TWI658472B - 複合導電體結合之電導體及其製造方法 - Google Patents

複合導電體結合之電導體及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明揭示複合導電體結合之電導體及其製造方法，在各相同或不相同材質之各層接觸面間，形成相同或不相同特性之接面，如是混合體、結晶體、合金體、氧化體等，當通電使用時，產生各種相同或不相同之電流效應，如集膚效應(skin effect)、渦電流(eddy current)、環電流(ring current)，或磁效應、熱效應、擁擠效應(crowding effect)、或以上各效應之綜合效應等，致應用於預定設備上能發揮特殊作用及效果。

Description

複合導電體結合之電導體及其製造方法
本發明係關於複合導電體結合之電導體及其製造方法，依本發明之實施，可在各相同或不相同材質之各層接觸面間，形成相同或不相同特性之接面，如是混合體、結晶體、合金體、氧化體等，當通電使用時，產生各種相同或不相同之電流效應，如集膚效應(skin effect)、渦電流(eddy current)、環電流(ring current)，或磁效應、熱效應、擁擠效應(crowding effect)、或以上各效應之綜合效應等，致應用於預定設備上發揮特殊效果及作用。
習知固有揭露應用上列單一或簡易效應上之產品使用者，惟並未涉及類似本發明特性上具有多項的電器效應或其綜合效應，應用於更多特殊用途之產品上。
美國專利US 3,331,041涉及「供遮蔽或收集磁場之超導體器具(Supperconductor Device for Shielding or Collecting Magnetic Field)」，其有遮蔽或收集磁場之探討，惟未涉及類似本發明因接面而產生綜合效應之課題。
美國專利US 5,223,349係揭示銅包覆鋁之組合線圈，有一由Al-Mg合金製成之芯，周遭包覆銅或銅合金；芯材料使用眼模有一15~30度半角度抽拉，以減少至少20%截面積，以獲得包覆線圈；同樣地，此一先前技術亦未涉及類似本發明之藉由填加基材與形成介面，以發揮功效之手法。
第10圖所揭示者，則為美國專利US 9,117,570 B2之銅包鋁線，及其壓縮導體之方法，該專利揭示了一種銅包鋁線，壓縮導體和包括該銅線的電纜和製造壓縮導體的方法，銅包鋁線，壓縮導體和包括銅包鋁線的電纜以及根據本發明的實施例製造壓縮導體的方法可以表現出類似於常規純銅線的電氣特徵，而不會大大增加外部導體和電纜的直徑，當工作人員甚至在狹窄的工作空間內安裝電纜時，保證工作人員的工作性，並有效利用安裝空間。
該美國專利之冷卻裝置30，可以使用注入低溫惰性氣體的裝置，然後，當內導線及外導線通過一個銅線時，經由拉線盤40拉製成銅體積為30~39%的銅包鋁線10，所需的形狀和直徑的銅包鋁線10可由此獲得，此時金屬線的拉線盤40設置有圓筒形狀的線盤箱43，並且可以將從導線入口47嚮導線出口49傾斜的通孔形成的線盤尖端45固定地安裝在線盤箱43的內部。
本發明新採用各層填加基材，以及形成接面，依需求而合通採用各種材質、含量，依照最後使用之需求而設定，另可依加工條件、工序、係數、或收縮比等，而達成電導體之製造。
本發明多種的第一、二、三…填加基材，亦得繼續延壓收縮成各種線徑之導電線，或加以被覆絕緣，應用於各種電器設備使用。
本發明之複合導電體結合之電導體，該原基材為可壓縮變形延伸，可為單一或多種導電金屬，如鋁，或其合金，亦可為非電導體，如石墨粉，滑石粉等組成
本發明之較佳實施態樣，可預設加工條件、工序、係數或收 縮比等，特別於各材料間形成相同或不相同接面，產生各種相同或不相同之電流效應，或各種不同效應產生之綜合效應，以使用於預設電器設備之特殊需求。
第1圖
1‧‧‧原基材
2‧‧‧填加材或合併視為原基材
3‧‧‧填加材
4‧‧‧填加材
5‧‧‧填加材
6‧‧‧填加材
7‧‧‧接面
8‧‧‧接面
9‧‧‧接面
11‧‧‧本發明電導體之整個結構
第2圖
45‧‧‧眼模
201(201a、201b)‧‧‧原基材(相同或不相同材質)
210‧‧‧第二層次填加材
211‧‧‧第一層次填加材
221a‧‧‧間隙
第3圖
100‧‧‧第一填加基材(電導體)
101(101a、101b)‧‧‧原基材(相同或不相同材質)
110‧‧‧第一層次填加材
121‧‧‧接面
第4圖
200‧‧‧第二填加基材(電導體)
201(201a、201b)‧‧‧原基材(相同或不相同材質)
210‧‧‧第二層次填加材
211‧‧‧第一層次填加材
221‧‧‧接面
222‧‧‧接面
第5圖
300‧‧‧第三填加基材(電導體)
301(301a、301b)‧‧‧原基材(相同或不相同材質)
310‧‧‧第三層次填加材
311‧‧‧第一層次填加材
312‧‧‧第二層次填加材
321‧‧‧接面
322‧‧‧接面
323‧‧‧接面
第6圖
圖6a
201‧‧‧原基材
110‧‧‧第一層次填加材
110a、110b‧‧‧第一層次填加材之兩端
T‧‧‧厚度
D‧‧‧外徑
L‧‧‧寬度
圖6b
201‧‧‧原基材
110‧‧‧第一層次填加材
110a、110b‧‧‧第一層次填加材之兩端
110c‧‧‧縫隙
121a‧‧‧間隙
圖6c
121‧‧‧接面
圖6d
201a‧‧‧第一填加基材
D1‧‧‧預設外徑
圖6e
201b‧‧‧第一填加基材
D1‧‧‧預設外徑
第7圖
圖7a
201a‧‧‧第一填加材
210‧‧‧第二層次填加材
210a、210b‧‧‧第二層次填加材之兩端
221‧‧‧接面
T‧‧‧厚度
D1‧‧‧外徑
L‧‧‧寬度
圖7b
110‧‧‧第一層次填加材
210‧‧‧第二層次填加材
210a、210b‧‧‧第二層次填加材之兩端
210c‧‧‧縫隙
221‧‧‧接面
222a‧‧‧間隙
圖7c
221‧‧‧接面
222‧‧‧接面
圖7d
202a‧‧‧第二填加基材
D2‧‧‧預設外徑
圖7e
201b‧‧‧第二填加基材
D2‧‧‧預設外徑
第8圖
圖8a
202a‧‧‧第二填加基材
310‧‧‧第三層次填加材
310a、310b‧‧‧第三層次填加材之兩端
T‧‧‧厚度
D2‧‧‧外徑
L‧‧‧寬度
圖8b
310‧‧‧第三層次填加材
310a、310b‧‧‧第三層次填加材之兩端
310c‧‧‧縫隙
311‧‧‧第一層次填加材
312‧‧‧第二層次填加材
321‧‧‧接面
322‧‧‧接面
323a‧‧‧間隙
圖8c
321‧‧‧接面
322‧‧‧接面
323‧‧‧接面
圖8d
203a‧‧‧第三填加基材
D3‧‧‧預設外徑
圖8e
203b‧‧‧第三填加基材
D3‧‧‧預設外徑
第9圖
圖9a
100‧‧‧第一填加基材(電導體)
101(101a、101b)‧‧‧原基材(相同或不相同材質)
110‧‧‧第一層次填加材
圖9b
400‧‧‧第二填加基材(電導體)
401(401a、401b)‧‧‧原基材(相同或不相同材質)
410‧‧‧複合材
411‧‧‧第一層次填加材
412‧‧‧第二層次填加材
圖9c
500‧‧‧第三填加基材(電導體)
501‧‧‧截面積(501a及501b之相加)
510‧‧‧外層截面積
511‧‧‧第一層次填加材
512‧‧‧第二層次填加材
513‧‧‧第三層次填加材
第10圖
10‧‧‧銅包鋁線
12‧‧‧內導線
14‧‧‧外導線
19‧‧‧焊機
30‧‧‧冷卻裝置
40‧‧‧拉線盤
43‧‧‧線盤箱
45‧‧‧線盤尖端
47‧‧‧導線入口
49‧‧‧導線出口
第1圖係繪示本發明所涉之複合導電體結合之電導體之具體結構；第2圖係本發明複合導電體結合之電導體經由一線圈拉伸眼模45拉伸壓縮之示意圖，而圖面右手邊之A-A截面箭頭所示方向視之，即構成本發明電導體第4圖所示之截面圖；第3圖所示者係包含原基材與第一層次填加材所構成之電導體橫切面圖；第4圖所示者為較之第3圖之電導體，多了第二層次填加材所構成之電導體橫切面圖；第5圖所示者為較之第4圖之電導體，多了第三層次填加材所構成之電導體橫切面圖；第6圖係以圖6a~圖6e之工序步驟，說明本發明在製造第3圖所示複合導電體結合之電導體之過程中，在壓縮延伸中構造間之相互效用；第7圖係以圖7a~圖7a之工序步驟，說明本發明在製造第4圖所示複合導電體結合之電導體之過程中，在壓縮延伸中構造間之相互效用；第8圖係以圖8a~圖8e之工序步驟，說明本發明在製造第5圖所示複合導電體結合之電導體之過程中，在壓縮延伸中構造間之相互效用；第9圖係繪示本發明以多層次填加材環繞於相同導電體以製成電導體，其中圖9a係以第一層次填加材環繞原基材而製成第一填加基材 者，圖9b係以第二層次填加材環繞圖9a之第一填加基材而製成第二填加基材者，圖9c係以第三層次填加材環繞圖9b之第二填加基材而製成第三增加基材者，以及第10圖係習知美國專利US 9,117,570 B2之電導體及其製造方法。
茲佐以圖式，詳細敘述本發明所揭示之複合導電體結合之電導體及其製造方法。
參見第1圖，其繪示本發明之電導體結構，其中，最內圈標號1者係一長條柱狀體之原基材；2係填加材或合併視為原基材；3、4、5及6係填加材；7係填加材3與4間接面；8係填加材4與5間接面；9係填加材5與6間接面；以及11則係本發明電導體之整個結構。
其次，參見第2圖，其繪示一線圈拉伸眼模(wire drawing die)，用以製造本發明複合導電體結合之電導體。圖中，標號45之眼模，係配置於壓縮延伸設備上；標號201得包含201a及201b已加工後原基材；211係第一層次填加材，與201結合加工後，即為第一填加基材；210係第二層次填加材，與以上第一填加基材結合，完整環狀包覆著第一填加基材，其兩者間仍有間隙221a，未經眼模45壓縮延伸其間之間隙221a，經第2圖箭頭所示延伸方向之右手邊之方向壓縮延伸，該間隙221a幾可密合，幾乎沒有空隙，而成兩者間之接面，其詳如稍後第4圖所示。
亦即，第2圖所示歷經壓縮延伸後之電導體之A-A截面，即示之於第4圖。
以下，分別以第3圖、第4圖，以及第5圖，依序細述本發明電導體100、200以及300之結構。
第3圖所示複合導電體結合之電導體100中，包含原基材101，得包含101a及101b代表相同或不相同材質，及第一層次填加材110，以原基材101之軸心，完整環抱，其接觸面或仍有空隙，並經眼模設備擠壓拉伸成幾無縫隙，形成接面121，繼續壓縮加工至預定外徑，並得視為第一填加基材(電導體)100。
是故，編號100所代表之電導體，以及第一填加基材，雖出現兩個部件編號，實質上只是部件前後描述，代表不同功能作用而已，原則上還是一致的。
接著，說明圖式第4圖；第4圖，同於第2圖A-A橫切而箭頭所示之斷面圖，其為複合導電體結合之第二填加基材(電導體)200，包含第一填加基材(電導體)100，及第二層次填加材210。
第4圖之第二填加基材(電導體)200，比第3圖之第一填加基材(電導體)100，多了第二層次填加材210；其第二層次填加材210，係依第一填加基材(電導體)100之軸心，完整環抱，雖接觸面或仍有空隙，在經眼模設備擠壓拉伸成幾無縫隙，形成接面221，繼續壓縮加工至預定外徑，成為第二填加基材(電導體)200。
同理，編號200前後亦代表電導體，以及第二填加基材，亦屬不同階段便利部件之敘述而已，原則代表部件之同一作用。
如前第3圖、第4圖所述類似般，第5圖繪示複合導電體結合之電導體300，包含第二填加基材(電導體)200及第三層次填加材310。
第5圖之複合導電體結合之第三填加基材(電導體)300，比第4圖之第二填加基材(電導體)200，多了第三層次填加材310。
第5圖之第三層次填加材310，依第二填加基材(電導體)200 之軸心，完整環抱，雖接觸面或仍有空隙，在經眼模設備擠壓拉伸，成為幾無縫隙，形成接面323，繼續壓縮加工至預定外徑，成為第三填加基材(電導體)300。
粗略言之，第3圖、第4圖，以及第5圖中，標號100、200及300分別表示各層次之複合導電體結合之電導體；101表示原基材，包含標號101a及101b，得為相同或不相同材質；而標號110、210以及310分別為第一、二、三層次填加材。
第3圖、第4圖，以及第5圖中之標號101、201，以及301，雖同為原基材之結構材質，惟因擠壓拉伸多次，其外徑或面積漸次縮小，造成101>201>301之結果。
類似地，第3圖~第5圖中之標號110、211，以及311雖同代表第一層次填加材，惟因擠壓拉伸多次，其外徑或面積漸次縮小，成立110>211>311之結果。
同理，第4圖及第5圖中之標號210以及312，均代表第二層次填加材，惟因擠壓拉伸多次，其外徑或面積漸次縮小，成立210>312之結果。
本發明中，於第3圖~第5圖中各層互相接觸之接面121、221及321可知，由於兩側之材質與加工方法、程序、參數等因素，而形成相同或不相同組織、成份、狀態，如混合體、結晶體、合金體等而變化，發揮在使用設定器具上產生相同或不相同之電流效應。
以下，將詳述本發明電導體所能應用於預定設備之特殊效果及用途，有別於習知技術，如US 9,117,570 B2之僅限於本發明單一效果或簡易之產品使用。
第6圖之圖6a中，原基材201為長條柱狀體，長度不限，外徑 D，得單一材或複合材，亦得為導電體或非導電體，皆具有被壓縮延伸之特性。
第一層次填加材110為帶狀電導體，長度不限，寬度L，依原基材201外徑或周長而定，厚度T，依預設各材料之含量比率而定，但原則上不得超過適合加工範圍。
將第一層次填加材110兩端110a、110b，向內將原基材201軸向延伸完全包覆。
第6圖由圖6a進入圖6b，將第一層次填加材110之兩端110a、110b予以相接，產生縫隙110c，經焊接完整而連接。
第6圖之圖6b中，於原基材201與第一層次填加材110間之環形接面121留有間隙121a，經眼模設備加工壓縮，第一層次填加材110之兩端110a、110b，縫隙110c及間隙121a幾乎消失，其直徑稍小於D+2T。
圖6c係眼模加工後，圖6b之第一層次填加材110之兩端110a、110b，縫隙110c及間隙121a消失之示意圖。意即，圖6c在原基材與第一層次填加材110之間，形成接面121。圖6c以眼模設備加工壓縮延伸或加溫，退火至一預設外徑D1，預設外徑D1得預設等於原基材201外徑D加上兩倍第一層次填加材110厚度2T。此即如圖6d所示，成為第一填加基材，201a，得繼續依序經圖6e拉伸壓縮第一層次填加材110，使外徑D1縮小線徑201b，至預設使用規格，如圖6d→圖6e。
該以上各材料所佔成份比率，得依各材料使用量而定，且該各加工壓縮比率，原則上不影響預設各材料所佔成份比率。
在使用材料時，預設使用器具之特性需求而決定之。於使用材料種類、特性、成份、用量等之不同，可得當其通電時產生各該組成之 特性，應用於預設設備。
圖6d之標號201a即同為第一層次填加材110，而經眼模加工而縮小厚度T者；圖6e中標號201b即由201a厚度縮小之電導體；圖6e之標號D1表示外徑縮小至預設使用線徑者。
經過第6圖本發明製造電導體之過程，在各相同或不相同材質之接觸面間，形成相同或不相同特性之接面，如是混合體、結晶體、合金體、氧化體等，當通電使用時，產生各種相同或不相同之電流效應，如集膚效應(skin effect)、渦電流(eddy current)、環電流(ring current)，或磁效應、熱效應、擁擠效應(crowding effect)、或以上各效應之綜合效應等，致應用於預定設備上發揮特殊效果及用途。
US 3,331,041或US 5,223,349或US 9,117,570 B2等之習知技藝，縱有應用上列單一或簡易效應上之產品使用者，惟並未揭示類似本發明特性上具有多項的電器效應或其綜合效應，應用於更多特殊用途之產品上。
亦即，第6圖中之圖6a至圖6e之製造過程，製造第3圖所示複合導電體結合之電導體100。
接著，第7圖中之圖7a至圖7e之工序過程，係繪示製造第4圖所示複合導電體結合之電導體200。
第7圖中標號201a係第一填加基材，即第二次填加之基材；標號210係第二層次填加材，兩端分別標號210a及210b；標號210c代表第二層次填加材210之縫隙；標號222為拉伸壓縮前原201a與210之間隙，而222則為壓縮拉伸後之接面；標號221為原第6圖之121接面；標號202為第二填加基材，而標號202b則為縮小之第二填加基材。
經過與第6圖相同之過程，在各相同或不相同材質之接觸面間，形成相同或不相同特性之接面，又於第一層次填加材110與原基材201之間接面121，再經一次加工程序，或保存原接面結構，或經不同條件有不同結構，如此經過第7圖之圖7眼模加工，即有兩層121(或221)與222相同或不相同接面，當通電使用時，產生更多種相同或不相同之電流效應或其綜合效應，發揮應用於預定設備之特殊效果。
第7圖中圖7d之第二填加基材202a經眼模壓縮拉伸有一標號D2之直徑，而圖7e之第二填加基材202b雖有一縮小之直徑，仍以標號D2表之。
同理，第8圖之圖8a至圖8e之製造過程，係製造第5圖所示複合導電體結合之電導體300。
第8圖中標號202a係第二填加基材，即第三次填加之基材；標號310係第三填加材，兩端分別標號310a及310b；標號310c代表第三填加材之縫隙；標號323a為拉伸壓縮前之間隙，而標號323則為壓縮拉伸後接面；標號322為原第7圖標號222之接面，而標號321係原第7圖之接面221以及原第6圖之接面121；標號203a為第三填加基材，原標號203b則為縮小直徑面積之第三填加基材。
第8圖中，經過第6圖與第7圖之眼模壓縮過程，在各相同或不相同材質之接觸面間，形成相同或不相同特性之接面321、322、323。又於第一層次填加材與原基材之間接面321，再經系列加工程序，或保存原接面結構，或經不同條件而有不同結構。其次，於第二層次填加材與第一填加基材之間接面322，又經系列加工程序，或保存原接面結構，或經不同條件而有不同結構。再於第三層次填加材與第二填加基材之間形成其特有接 面323，當通電使用時，產生更多種相同或不相同之電流效應，或其綜合效應，發揮應用於預定設備之特殊作用及效果。
值得注意者，係經各層次填加，形成各次填加基材之特有結構，得經繼續使用多樣形態。例如，(A)由第一、二、三填加基材，繼續壓延成更細線徑之導線，或外加覆被絕緣，做為預設效果之電線電纜使用。(B)由第一、二、三填加基材，視特性要求，使用目標需求，將該基材切割成結構型式體，在電流進出之中，產生其特殊特性，以設計其特殊用途。
在研發創新領域中，或其缺點得轉為新的使用效果，選擇新使用於光電、半導體、或LED等方面。本發明之導電材，結構多樣變化，有無限的發明效果發揮空間。
在圖式之第9圖，則以圖9a、圖9b及圖9c繪示本發明以多層次填加材而使用相同導電體。
圖9a係第一層次填加材110填加於原基材101而經加工成第一填加基材(電導體)100，其可相同或可不相同於第3圖或第6圖，純依成品需求而以設定需求為依據。例如，當第一層次填加材110與原基材101之材質不同(其中原基材得為複合材101a、101b結合者)，如110為銅，101為鋁，依前述加工，得於110與101形成接面121，即成第一填加基材(電導體)100。
第9圖之圖9b則繪示第二層次填加材412填加於上述圖9a之第一填加基材(電導體)100上；圖9b之複合材410係412與411(原110收縮)之材質相同，如銅，依前述加工，即成第二填加基材(電導體)400；其中401為101收縮，411為110收縮；原接面121因加工過程因素，得相同或不相同。
第9圖之圖9c係第三層次填加材513填加於上述圖9b之第二填加基材(電導體)400上之繪示；圖9c之513與512(原412收縮)之材質相同，如 銅，依前述加工，即成第三填加基材(電導體)500；其中501為401收縮，511為411收縮；原接面121因加工過程因素，得相同或不相同。
經過圖9a(100)，圖9b(400)，圖9c(500)之加工過程，該第一、二、三次填加材511、512及513因材質相同，加工後，其間接面幾乎消失，緊密混合結合，如整體銅結合，外層510截面積為511、512、513之總和，即截面積501係501a及501b之相加，如鋁，與510(即511+512+513之和)如銅，得依各材料之使用量及收縮率核算而知，詳如隨後之實施使用態樣所述。
依此實施，可解決銅包鋁材料之銅比率由低漸次提高，解決製造一系列不同比例之材料，使用於各種成品特性之需求。
本發明中銅包鋁材料由低漸次提高，可資實施之較佳態樣：設定：原基材截面積為A單位計；填加材截面積依填加第一、二、三…次為B、C、D…單位計；加工截面積收縮率為X1、X2、X3…%。
第一層次填加A+B包覆，截面積A+B單位，截面積收縮率為X1%，得第一填加基材為AX1+BX1單位。
第二層次填加(AX1+BX1)+C單位，截面積收縮率為X2%，得第二填加基材為AX1X2+BX1X2+CX2單位。
第三層次填加(AX1X2+BX1X2+CX2)+D單位，截面積收縮率為X3%，得第三填加基材為AX1X2X3+BX1X2X3+CX2X3+DX3單位。
第四…層次填加得：AX1X2X3X4+BX1X2X3X4+CX2X3X4+DX3X4+EX4單位，依序得其計算公式，得計算出各層次各材料的截面積比率。
以上各層次填加基材繼續縮收加工，該各層次之各截面積比相同。
又，另可籌設以下之實施態樣：依以上計算公式：設定：A=85單位；B=15單位；A+B=100單位；B=C=D=E=…=15單位；截面積收縮率為X1=X2=X3=X4=…=85%。
依序可得：第一填加基材為AX1+BX1=85×0.85+15×0.85=85單位；截面積比A：B=85：15。
第二填加基材為AX1X2+BX1X2+CX2=85×0.85×0.85+15×0.85×0.85+15×0.85，截面積比A：B：C=72.25：12.75：15。
第三填加基材為AX1X2X3+BX1X2X3+CX2X3+DX3，=85×(0.85)3+B×(0.85)3+C×(0.85)2+D×0.85
截面積比A：B：C：D=61.41：10.84：12.75：15。
依序得計算出各層次各材料A、B、C、D的截面積比率。如各層次填加基材繼續縮收加工，該各層次之各截面積比相同。
繼之，亦可籌設以下之實施態樣： 依以上設定及計算公式：再設定各填加基材之材質相同時：原A：B=85：15，填加基材B，C，D，E…之材質相同時截面積縮收率=X1=X2=X3=85%；第一層次加工為A+B，A：B=AX1：BX1=85：15，如繼續縮收加工，其截面積比相同，即第一層次基材。
第二層次加工為A+B+C，AX1X2：BX1X2：CX2=85×0.85×0.85：15×0.85×0.85：15×0.85，B與C材質相同，相加為B1，A：B1=72.25：(12.75+15)=72.25：27.75，即第二層次基材。
第三層次加工為A+B+C+D
AX1X2X3：BX1X2X3：CX2X3：DX3=85×(0.85)3+15×(0.85)3+15×(0.85)2+15×0.85
B，C與D材質相同，相加為B2，A：B2=61.41：(10.84+12.75+15)=61.41：38.59，即第三層次基材。
依序得計算出各層次基材各材料A，B，B1，B2，B3…的截面積比率。

Claims (10)

  1. 一種複合導電體結合之電導體，包含：原基材為中心；多電導體填加材層，環狀包覆原基材；由預設加工方法，工序與參數，經延伸壓縮、變形成預設之形狀，且各材料緊密接合，其間幾無縫隙，在各材料接合處形成相同或不相同接面，經通電使用時，形成特殊電流效應，應用於預設電器設備。
  2. 一種複合導電體結合之電導體，包含：一長條柱狀體原基材；多帶狀電導體，為填加材組成；以該原基材為軸心，將第一填加材橫向兩側，向內環狀完整包覆該原基材，其軸向兩側端接連，接縫處緊密接合，如以焊接方式，經預設加工方法、工序與參數，經眼模設備延伸壓縮變形、昇溫或退火至該第一填加材環狀緊密包覆該原基材，依序第二、三等多層次填加，而成多層包覆之長條形電導體之結構，且於各層次間形成相同或不相同接面，經通電使用時，形成特殊電流效應，應用於預設電器設備。
  3. 如申請專利範圍第1或2項複合導電體結合之電導體，該原基材為可壓縮變形延伸，可為單一或多種導電金屬，如鋁，或其合金，亦可為非電導體，如石墨粉，滑石粉等組成。
  4. 如申請專利範圍第1或2項複合導電體結合之電導體，該原基材為一長條柱狀，長度不限，直徑依加工條件設定；該多電導體填加材為帶狀，長度配合該原基材，寬度依該原基材設定之直徑，以適合其兩側端包覆完整為原則，其厚度依預設使用材料之截面積或重量比訂之。
  5. 如申請專利範圍第1或2項複合導電體結合之電導體，該原基材與第一層次填加材，或各層次填加材間形成接面，為各互相接觸材質之混合體、結晶體、合金體或其氧化體等形態或綜合形態之接面，當該電導體通電使用，在各層面間，得產生各種相同或不相同之電流效應，如集膚效應(skin effect)、渦電流(eddy current)、環電流(ring current)、磁效應、熱效應、或擁擠效應(crowding effect)等，各別或共同結合成綜合效應，以達預定使用器具之預設功能。
  6. 一種製造複合導電體結合之電導體之方法，電導體使用一長條柱狀體為原基材，且以多層次填加帶狀電導體為填加材，方法包括步驟：(1)依據原基材為軸心，以一第一層次填加材之橫向兩端，將原基材完整環狀包覆，該兩端適當接觸，於該原基材周邊沿軸向成連接線，以焊接方式密接，該原基材與第一層次填加材之環狀接觸面之間，仍留有間隙，以縱向一端穿入壓延設備之眼模中，經壓縮拉伸延長，將內部間隙密接成幾無縫隙，依預設拉伸設備之條件、工序及參數，一或多次加工，達預設外徑尺度為止，即成第一次填加後之第一填加基材；(2)依以上第一填加基材為軸心，以一第二層次填加材之橫向兩端，將第一填加基材完整環狀包覆，該兩端適當接觸，於該第一填加基材周邊沿軸向成連接線，以焊接方式密接，該第一填加基材與第二層次填加材之環狀接觸面之間，仍留有間隙，以縱向一端穿入壓延設備之眼模中，經壓縮拉伸延長，將內部間隙密接成幾無縫隙，依預設拉伸設備之條件、工序及參數，一或多次加工，達預設外徑尺度為止，即成第二次填加後之第二填加基材；(3)依以上第二填加基材為軸心，以一第三層次填加材之橫向兩端，將第一填加基材完整環狀包覆，該兩端適當接觸，於該第二填加基材周邊沿軸向成連接線，以焊接方式密接，該第二填加基材與第三層次填加材之環狀接觸面之間，仍留有間隙，以縱向一端穿入壓延設備之眼模中，經壓縮拉伸延長，將內部間隙密接成幾無縫隙，依預設拉伸設備之條件、工序及參數，一或多次加工，達預設外徑尺度為止，即成第三次填加後之第三填加基材；(4)得重覆以上工序，至預設填加材層次為止；(5)該第一、二、三…各填加基材，得繼續壓延成更細線徑之導線，或外加覆被絕緣，做為預設效果為電線電纜使用；(6)該第一、二、三…各填加基材，得視特性需求，使用目標需求，將該基材切割成結構形式體，視再求於電流進出之中，產生其特殊特性，以設計其特殊用途。
  7. 如申請專利範圍第6項複合導電體結合之電導體之方法，其中步驟(1)~(6)使用材質、設計規格尺度、加工方法條件、工序、參數、截面積或直徑收縮比，得依設定目標預先訂定，即可預知設定成品之規格，以達設計產品使用特性與成果。
  8. 如申請專利範圍第7項複合導電體結合之電導體之方法，其中實施態樣中：預設原基材截面積為A單位計，填加材截面積依填加第一、二、三…次為B、C、D…單位計，加工截面積收縮率為X1、X2、X3…%；第一層次填加A+B包覆，截面積A+B單位，截面積收縮率為X1%，得第一填加基材為AX1+BX1單位；第二層次填加(AX1+BX1)+C單位，截面積收縮率為X2%，得第二填加基材為AX1X2+BX1X2+CX2單位；第三層次填加(AX1X2+BX1X2+CX2)+D單位，截面積收縮率為X3%，得第三填加基材為AX1X2X3+BX1X2X3+CX2X3+DX3單位；第四…層次填加得：AX1X2X3X4+BX1X2X3X4+CX2X3X4+DX3X4+EX4；依序得其計算公式，得計算出各層次各材料的截面積比率，以上各層次填加基材繼續縮收加工，該各層次之各截面積比相同。
  9. 如申請專利範圍第8項複合導電體結合之電導體之方法，其中實施態樣中：依以上計算公式：設定：A=85單位；B=15單位；A+B=100單位；B=C=D=E=…=15單位；截面積收縮率為X1=X2=X3=X4=…=85%，依序可得：第一填加基材為AX1+BX1=85×0.85+15×0.85=85單位，截面積比A：B=85：15；第二填加基材為AX1X2+BX1X2+CX2=85×0.85×0.85+15×0.85×0.85+15×0.85，截面積比A：B：C=72.25：12.75：15；第三填加基材為AX1X2X3+BX1X2X3+CX2X3+DX3=85×(0.85)3+B×(0.85)3+C×(0.85)2+D×0.85截面積比A：B：C：D=61.41：10.84：12.75：15，依序得計算出各層次各材料A、B、C、D…的截面積比率，如各層次填加基材繼續縮收加工，該各層次之各截面積比相同。
  10. 如申請專利範圍第9項複合導電體結合之電導體之方法，其中實施態樣中：依以上設定及計算公式：再設定各填加基材之材質相同時，原A：B=85：15，填加基材B，C，D，E…之材質相同時，截面積縮收率=X1=X2=X3=85%；第一層次加工為A+B，A：B=AX1：BX1=85：15，如繼續縮收加工，其截面積比相同，即第一層次基材；第二層次加工為A+B+C，AX1X2：BX1X2：CX2=85×0.85×0.85：15×0.85×0.85：15×0.85，B與C材質相同，相加為B1，A：B1=72.25：(12.75+15)=72.25：27.75，即第二層次基材；第三層次加工為A+B+C+D AX1X2X3：BX1X2X3：CX2X3：DX3=85×(0.85)3+15×(0.85)3+15×(0.85)2+15×0.85 B，C與D材質相同，相加為B2，A：B2=61.41：(10.84+12.75+15)=61.41：38.59，即第三層次基材；依序得計算出各層次基材各材料A，B，B1，B2，B3…的截面積比率。
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