關鍵。一般情況下，將形成有氮化鎵磊晶層的晶圓與由多晶碳化矽製備的晶圓進行接合，然後進行退火、拋光，即可得到採用多晶碳化矽做為基板的氮化鎵磊晶層。該方法可有效降低成本，並可利用碳化矽材料良好的導熱性。但是，由於接合時兩種晶圓的熱膨脹係數差距較大，導致接合後兩種晶圓之間存在較大應力，從而降低了接合成品率，導致氮化鎵基半導體裝置的成品率減低。
本發明的目的在於提供一種晶圓接合方法及其接合裝置，提高接合成品率，提高氮化鎵基半導體裝置的可靠性。
本發明的技術方案是一種晶圓接合方法，包括以下步驟：提供氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓；在所述氮化鎵晶圓與所述碳化矽晶圓上均形成無定型碳化矽；以及將所述氮化鎵晶圓與所述碳化矽晶圓形成有所述無定型碳化矽的一面進行接合，並且在接合過程中進行微波退火。
進一步的，在所述晶圓接合方法中，所述氮化鎵晶圓包括單晶矽基板，以及形成在所述單晶矽基板上的氮化鎵層。
進一步的，在所述晶圓接合方法中，所述碳化矽晶圓包括碳化矽層，所述碳化矽層為多晶碳化矽。
進一步的，在所述晶圓接合方法中，在所述碳化矽晶圓上形成有重摻雜的無定型碳化矽。
進一步的，所述晶圓接合方法還包括：於接合之後，對所述單晶矽基板進行研磨，至所述氮化鎵層。
本發明還提供一種晶圓接合裝置，包括：承載台、加壓台以及微波提供裝置；所述承載台用於承載晶圓；所述加壓台位於承載台的上方，能夠相對於所述承載臺上下移動，用於提供壓力，完成晶圓的接合；所述微波提供裝置用於提供微波；所述加壓臺上設置有多個通孔，所述微波提供裝置通過所述通孔向所述晶圓提供微波。
進一步的，在所述晶圓接合裝置中，所述通孔在所述加壓臺上均勻設置。
進一步的，在所述晶圓接合裝置中，還包括輔助加熱裝置，設置於所述承載台的下方。
進一步的，在所述晶圓接合裝置中，所述輔助加熱裝置包括多個相互平行的燈管，均勻設置於所述承載台的下方。
進一步的，在所述晶圓接合裝置中，所述承載台與加壓台的材質均為陶瓷。
與習知技術相比，本發明提供的晶圓接合方法及裝置，係在氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓兩者上均形成無定型碳化矽，接著將所述兩種晶圓具有無定型碳化矽的一面進行接合，在接合過程中進行微波退火，兩種晶圓上的無定型碳化矽藉由微波退火後轉換為結晶碳化矽，從而使氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓完成接合，提高了接合的效率，從而提高了氮化鎵基半導體裝置的可靠性。
S01、S02、S03‧‧‧步驟
10‧‧‧氮化鎵晶圓
11‧‧‧單晶矽基板
12‧‧‧氮化鎵層
13、21‧‧‧無定型碳化矽
20‧‧‧碳化矽晶圓
100‧‧‧承載台
200‧‧‧加壓台
201‧‧‧通孔
300‧‧‧微波提供裝置
400‧‧‧輔助加熱裝置
第1圖係表示，依據本發明之一實施例，晶圓接合方法的流程圖。
第2至6圖係表示，依據本發明之一實施例，晶圓接合方法的各步驟的結構示意圖。
第7圖係表示，依據本發明之一實施例，晶圓接合裝置的結構示意圖。
以下結合圖式和具體實施例對本發明進一步詳細說明。根據本案說明書及申請專利範圍，本發明的優點及特徵將更清楚。需說明的是，圖式均採用非常簡化的形式，且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
本發明的核心思想是：在氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上均形成無定型碳化矽，將所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓形成有所述無定型碳化矽的一面進行接合，在接合過程中進行微波退火，氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上的無定型碳化矽通過微波退火轉換為結晶碳化矽，從而使氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓完成接合，提高了接合的效率，從而提高了氮化鎵基半導體裝置的可靠性。
實施例
第1圖為本發明一實施例所提供的晶圓接合方法的流程示意圖，如第1圖所示，包括以下步驟：步驟S01：提供氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓；步驟S02：在所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上均形成無定型碳化矽；步驟S03：將所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓形成有所述無定型碳化矽的一面進行接合，並且在接合過程中進行微波退火。
第2至6圖為本發明一實施例提供的晶圓接合方法的各步驟結構示意圖，可同時參考第1圖詳細說明如下。
在步驟S01中，提供氮化鎵晶圓10與碳化矽晶圓20，如第2圖所示。
本實施例中，所述氮化鎵晶圓10包括單晶矽基板11，以及形成在所述單晶矽基板11上的氮化鎵層12；所述碳化矽晶圓20包括碳化矽層，所述碳化矽層為多晶碳化矽。
在步驟S02中，在所述氮化鎵晶圓10與碳化矽晶圓20上均形成無定型碳化矽，如第3圖所示。
在所述氮化鎵晶圓10上形成無定型碳化矽13，在所述碳化矽晶圓20上形成無定型碳化矽21。較佳的，可以在所述碳化矽晶圓20上形成重摻雜的無定型碳化矽21，也可以在所述氮化鎵晶圓10上形成重摻雜的無定型碳化矽13。可依實際需求決定是否形成重摻雜的無定型碳化矽。
在步驟S03中，將所述氮化鎵晶圓10與碳化矽晶圓20形成有所述無定型碳化矽的一面進行接合，並且在接合過程中進行微波退火，如第5圖所示。
首先將所述氮化鎵晶圓10上形成有無定型碳化矽13的一面，與所述碳化矽晶圓20上形成無定型碳化矽21的一面進行對位，如第4圖所示，然後進行加壓，並同時進行微波退火，完成所述氮化鎵晶圓10與碳化矽晶圓20的接合，形成如第5圖所示的結構。
所述氮化鎵晶圓10與碳化矽晶圓20上的無定型碳化矽通過微波退火轉換為結晶碳化矽，兩個晶圓上的所述無定型碳化矽通過結晶相 互結合，從而使得所述氮化鎵晶圓10與碳化矽晶圓20相結合，據此避免了現有技術中兩個晶圓接合時由於熱膨脹係數差距較大而導致的問題，提高了接合的效率，從而提高了氮化鎵基半導體裝置的可靠性。
後續可進一步對所述單晶矽基板11進行研磨，研磨至暴露出所述氮化鎵層12，形成如第6圖所示的結構，最終形成以碳化矽20做為基板的氮化鎵磊晶層12。
本發明提供的晶圓接合方法，在氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上均形成無定型碳化矽，將所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓形成有所述無定型碳化矽的一面進行接合，在接合過程中進行微波退火，氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上的無定型碳化矽通過微波退火轉換為結晶碳化矽，從而使氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓完成接合，提高了接合的效率，從而提高了氮化鎵基半導體裝置的可靠性。
於另一面向中，本發明還提供一種晶圓接合裝置。如第7圖所示，係依據一實施例所提供的晶圓接合裝置的結構示意圖，包括：承載台100、加壓台200以及微波提供裝置300；所述承載台100用於承載晶圓；所述加壓台200位於承載台100的上方，能夠相對於所述承載台100上下移動，用於提供壓力，完成晶圓的接合；所述微波提供裝置300用於提供微波；所述加壓台200上設置有多個通孔201，所述微波提供裝置300通過所述通孔201向所述晶圓提供微波。
所述加壓台200能夠相對於所述承載台100上下移動，即，遠離所述承載台100、或者靠近所述承載台100，向位於承載台100上的晶圓施加壓力，完成晶圓的接合。所述加壓台200還可視需要設置吸盤，用 於吸附上晶圓，並且可以相對於所述承載台100水準移動。所述加壓台200吸附上晶圓之後，移動到位於所述承載臺上的下晶圓的上方，進行對位，然後將上晶圓放置於下晶圓上，再向所述上晶圓施加壓力，完成上晶圓與下晶圓的接合，在此過程中，進行微波退火。所述上晶圓與下晶圓是依其相對位置所定義。
較佳的，所述通孔201在所述加壓台200上均勻分佈，在接合晶圓的過程中，所述微波提供裝置300通過所述通孔201向所述晶圓均勻地提供微波。所述晶圓接合裝置還包括輔助加熱裝置400，設置於所述承載台100的下方。本實施例中，所述輔助加熱裝置400包括多個相互平行的燈管，均勻設置於所述承載台100的下方，用於提供熱量。所述承載台100與加壓台200的材質均為陶瓷，亦可為具本領域通常知識者所知的其他材料。
於本發明的一實施例中，以所述晶圓接合裝置進行晶圓接合的方法，具體包括以下步驟。
首先，提供氮化鎵晶圓10與碳化矽晶圓20。所述氮化鎵晶圓10包括單晶矽基板11，以及形成在所述單晶矽基板11上的氮化鎵層12，所述碳化矽晶圓20包括碳化矽層，所述碳化矽層為多晶碳化矽。
然後，在所述氮化鎵晶圓10上形成無定型碳化矽13，在所述碳化矽晶圓20上形成無定型碳化矽21。較佳的，可以在所述碳化矽晶圓20上形成重摻雜的無定型碳化矽。
然後，將所述氮化鎵晶圓10放置於承載台100上，將所述碳化矽晶圓20倒置，對位之後放置於所述氮化鎵晶圓10的上方。放置所 述碳化矽晶圓20的步驟可以由加壓台200完成，也可以由其他的設備如機械臂完成，其中放置之前需要進行對位元，使得所述碳化矽晶圓20與所述氮化鎵晶圓10相對齊。可以在所述碳化矽晶圓20與所述氮化鎵晶圓10上設置對位元標記，用於對位元。
再然後，所述加壓台200向所述碳化矽晶圓20施加壓力，同時微波提供裝置300提供微波，進行微波退火，無定型碳化矽13與無定型碳化矽21通過微波退火轉換為結晶碳化矽，使得所述氮化鎵晶圓10與碳化矽晶圓20相結合。在此過程中，由於微波提供裝置300從加壓台200的上部提供微波，為了避免加熱不均，位於承載台100下方的輔助加熱設備也提供熱量，由此提供接合的效率。
最後，對單晶矽基板11進行研磨至暴露出所述氮化鎵層12，形成以碳化矽20做為基板的氮化鎵磊晶層12。
綜上所述，本發明提供的晶圓接合方法及其接合裝置，在氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上均形成無定型碳化矽，將所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓形成有所述無定型碳化矽的一面進行接合，在接合過程中進行微波退火，氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上的無定型碳化矽通過微波退火轉換為結晶碳化矽，從而使氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓完成接合，提高了接合的效率，從而提高了氮化鎵基半導體裝置的可靠性。
上述特定實施例之內容係為了詳細說明本發明，然而，該等實施例係僅用於說明，並非意欲限制本發明。熟習本領域之技藝者可理解，在不悖離後附申請專利範圍所界定之範疇下針對本發明所進行之各種變化或修改係落入本發明之一部分。

Claims (7)

  1. 一種晶圓接合方法，包括以下步驟：提供氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓；在所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓上均形成無定型碳化矽；將所述氮化鎵晶圓與碳化矽晶圓形成有所述無定型碳化矽的一面進行接合，並且在接合過程中進行微波退火，其中，所述氮化鎵晶圓包括單晶矽基板，以及形成在所述單晶矽基板上的氮化鎵層，及所述碳化矽晶圓包括碳化矽層，所述碳化矽層為多晶碳化矽。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓接合方法，其中，在所述碳化矽晶圓上形成有重摻雜的無定型碳化矽。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的晶圓接合方法，進一步包括：接合之後，對所述單晶矽基板進行研磨，至暴露出所述氮化鎵層。
  4. 一種晶圓接合裝置，包括：承載台、加壓台以及微波提供裝置；所述承載台用於承載晶圓；所述加壓台位於承載台的上方，能夠相對於所述承載臺上下移動，用於提供壓力，完成晶圓的接合；所述微波提供裝置用於提供微波；所述加壓臺上設置有多個通孔，所述微波提供裝置通過所述通孔向所述晶圓提供微波，其中所述通孔在所述加壓臺上均勻設置。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的晶圓接合裝置，還包括輔助加熱裝置，設置於所述承載台的下方。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的晶圓接合裝置，其中所述輔助加熱裝置包括多個相互平行的燈管，均勻設置於所述承載台的下方。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的晶圓接合裝置，其中所述承載台與加壓台的材質均為陶瓷。
TW106109607A 2016-10-18 2017-03-22 晶圓接合方法及其接合裝置 TWI658499B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610908069.3A CN107958839B (zh) 2016-10-18 2016-10-18 晶圆键合方法及其键合装置
??201610908069.3 2016-10-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201830479A TW201830479A (zh) 2018-08-16
TWI658499B true TWI658499B (zh) 2019-05-01

Family

ID=61954380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106109607A TWI658499B (zh) 2016-10-18 2017-03-22 晶圓接合方法及其接合裝置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN107958839B (zh)
TW (1) TWI658499B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7024668B2 (ja) * 2018-09-05 2022-02-24 株式会社Sumco Ｓｏｉウェーハ及びその製造方法
CN109346495A (zh) * 2018-11-21 2019-02-15 德淮半导体有限公司 晶圆键合方法
CN109712880A (zh) * 2018-12-03 2019-05-03 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种晶圆键合力的提升方法及增强系统
CN110289209A (zh) * 2019-07-05 2019-09-27 长春长光圆辰微电子技术有限公司 一种soi晶圆的加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200518194A (en) * 2003-11-18 2005-06-01 Univ Nat Chiao Tung Method for lifting off GaN pseudomask epitaxy layer using wafer bonding way
TW201220418A (en) * 2010-08-25 2012-05-16 Tokyo Electron Ltd Substrate joining system and substrate joining method and computer storage medium
TW201342494A (zh) * 2011-12-15 2013-10-16 Power Integrations Inc 用於半導體裝置的製造之合成晶圓

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2896618B1 (fr) * 2006-01-23 2008-05-23 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat composite
EP1901345A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-19 Siltronic AG Multilayered semiconductor wafer and process for manufacturing the same
TWI478272B (zh) * 2007-08-15 2015-03-21 尼康股份有限公司 A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method
US7985617B2 (en) * 2008-09-11 2011-07-26 Micron Technology, Inc. Methods utilizing microwave radiation during formation of semiconductor constructions
US20130023111A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-24 Purtell Robert J Low temperature methods and apparatus for microwave crystal regrowth
FR2983342B1 (fr) * 2011-11-30 2016-05-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'une heterostructure limitant la formation de defauts et heterostructure ainsi obtenue
TWI458145B (zh) * 2011-12-20 2014-10-21 Ind Tech Res Inst 超導材料的接合方法
JP6061251B2 (ja) * 2013-07-05 2017-01-18 株式会社豊田自動織機 半導体基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200518194A (en) * 2003-11-18 2005-06-01 Univ Nat Chiao Tung Method for lifting off GaN pseudomask epitaxy layer using wafer bonding way
TW201220418A (en) * 2010-08-25 2012-05-16 Tokyo Electron Ltd Substrate joining system and substrate joining method and computer storage medium
TW201342494A (zh) * 2011-12-15 2013-10-16 Power Integrations Inc 用於半導體裝置的製造之合成晶圓

Also Published As

Publication number Publication date
TW201830479A (zh) 2018-08-16
CN107958839A (zh) 2018-04-24
CN107958839B (zh) 2020-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI658499B (zh) 晶圓接合方法及其接合裝置
RU2728484C2 (ru) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОСТАВНОЙ ПОДЛОЖКИ ИЗ SiC
WO2021024654A1 (ja) 電子デバイス用基板およびその製造方法
US20050269671A1 (en) Support for hybrid epitaxy and method of fabrication
JP2018087128A (ja) 窒化物半導体層の成長方法
US9824891B1 (en) Method of manufacturing the thin film
CN108054143B (zh) 一种GaN-HEMT与Si-CMOS单片集成的方法
EP2870626A1 (en) Handle for semiconductor-on-diamond wafers and method of manufacture
CN103021814A (zh) 一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法
US10692752B2 (en) Gallium nitride semiconductor structure and process for fabricating thereof
CN106783645A (zh) 一种金刚石与GaN晶圆片直接键合的方法
JP2015032797A (ja) 窒化物半導体装置とその製造方法
JP6783063B2 (ja) 窒化物半導体テンプレートおよび窒化物半導体積層物
US11393772B2 (en) Bonding method for semiconductor substrate, and bonded semiconductor substrate
CN107680899A (zh) 基于智能剥离技术制备异质(Ga1‑xAlx)2O3的方法
JP2010040737A (ja) 半導体基板及びその製造方法
US10388752B2 (en) Gallium nitride semiconductor structure and process for fabricating thereof
JP2017139266A (ja) 複合基板、半導体装置、およびこれらの製造方法
TWM634692U (zh) 接合基板
KR102474331B1 (ko) 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법
JP2017183455A (ja) 窒化物半導体テンプレート、窒化物半導体積層物、窒化物半導体テンプレートの製造方法、および窒化物半導体積層物の製造方法
KR20130059677A (ko) 전이기판 제조방법
JPWO2020235074A1 (ja) 半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
JP2016058539A (ja) 高電子移動度トランジスタの製造方法
US20230162975A1 (en) Manufacturing method of nitride semiconductor structure