TWI655564B - 透明導電薄膜、透明導電薄膜的製造方法及觸控面板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種在視認側及視認側的相反側分別形成由金屬細線構成之電極之同時,能夠確保視野角依賴性較少的優異之視認性之透明導電薄膜、透明導電薄膜的製造方法及觸控面板。第1電極的第1金屬細線38包括面向視認側之線寬W1A的第1前表面38A和面向視認側的相反側之線寬W1B的第1後表面38B,第2電極的第2金屬細線39具有面向視認側之線寬W2A的第2前表面39A和面向視認側的相反側之線寬W2B的第2後表面39B,線寬W1A、W1B、W2A及W2B在0.5~10μm的範圍內,線寬W1A設定為比線寬W1B大的值,且線寬W2A被設定為比線寬W2B大的值。

Description

透明導電薄膜、透明導電薄膜的製造方法及觸控面板
本發明係有關一種透明導電薄膜及其製造方法,尤其係有關一種使用於觸控面板等之透明導電薄膜及其製造方法。
並且,本發明亦係有關一種使用透明導電薄膜之觸控面板。
近年來,在以行動資訊設備為首之各種電子設備中,正在推進觸控面板的普及,該觸控面板與液晶顯示裝置等顯示裝置進行組合而被使用,並藉由接觸於畫面而進行對電子設備的輸入操作。
例如,在專利文献1中揭示有如下觸控面板,亦即該觸控面板在透明絕緣基板的表面上形成由條狀銅配線構成之第1電極,並且在透明絕緣基板的背面上形成由與第1電極的銅配線正交之方向的條狀銅配線構成之第2電極。
在該觸控面板中,對第1電極的銅配線和第2電極的銅配線兩者,在將觸控面板設置於顯示裝置等時,在成為視認側之銅配線的端部形成由黑色的氧化銅被膜構成之黑化層,從而降低鏡面反射而實現對比度的提高。例如,在形成於透明絕緣基板的表面上之第1電極係配置於視認側者的情況下,在第1電極的銅配線的透明絕緣基板的相反側的端部及第2電極的銅配線的透明絕緣基板側的端部分別形成有黑化層。 [先前技術文獻] [專利文獻]
【專利文獻1】日本專利公開2013-206315號公報
[發明所要解決的問題]
為了防止視認出存在具有遮光性之銅配線,並且,為了降低由設置有觸控面板之顯示裝置的畫素與銅配線的干涉引起之莫耳紋的產生,形成第1電極及第2電極之銅配線需要進行細線化為1~5μm程度的寬度。
該種銅配線能夠藉由在透明絕緣基板上形成銅箔,並藉由使用抗蝕劑之光微影法將銅箔進行圖案化而得到。該情況下,為了實施線寬為1~5μm程度的高精度的圖案化,需要將抗蝕劑以較高的密合力密合於銅箔而進行濕式蝕刻。該情況下,如第9圖所示,形成透明絕緣基板1側的線寬W2小於透明絕緣基板1的相反側的線寬W1的、具有倒錐狀的剖面形狀的銅配線2及3。另外,在銅配線2及3的視認側的端部分別形成有黑化層4。
然而,如第9圖所示,在透明絕緣基板1的表面1A上及背面1B上分別形成具有1~5μm程度的線寬之條狀銅配線2及3,例如,若從表面1A側垂直地觀察透明絕緣基板1,則在斜向觀察時,藉由視野角而存在產生銅配線的金屬光澤顯著之視野角依賴性的問題。
這是因為各銅配線2及3具有倒錐狀的剖面形狀,因此從視認側容易看到形成於透明絕緣基板1的背面1B上的銅配線3的側面3C,判斷其原因在於該側面3C上的較強的反射光藉由視野角而發生變化。
如銅配線2及3的視認側的端部那樣,若形成黑化層4,則雖然能夠降低反射,但是在製造方法上,不易在銅配線3的側面3C形成黑化層4。
本發明係為了解決該種習知之問題點而完成者,其目的在於,提供一種在視認側及視認側的相反側分別形成由金屬細線構成之電極之同時,能夠確保視野角依賴性較少的優異之視認性之透明導電薄膜。
並且,本發明的目的在於,提供一種能夠獲得該種透明導電薄膜之透明導電薄膜的製造方法。
另外,本發明的目的在於,提供一種使用該種透明導電薄膜之觸控面板。 [解決問題的技術手段]
本發明之透明導電薄膜係具有透過區域之透明導電薄膜,具備:透明絕緣基板,具有面向視認側之第1面和面向視認側的相反側之第2面;第1電極,包括第1金屬細線,該第1金屬細線配置於透過區域中之透明絕緣基板的第1面上;第2電極,與第1電極絕緣,且包括第2金屬細線,該第2金屬細線以與透過區域中之第1金屬細線交叉之方式配置於透明絕緣基板的第2面上,第1金屬細線包括面向視認側之線寬W1A的第1前表面和面向視認側的相反側之線寬W1B的第1後表面,第2金屬細線具有面向視認側之線寬W2A的第2前表面和面向視認側的相反側之線寬W2B的第2後表面,線寬W1A、W1B、W2A及W2B在0.5~10μm的範圍內,線寬W1A係大於線寬W1B者,且線寬W2A係大於線寬W2B者。
線寬W1A及W2A滿足0≤W1A-W2A≤0.3×W1A的關係為較佳。
並且,線寬W1A、W1B、W2A及W2B滿足W2A-W2B<W1A-W1B的關係為較佳。該情況下,第2金屬細線的厚度H2大於第1金屬細線的厚度H1為進一步較佳。
線寬W1A為1.5μm以上且5μm以下為較佳,且第1金屬細線的厚度H1及第2金屬細線的厚度H2為0.5μm以上且3μm以下為較佳。
並且,亦能夠構成為第1金屬細線的第1前表面及第2金屬細線的第2前表面為黑化層。
第1金屬細線及第2金屬細線由銅構成為較佳。
本發明之透明導電薄膜的製造方法係製造上述透明導電薄膜之方法,其中,在透明絕緣基板的第1面上形成第1金屬層,並且在透明絕緣基板的第2面上形成第2金屬層,在第1金屬層的表面上形成被圖案化之第1抗蝕層,並且在第2金屬層的表面上形成被圖案化之第2抗蝕層,實施藉由強化第1金屬層和第1抗蝕層的密合力而使其比第2金屬層與第2抗蝕層的密合力更強的密合力強化處理,藉由將第1金屬層及第2金屬層分別或者同時進行濕式蝕刻,從而形成第1金屬細線及第2金屬細線。
本發明之另一種透明導電薄膜的製造方法係製造上述透明導電薄膜之方法,其中,在透明絕緣基板的第1面上形成第1金屬細線,在轉印用基板的表面上形成第2金屬細線,將第2金屬細線從轉印用基板轉印到透明絕緣基板的第2面上。
本發明之觸控面板係使用上述透明導電薄膜者。作為觸控面板,可以進行多點觸控的檢測之投影型靜電容量式觸控面板為較佳。 [發明的效果]
依本發明,配置於透明絕緣基板的第1面上之第1金屬細線包括面向視認側之線寬W1A的第1前表面和面向視認側的相反側之線寬W1B的第1後表面,配置於透明絕緣基板的第2面上之第2金屬細線具有面向視認側之線寬W2A的第2前表面和面向視認側的相反側之線寬W2B的第2後表面,線寬W1A、W1B、W2A及W2B在0.5~10μm的範圍內,由於線寬W1A大於線寬W1B、且線寬W2A大於線寬W2B,因此能夠在視認側及視認側的相反側分別形成由金屬細線構成之電極之同時,能夠確保視野角依賴性較少的優異之視認性。
實施形態1
將本發明的實施形態1之觸控面板11的構成示於第1圖。該觸控面板11具備具有平板形狀之透明的絕緣性覆蓋件12,在視認側的相反側的覆蓋件12的表面上,透明導電薄膜13藉由透明的黏合劑14而被接合。透明導電薄膜13在透明絕緣基板31的兩面上分別形成有導電構件32。並且,如第1圖所示,以平坦化或保護導電構件32為目的,可以以包覆導電構件32之方式,在透明絕緣基板31的兩面上形成有透明的保護層33。
作為覆蓋件12的材質,能夠使用強化玻璃、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)等,厚度為0.1~1.5mm為較佳。
作為透明絕緣基板31的材質,能夠使用玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、環烯烴聚合物(COP)、環狀烯烴共聚物(COC)等,厚度為20~200μm為較佳。
如第2圖所示,在透明導電薄膜13上劃分有透過區域S1,並且在透過區域S1的外側劃分有周邊區域S2。在透明絕緣基板31的表面31A上,在透過區域S1內形成有複數個第1電極34,該複數個第1電極34分別沿第1方向D1延伸,並且在正交於第1方向D1之第2方向D2上並列配置且由導電構件32形成,在周邊區域S2,連接於複數個第1電極34且由導電構件32形成之複數個第1周邊配線35彼此靠近地排列。
同樣地,在透明絕緣基板31的背面31B上,在透過區域S1內形成有複數個第2電極36,該複數個第2電極36分別沿第2方向D2延伸,並且在第1方向D1上並列配置且由導電構件32形成,在周邊區域S2,連接於複數個第2電極36且由導電構件32形成之複數個第2周邊配線37彼此靠近地排列。
另外,第3圖表示第1電極34與第2電極36的交叉部。配置於透明絕緣基板31的表面31A上之第1電極34藉由由第1金屬細線38構成之網格圖案而形成,配置於透明絕緣基板31的背面31B上之第2電極36亦藉由由第2金屬細線39構成之網格圖案而形成。並且,在第1電極34與第2電極36的交叉部,從視認側觀察時,第1金屬細線38和第2金屬細線39以彼此交叉之方式配置。另外,在第3圖中,為了容易理解第1金屬細線38和第2金屬細線39的區別,將第2金屬細線39用點線來表示,但是,實際上由與第1金屬細線38同樣地連接之線形成。
作為網格圖案的形狀,如第3圖那樣相同的網格重複配置之圖案為較佳,網格的形狀為菱形尤為佳。但是亦可以為平行四邊形、正方形、長方形,亦可以為其他多邊形。從視認性的觀點考慮,網格的中心間距離(網格間距)為100~600μm為較佳。由第1金屬細線38構成之網格圖案和由第2金屬細線39構成之網格圖案為相同的形狀為較佳。另外,如第3圖那樣,將由第1金屬細線38構成之網格圖案和由第2金屬細線39構成之網格圖案僅偏離相當於網格間距的一半的距離而進行配置,從視認性的觀點考慮,以從視認側形成網格間距成為一半之網格圖案之方式配置為較佳。作為其他形態,網格的形狀亦可以係無規的圖案。
並且,在彼此相鄰之第1電極34之間,且在彼此相鄰之第2電極36之間,可以具有分別與由第1金屬細線38、第2金屬細線39形成之電極絕緣之虛設網格圖案。虛設網格圖案由與形成電極之網格圖案相同的網格形狀形成為較佳。
如第4圖所示,配置於透明絕緣基板31的表面31A上之第1電極34的第1金屬細線38具有面向視認側之第1前表面38A和面向視認側的相反側之第1後表面38B,第1前表面38A的線寬W1A大於第1後表面38B的線寬W1B,具有所謂之倒錐狀的剖面形狀。
另一方面,配置於透明絕緣基板31的背面31B上之第2電極36的第2金屬細線39具有面向視認側之第2前表面39A和面向視認側的相反側之第2後表面39B,第2後表面39B的線寬W2B小於第2前表面39A的線寬W2A,具有所謂之正錐狀的剖面形狀。
亦即,第1金屬細線38的線寬W1A及W1B和第2金屬細線39的線寬W2A及W2B滿足 W1B<W1A且W2B<W2A・・・・・・(1) 的關係。
並且,第1金屬細線38及第2金屬細線39為了不易被視認,該些線寬W1A、W1B、W2A及W2B均設定於0.5~10μm的範圍內。
藉由該種構成,配置於透明絕緣基板31的背面31B上之第2金屬細線39的側面39C不易被看到,具有第1電極34及第2電極36之金屬光澤的視野角依賴性得到改善。
並且,在第1金屬細線38的視認側的第1前表面38A及第2金屬細線39的視認側的第2前表面39A分別形成有黑化層40。黑化層40係用於降低第1金屬細線38的第1前表面38A及第2金屬細線39的第2前表面39A中之鏡面反射者。另外,雖然在第1金屬細線38的側面38C及第2金屬細線39的側面39C不易形成黑化層40,但是亦可形成有黑化層40。
作為第1金屬細線38和第2金屬細線39的材料而使用銅、銀、鋁、金、鉬等金屬或合金,作為膜厚0.1~5μm為較佳。其中,從電阻值、穩定性及成本的觀點考慮,銅為較佳。
在第4圖中,以透明絕緣基板31與第1金屬細線38及第2金屬細線39直接連接之形狀表示,但是在透明絕緣基板31與第1金屬細線38及第2金屬細線39之間,亦可以形成一層以上密合強化層、下塗層、硬塗層等功能層。
作為黑化層40,包含銅之氧化物為較佳,可以舉出CuO(氧化銅(II))、CuO-Cr2 O3 、CuO-Fe3 O4 -Mn2 O3 、CuO-Fe2 O3 -Cr2 O3 等。作為其他材料,可以舉出黑色氧化鉄(Fe3 O4 )、鈦黑、鎳、鉻等,其膜厚為0.01~0.4μm為較佳。
並且,若在透明板的表面和背面分別配置彼此相同的線寬的遮光構件,並從表面側觀察透明板,則由於背面側的遮光構件利用在透明板的表面折射之光而觀察,因此得出看起來配置於背面上之遮光構件的寬度比配置於表面上之遮光構件的寬度更寬的見解。
因此,預先將配置於透明絕緣基板31的表面31A上之第1金屬細線38的第1前表面38A的線寬W1A設定為,比配置於透明絕緣基板31的背面31B上之第2金屬細線39的第2前表面39A的線寬W2A稍大的值為較佳。
但是,為了防止由從視認側觀察時的第1金屬細線38和第2金屬細線39的線寬的差異引起之第1金屬細線38和第2金屬細線39的存在顯著,第1金屬細線38的第1前表面38A的線寬W1A與第2金屬細線39的第2前表面39A的線寬W2A的差量(W1A-W2A)為線寬W1A的0.3倍的值以下為較佳。亦即,線寬W1A及W2A滿足 0≤W1A-W2A≤0.3×W1A・・・・・・(2) 的關係為較佳。
藉由將該種第1金屬細線38及第2金屬細線39分別配置於透明絕緣基板31的表面31A及背面31B上,藉此在透明絕緣基板31的表面31A及背面31B中,在位於視認側之表面31A上配置之第1金屬細線38的視認側的第1前表面38A的線寬W1A設定為,與在位於視認側的相反側之背面31B上配置之第2金屬細線39的視認側的第2前表面39A的線寬W2A相等,或者稍大於線寬W2A的值,因此當從視認側觀察透明導電薄膜13時,看起來透明絕緣基板31的表面31A上的第1金屬細線38和背面31B上的第2金屬細線39具有彼此相同的線寬。從而,不易視認出由第1金屬細線38形成之第1電極34和由第2金屬細線39形成之第2電極36所具有之網格圖案的存在,且透明導電薄膜13的透過區域S1的視認性提高。
尤為佳的範圍為線寬W1A稍大於線寬W2A的情況,其差值為0.02μm以上為較佳,為0.02μm≤W1A-W2A≤0.3×W1A。
並且,從視認側觀察時,若在透明絕緣基板31的背面31B上配置之具有正錐狀的剖面形狀之第2金屬細線39的側面39C的錐形狀平緩,則斜向觀察透明導電薄膜13時,觀察到側面39C上的反射光之可能性變高。
於是,為了使透明絕緣基板31的背面31B側的第2金屬細線39的側面39C不易看到,第2金屬細線39的第2前表面39A的線寬W2A與第2後表面39B的線寬W2B的差量(W2A-W2B)小於第1金屬細線38的第1前表面38A的線寬W1A與第1後表面38B的線寬W1B的差量(W1A-W1B)為較佳。亦即,第1金屬細線38的線寬W1A及W1B和第2金屬細線39的線寬W2A及W2B滿足 W2A-W2B<W1A-W1B・・・・・・(3) 的關係為較佳。
如此一來,能夠進一步降低對應於視野角之反射光的影響,並能夠進一步有效地實現視野角依賴性的降低。
具有倒錐狀的剖面形狀之第1金屬細線38及具有正錐狀的剖面形狀之第2金屬細線39,藉由對分別形成於透明絕緣基板31的兩面之銅等金屬層實施濕式蝕刻而能夠形成,但是為了實現上述式(3)所示之構成,第2金屬細線39的厚度H2具有大於第1金屬細線38的厚度H1的值為較佳。這是因為在對厚度不同的金屬同時進行濕式蝕刻之情況下,厚度較小的金屬被過蝕刻之時間變長,倒錐形的形狀變得牢固,容易製作出滿足上述條件之形狀。
具體而言,作為使用於觸控面板11之透明導電薄膜13,設定為第1金屬細線38的第1前表面38A的線寬W1A為1.5μm以上且5μm以下為較佳,且第1金屬細線38的厚度H1及第2金屬細線39的厚度H2為0.5μm以上且3μm以下為較佳。藉由將第1金屬細線38和第2金屬細線39的厚度設為0.5μm以上且3μm以下,容易製作線寬為1.5μm以上且5μm以下的金屬細線。尤其,藉由將金屬細線的厚度設定為線寬的一半以下的值,藉由濕式蝕刻容易形成5μm以下的微細的線寬。而且,考慮製造適性,第1金屬細線38的第1前表面38A的線寬W1A為2μm以上且4μm以下為較佳,第1金屬細線38的厚度H1及第2金屬細線39的厚度H2為0.5μm以上且2μm以下為較佳。
用於降低鏡面反射的黑化層40,例如在將銅用作第1金屬細線38及第2金屬細線39的形成材料之情況下,能夠由氧化銅形成。
藉由黑化層40的形成,分別位於視認側之第1金屬細線38的第1前表面38A及第2金屬細線39的第2前表面39A上之鏡面反射降低,且對比度提高。
該種透明導電薄膜13,藉由在透明絕緣基板31的表面31A上形成包括第1電極34及第1周邊配線35之導電構件32,並且在透明絕緣基板31的背面31B上形成包括第2電極36及第2周邊配線37之導電構件32,從而被製造出來。
導電構件32能夠如下形成。
例如,如第5圖(A)所示,在透明絕緣基板31的背面31B上形成由氧化銅構成之黑化層41之後,在透明絕緣基板31的表面31A上及背面31B的黑化層41上,分別形成由銅構成之第1金屬層42及第2金屬層43,另外,在透明絕緣基板31的表面31A的第1金屬層42上,形成由氧化銅構成之黑化層44。
接著,如第5圖(B)所示,在透明絕緣基板31的表面31A的黑化層44上及背面31B的第2金屬層43上,分別形成第1抗蝕層45及第2抗蝕層46,如第5圖(C)所示,經由第1曝光遮罩47及第2曝光遮罩48對第1抗蝕層45及第2抗蝕層46分別進行圖案曝光,進而實施顯影,藉此,如第5圖(D)所示,將被圖案化之第1抗蝕層45及第2抗蝕層46分別進行圖案化。
此時,將第1抗蝕層45及第2抗蝕層46的兩面同時曝光為較佳。藉由兩面同時曝光而能夠高精度地製作第1金屬細線38的圖案與第2金屬細線39的圖案的對準。
然後,如第5圖(E)所示,藉由鹵素燈等而僅對透明絕緣基板31的表面31A側的第1抗蝕層45實施退火處理等,藉由強化第1金屬層42及黑化層44與第1抗蝕層45的密合力,而使其比第2金屬層43與第2抗蝕層46的密合力強。
該狀態下,若對第1金屬層42及第2金屬層43分別進行使用蝕刻液之濕式蝕刻,則在透明絕緣基板31的表面31A側,由於第1抗蝕層45強力密合,因此防止蝕刻液浸透於第1金屬層42及黑化層44與第1抗蝕層45之間,伴隨著蝕刻時間,第1金屬層42的接近於透明絕緣基板31的部分比面向第1抗蝕層45之部分提前進行蝕刻,如第5圖(F)所示,形成倒錐狀的第1金屬細線38。
另一方面,在透明絕緣基板31的背面31B側,由於第2抗蝕層46的密合力較小,因此蝕刻液浸透於第2金屬層43與第2抗蝕層46之間,伴隨著蝕刻時間,第2金屬層43的面向第2抗蝕層46之部分比接近於透明絕緣基板31的部分提前進行蝕刻,如第5圖(F)所示,形成正錐狀的第2金屬細線39。
然後,藉由去除第1抗蝕層45及第2抗蝕層46,可以得到如第4圖所示之構造的透明導電薄膜13。
或者,能夠如下形成導電構件32。
首先,與第5圖(A)~(F)所示之方法同樣地,在透明絕緣基板31的表面31A上形成由銅構成之第1金屬層之後,在第1金屬層上形成由氧化銅構成之黑化層,藉由在該黑化層上形成被圖案化之抗蝕劑並實施濕式蝕刻,如第6圖(A)所示,在透明絕緣基板31的表面31A上形成倒錐形狀的第1金屬細線38。
另外,同様地,在轉印用基板49的表面上形成離型層50之後,在離型層50上依次形成由銅構成之第2金屬層及由氧化銅構成之黑化層,藉由在黑化層上形成被圖案化之抗蝕劑並實施濕式蝕刻,如第6圖(A)所示,在離型層50上形成倒錐形狀的第2金屬細線39。
並且,如第6圖(B)所示,經由黏著層,在將形成於轉印用基板49的表面上之第2金屬細線39貼付於透明絕緣基板31的背面31B上並進行轉印之後,如第6圖(C)所示,從第2金屬細線39將轉印用基板49及離型層50進行隔離,藉此正錐形狀的第2金屬細線39配置於透明絕緣基板31的背面31B上。
實施形態2
上述使用於實施形態1的觸控面板11中之透明導電薄膜13,具有在第1金屬細線38的視認側的第1前表面38A及第2金屬細線39的視認側的第2前表面39A分別形成之黑化層40,但是並不限定於此,例如,如第7圖所示,第1金屬細線38及第2金屬細線39亦可以不具有黑化層40。
即使在該情況下,若第1金屬細線38的線寬W1A及W1B和第2金屬細線39的線寬W2A及W2B均設定在0.5~10μm的範圍內,且滿足上述式(1)的關係,則能夠確保視野角依賴性較少的優異之視認性。
並且,第1金屬細線38的線寬W1A及第2金屬細線39的線寬W2A還滿足上述式(2)關係,藉此能夠進一步提高視認性,並且若第1金屬細線38的線寬W1A及W1B和第2金屬細線39的線寬W2A及W2B滿足上述式(3)的關係,則進一步能夠改善視野角依賴性。
實施形態3
在實施形態1及2中,如第3圖所示,配置於透明絕緣基板31的表面31A上之第1電極34的第1金屬細線38、及配置於透明絕緣基板31的背面31B上之第2電極36的第2金屬細線39分別具有網格圖案,但是並不限定於此。例如如第8圖所示,將第1電極34由分別彎曲且彼此並行之複數個第1金屬細線58形成,並且將第2電極36由分別彎曲且彼此並行之複數個第2金屬細線59形成,從視認側觀察時,亦可以構成為複數個第1金屬細線58和複數個第2金屬細線59彼此重疊而形成由多邊形構成之許多網格。從視認性的觀點考慮,該情況下,鄰接之第1金屬細線間距離及鄰接之第2金屬細線間距離為50~300μm為較佳。
即使使用該種第1金屬細線58及第2金屬細線59,亦與實施形態1及2同樣地能夠確保視野角依賴性較少的優異之視認性。
另外,在第8圖中,與第3圖同様地,為了容易理解第1金屬細線58與第2金屬細線59的區別,將第2金屬細線59用點線來表示,但是實際上由與第1金屬細線58同様地連接之線形成。
本發明之透明導電薄膜使用於如第1圖所示之觸控面板為最佳,此外,亦能夠適用於用於產生熱的発熱體、用於屏蔽電磁波的電磁波屏蔽體等。
【實施例】
以下,依據實施例對本發明進行進一步詳細的說明。在以下實施例中所示之材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等,只要不脫離本發明的宗旨則可以適當地進行變更,並且本發明的範圍並非係應由以下實施例被限定地解釋者。
實施例1
如下製作第2圖~第4圖所示之構成的透明導電薄膜。
首先,作為透明絕緣基板,準備厚度為100μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜,並在透明絕緣基板的兩面形成基於聚酯樹脂之厚度為5μm的下塗層,而且,在該些下塗層上形成基於由溶膠凝膠法形成之氧化矽之厚度為100nm的密合強化層。
接著,在位於視認側的相反側的透明絕緣基板的背面之密合強化層上,藉由濺射而形成由氧化銅構成之厚度為0.1μm的黑化層。而且,在透明絕緣基板的表面側的密合強化層上,藉由濺射而形成厚度為0.9μm的銅層,並且在背面側的黑化層上,藉由濺射而形成厚度為1.4μm的銅層,在表面側的銅層上,藉由濺射而形成由氧化銅構成之厚度為0.1μm的黑化層,從而形成在透明絕緣基板的表面及背面分別配置有帶黑化層的銅層之層疊體。
在該層疊體的表面上及背面上分別塗佈抗蝕劑,並在温度80℃下實施30分鐘的预烘烤處理,在層疊體的表面上及背面上的抗蝕劑,分別經由石英製第1曝光遮罩及第2曝光遮罩,對兩面同時進行基於紫外線之圖案曝光。在曝光之後實施鹼性顯影,並進行了抗蝕劑的圖案化。然後,在温度90℃下實施15分鐘的後烘烤處理,而且,僅對層疊體的表面側的抗蝕劑實施基於鹵素燈之退火處理,從而強化層疊體的表面側的抗蝕劑的密合力,強化層疊體的表面側的抗蝕劑的密合力,而使其比層疊體的背面側的抗蝕層的密合力強。
作為圖案,層疊體的兩面均採用第3圖所示之網格形狀,且在層疊體的表面及背面,網格間距為400μm且交叉角的夾角為60度之菱形網格形狀,將相對於視認側的第1金屬細線之第1曝光遮罩的線寬M1設為3.0μm,將相對於視認側的相反側的第2金屬細線之第2曝光遮罩的線寬M2亦設為3.0μm。
對具有被圖案化之抗蝕劑之層疊體,使用由温度40℃的氯化鐵水溶液構成之蝕刻液,並藉由濕式蝕刻同時實施了層疊體兩面的銅及氧化銅的蝕刻。
然後,從層疊體的兩面剝離抗蝕劑,並進行水洗及乾燥,藉此製作實施例1的透明導電薄膜。
實施例2及3
除了將相對於視認側的相反側的第2金屬細線之第2曝光遮罩的線寬M2設為2.5μm及2.2μm以外,藉由與實施例1相同的方法,分別製作實施例2及3的透明導電薄膜。
實施例4
除了將相對於視認側的第1金屬細線之第1曝光遮罩的線寬M1設為4.0μm,且將相對於視認側的相反側的第2金屬細線之第2曝光遮罩的線寬M2設為4.0μm以外,藉由與實施例1相同的方法,製作實施例4的透明導電薄膜。
實施例5及6
除了將相對於視認側的相反側的第2金屬細線之第2曝光遮罩的線寬M2設為3.5μm及3.2μm以外,藉由與實施例4相同的方法,分別製作實施例5及6的透明導電薄膜。
實施例7
除了將透明絕緣基板的視認側的銅層的厚度變更為1.9μm,且將視認側的相反側的銅層的厚度變更為2.9μm,並將相對於視認側的第1金屬細線之第1曝光遮罩的線寬M1設為5.0μm,且將相對於視認側的相反側的第2金屬細線之第2曝光遮罩的線寬M2設為5.0μm以外,藉由與實施例1相同的方法,製作實施例7的透明導電薄膜。
實施例8及9
除了將相對於視認側的相反側的第2金屬細線之第2曝光遮罩的線寬M2設為3.5μm及3.2μm以外,藉由與實施例7相同的方法,分別製作實施例8及9的透明導電薄膜。
實施例10
除了將透明絕緣基板的視認側的銅層的厚度變更為0.4μm,且將視認側的相反側的銅層的厚度變更為1.4μm以外,藉由與實施例4相同的方法,製作實施例10的透明導電薄膜。
實施例11
除了將透明絕緣基板的視認側的銅層的厚度變更為0.7μm,且將視認側的相反側的銅層的厚度變更為1.4μm以外,藉由與實施例4相同的方法,製作實施例11的透明導電薄膜。
實施例12
首先,作為透明絕緣基板,準備厚度為100μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜,並在透明絕緣基板的兩面形成基於聚酯樹脂之厚度為5μm的下塗層,而且,在位於視認側的透明絕緣基板的表面之下塗層上,形成基於由溶膠凝膠法形成之氧化矽之厚度為100nm的密合強化層。
接著,在密合強化層上,藉由濺射而依次形成由厚度為0.9μm的銅層及由氧化銅構成之厚度為0.1μm的黑化層,從而,在透明絕緣基板的表面形成帶黑化層的銅層。
另外,在黑化層上塗佈抗蝕劑,並在温度80℃下實施30分鐘的预烘烤處理,並對抗蝕劑經由石英製第1曝光遮罩進行了基於紫外線之圖案曝光。在曝光之後實施鹼性顯影,並進行了抗蝕劑的圖案化。然後,在温度120℃下實施1小時的後烘烤處理,強化了抗蝕劑的密合力。
作為圖案,採用第3圖所示之網格形狀,且網格間距為400μm且交叉角的夾角為60度之菱形網格形狀,並將第1曝光遮罩的線寬M1設為3.0μm。
對配置有被圖案化之抗蝕劑之帶黑化層的銅層,使用由温度40℃的氯化鐵水溶液構成之蝕刻液實施了濕式蝕刻。
然後,剝離抗蝕劑,並進行水洗及乾燥,藉此在透明絕緣基板的表面上形成倒錐形狀的第1金屬細線。
接著,在玻璃製轉印用基板的表面上形成由聚烯烴構成之離型層之後,藉由濺射而在離型層上依次形成由厚度為0.9μm的銅層及氧化銅構成之厚度為0.1μm的黑化層,從而在轉印用基板的表面形成帶黑化層的銅層。
在黑化層上塗佈抗蝕劑,並在温度80℃下實施30分鐘的预烘烤處理,對抗蝕劑經由石英製第2曝光遮罩進行了基於紫外線之圖案曝光。在曝光之後,實施鹼性顯影,並進行了抗蝕劑的圖案化。然後,在温度120℃下實施1小時的後烘烤處理,強化了抗蝕劑的密合力。
作為圖案,採用第3圖所示之網格形狀,且網格間距為400μm且交叉角的夾角為60度之菱形網格形狀,並將第2曝光遮罩的線寬M2設為2.5μm。
對配置有被圖案化之抗蝕劑之帶黑化層的銅層,使用由温度40℃的氯化鐵水溶液構成之蝕刻液實施了濕式蝕刻。
然後,剝離抗蝕劑,並進行水洗及乾燥,藉此在轉印用基板的表面上形成了倒錐形狀的第2金屬細線。
將形成於轉印用基板的表面上之第2金屬細線,經由黏著層貼付於透明絕緣基板的視認側的相反側的背面上,並藉由通過轉印用基板而照射紫外線,藉此將第2金屬細線轉印到透明絕緣基板的背面上,並從第2金屬細線剝離轉印用基板。藉此,在透明絕緣基板的背面上製造出配置有正錐形狀的第2金屬細線之實施例12的透明導電薄膜。
比較例1
將透明絕緣基板的視認側的相反側的銅層的厚度設為1μm,並將後烘烤處理變更為温度120℃且1小時,進而並未實施基於鹵素燈之退火處理,除此以外,藉由與實施例1相同的方法,製作比較例1的透明導電薄膜。
比較例2
除了將第1曝光遮罩的線寬M1及第2曝光遮罩的線寬M2分別設為4.0μm以外,藉由與比較例1相同的方法,製作比較例2的透明導電薄膜。
比較例3
除了將透明絕緣基板的視認側的銅層的厚度、及視認側的相反側的銅層的厚度分別變更為1.9μm以外,藉由與比較例1相同的方法,製作比較例3的透明導電薄膜。
對實施例1~12及比較例1~3的透明導電薄膜,分別使用電子顕微鏡進行剖面観察,測定出第4圖所示之面向第1金屬細線38的視認側之第1前表面38A的線寬W1A、面向視認側的相反側之第1後表面38B的線寬W1B、面向第2金屬細線39的視認側之第2前表面39A的線寬W2A、面向視認側的相反側之第2後表面39B的線寬W2B。
並且,對實施例1~12及比較例1~3的透明導電薄膜分別進行了視野角的評價及網格可見度的評價。
將該些測定結果及評價結果示於以下表1。
【表1】
另外,關於視野角的評價,在水平的黑色板上,以第2金屬細線成為黑色板側(視認側的相反側)之方式配置透明導電薄膜,並從上方朝向透明導電薄膜照射白色光,從透明導電薄膜在20cm的高度、且50度及30度的角度該2種角度分別目測透明導電薄膜,對是否觀察到透明導電薄膜的金屬光澤進行了評價。
在表1中,視野角的評價中之評價結果A表示在50度及30度的角度均未觀察到金屬光澤之視野角優異之等級,評價結果B表示在50度的角度未觀察到金屬光澤,而在30度的角度稍微觀察到金屬光澤,但不存在問題之等級,評價結果C表示在50度及30度的角度該兩個角度觀察到金屬光澤之視野角上存在問題之等級。
並且,關於網格可見度的評價,在水平的黑色板上,以第2金屬細線成為黑色板側(視認側的相反側)之方式配置透明導電薄膜,並從上方朝向透明導電薄膜照射白色光,若從透明導電薄膜在40cm的高度的観察点和從透明導電薄膜在10cm的高度的観察点該2点,分別在45度的俯角目測透明導電薄膜,並對是否觀察到網格圖案進行了評價。
在表1中,網格可見度的評價中之評價結果A表示在40cm的高度的観察点和10cm的高度的観察点均未觀察到網格圖案之具有優異之視認性之等級,評價結果B表示在40cm的高度観察点未觀察到網格圖案,但是在10cm的高度的観察点確認稍微觀察到網格圖案之、實際上在視認性上不存在問題之等級。與此相對,評價結果C表示即使在40cm的高度的観察点和10cm的高度的観察点,第1金屬細線的存在亦顯著、且清楚地観察到網格圖案之、在視認性上存在問題之等級。
滿足上述式(1)亦即, W1B<W1A且W2B<W2A的關係之實施例1~12的透明導電薄膜,確認到視野角的評價結果全部為B以上,且表示視野角依賴性較少的優異之視認性。
另外,實施例1、4、7及9的透明導電薄膜不滿足上述式(2)亦即, 0≤W1A-W2A≤0.3×W1A的關係和上述式(3)亦即, W2A-W2B<W1A-W1B的關係,確認到網格可見度的評價結果及視野角的評價結果均成為B,但是視認性及金屬光澤為不存在問題之等級,可獲得實用之透明導電薄膜。
在實施例1~12中,實施例2、3、5、6及8的透明導電薄膜被設定為進一步滿足上述式(2)亦即, 0≤W1A-W2A≤0.3×W1A的關係,網格可見度的評價結果係A。
實施例10及11的透明導電薄膜被設定為均滿足上述式(1)、(2)及上述式(3)亦即, W2A-W2B<W1A-W1B的關係,視野角的評價結果及網格可見度的評價結果均係A。確認到可獲得既無視野角依賴性,且亦無網格可見度的具有優異之視認性之透明導電薄膜。
利用轉印而製作之實施例12的透明導電薄膜,與其他實施例不同,第2金屬細線的厚度H2被設定為與第1金屬細線的厚度H1相等的值,但是滿足式(1)、(2)及(3)的關係,且視野角的評價結果及網格可見度的評價結果均係A。確認到可獲得既無視野角依賴性,亦無網格可見度的具有優異之視認性之透明導電薄膜。
另一方面,確認到比較例1~3的透明導電薄膜均不滿足上述式(1)的關係,視野角的評價結果均係C,且在視野角依賴性上存在問題。
1‧‧‧透明絕緣基板
1A‧‧‧表面
1B‧‧‧背面
2、3‧‧‧銅配線
4‧‧‧黑化層
11‧‧‧觸控面板
12‧‧‧支撐體
13‧‧‧透明導電薄膜
14‧‧‧黏合劑
31‧‧‧透明絕緣基板
31A‧‧‧表面
31B‧‧‧背面
32‧‧‧導電構件
33‧‧‧保護層
34‧‧‧第1電極
35‧‧‧第1周邊配線
36‧‧‧第2電極
37‧‧‧第2周邊配線
38、58‧‧‧第1金屬細線
38A‧‧‧第1前表面
38B‧‧‧第1後表面
38C、39C‧‧‧側面
39、59‧‧‧第2金屬細線
39A‧‧‧第2前表面
39B‧‧‧第2後表面
40、41、44‧‧‧黑化層
42‧‧‧第1金屬層
43‧‧‧第2金屬層
45‧‧‧第1抗蝕層
46‧‧‧第2抗蝕層
47‧‧‧第1曝光遮罩
48‧‧‧第2曝光遮罩
49‧‧‧轉印用基板
50‧‧‧離型層
S1‧‧‧透過區域
S2‧‧‧周邊區域
D1‧‧‧第1方向
D2‧‧‧第2方向
W1、W2、W1A、W1B、W2A、W2B‧‧‧線寬
H1、H2‧‧‧高度
第1圖係表示本發明的實施形態1之觸控面板之局部剖面圖。 第2圖係表示使用於實施形態1之觸控面板中之透明導電薄膜之平面圖。 第3圖係表示使用於實施形態1之觸控面板中之透明導電薄膜的檢測電極之局部平面圖。 第4圖係表示使用於實施形態1之觸控面板中之透明導電薄膜的第1金屬細線及第2金屬細線之局部剖面圖。 第5圖係按照製程順序表示製造實施形態1之觸控面板之方法之剖面圖。 第6圖係按照製程順序表示製造實施形態1之觸控面板之另一方法之剖面圖。 第7圖係表示使用於實施形態2之觸控面板中之透明導電薄膜的第1金屬細線及第2金屬細線之局部剖面圖。 第8圖係表示使用於實施形態3之觸控面板中之透明導電薄膜的檢測電極之局部平面圖。 第9圖係表示使用於習知之觸控面板中之透明導電薄膜的第1金屬細線及第2金屬細線之局部剖面圖。

Claims (11)

  1. 一種透明導電薄膜,其係具有透過區域之透明導電薄膜,前述透明導電薄膜的特徵為,具備:透明絕緣基板,具有面向視認側之第1面和面向視認側的相反側之第2面;第1電極,包括第1金屬細線,該第1金屬細線配置於前述透過區域中之前述透明絕緣基板的前述第1面上;第2電極,與前述第1電極絕緣,且包括第2金屬細線,該第2金屬細線以與前述透過區域中之前述第1金屬細線交叉之方式配置於前述透明絕緣基板的前述第2面上,前述第1金屬細線包括面向視認側之線寬W1A的第1前表面和面向視認側的相反側之線寬W1B的第1後表面,前述第2金屬細線具有面向視認側之線寬W2A的第2前表面和面向視認側的相反側之線寬W2B的第2後表面,線寬W1A、W1B、W2A及W2B在0.5~10μm的範圍內,並且滿足W2A-W2B<W1A-W1B的關係,線寬W1A大於線寬W1B,且線寬W2A大於線寬W2B。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜,其中,線寬W1A及W2A滿足0
    Figure TWI655564B_C0001
    W1A-W2A
    Figure TWI655564B_C0002
    0.3×W1A的關係。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜,其中,前述第2金屬細線的厚度H2大於前述第1金屬細線的厚度H1。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之透明導電薄膜,其中,線寬W1A為1.5μm以上且5μm以下,前述第1金屬細線的厚度H1及前述第2金屬細線的厚度H2為0.5μm以上且3μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之透明導電薄膜,其中,前述第1金屬細線的前述第1前表面及前述第2金屬細線的前述第2前表面為黑化層。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之透明導電薄膜,其中,前述第1金屬細線及前述第2金屬細線由銅構成。
  7. 一種透明導電薄膜的製造方法,其係製造如申請專利範圍第1項~第6項中任一項所述之透明導電薄膜之方法,前述透明導電薄膜的製造方法的特徵為,在前述透明絕緣基板的前述第1面上形成第1金屬層,並且在前述透明絕緣基板的前述第2面上形成第2金屬層,在前述第1金屬層的表面上形成被圖案化之第1抗蝕層,並且在前述第2金屬層的表面上形成被圖案化之第2抗蝕層,實施藉由強化前述第1金屬層和前述第1抗蝕層的密合力而使其比前述第2金屬層與前述第2抗蝕層的密合力更強的密合力強化處理,將前述第1金屬層及前述第2金屬層分別或者同時進行濕式蝕刻,從而形成前述第1金屬細線及前述第2金屬細線。
  8. 一種透明導電薄膜的製造方法,其係製造如申請專利範圍第1項~第6項中任一項所述之透明導電薄膜之方法,前述透明導電薄膜的製造方法的特徵為,在前述透明絕緣基板的前述第1面上形成前述第1金屬細線,在轉印用基板的表面上形成前述第2金屬細線,將前述第2金屬細線從前述轉印用基板轉印到前述透明絕緣基板的前述第2面上。
  9. 一種透明導電薄膜的製造方法,其係製造具有透過區域之透明導電薄膜之方法,前述透明導電薄膜的製造方法的特徵為,前述透明導電薄膜具備:透明絕緣基板,具有面向視認側之第1面和面向視認側的相反側之第2面;第1電極,包括第1金屬細線,該第1金屬細線配置於前述透過區域中之前述透明絕緣基板的前述第1面上;第2電極,與前述第1電極絕緣,且包括第2金屬細線,該第2金屬細線以與前述透過區域中之前述第1金屬細線交叉之方式配置於前述透明絕緣基板的前述第2面上,前述第1金屬細線包括面向視認側之線寬W1A的第1前表面和面向視認側的相反側之線寬W1B的第1後表面,前述第2金屬細線具有面向視認側之線寬W2A的第2前表面和面向視認側的相反側之線寬W2B的第2後表面,線寬W1A、W1B、W2A及W2B在0.5~10μm的範圍內,線寬W1A大於線寬W1B,且線寬W2A大於線寬W2B,在製造前述透明導電薄膜之際,在前述透明絕緣基板的前述第1面上形成第1金屬層,並且在前述透明絕緣基板的前述第2面上形成第2金屬層,在前述第1金屬層的表面上形成被圖案化之第1抗蝕層,並且在前述第2金屬層的表面上形成被圖案化之第2抗蝕層,實施藉由強化前述第1金屬層和前述第1抗蝕層的密合力而使其比前述第2金屬層與前述第2抗蝕層的密合力更強的密合力強化處理,將前述第1金屬層及前述第2金屬層分別或者同時進行濕式蝕刻,從而形成前述第1金屬細線及前述第2金屬細線。
  10. 一種觸控面板,其使用如申請專利範圍第1項~第6項中任一項所述之透明導電薄膜。
  11. 一種觸控面板,其係具有透過區域之觸控面板,前述觸控面板的特徵為,具備:第1電極,包括第1金屬細線,該第1金屬細線配置於前述透過區域;第2電極,與前述第1電極絕緣,且包括第2金屬細線,該第2金屬細線以與前述透過區域中之前述第1金屬細線交叉之方式配置,前述第2金屬細線以位於比前述第1金屬細線更靠近視認側的相反側的方式配置,前述第1金屬細線包括面向視認側之線寬W1A的第1前表面和面向視認側的相反側之線寬W1B的第1後表面,前述第2金屬細線具有面向視認側之線寬W2A的第2前表面和面向視認側的相反側之線寬W2B的第2後表面,線寬W1A、W1B、W2A及W2B在0.5~10μm的範圍內,並且滿足W2A-W2B<W1A-W1B的關係,線寬W1A大於線寬W1B,且線寬W2A大於線寬W2B。
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