CN108962428A - 复合导电体结合之电导体及其制造方法 - Google Patents

复合导电体结合之电导体及其制造方法 Download PDF

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CN108962428A
CN108962428A CN201710353186.2A CN201710353186A CN108962428A CN 108962428 A CN108962428 A CN 108962428A CN 201710353186 A CN201710353186 A CN 201710353186A CN 108962428 A CN108962428 A CN 108962428A
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Abstract

本发明公开复合导电体结合的电导体及其制造方法,在各相同或不相同材质的各层接触面间,形成相同或不相同特性的接口,如是混合体、结晶体、合金体、氧化体等,当通电使用时,产生各种相同或不相同的电流效应,如集肤效应(skin effect)、涡电流(eddy current)、环电流(ring current),或磁效应、热效应、拥挤效应(crowding effect)、或以上各效应的综合效应等,致应用于预定设备上能发挥特殊作用及效果。

Description

复合导电体结合之电导体及其制造方法
技术领域
本发明系关于复合导电体结合的电导体及其制造方法,依本发明之实施,可在各相同或不相同材质的各层接触面间,形成相同或不相同特性的接口,如是混合体、结晶体、合金体、氧化体等,当通电使用时,产生各种相同或不相同的电流效应,如集肤效应(skineffect)、涡电流(eddy current)、环电流(ring current),或磁效应、热效应、拥挤效应(crowding effect)、或以上各效应的综合效应等,致应用于预定设备上发挥特殊效果及作用。
已知固有揭露应用上列单一或简易效应上的产品用户,但并未涉及类似本发明特性上具有多项的电器效应或其综合效应,应用于更多特殊用途的产品上。
背景技术
美国专利US 3,331,041涉及“供遮蔽或收集磁场的超导体器具(SupperconductorDevice for Shielding or Collecting Magnetic Field)”,其有遮蔽或收集磁场的探讨,但未涉及类似本发明因接口而产生综合效应的课题。
美国专利US 5,223,349公开铜包覆铝的组合线圈,有由Al–Mg合金制成的芯,周遭包覆铜或铜合金;芯材料使用眼模有15~30度半角度抽拉,以减少至少20%截面积,以获得包覆线圈;同样地,此先前技术亦未涉及类似本发明的藉由填加基材与形成界面,以发挥功效之手法。
图10所揭示的,则为美国专利US 9,117,570 B2的铜包铝线,及其压缩导体的方法,该专利公开了一种铜包铝线,压缩导体和包括该铜线的电缆和制造压缩导体的方法,铜包铝线,压缩导体和包括铜包铝线的电缆以及根据本发明的实施例制造压缩导体的方法可以表现出类似于常规纯铜线的电气特征,而不会大大增加外部导体和电缆的直径,当工作人员甚至在狭窄的工作空间内安装电缆时,保证工作人员的工作性,并有效利用安装空间。
该美国专利的冷却装置30,可以使用注入低温惰性气体的装置,然后,当内导线及外导线通过一个铜线时,经由拉线盘40拉制成铜体积为30~39%的铜包铝线10,所需的形状和直径的铜包铝线10可由此获得,此时金属线的拉线盘40设置有圆筒形状的线盘箱43,并且可以将从导线入口47向导线出口49倾斜的通孔形成的线盘尖端45固定地安装在线盘箱43的内部。
发明内容
本发明新采用各层填加基材,以及形成接口,依需求而合通采用各种材质、含量,依照最后使用的需求而设定,另可依加工条件、工序、系数、或收缩比等,而达成电导体的制造。
本发明多种的第一、二、三…填加基材,亦得继续延压收缩成各种线径的导电线,或加以被覆绝缘,应用于各种电器设备使用。
本发明的复合导电体结合的电导体,该原基材为可压缩变形延伸,可为单一或多种导电金属,如铝,或其合金,亦可为非电导体,如石墨粉,滑石粉等组成。
本发明之较佳实施态样,可预设加工条件、工序、系数或收缩比等,特别于各材料间形成相同或不相同接口,产生各种相同或不相同的电流效应,或各种不同效应产生的综合效应,以使用于预设电器设备的特殊需求。
附图说明
图1是绘示本发明所涉之复合导电体结合的电导体的具体结构;
图2是本发明复合导电体结合的电导体经由线圈拉伸眼模45拉伸压缩的示意图,而图面右手边的A-A截面箭头所示方向视之,即构成本发明电导体图4所示的截面图;
图3所示是包含原基材与第一层次填加材所构成的电导体横切面图;
图4所示为较之第3图的电导体,多了第二层次填加材所构成的电导体横切面图;
图5所示为较之第4图的电导体,多了第三层次填加材所构成的电导体横切面图;
图6是以图6a~图6e之工序步骤,说明本发明在制造图3所示复合导电体结合的电导体之过程中,在压缩延伸中构造间的相互效用;
图7是以图7a~图7e之工序步骤,说明本发明在制造图4所示复合导电体结合的电导体的过程中,在压缩延伸中构造间的相互效用;
图8是以图8a~图8e之工序步骤,说明本发明在制造图5所示复合导电体结合的电导体的过程中,在压缩延伸中构造间的相互效用;
图9是绘示本发明以多层次填加材环绕于相同导电体以制成电导体,其中图9a是以第一层次填加材环绕原基材而制成的第一填加基材,图9b是以第二层次填加材环绕图9a的第一填加基材而制成的第二填加基材,图9c是以第三层次填加材环绕图9b的第二填加基材而制成的第三增加基材,以及
图10是已知美国专利US 9,117,570 B2的电导体及其制造方法。
图1
1 原基材
2 填加材或合并视为原基材
3 填加材
4 填加材
5 填加材
6 填加材
7 界面
8 界面
9 界面
11 本发明电导体的整个结构
图2
45 眼模
201(201a、201b) 原基材(相同或不相同材质)
210 第二层次填加材
211 第一层次填加材
221a 间隙
图3
100 第一填加基材(电导体)
101(101a、101b) 原基材(相同或不相同材质)
110 第一层次填加材
121 界面
图4
200 第二填加基材(电导体)
201(201a、201b) 原基材(相同或不相同材质)
210 第二层次填加材
211 第一层次填加材
221 界面
222 界面
图5
300 第三填加基材(电导体)
301(301a、301b) 原基材(相同或不相同材质)
310 第三层次填加材
311 第一层次填加材
312 第二层次填加材
321 界面
322 界面
323 界面
图6
图6a
201 原基材
110 第一层次填加材
110a、110b 第一层次填加材的两端
T 厚度
D 外径
L 宽度
图6b
201 原基材
110 第一层次填加材
110a、110b 第一层次填加材的两端
110c 缝隙
121a 间隙
图6c
121 界面
图6d
201a 第一层次填加材
D1 预设外径
图6e
201b 第一层次填加材
D1 预设外径
图7
图7a
201a 第一填加材
210 第二层次填加材
210a、210b 第二层次填加材的两端
221 界面
T 厚度
D1 外径
L 宽度
图7b
110 第一层次填加材
210 第二层次填加材
210a、210b 第二层次填加材的两端
210c 缝隙
221 界面
222a 间隙
图7c
221 界面
222 界面
图7d
202a 第二填加基材
D2 预设外径
图7e
201b 第二填加基材
D2 预设外径
图8
图8a
202a 第二填加基材
310 第三层次填加材
310a、310b 第三层次填加材之两端
T 厚度
D2 外径
L 宽度
图8b
310 第三层次填加材
310a、310b 第三层次填加材的两端
310c 缝隙
311 第一层次填加材
312 第二层次填加材
321 界面
322 界面
323a 间隙
图8c
321 界面
322 界面
323 界面
图8d
203a 第三填加基材
D3 预设外径
图8e
203b 第三填加基材
D3 预设外径
图9
图9a
100 第一填加基材(电导体)
101(101a、101b) 原基材(相同或不相同材质)
110 第一层次填加材
图9b
400 第二填加基材(电导体)
401(401a、401b) 原基材(相同或不相同材质)
410 复合材
411 第一层次填加材
412 第二层次填加材
图9c
500 第三填加基材(电导体)
501 截面积(501a及501b的相加)
510 外层截面积
511 第一层次填加材
512 第二层次填加材
513 第三层次填加材
第10图
10 铜包铝线
12 内导线
14 外导线
19 焊机
30 冷却装置
40 拉线盘
43 线盘箱
45 线盘尖端
47 导线入口
49 导线出口
具体实施方式
兹佐以图式,详细叙述本发明所公开的复合导电体结合的电导体及其制造方法。
参见图1,其绘示本发明的电导体结构,其中,最内圈标号1是一长条柱状体的原基材;2是填加材或合并视为原基材;3、4、5及6是填加材;7是填加材3与4间界面;8是填加材4与5间界面;9是填加材5与6间界面;以及11则是本发明电导体之整个结构。
次就第2图揆之,其绘示一线圈拉伸眼模(wire drawing die),用以制造本发明复合导电体结合的电导体。图中,标号45的眼模,是配置于压缩延伸设备上;标号201得包含201a及201b已加工后原基材;211是第一层次填加材,与201结合加工后,即为第一填加基材;210是第二层次填加材,与以上第一填加基材结合,完整环状包覆着第一填加基材,其两者间仍有间隙221a,未经眼模45压缩延伸其间的间隙221a,经第2图箭头所示延伸方向之右手边的方向压缩延伸,该间隙221a几可密合,几乎没有空隙,而成两者间的接口,其详如稍后图4所示。
亦即,图2所示历经压缩延伸后的电导体之A-A截面,即示之于图4。
以下,分别以图3、图4,以及图5,依序细述本发明电导体100、200以及300之结构。
图3所示复合导电体结合的电导体100中,包含原基材101,其包含101a及101b代表相同或不相同材质,及第一层次填加材110,以原基材101之轴心,完整环抱,其接触面或仍有空隙,并经眼模设备挤压拉伸成几无缝隙,形成界面121,继续压缩加工至预定外径,并得视为第一填加基材(电导体)100。
是故,编号100所代表的电导体,以及第一填加基材,虽出现两个部件编号,实质上只是部件前后描述,代表不同功能作用而已,原则上还是一致的。
接着,说明图式图4;图4,同于图2A-A横切而箭头所示的断面图,其为复合导电体结合的第二填加基材(电导体)200,包含第一填加基材(电导体)100,及第二层次填加材210。
图4第二填加基材(电导体)200,比图3的第一填加基材(电导体)100,多了第二层次填加材210;其第二层次填加材210,是依第一填加基材(电导体)100之轴心,完整环抱,虽接触面或仍有空隙,在经眼模设备挤压拉伸成几无缝隙,形成界面221,继续压缩加工至预定外径,成为第二填加基材(电导体)200。
同理,编号200前后亦代表电导体,以及第二填加基材,亦属不同阶段便利部件之叙述而已,原则代表部件之同一作用。
如前图3、图4所述类似般,图5绘示复合导电体结合电导体300,包含第二填加基材(电导体)200及第三层次填加材310。
图5的复合导电体结合的第三填加基材(电导体)300,比图4的第二填加基材(电导体)200,多了第三层次填加材310。
图5的第三层次填加材310,依第二填加基材(电导体)200之轴心,完整环抱,虽接触面或仍有空隙,在经眼模设备挤压拉伸,成为几无缝隙,形成接口320,继续压缩加工至预定外径,成为第三填加基材(电导体)300。
粗略言之,图3、图4,以及图5中,标号100、200及300分别表示各层次之复合导电体结合的电导体;101表示原基材,包含标号101a及101b,其为相同或不相同材质;而标号110、210以及310分别为第一、二、三层次填加材。
图3、图4,以及图5中的标号101、201,以及301,虽同为原基材的结构材质,但因挤压拉伸多次,其外径或面积渐次缩小,造成101>201>301之结果。
类似地,图3~图5中的标号110、211,以及311虽同代表第一层次填加材,但因挤压拉伸多次,其外径或面积渐次缩小,成立110>211>311之结果。
同理,图4及图5中的标号210以及312,均代表第二层次填加材,但因挤压拉伸多次,其外径或面积渐次缩小,成立210>312之结果。
本发明中,于图3~图5中各层互相接触的接口121、221及321可知,由于两侧之材质与加工方法、程序、参数等因素,而形成相同或不相同组织、成份、状态,如混合体、结晶体、合金体等而变化,发挥在使用设定器具上产生相同或不相同的电流效应。
以下,将详述本发明电导体所能应用于预定设备的特殊效果及用途,有别于已知技术,如US 9,117,570B2的仅限于本发明单一效果或简易的产品使用。
图6之图6a中,原基材201为长条柱状体,长度不限,外径口,为单一材或复合材,亦得为导电体或非导电体,皆具有被压缩延伸的特性。
第一层次填加材110为带状电导体,长度不限,宽度L,依原基材201外径或周长而定,厚度T,依预设各材料的含量比率而定,但原则上不得超过适合加工范围。
将第一层次填加材110两端110a、110b,向内将原基材201轴向延伸完全包覆。
图6由图6a进入图6b,将第一层次填加材110的两端110a、110b予以相接,产生缝隙110c,经焊接完整而连接。
图6之图6b中,于原基材201与第一层次填加材110间之环形接面121留有间隙121a,经眼模设备加工压缩,第一层次填加材110的两端110a、110b,缝隙110c及间隙121a几乎消失,其直径稍小于D+2T。
图6c是眼模加工后,图6b的第一层次填加材110的两端110a、110b,缝隙110c及间隙121a消失的示意图。即,图6c在原基材与第一层次填加材110之间,形成接口121。图6c以眼模设备加工压缩延伸或加温,退火至预设外径D1,预设外径D1得预设等于原基材201外径D加上两倍第一层次填加材110厚度2T。此即如图6d所示,成为第一填加基材,201a,继续依序经图6e的第二填加,或继续依预设加工缩小线径,至默认使用规格,如图6d→图6e。
该以上各材料所占成份比率,得依各材料使用量而定,且该各加工压缩比率,原则上不影响预设各材料所占成份比率。
在使用材料时,默认使用器具的特性需求而决定之。于使用材料种类、特性、成份、用量等的不同,可当其通电时产生各该组成的特性,应用于预设设备。
图6d的标号201a即同为第一层次填加材110,而经眼模加工而缩小厚度T者;图6e中标号201b即由201a厚度缩小的电导体;图6e的标号D1表示外径缩小至预设使用线径。
经过图6本发明制造电导体之过程,在各相同或不相同材质的接触面间,形成相同或不相同特性的接口,如是混合体、结晶体、合金体、氧化体等,当通电使用时,产生各种相同或不相同的电流效应,如集肤效应(skin effect)、涡电流(eddy current)、环电流(ringcurrent),或磁效应、热效应、拥挤效应(crowding effect)、或以上各效应的综合效应等,致应用于预定设备上发挥特殊效果及用途。
US 3,331,041或US 5,223,349或US 9,117,570 B2等已知技艺,纵有应用上列单一或简易效应上的产品用户,但并未揭示类似本发明特性上具有多项的电器效应或其综合效应,应用于更多特殊用途的产品上。
亦即,图6中的图6a至图6e之制造过程,制造图3所示复合导电体结合的电导体100。
接着,图7中之图7a至图7e之工序过程,是绘示制造图4所示复合导电体结合的电导体200。
图7中标号201a是第一填加基材,即第二次填加的基材;标号210是第二层次填加材,两端分别标号210a及210b;标号210c代表第二层次填加材210的缝隙;标号222为拉伸压缩前原201a与210的间隙,而222则为压缩拉伸后的接口;标号221为原图6的121界面;标号202为第二填加基材,而标号202b则为缩小的第二填加基材。
经过与图6相同之过程,在各相同或不相同材质的接触面间,形成相同或不相同特性的接口,又于第一层次填加材110与原基材201之间接口121,再经一次加工程序,或保存原接口结构,或经不同条件有不同结构,如此经过图7之图7眼模加工,即有两层121(或221)与222相同或不相同接口,当通电使用时,产生更多种相同或不相同的电流效应或其综合效应,发挥应用于预定设备的特殊效果。
图7中图7d的第二填加基材202a经眼模压缩拉伸有一标号D2的直径,而图7e的第二填加基材202b虽有一缩小的直径,仍以标号D2表之。
同理,图8之图8a至图8e的制造过程,是制造图5所示复合导电体结合的电导体300。
图8中标号202a是第二填加基材,即第三次填加的基材;标号310是第三填加材,两端分别标号310a及310b;标号310c代表第三填加材的缝隙;标号323a为拉伸压缩前的间隙,而标号323则为压缩拉伸后接口;标号322为原图7标号222的界面,而标号321是原图7的接口221以及原图6的接口121;标号203a为第三填加基材,原标号203b则为缩小直径面积的第三填加基材。
图8中,经过图6与图7的眼模压缩过程,在各相同或不相同材质的接触面间,形成相同或不相同特性的接口321、322、323。又于第一层次填加材与原基材之间接口321,再经系列加工程序,或保存原接口结构,或经不同条件而有不同结构。其次,于第二层次填加材与第一填加基材之间接口322,又经系列加工程序,或保存原接口结构,或经不同条件而有不同结构。再于第三层次填加材与第二填加基材之间形成其特有接口323,当通电使用时,产生更多种相同或不相同的电流效应,或其综合效应,发挥应用于预定设备的特殊作用及效果。
值得注意者,系经各层次填加,形成各次填加基材的特有结构,得经继续使用多样形态。例如,(A)由第一、二、三填加基材,继续压延成更细线径的导线,或外加覆被绝缘,做为预设效果的电线电缆使用。(B)由第一、二、三填加基材,视特性要求,使用目标需求,将该基材切割成结构型式体,在电流进出之中,产生其特殊特性,以设计其特殊用途。
在研发创新领域中,或其缺点得转为新的使用效果,选择新使用于光电、半导体、或LED等方面。本发明的导电材,结构多样变化,有无限的发明效果发挥空间。
在图式之图9,则以图9a、图9b及图9c绘示本发明以多层次填加材而使用相同导电体。
图9a是第一层次填加材110填加于原基材101而经加工成第一填加基材(电导体)100,其可相同或可不相同于图3或图6,纯依成品需求而以设定需求为依据。例如,当第一层次填加材110与原基材101的材质不同(其中原基材得为复合材101a、101b结合者),如110为铜,101为铝,依前述加工,得于110与101形成界面121,即成第一填加基材(电导体)100。
图9之图9b则绘示第二层次填加材412填加于上述图9a的第一填加基材(电导体)100上;图9b的复合材410是412与411(原110收缩)的材质相同,如铜,依前述加工,即成第二填加基材(电导体)400;其中401为101收缩,411为110收缩;原接口121因加工过程因素,得相同或不相同。
图9之图9c是第三层次填加材513填加于上述图9b的第二填加基材(电导体)400上所绘示;图9c的513与512(原412收缩)的材质相同,如铜,依前述加工,即成第三填加基材(电导体)500;其中501为401收缩,511为411收缩;原接口121因加工过程因素,得相同或不相同。
经过图9a(100),图9b(400),图9c(500)的加工过程,该第一、二、三次填加材511、512及513因材质相同,加工后,其间接口几乎消失,紧密混合结合,如整体铜结合,外层510截面积为511、512、513之总和,即截面积501系501a及501b之相加,如铝,与510(即511+512+513之和)如铜,得依各材料之使用量及收缩率核算而知,详如随后之实施使用态样所述。
依此实施,可解决铜包铝材料的铜比率由低渐次提高,解决制造一系列不同比例的材料,使用于各种成品特性的需求。
本发明中铜包铝材料由低渐次提高,可资实施之较佳态样:
设定:原基材截面积为A单位计;
填加材截面积依填加第一、二、三…次为B、C、D…单位计;
加工截面积收缩率为X1、X2、X3…%。
第一层次填加A+B包覆,截面积A+B单位,
截面积收缩率为X1%,
得第一填加基材为AX1+BX1单位。
第二层次填加(AX1+BX1)+C单位,
截面积收缩率为X2%,
得第二填加基材为AX1X2+BX1X2+CX2单位。
第三层次填加(AX1X2+BX1X2+CX2)+D单位,
截面积收缩率为X3%,
得第三填加基材为AX1X2X3+BX1X2X3+CX2X3+DX3单位。
第四…层次填加得:
AX1X2X3X4+BX1X2X3X4+CX2X3X4+DX3X4+EX4单位,
依序得其计算公式,得计算出各层次各材料的截面积比率。
以上各层次填加基材继续缩收加工,该各层次的各截面积比相同。又,另可筹设以下之实施态样:
依以上计算公式:
设定:A=85单位;B=15单位;A+B=100单位;
B=C=D=E=…=15单位;
截面积收缩率为X1=X2=X3=X4=…=85%。
依序可得:
第一填加基材为AX1+BX1=85×0.85+15×0.85=85单位;
截面积比A:B=85:15。
第二填加基材为AX1X2+BX1X2+CX2
=85×0.85×0.85+15×0.85×0.85+15×0.85,
截面积比A:B:C=72.25:12.75:15。
第三填加基材为AX1X2X3+BX1X2X3+CX2X3+DX3
=85×(0.85)3+B×(0.85)3+C×(0.85)2+D×0.85
截面积比A:B:C:D=61.41:10.84:12.75:15。
依序得计算出各层次各材料A、B、C、D的截面积比率。
如各层次填加基材继续缩收加工,该各层次的各截面积比相同。
继之,亦可筹设以下之实施态样:
依以上设定及计算公式:
再设定各填加基材的材质相同时:
原A:B=85:15,填加基材B,C,D,E…的材质相同时
截面积缩收率=X1=X2=X3=85%;
第一层次加工为A+B,
A:B=AX1:BX1=85:15,
如继续缩收加工,其截面积比相同,即第一层次基材。
第二层次加工为A+B+C,
AX1X2:BX1X2:CX2=85×0.85×0.85:15×0.85×0.85:15×0.85,
B与C材质相同,相加为B1,
A:B1=72.25:(12.75+15)=72.25:27.75,即第二层次基材。
第三层次加工为A+B+C+D
AX1X2X3:BX1X2X3:CX2X3:DX3=85×(0.85)3+15×(0.85)3+15×(0.85)2+15×0.85
B,C与D材质相同,相加为B2
A:B2=61.41:(10.84+12.75+15)=61.41:38.59,即第三层次基材。
依序得计算出各层次基材各材料A,B,B1,B2,B3…的截面积比率。

Claims (10)

1.一种复合导电体结合的电导体,包含:
原基材为中心;
多个电导体填加材层,环状包覆原基材;
由预设加工方法,工序与参数,经延伸压缩、变形成预设的形状,且各材料紧密接合,其间几无缝隙,在各材料接合处形成相同或不相同接口,经通电使用时,形成特殊电流效应,应用于预设电器设备。
2.一种复合导电体结合的电导体,包含:
长条柱状体原基材;
多个带状电导体,为填加材组成;
以所述原基材为轴心,将第一填加材横向两侧,向内环状完整包覆所述原基材,其轴向两侧端接连,接缝处紧密接合,如以焊接方式,经预设加工方法、工序与参数,经眼模设备延伸压缩变形、升温或退火至所述第一填加材环状紧密包覆所述原基材,依序第二、三等多层次填加,而成多层包覆的长条形电导体的结构,且于各层次间形成相同或不相同接口,经通电使用时,形成特殊电流效应,应用于预设电器设备。
3.如权利要求1或2所述的复合导电体结合的电导体,所述原基材为可压缩变形延伸,可为单一或多种导电金属,如铝,或其合金,亦可为非电导体,如石墨粉,滑石粉等组成。
4.如权利要求1或2所述的复合导电体结合的电导体,所述原基材为长条柱状,长度不限,直径依加工条件设定;
所述多个电导体填加材为带状,长度配合所述原基材,宽度依所述原基材设定之直径,以适合其两侧端包覆完整为原则,其厚度依预设使用材料的截面积或重量比订之。
5.如权利要求1或2所述的复合导电体结合的电导体,所述原基材与所述第一层次填加材,或各层次填加材间形成接口,为各互相接触材质的混合体、结晶体、合金体或其氧化体等形态或综合形态的接口,当所述电导体通电使用,在各层面间,得产生各种相同或不相同的电流效应,如集肤效应(skin effect)、涡电流(eddy current)、环电流(ring current)、磁效应、热效应、或拥挤效应(crowding effect)等,各别或共同结合成综合效应,以达预定使用器具的默认功能。
6.一种制造复合导电体结合的电导体的方法,电导体使用长条柱状体为原基材,且以多层次填加带状电导体为填加材,方法包括步骤:
(1)依据原基材为轴心,以第一层次填加材的横向两端,将原基材完整环状包覆,所述两端适当接触,于所述原基材周边沿轴向成连接线,以焊接方式密接,所述原基材与第一层次填加材的环状接触面之间,仍留有间隙,以纵向一端穿入压延设备的眼模中,经压缩拉伸延长,将内部间隙密接成几无缝隙,依预设拉伸设备之条件、工序及参数,一或多次加工,达预设外径尺度为止,即成第一次填加后的第一填加基材;
(2)依以上第一填加基材为轴心,以第二层次填加材的横向两端,将第一填加基材完整环状包覆,所述两端适当接触,于所述第一填加基材周边沿轴向成连接线,以焊接方式密接,所述第一填加基材与第二层次填加材的环状接触面之间,仍留有间隙,以纵向一端穿入压延设备的眼模中,经压缩拉伸延长,将内部间隙密接成几无缝隙,依预设拉伸设备的条件、工序及参数,一或多次加工,达预设外径尺度为止,即成第二次填加后的第二填加基材;
(3)依以上第二填加基材为轴心,以第三层次填加材的横向两端,将第一填加基材完整环状包覆,所述两端适当接触,于所述第二填加基材周边沿轴向成连接线,以焊接方式密接,所述第二填加基材与第三层次填加材的环状接触面之间,仍留有间隙,以纵向一端穿入压延设备的眼模中,经压缩拉伸延长,将内部间隙密接成几无缝隙,依预设拉伸设备的条件、工序及参数,一或多次加工,达预设外径尺度为止,即成第三次填加后的第三填加基材;
(4)得重复以上工序,至默认填加材层次为止;
(5)第一、二、三…各填加基材,得继续压延成更细线径的导线,或外加覆被绝缘,做为预设效果为电线电缆使用;
(6)所述第一、二、三…各填加基材,得视特性需求,使用目标需求,将所述基材切割成结构形式体,视再求于电流进出之中,产生其特殊特性,以设计其特殊用途。
7.如权利要求6所述的复合导电体结合的电导体的方法,其中步骤(1)~(6)使用材质、设计规格尺度、加工方法条件、工序、参数、截面积或直径收缩比,得依设定目标预先订定,即可预知设定成品的规格,以达设计产品使用特性与成果。
8.如权利要求7所述的复合导电体结合的电导体的方法,其中实施态样中:
默认原基材截面积为A单位计,
填加材截面积依填加第一、二、三…次为B、C、D…单位计,
加工截面积收缩率为X1、X2、X3…%;
第一层次填加A+B包覆,截面积A+B单位,
截面积收缩率为X1%,
得第一填加基材为AX1+BX1单位;
第二层次填加(AX1+BX1)+C单位,
截面积收缩率为X2%,
得第二填加基材为AX1X2+BX1X2+CX2单位;
第三层次填加(AX1X2+BX1X2+CX2)+D单位,
截面积收缩率为X3%,
得第三填加基材为AX1X2X3+BX1X2X3+CX2X3+DX3单位;
第四…层次填加得:
AX1X2X3X4+BX1X2X3X4+CX2X3X4+DX3X4+EX4
依序得其计算公式,得计算出各层次各材料的截面积比率,
以上各层次填加基材继续缩收加工,所述各层次的各截面积比相同。
9.如权利要求8所述的复合导电体结合的电导体的方法,其中实施态样中:
依以上计算公式:
设定:A=85单位;B=15单位;A+B=100单位;
B=C=D=E=…=15单位;
截面积收缩率为X1=X2=X3=X4=…=85%,
依序可得:
第一填加基材为AX1+BX1=85×0.85+15×0.85=85单位,
截面积比A:B=85:15;
第二填加基材为AX1X2+BX1X2+CX2
=85×0.85×0.85+15×0.85×0.85+15×0.85,
截面积比A:B:C=72.25:12.75:15;
第三填加基材为AX1X2X3+BX1X2X3+CX2X3+DX3
=85×(0.85)3+B×(0.85)3+C×(0.85)2+D×0.85
截面积比A:B:C:D=61.41:10.84:12.75:15,
依序得计算出各层次各材料A、B、C、D…的截面积比率,
如各层次填加基材继续缩收加工,所述各层次的各截面积比相同。
10.如权利要求9所述的复合导电体结合的电导体的方法,其中实施态样中:
依以上设定及计算公式:
再设定各填加基材的材质相同时,
原A:B=85:15,填加基材B,C,D,E…的材质相同时,
截面积缩收率=X1=X2=X3=85%;
第一层次加工为A+B,
A:B=AX1:BX1=85:15,
如继续缩收加工,其截面积比相同,即第一层次基材;
第二层次加工为A+B+C,
AX1X2:BX1X2:CX2=85×0.85×0.85:15×0.85×0.85:15×0.85,
B与C材质相同,相加为B1
A:B1=72.25:(12.75+15)=72.25:27.75,即第二层次基材;
第三层次加工为A+B+C+D
AX1X2X3:BX1X2X3:CX2X3:DX3
=85×(0.85)3+15×(0.85)3+15×(0.85)2+15×0.85
B,C与D材质相同,相加为B2
A:B2=61.41:(10.84+12.75+15)=61.41:38.59,即第三层次基材;依序得计算出各层次基材各材料A,B,B1,B2,B3…的截面积比率。
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CN104934107A (zh) * 2014-03-17 2015-09-23 日立金属株式会社 复合导体

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