TWI650853B - 嵌入式影像感測器封裝 - Google Patents

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TWI650853B
TWI650853B TW104114116A TW104114116A TWI650853B TW I650853 B TWI650853 B TW I650853B TW 104114116 A TW104114116 A TW 104114116A TW 104114116 A TW104114116 A TW 104114116A TW I650853 B TWI650853 B TW I650853B
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Abstract

一種嵌入式影像感測器封裝包含一核心層，其具有一凹處於其中；一影像感測器晶片，其被設置在所述凹處中，並且具有其上被設置一光接收器及連接構件的一頂表面；一第一絕緣層，其被設置在所述核心層的一頂表面以及所述影像感測器晶片的所述頂表面上，並且具有界定包含所述光接收器的一光接收區域的一開口；一保護層，其被設置在所述光接收器以及所述第一絕緣層之間以圍繞所述光接收器；以及一透光層，其被設置在所述光接收器上。所述保護層是沿著所述光接收區域的邊緣來加以設置。相關的方法亦被提出。

Description

嵌入式影像感測器封裝以及製造其之方法
本揭露內容的實施例是有關於嵌入式封裝及製造其之方法，並且更具體而言是有關於嵌入式影像感測器封裝及製造其之方法。
相關申請案的交互參照
本申請案是根據第35號美國法典第119條(a)項主張2014年12月29日向韓國智慧財產局申請的韓國申請案號10-2014-0191648的優先權，所述韓國申請案是以其如同完整闡述的整體而被納入在此作為參考。
影像感測器是接收光以產生電子並且轉換所述電子成為影像信號的裝置。這些影像感測器被廣泛使用在數位相機、數位攝錄放影機、各種的可攜式裝置、或類似者。所述影像感測器可包含電荷耦合裝置(CCD)以及互補金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器。所述CMOS影像感測器可以輕易地和信號處理電路整合在單一晶片上，因此使得包含所述CMOS影像感測器的產品能夠加以縮小。此外，所述CMOS影像感測器可以在低功率消耗下運作。因此，所述CMOS影像感測器已經被廣泛地採用在可攜式的電子裝置中。
包含所述影像感測器的封裝(在以下被稱為影像感測器封裝) 可以用一種晶片尺寸封裝(CSP)形式、或是用一種板上晶片(COB)封裝形式來加以提供。所述CSP可以對應於一種晶圓層級的封裝，而所述COB封裝可以藉由將一影像感測器安裝在一印刷電路板(PCB)上來加以實現。在晶圓層級的影像感測器封裝可以用晶圓為單位來加以提供。因此，在降低晶圓層級的影像感測器封裝的製造成本上可能會有所限制。近來，嵌入式影像感測器封裝已經被提出以降低其製造成本。所述嵌入式影像感測器封裝可以用面板或基板為單位來加以提供，所述面板或基板的每一個具有一面積是一晶圓的面積的至少兩倍。因此，所述嵌入式影像感測器封裝的處理量可以提高。
各種的實施例是針對於嵌入式影像感測器封裝以及製造其之方法。
根據一實施例，其提供有一種嵌入式影像感測器封裝。所述嵌入式影像感測器封裝包含一核心層，其具有一凹處於其中；一影像感測器晶片，其被設置在所述凹處中，並且具有其上被設置一光接收器及連接構件的一頂表面；一第一絕緣層，其被設置在所述核心層的一頂表面以及所述影像感測器晶片的頂表面上，並且具有界定包含所述光接收器的一光接收區域的一開口；一保護層，其被設置在所述光接收器以及所述第一絕緣層之間以圍繞所述光接收器；以及一透光層，其被設置在所述光接收器上。所述保護層是沿著所述光接收區域的邊緣來加以設置。
根據另一實施例，其提供有一種製造一嵌入式影像感測器封裝的方法。所述方法包含提供一影像感測器晶片，其具有其上被設置一光 接收器的一頂表面；形成一金屬遮罩，其被設置以覆蓋被設置在所述影像感測器晶片的頂表面上的光接收器及連接構件的一頂表面以及側壁；以及將所述影像感測器晶片插入一核心層的一凹處中。一絕緣層是被形成在所述核心層上以覆蓋所述影像感測器晶片。所述絕緣層是被形成以具有界定包含所述光接收器的一光接收區域的一開口。電路圖案是被形成在所述絕緣層的一頂表面上。一保護層是被形成在所述絕緣層的內部的側壁上，所述內部的側壁是沿著所述光接收區域的邊緣而被露出。所述金屬遮罩是在所述保護層被形成之後加以移除，以露出所述光接收器。一透光層是被形成在所述露出的光接收器上。
根據另一實施例，其提供有一種製造一嵌入式影像感測器封 裝的方法。所述方法包含提供一影像感測器晶片，其具有其上被設置一光接收器的一頂表面；形成一金屬遮罩，其被設置以覆蓋被設置在所述影像感測器晶片的一頂表面上的光接收器及連接構件；將所述影像感測器晶片插入一核心層的一凹處中；在所述核心層上形成一絕緣層以覆蓋所述影像感測器晶片；在所述絕緣層的一頂表面上形成電路圖案，以露出所述絕緣層的位在一包含所述影像感測器晶片的所述光接收器的光接收區域之上的一部分；以及移除所述絕緣層的在所述光接收區域之上的所述露出的部分，以形成界定所述光接收區域並且露出所述金屬遮罩的一開口。一阻焊劑(solder resist)層是被形成在所述絕緣層以及所述電路圖案上。延伸到所述絕緣層的藉由所述開口而被露出的內部的側壁之上的所述阻焊劑層是對應於一保護層。所述金屬遮罩是在所述保護層被形成之後加以移除，以露出所述光接收器。一透光層是被形成在所述露出的光接收器上。
根據另一實施例，其提供有一種製造一嵌入式影像感測器封 裝的方法。所述方法包含提供一影像感測器晶片，其具有其上被設置一光接收器的一頂表面；形成一金屬遮罩，其被設置以覆蓋被設置在所述影像感測器晶片的一頂表面上的光接收器及連接構件；將所述影像感測器晶片插入一核心層的一凹處中；在所述核心層上形成一絕緣層以覆蓋所述影像感測器晶片；在所述絕緣層的一頂表面上形成電路圖案，以露出所述絕緣層的位在一包含所述影像感測器晶片的所述光接收器的光接收區域之上的一部分；在所述絕緣層以及所述電路圖案上形成一阻焊劑層，以露出所述絕緣層的在所述光接收區域之上的部分；以及移除所述絕緣層的在所述光接收區域之上的所述露出的部分，以形成界定所述光接收區域並且露出所述金屬遮罩的一開口。一保護層是被形成在所述絕緣層的內部的側壁、連接至所述連接構件的所述電路圖案的內部的側壁、以及所述阻焊劑層的藉由所述開口而被露出的內部的側壁上。所述金屬遮罩是在所述保護層被形成之後加以移除，以露出所述光接收器。一透光層是被形成在所述露出的光接收器上。
111‧‧‧影像感測器晶片
112‧‧‧光接收器
114‧‧‧連接構件
116、116'‧‧‧金屬遮罩
121‧‧‧影像感測器晶片
122‧‧‧光接收器
124‧‧‧連接構件
126、126'‧‧‧金屬遮罩
131‧‧‧影像感測器晶片
132‧‧‧光接收器
134‧‧‧連接構件
136‧‧‧金屬遮罩
200‧‧‧結構
210‧‧‧核心層
212‧‧‧貫通電極
214‧‧‧凹處
221‧‧‧第一上方的電路圖案
222‧‧‧第一下方的電路圖案
230‧‧‧臨時的基板
300‧‧‧嵌入式影像感測器封裝
311‧‧‧第一絕緣層
312‧‧‧第二絕緣層
321‧‧‧第一晶種層
322‧‧‧第二晶種層
330‧‧‧第一開口
332‧‧‧第二開口
334‧‧‧第三開口
341‧‧‧第一上方的通孔
342‧‧‧第二上方的通孔
343‧‧‧下方的通孔
350‧‧‧第一金屬層
351、352‧‧‧第二上方的電路圖案
353‧‧‧保護層
354、355‧‧‧第二下方的電路圖案
360‧‧‧第二金屬層
371‧‧‧第一阻焊劑層
372‧‧‧第二阻焊劑層
382‧‧‧黏著劑
384‧‧‧透光層
390‧‧‧焊料球
400‧‧‧結構
410‧‧‧核心層
412‧‧‧貫通電極
414‧‧‧凹處
421‧‧‧第一上方的電路圖案
422‧‧‧第一下方的電路圖案
430‧‧‧臨時的基板
500‧‧‧嵌入式影像感測器封裝
511‧‧‧第一絕緣層
512‧‧‧第二絕緣層
521‧‧‧第一晶種層
522‧‧‧第二晶種層
530‧‧‧第一開口
532‧‧‧第二開口
541‧‧‧第一上方的通孔
542‧‧‧第二上方的通孔
543‧‧‧下方的通孔
550‧‧‧第一金屬層
550'‧‧‧虛設金屬層
551、552‧‧‧第二上方的電路圖案
554、555‧‧‧第二下方的電路圖案
560‧‧‧第二金屬層
571‧‧‧第一阻焊劑層
572‧‧‧第二阻焊劑層
573‧‧‧保護層
582‧‧‧黏著劑
584‧‧‧透光層
590‧‧‧焊料球
600‧‧‧結構
610‧‧‧核心層
612‧‧‧貫通電極
614‧‧‧凹處
621‧‧‧第一上方的電路圖案
622‧‧‧第一下方的電路圖案
630‧‧‧臨時的基板
700‧‧‧嵌入式影像感測器封裝
711‧‧‧第一絕緣層
712‧‧‧第二絕緣層
721‧‧‧第一晶種層
722‧‧‧第二晶種層
730‧‧‧第一開口
730'‧‧‧第一初步的開口
732‧‧‧第二開口
741‧‧‧第一上方的通孔
742‧‧‧第二上方的通孔
743‧‧‧下方的通孔
750‧‧‧第一金屬層
751、752‧‧‧第二上方的電路圖案
754、755‧‧‧第二下方的電路圖案
760‧‧‧第二金屬層
771‧‧‧第一阻焊劑層
772‧‧‧第二阻焊劑層
775‧‧‧保護層
782‧‧‧黏著劑
784‧‧‧透光層
790‧‧‧焊料球
本揭露內容的各種實施例在考量到所附的圖式以及所附的詳細說明下將會變得更明顯，其中：圖1是描繪根據一實施例的一種嵌入式影像感測器封裝的橫截面圖；圖2是描繪根據另一實施例的一種嵌入式影像感測器封裝的橫截面圖；圖3是描繪根據又一實施例的一種嵌入式影像感測器封裝的橫截面圖；圖4至13是描繪根據一實施例的一種製造一嵌入式影像感測器封裝的 方法的橫截面圖；圖14至23是描繪根據另一實施例的一種製造一嵌入式影像感測器封裝的方法的橫截面圖；圖24至29是描繪根據又一實施例的一種製造一嵌入式影像感測器封裝的方法的橫截面圖；以及圖30至39是描繪根據又一實施例的一種製造一嵌入式影像感測器封裝的方法的橫截面圖。
將會瞭解到的是，儘管第一、第二、第三等等的術語可能在此被使用來描述各種的元件，但是這些元件不應該受限於這些術語。這些術語只是被用來區別一元件與另一元件。因此，在某些實施例中的一第一元件可能在其它實施例中被稱為一第二元件，而不脫離本揭露內容的教示。
同樣將會理解到的是，當一元件被稱為位在另一元件"上"、"之上"、"上面"、"下"、"之下"或是"下面"時，其可以直接接觸所述另一元件、或是至少一介於中間的元件可以存在於兩者之間。於是，在此所用的例如是"上"、"之上"、"上面"、"下"、"之下"、"下面"與類似者的術語只是為了描述特定實施例之目的而已，因而並不欲限制本揭露內容的範疇。
進一步將會理解到的是，當一元件被稱為"連接"或"耦接"至另一元件時，其可以直接連接或耦接至所述另一元件、或是介於中間的元件可以存在。相對地，當一元件被稱為"直接連接"或"直接耦接"至另一元件時，則沒有介於中間的元件存在。其它被用來描述在元件或層之間的關係的字也應該用一種類似的方式來加以解釋(例如，"介於之間"相對於"直接介 於之間"、"相鄰"相對於"直接相鄰"、"上方"相對於"正上方")。在此使用的術語"晶片"可以對應於一記憶體晶片，例如是一動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片、一靜態隨機存取記憶體(SRAM)晶片、一快閃記憶體晶片、一磁性隨機存取記憶體(MRAM)晶片、一電阻性隨機存取記憶體(ReRAM)晶片、一鐵電式隨機存取記憶體(FeRAM)晶片、或是一相變式隨機存取記憶體(PcRAM)晶片。或者是，在此使用的術語"晶片"可以對應於一邏輯晶片，例如是一非記憶體的晶片。
圖1是描繪根據一實施例的一種嵌入式影像感測器封裝300 的橫截面圖。參照圖1，所述嵌入式影像感測器封裝300可包含一核心層210，其具有一凹處214於其中；以及一影像感測器晶片111，其被設置在所述核心層210的凹處214中。所述核心層210可包含一種絕緣材料。一光接收器112以及連接構件114可被設置在所述影像感測器晶片111的一頂表面上。所述光接收器112可被設置在一接收光的影像感測區域上。一般而言，所述影像感測區域可以位在影像感測器晶片111的一中央部分。所述連接構件114可以提供介於所述影像感測器晶片111與外部的電路之間的電性信號路徑。在某些實施例中，所述連接構件114可以是凸塊。所述連接構件114可包含一種金屬材料。在某些其它實施例中，所述連接構件114可以是墊。連接構件114的數目可以是兩個或多個，並且所述複數個連接構件114可以相鄰所述光接收器112。
至少一第一上方的電路圖案221可被設置在所述核心層210 的一頂表面上，並且至少一第一下方的電路圖案222可被設置在所述核心層210的一底表面上。所述第一上方的電路圖案221可以經由一垂直地貫穿 所述核心層210的貫通電極212來電連接至所述第一下方的電路圖案222。 在某些實施例中，所述第一下方的電路圖案222的一表面可以是與所述影像感測器晶片111的一底表面共平面的。在所述核心層210中的凹處214的一平面面積可以是大於所述影像感測器晶片111的一平面面積。因此，所述凹處214的側壁可以是和所述影像感測器晶片111的側壁間隔開的。換言之，在所述凹處214的側壁以及所述影像感測器晶片111的側壁之間可以有間隙。所述核心層210可以比影像感測器晶片111厚或是薄的。
所述影像感測器晶片111以及核心層210可以被一第一絕緣 層311以及一第二絕緣層312所覆蓋。所述第一絕緣層311可以填入在所述影像感測器晶片111與核心層210之間的間隙，並且可以覆蓋所述核心層210的一頂表面、所述第一上方的電路圖案221、所述影像感測器晶片111的一頂表面、以及所述連接構件114。所述第二絕緣層312可以覆蓋所述核心層210的一底表面、所述第一下方的電路圖案222、以及所述影像感測器晶片111的一底表面。在某些實施例中，所述第一及第二絕緣層311及312可包含相同的材料。或者是，所述第一絕緣層311的一材料可以是不同於所述第二絕緣層312的一材料。所述第一絕緣層311可以具有一第一開口330，其露出在所述影像感測器晶片111上的光接收器112。所述第一開口330可以界定包含所述光接收器112的一光接收區域。所述第一絕緣層311可以具有露出所述連接構件114的第一上方的通孔341、以及露出所述第一上方的電路圖案221的第二上方的通孔342。所述第二絕緣層312可以具有露出所述第一下方的電路圖案222的下方的通孔343。
在某些實施例中，所述第一開口330的一平面面積可以是大 於所述光接收器112的一平面面積。因此，所述第一絕緣層311的藉由所述第一開口330而被露出的側壁可以是和所述光接收器112的側壁間隔開的。 換言之，在所述第一開口330的側壁以及所述光接收器112的側壁之間可以有間隙。在某些實施例中，所述第一及第二絕緣層311及312可包含一種具有一相當低的熱膨脹係數的絕緣材料。例如，所述第一及第二絕緣層311及312的每一個可包含一種含有無機填充物的聚合物樹脂材料，其相對於一種未填充的聚合物而具有一低的熱膨脹係數。
第二上方的電路圖案351及352可被設置在所述第一絕緣層 311的一頂表面上。所述第二上方的電路圖案351可以填入所述第二上方的通孔342，並且可以電連接至所述第一上方的電路圖案221。所述第二上方的電路圖案352可以填入所述第一上方的通孔341，並且可以電連接至所述連接構件114。第二下方的電路圖案354及355可被設置在所述第二絕緣層312的一底表面上。所述第二下方的電路圖案354可以填入所述下方的通孔343，並且可以電連接至所述第一下方的電路圖案222。儘管未顯示在圖式中，所述第二下方的電路圖案355可以貫穿所述第二絕緣層312，並且可以電連接至除了所述第一下方的電路圖案222之外的電路圖案。
一保護層353可以覆蓋露出在所述影像感測器晶片111上的 光接收器112的第一開口330的側壁。如同在圖1的一部分'A'中所繪，所述保護層353可以從第二上方的電路圖案352延伸，以覆蓋貫穿所述第一絕緣層311而露出光接收器112的第一開口330的側壁。因此，所述保護層353可以是和所述第二上方的電路圖案352相同的材料。在某些實施例中，所述第二上方的電路圖案352以及保護層353可以是一例如為銅層的金屬層。 若所述第二上方的電路圖案352以及保護層353包含一金屬層，則所述第二上方的電路圖案352以及保護層353可以利用一電鍍製程來加以形成。所述保護層353可以覆蓋所述第一開口330的所有側壁。換言之，所述保護層353可以覆蓋所述第一絕緣層311的界定所述第一開口330的所有內部的側壁。比所述第一開口330窄的一第二開口332可以是由所述保護層353的內部的側壁所界定的。在本實施例中，所述第二開口332的一平面面積可以是小於所述第一開口330的一平面面積，並且所述保護層353的由第二開口332所露出的內部的側壁可以是和所述光接收器112的側壁間隔開的。在某些實施例中，所述第二開口332的一平面面積可以是等於所述光接收器112的一平面面積。
一第一阻焊劑層371可被設置在所述第一絕緣層311的一頂 表面上，以覆蓋所述第二上方的電路圖案351及352以及保護層353。所述第一阻焊劑層371可以覆蓋所述保護層353的內部的側壁。在此一情形中，比窄所述第二開口332的一第三開口334可以是由所述第一阻焊劑層371的內部的側壁所界定的。所述光接收器112可藉由所述第三開口334而被露出。在本實施例中，所述第三開口334的一平面面積可以是大於所述光接收器112的一平面面積，並且所述第一阻焊劑層371的藉由所述第三開口334而被露出的內部的側壁可以是和所述光接收器112的側壁間隔開的。
一黏著劑382可被設置在所述第一阻焊劑層371上，並且一 透光層384可以利用所述黏著劑382而被附接至第一阻焊劑層371，以覆蓋所述第三開口334。在此一情形中，一個空的空間可以存在於所述透光層384與光接收器112之間。一第二阻焊劑層372可被設置在所述第二絕緣層312 的一底表面上，以覆蓋所述第二下方的電路圖案354及355。所述第二阻焊劑層372可以具有露出所述第二下方的電路圖案354及355的開口，並且複數個焊料球390可被設置在所述開口中以接觸所述第二下方的電路圖案354及355。
圖2是描繪根據另一實施例的一種嵌入式影像感測器封裝 500的橫截面圖。參照圖2，所述嵌入式影像感測器封裝500可包含一核心層410，其具有一凹處414於其中；以及一影像感測器晶片121，其被設置在所述核心層410的凹處414中。所述核心層410可包含一種絕緣材料。一光接收器122以及連接構件124可被設置在所述影像感測器晶片121的一頂表面上。所述光接收器122可被設置在一接收光的影像感測區域上。一般而言，所述影像感測區域可以是位在所述影像感測器晶片121的一中央部分。所述連接構件124可以提供介於所述影像感測器晶片121與外部的電路之間的電性信號路徑。在某些實施例中，所述連接構件124可以是凸塊。 所述連接構件124可包含一種金屬材料。在某些其它實施例中，所述連接構件124可以是墊。連接構件124的數目可以是兩個或多個，並且所述複數個連接構件124可以相鄰所述光接收器122。
至少一第一上方的電路圖案421可被設置在所述核心層410的一頂表面上，並且至少一第一下方的電路圖案422可被設置在所述核心層410的一底表面上。所述第一上方的電路圖案421可以經由一垂直地貫穿所述核心層410的貫通電極412來電連接至所述第一下方的電路圖案422。在某些實施例中，所述第一下方的電路圖案422的一表面可以是與所述影像感測器晶片121的一底表面共平面的。在所述核心層410中的凹處414的 一平面面積可以是大於所述影像感測器晶片121的一平面面積。因此，所述凹處414的側壁可以是和所述影像感測器晶片121的側壁間隔開的。換言之，在所述凹處414的側壁以及所述影像感測器晶片121的側壁之間可以有間隙。所述核心層410可以是比所述影像感測器晶片121厚或是薄的。
所述影像感測器晶片121以及核心層410可以被一第一絕緣 層511以及一第二絕緣層512所覆蓋。所述第一絕緣層511可以填入在所述影像感測器晶片121以及核心層410之間的間隙，並且可以覆蓋所述核心層410的一頂表面、第一上方的電路圖案421、影像感測器晶片121的一頂表面、以及連接構件124。所述第二絕緣層512可以覆蓋所述核心層410的一底表面、第一下方的電路圖案422、以及影像感測器晶片121的一底表面。 在某些實施例中，所述第一及第二絕緣層511及512可包含相同的材料。或者是，所述第一絕緣層511的一材料可以是不同於所述第二絕緣層512的一材料。所述第一絕緣層511可以具有一第一開口530，其露出在所述影像感測器晶片121上的光接收器122。所述第一開口530可以界定包含所述光接收器122的一光接收區域。所述第一絕緣層511可以具有露出所述連接構件124的第一上方的通孔541、以及露出所述第一上方的電路圖案421的第二上方的通孔542。所述第二絕緣層512可以具有露出所述第一下方的電路圖案422的下方的通孔543。
在某些實施例中，所述第一開口530的一平面面積可以是大於所述光接收器122的一平面面積。因此，所述第一絕緣層511的藉由所述第一開口530而被露出的側壁可以是和所述光接收器122的側壁間隔開的。換言之，在所述第一開口530的側壁以及所述光接收器122的側壁之間可以 有間隙。在某些實施例中，所述第一及第二絕緣層511及512可包含一種具有一相當低的熱膨脹係數的絕緣材料。例如，所述第一及第二絕緣層511及512的每一個可包含一種含有無機填充物的聚合物樹脂材料，其相對於一種未填充的聚合物而具有一低的熱膨脹係數。
第二上方的電路圖案551及552可被設置在所述第一絕緣層 511的一頂表面上。所述第二上方的電路圖案551可以填入所述第二上方的通孔542，並且可以電連接至所述第一上方的電路圖案421。所述第二上方的電路圖案552可以填入所述第一上方的通孔541，並且可以電連接至所述連接構件124。第二下方的電路圖案554及555可被設置在所述第二絕緣層512的一底表面上。所述第二下方的電路圖案554可以填入所述下方的通孔543，並且可以電連接至所述第一下方的電路圖案422。儘管未顯示在圖式中，所述第二下方的電路圖案555可以貫穿所述第二絕緣層512，並且可以電連接至除了所述第一下方的電路圖案422之外的電路圖案。
一第一阻焊劑層571可被設置在所述第一絕緣層511的一頂 表面上，以覆蓋所述第二上方的電路圖案551及552。如同在圖2的一部分'B'中所繪，所述第一阻焊劑層571可以延伸以覆蓋貫穿所述第一絕緣層511而露出所述光接收器122的第一開口530的側壁。所述第一阻焊劑層571的覆蓋所述第一開口530的側壁的延伸可以作用為一保護層573，其避免所述光接收器122在第一絕緣層511被污染時受到污染。所述保護層573可以覆蓋所述第一開口530的所有側壁。換言之，所述保護層573可以覆蓋所述第一絕緣層511的界定所述第一開口530的所有內部的側壁。比所述第一開口530窄的一第二開口532可以是由所述保護層573的內部的側壁所界定的。 所述光接收器122可藉由所述第二開口532而被露出。在本實施例中，所述第二開口532的一平面面積可以是大於所述光接收器122的一平面面積，並且所述保護層573的藉由所述第二開口532而被露出的內部的側壁可以是和所述光接收器122的側壁間隔開的。在某些實施例中，所述第二開口532的一平面面積可以是等於所述光接收器122的一平面面積。
一黏著劑582可被設置在所述第一阻焊劑層571上，並且一 透光層584可以利用所述黏著劑582而被附接至所述第一阻焊劑層571，以覆蓋所述第二開口532。在此一情形中，一個空的空間可以存在於所述透光層584與光接收器122之間。一第二阻焊劑層572可被設置在所述第二絕緣層512的一底表面上，以覆蓋所述第二下方的電路圖案554及555。所述第二阻焊劑層572可以具有露出所述第二下方的電路圖案554及555的開口，並且複數個焊料球590可被設置在所述開口中，以接觸所述第二下方的電路圖案554及555。
圖3是描繪根據又一實施例的一種嵌入式影像感測器封裝 700的橫截面圖。參照圖3，所述嵌入式影像感測器封裝700可包含一核心層610，其具有一凹處614於其中；以及一影像感測器晶片131，其被設置在所述核心層610的凹處614中。所述核心層610可包含一種絕緣材料。一光接收器132以及連接構件134可被設置在所述影像感測器晶片131的一頂表面上。所述光接收器132可被設置在一接收光的影像感測區域上。一般而言，所述影像感測區域可以是位在所述影像感測器晶片131的一中央部分。所述連接構件134可以提供介於所述影像感測器晶片131與外部的電路之間的電性信號路徑。在某些實施例中，所述連接構件134可以是凸塊。 所述連接構件134可包含一種金屬材料。在某些其它實施例中，所述連接構件134可以是墊。連接構件134的數目可以是兩個或多個，並且所述複數個連接構件134可以相鄰所述光接收器132。
至少一第一上方的電路圖案621可被設置在所述核心層610 的一頂表面上，並且至少一第一下方的電路圖案622可被設置在所述核心層610的一底表面上。所述第一上方的電路圖案621可以經由一垂直地貫穿所述核心層610的貫通電極612來電連接至所述第一下方的電路圖案622。 在某些實施例中，所述第一下方的電路圖案622的一表面可以是與所述影像感測器晶片131的一底表面共平面的。在所述核心層610中的凹處614的一平面面積可以是大於所述影像感測器晶片131的一平面面積。因此，所述凹處614的側壁可以是和所述影像感測器晶片131的側壁間隔開的。換言之，在所述凹處614的側壁以及所述影像感測器晶片131的側壁之間可以有間隙。所述核心層610可以是比所述影像感測器晶片131厚或是薄的。
所述影像感測器晶片131以及核心層610可以被一第一絕緣 層711以及一第二絕緣層712所覆蓋。所述第一絕緣層711可以填入在所述影像感測器晶片131與核心層610之間的間隙，並且可以覆蓋所述核心層610的一頂表面、第一上方的電路圖案621、影像感測器晶片131的一頂表面、以及連接構件134。所述第二絕緣層712可以覆蓋所述核心層610的一底表面、第一下方的電路圖案622、以及影像感測器晶片131的一底表面。 在某些實施例中，所述第一及第二絕緣層711及712可包含相同的材料。或者是，所述第一絕緣層711的一材料可以是不同於所述第二絕緣層712的一材料。所述第一絕緣層711可以具有一第一開口730，其露出在所述影像感 測器晶片131上的光接收器132。所述第一開口730可以界定一包含所述光接收器132的光接收區域。所述第一絕緣層711可以具有露出所述連接構件134的第一上方的通孔741、以及露出所述第一上方的電路圖案621的第二上方的通孔742。所述第二絕緣層712可以具有露出所述第一下方的電路圖案622的下方的通孔743。
在某些實施例中，所述第一開口730的一平面面積可以是大 於所述光接收器132的一平面面積。因此，所述第一絕緣層711的藉由所述第一開口730而被露出的側壁可以是和所述光接收器132的側壁間隔開的。 換言之，在所述第一開口730的側壁以及所述光接收器132的側壁之間可以有間隙。在某些實施例中，所述第一及第二絕緣層711及712可包含一種具有一相當低的熱膨脹係數的絕緣材料。例如，所述第一及第二絕緣層711及712的每一個可包含一種內含無機填充物的聚合物樹脂材料，其相對於一種未填充的聚合物而具有一低的熱膨脹係數。
第二上方的電路圖案751及752可被設置在所述第一絕緣層 711的一頂表面上。所述第二上方的電路圖案751可以填入所述第二上方的通孔742，並且可以電連接至所述第一上方的電路圖案621。所述第二上方的電路圖案752可以填入所述第一上方的通孔741，並且可以電連接至所述連接構件134。第二下方的電路圖案754及755可被設置在所述第二絕緣層712的一底表面上。所述第二下方的電路圖案754可以填入所述下方的通孔743，並且可以電連接至所述第一下方的電路圖案622。儘管未顯示在圖式中，所述第二下方的電路圖案755可以貫穿所述第二絕緣層712，並且可以電連接至除了所述第一下方的電路圖案622之外的電路圖案。
一第一阻焊劑層771可被設置在所述第一絕緣層711的一頂 表面上，以覆蓋所述第二上方的電路圖案751及752。所述第一阻焊劑層771的內部的側壁可以是與所述第一絕緣層711的藉由所述第一開口730而被露出的內部的側壁對齊。如同在圖3的一部分'C'中所繪，一保護層775可被設置在所述第一絕緣層711以及第一阻焊劑層771的藉由所述第一開口730而被露出的內部的側壁上。所述保護層775可以具有一種間隙壁(spacer)形狀，其寬度是隨著遠離所述影像感測器晶片131的頂表面而逐漸地減小。在某些實施例中，所述保護層775可以藉由將一種黏著材料或是一種底部填充(underfill)材料附加到所述第一絕緣層711以及第一阻焊劑層771的藉由所述第一開口730而被露出的內部的側壁之上來加以形成。所述保護層775可以覆蓋所述第一開口730的所有側壁。換言之，所述保護層775可以覆蓋所述第一絕緣層711以及第一阻焊劑層771的界定所述第一開口730的所有內部的側壁。比所述第一開口730窄的一第二開口732可以是由所述保護層775的內部的側壁所界定的。所述光接收器132可藉由所述第二開口732而被露出。在某些實施例中，所述第二開口732的一底部平面面積可以是大於所述光接收器132的一平面面積，並且所述保護層775的藉由所述第二開口732而被露出的內部的側壁可以是和所述光接收器132的側壁間隔開的。在某些其它實施例中，所述第二開口732的一底部平面面積可以是等於所述光接收器132的一平面面積。
一黏著劑782可被設置在所述第一阻焊劑層771上，並且一 透光層784可以利用所述黏著劑782而被附接至所述第一阻焊劑層771，以覆蓋所述第二開口732。在此一情形中，一個空的空間可以存在於所述透光 層784與光接收器132之間。一第二阻焊劑層772可被設置在所述第二絕緣層712的一底表面上，以覆蓋所述第二下方的電路圖案754及755。所述第二阻焊劑層772可以具有露出所述第二下方的電路圖案754及755的開口，並且複數個焊料球790可被設置在所述開口中，以接觸所述第二下方的電路圖案754及755。
圖4至13是描繪根據一實施例的一種製造一嵌入式影像感 測器封裝的方法的橫截面圖。參照圖4，一具有一頂表面的影像感測器晶片111可加以提供。一光接收器112以及連接構件114可被形成在所述影像感測器晶片111的頂表面上。所述連接構件114可以是在所述光接收器112的周圍。例如，儘管未顯示在圖4的橫截面圖中，連接構件114可以沿著水平的平面而被設置在所述光接收器112的所有四個側邊上。在某些實施例中，所述連接構件114可以是由金屬凸塊所形成的。或者是，所述連接構件114可以是由導電的墊所形成的。
一金屬遮罩116可被形成以覆蓋所述光接收器112。所述金 屬遮罩116可被形成以覆蓋所述光接收器112的一頂表面及側壁。所述金屬遮罩116可被使用作為一用於在後續的製程步驟中保護所述光接收器112的遮罩。所述連接構件114以及金屬遮罩116可以利用相同的製程而同時加以形成。明確地說，一金屬層可被形成在所述影像感測器晶片111的頂表面上以覆蓋所述光接收器112，並且所述金屬層可被圖案化以形成所述連接構件114以及金屬遮罩116。在此一情形中，所述連接構件114以及金屬遮罩116可以是由相同的材料所形成的。
參照圖5，一核心層210可以附接至一臨時的基板230，以 提供一結構200。在某些實施例中，所述臨時的基板230可以是一黏著膜。 所述核心層210可以具有一凹處214於其中。所述凹處214的一平面面積可以是大於所述影像感測器晶片(圖4的111)的一平面面積，所述影像感測器晶片是在一後續的製程中被置入所述凹處214中。儘管圖5是描繪一個只有單一凹處214的例子，但是本揭露內容的實施例並不限於此。例如，在某些實施例中，兩個或多個凹處214被形成在所述核心層210中。在此一情形中，複數個影像感測器晶片分別可被內嵌在所述核心層210的複數個凹處214中，並且所述核心層210可以利用一鋸開製程或類似者而被分成複數片，使得核心層210的每一片包含單一影像感測器晶片111。
第一上方的電路圖案221可被形成在所述核心層210的一頂表面上，並且第一下方的電路圖案222可被形成在所述核心層210的一底表面上。所述第一上方的電路圖案221可以經由垂直地貫穿所述核心層210的貫通電極212來電連接至所述第一下方的電路圖案222。在某些實施例中，所述臨時的基板230可以附接至所述第一下方的電路圖案222。
參照圖6，所述影像感測器晶片111可被附接至所述臨時的基板230的一藉由所述核心層210的凹處214而被露出的表面。所述影像感測器晶片111可被附接至所述臨時的基板230，使得所述影像感測器晶片111的一相對連接構件114及金屬遮罩116的底表面被附接至所述臨時的基板230。於是，在所述影像感測器晶片111被附接至臨時的基板230之後，所述連接構件114以及金屬遮罩116可被露出。由於在所述核心層210中的凹處214的一平面面積是大於所述影像感測器晶片111的一平面面積，因此所述核心層的藉由所述凹處214而被露出的側壁可以是和所述影像感測器晶 片111的側壁間隔開的。換言之，在所述凹處214的側壁以及所述影像感測器晶片111的側壁之間可以有間隙。所述第一下方的電路圖案222的表面可以是與所述影像感測器晶片111的一底表面共平面的。
參照圖7，一第一絕緣層311以及一第二絕緣層312可被形 成以將所述核心層210以及影像感測器晶片111嵌入在所述第一及第二絕緣層311及312中。明確地說，所述第一絕緣層311可被形成在所述核心層210的頂表面上，以覆蓋所述第一上方的電路圖案221、影像感測器晶片111、金屬遮罩116以及連接構件114。在所述第一絕緣層311被形成之後，所述臨時的基板230可以從所述影像感測器晶片111以及核心層210加以分離，並且所述第二絕緣層312可被形成在所述核心層210的底表面上，以覆蓋所述第一下方的電路圖案222。
所述第一絕緣層311可以藉由在所述核心層210的頂表面之 上沉積一第一絕緣材料，並且藉由透過一疊層製程以施加熱及壓力至所述第一絕緣材料來加以形成。類似地，所述第二絕緣層312亦可以藉由在所述核心層210的底表面之上沉積一第二絕緣材料，並且藉由透過一疊層製程以施加熱及壓力至所述第二絕緣材料來加以形成。在某些實施例中，所述第一及第二絕緣層311及312可以是由相同的材料所形成的。
所述第一及第二絕緣層311及312可以是由一種具有一相當 低的熱膨脹係數的絕緣材料所形成的。例如，所述第一及第二絕緣層311及312的每一個可以是由一種包含無機填充物的聚合物樹脂材料所形成的，其相對於一種未填充的聚合物而具有一低的熱膨脹係數。所述無機填充物可能會對於所述影像感測器晶片111的光接收器112作用為一污染源。 因此，在所述第一及第二絕緣層311及312被形成時避免所述光接收器112受到污染可能是必要的。
在本實施例中，因為所述光接收器112的一頂表面及側壁可 以被所述金屬遮罩116所覆蓋，因此所述金屬遮罩116可以避免光接收器112在所述第一及第二絕緣層311及312被形成時受到污染。在所述第一及第二絕緣層311及312被形成之後，一第一晶種層321可被形成在所述第一絕緣層311上，並且一第二晶種層322可被形成在所述第二絕緣層312上。 在某些實施例中，所述第一及第二晶種層321及322可以是由一銅層所形成的。
所述第一及第二晶種層321及322可以是在用於形成互連圖 案的金屬層在一後續的製程步驟中利用一電鍍製程而在所述第一及第二絕緣層311及312上生長時被施加。然而，在一其中其它製程被用來形成所述金屬層的實施例中，第一及第二晶種層321及322可以不被形成。例如，若用於形成互連圖案的金屬層是利用一例如是化學氣相沉積(CVD)製程或物理氣相沉積(PVD)製程的沉積製程而被沉積在所述第一及第二絕緣層311及312上，則在所述第一及第二絕緣層311及312上分別形成所述第一及第二晶種層321及322可能不是必要的。
參照圖8，所述第一晶種層321以及第一絕緣層311可被圖 案化以形成一露出所述金屬遮罩116的第一開口330。所述第一開口330可以界定包含所述光接收器112的一光接收區域。為了形成所述第一開口330，具有在所述金屬遮罩116之上的一開口的例如是光阻圖案的一遮罩圖案可被形成在所述第一晶種層321上，並且所述第一晶種層321以及第一絕 緣層311可以利用所述遮罩圖案作為一蝕刻遮罩而依序地被蝕刻以露出所述金屬遮罩116。在所述第一開口330被形成之後，所述遮罩圖案可被移除。 所述第一開口330可被形成以具有一平面面積是大於所述金屬遮罩116的一平面面積。即使在所述第一絕緣層311被蝕刻以形成所述第一開口330之後，所述光接收器112的整個部分仍然可被所述金屬遮罩116所覆蓋。因此，所述金屬遮罩116可以避免光接收器112因為在所述第一絕緣層311中的污染成分而受到污染。
參照圖9，所述第一晶種層321以及第一絕緣層311可被圖 案化，以形成露出所述連接構件114的第一上方的通孔341以及露出所述第一上方的電路圖案221的第二上方的通孔342。此外，所述第二晶種層322以及第二絕緣層312可被圖案化以形成露出所述第一下方的電路圖案222的下方的通孔343。在某些實施例中，所述第一上方的通孔341、第二上方的通孔342以及下方的通孔343可以利用一雷射鑽孔製程來加以形成。在本實施例中，所述第一上方的通孔341以及第二上方的通孔342可以在所述第一開口330被形成之後加以形成。然而，本揭露內容的實施例並不限於此製程順序。例如，在某些實施例中，所述第一開口330以及所述第一及第二上方的通孔341及342可以利用單一製程而同時被形成。在此一情形中，參考圖8所述的用於形成所述第一開口330的製程步驟可被省略，並且所述第一開口330可以在參考圖9所述的第一及第二上方的通孔341及342被形成時加以形成。
參照圖10，一第一金屬層350可以利用一電鍍製程而被形 成在所述第一絕緣層311及金屬遮罩116上而且在所述第一及第二上方的通 孔341及342中，所述電鍍製程利用所述第一晶種層(圖9的321)作為一晶種層；並且一第二金屬層360可以利用一電鍍製程而被形成在所述第二絕緣層312上而且在所述下方的通孔343中，所述電鍍製程利用所述第二晶種層(圖9的322)作為一晶種層。所述第一及第二金屬層350及360可以利用單一電鍍製程而同時被形成。所述第一金屬層350亦可被形成以填入在所述第一絕緣層311的藉由所述第一開口330而被露出的側壁以及所述金屬遮罩116的側壁之間的間隙。當所述第一及第二金屬層350及360被形成時，所述光接收器112仍然可被金屬遮罩116所覆蓋。因此，即使是在所述第一及第二金屬層350及360被形成時，所述金屬遮罩116也可以避免所述光接收器112因為在所述第一絕緣層311中的污染成分而受到污染。所述第一金屬層350以及第二金屬層360可以利用單一電鍍製程而同時被形成。
參照圖11，所述第一金屬層(圖10的350)可被圖案化以形成 第二上方的電路圖案351及352以及一保護層353。被施加至所述第一金屬層(圖10的350)的圖案化製程可能會影響到覆蓋所述光接收器112的金屬遮罩(圖10的116)。換言之，在所述第一金屬層(圖10的350)被圖案化時，所述金屬遮罩(圖10的116)的一厚度可能會被減低。於是，在所述第二上方的電路圖案351及352以及保護層353被形成之後，比最初的金屬遮罩(圖10的116)薄的一金屬遮罩116'仍然可能存在於所述光接收器112上。
所述第二上方的電路圖案351可被形成以透過所述第二上 方的通孔342來電連接至所述第一上方的電路圖案221。所述第二上方的電路圖案352可被形成以透過所述第一上方的通孔341來電連接至所述連接構件114。所述保護層353可被形成在所述第二上方的電路圖案352以及第一 絕緣層311的藉由所述第一開口330而被露出的側壁上。所述保護層353的一下方的部分可被形成以接觸所述影像感測器晶片111的頂表面。於是，所述保護層353可被設置在所述光接收器112以及第一絕緣層311之間。
儘管未顯示在圖11的橫截面圖中，所述保護層353可被形 成以覆蓋第一絕緣層311的所有藉由所述第一開口330而被露出的側壁。因此，所述光接收器112的所有側壁都可以被所述保護層353所圍繞。所述保護層353的一內部的側壁可以界定具有一寬度的一第二開口332，所述寬度是小於所述第一開口330的一寬度。所述保護層353亦可以在接下來的製程步驟中避免所述光接收器112因為在所述第一絕緣層311中的污染成分而受到污染。所述保護層353可以在所述第二上方的電路圖案351及352被形成時加以形成。因此，一用於只形成所述保護層353的額外的製程步驟可能不是必要的。在所述第二上方的電路圖案351及352以及所述保護層353被形成之後，所述第二金屬層(圖10的360)可被圖案化以形成第二下方的電路圖案354及355。所述第二下方的電路圖案354可被形成以透過所述下方的通孔343來電連接至所述第一下方的電路圖案222。
儘管本實施例是描述一個其中所述第一及第二金屬層350 及360是利用一電鍍製程來加以形成，並且所述第一及第二金屬層350及360接著被圖案化以形成所述電路圖案351、352、354及355以及保護層353的例子，但是本揭露內容的實施例並不限於此。例如，在某些實施例中，在所述第一及第二晶種層(圖9的321及322)被圖案化之後，所述電路圖案351、352、354及355以及保護層353可以利用一電鍍製程來加以形成。
參照圖12，一第一阻焊劑層371可被形成在所述第一絕緣 層311的一頂表面上，以覆蓋所述第二上方的電路圖案351及352以及保護層353。所述第一阻焊劑層371亦可被形成以覆蓋所述保護層353的藉由所述第二開口332而被露出的內部的側壁。在此一情形中，比所述第二開口332窄的一第三開口334可以是由所述第一阻焊劑層371的內部的側壁所界定的。此外，一第二阻焊劑層372可被形成在所述第二絕緣層312的一底表面上，以覆蓋所述第二下方的電路圖案354及355。所述第二阻焊劑層372可被形成以具有露出所述第二下方的電路圖案354及355的開口。
參照圖13，在形成所述第一及第二阻焊劑層371及372之 後，所述金屬遮罩(圖12的116)可被移除。當所述金屬遮罩(圖12的116)被移除時，所述第二上方的電路圖案351及352以及保護層353仍然可被第一阻焊劑層371所覆蓋。因此，在所述金屬遮罩(圖12的116)被移除時，所述第一阻焊劑層371可以避免所述第二上方的電路圖案351及352以及保護層353受損。同時，在所述金屬遮罩(圖12的116)被移除時，所述第二下方的電路圖案354及355可能會因為所述第二阻焊劑層372的開口而被露出。於是，所述第二下方的電路圖案354及355可以是由一種具有一相對所述金屬遮罩(圖12的116)的高蝕刻選擇性的金屬材料所形成的，以在所述金屬遮罩(圖12的116)被移除時最小化對於所述第二下方的電路圖案354及355的損壞。
在所述金屬遮罩(圖12的116)的移除之後，一黏著劑382可 被供應到所述第一阻焊劑層371之上。一透光層384可以利用所述黏著劑382而被附接至所述第一阻焊劑層371。因此，所述第三開口334可被透光層384所覆蓋。接著，例如是焊料球的外部的連接端子390可被形成在所述 第二阻焊劑層372的個別的開口中。
圖14至23是描繪根據另一實施例的一種製造一嵌入式影像 感測器封裝的方法的橫截面圖。參照圖14，一具有一頂表面的影像感測器晶片121可加以提供。一光接收器122以及連接構件124可被形成在所述影像感測器晶片121的頂表面上。所述連接構件124可被形成以圍繞所述光接收器122。在某些實施例中，所述連接構件124可以是由金屬凸塊所形成的。 或者是，所述連接構件124可以是由導電的墊所形成的。一金屬遮罩126可被形成以覆蓋所述光接收器122。所述金屬遮罩126可被形成以覆蓋所述光接收器122的一頂表面及側壁。所述金屬遮罩126可被使用作為一用於在後續的製程步驟中保護所述光接收器122的遮罩。所述連接構件124以及金屬遮罩126可以利用相同的製程而同時加以形成。明確地說，一金屬層可被形成在所述影像感測器晶片121的頂表面上以覆蓋所述光接收器122，並且所述金屬層可被圖案化以形成所述連接構件124以及金屬遮罩126。在此一情形中，所述連接構件124以及金屬遮罩126可以是由相同的材料所形成的。
參照圖15，一核心層410可被附接至一臨時的基板430，以提供一結構400。在某些實施例中，所述臨時的基板430可以是一黏著膜。所述核心層410可以具有一凹處414於其中。所述凹處414的一平面面積可以是大於所述影像感測器晶片(圖14的121)的一平面面積，所述影像感測器晶片是在一後續的製程中被置入所述凹處414中。儘管圖15是描繪一個只有單一凹處414的例子，但是本揭露內容的實施例並不限於此。例如，在某些實施例中，兩個或多個凹處414是被形成在所述核心層410中。在此一 情形中，複數個影像感測器晶片分別可被內嵌在所述核心層410的複數個凹處414中，並且所述核心層410可以利用一鋸開製程或類似者而被分成複數片，使得核心層410的每一片都包含單一影像感測器晶片121。
第一上方的電路圖案421可被形成在所述核心層410的一頂 表面上，並且第一下方的電路圖案422可被形成在所述核心層410的一底表面上。所述第一上方的電路圖案421可以經由垂直地貫穿所述核心層410的貫通電極412來電連接至所述第一下方的電路圖案422。在某些實施例中，所述臨時的基板430可被附接至所述第一下方的電路圖案422。
參照圖16，所述影像感測器晶片121可被附接至所述臨時 的基板430的一藉由所述核心層410的凹處414而被露出的表面。所述影像感測器晶片121可被附接至臨時的基板430，使得影像感測器晶片121的一相對所述連接構件124及金屬遮罩126的底表面被附接至所述臨時的基板430。於是，所述連接構件124以及金屬遮罩126能夠在所述影像感測器晶片121被附接至臨時的基板430之後加以露出。由於在所述核心層410中的凹處414的一平面面積大於所述影像感測器晶片121的一平面面積，因此所述核心層的藉由凹處414而被露出的側壁可以是和所述影像感測器晶片121的側壁間隔開的。換言之，在所述凹處414的側壁以及所述影像感測器晶片121的側壁之間可以有間隙。所述第一下方的電路圖案422的表面可以是與所述影像感測器晶片121的一底表面共平面的。
參照圖17，一第一絕緣層511以及一第二絕緣層512可被形 成以將所述核心層410以及影像感測器晶片121嵌入在所述第一及第二絕緣層511及512中。明確地說，所述第一絕緣層511可被形成在核心層410的 頂表面上以覆蓋所述第一上方的電路圖案421、影像感測器晶片121、金屬遮罩126以及連接構件124。在所述第一絕緣層511被形成之後，所述臨時的基板430可以從影像感測器晶片121以及核心層410加以分離，並且所述第二絕緣層512可被形成在核心層410的底表面上，以覆蓋所述第一下方的電路圖案422。
所述第一絕緣層511可藉由在所述核心層410的頂表面之上 沉積一第一絕緣材料並且透過一疊層製程以施加熱及壓力至所述第一絕緣材料來加以形成。類似地，所述第二絕緣層512亦可以藉由在所述核心層410的底表面之上沉積一第二絕緣材料並且藉由透過一疊層製程以施加熱及壓力至所述第二絕緣材料來加以形成。在某些實施例中，所述第一及第二絕緣層511及512可以是由相同的材料所形成的。所述第一及第二絕緣層511及512可以是由一種具有一相當低的熱膨脹係數的絕緣材料所形成的。 例如，所述第一及第二絕緣層511及512的每一個可以是由一種包含無機填充物的聚合物樹脂材料所形成的，其相對於一種未填充的聚合物而具有一低的熱膨脹係數。
所述無機填充物可能會作用為一對於所述影像感測器晶片 121的光接收器122的污染源。因此，在所述第一及第二絕緣層511及512被形成時避免所述光接收器122受到污染可能是必要的。在本實施例中，因為所述光接收器122的一頂表面及側壁可以被金屬遮罩126所覆蓋，因此所述金屬遮罩126可以在所述第一及第二絕緣層511及512被形成時避免所述光接收器122受到污染。
在所述第一及第二絕緣層511及512被形成之後，一第一晶 種層521可被形成在所述第一絕緣層511上，並且一第二晶種層522可被形成在所述第二絕緣層512上。在某些實施例中，所述第一及第二晶種層521及522可以是由一銅層所形成的。所述第一及第二晶種層521及522可以是在用於形成互連圖案的金屬層在一後續的製程步驟中利用一電鍍製程而在所述第一及第二絕緣層511及512上生長時被施加。然而，在其中其它製程被用來形成所述金屬層的一實施例中，第一及第二晶種層521及522可以不被形成。例如，若用於形成互連圖案的金屬層是利用一例如是化學氣相沉積(CVD)製程或物理氣相沉積(PVD)製程的沉積製程而被沉積在所述第一及第二絕緣層511及512上，則在所述第一及第二絕緣層511及512上分別形成所述第一及第二晶種層521及522可能不是必要的。
參照圖18，所述第一晶種層521以及第一絕緣層511可被圖 案化以形成一露出所述金屬遮罩126的第一開口530。所述第一開口530可以界定包含所述光接收器122的一光接收區域。為了形成所述第一開口530，具有在所述金屬遮罩126之上的一開口的例如是光阻圖案的一遮罩圖案可被形成在所述第一晶種層521上，並且所述第一晶種層521以及第一絕緣層511可以利用所述遮罩圖案作為一蝕刻遮罩而依序地被蝕刻以露出所述金屬遮罩126。在所述第一開口530被形成之後，所述遮罩圖案可被移除。 所述第一開口530可被形成以具有一平面面積是大於所述金屬遮罩126的一平面面積。即使在所述第一絕緣層511被蝕刻以形成所述第一開口530之後，所述光接收器122的整個部分仍然可被金屬遮罩126所覆蓋。因此，所述金屬遮罩126可以避免所述光接收器122因為在所述第一絕緣層511中的污染成分而受到污染。
參照圖19，所述第一晶種層521以及第一絕緣層511可被圖 案化，以形成露出所述連接構件124的第一上方的通孔541、以及露出所述第一上方的電路圖案421的第二上方的通孔542。此外，所述第二晶種層522以及第二絕緣層512可被圖案化，以形成露出所述第一下方的電路圖案422的下方的通孔543。在某些實施例中，所述第一上方的通孔541、第二上方的通孔542以及下方的通孔543可以利用一雷射鑽孔製程來加以形成。在本實施例中，所述第一上方的通孔541以及第二上方的通孔542可以在所述第一開口530被形成之後加以形成。然而，本揭露內容的實施例並不限於此製程順序。例如，在某些實施例中，所述第一開口530以及所述第一及第二上方的通孔541及542可以利用單一製程而同時被形成。在此一情形中，參考圖18所述的用於形成所述第一開口530的製程步驟可被省略，並且所述第一開口530可以在參考圖19所述的第一及第二上方的通孔541及542被形成時加以形成。
參照圖20，一第一金屬層550可以利用一電鍍製程而被形 成在所述第一絕緣層511及金屬遮罩126上而且在所述第一及第二上方的通孔541及542中，所述電鍍製程利用所述第一晶種層(圖19的521)作為一晶種層；並且一第二金屬層560可以利用一電鍍製程而被形成在所述第二絕緣層512上而且在所述下方的通孔543中，所述電鍍製程利用所述第二晶種層(圖19的522)作為一晶種層。再者，在所述第一金屬層550被形成時，一虛設(dummy)金屬層550'亦可被形成在所述金屬遮罩126上。
在本實施例中，儘管所述第一金屬層550以及虛設金屬層 550'是藉由一電鍍製程而被形成，但是並沒有金屬層被形成在所述第一絕緣 層511的藉由第一開口530而被露出的側壁上。此可以藉由調整用於生長所述第一金屬層550以及虛設金屬層550'的電鍍製程的一製程時間來加以控制。換言之，所述第一金屬層550可被形成以使得其並不延伸到所述第一絕緣層511的藉由所述第一開口530而被露出的側壁之上，並且所述虛設金屬層550'亦可被形成以使得其並不會到達所述第一絕緣層511的藉由所述第一開口530而被露出的側壁。在某些實施例中，一清洗製程可以在所述用於形成第一金屬層550以及虛設金屬層550'的電鍍製程之後加以執行。所述第一金屬層550、虛設金屬層550'以及第二金屬層560可以利用單一電鍍製程而同時被形成。
參照圖21，所述第一金屬層(圖20的550)可被圖案化以形成 第二上方的電路圖案551及552，並且移除在所述金屬遮罩126上的虛設金屬層550'。所述用於形成第二上方的電路圖案551及552的圖案化製程可能會影響到覆蓋所述光接收器122的金屬遮罩126。換言之，在所述第一金屬層(圖20的550)被圖案化以移除虛設金屬層550'時，所述金屬遮罩126的一厚度可能會被減低。於是，即使在所述第二上方的電路圖案551及552被形成而且所述虛設金屬層550'被移除之後，所述光接收器122仍然可被一比最初的金屬遮罩(圖20的126)薄的金屬遮罩126'所覆蓋。
所述第二上方的電路圖案551可被形成以透過所述第二上 方的通孔542來電連接至所述第一上方的電路圖案421。所述第二上方的電路圖案552可被形成以透過所述第一上方的通孔541來電連接至所述連接構件124。在所述第二上方的電路圖案551及552被形成之後，所述第二金屬層(圖20的560)可被圖案化以形成第二下方的電路圖案554及555。所述第 二下方的電路圖案554可被形成以透過所述下方的通孔543來電連接至所述第一下方的電路圖案422。
儘管本實施例是描述一個其中所述第一及第二金屬層550 及560是利用一電鍍製程而被形成，並且所述第一及第二金屬層550及560接著被圖案化以形成所述電路圖案551、552、554及555的例子，但是本揭露內容的實施例並不限於此。例如，在某些實施例中，在所述第一及第二晶種層(圖19的521及522)被圖案化之後，所述電路圖案551、552、554及555可以利用一電鍍製程來加以形成。
參照圖22，一第一阻焊劑層571以及一保護層573可被形 成。所述第一阻焊劑層571可被形成在所述第一絕緣層511的一頂表面上以覆蓋所述第二上方的電路圖案551及552，並且所述保護層573可被形成以從所述第一阻焊劑層571延伸到所述第二上方的電路圖案552以及第一絕緣層511的藉由所述第一開口530而被露出的側壁之上。此外，一第二阻焊劑層572可被形成在所述第二絕緣層512的一底表面上，以覆蓋所述第二下方的電路圖案554及555。所述第二阻焊劑層572可被形成以具有露出所述第二下方的電路圖案554及555的開口。所述保護層573的內部的側壁可以界定一第二開口532，其露出覆蓋所述光接收器122的金屬遮罩126'。所述保護層573可以避免所述光接收器122在接下來的製程步驟中因為在所述第一絕緣層511中的污染成分而受到污染。所述保護層573可以在所述第一阻焊劑層571被形成時加以形成。因此，一用於只形成所述保護層573的額外的製程步驟可能不是必要的。
參照圖23，在形成所述第一及第二阻焊劑層571及572以及 保護層573之後，所述金屬遮罩(圖22的126')可被移除。當所述金屬遮罩(圖22的126')被移除時，所述第二上方的電路圖案551及552仍然可被第一阻焊劑層571所覆蓋。因此，在所述金屬遮罩(圖22的126')被移除時，所述第一阻焊劑層571可以避免第二上方的電路圖案551及552被蝕刻或是受損。 同時，在所述金屬遮罩(圖22的126')被移除時，所述第二下方的電路圖案554及555可能會因為所述第二阻焊劑層572的開口而被露出。於是，所述第二下方的電路圖案554及555可以是由一種金屬材料所形成的，其具有一相對所述金屬遮罩(圖22的126')的高蝕刻選擇性以最小化在所述金屬遮罩(圖22的126')被移除時對於所述第二下方的電路圖案554及555的損壞。在所述金屬遮罩(圖22的126')的移除之後，一黏著劑582可被供應到所述第一阻焊劑層571之上。一透光層584可以利用所述黏著劑582而被附接至所述第一阻焊劑層571。因此，所述第二開口532可以被透光層584所覆蓋。接著，例如是焊料球的外部的連接端子590可被形成在所述第二阻焊劑層572的個別的開口中。
圖24至29是描繪根據又一實施例的一種製造一嵌入式影像 感測器封裝的方法的橫截面圖。根據本實施例的一種製造一嵌入式影像感測器封裝的方法可以利用和參考圖14至17所述的相同的製程。因此，和參考圖14至17所述的相同的製程的說明在本實施例中將會被省略、或是被簡略地提及。和參考圖14至17所述的相同的構件是藉由相同的元件符號或是相同的參考指示符來加以指出。參照圖24，所述第一及第二晶種層521及522最終可以用和參考圖14至17所述的相同的方式來加以形成。所述第一晶種層521以及第一絕緣層511可被圖案化以形成露出所述連接構件124的 第一上方的通孔541、以及露出所述第一上方的電路圖案421的第二上方的通孔542。此外，所述第二晶種層522以及第二絕緣層512可被圖案化以形成露出所述第一下方的電路圖案422的下方的通孔543。在某些實施例中，所述第一上方的通孔541、第二上方的通孔542以及下方的通孔543可以利用一雷射鑽孔製程來加以形成。
參照圖25，所述第一金屬層550可以利用一電鍍製程而被 形成在所述第一絕緣層511上而且在所述第一及第二上方的通孔541及542中，所述電鍍製程利用所述第一晶種層(圖24的521)作為一晶種層；並且所述第二金屬層560可以利用一電鍍製程而被形成在所述第二絕緣層512上而且在所述下方的通孔543中，所述電鍍製程利用所述第二晶種層(圖24的522)作為一晶種層。在某些實施例中，所述第一及第二金屬層550及560可以利用單一電鍍製程而同時被形成。
參照圖26，所述第一金屬層(圖25的550)可被圖案化以形成 第二上方的電路圖案551及552。所述第二上方的電路圖案551可被形成以透過所述第二上方的通孔542來電連接至所述第一上方的電路圖案421。所述第二上方的電路圖案552可被形成以透過所述第一上方的通孔541來電連接至所述連接構件124。所述第二金屬層(圖25的560)可被圖案化以形成所述第二下方的電路圖案554及555。所述第二下方的電路圖案554可被形成以透過所述下方的通孔543來電連接至所述第一下方的電路圖案422。
參照圖27，所述第一絕緣層511可被圖案化以形成露出所 述金屬遮罩126的第一開口530。所述第一開口530可以界定包含所述光接收器122的一光接收區域。為了形成所述第一開口530，具有在所述金屬遮 罩126之上的一開口的例如是光阻圖案的一遮罩圖案可被形成在所述第一絕緣層511上，並且所述第一絕緣層511可以利用所述遮罩圖案作為一蝕刻遮罩而被蝕刻，以露出所述金屬遮罩126。在所述第一開口530被形成之後，所述遮罩圖案可被移除。所述第一開口530可被形成以具有一平面面積是大於所述金屬遮罩126的一平面面積。即使在所述第一絕緣層511被蝕刻以形成所述第一開口530之後，所述光接收器122的整個部分仍然可被金屬遮罩126所覆蓋。
參照圖28，所述第一阻焊劑層571以及保護層573可被形 成。所述第一阻焊劑層571可被形成在所述第一絕緣層511的一頂表面上以覆蓋所述第二上方的電路圖案551及552，並且所述保護層573可被形成以從所述第一阻焊劑層571延伸到所述第二上方的電路圖案552以及第一絕緣層511的藉由所述第一開口530而被露出的側壁之上。此外，所述第二阻焊劑層572可被形成在所述第二絕緣層512的一底表面上，以覆蓋所述第二下方的電路圖案554及555。所述第二阻焊劑層572可被形成以具有露出所述第二下方的電路圖案554及555的開口。
所述保護層573的內部的側壁可以界定所述第二開口532， 其露出覆蓋所述光接收器122的金屬遮罩126。所述保護層573可以避免所述光接收器122在接下來的製程步驟中因為在所述第一絕緣層511中的污染成分而受到污染。所述保護層573可以在所述第一阻焊劑層571被形成時加以形成。因此，一用於只形成所述保護層573的額外的製程步驟可能不是必要的。
參照圖29，在形成所述第一及第二阻焊劑層571及572以及 保護層573之後，所述金屬遮罩(圖28的126)可被移除。當所述金屬遮罩(圖28的126)被移除時，所述第二上方的電路圖案551及552仍然可被第一阻焊劑層571所覆蓋。因此，在所述金屬遮罩(圖28的126)被移除時，所述第一阻焊劑層571可以避免所述第二上方的電路圖案551及552被蝕刻或是受損。同時，在所述金屬遮罩(圖28的126)被移除時，所述第二下方的電路圖案554及555可能會因為所述第二阻焊劑層572的開口而被露出。於是，所述第二下方的電路圖案554及555可以是由一種具有一相對所述金屬遮罩(圖28的126)的高蝕刻選擇性的金屬材料所形成的，以在所述金屬遮罩(圖28的126)被移除時最小化對於所述第二下方的電路圖案554及555的損壞。 在所述金屬遮罩(圖28的126)的移除之後，所述黏著劑582可被供應到所述第一阻焊劑層571之上。所述透光層584可以利用所述黏著劑582而被附接至所述第一阻焊劑層571。因此，所述第二開口532可以被透光層584所覆蓋。接著，例如是焊料球的外部的連接端子590可被形成在所述第二阻焊劑層572的個別的開口中。
圖30至39是描繪根據又一實施例的一種製造一嵌入式影像 感測器封裝的方法的橫截面圖。參照圖30，具有一頂表面的一影像感測器晶片131可加以提供。一光接收器132以及連接構件134可被形成在所述影像感測器晶片131的頂表面上。所述連接構件134可被形成以圍繞所述光接收器132。在某些實施例中，所述連接構件134可以是由金屬凸塊所形成的。 或者是，所述連接構件134可以是由導電的墊所形成的。
一金屬遮罩136可被形成以覆蓋所述光接收器132。所述金屬遮罩136可被形成以覆蓋所述光接收器132的一頂表面及側壁。所述金屬 遮罩136可被使用作為一用於在後續的製程步驟中保護所述光接收器132的遮罩。所述連接構件134以及金屬遮罩136可以利用相同的製程而同時加以形成。明確地說，一金屬層可被形成在所述影像感測器晶片131的頂表面上以覆蓋所述光接收器132，並且所述金屬層可被圖案化以形成所述連接構件134以及金屬遮罩136。在此一情形中，所述連接構件134以及金屬遮罩136可以是由相同的材料所形成的。
參照圖31，一核心層610可被附接至一臨時的基板630，以 提供一結構600。在某些實施例中，所述臨時的基板630可以是一黏著膜。 所述核心層610可以具有一凹處614於其中。所述凹處614的一平面面積可以是大於所述影像感測器晶片(圖30的131)的一平面面積，所述影像感測器晶片是在一後續的製程中被置入所述凹處614中。儘管圖31是描繪一個其中包含單一凹處614的例子，但是本揭露內容的實施例並不限於此。例如，在某些實施例中，兩個或多個凹處614被形成在所述核心層610中。在此一情形中，複數個影像感測器晶片分別可被內嵌在所述核心層610的複數個凹處614中，並且所述核心層610可以利用一鋸開製程或類似者而被分成複數片，使得核心層610的每一片都包含單一影像感測器晶片131。
第一上方的電路圖案621可被形成在所述核心層610的一頂 表面上，並且第一下方的電路圖案622可被形成在所述核心層610的一底表面上。所述第一上方的電路圖案621可以經由垂直地貫穿所述核心層610的貫通電極612來電連接至所述第一下方的電路圖案622。在某些實施例中，所述臨時的基板630可被附接至所述第一下方的電路圖案622。
參照圖32，所述影像感測器晶片131可被附接至所述臨時 的基板630的一藉由所述核心層610的凹處614而被露出的表面。所述影像感測器晶片131可被附接至所述臨時的基板630，使得所述影像感測器晶片131的一相對所述連接構件134及金屬遮罩136的底表面被附接至所述臨時的基板630。於是，在所述影像感測器晶片131被附接至所述臨時的基板630之後，所述連接構件134以及金屬遮罩136可被露出。由於在所述核心層610中的凹處614的一平面面積大於所述影像感測器晶片131的一平面面積，因此所述核心層的藉由所述凹處614而被露出的側壁可以是和所述影像感測器晶片131的側壁間隔開的。換言之，在所述凹處614的側壁以及所述影像感測器晶片131的側壁之間可以有間隙。所述第一下方的電路圖案622的表面可以是與所述影像感測器晶片131的一底表面共平面的。
參照圖33，一第一絕緣層711以及一第二絕緣層712可被形 成以將所述核心層610以及影像感測器晶片131嵌入在所述第一及第二絕緣層711及712中。明確地說，所述第一絕緣層711可被形成在所述核心層610的頂表面上，以覆蓋所述第一上方的電路圖案621、影像感測器晶片131、金屬遮罩136以及連接構件134。在所述第一絕緣層711被形成之後，所述臨時的基板630可以從所述影像感測器晶片131以及核心層610加以分離，並且所述第二絕緣層712可被形成在所述核心層610的底表面上，以覆蓋所述第一下方的電路圖案622。
所述第一絕緣層711可以藉由在所述核心層610的頂表面之 上沉積一第一絕緣材料並且藉由透過一疊層製程以施加熱及壓力至所述第一絕緣材料來加以形成。類似地，所述第二絕緣層712亦可以藉由在所述核心層610的底表面之上沉積一第二絕緣材料並且藉由透過一疊層製程以 施加熱及壓力至所述第二絕緣材料來加以形成。在某些實施例中，所述第一及第二絕緣層711及712可以是由相同的材料所形成的。
所述第一及第二絕緣層711及712可以是由一種具有一相當 低的熱膨脹係數的絕緣材料所形成的。例如，所述第一及第二絕緣層711及712的每一個可以是由一種包含無機填充物的聚合物樹脂材料所形成的，其相對於一種未填充的聚合物而具有一低的熱膨脹係數。所述無機填充物可能會作用為一對於所述影像感測器晶片131的光接收器132的污染源。因此，避免所述光接收器132在所述第一及第二絕緣層711及712被形成時受到污染可能是必要的。在本實施例中，因為所述光接收器132的一頂表面及側壁可以被所述金屬遮罩136所覆蓋，因此所述金屬遮罩136可以避免所述光接收器132在所述第一及第二絕緣層711及712被形成時受到污染。
在所述第一及第二絕緣層711及712被形成之後，一第一晶 種層721可被形成在所述第一絕緣層711上，並且一第二晶種層722可被形成在所述第二絕緣層712上。在某些實施例中，所述第一及第二晶種層721及722可以是由一銅層所形成的。所述第一及第二晶種層721及722可以是在用於形成互連圖案的金屬層在一後續的製程步驟中利用一電鍍製程以在所述第一及第二絕緣層711及712上生長時被施加。然而，在一其中其它製程被用來形成所述金屬層的實施例中，第一及第二晶種層721及722可以不被形成。例如，若用於形成互連圖案的金屬層是利用一例如是化學氣相沉積(CVD)製程或物理氣相沉積(PVD)製程的沉積製程而被沉積在所述第一及第二絕緣層711及712上，則分別在所述第一及第二絕緣層711及712上形 成所述第一及第二晶種層721及722可能不是必要的。
參照圖34，所述第一晶種層721以及第一絕緣層711可被圖 案化以形成露出所述連接構件134的第一上方的通孔741、以及露出所述第一上方的電路圖案621的第二上方的通孔742。此外，所述第二晶種層722以及第二絕緣層712可被圖案化以形成露出所述第一下方的電路圖案622的下方的通孔743。在某些實施例中，所述第一上方的通孔741、第二上方的通孔742以及下方的通孔743可以利用一雷射鑽孔製程來加以形成。
參照圖35，一第一金屬層750可以利用一電鍍製程而被形 成在所述第一絕緣層711上而且在所述第一及第二上方的通孔741及742中，所述電鍍製程利用所述第一晶種層(圖34的721)作為一晶種層；並且第二金屬層760可以利用一電鍍製程而被形成在所述第二絕緣層712上而且在所述下方的通孔743中，所述電鍍製程利用所述第二晶種層(圖34的722)作為一晶種層。在某些實施例中，所述第一及第二金屬層750及760可以利用單一電鍍製程而同時被形成。
參照圖36，所述第一金屬層(圖35的750)可被圖案化以形成 第二上方的電路圖案751及752。所述第二上方的電路圖案751可被形成以透過所述第二上方的通孔742來電連接至所述第一上方的電路圖案621。所述第二上方的電路圖案752可被形成以透過所述第一上方的通孔741來電連接至所述連接構件134。所述第二金屬層(圖35的760)可被圖案化以形成第二下方的電路圖案754及755。所述第二下方的電路圖案754可被形成以透過所述下方的通孔743來電連接至所述第一下方的電路圖案622。
參照圖37，一第一阻焊劑層771可被形成在所述第一絕緣 層711上，以覆蓋所述第二上方的電路圖案751及752。所述第一阻焊劑層771可被圖案化以形成一第一初步的開口730'，其露出所述第一絕緣層711的一位在所述金屬遮罩136之上的部分。所述第一初步的開口730'可以界定一包含所述光接收器132的光接收區域。所述第一初步的開口730'可被形成以和所述金屬遮罩136重疊。在某些實施例中，所述第一初步的開口730'可被形成以具有一平面面積是等於或大於所述金屬遮罩136的一平面面積。此外，所述第二阻焊劑層772可被形成在所述第二絕緣層712的一底表面上，以覆蓋所述第二下方的電路圖案754及755。所述第二阻焊劑層772可被形成以具有露出所述第二下方的電路圖案754及755的開口。
參照圖38，所述第一絕緣層711的露出的部分可以利用所 述第一阻焊劑層771作為一蝕刻遮罩而選擇性地被蝕刻，以形成一露出所述金屬遮罩136的第一開口730。在所述第一開口730被形成之後，一保護層775可被形成在所述第一絕緣層711的藉由所述第一開口730而被露出的內部的側壁上。所述保護層775可被形成以延伸到所述第二上方的電路圖案752以及第一絕緣層711的藉由所述第一開口730而被露出的內部的側壁之上。所述保護層775可以是由一種黏著材料或是一種底部填充材料所形成的。所述保護層775可被形成以覆蓋所述第一開口730的所有側壁。因此，所述光接收器132的所有的側壁都可以被所述保護層775所圍繞。所述保護層775的內部的側壁可以界定一比所述第一開口730窄的第二開口(圖39的732)。所述金屬遮罩136仍然可以藉由所述第二開口732而被露出。
參照圖39，在形成所述保護層775之後，所述金屬遮罩(圖 38的136)可被移除。當所述金屬遮罩(圖38的136)被移除時，所述第二上方 的電路圖案751及752可以被第一阻焊劑層771所覆蓋。因此，在所述金屬遮罩(圖38的136)被移除時，所述第一阻焊劑層771可以避免所述第二上方的電路圖案751及752被蝕刻或是受損。同時，在所述金屬遮罩(圖38的136)被移除時，所述第二下方的電路圖案754及755可能會因為所述第二阻焊劑層772的開口而被露出。於是，所述第二下方的電路圖案754及755可以是由一種具有一相對所述金屬遮罩(圖38的136)的高蝕刻選擇性的金屬材料所形成的，以在所述金屬遮罩(圖38的136)被移除時最小化對於所述第二下方的電路圖案754及755的損壞。
在所述金屬遮罩(圖38的136)的移除之後，所述黏著劑782 可被供應到所述第一阻焊劑層771之上。一透光層784可以利用所述黏著劑782而被附接至所述第一阻焊劑層771。因此，所述第二開口732可以被透光層784所覆蓋。接著，例如是焊料球的外部的連接端子790可被形成在所述第二阻焊劑層772的個別的開口中。
所述實施例已經在以上為了舉例說明的目的而被揭露。熟習此項技術者將會體認到各種的修改、添加及替代都是可能的，而不脫離如同在所附的申請專利範圍中揭露的本發明的概念的範疇及精神。

Claims (22)

  1. 一種嵌入式影像感測器封裝，其包括：一核心層，其具有一凹處於其中；一影像感測器晶片，其被設置在所述凹處中，並且具有其上被設置一光接收器及連接構件的一頂表面；一第一絕緣層，其被設置在所述核心層的一頂表面以及所述影像感測器晶片的所述頂表面上，並且具有界定包含所述光接收器的一光接收區域的一開口；一保護層，其被設置在所述光接收器以及所述第一絕緣層之間並且圍繞所述光接收器；以及一透光層，其被設置在所述光接收器之上，其中所述保護層是沿著所述光接收區域的邊緣來加以設置。
  2. 如申請專利範圍第1項的嵌入式影像感測器封裝，其進一步包括：一第一上方的電路圖案，其被設置在所述核心層的所述頂表面上；以及一第一下方的電路圖案，其被設置在所述核心層的一底表面上。
  3. 如申請專利範圍第2項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述第一下方的電路圖案的一底表面是與所述影像感測器晶片的一底表面實質共平面的。
  4. 如申請專利範圍第2項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述第一上方的電路圖案是經由貫穿所述核心層的一貫通電極來電連接至所述第一下方的電路圖案。
  5. 如申請專利範圍第2項的嵌入式影像感測器封裝，其進一步包括第二上方的電路圖案，所述第二上方的電路圖案是被設置在所述第一絕緣層的相對所述核心層的一頂表面上，並且分別連接至所述連接構件以及所述第一上方的電路圖案。
  6. 如申請專利範圍第5項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述保護層是從連接至所述連接構件的所述第二上方的電路圖案延伸，並且覆蓋所述第一絕緣層的藉由所述開口而被露出的內部的側壁的整個表面。
  7. 如申請專利範圍第6項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述保護層以及所述第二上方的電路圖案是包含相同的材料。
  8. 如申請專利範圍第6項的嵌入式影像感測器封裝，其進一步包括一第一阻焊劑層，所述第一阻焊劑層是被設置在所述第一絕緣層的所述頂表面上，並且覆蓋所述第二上方的電路圖案。
  9. 如申請專利範圍第8項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述第一阻焊劑層是延伸在所述保護層的內部的側壁的整個表面之上。
  10. 如申請專利範圍第9項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述透光層是利用一黏著層而被附接至所述第一阻焊劑層的一頂表面。
  11. 如申請專利範圍第5項的嵌入式影像感測器封裝，其進一步包括一第一阻焊劑層，所述第一阻焊劑層是被設置在所述第一絕緣層的所述頂表面上，並且覆蓋所述第二上方的電路圖案。
  12. 如申請專利範圍第11項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述保護層是從所述第一阻焊劑層延伸，並且覆蓋所述第一絕緣層的藉由所述開口而被露出的內部的側壁的整個表面。
  13. 如申請專利範圍第12項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述透光層是利用一黏著層而被附接至所述第一阻焊劑層的一頂表面。
  14. 如申請專利範圍第5項的嵌入式影像感測器封裝，其進一步包括一第一阻焊劑層，所述第一阻焊劑層是被設置在所述第一絕緣層的所述頂表面上，並且覆蓋所述第二上方的電路圖案，其中所述開口是向上地延伸並且貫穿所述第一阻焊劑層。
  15. 如申請專利範圍第14項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述保護層是覆蓋所述第一絕緣層的內部的側壁、連接至所述連接構件的所述第二上方的電路圖案的內部的側壁、以及所述第一阻焊劑層的藉由所述開口而被露出的內部的側壁。
  16. 如申請專利範圍第15項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述保護層是包含一種黏著材料或是一種底部填充材料。
  17. 如申請專利範圍第14項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述透光層是利用一黏著層而被附接至所述第一阻焊劑層的一頂表面。
  18. 如申請專利範圍第2項的嵌入式影像感測器封裝，其進一步包括一第二絕緣層，所述第二絕緣層是被設置在所述核心層的所述底表面上，並且覆蓋所述第一下方的電路圖案以及所述影像感測器晶片的一底表面。
  19. 如申請專利範圍第18項的嵌入式影像感測器封裝，其進一步包括一第二下方的電路圖案，所述第二下方的電路圖案是被設置在所述第二絕緣層的相對所述核心層的一底表面上，其中所述第二下方的電路圖案是貫穿所述第二絕緣層以接觸所述第一下方的電路圖案。
  20. 如申請專利範圍第19項的嵌入式影像感測器封裝，其進一步包括一第二阻焊劑層，所述第二阻焊劑層是被設置在所述第二絕緣層的一底表面上，並且覆蓋所述第二下方的電路圖案，其中所述第二阻焊劑層是具有一露出所述第二下方的電路圖案的通孔。
  21. 如申請專利範圍第18項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述第一及第二絕緣層是包含相同的材料。
  22. 如申請專利範圍第21項的嵌入式影像感測器封裝，其中所述第一及第二絕緣層的每一個是包含一種內含無機填充物的聚合物樹脂材料。
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