TWI652866B - 光源裝置以及光照射方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供光源裝置及光照射方法。實施方式的光源裝置1包括發光部20、控制單元50及擴散板41。發光部具有多個第一發光元件21及多個第二發光元件22。第一發光元件射出第一峰值波長的紫外線。第二發光元件射出與第一峰值波長不同的第二峰值波長的紫外線。以第二發光元件的至少一個位於第一發光元件的周圍的方式，將多個第一發光元件及多個第二發光元件配置成面狀或直線狀。控制單元使發光部中位於外緣的發光部的相對照度比位於中央的發光部的相對照度大。擴散板使第一發光元件與第二發光元件射出的紫外線擴散並照射到被照射物W。

Description

光源裝置以及光照射方法
本發明的實施方式涉及一種包括發光元件的光源裝置以及光照射方法，尤其涉及一種用於液晶的硬化等且包括多個發光元件的光源裝置以及光照射方法。
現在，在液晶面板的硬化或重合、貼合中使用的光源裝置中，使用通過激發封入到管內的金屬而射出光的放電燈(例如低壓螢光燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈)。進而在液晶面板的硬化或重合、貼合等光反應工序中，使用具有射出紫外線的發光元件的光源裝置。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-197540號公報
[專利文獻2]國際公開第2010/197540號
[專利文獻3]日本專利特開2007-305703號公報
[專利文獻4]日本專利特開2010-93094號公報
[專利文獻5]日本專利特開昭59-43320號公報
[專利文獻6]日本專利特開昭60-59733號公報
且說，現有技術中，例如在照射光而使被照射物的光硬化型樹脂硬化時，要求抑制不充分的硬化。而且，光源裝置中，要求抑制照射紫外線的被照射物的不均勻的反應，即，紫外線對被照射物的不均勻的照射。
本發明的目的在於提供抑制被照射物的光化學反應的不均勻的光源裝置以及光照射方法。而且，本發明的目的在於提供抑制紫外線對被照射物的不均勻的照射的光源裝置以及光照射方法。
實施方式的光源裝置包括發光部、調整單元及光學零件。發光部包括多個第一發光元件以及多個第二發光元件。第一發光元件射出第一峰值波長的紫外線。第二發光元件射出與第一峰值波長不同的第二峰值波長的紫外線，且配置於第一發光元件的周圍。以第二發光元件中的至少一個位於第一發光元件的周圍的方式，將多個第一發光元件及多個第二發光元件配置成面狀或直線狀。調整單元使發光部中的位於外緣的發光部的相對照度比位於中央的發光部的相對照度大。光學零件使第一發光元件與第二發光元件射出的紫外線擴散並照射到被照射物。
所述光源裝置中，還包括控制單元，所述控制單元使紫 外線從所述發光部依次照射到多個被照射物。所述控制單元針對各被照射物重複進行：使規定時間內的所述第一發光元件及所述第二發光元件射出的紫外線相對於各被照射物的相對照度隨時間的經過而減弱。
實施方式的光照射方法將從發光元件放出的紫外線依次照射到多個被照射物。光照射方法針對各被照射物重複進行：使規定時間內的發光元件射出的紫外線相對於各被照射物的相對照度隨時間的經過而減弱。
根據本發明，可提供抑制紫外線對被照射物的不均勻的照射的光源裝置以及光照射方法。而且，可提供抑制被照射物的光化學反應的不均勻的光源裝置以及光照射方法。
1、1a、1-1、1-1a、1-2、1-2a、1-3、1-4、1-5、1-6、1-7‧‧‧光源裝置
10‧‧‧平臺
10a‧‧‧載置面
10b‧‧‧光射出部
11‧‧‧本體構件
12‧‧‧發光元件
13‧‧‧光纖
20‧‧‧發光部
20a‧‧‧反射板
21‧‧‧第一發光元件
21a‧‧‧反射面
22‧‧‧第二發光元件
22a‧‧‧空隙部
23‧‧‧第三發光元件
24‧‧‧安裝基板
30‧‧‧散熱器
30a‧‧‧搬送單元
31‧‧‧鰭片
40‧‧‧框體
40a‧‧‧控制單元
41‧‧‧擴散板(光學零件)
50‧‧‧控制單元(調整單元)
50a‧‧‧移動搬送單元
51‧‧‧驅動輥
52‧‧‧從動輥
53‧‧‧搬送帶
60‧‧‧光源移動單元
61‧‧‧滑塊
62‧‧‧軌道
70‧‧‧偏光元件
71‧‧‧框架
80‧‧‧水冷夾套
90‧‧‧惰性氣體收容室
100‧‧‧紫外線照射裝置
H‧‧‧範圍
L‧‧‧箭頭
La‧‧‧光射出部的長度
P1‧‧‧第一峰值波長
P2‧‧‧第二峰值波長
P3‧‧‧第三峰值波長
R‧‧‧光射出部的直徑
ST1~ST3‧‧‧步驟
T‧‧‧規定時間
T2‧‧‧第二規定時間
t0、t1、t2、t3、t4‧‧‧時間
W、Wa‧‧‧被照射物
X、Y、Z‧‧‧軸
圖1是表示包括實施方式1的光源裝置的紫外線照射裝置的概略構成的圖。
圖2是從下方表示實施方式1的光源裝置的概略構成的俯視圖。
圖3是表示相對於實施方式1的光源裝置的各發光元件射出的紫外線的波長的相對放射強度的圖。
圖4是表示相對於實施方式1的光源裝置射出的紫外線的波 長的相對放射強度的一例的圖。
圖5是表示圖1所示的紫外線照射裝置的平臺上的相對照度與光源裝置射出的紫外線的相對照度的圖。
圖6是從下方表示實施方式1的變形例1的光源裝置的概略構成的俯視圖。
圖7是從下方表示實施方式1的變形例2的光源裝置的概略構成的要部的俯視圖。
圖8是表示實施方式2的光源裝置的概略構成的立體圖。
圖9是圖8所示的光源裝置的X軸方向觀察的剖面圖。
圖10是圖8所示的光源裝置的光射出部的俯視圖。
圖11是圖10所示的光射出部的X軸方向觀察的剖面圖。
圖12是表示圖8所示的光源裝置的光射出部的相對照度的變化的圖。
圖13是圖8所示的光源裝置的控制單元的流程圖的一例。
圖14是表示使本發明品與比較例1~比較例3工作後的相對照度的變化的圖。
圖15是表示實施方式2的變形例1的光源裝置的概略構成的X軸方向觀察的剖面圖。
圖16是表示實施方式2的變形例2的光源裝置的概略構成的X軸方向觀察的剖面圖。
圖17是表示實施方式2的變形例3的光源裝置的概略構成的X軸方向觀察的剖面圖。
圖18(a)~圖18(c)是表示圖12所示的光源裝置的光射出部的相對照度的變化的變形例的圖。
圖19是表示實施方式2的變形例4的光源裝置的概略構成的立體圖。
圖20是實施方式2的變形例5的光源裝置的光射出部的側視圖。
圖21是從下方觀察圖20所示的光射出部的俯視圖。
圖22是從下方觀察實施方式2的變形例6的光源裝置的光射出部的俯視圖。
圖23是表示實施方式2的變形例7的光源裝置的概略構成的圖。
[實施方式1]
以下說明的實施方式1、變形例1及變形例2的光源裝置1、光源裝置1-1、光源裝置1-2包括發光部20、控制單元50及擴散板41。發光部20具有多個第一發光元件21及多個第二發光元件22。第一發光元件21射出第一峰值波長的紫外線。第二發光元件22配置於第一發光元件21的周圍。以第二發光元件22中的至少一個位於第一發光元件21的周圍的方式，將多個第一發光元件21及多個第二發光元件22配置成面狀或直線狀。控制單元50使發光部20中的位於外緣的發光部20的相對照度比位於中央的發 光部20的相對照度大。擴散板41使第一發光元件21與第二發光元件22射出的紫外線擴散並照射到被照射物W。
而且，在以下說明的實施方式1、變形例1及變形例2的光源裝置1、光源裝置1-1、光源裝置1-2中，第一發光元件21及第二發光元件22射出峰值波長為240nm以上且405nm以下的紫外線。
而且，在以下說明的實施方式1、變形例1及變形例2的光源裝置1、光源裝置1-1、光源裝置1-2中，擴散板41由玻璃構成。
接下來，根據附圖對本發明的實施方式1的光源裝置1進行說明。圖1是表示包括實施方式1的光源裝置的紫外線照射裝置的概略構成的圖，圖2是從下方表示實施方式1的光源裝置的概略構成的俯視圖，圖3是表示相對於實施方式1的光源裝置的各發光元件射出的紫外線的波長的相對放射強度的圖，圖4是表示相對於實施方式1的光源裝置射出的紫外線的波長的相對放射強度的一例的圖，圖5是表示圖1所示的紫外線照射裝置的平臺上的相對照度與光源裝置射出的紫外線的相對照度的圖。
實施方式1的光源裝置1(以下簡稱作光源裝置)構成圖1所示的紫外線照射裝置100。紫外線照射裝置100為如下裝置，即，例如用於液晶面板的硬化或重合、貼合等光反應工序中，且將規定波長的紫外線照射到被照射物W(圖1所示)。
紫外線照射裝置100如圖1所示，包括光源裝置1、及將 被照射物W載置於載置面10a上的平臺10等。光源裝置1包括多個發光部20、作為冷卻構件的散熱器(heat sink)30、框體40及控制單元50(相當於調整單元)。
多個發光部20沿著與圖1及圖2中的安裝基板24的表面平行的X軸、及與安裝基板24的表面平行且與X軸正交的Y軸的雙方而排列於安裝基板24的表面，且配置成面狀。而且，安裝基板24的配置著發光部20的表面沿著與X軸及Y軸的雙方正交的Z軸而與平臺10的載置面10a相向。
發光部20包括第一發光元件21、第二發光元件22及第三發光元件23。即，光源裝置1包括多個第一發光元件21、多個第二發光元件22及多個第三發光元件23。實施方式1中，發光部20具備第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23各三個。而且，光源裝置1以第二發光元件22中的至少一個位於第一發光元件21的周圍的方式，將多個第一發光元件21、多個第二發光元件22及多個第三發光元件23配置成面狀。
第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23為射出均等地向所有方向振動的紫外線的元件，包含發光二極體(Light Emitting Diode，LED)或鐳射二極體(Laser Diode，LD)等。第一發光元件21射出第一峰值波長P1(圖3所示)的紫外線。第二發光元件22射出與第一峰值波長P1不同的第二峰值波長P2(圖3所示)的紫外線。第三發光元件23射出與第一峰值波長P1及第二峰值波長P2的雙方不同的第三峰值波長P3(圖3所示) 的紫外線。
另外，本說明書中提及的第一峰值波長P1、第二峰值波長P2、第三峰值波長P3是指第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線中的放射強度最強的紫外線的波長。本實施方式1中，第一峰值波長P1為365nm。第二峰值波長P2為385nm。第三峰值波長P3為405nm。即，第一發光元件21、第二發光元件22及第三發光元件23射出峰值波長為240nm以上且405nm以下的紫外線。另外，圖3的橫軸表示第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線的波長。圖3的縱軸表示第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的各波長的紫外線的相對放射強度。圖3的縱軸的相對放射強度是將第一峰值波長P1、第二峰值波長P2、第三峰值波長P3的放射強度設為1.0。圖3的實線表示第一發光元件21射出的紫外線的波長的相對放射強度。圖3的單點鏈線表示第二發光元件22射出的紫外線的波長的相對放射強度。圖3的雙點鏈線表示第三發光元件23射出的紫外線的波長的相對放射強度。
根據所述構成，發光部20如圖4所示，射出波長為355nm至440nm的紫外線。另外，圖4的橫軸表示發光部20整體射出的紫外線的波長。圖4的縱軸表示發光部20整體射出的各波長的紫外線的相對放射強度。圖4的實線表示第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線的放射強度之比為1：1：1的情況。圖4的單點鏈線表示第一發光元件21、第二發 光元件22、第三發光元件23射出的紫外線的放射強度之比為3：2：1的情況。
散熱器30上，在與位於圖1中的下方的平臺10的載置面10a沿著Z軸相向的外表面，經由安裝基板24而安裝著第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23。散熱器30包含鋁合金等熱電阻低的材料(金屬等)。本實施方式1中，散熱器30一體地包括向散熱器30的上方突出且噴附空氣等冷卻劑的鰭片31而構成。而且，本發明中，散熱器30也可形成為內側密閉且使液體等冷卻劑在內側迴圈的箱狀。
框體40覆蓋散熱器30的安裝著第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23的外表面。本實施方式1中，框體40使散熱器30的鰭片31露出。框體40形成為箱狀，收容散熱器30的外表面及發光部20整體，並覆蓋它們。在框體40設置著擴散板41(相當於光學零件)，該擴散板41與安裝著第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23的散熱器30的外表面相向，且使第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線透過。即，光源裝置1包括擴散板41。
擴散板41使發光部20，即第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線擴散，並照射到平臺10的載置面10a上的被照射物W。擴散板41形成為平板狀。擴散板41是通過如下而獲得，即，對石英玻璃或以TEMPAX(注冊商標)等氧化矽為主成分的玻璃，例如實施凍結(frost)加工或鐳射加 工。
控制單元50對紫外線照射裝置100的紫外線的照射動作進行控制。控制單元50例如以包含中央處理器(central processing unit，CPU)等的運算處理裝置或包括唯讀記憶體(read-only memory，ROM)、隨機存取記憶體(Random Access Memory，RAM)等的未圖示的微處理器為主體而構成，與顯示處理動作的狀態的顯示單元、或操作人員登錄處理內容資訊等時所使用的操作單元連接。
控制單元50對各發光部20的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線的放射強度進行控制，並對發光部20的相對照度進行調整。控制單元50以使多個發光部20中的位於安裝基板24的外緣的發光部20的相對照度比位於安裝基板24的X軸方向及Y軸方向的中央的發光部20大的方式，對供給到各發光部20的電力進行控制。即，控制單元50以使隨著朝向圖2所示的箭頭L的前端而供給到發光部20的電力增大的方式進行控制。另外，此處提及的「相對照度」是將第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線的放射強度相對地加以數值化所得的指標，在照度的測定中使用紫外線累計光量計UIT-250(牛尾(USHIO)電機製造)來作為照度計，使用UVD-S313(牛尾電機製造)來作為受光器。而且，照度計並不限定於所述，例如也可使用奧珂(ORC)製作所製造的UV-MO3A、受光器UV-SN35。而且，就相對照度而言，也可為如 下，即，對例如放置被照射物的位置，使用接收紫外線並輸出電信號的受光元件來相對地檢測紫外線的強度的變化所得。
本實施方式1中，控制單元50如圖5中雙點鏈線所示，以隨著朝向安裝基板24的外緣而發光部20的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線的相對照度增強的方式，來控制供給到發光部20的電力。圖5的橫軸為平臺10的載置面10a上的Y軸方向的中央的X軸方向的各位置，即，與圖2中的單點鏈線A-A對應的各位置，0表示光源裝置1的X軸方向的中央的Z軸方向的正下方的位置。圖5的橫軸的範圍H表示發光部20所處的範圍。圖5的縱軸表示各發光部20射出的紫外線的相對照度與平臺10的載置面10a上的相對照度。
而且，圖5的雙點鏈線表示各發光部20單體射出的紫外線的相對照度。圖5的實線是將圖5的雙點鏈線所示的相對照度下各發光部20射出紫外線時的載置面10a上的最大相對照度設為1.0而表示平臺10的載置面10a上的各位置的照度。圖5的單點鏈線是將多個發光部20射出的紫外線的相對照度相等時的載置面10a上的最大照度設為1.0而表示平臺10的載置面10a上的各位置的照度。本實施方式1中，控制單元50以照射到載置面10a上的被照射物W的紫外線的照度均勻(即，各位置處相等)的方式，對供給到各發光部20的電力進行控制。而且，控制單元50也可根據被照射物W來適當變更各發光部20的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線的相對照度。此 外，控制單元50也可根據被照射物W來適當變更各發光部20的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線的放射強度之比。
接下來，對紫外線照射裝置100的被照射物W的處理動作進行說明。首先，操作人員將處理內容資訊登錄到控制單元50，在存在開始處理動作的指示時開始進行處理動作。如果處理動作開始，則控制單元50向光源裝置1的散熱器30的鰭片31噴附冷卻劑。
然後，紫外線照射裝置100當對散熱器30的鰭片31噴附冷卻劑後經過規定時間時，在平臺10的載置面10a上載置被照射物W，從各發光部20的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出紫外線，並對載置面10a上的被照射物W照射紫外線。將被照射了固定時間的紫外線的被照射物W從平臺10的載置面10a上卸除，將紫外線照射前的被照射物W載置於平臺10的載置面10a。與所述工序同樣地照射紫外線。
本發明的紫外線照射裝置100也可視需要在光源裝置1與平臺10之間設置濾波器或光學元件。
所述構成的實施方式1的光源裝置1包括發光部20，所述發光部20包含第一峰值波長P1、第二峰值波長P2、第三峰值波長P3不同的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23。而且，光源裝置1包括擴散板41，所述擴散板41使發光部20，即第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23 射出的紫外線擴散並照射到被照射物W，因而可抑制照射到被照射物W的紫外線的波長的不均。
而且，光源裝置1將發光部20沿著X軸方向與Y軸方向配置，且配置成面狀，所述發光部20包含第一峰值波長P1、第二峰值波長P2、第三峰值波長P3不同的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23。此外，控制單元50使位於外緣的發光部20的相對照度比位於中央的發光部20的相對照度大。因此，可抑制照射到被照射物W的紫外線的照度的不均。由此，光源裝置1可抑制紫外線對被照射物W的不均勻的照射。
而且，光源裝置1中，控制單元50對各發光部20的相對照度進行控制。此外，控制單元50可根據被照射物W來適當變更各發光部20的相對照度之比。因此，光源裝置1可抑制紫外線對被照射物W的不均勻的照射。
此外，光源裝置1中，控制單元50以平臺10的載置面10a上的紫外線的相對照度變得均勻的方式對各發光部20進行控制。因此，光源裝置1可對被照射物W照射均勻照度的紫外線，且可抑制紫外線對被照射物W的不均勻的照射。
而且，光源裝置1中配置著由玻璃構成的擴散板41。擴散板41可使各發光部20的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線擴散。因此，光源裝置1可抑制紫外線對被照射物W的不均勻的照射。而且，通過使擴散板41由玻璃構成，而抑制了玻璃的由紫外線引起的經年劣化，因而即便 擴散板41長時間暴露於從發光部20照射的紫外線之下，也可抑制由紫外線引起的擴散板41的透過率的降低。
[變形例1]
接下來，根據附圖對本發明的實施方式1的變形例1的光源裝置1-1進行說明。圖6是從下方表示實施方式1的變形例1的光源裝置的概略構成的俯視圖。圖6中，對與所述實施方式1相同的部分附上相同的符號並省略說明。
實施方式1的變形例1的光源裝置1-1如圖6所示，將多個發光部20，即多個第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23沿著X軸方向配置成直線狀。而且，光源裝置1-1包括使載置於平臺10的載置面10a的被照射物W在Y軸方向上移動的未圖示的移動單元。光源裝置1-1中，控制單元50一邊以規定的速度使載置於平臺10的載置面10a的被照射物W在Y軸方向上移動，一邊將多個發光部20，即多個第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線照射到被照射物W。
實施方式1的變形例1的光源裝置1-1將多個第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23沿著X軸方向配置成直線狀，在各安裝基板24上安裝一個發光部20，且包括擴散板41，一邊使被照射物W在Y軸方向上移動一邊將多個第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23射出的紫外線照射到被照射物W。因此，光源裝置1-1與實施方式1同樣地，可抑制紫外線對被照射物W的不均勻的照射。
[變形例2]
接下來，根據附圖對本發明的實施方式1的變形例2的光源裝置1-2進行說明。圖7是從下方表示實施方式1的變形例2的光源裝置的概略構成的要部的俯視圖。圖7中，對與所述實施方式1相同的部分，附上相同的符號並省略說明。
實施方式1的變形例2的光源裝置1-2如圖7所示，將全部的發光部20，即全部的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23安裝於一個安裝基板24上，且配置成面狀。
實施方式1的變形例2的光源裝置1-2與實施方式1同樣地，可抑制紫外線對被照射物W的不均勻的照射。此外，變形例2的光源裝置1-2通過一體地設置安裝基板24，即便被照射物W為大面積也可均勻地照射光。
表示如下示例，即，所述實施方式1、變形例1及變形例2的光源裝置1、光源裝置1-1、光源裝置1-2構成液晶面板的硬化或重合、貼合等光反應工序中使用的紫外線照射裝置100。然而，本發明的光源裝置1、光源裝置1-1、光源裝置1-2例如也可構成半導體製造裝置或化學物質的光化學反應等的各種裝置。
而且，實施方式1及變形例的光源裝置1、光源裝置1-1中，發光部20包含第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23。然而，本發明中，發光部20也可包含兩個發光元件，還可包含四個以上的發光元件。總之，本發明中，光源裝置1、光源裝置1-1至少包括多個第一發光元件21及多個第二發光元件22 即可。而且，在發光部20的內部也可包含所謂的封裝體，該封裝體一體地設置第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23中的任一個發光元件，或者第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23中的至少兩個發光元件。
而且，控制單元50並不限定於以隨著朝向圖2所示的箭頭L的前端而供給到發光部20的電力增大的方式進行控制。例如，當以供給到多個發光部20的電力均相同的方式加以控制時，也能夠以多個發光部20中的位於安裝基板24的外緣的發光部20的相對照度比位於安裝基板24的X軸方向及Y軸方向的中央的發光部20大的方式，使用放射強度高的第一發光元件21、第二發光元件22、第三發光元件23。
[實施方式2]
以下說明的實施方式2及變形例1~變形例7的光源裝置1a、光源裝置1-1a、光源裝置1-2a、光源裝置1-3、光源裝置1-4、光源裝置1-5、光源裝置1-6、光源裝置1-7包括：光射出部10b，具有至少一個射出紫外線的發光元件12，以及控制單元40a，使紫外線從光射出部10b依次照射到多個被照射物Wa。控制單元40a針對各被照射物Wa重複進行：使規定時間T內的發光元件12射出的紫外線相對於各被照射物1Wa的相對照度隨時間的經過而減弱。
而且，實施方式2及變形例1~變形例7的光源裝置1a、光源裝置1-1a、光源裝置1-2a、光源裝置1-3、光源裝置1-4、光 源裝置1-5、光源裝置1-6、光源裝置1-7中，所述發光元件12射出峰值波長為240nm~450nm的紫外線。
而且，實施方式2及變形例1~變形例7的光源裝置1a、光源裝置1-1a、光源裝置1-2a、光源裝置1-3、光源裝置1-4、光源裝置1-5、光源裝置1-6、光源裝置1-7中，控制單元40a使規定時間T內的發光元件12射出的紫外線的相對照度在剛射出後為最強，並隨時間的經過而減弱。
而且，實施方式2及變形例1~變形例7的光源裝置1a、光源裝置1-1a、光源裝置1-2a、光源裝置1-3、光源裝置1-4、光源裝置1-5、光源裝置1-6、光源裝置1-7中，被照射物Wa包含樹脂。
而且，實施方式2及變形例1~變形例7的光源裝置1a、光源裝置1-1a、光源裝置1-2a、光源裝置1-3、光源裝置1-4、光源裝置1-5、光源裝置1-6、光源裝置1-7中，在光射出部10b與所述被照射物Wa之間，具有提取從所述光射出部10b射出的紫外線的偏光成分的偏光元件70。
而且，以下說明的實施方式2及變形例1~變形例7的光照射方法是將從發光元件12射出的紫外線依次照射到多個被照射物Wa。光照射方法針對各被照射物Wa重複進行：使規定時間T內的發光元件12射出的紫外線相對於各被照射物Wa的相對照度隨時間的經過而減弱。
接下來，根據附圖對本發明的實施方式2的光源裝置1a 及光照射方法進行說明。圖8是表示實施方式2的光源裝置的概略構成的立體圖，圖9是圖8所示的光源裝置的X軸方向觀察的剖面圖，圖10是圖8所示的光源裝置的光射出部的俯視圖，圖11是圖10所示的光射出部的X軸方向觀察的剖面圖，圖12是表示圖8所示的光源裝置的光射出部的相對照度的變化的圖。
實施方式2的光源裝置1a(以下簡稱作光源裝置)為如下裝置，即，對具有紫外線硬化樹脂(相當於光硬化型的樹脂)的被照射物Wa(圖8所示)照射至少包含紫外線的光(紫外光)，並將被照射物Wa的紫外線硬化樹脂硬化。光源裝置1a是逐個地依次對被照射物Wa照射紫外線，並照射到多個被照射物Wa的裝置。以下，將被照射物Wa的寬度方向稱作X軸方向，將與X軸方向正交且為被照射物Wa的長度方向(也稱作搬送方向)稱作Y軸方向，將與Y軸方向及X軸方向正交的方向稱作Z軸方向。
光源裝置1a如圖8所示，包括：光射出部10b，射出紫外線；反射板20a，對從光射出部10b射出的紫外線的配光進行控制；搬送單元30a(圖9所示)，相對於反射板20a而配設於經反射板20a控制了配光的紫外線的前進方向側，並且搬送被照射物Wa；以及控制單元40a等。
光射出部10b為棒狀或線狀的光源。而且，光射出部10b例如像圖10及圖11所示般，在外觀為圓柱狀的本體構件11的外表面安裝著多個發光元件12，且包括具有至少一個發光元件12的直線狀的發光部。光射出部10b的發光部的長度方向與X軸方 向平行，光射出部10b的發光部的長度比被照射物Wa的寬度長。
發光元件12至少射出紫外線，且包含LED(Light Emitting Diode)或LD(Laser Diode)等半導体。發光元件12在本體構件11的外表面沿周向隔開間隔而安裝，並且在本體構件11的長度方向，即X軸方向上隔開間隔而安裝。
發光元件12使用射出峰值波長為254nm、313nm、365nm、385nm、405nm中的任一者的紫外線者。即，本發明中，構成光射出部10b的多個發光元件12使用峰值波長為254nm的發光元件12、峰值波長為313nm的發光元件12、峰值波長為365nm的發光元件12、峰值波長為385nm的發光元件12、峰值波長為405nm的發光元件12中的一個以上。即，發光元件12射出峰值波長為240nm~450nm的紫外線。具有這些峰值波長的發光元件12根據被照射物Wa而適當選擇。另外，本說明書中提及的峰值波長，是指發光元件12射出的紫外線中的相對照度最強的紫外線的波長。
而且，本發明中提及的相對照度，是表示從光射出部10b，即，發光元件12射出的紫外線的相對照度的指標。相對照度可使用如下，即，將使用例如牛尾電機製造的紫外線累計光量計UIT-250、受光器UVD-S365等所謂的照度計所測定的照度加以標準化而得。另外，照度計並不限定於所述，例如也可使用奧珂製作所製造的UV-MO3A、受光器UV-SN35。而且，就相對照度而言，也可為如下，即，對例如放置被照射物的位置，使用接收紫 外線並輸出電信號的受光元件來相對地檢測紫外線的強度的變化所得。
光射出部10b可從線狀的發光部例如射出波長為240nm至450nm的紫外線，光射出部10b射出的紫外線成為具有各種偏光軸成分的所謂的非偏光的紫外線。光射出部10b的直徑R例如為15.5mm，光射出部10b的長度La例如為1149mm。
反射板20a在與光射出部10b相向的面，具有反射從光射出部10b射出的紫外線的反射面21a。反射面21a中，在沿著形成為棒狀的光射出部10b的軸心的方向上看到時的形狀即軸心方向觀察的形狀，也即在X軸方向觀察時的形狀成為橢圓的一部分開口的形狀。反射板20a利用反射面21a使從光射出部10b射出的紫外線朝向被照射物Wa反射。而且，反射板20a以在Z軸方向上開口的朝向而配設。
反射板20a沿著形成為棒狀的光射出部10b，以它們的形狀與光射出部10b平行地延伸。此外，反射板20a在反射面21a的橢圓開口側的相反側的部分，在橢圓的曲率最大的部分附近，形成著在橢圓的周向，或者Y軸方向上隔開的空隙、即空隙部22a。即，空隙部22a從光射出部10b觀察時，在Z軸方向上形成於反射面21a的橢圓開口側的相反側。反射板20a利用該空隙部22a而橢圓的內側與外側的空間連通。而且，反射板20a的基材包含鋁合金，由多層膜構成反射面21a。另外，反射板20a並不限定於包含鋁合金，也可為使從光射出部10b射出的熱透過的冷鏡 (cold mirror)。
搬送單元30a將被照射物Wa跨越如下兩個位置搬送，即，被照射從光射出部10b射出且由反射板20a反射的紫外線的照射位置(圖9所示)，與和照射位置隔開的隔開位置。搬送單元30a將多個被照射物Wa逐個地依次搬送到照射位置。
控制單元40a使紫外線從光射出部10b依次向多個被照射物Wa逐個地射出(即，照射)，並控制光源裝置1a的紫外線的照射動作。控制單元40a例如以包含CPU等的運算處理裝置或包括ROM、RAM等的未圖示的微處理器為主體而構成，與顯示處理動作的狀態的顯示單元、或操作人員登錄照射內容資訊等時所使用的操作單元連接。
接下來，對光源裝置1a的被照射物Wa的照射動作，即光照射方法進行說明。光照射方法是將從發光元件12射出的紫外線依次照射到多個被照射物Wa的方法。圖13是圖8所示的光源裝置的控制單元的流程圖的一例。首先，操作人員將照射內容資訊登錄到控制單元40a，在存在開始照射動作的指示時，開始進行照射動作。首先，照射動作中，控制單元40a使搬送單元30a將最初照射紫外線的一個被照射物Wa在照射位置處停止，並以時間t0(圖12所示)至t1(圖12所示)為止的規定時間T，使紫外線從光射出部10b射出(步驟ST1)。然後，控制單元40a在以規定時間T對一個被照射物Wa照射紫外線。
此時，控制單元40a如圖12所示，使規定時間T內的光 射出部10b的發光元件12射出的紫外線相對於各被照射物Wa的相對照度在時間t0，即剛射出後為最強，並從時間t0向時間t1隨時間的經過而逐漸減弱。另外，圖12的橫軸表示開始照射動作後的經過時間，縱軸是將光射出部10b射出的最強紫外線的相對照度設為100%而表示光射出部10b射出的紫外線的相對照度。另外此處提及的「紫外線的剛射出後」實際包含「紫外線剛射出後」到「紫外線射出後1秒」為止的期間。而且，規定時間T，即時間t0到時間t1為止的時間例如設定為2秒至2小時，優選設定為2秒到900秒的範圍的任意值。
然後，光源裝置1a在結束對所述一個被照射物Wa照射紫外線時，參考由操作人員登錄的照射內容資訊，判定是否已完成對所登錄的規定數的被照射物Wa照射紫外線(步驟ST2)。在控制單元40a在判定為尚未完成對所登錄的規定數的被照射物Wa照射紫外線(步驟ST2：否)，與判定結束對所述一個被照射物Wa照射紫外線後是否經過了第二規定時間T2(圖12所示)的同時，搬送單元30a將已完成光照射的被照射物Wa搬送到隔開位置，並將光照射前的被照射物Wa搬送到照射位置(步驟ST3)。另外，此處提及的規定時間T2，即時間t1到時間t2為止的時間例如設定為1秒到15分鐘，優選設定為1秒到10分鐘的範圍的任意值。
控制單元40a在判定結束對所述一個被照射物Wa照射紫外線後尚未經過第二規定時間T2時(步驟ST3：否)，重複步驟 ST3。控制單元40a在判定為結束對所述一個被照射物Wa照射紫外線後經過了第二規定時間T2時(步驟ST3：是)，回到步驟ST1，控制單元40a使從光射出部10b在時間t2(圖12所示)，即剛射出紫外線後為最強，且以時間t2到t3(圖12所示)為止的規定時間T射出(步驟ST1)，並判定是否已完成對所登錄的規定數的被照射物Wa照射紫外線(步驟ST2：否)，且判定結束紫外線的照射後是否經過了第二規定時間T2(圖12所示)(步驟ST3)。這樣，控制單元40a如圖12所示，針對各被照射物Wa重複執行：使規定時間T內的發光元件12射出的紫外線相對於各被照射物Wa的相對照度隨時間的經過而減弱。
控制單元40a在判定為已完成對所登錄的規定數的被照射物Wa照射紫外線時(步驟ST2：是)，結束照射動作。這樣，使用了光源裝置1a的對被照射物Wa的光照射方法中，使規定時間T內的發光元件12射出的紫外線相對於各被照射物Wa的相對照度隨時間的經過而減弱。光照射方法中，隔開第二規定時間T2而針對各被照射物Wa重複進行：使規定時間T內的發光元件12射出的紫外線的相對照度隨時間的經過而減弱，並對多個被照射物Wa逐個地依次照射從發光元件12射出的紫外線。
接下來，本發明的發明人確認實施方式2的光源裝置1a的效果。將結果表示於圖14。圖14是表示使本發明品與比較例1~比較例3工作後的相對照度的變化的圖。圖14的橫軸表示開始紫外線的射出後的經過時間，縱軸是將照射到被照射物Wa的最強 紫外線的相對照度設為100%而表示照射到被照射物Wa的紫外線的相對照度。
關於圖14中實線所示的本發明品，從實施方式2記載的包括發光元件12的光射出部10b射出紫外線。圖14中虛線所示的比較例1，是從在低壓水銀燈的發光管內表面塗布了螢光物質所得的低壓螢光燈射出紫外線。圖14中單點鏈線所示的比較例2，是從紫外線透過性的玻璃管內封入了水銀、氬、氙等稀有氣體所得的高壓水銀燈射出紫外線。圖14中雙點鏈線所示的比較例3，是從直管狀的氣密容器內封入了水銀或稀有氣體的高壓水銀燈、或直管狀的氣密容器中進一步封入了水銀與鐵或碘等金屬鹵化物所得的金屬鹵化物燈射出紫外線。
根據圖14可知，即便使比較例1~比較例3工作，直至獲得所需相對照度為止需要耗費100秒~500秒左右，與此相對，使本發明品工作時會立即獲得所需相對照度。如此可知，通過使用具有發光元件12的光射出部10b，而可對被照射物Wa照射適當的相對照度的紫外線，且能夠針對各被照射物Wa重複進行：使規定時間T內的紫外線相對於各被照射物Wa的相對照度隨時間的經過而減弱。
所述構成的實施方式2的光源裝置1a中，光射出部10b具有發光元件12，因而能夠在使光射出部10b工作時立即將所需相對照度的紫外線照射到被照射物Wa，且照射到被照射物Wa的紫外線的相對照度也可根據被照射物Wa而適當變更。而且，光源 裝置1a在對各被照射物Wa照射紫外線時，使光射出部10b射出的紫外線的相對照度隨時間的經過而減弱。因此，可將紫外線照射到被照射物Wa的紫外線硬化樹脂的內部為止，從而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。而且，光源裝置1a在對多個被照射物Wa逐個地照射紫外線時，隔開第二規定時間T2而針對各被照射物Wa重複進行：使光射出部10b射出的紫外線的相對照度隨時間的經過而減弱，因而可抑制多個被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
而且，實施方式2的光源裝置1a中，因發光元件12射出峰值波長為240nm~450nm的紫外線，所以可對被照射物Wa照射能量更高的光，即短波長的紫外線，因而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
而且，實施方式2的光源裝置1a中，控制單元40a使規定時間內的發光元件12射出的紫外線的相對照度在剛射出後為最強，並隨時間的經過而減弱，由此即便使用例如照射紫外線時會瞬間硬化的被照射物Wa，也可進行從被照射物Wa的深度方向深的位置逐漸向深度方向淺的位置硬化的處理，因而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
而且，實施方式2的光源裝置1a因被照射物Wa包含樹脂，所以可進行從被照射物Wa的深度方向深的位置逐漸向深度方向淺的位置硬化的處理，因而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
[變形例1]
接下來，根據附圖對本發明的實施方式2的變形例1的光源裝置1-1a進行說明。圖15是表示實施方式2的變形例1的光源裝置的概略構成的X軸方向觀察的剖面圖。圖15中，對與所述實施方式2相同的部分附上相同的符號並省略說明。
實施方式2的變形例1的光源裝置1-1a如圖15所示，代替搬送單元30a而包括移動搬送單元50a，該移動搬送單元50a使多個被照射物Wa在Y軸方向上連續地移動，將被照射物Wa逐個地依序移動到照射位置。移動搬送單元50a包括：利用電動機等旋轉驅動的驅動輥51，旋轉自如地設置的從動輥52，跨越驅動輥51與從動輥52而架設且在驅動輥51與從動輥52之間迴圈移行的搬送帶53等。
光源裝置1-1a在搬送帶53上載置多個被照射物Wa，驅動輥51使搬送帶53在Y軸方向上移動，由此一邊使被照射物Wa在Y軸方向上移動，一邊對被照射物Wa逐個地照射光射出部10b射出的紫外線。
變形例1的光源裝置1-1a與實施方式2同樣地，能夠在使光射出部10b工作時立即將所需相對照度的紫外線照射到被照射物Wa，且可將紫外線照射到被照射物Wa的紫外線硬化樹脂的內部為止，從而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
[變形例2]
接下來，根據附圖對本發明的實施方式2的變形例2的 光源裝置1-2a進行說明。圖16是表示實施方式2的變形例2的光源裝置的概略構成的X軸方向觀察的剖面圖。圖16中，對與所述實施方式2相同的部分，附上相同的符號並省略說明。
實施方式2的變形例2的光源裝置1-2a如圖16所示，代替搬送單元30a而包括光源移動單元60，該光源移動單元60使光射出部10b在Y軸方向上連續地移動，將在Y軸方向上排列的多個被照射物Wa相對於光射出部10b逐個地依次移動到照射位置。
光源移動單元60包括：安裝著光射出部10b、反射板20a等的滑塊61，使滑塊61在Y軸方向上移動自如的軌道62，以及使滑塊61相對於軌道62滑動移動的未圖示的驅動源等。光源裝置1-2a將多個被照射物Wa在Y軸方向上排列，光源移動單元60使光射出部10b等在Y軸方向上移動，由此一邊使光射出部10b等在Y軸方向上移動，一邊對被照射物Wa逐個地照射光射出部10b射出的紫外線。
變形例2的光源裝置1-2a與實施方式2及變形例1同樣地，能夠在使光射出部10b工作時立即將所需相對照度的紫外線照射到被照射物Wa，且可將紫外線照射到被照射物Wa的紫外線硬化樹脂的內部為止，從而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。而且，光射出部10b包括放熱少的發光元件12，因而不需要利用水冷夾套(water cooling jacket)等將光射出部10b冷卻。因此，即便使光射出部10b移動，也可抑制水冷夾套的破損。
[變形例3]
接下來，根據附圖對本發明的實施方式2的變形例3的光源裝置1-3進行說明。圖17是表示實施方式2的變形例3的光源裝置的概略構成的X軸方向觀察的剖面圖。圖17中，對與所述實施方式2、變形例1、變形例2相同的部分，附上相同的符號並省略說明。
實施方式2的變形例3的光源裝置1-3如圖17所示，代替搬送單元30a而包括移動搬送單元50a，該移動搬送單元50a使多個被照射物Wa在Y軸方向上連續地移動，使被照射物Wa逐個地依次移動到照射位置。此外，光源裝置1-3包括光源移動單元60，該光源移動單元60使光射出部10b在Y軸方向上連續地移動，將在Y軸方向上排列的多個被照射物Wa相對於光射出部10b逐個地依次移動到照射位置。
光源裝置1-3使被照射物Wa在Y軸方向上移動，且一邊使光射出部10b在Y軸方向上移動，一邊對被照射物Wa逐個地照射光射出部10b射出的紫外線。
變形例3的光源裝置1-3與實施方式2、變形例1、變形例2同樣地，能夠在使光射出部10b工作時立即將所需相對照度的紫外線照射到被照射物Wa，且可將紫外線照射到被照射物Wa的紫外線硬化樹脂的內部為止，從而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
而且，變形例3的光源裝置1-3中，光射出部10b包括放熱少的發光元件12，因而不需要利用水冷夾套等將光射出部10b 冷卻。因此，即便使光射出部10b移動，也不需要設置水冷夾套，因而可抑制水冷夾套的破損。
而且，光源裝置1a、光源裝置1-2a、光源裝置1-3的控制單元40a也可使以規定時間T從光射出部10b射出紫外線時的相對照度如圖18(a)~圖18(c)所示。另外，圖18(a)~圖18(c)是表示圖12所示的光源裝置的光射出部的相對照度的變化的變形例的圖。控制單元40a如圖18(a)的實線所示，也可使規定時間T內的光射出部10b射出的紫外線的相對照度在剛射出後為最強，並隨時間的經過呈所謂的鋸齒波(sawtooth wave)狀地分多個階段逐漸減弱。控制單元40a如圖18(b)的實線所示，也可使規定時間T內的光射出部10b射出的紫外線的相對照度在剛射出後為最強，並隨時間的經過呈比例地逐漸減弱。控制單元40a如圖18(c)的實線所示，也可使規定時間T內的光射出部10b射出的紫外線的相對照度在剛射出後為最強，並隨時間的經過呈階段性地(圖18(c)中表示2個階段的情況)逐漸減弱。另外，圖18(a)至圖18(c)中，由虛線來表示圖12所示的光源裝置1a的光射出部10b的相對照度的變化。
[變形例4]
接下來，根據附圖對本發明的實施方式2的變形例4的光源裝置進行說明。圖19是表示實施方式2的變形例4的光源裝置的概略構成的立體圖。另外，圖19中，對與所述實施方式等相同的部分附上相同的符號，並省略說明。
實施方式2的變形例4的光源裝置1-4在光射出部10b與被照射物Wa之間，具有提取從光射出部10b射出的紫外線的偏光成分的偏光元件70。即，光源裝置1-4在光射出部10b的發光元件12與被照射物Wa之間設置偏光元件70。
偏光元件70使光射出部10b射出的紫外線中的與預定的基準方向平行的偏光軸(也稱作振動方向)的紫外線透過而照射到被照射物Wa，並限制與基準方向交叉的偏光軸的紫外線的透過。偏光元件70在X軸方向上排列多個，所述多個偏光元件70由框架71包圍X軸方向與Y軸方向的周圍。由此，多個偏光元件70由框架71支持。
另外，作為偏光元件70，可使用如下：使用線柵(wire grid)將與基準方向交叉的偏光軸的紫外線反射的所謂反射型偏光元件，或形成著玻璃板中所含的固定方向上對齊的金屬納米粒子、且吸收與基準方向交叉的偏光軸的紫外線的所謂吸收型偏光元件。作為吸收型偏光元件，例如可使用科迪(CODIXX)公司製造的科樂玻魯(colorpol)(注冊商標)UV375BC5。
變形例4的光源裝置1-4與實施方式2、變形例1、變形例2、變形例3同樣地，能夠在使光射出部10b工作時立即將所需相對照度的紫外線照射到被照射物Wa，且可將紫外線照射到被照射物Wa的紫外線硬化樹脂的內部為止，從而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
而且，光源裝置1-4包括偏光元件70，因而可用於對被 照射物Wa的表面實施取向處理。
[變形例5]
接下來，根據附圖對本發明的實施方式2的變形例5的光源裝置進行說明。圖20是實施方式2的變形例5的光源裝置的光射出部的側視圖，圖21是從下方觀察圖20所示的光射出部的俯視圖。圖20、圖21中，對與所述實施方式2等相同的部分，附上相同的符號並省略說明。
實施方式2的變形例5的光源裝置1-5的光射出部10b如圖20及圖21所示，安裝著水冷夾套80，該水冷夾套80使冷卻水在內側迴圈並且容許紫外線的射出。水冷夾套80用以將光射出部10b冷卻，且收容於惰性氣體收容室90內，該惰性氣體收容室90使氮氣等惰性氣體在內側迴圈並且容許紫外線的射出。光源裝置1-5的光射出部10b如圖21所示，將發光元件12在基板上沿X軸方向隔開間隔而排列，所述發光元件12射出峰值波長為254nm、313nm、365nm、385nm、405nm中的任一者的紫外線。
實施方式2的變形例5的光源裝置1-5與實施方式2等同樣地，能夠在使光射出部10b工作時立即將所需相對照度的紫外線照射到被照射物Wa，且可將紫外線照射到被照射物Wa的紫外線硬化樹脂的內部為止，從而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
而且，光源裝置1-5在將光射出部10b冷卻的水冷夾套80的周圍填充有氮氣等惰性氣體，因而即便將光射出部10b冷 卻，也可抑制光射出部10b因冷凝而產生不良情況。
[變形例6]
接下來，根據附圖對本發明的實施方式2的變形例6的光源裝置進行說明。圖22是從下方觀察實施方式2的變形例6的光源裝置的光射出部的俯視圖。圖22中，對與所述實施方式2等相同的部分附上相同的符號並省略說明。
實施方式2的變形例6的光源裝置1-6的光射出部10b如圖22所示，將發光元件12在基板上沿X軸方向與Y軸方向隔開間隔而排列，所述發光元件12射出峰值波長為254nm、313nm、365nm、385nm、405nm中的任一者的紫外線。
實施方式2的變形例6的光源裝置1-6與實施方式2等同樣地，能夠在使光射出部10b工作時立即將所需相對照度的紫外線照射到被照射物Wa，且可將紫外線照射到被照射物Wa的紫外線硬化樹脂的內部為止，從而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
[變形例7]
接下來，根據附圖對本發明的實施方式2的變形例7的光源裝置進行說明。圖23是表示實施方式2的變形例7的光源裝置的概略構成的圖。圖23中，對與所述實施方式2等相同的部分附上相同的符號並省略說明。
實施方式2的變形例7的光源裝置1-7的光射出部10b如圖23所示，將未圖示的發光元件12射出的紫外線經由光纖13 而照射到被照射物Wa，所述發光元件12射出峰值波長為254nm、313nm、365nm、385nm、405nm中的任一者的紫外線。
實施方式2的變形例7的光源裝置1-7與實施方式2等同樣地，能夠在使光射出部10b工作時立即將所需相對照度的紫外線照射到被照射物Wa，且可將紫外線照射到被照射物Wa的紫外線硬化樹脂的內部為止，從而可抑制被照射物Wa的光化學反應的不均勻。
已對本發明的幾個實施方式1、實施方式2、變形例進行了說明，但所述實施方式、變形例是作為示例而提示，並不意圖限定發明的範圍。所述實施方式、變形例可由其他各種形態來實施，在不脫離發明的主旨的範圍內，可進行各種省略、置換、變更。所述實施方式、變形例與包含於發明的範圍或主旨內同樣地，包含於本發明及其均等的範圍內。

Claims (7)

  1. 一種光源裝置，其特徵在於包括：發光部，具有：多個第一發光元件，射出第一峰值波長的紫外線；及多個第二發光元件，射出與所述第一峰值波長不同的第二峰值波長的紫外線且配置於所述第一發光元件的周圍；以所述第二發光元件中的至少一個位於所述第一發光元件的周圍的方式，將所述多個第一發光元件及所述多個第二發光元件配置成面狀或直線狀；調整單元，使所述發光部中的位於外緣的發光部的相對照度比位於中央的發光部的相對照度大；光學零件，使所述第一發光元件與所述第二發光元件射出的紫外線擴散並照射到被照射物；及控制單元，所述控制單元使紫外線從所述發光部依次照射到多個被照射物，其中所述控制單元使所述規定時間內的所述第一發光元件及所述第二發光元件射出的紫外線相對於各被照射物的相對照度在剛射出後為最強，並隨時間的經過而減弱。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光源裝置，其中所述第一發光元件及所述第二發光元件射出峰值波長為240nm以上且405nm以下的紫外線。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光源裝置，其中所述光學零件由玻璃構成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的光源裝置，其中所述控制單元針對各被照射物重複進行：使規定時間內的所述第一發光元件及所述第二發光元件射出的紫外線相對於各被照射物的相對照度隨時間的經過而減弱。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的光源裝置，其中所述第一發光元件及所述第二發光元件射出峰值波長為240nm~450nm的紫外線。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的光源裝置，其中所述被照射物包含樹脂。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的光源裝置，其中在所述發光部與所述被照射物之間，具有提取從所述發光部射出的紫外線的偏光成分的偏光元件。
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