TWI654695B - 真空工具及測量該真空工具的客真空室中的氛圍的方法 - Google Patents

Abstract

一種用於測量真空工具的客真空室中的氛圍的方法包括：使用殘餘氣體分析儀(RGA)來測量在主真空室中氛圍的第一組成。在測量第一組成期間，主真空室和客真空室並不耦合。主真空室被耦合到客真空室，因此在每一真空室中的氛圍可在主真空室中混合。在耦合了該等真空室之後，使用RGA來測量在主真空室中的氛圍的第二組成。藉由使用處理器，用測得的第一組成和第二組成來自動地判定客氛圍的組成。真空工具可包括該主室和該客室、該閥、該RGA和一處理器，處理器被建構來控制閥以實施此方法或其他方法。

Description

真空工具及測量該真空工具的客真空室中的氛圍的方法

相關申請的交叉引用

本申請案是一主張在2012年12月6日提申且名稱為“Using Residual Gas Analyzer For Vacuum Chamber Leak Detection”的美國臨時專利申請序列號No.61/734,205的權益的非臨時申請案，該臨時申請案的全文以引用的方式合併到本文中。

本申請案涉及測量在室中，例如在半導體處理中使用的真空室中，的氣體濃度或氣體分壓。

製造半導體，例如積體電路電晶體，的處理涉及在很低壓力下實施的許多處理。在通常被稱作“真空室”的室中維持這些壓力。一般而言，真空室為連接到抽吸系統(例如包括低溫泵或渦輪泵的抽吸系統)的封殼。抽 吸系統維持低壓或極低壓力，例如對於基準壓力為例如10^-8托或者在處理期間為5毫托。抽吸系統可維持室中被選定的氣體的規定濃度。“真空工具”為包括一個或多個真空室並且便於轉移工件進出(多個)真空室的裝置。真空工具的例子，具體而言為群集式(cluster)工具，是由APPLIED MATERIALS公司所製造的ENDURA物理氣相沉積(PVD)機器。例如，用於沉積銅(Cu)和氮化鉭(Ta(N))的PVD處理需要真空，例如~5毫托。在整個此揭露內容中，“真空”係指遠低於大氣壓(1atm=760Torr)的壓力，例如，<20托。

上升率(ROR)為幫助監視真空系統的健康狀況的最簡單的工具之一。可通過將系統抽吸到預選的壓力(基準壓力)，然後閉合真空閥並且隨著時間來監視壓力來獲得ROR曲線(或“回復曲線”)。ROR曲線提供氣體負荷的測量，其易於與給定系統的“標準的”先前獲得的曲線比較。

可通過抽空持續至少十分鐘然後閉合所有的閥以隔離待測試的室來產生ROR曲線。對於2至3分鐘的測試，不實施抽吸。隨時間繪製在室中的壓力。在一例子中，<=2000奈托(n Torr)/分鐘為可接受的上升速率；超過它表示需要校正措施。壓力升高可由於從室中的水分或其他材料，例如，諸如塗覆室或處理套件表面的烴的材料脫氣而造成。壓力升高也可由於在室與外部氛圍之間或者在室與其抽吸部件或其他部件之間的洩漏造成。例如，在斷流閥中的洩漏可使處理氣體，例如氮氣(N₂)或氬氣(Ar) 洩漏到室內。在閥中的微粒可機械性地阻擋其完全閉合，例如來自化學氣相沉積(CVD)系統的微粒(例如，圖2)。未能閉合也可以是閥壽命終止的結果。氣體洩漏也可由於最終斷流閥上游的質量流控制器(MFC)故障造成。

許多半導體製造廠(“fab”)對每個室實施ROR測試以在用它生產矽晶圓之前證明室合格。即使同時測試多個室，這也會耗費大量時間，例如每個室從數十分鐘到數小時。ROR測試必須週期性地重複實施，例如每天或者每2至3天一次，從而延長了所消耗的時間。晶圓不能在ROR測試期間運行，從而降低了fab產量。ROR測試也可不通知操作者在ROR測試之間出現的故障。由於300mm晶圓可花費數千美元，早期檢測到故障可顯著地改進fab的經濟效益可行性。此外，所測量的ROR曲線可反映多種故障模式，並不是所有故障模式都可只根據ROR測試來區分。例如，由於N₂進入造成的壓力升高可以是處理氣體洩漏或外側空氣洩漏。其他壓力升高可來自洩漏或除氣。因此ROR故障可需要另外的耗時測試來確定故障原因。在一些方案中，如果指示出有故障的話，則ROR測試被重復。這需要額外30分鐘的延遲並且重複抽空。因此，需要改進的測試室的方式。

許多fab使用殘餘氣體分析儀(RGA)來測試室。RGA對室中的分子進行質譜分析以判定那些分子的組成或其分壓。許多方案將RGA安裝到每個處理室上以取代ROR測試。但是，這需要大量設備。因此需要利用更 少設備來測試多個室的方式。一些系統使用在轉移室上的RGA來提供PVD室的原位(in-situ)空氣洩漏檢測。但是，由於在晶圓轉移期間在短時間時段內(例如，小於10秒)的動壓力變化的關係，這些系統具有性能局限性，這阻礙它們用來取替生產中的ROR測試。例如，一些系統不夠敏感而不能檢測在涉及N₂處理例如Ta(N)或TiN PVD的亞硝化室(nitritation chamber)中的洩漏。此外，這些系統並不提供附連到緩衝室的處理室中的洩漏檢測。此外，如果處理配方(recipe)需要多個處理室同時打開的話，獨立地判定在每個室中的氛圍是困難的。同樣地，在晶圓移動期間的壓力瞬變或來自工具的其他活動的干擾會降低這種測量的準確度。當使用於本文中時，“測量一個室”可包括測量該室中的壓力、各種氣體的分壓、室中氛圍的組成、或者測試或檢測洩漏。

根據一面向，一種測量客真空室中的氛圍的方法被提供，該方法包括：接受一真空工具，該真空工具具有一可選擇性地耦合至一主真空室的客真空室、當該主真空室與該客真空室未耦合時，用殘餘氣體分析儀(RGA)來測量在該主真空室中的氛圍的第一組成、將該主真空室耦合至該客真空室，使得在該主真空室中的氛圍與在該客真空室中的氛圍混合以便在該主真空室中形成一混合的氛圍、在該等室相耦合之後，用該RGA來測量在該主真空 室中的該混合的氛圍的第二組成、及使用處理器，用被測得的該第一組成和該第二組成來自動判定在該客真空室中的氛圍的組成。

該方法可包括：在測量了該第二組成後，將該主真空室抽空。該方法可包括：在該主真空室被耦合至該客真空室的同時，機械地移動在該主真空室或該客真空室內的構件。該方法可包括：在該耦合步驟與使用該處理器測量該第二組成的步驟之間自動地等待一選定的時間。該方法可包括：將該主真空室抽空至選定壓力並且同時使用該RGA來測量在該主真空室中的氛圍的第一組成。該方法可包括：接收來自一主機介面(host interface)的命令輸入並且實施該測量第一組成、該耦合、該測量第二組成和該判定等步驟以回應該被接收到的命令輸入。該真空工具可包括多個客真空室並且該方法可包括從一設備控制器接收一命令輸入和該等多個客真空室中的一個客真空室的指示並且實施該測量第一組成、該耦合、該測量第二組成和該判定等步驟以回應該被接到的命令輸入，該耦合步驟包括將該等客真空室的該被指示的客真空室耦合至該主真空室。該耦合步驟可包括耦合該等室持續至少15秒。

根據另一面向，一種真空工具被提供。該真空工具包括：一第一主真空室；一第一客真空室；一第一閥，其可操作以選擇性地耦合該第一主真空室與該第一客真空室；一第一殘餘氣體分析儀(RGA)，其被建構來測量該第一主真空室中的氛圍的組成；及一處理器，其被建構 來自動操作該閥以分離該等第一室，用該第一RGA來測量在該第一主真空室中的氛圍的第一組成、操作該閥以耦合該等室、用該第一RGA來測量在該第一主真空室中的氛圍的第二組成、及用在該第二主真空室中被測得的該氛圍的第一組成和第二組成來判定在該第一客真空室中的氛圍的組成。

該工具可包括設置於該第一客真空室中的一個或多個抬升銷且該處理器進一步被建構來在耦合該等室時移動該等抬升銷。該工具可包括第二主真空室；第二客真空室；第二閥，其可通過操作以將第二主真空室選擇性地聯接到第二客真空室；以及第二RGA，其配置成測量第二主真空室中的氛圍的組成，並且處理器還可被配置為：自動操作第二閥以分離第二主室與第二客室，使用第二RGA來測量在第二主真空室中的氛圍的第一組成，操作第二閥以聯接第二主室與第二客室，使用第二RGA來測量在第二主真空室中的氛圍的第二組成，以及使用第二主真空室中氛圍的測量的第一組成和第二組成來確定在第二客真空室中的氛圍的組成。該工具可包括第二客真空室；以及第二閥，其可通過操作以選擇性地聯接主真空室與第二客真空室，並且處理器可被配置成操作第一閥和第二閥使得第一客真空室和第二客真空室中的僅一個在任何給定時間聯接到第一主真空室。第一主室或第二主室包括多個工作間。第一RGA或第二RGA可為開放型離子源RGA或閉合型離子源RGA。第一閥或第二閥可為狹縫(slit)閥 。該工具可包括記憶體，其聯接到處理器並且儲存測量的配方，其中處理器還可配置成對所儲存的配方排序(sequence)以確定在客真空室中的氛圍的組成。

本文中的許多面向有利地允許使用主室中的RGA來測試或測量客室。與使用多個RGA的先前工具相比，這降低了真空工具的成本和複雜性。與使用ROR測試的先前工具相比，這也提高了測量的敏感性。

100‧‧‧群集式工具

118‧‧‧負載鎖定裝置

119‧‧‧負載鎖定裝置

101‧‧‧室

102‧‧‧室

103‧‧‧室

104‧‧‧室

113‧‧‧室

114‧‧‧室

115‧‧‧室

116‧‧‧室

190‧‧‧緩衝室

191‧‧‧轉移室

130‧‧‧泵

120‧‧‧殘留氣體分析儀(RGA)

121‧‧‧殘留氣體分析儀(RGA)

123‧‧‧測量探針

122‧‧‧測量探針

186‧‧‧設備控制器

187‧‧‧RGA控制器

135‧‧‧氣體供應器

244‧‧‧狹縫閥

200‧‧‧群集式工具

201‧‧‧處理室

202‧‧‧處理室

203‧‧‧處理室

204‧‧‧處理室

221‧‧‧RGA

223‧‧‧測量探針

224‧‧‧狹縫閥

400‧‧‧群集式工具

490‧‧‧主室

491‧‧‧工作間

492‧‧‧工作間

510‧‧‧資料處理系統

520‧‧‧週邊系統

530‧‧‧使用者界面系統

540‧‧‧資料儲存系統

131‧‧‧泵

當結合下文的描述和附圖來理解時，本發明的上述和其他目的、特徵和優點將會變得更加顯然，在附圖中在可能的情況下使用相同的附圖標記來表示附圖共用的相同特徵，並且在附圖中：圖1和圖2示出了根據各種面向的群集式工具；圖3示出了根據各種面向之用來測量室的方式的例子；圖4為根據各種面向的群集式工具的例子；圖5為示出適用於各種面向的資料處理系統的構件的高層次(high-level)圖；以及圖6示出了說明用於測量真空工具的客真空室中的氛圍的示例性方法的流程圖。

附圖是出於說明目的並且未必按照比例繪製。

在下文的描述中，將以通常被實施為軟體程式的方式來描述一些面向。本領域技術人員將易於認識到這樣的軟體的等效物也可被構造為硬體、韌體或微代碼(micro-code)。由於資料操縱演算法和系統係為人所熟知，所以本描述將特別地針對形成本文所描述的系統和方法的部分或者更直接地與本文所描述的系統和方法合作的演算法和系統。並未在本文中具體地示出或描述的這樣的演算法和系統的其他方面，和用於產生和另外處理其所涉及的信號的硬體或軟體選自本領域中已知的這樣的系統、演算法、構件和元件。已知如本文中所描述的系統和方法，適用於實施任何面向但在本文中並未具體地示出、暗示或描述的軟體為傳統的並且是在這些領域的普通技術之內。

圖1示出了具有兩個負載鎖定裝置118、119的示例性群集式工具100。群集式工具為真空工具的例子。如箭頭所示，矽晶圓或其他基板(在本文中都被稱作“晶圓”)經由負載鎖定裝置118、119進出該工具，該等負載鎖定裝置118、119是室。各種操作被實施在室101、102、103、104、113、114、115和116中的晶圓上。由緩衝室190和轉移室191中的機器人臂或其他促動器來將晶圓轉移於這些室之間。晶圓經由室111和112在緩衝室190與轉移室191之間轉移，如由穿過室111、112的箭頭所示。在許多面向中，泵130和131(例如，真空泵)在操作期間分別將緩衝室190和轉移室191維持在極低壓力 ，例如小於10^-5托，小於10^-6托或者小於10^-7托。

RGA 120、121被建構來分別測量緩衝室190和轉移室191中的氛圍。每個RGA 120、121在相對應的室190、191中具有相應的測量探針122、123。RGA 120、121可以例如是以引用方式合併在本文中的美國專利No.6091068中所描述者。INFICON所製造的RGA可被使用，例如INFICON TRANSPECTOR 2、TRANSPECTOR XPR3或TRANSPECTOR CPM。

在許多面向中，RGA 120、121中的至少一個為開放型離子源RGA。開放型離子源RGA可用於例如壓力小於約10^-5托或小於約10^-6托的高真空室中。這樣的室可在正常操作期間維持在高真空或者可在操作RGA之前被抽空到高真空。在其他面向中，RGA 120、121中的至少一個為閉合型離子源RGA。閉合型離子源RGA可用於更高壓力，例如約100毫托至2托。在下文中討論開放型離子源和閉合型離子源RGA。

設備控制器186控制群集式工具100和其室101、102、103、104、111、112、113、114、115、116、118、119、190和191、泵130以及氣體供應135的操作用以實施配方。“配方”是一種晶圓在一特定的室中時將被實施之晶圓移動順序的操作。配方的例子在Herrmann等人的“Evaluating the Impact of Process Changes on Cluster Tool Performance”,IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing(ISSN 0894-6507)，第13卷 ，第2期，2000年5月(其以引用的方式合併到本文中)中被提出。控制器186可包括微處理器、微控制器、可程式的邏輯裝置(PLD)、可程式的邏輯陣列(PLA)、可程式的陣列邏輯(PAL)、現場可程式的閘極陣列(FPGA)、特用積體電路(ASIC)或者被程式、被接線或被建構來實施本文所描述的功能的其他運算或邏輯裝置。RGA控制器187連接到設備控制器186。RGA控制器187或設備控制器186也可經由通信鏈路，使用例如SEMI設備通信標準(SECS)協定連接到主控制器188。主控制器188或設備控制器186，或者二者可向RGA控制器187提供資訊。RGA控制器187也控制RGA 120和121，並且從RGA 120和121收集資訊。在許多面向中，設備控制器186和RGA控制器187為兩個邏輯模組、子常式、線程(threads)或單個控制器的其他處理構件。

在此文件中，緩衝室190和轉移室191被稱作“主”室。主室有RGA 120、121。室101、102、103、104被稱作轉移室191的“客”室或者“客”。室113、114、115、116、118和119為緩衝室190的客。室111和112可被稱作轉移室191或緩衝室190的客室。

許多裝置可用作為RGA 120、121。例如，INFICON TRANSPECTOR XPR3氣體分析系統可測量高達~20毫托壓力的氛圍。這個單元可在抽空和濺射期間檢測洩漏。開放型離子源RGA可用於在抽空期間監視，並且能以高真空，例如約10^-7托操作。在使用時，在沉積處理 中，處理室(例如，室101或室113或另一客室)可在該室內有被選定的氣體的規定濃度下保持在特定壓力，例如4毫托持續30秒至2到3分鐘，，然後在將晶圓移動到緩衝室之前被抽空。

返回參看圖1，在許多面向中，RGA 120、121被用來依序地檢測被附連的室中的洩漏。洩漏檢查和其他測量可在群集式工具閒置時被實施。在許多面向中，洩漏檢查係藉由在工具閒置期間實施測試配方來達成，其逐一打開在客室(例如，室101、102)上的相應的狹縫閥(例如，圖2中的狹縫閥244)，每一個持續特定時間，並且允許氣體擴散至相對應的主室(例如，室191)內並且由其中的RGA(例如，RGA 121)來檢測。在滑閥打開期間，可實施其他動作，諸如晶圓銷抬升可被實施，以便檢測來自移動零件的洩漏。這種洩漏可有利地被RGA檢測出，但不能被標準ROR測試檢測出，標準ROR測試並不移動零件以便不引入降低ROR準確度的壓力瞬變。

例如，在工具閒置期間，RGA 121可用來檢測室101、102、103、104和112中的洩漏。RGA 120可用來檢測在室113、114、115、116、111以及室118、119中的洩漏。室113、114、115、116中的每一者可例如是預清潔室或除氣室。室101、102、103、104中的每一者可例如是沉積室。測試可循序地或同時地對不同主室190、191實施。

圖2顯示出真空工具(具體而言群集式工具 200)的例子，其具有兩個負載鎖定裝置118、119，一個轉移室191和四個處理室201、202、203、204。RGA 221(其如下文所討論可以是閉合型離子源RGA)被用來使用測量探針223測量轉移室191並且對應於圖1中示出的RGA 121。RGA 221可以是閉合型離子源RGA，例如INFICON TRANSPECTOR CPM精緻型處理監視器。在轉移晶圓通過主室時，氣體可以以所希望的速率供應給轉移室以維持選定壓力。泵130係如圖1中所示。

狹縫閥244被示出在轉移室191與處理室204之間，並且圖形表示為矩形。狹縫閥可被設置在圖1、圖2或圖5中的任一對室之間；為了附圖清楚起見，並未示出其他狹縫閥。在整個此揭露內容中，室在它們並非彼此被隔離時係被稱作“耦合”。例如，當狹縫閥244打開時，室191與204相耦合，而當狹縫閥244閉合時室191與204則為未耦合。術語“耦合”係指兩個相耦合的室的氛圍能夠混合的事實。

群集式工具200可包括或可操作地連接到一主結構(mainframe)組件(負載鎖定裝置、轉移室、處理室)和一相關聯的遠端支援設備套組(RF電源、真空泵、熱交換器、電腦)。例如，許多面向可和APPLIED MATERIALS CENTURA、LAM RESEARCH 2300、TOKYO ELECTRON TELIUS或其他工具一起使用。處理室201、202、203、204可被建構來用於蝕刻、化學氣相沉積(CVD)、熱處理或其他處理。在泵130操作時，氣體供應 器135將所希望的氛圍組分供應到轉移室191。在一例子中，氣態供應器135供應氬氣(Ar)或氮氣(N₂)，使得轉移室191被填充低壓氬氣或N₂而不是空氣。工具可包括圍繞一單一中央轉移室191(主室)的3-4個處理室201、202、203、204(客室)，該中央轉移室191被抽空到~10毫托。RGA 221被用於該主室中用以如本文中所描述那樣地測量所有處理室201、202、203、204。在許多面向中，在晶圓轉移期間，在轉移中涉及的所有室或者在工具中的所有室中被用氣流抽空，以設定該等室中氛圍的組成和壓力。在工具閒置期間，氣體可被抽泵通過該等室以維持一選定氛圍。

圖3示出了測量該等室的方法的各種例子。在圖3中的步驟可以以圖示的順序或者以其他順序來實施。步驟可被跳過。在一例子中，步驟310、320、330、340、350、360、370、380、390係以此順序被實施。在另一例子中，步驟310、320、330、340、350、370、360、380、390係以此順序被實施。在許多例子中，步驟350、355、360(或這些步驟中的任何兩個步驟)被同時實施或者以任何相對的順序被實施。為了清楚地解釋，在本文中參考在圖1和圖2中示出的許多構件，這些構件可實施或參與例示性方法的步驟。但應當指出的是，其他構件亦可被使用；亦即，圖3中所示的(多種)例式性方法並不限於由被標識的構件來實施。

在步驟310中，一被選定主室(例如，室190 、191)被抽空以獲得穩定的基準壓力。泵130可連續操作，在此情況下，步驟310包括等待到達該基準壓力。在步驟320，一啟動命令被接收。RGA控制器187可在開始該配方之前等待開始命令。在許多面向中，RGA控制器187和設備控制器186相溝通以循序進行工具操作、室打開和RGA測量以有效地測量該等室。

在步驟330，主氛圍被測量。主氛圍是在主室(例如，室191)中的氣體。它的壓力或組成係利用相對應的RGA來測量。此操作係在主室與任何附連的客室(例如，室101)被隔離時進行。例如，將客室連接到主室的所有狹縫閥(例如，狹縫閥244)可在步驟330期間被閉合。

在步驟340中，打開狹縫閥中的一個閥(例如，狹縫閥244)或者採取其他適當行動來允許主氛圍(例如在圖2的轉移室191中的氛圍2)與客氛圍(例如，在處理室204中的氛圍)混合。客氛圍是在對應於打開的狹縫閥的客室中的氣體。

在步驟350，在一被選擇來允許主氛圍與客氛圍充分混合的擴散時間等待(即，不採取行動)被實施。此混合物在本文中稱作“混合的氛圍”，由於在主室和客室中的壓力通常很低，所以在各自室內的相應的氛圍中的氣體分子通常具有較長的平均自由行程。因此，擴散通常快速進行。例如，對於10^-5托的高真空或者更低壓力而言，自由路徑可比1m更長。增加真空(降低壓力)可適用於提高RGA測量的敏感性。

在步驟360，該混合的氛圍係用該主室中的RGA來測量。這可在步驟350期間或者之後，並且是在狹縫閥打開或閉合(步驟370)時進行。然後，得自此步驟360的測量值減去得自步驟330的測量值以推斷出客氛圍的組成。客氛圍可包括在相關的處理室上的殘餘氣體。這種殘餘氣體的測量允許判定該客室的真空健康狀況。

在和圖2有關的許多面向中，用於諸如被示出的那種工具的轉移室191係以Ar或N₂氣體的氣流來維持在特定壓力，例如從數百毫托至數十托。較高的壓力具有比較低的壓力更短的平均自由行程，因此氣體從客室(例如，處理室204)擴散到主室(例如，轉移室191)所花費的時間更長。因此，與處於較低的壓力的工具或室相比，對於較高的壓力的工具或室而言，步驟360會花費更長的時間。

在步驟370，狹縫閥被閉合。在步驟380，等被實施直到該主氛圍返回到穩態為值，亦即，在該混合的氛圍中的客氛圍的足夠組分被抽出並且被主氛圍取代。RGA測量可在步驟380期間被實施。

在決策步驟390，判斷是否有更多的客室要檢查。若是，下一步驟為步驟330。在許多面向中，在步驟380期間進行RGA測量，並且下一步驟為步驟340。這些面向可組合地被使用。抽空可在步驟330或步驟340之前被實施。RGA控制器187可使用計時器來實施該等待並且能進行測量並且將狹縫閥排序。RGA控制器187、設備 控制器186或者二者可包括或可操作地連接到記憶體，該記憶體儲存測量配方並且可依序實施該配方。RGA控制器187可向設備控制器186提供指令來控制閥和工具的其他活動的零件。設備控制器186可提供室狹縫閥和工具的其他活動的零件的控制並且也可向RGA控制器187提供指令以控制RGA或RGA氣動閥(如果安裝了RGA氣動閥的話)。在一些情況下，RGA造成例如用於一室的空氣洩漏可被送到設備控制器187或主控制器188(例如，工業PC或HMI)以用於其它的動作。RGA氣動閥可用於控制氣體從主室到RGA的離子源的流動。

在許多面向中，該方法包括步驟355，步驟355可在步驟340、350、360或370或者它們的任何組合期間實施。在步驟355，在客室或主室中的一個或多個構件被機械性地移動。例如，在客室中的抬升銷可在一操作循環的一部分或全部期間被移動或者在多於一個操作循環期間被移動。這允許檢測僅在那些零件運動期間的特定點處發生的洩漏。這特別地允許檢測並非在該等活動的零件處於其閒置或原始(home)位置時發生的這些洩漏。

返回參看圖1，在一用來比較的前技方案中，當室118向空氣打開以進行晶圓轉移時，由於室118的高壓(例如，760托)，所以當室118的狹縫閥(未示出)向緩衝室190打開時會存在壓力爆發。在此用來比較的方案中，由於在室中較大壓力瞬變，所以難以使用緩衝室190中的RGA來在晶圓之間或者在工具操作時進行緩衝室190 上的處理室(例如，處理室113)上的原位洩漏檢測。這限制了該比較方案在運行每個晶圓時進行“原位再檢查”的能力。

在一發明性的例子中，在工具閒置時，例如在晶圓批次之間或者在客戶認為需要時，RGA控制器187使用在緩衝室190上的RGA 120來檢查ENDURA PVD工具中的室113、114、115、116和111。在閒置時測試並不經歷這些較大壓力瞬變。在許多面向中，客室的RGA測試可以在少於5分鐘的時間內被實施，因此取代當前的ROR測試。在另一例子中，RGA控制器187使用在轉移室191上的RGA 121來檢查在ENDURA中的室101、102、103、104和112。

在許多面向中，RGA的使用降低了對於來自其他室的壓力干擾或者來自工具動作(譬如移動的機器人臂)的壓力噪音的敏感性。因此，在緩衝室190或轉移室191上的RGA可提供比用於處理室空氣洩漏檢測的ROR測試更高的準確度和敏感性。

在許多例子中，處理室101、102、103、104是PVD、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)、CVD或原子層沉積(ALD)沉積室。在許多例子中，室113、114是蝕刻處理室，例如預清潔II、反應性預清潔、SICONI或CVD/等離子體蝕刻。室113、114也可是CVD、MOCVD或ALD處理室。CVD可沉積金屬(例如，Ti)或有機材料。處理室可附連到緩衝室190或轉移室191。處理室，例如沉 積或蝕刻處理室，可在處理中以規定的氣體流量在從數毫托至若干托的特定壓力下進行處理，然後它們被抽吸到基準壓力，例如在ENDURA工具中，或者以一定的氣體流量維持特定壓力，例如在CENTURA工具中。

仍參看圖1，在ENDURA PVD的例子中，以下的例示性配方被用於以轉移室191作為主室的測試中：接收開始命令。

轉移室191被持續抽空30秒以達到基準壓力。RGA 121可在整個這段時間內運作或者週期性地運作或者在過了這段時間之後運作。

室101狹縫閥打開持續15秒(或10秒至1分鐘，並且在整個配方中都是如此)。這允許在主氛圍與客氛圍之間擴散以形成該混合的氛圍。由於在真空下分子的平均自由行程可以很長，所以擴散可以很快速。壓力會改變；在許多例子中，在氛圍中的H₂O量會改變。H₂O量(來自留在處理室中的水的脫氣)在具有更佳真空的室中可以更低。RGA測量可在這段時間內進行。

室101狹縫閥被閉合；抽空回到轉移基準壓力持續15秒。

室102狹縫閥打開持續15秒；進行RGA測量。

室102狹縫閥被閉合；抽空回到轉移基準壓力持續15秒。

室103狹縫閥打開持續15秒；進行RGA測 量。

室103狹縫閥被閉合；抽空回到轉移基準壓力持續15秒。

室104狹縫閥打開持續15秒；進行RGA測量。

室104狹縫閥被閉合；抽空回到轉移基準壓力持續15秒。

室112狹縫閥打開15秒；進行RGA測量。

室112狹縫閥被閉合；抽空回到轉移基準壓力持續15秒。

仍參看圖1，在ENDURA PVD的例子中，以下的例示性配方被用於以緩衝室190作為主室所進行的測試。RGA 120可被持續操作以進行測量。該例示性配方包括下列：所有室被抽空到基準壓力，例如10^-7托或更低。

接收開始命令。

緩衝室190被抽空持續30秒(或10秒至1分鐘，如上文所描述)。在許多面向中，緩衝室被抽吸到高真空<10^-7托或<10^-6托。

預清潔室113狹縫閥打開持續15秒；進行RGA測量，如果有需要的話。

預清潔室113狹縫閥被閉合；抽空回到緩衝基準壓力持續15秒。這個步驟藉由從主室移除預清潔C 氛圍來改進隨後的測量的準確度(並且在整個配方中都是如此)。

預清潔室114狹縫閥打開持續15秒；進行RGA測量。

預清潔室114狹縫閥被閉合；抽空回到緩衝基準壓力持續15秒。

室111狹縫閥打開持續15秒；進行RGA測量。

室111狹縫閥被閉合；抽空回到緩衝基準壓力持續15秒。

除氣室115狹縫閥打開持續15秒；進行RGA測量。

除氣室115狹縫閥被閉合；抽空回到緩衝基準壓力持續15秒。

除氣室116狹縫閥打開持續15秒；進行RGA測量。

除氣室116狹縫閥被閉合；抽空回到緩衝基準壓力持續15秒。

在許多面向中，測試配方是在每批晶圓之間被實施。這允許在需要校正措施的室中處理大量晶圓之前檢測故障。在此室中處理的晶圓可以是非功能性的並且因此是較沒有價值的。減少損失晶圓的數量有利地改進處理良率並且可降低每個晶粒的製造成本。

緩衝室190或轉移室191的RGA測試可同時 或在不同時間實施。那些測試中的一者可在沒有其他測試的情況下進行。一般而言，如果在PVD處理室中的空氣洩漏是所關心的話，則在每批晶圓處理開始時或者在一批中的第一或第二晶圓的除氣或預清潔中晶圓處理期間使用RGA對轉移室191進行測試。

在許多面向中，較清潔的室是在較髒的室之前被測量。例如，預清潔室可在除氣室之前被測量。這是因為除氣室會包括預清潔室不包括的烴或光阻劑(photoresist)污染物。這些污染物很難以抽除，因此在預清潔室之後測量除氣室降低了錯誤地指示預清潔室包括那些污染物的可能性。RGA可測量壓力和組成，因此選擇測試順序可改進結果準確度。

在一例子中，CVD或ALD處理室是在PVD處理室之後和室B之後被測量。CVD或ALD處理室可附連到緩衝室190或轉移室191。

圖4示出了例示性群集式工具400。室101、102、103、104、113、114、115、116、118、119；設備控制器186；RGA控制器187；RGA 120、121；以及泵130係如圖1所示。工具400具有一單一主室490，室101、102、103、104、113、114、115、116、118、119例如經由狹縫閥(例如圖2的狹縫閥244)連接到該單一主室490。RGA 120、121的探針可都位於主室490中。RGA控制器187、設備控制器186或主控制器188可比較來自RGA 120和121的讀數以探究在主室490中的擴散 時間。主室490可包括一個或多個工作間491、492。每個工作間491、492是主室490的區域。在所示的例子中，工作間491、492自由共用主室490中的氛圍。每個工作間491、492可包括適合用來在相鄰的室之間移動晶圓之相應的機器人或促動器。在一例子中，在工作間491中的機器人可在室101、102、103與104之間移動晶圓，並且在工作間492中的機器人可在室113、114、115與116和負載鎖定裝置118、119之間移動晶圓。在工作間491、492中的機器人可在設備控制器186的控制下彼此交換晶圓。

這種組態和類似組態的群集式工具和線上工具可用於平板顯示器生產(例如，OLED或LCD)生產。主室490可具有例如6m²或8m²的面積(用於LCD生產的Gen 10玻璃)。主室490的大小適於容納具有2.2m×2.5m面積的Gen 8.5基板，例如用於LCD顯示器製造中，或者Gen 8基板。

適用於本文所描述的許多面向的例示性殘餘氣體分析儀(RGA)測量一混合物中的個別氣體分壓。一RGA系統包括：探針，其在高真空下操作；電子器件，其操作該探針；以及，軟體，其與外部電腦(未示出)協同工作以顯示資料並且控制該電子器件。該RGA包括離子源、分析儀和檢測器。該離子源發射電子，電子與真空系統中的氣體分子碰撞，從而給予它們淨電荷，即產生離子。此揭露內容並不侷限於離子上電荷的任何特定符號或量 值。該分析儀係根據其質量對淨電荷的比例來分離離子。質量在本文中被表示為“m”而淨電荷表示為“z”。本文中的“質量對電荷”係指質量對淨電荷的比例，即，m/z。該分析儀可包括線性四極質量選擇儀、不是線性四極濾質器的四極分析儀、扇形磁場分析儀、離子阱或飛行時間分析儀。

具有該被選定的質量對電荷比的離子通過該分析儀到達該檢測器，離子在檢測器處被電極中和並且引起與所存在的氣體組分成比例的電流並因而識別出所存在的氣體組分。多種氣體組分可藉由連續操作分析儀以取樣不同的m/z比來加以分析。例如CO₂ ⁺具有m/z=44，N2⁺具有m/z=28，並且O2⁺具有m/z=32。氬氣(Ar)具有若干同位素，因此Ar氛圍的測量通常示出某些離子在m/z=36，較少離子在m/z=38，且許多離子在m/z=40。

在開放型離子源RGA中，電離體積維持在與被測量的室相同的壓力。在室中的處理氣體自由流動通過電離體積，在該電離體積中，一些分子被電子撞擊以形成離子。在閉合型離子源RGA中，電離體積僅通過較小孔口向處理室打開，並且一泵將該室抽真以將該分析儀和該離子檢測器中的壓力降低至低於該離子體積中的壓力。這允許以比四極濾質器的操作壓力更高的壓力來測量該等室。離子源的更多細節在上文參考的US5850084中給出。

檢測器的例子包括法拉第杯和電子倍增器。例如，撞擊法拉第杯的離子將它們的電荷存放在法拉第杯 上，使相對應的電荷移位成為沿著讀出(readout)電極的電流。在通道電子倍增器中，高的直流電壓被外加到圓錐上以吸引離子。每個正離子衝擊圓錐內側，釋放更多電子。電子從圓錐順著通道行進到達一讀出電極。

可和各種實施例一起使用的殘餘氣體分析儀和測量技術的其他例子在2003年1月9日公開的名稱為“Detection of nontransient processing anomalies in vacuum manufacturing process”的US20030008422A1；在2002年10月22日公開的名稱為“Detection of nontransient processing anomalies in vacuum manufacturing process”的US6468814B1；在2004年5月25日公開的名稱為“Detection of nontransient processing anomalies in vacuum manufacturing process”的US6740195B2；在2005年11月17日公開的名稱為“Inter-process sensing of wafer outcome”的US20050256653A1；在2007年8月14日公開的名稱為“Inter-process sensing of wafer outcome”的US7257494B2；在2009年1月15日公開的名稱為“IN-SITU ION SOURCE CLEANING FOR PARTIAL PRESSURE ANALYZERS USED IN PROCESS MONITORING”的US20090014644A1；在1998年12月15日公開的名稱為“Ion lens assembly for gas analysis system”的US5850084A；在1999年3月30日公開的名稱為“Method for linearization of ion currents in a quadrupole mass analyzer”的US5889281A；在1998年9月15日公開的名稱為“Dual ion source”的US5808308A；在2005年11月24日公開的名稱為“Replaceable anode liner for ion source”的US20050258374A1；在2002年10月24日公開的名稱為“Apparatus for measuring total pressure and partial pressure with common electron beam”的US20020153820A1；在1987年9月8日公開的“Wavelength specific detection system for measuring the partial pressure of a gas excited by an electron beam”的US4692630A；在1991年1月29日公開的名稱為“Gas partial pressure sensor for vacuum chamber”的US4988871A；在2003年11月4日公開的名稱為“Apparatus for measuring total pressure and partial pressure with common electron beam”的US6642641B2；在2003年6月10日公開的名稱為“Method for linearization of ion currents in a quadrupole mass analyzer”的USRE38138E1；以及，在2006年5月9日公開的名稱為“Replaceable anode liner for ion source”的US7041984B2中給出，其中每一個的揭露內容係藉由參照的方式而被合併到本文中。

圖5為一示出用於分析資料和實施描述於本文中的其他分析之資料處理系統的構件的高層次圖。該系統包括資料處理系統510、週邊系統520、使用者介面系統530和資料儲存系統540。週邊系統520、使用者介面 系統530和資料儲存系統540通信地連接到資料處理系統510。RGA控制器187、設備控制器186和接收器130可各包括系統510、520、530、540中的一者或多者。

該資料處理系統510包括一個或多個資料處理裝置，其實施許該等多個面向的處理，其包括本文中所描述的例示性處理。“資料處理裝置”或“資料處理器”等詞係打算要包括任何資料處理裝置，例如中央處理單元(“CPU”)、桌上型電腦、膝上型電腦、主機型電腦、個人數位助理、黑莓機^TM、數位照相機、蜂巢式電話、或者用於處理資料、管理資料或處置資料的任何其他裝置，無論是以電氣、磁性、光學、生物部件或其他構件來實施。

該資料儲存系統540包括一個或多個處理器可存取的記憶體，其被建構來儲存資訊，該資訊包括實施許多面向的處理所需的資訊、包括描述於本文中的處理例子。該資料儲存系統540可以是分散式處理器可存取的記憶體系統，其包括經由多個電腦或裝置通信地連接到資料處理系統510的多個處理器可存取的記憶體。另一方面，該資料儲存系統540無需是分散式處理器可存取的儲存系統並且因此可包括位於單一資料處理器或裝置內的一個或多個處理器可存取的記憶體。

“處理器可存取的記憶體”一詞係打算要包括任何處理器可存取的資料儲存裝置，無論是揮發性的還是非揮發性的、電子、磁性、光學或其他類型，包括(但 不限於)暫存器、軟碟、硬碟、光碟、DVD、快閃記憶體、ROM和RAM。

“通信地連接”一詞係打算要包括在裝置、資料處理器或程式之間的任何類型的連接，有線的或無線的，在連接中可傳送資料。“通信地連接”一詞係打算要包括在單一資料處理器內的裝置或程式之間的連接，位於不同資料處理器中的裝置或程式之間的連接以及並非位於資料處理器中的裝置之間的連接。就此而言，儘管該資料儲存系統540被顯示為和該資料處理系統510分離，但本領域技術人員將瞭解到的是該資料儲存系統540可完全地或部分地存放在該資料處理系統510內。另外，就此而言，儘管該週邊系統520和該使用者介面系統530被顯示為和該資料處理系統510分離，但本領域技術人員將瞭解到此等系統中的一者或兩者可完全或部分地存放於該資料處理系統510內。

該週邊系統520可包括被建構來向該資料處理系統510提供數位內容記錄的一個或多個裝置。例如，該週邊系統520可包括數位靜物照相機、數位攝像機、蜂巢式電話或其他資料處理器。該資料處理系統510在從週邊系統520中的裝置接收數位內容記錄後，可將此等數位內容記錄儲存在該資料儲存系統540中。

該使用者介面系統530可包括滑鼠、鍵盤、另一電腦或任何裝置或裝置的組合，資料從該處輸入到該資料處理系統510。就此而言，儘管該週邊系統520被顯 示為和該用戶介面系統530分離，但該週邊系統520可被包括為該用戶介面系統530的一部分。

該使用者介面系統530還可包括顯示裝置、處理器可存取的記憶體或者資料處理系統510可向其輸出資料的任何裝置或裝置組合。就此而言，使用者介面系統530包括處理器可存取的記憶體的話，則此記憶體可以是該資料儲存系統540的一部分，即使該使用者介面系統530和該資料儲存系統540在圖5中被顯示為是分開的單獨地示出。

鑒於前文的描述，許多面向提供了人對於由與該人相關的監視系統拍攝到的資料的控制的改進。一種技術效果在於提供一監視視訊流，其有利地將不願(which)被拍攝於視訊上的人予以模糊。

本領域技術人員將瞭解到的是本發明的面向可實現為系統、方法、電腦程式產品。因此，本發明的面向可呈完全硬體面向、完全軟體面向(包括韌體、常駐軟體、微代碼等)或者一結合軟體與硬體面向的面向的形式，它們在本文中全都被大體上稱作“服務”、“電路”、“迴路”、“模組”和/或“系統”。而且，本發明的面向可呈現電腦程式產品的形式，電腦程式產品實施為一個或多個電腦可讀取的媒體中，該電腦可讀取的媒體具有實施在其上的電腦可讀程式碼。

電腦程式產品可包括一個或多個儲存媒體，例如磁性儲存媒體，例如磁片(例如，軟碟)或磁帶；光學 儲存媒體，例如光碟、光帶或機器可讀的條碼；固態電子儲存裝置，例如隨機存取記憶體(RAM)或唯讀記憶體(ROM)；或者用於儲存電腦程式的任何其他物理裝置或媒體，電腦程式具有用於控制一個或多個電腦以實施根據許多面向的(多種)方法的指令。

一或多個電腦可讀取的媒體的任何組合可被利用。電腦可讀取的媒體可以是電腦可讀取的信號媒體或者電腦可讀取的儲存媒體。電腦可讀取的儲存媒體可以例如(但不侷限於)電子、磁性、光學、電磁、紅外或半導體系統、設備或裝置或者前述的任何合適的組合。電腦可讀取儲存媒體的更具體例子(非耗盡式的列表)將包括下列：具有一條或多條電線的電連接件、可擕式電腦磁片、硬碟機、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、可抹除之可程式的唯讀記憶體(EPROM或快閃記憶體)、光纖、可擕式光碟唯讀記憶體(CD-ROM)、光學儲存裝置、磁性儲存裝置或前述的任何合適的組合。在本文的上下文中，電腦可讀取的儲存媒體可以是任何有形媒體，其可包含或儲存被指令實施系統、設備或裝置使用或者結合指令實施系統、設備或裝置使用的程式。

實施於電腦可讀取的媒體上的程式碼和/或可執行的指令可用任何適當的媒體來傳輸，其包括(但不侷限於)無線、線路、光纖電纜、RF或適當媒體的任何合適的組合。

用於實施本發明的面向的操作的電腦程式碼 可以用一或多個程式語言的任何組合來寫入。程式碼可完全在用戶電腦(裝置)，部分地在用戶電腦上執行，或者作為單獨的套裝軟體來執行，部分地在用戶電腦上並且部分地在遠端電腦上執行或者完全在遠端電腦上或伺服器上執行。在後一種情況下，遠端電腦可通過任何類型的網路連接到用戶電腦，包括局域網(LAN)或廣域網(WAN)或者連接連接至一外部電腦(例如，使用網際網路服務提供商，通過網際網路)。

電腦程式指令可儲存於電腦可讀取的媒體中，電腦程式指令可指導電腦、其他可程式的資料處理設備或其他裝置以特定方式起作用。電腦程式指令也可載入到電腦上，其他可程式的資料處理設備上或其他裝置上以使得一系列操作步驟在電腦上、其他可式程的設備或其他裝置上執行以產生電腦實施的處理，以使得在電腦或其他可程式的設備上執行的指令以提供實施本文所規定的功能/動作的處理。

圖6示出了一流程圖，其例示出用來測量在真空工具的客真空室中的氛圍的例示性方法。該等步驟可以用任何順序來實施，但當有作另外的規定時，或者當來自前面的步驟的資料被後面的步驟使用時則除外。在至少一個例子中，該處理始於步驟610或步驟605。為了清楚地解釋說明，在本文中參考在圖1至圖5中示出的各種構件，這些構件可實施或參與例示性方法的步驟。但應當指出的是，其它構件可被使用，亦即，圖6中所示的(多種) 例示性方法並不侷限於由標識的構件來實施。

在步驟605中，一命令輸入從主介面被接收。下文描述的步驟610、620、630和640被實施以回應所接收到的該命令輸入。這可如上文參考步驟320(圖3)所討論地那樣進行。在許多面向中，真空工具包括多個客真空室，例如室201、202、203、204(圖2)。步驟605包括接收該命令輸入和多個客真空室中的一個客室的指示。該指示可從設備控制器186被接收。步驟610、620、630和640被實施以回應所接收到的該命令輸入，並且步驟620包括將該等客真空室中的該被指示的客真空室耦合至該主真空室。

在步驟610中，使用RGA 221測量在真空工具的主真空室191中氛圍的第一組成(也參看圖2，部件編號為例示性的而非限制性的)。主真空室191和客真空室201(分別地)在測量第一組成期間並不相耦合。這種氛圍可被稱作“主氛圍”。在許多面向中，步驟610還包括將主真空室191抽空到選定壓力並且同時使用RGA 211測量在主真空室191中的氛圍。

在步驟620中，將主真空室191耦合至客真空室201。在主真空室191中的氛圍與在客真空室201中的氛圍(“客氛圍”)混合以在主真空室191中形成混合的氛圍。步驟620可包括耦合該等室持續至少15秒。

在許多面向中，在主真空室191耦合至客真空室201時，在主真空室191或客真空室201內的構件被 機械地移動。這在上文中參考步驟355被描述(圖3)。在許多面向中，在耦合步驟620與下文中討論的測量第二組成的步驟630之間被允許經過一被選定的時間。這可藉由將設備控制器186或者一處理器(例如，在該設備控制器內的資料處理系統510)加以程式化以等待一軟體或硬體計時器期滿來達成。

在步驟630中，在耦合了室191、201之後，使用RGA來測量在主真空室中的氛圍的第二組成。該第一組成的測量(例如，在步驟610中所實施者)的係如上文所討論之主氛圍的測量。該第一組成與第二組可被比較用以如本文中關於步驟640所討論地判定該客氛圍的組成。在許多面向中，步驟630還包括在測量了第二組成之後將主真空室191抽空。

在步驟640中，藉由使用一處理器(例如，圖1的控制器186或187，或者圖5的系統510)，用該被測得的第一組成和第二組成來自動判定該客氛圍的組成。例如，在各種質量對電荷比被測得的RGA信號可被比較以判定每個m/z的信號的什麼部分是因為該客氛圍造成的。

本發明包括本文所描述的面向的組合。對於“特定方面”和類似詞語的提及係指其存在於本發明的至少一個面向中的特徵。單獨地提及“一面向”或“特定的面向”或類似詞語未必指相同的一個或多個面向；但是，這樣的面向並非相互排斥的，除非這樣指示，或者對於本領域技術人員而言顯而易見。提及“方法”或“(多種)方 法”時使用單數或複數並無限制意義。“或”一詞在此揭露內容中以非排斥性意義使用，除非另外明確地指出。

特別地參考本發明的某些較佳的面向詳細地描述了本發明，但應瞭解在本發明的精神和範圍內，可由本領域技術人員實現變型、組合和修改。

Claims (17)

1. 一種測量真空工具的客真空室中的氛圍的方法，該方法包含：使用殘餘氣體分析儀(RGA)來測量在該真空工具的主真空室中的氛圍的第一組成，其中在該第一組成的測量期間，該主真空室和該客真空室不相耦合；將該主真空室耦合到該客真空室，使得在該主真空室中的氛圍與該客真空室中的氛圍相混合，以在該主真空室中形成混合的氛圍；在耦合了該等室之後，使用該RGA來測量在該主真空室中的該混合的氛圍的第二組成；及使用處理器，用該測得的第一組成和第二組成來自動判定在該客真空室中的氛圍的組成。
2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其更包含在測量了該第二組成之後，將該主真空室抽空。
3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其更包含在該主真空室被耦合至該客真空室的同時，機械地移動在該主真空室或該客真空室內的構件。
4. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其更包含在該耦合步驟與該使用該處理器測量該第二組成的步驟之間自動地等待一選定的時間。
5. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其更包含將該主真空室抽空至選定壓力並且同時地使用該RGA來測量在該主真空室中的氛圍的第一組成。
6. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其更包含接收來自一主機介面的命令輸入並且實施該測量第一組成、該耦合、該測量第二組成和該判定等步驟以回應該被接收到的命令輸入。
7. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該真空工具包含多個客真空室並且該方法更包含：從一設備控制器接收一命令輸入和該等多個客真空室中的一個客真空室的指示並且執行該測量第一組成，該耦合、該測量第二組成和該判定等步驟以回應該被接收到的命令輸入，該耦合步驟包括將該等客真空室的該被指示的客真空室耦合至該主真空室。
8. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該耦合步驟包括耦合該等室持續至少15秒。
9. 一種真空工具，包含：a)一第一主真空室；b)一第一客真空室；c)一第一閥，其可操作以選擇性地耦合該第一主真空室與該第一客真空室；d)一第一殘餘氣體分析儀(RGA)，其被建構來測量在該第一主真空室中的氛圍的組成；及e)一處理器，其被建構來自動操作該第一閥以分離該等室、用該RGA來測量在該第一主真空室中的氛圍的第一組成、操作該第一閥來耦合該第一主真空室與該第一客真空室、用該第一RGA來測量在該第一主真空室中的 氛圍的第二組成、以及用該第一主真空室中被測得的該氛圍的該第一組成和該第二組成來判定在該第一客真空室中的氛圍的組成。
10. 如申請專利範圍第9項所述的工具，其更包含被設置在該第一客真空室中的一或多個抬升銷，該處理器更被建構來在該等室被耦合的同時移動該等抬升銷。
11. 如申請專利範圍第9項所述的工具，其更包含一第二主真空室、一第二客真空室、一第二閥，其可操作以將該第二主真空室選擇性地耦合至該第二客真空室、及，一第二RGA，其被建構來測量該第二主真空室中的氛圍的組成，其中該處理器更被建構來自動操作該第二閥以分離該第二主室與該第二客室、用該第二RGA來測量在該第二主真空室中的氛圍的第一組成、操作該第二閥以耦合該第二主室與該第二客室、用該第二RGA來測量在該主真空室中的氛圍的第二組成、及用該第二主真空室中被測得的該第一組成和該第二組成來判定在該第二客真空室中的氛圍的組成。
12. 如申請專利範圍第9項所述的工具，其更包含一第二客真空室及一第二閥，其可操作以選擇性地耦合該主真空室與該第二客真空室，其中該處理器被建構來操作該第一閥和該第二閥，使得在任何給定時間，該第一客真空室和該第二客真空室中只有一者被耦合至該第一主真空室。
13. 如申請專利範圍第9項所述的工具，其中該第一 主室包括多個工作間。
14. 如申請專利範圍第9項所述的工具，其中該第一RGA為一開放型離子源RGA。
15. 如申請專利範圍第9項所述的工具，其中該第一RGA為一閉合型離子源RGA。
16. 如申請專利範圍第9項所述的工具，其中該第一閥為一狹縫閥。
17. 如申請專利範圍第9項所述的工具，其更包含一記憶體，其被耦合至該處理器並且儲存用於測量的配方，其中該處理器被進一步建構來依序執行該被儲存的配方以判定在該第一客真空室中的氛圍的組成。