CN105742301B - 嵌入式图像传感器封装及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种嵌入式图像传感器封装及其制造方法。本发明的嵌入式图像传感器封装包括：核心层，所述核心层中具有凹处；图像传感器芯片，所述图像传感器芯片设置在所述凹处中并且具有上表面，在所述上表面上设置有光接收器和连接构件；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述核心层的上表面和所述图像传感器芯片的上表面上，并且具有开口，所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域；保护层，所述保护层设置在所述光接收器以及所述第一绝缘层之间以包围所述光接收器；以及透光层，所述透光层设置在所述光接收器上。所述保护层沿着所述光接收区域的边缘设置。

Description

嵌入式图像传感器封装及其制造方法
相关申请的交叉参考
本申请主张2014年12月29日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0191648的优先权，通过引用将该韩国专利申请整体并入本文，如同进行了完整地阐述。
技术领域
本公开的实施例涉及嵌入式封装及其制造方法，并且更具体地，涉及嵌入式图像传感器封装及其制造方法。
背景技术
图像传感器是接收光来产生电子并且将电子转换成图像信号的器件。这些图像传感器广泛用于数字摄像机、数字摄录机、各种便携设备等。图像传感器可包含电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。CMOS图像传感器可以容易地与信号处理电路一起集成在单芯片上，由此使包含CMOS图像传感器的产品能够缩小。此外，CMOS图像传感器可以以低功率消耗来工作。因此，CMOS图像传感器已经在便携式电子设备中被广泛使用。
包含图像传感器的封装(下文称为图像传感器封装)可以按芯片级封装(CSP)形式或按板上芯片(COB)封装形式来提供。CSP可以对应于晶圆级封装，并且COB封装可以通过将图像传感器安装在印刷电路板(PCB)上来实现。晶圆级图像传感器封装可以以晶圆为单位来提供。因此，降低晶圆级图像传感器封装的制造成本可能存在限制。近来，已经提出嵌入式图像传感器封装来降低其制造成本。嵌入式图像传感器封装可以以面板或基板为单位来提供，面板或基板中的每一个具有的面积至少是晶圆面积的两倍。因此，可以增加嵌入式图像传感器封装的产量。
发明内容
各实施例是针对嵌入式图像传感器封装及其制造方法。
根据一实施例，提供了一种嵌入式图像传感器封装。所述嵌入式图像传感器封装包括：核心层，所述核心层中具有凹处；图像传感器芯片，所述图像传感器芯片设置在所述凹处中并且具有上表面，在所述上表面上设置有光接收器和连接构件；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述核心层的上表面和所述图像传感器芯片的上表面上，并且具有开口，所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域；保护层，所述保护层设置在所述光接收器以及所述第一绝缘层之间以包围所述光接收器；以及透光层，所述透光层设置在所述光接收器上。所述保护层沿着所述光接收区域的边缘设置。
根据另一实施例，提供了一种制造嵌入式图像传感器封装的方法。所述方法包括：提供图像传感器芯片，所述图像传感器芯片具有上表面，在所述上表面上设置有光接收器；形成金属掩模，所述金属掩模被设置为覆盖设置在所述图像传感器芯片的上表面上的光接收器和连接构件的上表面和侧壁；以及将所述图像传感器芯片插到核心层的凹处中。绝缘层形成在所述核心层上以覆盖所述图像传感器芯片。所述绝缘层被形成为具有开口，所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域。电路图案形成在所述绝缘层的上表面上。保护层形成在所述绝缘层的沿着所述光接收区域的边缘露出的内侧壁上。在形成所述保护层之后移除所述金属掩模，以露出所述光接收器。透光层形成在露出的光接收器上。
根据另一实施例，提供了一种制造嵌入式图像传感器封装的方法。所述方法包括：提供图像传感器芯片，所述图像传感器芯片具有上表面，在所述上表面上设置有光接收器；形成金属掩模，所述金属掩模被设置为覆盖设置在所述图像传感器芯片的上表面上的光接收器和连接构件；将所述图像传感器芯片插到核心层的凹处中；在所述核心层上形成绝缘层以覆盖所述图像传感器芯片；在所述绝缘层的上表面上形成电路图案，以露出所述绝缘层的位于包含所述图像传感器芯片的所述光接收器的光接收区域之上的部分；以及移除所述绝缘层在所述光接收区域之上的露出部分，以形成限定所述光接收区域并且露出所述金属掩模的开口。在所述绝缘层和所述电路图案上形成阻焊层(solder resist layer)。延伸到所述绝缘层的经由所述开口露出的内侧壁上的所述阻焊层对应于保护层。在形成所述保护层之后移除所述金属掩模，以露出所述光接收器。透光层形成在露出的光接收器上。
根据另一实施例，提供了一种制造嵌入式图像传感器封装的方法。所述方法包括：提供图像传感器芯片，所述图像传感器芯片具有上表面，在所述上表面上设置有光接收器；形成金属掩模，所述金属掩模被设置为覆盖设置在所述图像传感器芯片的上表面上的光接收器和连接构件；将所述图像传感器芯片插到核心层的凹处中；在所述核心层上形成绝缘层以覆盖所述图像传感器芯片；在所述绝缘层的上表面上形成电路图案，以露出所述绝缘层的位于包含所述图像传感器芯片的所述光接收器的光接收区域之上的部分；在所述绝缘层和所述电路图案上形成阻焊层，以露出所述绝缘层的在所述光接收区域之上的部分；以及移除所述绝缘层的在所述光接收区域之上的露出的部分，以形成限定所述光接收区域并且露出所述金属掩模的开口。保护层形成在所述绝缘层的内侧壁上、连接至所述连接构件的所述电路图案的内侧壁上、以及所述阻焊层的经由所述开口露出的内侧壁上。在形成所述保护层之后移除所述金属掩模，以露出所述光接收器。透光层形成在露出的光接收器上。
附记：
附记1、一种嵌入式图像传感器封装，该嵌入式图像传感器封装包括：
核心层，所述核心层中具有凹处；
图像传感器芯片，所述图像传感器芯片设置在所述凹处中并且具有上表面，在所述上表面上设置有光接收器和连接构件；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述核心层的上表面和所述图像传感器芯片的上表面上，并且具有开口，所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域；
保护层，所述保护层设置在所述光接收器以及所述第一绝缘层之间并且包围所述光接收器；以及
透光层，所述透光层设置在所述光接收器之上，
其中，所述保护层沿着所述光接收区域的边缘设置。
附记2、根据附记1所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装进一步包括：
第一上方电路图案，所述第一上方电路图案设置在所述核心层的上表面上；以及
第一下方电路图案，所述第一下方电路图案设置在所述核心层的下表面上。
附记3、根据附记2所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一下方电路图案的下表面与所述图像传感器芯片的下表面基本共面。
附记4、根据附记2所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一上方电路图案经由穿过所述核心层的贯通电极电连接至所述第一下方电路图案。
附记5、根据附记2所述的的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装进一步包括第二上方电路图案，所述第二上方电路图案设置在所述第一绝缘层的与所述核心层相反的上表面上，并且分别连接至所述连接构件和所述第一上方电路图案。
附记6、根据附记5所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层从连接至所述连接构件的所述第二上方电路图案延伸，并且覆盖所述第一绝缘层的经由所述开口露出的内侧壁的整个表面。
附记7、根据附记6所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层和所述第二上方电路图案包含相同的材料。
附记8、根据附记6所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装进一步包括第一阻焊层，所述第一阻焊层设置在所述第一绝缘层的上表面上，并且覆盖所述第二上方电路图案。
附记9、根据附记8所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一阻焊层在所述保护层的内侧壁的整个表面之上延伸。
附记10、根据附记9所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述透光层使用粘性层被附接至所述第一阻焊层的上表面。
附记11、根据附记5所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装进一步包括第一阻焊层，所述第一阻焊层设置在所述第一绝缘层的上表面上，并且覆盖所述第二上方电路图案。
附记12、根据附记11所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层从所述第一阻焊层延伸，并且覆盖所述第一绝缘层的经由所述开口露出的内侧壁的整个表面。
附记13、根据附记12所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述透光层是使用粘性层被附接至所述第一阻焊层的上表面。
附记14、根据附记5所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装进一步包括第一阻焊层，所述第一阻焊层设置在所述第一绝缘层的上表面上，并且覆盖所述第二上方电路图案，
其中，所述开口向上延伸并且穿过所述第一阻焊层。
附记15、根据附记14所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层覆盖所述第一绝缘层的内侧壁、连接至所述连接构件的所述第二上方电路图案的内侧壁、以及所述第一阻焊层的经由所述开口露出的内侧壁。
附记16、根据附记15所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层包含粘性材料或底部填充材料。
附记17、根据附记14所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述透光层使用粘性层被附接至所述第一阻焊层的上表面。
附记18、根据附记2所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装进一步包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述核心层的下表面上，并且覆盖所述第一下方电路图案以及所述图像传感器芯片的下表面。
附记19、根据附记18所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装进一步包括第二下方电路图案，所述第二下方电路图案设置在所述第二绝缘层的与所述核心层相反的下表面上，
其中，所述第二下方电路图案穿过所述第二绝缘层以接触所述第一下方电路图案。
附记20、根据附记19所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装进一步包括第二阻焊层，所述第二阻焊层设置在所述第二绝缘层的下表面上，并且覆盖所述第二下方电路图案，
其中，所述第二阻焊层具有露出所述第二下方电路图案的通孔。
附记21、根据附记18所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括相同的材料。
附记22、根据附记21所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每一个包括含有无机填料并且具有相对低的热膨胀系数的聚合物树脂材料。
附图说明
本公开的各实施例在考虑附图和随附的详细说明的情况下将变得更加明白，在附图中：
图1是描绘根据一个实施例的嵌入式图像传感器封装的横截面图；
图2是描绘根据另一实施例的嵌入式图像传感器封装的横截面图；
图3是描绘根据又一实施例的嵌入式图像传感器封装的横截面图；
图4至图13是描绘根据一个实施例的制造嵌入式图像传感器封装的方法的横截面图；
图14至图23是描绘根据另一实施例的制造嵌入式图像传感器封装的方法的横截面图；
图24至图29是描绘根据又一实施例的制造嵌入式图像传感器封装的方法的横截面图；以及
图30至图39是描绘根据又一实施例的制造嵌入式图像传感器封装的方法的横截面图。
具体实施方式
将会理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可被用来描述各种元件，但是这些元件不应该受限于这些术语。这些术语仅用来区别一元件与另一元件。因此，在一些实施方式中的第一元件可以在另外的实施方式中被称为第二元件而不偏离本公开的教导。
同样将会理解的是，当一元件被称为在另一元件“上”、“上方”、“上面”、“下”、“下面”或“下方”时，其可以直接接触另一元件，或者还可以存在介于两个元件之间的至少一个中间元件。因此，本文使用的术语(例如“上”、“上方”、“上面”、“下”、“下面”、“下方”等)只是为了描述特定实施例的目的，并且并不意在限制本公开的范围。
进一步将会理解的是，当一元件被称为“连接”或“耦接”至另一元件时，其可以是直接连接或直接耦接至所述另一元件，或者可以存在中间元件。相反，当一元件被称为“直接连接”或“直接耦接”至另一元件时，则不存在中间元件。其它用来描述在元件或层之间的关系的词也应该用相同的方式来解释(例如，“在……之间”与“直接在……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”)。本文使用的术语“芯片”可以对应于存储器芯片，例如动态随机存取存储器(DRAM)芯片、静态随机存取存储器(SRAM)芯片、闪存芯片、磁性随机存取存储器(MRAM)芯片、电阻式随机存取存储器(ReRAM)芯片、铁电随机存取存储器(FeRAM)芯片、或是相变随机存取存储器(PcRAM)芯片。另选地，本文使用的术语“芯片”可以对应于逻辑芯片，例如非存储器芯片。
图1是描绘根据一实施例的嵌入式图像传感器封装300的横截面图。参照图1，嵌入式图像传感器封装300可包含核心层210和图像传感器芯片111，所述核心层210中具有凹处(cavity)214，所述图像传感器芯片111设置在核心层210的凹处214中。核心层210可包含绝缘材料。光接收器112和连接构件114可设置在图像传感器芯片111的上表面上。光接收器112可设置在接收光的图像感测区域上。一般而言，图像感测区域可以位于图像传感器芯片111的中央部分处。连接构件114可以在图像传感器芯片111与外部电路之间提供电信号路径。在一些实施例中，连接构件114可以是凸块。连接构件114可包含金属材料。在一些其它实施例中，连接构件114可以是焊盘。连接构件114的数量可以是两个或更多个，并且多个连接构件114可以与光接收器112相邻。
至少一个第一上方电路图案221可以设置在核心层210的上表面上，并且至少一个第一下方电路图案222可以设置在核心层210的下表面上。第一上方电路图案221可以经由垂直地穿过核心层210的贯通电极212电连接至第一下方电路图案222。在一些实施例中，第一下方电路图案222的表面可以与图像传感器芯片111的下表面共面。在核心层210中的凹处214的平面面积可以大于图像传感器芯片111的平面面积。因此，凹处214的侧壁可以与图像传感器芯片111的侧壁分开。也就是，在凹处214的侧壁和图像传感器芯片111的侧壁之间可以存在间隙。核心层210可以比图像传感器芯片111更厚或更薄。
图像传感器芯片111和核心层210可以被第一绝缘层311以及第二绝缘层312覆盖。第一绝缘层311可以填充图像传感器芯片111与核心层210之间的间隙，并且可以覆盖核心层210的上表面、第一上方电路图案221、图像传感器芯片111的上表面、以及连接构件114。第二绝缘层312可以覆盖核心层210的下表面、第一下方电路图案222以及图像传感器芯片111的下表面。在一些实施例中，第一绝缘层311和第二绝缘层312可包含相同的材料。另选地，第一绝缘层311的材料可以与第二绝缘层312的材料不同。第一绝缘层311可以具有露出图像传感器芯片111上的光接收器112的第一开口330。第一开口330可以限定包含光接收器112的光接收区域。第一绝缘层311可以具有露出连接构件114的第一上方通孔341和露出第一上方电路图案221的第二上方通孔342。第二绝缘层312可以具有露出第一下方电路图案222的下方通孔343。
在一些实施例中，第一开口330的平面面积可以大于光接收器112的平面面积。因此，第一绝缘层311的经由第一开口330露出的侧壁可以与光接收器112的侧壁分开。也就是，在第一开口330的侧壁和光接收器112的侧壁之间可以存在间隙。在一些实施例中，第一绝缘层311和第二绝缘层312可包含具有相对低的热膨胀系数的绝缘材料。例如，第一绝缘层311和第二绝缘层312的每一个可包括含有无机填料(inorganic filler)的聚合物树脂材料(polymer resin material)，该聚合物树脂材料相对于未填充的聚合物具有低的热膨胀系数。
第二上方电路图案351和352可以设置在第一绝缘层311的上表面上。第二上方电路图案351可以填充第二上方通孔342，并且可以电连接至第一上方电路图案221。第二上方电路图案352可以填充第一上方通孔341，并且可以电连接至连接构件114。第二下方电路图案354和355可以设置在第二绝缘层312的下表面上。第二下方电路图案354可以填充下方通孔343，并且可以电连接至第一下方电路图案222。虽然没有在附图中示出，但是第二下方电路图案355可以穿过第二绝缘层312，并且可以电连接至除了第一下方电路图案222以外的电路图案。
保护层353可以覆盖露出图像传感器芯片111上的光接收器112的第一开口330的侧壁。如图1中的部分‘A’所示，保护层353可以从第二上方电路图案352延伸，以覆盖穿过第一绝缘层311而露出光接收器112的第一开口330的侧壁。因此，保护层353可以是与第二上方电路图案352相同的材料。在一些实施例中，第二上方电路图案352和保护层353可以是金属层，例如铜层。若第二上方电路图案352以及保护层353包含金属层，则第二上方电路图案352以及保护层353可以使用电镀工艺来形成。保护层353可以覆盖第一开口330的所有侧壁。也就是，保护层353可以覆盖第一绝缘层311的限定第一开口330的所有内侧壁。比第一开口330更窄的第二开口332可以由保护层353的内侧壁限定。在本实施例中，第二开口332的平面面积可以比第一开口330的平面面积小，并且保护层353的由第二开口332露出的内侧壁可以与光接收器112的侧壁分开。在一些实施例中，第二开口332的平面面积可以等于光接收器112的平面面积。
第一阻焊层371可以设置在第一绝缘层311的上表面上，以覆盖第二上方电路图案351和352以及保护层353。第一阻焊层371可以覆盖保护层353的内侧壁。在这种情况下，比第二开口332更窄的第三开口334可以由第一阻焊层371的内侧壁限定。光接收器112可经由第三开口334露出。在本实施例中，第三开口334的平面面积可以大于光接收器112的平面面积，并且第一阻焊层371的经由第三开口334露出的内侧壁可以与光接收器112的侧壁分开。
粘合剂382可以设置在第一阻焊层371上，并且可以使用粘合剂382将透光层384附接至第一阻焊层371，以覆盖第三开口334。在这种情况下，在透光层384和光接收器112之间可以存在空的空间。第二阻焊层372可以设置在第二绝缘层312的下表面上，以覆盖第二下方电路图案354及355。第二阻焊层372可以具有露出第二下方电路图案354和355的开口，并且多个焊料球390可以设置在开口中以接触第二下方电路图案354和355。
图2是描绘根据另一实施例的嵌入式图像传感器封装500的横截面图。参照图2，嵌入式图像传感器封装500可包含核心层410和图像传感器芯片121，所述核心层410中具有凹处414，并且所述图像传感器芯片121设置在核心层410的凹处414中。核心层410可包含绝缘材料。光接收器122和连接构件124可以设置在图像传感器芯片121的上表面上。光接收器122可以设置在接收光的图像感测区域上。一般而言，图像感测区域可以位于图像传感器芯片121的中央部分处。连接构件124可以在图像传感器芯片121和外部电路之间提供电信号路径。在一些实施例中，连接构件124可以是凸块。连接构件124可包含金属材料。在一些其它实施例中，连接构件124可以是焊盘。连接构件124的数量可以是两个或更多个，并且多个连接构件124可以与光接收器122相邻。
至少一个第一上方电路图案421可以设置在核心层410的上表面上，并且至少一个第一下方电路图案422可以设置在核心层410的下表面上。第一上方电路图案421可以经由垂直地穿过核心层410的贯通电极412电连接至第一下方电路图案422。在一些实施例中，第一下方电路图案422的表面可以与图像传感器芯片121的下表面共面。在核心层410中的凹处414的平面面积可以大于图像传感器芯片121的平面面积。因此，凹处414的侧壁可以与图像传感器芯片121的侧壁分开。也就是，在凹处414的侧壁和图像传感器芯片121的侧壁之间可以存在间隙。核心层410可以比图像传感器芯片121更厚或更薄。
图像传感器芯片121和核心层410可以被第一绝缘层511以及第二绝缘层512覆盖。第一绝缘层511可以填充图像传感器芯片121和核心层410之间的间隙，并且可以覆盖核心层410的上表面、第一上方电路图案421、图像传感器芯片121的上表面和连接构件124。第二绝缘层512可以覆盖核心层410的下表面、第一下方电路图案422以及图像传感器芯片121的下表面。在一些实施例中，第一绝缘层511及第二绝缘层512可包含相同的材料。另选地，第一绝缘层511的材料可以与第二绝缘层512的材料不同。第一绝缘层511可以具有露出图像传感器芯片121上的光接收器122的第一开口530。第一开口530可以限定包含光接收器122的光接收区域。第一绝缘层511可以具有露出连接构件124的第一上方通孔541以及露出第一上方电路图案421的第二上方通孔542。第二绝缘层512可以具有露出第一下方电路图案422的下方通孔543。
在一些实施例中，第一开口530的平面面积可以大于光接收器122的平面面积。因此，第一绝缘层511的经由第一开口530露出的侧壁可以与光接收器122的侧壁分开。也就是，在第一开口530的侧壁和光接收器122的侧壁之间可以存在间隙。在一些实施例中，第一绝缘层511及第二绝缘层512可包含具有相对低的热膨胀系数的绝缘材料。例如，第一绝缘层511及第二绝缘层512的每一个可包括含有无机填料的聚合物树脂材料，该聚合物树脂材料相对于未填充的聚合物具有低的热膨胀系数。
第二上方电路图案551和552可以设置在第一绝缘层511的上表面上。第二上方电路图案551可以填充第二上方通孔542，并且可以电连接至第一上方电路图案421。第二上方电路图案552可以填充第一上方通孔541，并且可以电连接至连接构件124。第二下方电路图案554和555可以设置在第二绝缘层512的下表面上。第二下方电路图案554可以填充下方通孔543，并且可以电连接至第一下方电路图案422。虽然没有在附图中示出，但是第二下方电路图案555可以穿过第二绝缘层512，并且可以电连接至除了第一下方电路图案422以外的电路图案。
第一阻焊层571可以设置在第一绝缘层511的上表面上，以覆盖第二上方电路图案551和552。如图2的部分‘B’所示，第一阻焊层571可以延伸以覆盖穿过第一绝缘层511露出光接收器122的第一开口530的侧壁。第一阻焊层571覆盖第一开口530的侧壁的延伸部分可以作为当第一绝缘层511被污染时防止光接收器122被污染的保护层573。保护层573可以覆盖第一开口530的所有侧壁。也就是，保护层573可以覆盖第一绝缘层511的限定第一开口530的所有内侧壁。比第一开口530更窄的第二开口532可以由保护层573的内侧壁限定。光接收器122可经由第二开口532露出。在本实施例中，第二开口532的平面面积可以大于光接收器122的平面面积，并且保护层573的经由第二开口532露出的内侧壁可以与光接收器122的侧壁分开。在一些实施例中，第二开口532的平面面积可以等于光接收器122的平面面积。
粘合剂582可以设置在第一阻焊层571上，并且可以使用粘合剂582将透光层584附接至第一阻焊层571，以覆盖第二开口532。在这种情况下，在透光层584和光接收器122之间可以存在空的空间。第二阻焊层572可以设置在第二绝缘层512的下表面上，以覆盖第二下方电路图案554和555。第二阻焊层572可以具有露出第二下方电路图案554和555的开口，并且多个焊料球590可以设置在开口中，以接触第二下方电路图案554和555。
图3是描绘根据又一实施例的嵌入式图像传感器封装700的横截面图。参照图3，嵌入式图像传感器封装700可包含核心层610和图像传感器芯片131，所述核心层610中具有凹处614，并且所述图像传感器芯片131设置在核心层610的凹处614中。核心层610可包含绝缘材料。光接收器132和连接构件134可以设置在图像传感器芯片131的上表面上。光接收器132可以设置在接收光的图像感测区域上。一般而言，图像感测区域可以是设置在图像传感器芯片131的中央部分处。连接构件134可以在图像传感器芯片131与外部电路之间提供电信号路径。在一些实施例中，连接构件134可以是凸块。连接构件134可包含金属材料。在一些其它实施例中，连接构件134可以是焊盘。连接构件134的数量可以是两个或更多个，并且多个连接构件134可以与光接收器132相邻。
至少一个第一上方电路图案621可以设置在核心层610的上表面上，并且至少一个第一下方电路图案622可以设置在核心层610的下表面上。第一上方电路图案621可以经由垂直穿过核心层610的贯通电极612电连接至第一下方电路图案622。在一些实施例中，第一下方电路图案622的表面可以与图像传感器芯片131的下表面共面。核心层610中的凹处614的平面面积可以大于图像传感器芯片131的平面面积。因此，凹处614的侧壁可以与图像传感器芯片131的侧壁分开。也就是，在凹处614的侧壁以及图像传感器芯片131的侧壁之间可以存在间隙。核心层610可以比图像传感器芯片131更厚或更薄。
图像传感器芯片131和核心层610可以被第一绝缘层711以及第二绝缘层712覆盖。第一绝缘层711可以填充图像传感器芯片131与核心层610之间的间隙，并且可以覆盖核心层610的上表面、第一上方电路图案621、图像传感器芯片131的上表面以及连接构件134。第二绝缘层712可以覆盖核心层610的下表面、第一下方电路图案622、以及图像传感器芯片131的下表面。在一些实施例中，第一绝缘层711及第二绝缘层712可包含相同的材料。另选地，第一绝缘层711的材料可以与第二绝缘层712的材料不同。第一绝缘层711可以具有露出图像传感器芯片131上的光接收器132的第一开口730。第一开口730可以限定包含光接收器132的光接收区域。第一绝缘层711可以具有露出连接构件134的第一上方通孔741以及露出第一上方电路图案621的第二上方通孔742。第二绝缘层712可以具有露出第一下方电路图案622的下方通孔743。
在一些实施例中，第一开口730的平面面积可以大于光接收器132的平面面积。因此，第一绝缘层711的经由第一开口730露出的侧壁可以与光接收器132的侧壁分开。也就是，在第一开口730的侧壁和光接收器132的侧壁之间可以存在间隙。在一些实施例中，第一绝缘层711及第二绝缘层712可包含具有相对低的热膨胀系数的绝缘材料。例如，第一绝缘层711及第二绝缘层712的每一个可包含含有无机填料的聚合物树脂材料，该聚合物树脂材料相对于未填充的聚合物具有低的热膨胀系数。
第二上方电路图案751和752可以设置在第一绝缘层711的上表面上。第二上方电路图案751可以填充第二上方通孔742，并且可以电连接至第一上方电路图案621。第二上方电路图案752可以填充第一上方通孔741，并且可以电连接至连接构件134。第二下方电路图案754和755可以设置在第二绝缘层712的下表面上。第二下方电路图案754可以填充下方通孔743，并且可以电连接至第一下方电路图案622。虽然在附图中没有示出，但是第二下方电路图案755可以穿过第二绝缘层712，并且可以电连接至除了第一下方电路图案622以外的电路图案。
第一阻焊层771可以设置在第一绝缘层711的上表面上，以覆盖第二上方电路图案751和752。第一阻焊层771的内侧壁可以与第一绝缘层711的经由第一开口730露出的内侧壁对齐。如图3的部分‘C‘所示，保护层775可以设置在第一绝缘层711和第一阻焊层771的经由第一开口730露出的内侧壁上。保护层775可以具有间隔壁(spacer)形状，该间隔壁的宽度随着远离图像传感器芯片131的上表面而逐渐减小。在一些实施例中，保护层775可以通过将粘性材料或是底部填充材料(underfill material)附接到第一绝缘层711和第一阻焊层771的经由第一开口730露出的内侧壁上来形成。保护层775可以覆盖第一开口730的所有侧壁。也就是，保护层775可以覆盖第一绝缘层711和第一阻焊层771的限定第一开口730的所有内侧壁。比第一开口730更窄的第二开口732可以由保护层775的内侧壁限定。光接收器132可经由第二开口732露出。在一些实施例中，第二开口732的底部平面面积可以大于光接收器132的平面面积，并且保护层775的经由第二开口732露出的内侧壁可以与光接收器132的侧壁分开。在一些其它实施例中，第二开口732的底部平面面积可以等于光接收器132的平面面积。
粘合剂782可以设置在第一阻焊层771上，并且可以使用粘合剂782将透光层784附接至第一阻焊层771，以覆盖第二开口732。在这种情况下，在透光层784与光接收器132之间可以存在空的空间。第二阻焊层772可以设置在第二绝缘层712的下表面上，以覆盖第二下方电路图案754和755。第二阻焊层772可以具有露出第二下方电路图案754和755的开口，并且多个焊料球790可以设置在开口中，以接触第二下方电路图案754和755。
图4至图13是描绘根据实施例的制造嵌入式图像传感器封装的方法的横截面图。参照图4，可以提供具有上表面的图像传感器芯片111。光接收器112以及连接构件114可以形成在图像传感器芯片111的上表面上。连接构件114可以在光接收器112的周围。例如，虽然没有在图4的横截面图中示出，连接构件114可以沿着水平面设置在光接收器112的所有四个侧上。在一些实施例中，连接构件114可以由金属凸块形成。另选地，连接构件114可以由导电的焊盘形成。
金属掩模116可以形成为覆盖光接收器112。金属掩模116可以形成为覆盖光接收器112的上表面和侧壁。金属掩模116可被用作掩模以在后续的工艺步骤中保护光接收器112。连接构件114和金属掩模116可以使用相同的工艺同时形成。具体地说，金属层可以形成在图像传感器芯片111的上表面上以覆盖光接收器112，并且金属层可以被图案化以形成连接构件114和金属掩模116。在这种情况下，连接构件114和金属掩模116可以由相同的材料形成。
参照图5，核心层210可以附接至临时基板230，以提供结构200。在一些实施例中，临时基板230可以是粘性膜。核心层210可以在其中具有凹处214。凹处214的平面面积可以大于图像传感器芯片(图4的111)的平面面积，该图像传感器芯片是在后续的工艺中被置于凹处214中。虽然图5描绘了只具有单个凹处214的示例，但是本公开的实施例不限于此。例如，在一些实施例中，两个或更多个凹处214形成在核心层210中。在这种情况下，多个图像传感器芯片可分别嵌入在核心层210的多个凹处214中，并且可以使用锯切工艺等将核心层210分成多片，使得核心层210的每一片包含单个图像传感器芯片111。
第一上方电路图案221可以形成在核心层210的上表面上，并且第一下方电路图案222可以形成在核心层210的下表面上。第一上方电路图案221可以经由垂直地穿过核心层210的贯通电极212电连接至第一下方电路图案222。在一些实施例中，临时基板230可以附接至第一下方电路图案222。
参照图6，图像传感器芯片111可以附接至临时基板230的经由核心层210的凹处214露出的表面。图像传感器芯片111可以附接至临时基板230，使得图像传感器芯片111的与连接构件114和金属掩模116相反的下表面被附接至临时基板230。因此，在图像传感器芯片111被附接至临时基板230之后，可以露出连接构件114和金属掩模116。因为在核心层210中的凹处214的平面面积大于图像传感器芯片111的平面面积，所以核心层的由凹处214露出的侧壁可以与图像传感器芯片111的侧壁分开。也就是，在凹处214的侧壁和图像传感器芯片111的侧壁之间可以存在间隙。第一下方电路图案222的表面可以与图像传感器芯片111的下表面共面。
参照图7，第一绝缘层311和第二绝缘层312可以形成为将核心层210以及图像传感器芯片111嵌入在第一绝缘层311和第二绝缘层312中。具体来说，第一绝缘层311可以形成在核心层210的上表面上，以覆盖第一上方电路图案221、图像传感器芯片111、金属掩模116以及连接构件114。在形成第一绝缘层311之后，临时基板230可以从图像传感器芯片111和核心层210分离，并且第二绝缘层312可以形成在核心层210的下表面上，以覆盖第一下方电路图案222。
第一绝缘层311可以通过在核心层210的上表面之上沉积第一绝缘材料，并通过经由层压工艺向第一绝缘材料施加热量和压力来形成。类似地，第二绝缘层312也可以通过在核心层210的下表面之上沉积第二绝缘材料，并通过经由层压工艺向第二绝缘材料施加热量和压力来形成。在一些实施例中，第一绝缘层311和第二绝缘层312可以由相同的材料形成。
第一绝缘层311和第二绝缘层312可以由具有相对低的热膨胀系数的绝缘材料形成。例如，第一绝缘层311和第二绝缘层312的每一个可以由包含无机填料的聚合物树脂材料形成，该聚合物树脂材料相对于未填充的聚合物具有低的热膨胀系数。无机填料对于图像传感器芯片111的光接收器112来说可以作为污染源。因此，当形成第一绝缘层311和第二绝缘层312时，需要防止光接收器112被污染。
在本实施例中，因为光接收器112的上表面和侧壁可以被金属掩模116覆盖，所以金属掩模116可以防止光接收器112在第一绝缘层311和第二绝缘层312形成时受到污染。在形成第一绝缘层311和第二绝缘层312之后，第一晶种层321可以形成在第一绝缘层311上，并且第二晶种层322可以形成在第二绝缘层312上。在一些实施例中，第一晶种层321和第二晶种层322可以由铜层形成。
当在后续的工艺步骤中使用电镀工艺而在第一绝缘层311和第二及312上生长用于形成互连图案的金属层时，可以涂覆第一晶种层321和第二晶种层322。但是，在使用其它工艺来形成金属层的实施例中，可以不形成第一晶种层321和第二晶种层322。例如，如果用于形成互连图案的金属层是使用沉积工艺(例如化学气相沉积(CVD)工艺或物理气相沉积(PVD)工艺)而沉积在第一绝缘层311和第二绝缘层312上，则可以不需要在第一绝缘层311和第二绝缘层312上分别形成第一晶种层321和第二晶种层322。
参照图8，第一晶种层321和第一绝缘层311可以被图案化以形成露出金属掩模116的第一开口330。第一开口330可以限定包含光接收器112的光接收区域。为了形成第一开口330，在金属掩模116之上具有开口的掩模图案(例如光刻胶图案)可以形成在第一晶种层321上，并且可以使用掩模图案作为刻蚀掩模将第一晶种层321和第一绝缘层311依次地进行刻蚀以露出金属掩模116。在形成第一开口330之后，可以移除掩模图案。第一开口330可以形成为具有大于金属掩模116的平面面积的平面面积。即使在第一绝缘层311被刻蚀以形成第一开口330之后，光接收器112的整个部分仍然可以被金属掩模116覆盖。因此，金属掩模116可以防止光接收器112被第一绝缘层311中的污染成分污染。
参照图9，第一晶种层321和第一绝缘层311可以被图案化，以形成露出连接构件114的第一上方通孔341和露出第一上方电路图案221的第二上方通孔342。此外，第二晶种层322和第二绝缘层312可以被图案化以形成露出第一下方电路图案222的下方通孔343。在一些实施例中，可以使用激光打孔工艺形成第一上方通孔341、第二上方通孔342以及下方通孔343。在本实施例中，可以在形成第一开口330之后形成第一上方通孔341和第二上方通孔342。但是，本公开的实施例不限于该工艺顺序。例如，在一些实施例中，可以使用单个工艺同时形成第一开口330以及第一上方通孔341和第二上方通孔342。在这种情况下，可以省略参考图8描述的用于形成第一开口330的工艺步骤，并且可以在形成参照图9描述的第一上方通孔341和第二上方通孔342的同时，形成第一开口330。
参照图10，可以使用将第一晶种层(图9的321)作为晶种层的电镀工艺把第一金属层350形成在第一绝缘层311和金属掩模116上以及第一上方通孔341和第二上方通孔342中；并且可以使用将第二晶种层(图9的322)作为晶种层的电镀工艺把第二金属层360形成在第二绝缘层312上和下方通孔343中。可以使用单个电镀工艺同时形成第一金属层350和第二金属层360。第一金属层350也可以形成为填充第一绝缘层311的经由第一开口330露出的侧壁和金属掩模116的侧壁之间的间隙。当形成第一金属层350和第二金属层360时，光接收器112仍可以被金属掩模116覆盖。因此，即使形成第一金属层350和第二金属层360，金属掩模116也可以避免光接收器112被第一绝缘层311中的污染成分污染。可以使用单个电镀工艺同时形成第一金属层350和第二金属层360。
参照图11，第一金属层(图10的350)可以被图案化以形成第二上方电路图案351和352以及保护层353。应用于第一金属层(图10的350)的图案化工艺可能会影响覆盖光接收器112的金属掩模(图10的116)。也就是，在第一金属层(图10的350)被图案化时，金属掩模(图10的116)的厚度可能会减小。因此，在形成第二上方电路图案351和352以及保护层353之后，在光接收器112上可以仍存在比最初的金属掩模(图10的116)更薄的金属掩模116’。
第二上方电路图案351可以形成为经由第二上方通孔342电连接至第一上方电路图案221。第二上方电路图案352可以形成为经由第一上方通孔341电连接至连接构件114。保护层353可以形成在第二上方电路图案352的以及第一绝缘层311的经由第一开口330露出的侧壁上。保护层353的下部可以形成为接触图像传感器芯片111的上表面。因此，保护层353可以设置在光接收器112和第一绝缘层311之间。
尽管在图11的横截面图中没有示出，但是保护层353可以形成为覆盖第一绝缘层311的经由第一开口330露出的所有侧壁。因此，光接收器112的所有侧壁都可以被保护层353包围。保护层353的内侧壁可以限定第二开口332，该第二开口332的宽度小于第一开口330的宽度。保护层353也可以在接下来的工艺步骤中防止光接收器112被第一绝缘层311中的污染成分污染。可以在形成第二上方电路图案351和352时形成保护层353。因此，可以不需要只形成保护层353的额外的工艺步骤。在形成第二上方电路图案351和352以及保护层353之后，第二金属层(图10的360)可以被图案化以形成第二下方电路图案354及355。第二下方电路图案354可以形成为经由下方通孔343电连接至第一下方电路图案222。
虽然本实施例描述了使用电镀工艺形成第一金属层350和第二金属层360，并且然后第一金属层350和第二金属层360被图案化以形成电路图案351、352、354和355以及保护层353的示例，但是本公开的实施例不限于此。例如，在一些实施例中，在第一晶种层和第二晶种层(图9的321及322)被图案化之后，可以使用电镀工艺来形成电路图案351、352、354和355以及保护层353。
参照图12，第一阻焊层371可以形成在第一绝缘层311的上表面上，以覆盖第二上方电路图案351和352以及保护层353。第一阻焊层371也可以形成为覆盖保护层353的经由第二开口332露出的内侧壁。在这种情况下，比第二开口332更窄的第三开口334可以由第一阻焊层371的内侧壁限定。此外，第二阻焊层372可以形成在第二绝缘层312的下表面上，以覆盖第二下方电路图案354和355。第二阻焊层372可以形成为具有露出第二下方电路图案354和355的开口。
参照图13，在形成第一阻焊层371和第二阻焊层372之后，可以移除金属掩模(图12的116)。当移除金属掩模(图12的116)时，第二上方电路图案351和352以及保护层353仍然可以被第一阻焊层371覆盖。因此，在移除金属掩模(图12的116)时，第一阻焊层371可以防止第二上方电路图案351和352以及保护层353受损。同时，在移除金属掩模(图12的116)时，第二下方电路图案354和355可能经由第二阻焊层372的开口露出。因此，第二下方电路图案354和355可以由相对于金属掩模(图12的116)具有高刻蚀选择性的金属材料形成，以在移除金属掩模(图12的116)时，将对第二下方电路图案354和355的损伤降为最小。
在移除金属掩模(图12的116)之后，可将粘合剂382提供到第一阻焊层371上。可以使用粘合剂382将透光层384附接至第一阻焊层371。因此，第三开口334可被透光层384覆盖。然后，外部连接端子390(例如，焊料球)可以形成在第二阻焊层372的各开口中。
图14至图23是描绘根据另一实施例制造嵌入式图像传感器封装的方法的横截面图。参照图14，可以提供具有上表面的图像传感器芯片121。光接收器122和连接构件124可以形成在图像传感器芯片121的上表面上。连接构件124可以形成为包围光接收器122。在一些实施例中，连接构件124可以由金属凸块形成。另选地，连接构件124可以由导电的焊盘形成。金属掩模126可以形成为覆盖光接收器122。金属掩模126可以形成为覆盖光接收器122的上表面及侧壁。金属掩模126可以用作在后续的工艺步骤中保护光接收器122的掩模。可以使用相同的工艺同时形成连接构件124和金属掩模126。具体来说，金属层可以形成在图像传感器芯片121的上表面上以覆盖光接收器122，并且金属层可以被图案化以形成连接构件124和金属掩模126。在这种情况下，连接构件124和金属掩模126可以由相同的材料形成。
参照图15，核心层410可以被附接至临时基板430，以提供结构400。在一些实施例中，临时基板430可以是粘性膜。核心层410可以在其中具有凹处414。凹处414的平面面积可以大于图像传感器芯片(图14的121)的平面面积，该图像传感器芯片在后续的工艺中被置于凹处414中。虽然图15描绘了只具有单个凹处414的示例，但是本公开的实施例不限于此。例如，在一些实施例中，两个或更多个凹处414形成在核心层410中。在这种情况下，多个图像传感器芯片可分别嵌入在核心层410的多个凹处414中，并且可以使用锯切工艺等将核心层410分成多片，使得核心层410的每一片都包含单个图像传感器芯片121。
第一上方电路图案421可以形成在核心层410的上表面上，并且第一下方电路图案422可以形成在核心层410的下表面上。第一上方电路图案421可以经由垂直地穿过核心层410的贯通电极412电连接至第一下方电路图案422。在一些实施例中，临时基板430可被附接至第一下方电路图案422。
参照图16，图像传感器芯片121可被附接至临时基板430的经由核心层410的凹处414露出的表面。图像传感器芯片121可被附接至临时基板430，使得图像传感器芯片121的与连接构件124和金属掩模126相反的下表面被附接至临时基板430。因此，连接构件124和金属掩模126可以在图像传感器芯片121被附接至临时基板430之后露出。因为在核心层410中的凹处414的平面面积大于图像传感器芯片121的平面面积，所以核心层的经由凹处414露出的侧壁可以与图像传感器芯片121的侧壁分开。也就是，在凹处414的侧壁和图像传感器芯片121的侧壁之间可以存在间隙。第一下方电路图案422的表面可以与图像传感器芯片121的下表面共面。
参照图17，第一绝缘层511和第二绝缘层512可以形成为将核心层410和图像传感器芯片121嵌入在第一绝缘层511和第二绝缘层512中。具体来说，第一绝缘层511可以形成在核心层410的上表面上以覆盖第一上方电路图案421、图像传感器芯片121、金属掩模126和连接构件124。在形成第一绝缘层511之后，临时基板430可以从图像传感器芯片121和核心层410分离，并且第二绝缘层512可以形成在核心层410的下表面上，以覆盖第一下方电路图案422。
第一绝缘层511可通过在核心层410的上表面之上沉积第一绝缘材料并且通过经由层压工艺向第一绝缘材料施加热量和压力来形成。类似地，第二绝缘层512也可以通过在核心层410的下表面之上沉积第二绝缘材料并且通过经由层压工艺向第二绝缘材料施加热量和压力来形成。在一些实施例中，第一绝缘层511和第二绝缘层512可以由相同的材料形成。第一绝缘层511和第二绝缘层512可以由具有相对低的热膨胀系数的绝缘材料形成。例如，第一绝缘层511和第二绝缘层512的每一个可以由包含无机填料的聚合物树脂材料形成，该聚合物树脂材料相对于未填充的聚合物具有低的热膨胀系数。
无机填料可以作为对图像传感器芯片121的光接收器122的污染源。因此，在形成第一绝缘层511和第二绝缘层512时可能需要防止光接收器122受到污染。在本实施例中，因为光接收器122的上表面和侧壁可以被金属掩模126覆盖，所以金属掩模126可以在形成第一绝缘层511和第二绝缘层512时防止光接收器122受到污染。
在形成第一绝缘层511和第二绝缘层512之后，可以在第一绝缘层511上形成第一晶种层521，并且可以在第二绝缘层512上形成第二晶种层522。在一些实施例中，第一晶种层521和第二晶种层522可以由铜层形成。当在后续的工艺步骤中使用电镀工艺而在第一绝缘层511和第二绝缘层512上生长用于形成互连图案的金属层时，可以涂覆第一晶种层521和第二晶种层522。但是，在使用其它工艺来形成金属层的实施例中，可以不形成第一晶种层521和第二晶种层522。例如，如果用于形成互连图案的金属层是使用沉积工艺(例如是化学气相沉积(CVD)工艺或物理气相沉积(PVD)工艺)而沉积在第一绝缘层511和第二绝缘层512上，则可以不需要在第一绝缘层511和第二绝缘层512上分别形成第一晶种层521和第二晶种层522。
参照图18，第一晶种层521和第一绝缘层511可以被图案化以形成露出金属掩模126的第一开口530。第一开口530可以限定包含光接收器122的光接收区域。为了形成第一开口530，在金属掩模126之上具有开口的掩模图案(例如，光刻胶图案)可以形成在第一晶种层521上，并且可以使用掩模图案作为刻蚀掩模依次地刻蚀第一晶种层521和第一绝缘层511以露出金属掩模126。在形成第一开口530之后，可以移除掩模图案。第一开口530可以形成为具有大于金属掩模126的平面面积的平面面积。即使在刻蚀第一绝缘层511以形成第一开口530之后，光接收器122的整个部分仍然可以被金属掩模126覆盖。因此，金属掩模126可以防止光接收器122被第一绝缘层511中的污染成分污染。
参照图19，第一晶种层521和第一绝缘层511可以被图案化，以形成露出连接构件124的第一上方通孔541、以及露出第一上方电路图案421的第二上方通孔542。此外，第二晶种层522和第二绝缘层512可以被图案化，以形成露出第一下方电路图案422的下方通孔543。在一些实施例中，可以使用激光打孔工艺来形成第一上方通孔541、第二上方通孔542以及下方通孔543。在本实施例中，可以在形成第一开口530之后形成第一上方通孔541和第二上方通孔542。但是，本公开的实施例不限于该工艺顺序。例如，在一些实施例中，可以使用单个工艺同时形成第一开口530以及第一上方通孔541和第二上方通孔542。在这种情况下，可以省略参照图18描述的用于形成第一开口530的工艺步骤，并且可以在形成参照图19描述的第一上方通孔541和第二上方通孔542的同时形成第一开口530。
参照图20，可以使用将第一晶种层(图19的521)作为晶种层的电镀工艺把第一金属层550形成在第一绝缘层511和金属掩模126上以及第一上方通孔541和第二上方通孔542中；并且可以使用将第二晶种层(图19的522)作为晶种层的电镀工艺把第二金属层560形成在第二绝缘层512上和下方通孔543中。另外，在形成第一金属层550时，也可以在金属掩模126上形成虚拟(dummy)金属层550’。
在本实施例中，虽然第一金属层550和虚拟金属层550’通过电镀工艺形成，但是金属层不形成在第一绝缘层511的经由第一开口530露出的侧壁上。这可以通过调整用于生长第一金属层550以及虚拟金属层550’的电镀工艺的处理时间来控制。也就是，可以形成第一金属层550使得第一金属层550并不延伸到第一绝缘层511的经由第一开口530露出的侧壁上，并且还可以形成虚拟金属层550’使得虚拟金属层550’不到达第一绝缘层511的经由第一开口530露出的侧壁。在一些实施例中，在用于形成第一金属层550以及虚拟金属层550’的电镀工艺之后可以执行清洗工艺。可以使用单个电镀工艺同时形成第一金属层550、虚拟金属层550’以及第二金属层560。
参照图21，第一金属层(图20的550)可以被图案化以形成第二上方电路图案551和552并且移除在金属掩模126上的虚拟金属层550’。用于形成第二上方电路图案551和552的图案化工艺可能影响覆盖光接收器122的金属掩模126。也就是，在第一金属层(图20的550)被图案化以移除虚拟金属层550’时，金属掩模126的厚度可能减小。因此，即使在形成第二上方电路图案551和552并且移除虚拟金属层550’之后，光接收器122仍然可以被比最初的金属掩模(图20的126)更薄的金属掩模126’覆盖。
第二上方电路图案551可以形成为经由第二上方通孔542电连接至第一上方电路图案421。第二上方电路图案552可以形成为经由第一上方通孔541电连接至连接构件124。在形成第二上方电路图案551和552之后，第二金属层(图20的560)可以被图案化以形成第二下方电路图案554和555。第二下方电路图案554可以形成为经由下方通孔543电连接至第一下方电路图案422。
虽然本实施例是描述了使用电镀工艺形成第一金属层550和第二金属层560并且然后第一金属层550和第二金属层560被图案化以形成电路图案551、552、554及555的示例，但是本公开的实施例不限于此。例如，在一些实施例中，在第一晶种层和第二晶种层(图19的521及522)被图案化之后，可以使用电镀工艺来形成电路图案551、552、554和555。
参照图22，可以形成第一阻焊层571和保护层573。第一阻焊层571可以形成在第一绝缘层511的上表面上以覆盖第二上方电路图案551和552，并且保护层573可以形成为从第一阻焊层571延伸到第二上方电路图案552的和第一绝缘层511的经由第一开口530露出的侧壁上。此外，第二阻焊层572可以形成在第二绝缘层512的下表面上，以覆盖第二下方电路图案554和555。第二阻焊层572可以形成为具有露出第二下方电路图案554和555的开口。保护层573的内侧壁可以限定第二开口532，该第二开口532露出覆盖光接收器122的金属掩模126’。保护层573可以防止光接收器122在接下来的工艺步骤中被第一绝缘层511中的污染成分污染。保护层573可以在形成第一阻焊层571的同时形成。因此，可以不需要用于只形成保护层573的额外的工艺步骤。
参照图23，在形成第一阻焊层571和第二阻焊层572以及保护层573之后，可以移除金属掩模(图22的126’)。当移除金属掩模(图22的126’)时，第二上方电路图案551和552仍可以被第一阻焊层571覆盖。因此，在移除金属掩模(图22的126’)时，第一阻焊层571可以防止第二上方电路图案551和552被刻蚀或受损。同时，在移除金属掩模(图22的126’)时，第二下方电路图案554和555可以由第二阻焊层572的开口露出。因此，第二下方电路图案554和555可以由相对于金属掩模(图22的126’)具有高刻蚀选择性的金属材料形成，以在移除金属掩模(图22的126’)时使对第二下方电路图案554和555的损伤最小。在移除金属掩模(图22的126’)之后，可将粘合剂582提供到第一阻焊层571上。可以使用粘合剂582将透光层584附接至第一阻焊层571。因此，第二开口532可以被透光层584覆盖。然后，外部连接端子590(例如，焊料球)可以形成在第二阻焊层572的各开口中。
图24至图29是描绘根据又一实施例的制造嵌入式图像传感器封装的方法的横截面图。制造根据本实施例的嵌入式图像传感器封装的方法可以使用和参照图14至图17描述的相同的工艺。因此，在本实施例中将省略、或简略提及参照图14至图17描述的相同的工艺的说明。和参照图14至图17描述的相同的部件由相同的附图标记或相同的参考指示符表示。参照图24，第一晶种层521和第二晶种层522最终可以用和参照图14至图17描述的相同的方式来形成。第一晶种层521和第一绝缘层511可以被图案化以形成露出连接构件124的第一上方通孔541和露出第一上方电路图案421的第二上方通孔542。此外，第二晶种层522和第二绝缘层512可以被图案化以形成露出第一下方电路图案422的下方通孔543。在一些实施例中，可以使用激光打孔工艺形成第一上方通孔541、第二上方通孔542和下方通孔543。
参照图25，可以使用将第一晶种层(图24的521)作为晶种层的电镀工艺将第一金属层550形成在第一绝缘层511上以及第一上方通孔541和第二上方通孔542中；并且可以使用将第二晶种层(图24的522)作为晶种层的电镀工艺将第二金属层560形成在第二绝缘层512上以及下方通孔543中。在一些实施例中，可以使用单个电镀工艺同时形成第一金属层550和第二金属层560。
参照图26，第一金属层(图25的550)可以被图案化以形成第二上方电路图案551和552。第二上方电路图案551可以形成为经由第二上方通孔542电连接至第一上方电路图案421。第二上方电路图案552可以形成为经由第一上方通孔541电连接至连接构件124。第二金属层(图25的560)可以被图案化以形成第二下方电路图案554和555。第二下方电路图案554可以形成为经由下方通孔543电连接至第一下方电路图案422。
参照图27，第一绝缘层511可以被图案化以形成露出金属掩模126的第一开口530。第一开口530可以限定包含光接收器122的光接收区域。为了形成第一开口530，在金属掩模126之上具有开口的掩模图案(例如，光刻胶图案)可以形成在第一绝缘层511上，并且可以使用掩模图案作为刻蚀掩模来刻蚀第一绝缘层511，以露出金属掩模126。在形成第一开口530之后，可以移除掩模图案。第一开口530可以形成为具有大于金属掩模126的平面面积的平面面积。即使在刻蚀第一绝缘层511以形成第一开口530之后，光接收器122的整个部分仍可以被金属掩模126覆盖。
参照图28，可以形成第一阻焊层571和保护层573。第一阻焊层571可以形成在第一绝缘层511的上表面上以覆盖第二上方电路图案551和552，并且保护层573可以形成为从第一阻焊层571延伸到第二上方电路图案552和第一绝缘层511的经由第一开口530露出的侧壁上。此外，第二阻焊层572可以形成在第二绝缘层512的下表面上，以覆盖第二下方电路图案554和555。第二阻焊层572可以形成为具有露出第二下方电路图案554和555的开口。
保护层573的内侧壁可以限定露出金属掩模126的第二开口532，金属掩模126覆盖光接收器122。保护层573可以防止光接收器122在接下来的工艺步骤中被第一绝缘层511中的污染成分污染。保护层573可以在形成第一阻焊层571时形成。因此，可以不需要用于只形成保护层573的额外的工艺步骤。
参照图29，在形成第一阻焊层571和第二阻焊层572以及保护层573之后，可以移除金属掩模(图28的126)。在移除金属掩模(图28的126)时，第二上方电路图案551和552仍可以被第一阻焊层571覆盖。因此，在移除金属掩模(图28的126)时，第一阻焊层571可以防止第二上方电路图案551和552被刻蚀或受损。同时，在移除金属掩模(图28的126)时，第二下方电路图案554和555可能被第二阻焊层572的开口露出。因此，第二下方电路图案554和555可以由相对于金属掩模(图28的126)具有高刻蚀选择性的金属材料形成，以在移除金属掩模(图28的126)时使对第二下方电路图案554和555的损伤最小。在移除金属掩模(图28的126)之后，可以将粘合剂582提供到第一阻焊层571上。可以使用粘合剂582将透光层584附接至第一阻焊层571。因此，第二开口532可以被透光层584覆盖。然后，外部连接端子590(例如，焊料球)可以形成在第二阻焊层572的各开口中。
图30至图39是描绘根据又一实施例的制造嵌入式图像传感器封装的方法的横截面图。参照图30，可以提供具有上表面的图像传感器芯片131。光接收器132和连接构件134可以形成在图像传感器芯片131的上表面上。连接构件134可以形成为包围光接收器132。在一些实施例中，连接构件134可以由金属凸块形成。另选地，连接构件134可以由导电的焊盘形成。
金属掩模136可以形成为覆盖光接收器132。金属掩模136可以形成为覆盖光接收器132的上表面和侧壁。金属掩模136可被用作在后续的工艺步骤中保护光接收器132的掩模。可以使用相同的工艺同时形成连接构件134和金属掩模136。具体来说，金属层可以形成在图像传感器芯片131的上表面上以覆盖光接收器132，并且金属层可以被图案化以形成连接构件134和金属掩模136。在这种情况下，连接构件134和金属掩模136可以由相同的材料形成。
参照图31，核心层610可以附接至临时基板630，以提供结构600。在一些实施例中，临时基板630可以是粘性膜。核心层610可以在其中具有凹处614。凹处614的平面面积可以大于图像传感器芯片(图30的131)的平面面积，该图像传感器芯片在后续的工艺中置于凹处614中。虽然图31描绘了包含单个凹处614的示例，但是本公开的实施例不限于此。例如，在一些实施例中，两个或更多个凹处614形成在核心层610中。在这种情况下，多个图像传感器芯片可分别嵌入在核心层610的多个凹处614中，并且可以使用锯切工艺等将核心层610分成多片，使得核心层610的每一片都包含单个图像传感器芯片131。
第一上方电路图案621可以形成在核心层610的上表面上，并且第一下方电路图案622可以形成在核心层610的下表面上。第一上方电路图案621可以经由垂直地穿过核心层610的贯通电极612电连接至第一下方电路图案622。在一些实施例中，临时基板630可以附接至第一下方电路图案622。
参照图32，图像传感器芯片131可以附接至临时基板630的经由核心层610的凹处614露出的表面。图像传感器芯片131可以附接至临时基板630，使得图像传感器芯片131的与连接构件134和金属掩模136相反的下表面附接至临时基板630。因此，在图像传感器芯片131附接至临时基板630之后，可以露出连接构件134和金属掩模136。由于在核心层610中的凹处614的平面面积大于图像传感器芯片131的平面面积，因此核心层的经由凹处614露出的侧壁可以与图像传感器芯片131的侧壁分开。也就是，在凹处614的侧壁和图像传感器芯片131的侧壁之间可以存在间隙。第一下方电路图案622的表面可以与图像传感器芯片131的下表面共面。
参照图33，第一绝缘层711和第二绝缘层712可以形成为将核心层610和图像传感器芯片131嵌入到第一绝缘层711和第二绝缘层712中。具体来说，第一绝缘层711可以形成在核心层610的上表面上，以覆盖第一上方电路图案621、图像传感器芯片131、金属掩模136以及连接构件134。在形成第一绝缘层711之后，临时基板630可以从图像传感器芯片131和核心层610分离，并且第二绝缘层712可以形成在核心层610的下表面上，以覆盖第一下方电路图案622。
第一绝缘层711可以通过在核心层610的上表面之上沉积第一绝缘材料并且通过经由层压工艺向第一绝缘材料施加热量和压力来形成。类似地，第二绝缘层712也可以通过在核心层610的下表面之上沉积第二绝缘材料并且通过经由层压工艺向第二绝缘材料施加热量和压力来形成。在一些实施例中，第一绝缘层711和第二绝缘层712可以由相同的材料形成。
第一绝缘层711和第二绝缘层712可以由具有相对低的热膨胀系数的绝缘材料形成。例如，第一绝缘层711和第二绝缘层712的每一个可以由包含无机填料的聚合物树脂材料形成，该聚合物树脂材料相对于未填充的聚合物具有低的热膨胀系数。无机填料可以用作对图像传感器芯片121的光接收器122的污染源。因此，在形成第一绝缘层711和第二绝缘层712时可能需要防止光接收器132受到污染。在本实施例中，因为光接收器132的上表面和侧壁可以被金属掩模136覆盖，所以金属掩模136可以在形成第一绝缘层711和第二绝缘层712时防止光接收器132受到污染。
在形成第一绝缘层711和第二绝缘层712之后，第一晶种层721可以形成在第一绝缘层711上，并且第二晶种层722可以形成在第二绝缘层712上。在一些实施例中，第一晶种层721和第二晶种层722可以由铜层形成。可以当在后续的工艺步骤中使用电镀工艺而在第一绝缘层711和第二绝缘层712上生长用于形成互连图案的金属层时，涂覆第一晶种层721和第二晶种层722。但是，在使用其它工艺来形成金属层的实施例中，可以不形成第一晶种层721和第二晶种层722。例如，如果用于形成互连图案的金属层是使用沉积工艺(例如，化学气相沉积(CVD)工艺或物理气相沉积(PVD)工艺)而沉积在第一绝缘层711和第二绝缘层712上，则可以不需要在第一绝缘层711和第二绝缘层712上分别形成第一晶种层721和第二晶种层722。
参照图34，第一晶种层721和第一绝缘层711可以被图案化，以形成露出连接构件134的第一上方通孔741、以及露出第一上方电路图案621的第二上方通孔742。此外，第二晶种层722和第二绝缘层712可以被图案化，以形成露出第一下方电路图案622的下方通孔743。在一些实施例中，可以使用激光打孔工艺形成第一上方通孔741、第二上方通孔742以及下方通孔743。
参照图35，可以使用将第一晶种层(图34的721)作为晶种层的电镀工艺把第一金属层750形成在第一绝缘层711上以及第一上方通孔741和第二上方通孔742中；并且可以使用将第二晶种层(图34的722)作为晶种层的电镀工艺把第二金属层760形成在第二绝缘层712上以及下方通孔743中。在一些实施例中，可以使用单个电镀工艺同时形成第一金属层750和第二金属层760。
参照图36，第一金属层(图35的750)可以被图案化以形成第二上方电路图案751和752。第二上方电路图案751可以形成为经由第二上方通孔742电连接至第一上方电路图案621。第二上方电路图案752可以形成为经由第一上方通孔741电连接至连接构件134。第二金属层(图35的760)可以被图案化以形成第二下方电路图案754和755。第二下方电路图案754可以形成为经由下方通孔743电连接至第一下方电路图案622。
参照图37，第一阻焊层771可以形成在第一绝缘层711上，以覆盖第二上方电路图案751和752。第一阻焊层771可以被图案化以形成第一初步开口730’，该第一初步开口730’露出第一绝缘层711的位于金属掩模136之上的部分。第一初步开口730’可以限定包含光接收器132的光接收区域。第一初步开口730’可以形成为和金属掩模136重叠。在一些实施例中，第一初步开口730’可以形成为具有大于或等于金属掩模136的平面面积的平面面积。此外，第二阻焊层772可以形成在第二绝缘层712的下表面上，以覆盖第二下方电路图案754和755。第二阻焊层772可以形成为具有露出第二下方电路图案754和755的开口。
参照图38，可以使用第一阻焊层771作为刻蚀掩模选择地刻蚀第一绝缘层711的露出的部分，以形成露出金属掩模136的第一开口730。在形成第一开口730之后，保护层775可以形成在第一绝缘层711的经由第一开口730露出的内侧壁上。保护层775可以形成为延伸到第二上方电路图案752和第一绝缘层711的经由第一开口730露出的内侧壁上。保护层775可以由粘性材料或底部填充材料形成。保护层775可以形成为覆盖第一开口730的所有侧壁。因此，光接收器132的所有侧壁都可以被保护层775包围。保护层775的内侧壁可以限定比第一开口730更窄的第二开口(图39的732)。金属掩模136仍可以经由第二开口732露出。
参照图39，在形成保护层775之后，可以移除金属掩模(图38的136)。当移除金属掩模(图38的136)时，第二上方电路图案751和752可以被第一阻焊层771覆盖。因此，在移除金属掩模(图38的136)时，第一阻焊层771可以防止第二上方电路图案751和752被刻蚀或受损。同时，在移除金属掩模(图38的136)时，第二下方电路图案754和755可能被第二阻焊层772的开口露出。因此，第二下方电路图案754和755可以由相对于金属掩模(图38的136)具有高刻蚀选择性的金属材料形成，以在移除金属掩模(图38的136)时，使对第二下方电路图案754及755的损伤最小。
在移除金属掩模(图38的136)之后，可以将粘合剂782提供到第一阻焊层771上。可以使用粘合剂782将透光层784附接至第一阻焊层771。因此，第二开口732可以被透光层784覆盖。然后，外部连接端子790(例如，焊料球)可以形成在第二阻焊层772的各开口中。
上文出于例示目的已经公开了实施例。本领域技术人员将理解，在不脱离随附的权利要求书中公开的发明概念的范围和精神的情况下，各种修改、增加及替换都是可以的。

Claims (22)

1.一种嵌入式图像传感器封装，该嵌入式图像传感器封装包括：
核心层，所述核心层中具有凹处；
图像传感器芯片，所述图像传感器芯片设置在所述凹处中并且具有上表面，在所述上表面上设置有光接收器和连接构件；
第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述核心层的上表面和所述图像传感器芯片的上表面上，并且具有开口，所述开口限定包含所述光接收器的光接收区域；
保护层，所述保护层设置在所述光接收器与所述第一绝缘层之间并且包围所述光接收器，使得所述光接收器和所述第一绝缘层彼此隔开；以及
透光层，所述透光层设置在所述光接收器上方，
其中，所述保护层沿着所述光接收区域的边缘设置并且使所述光接收器露出。
2.根据权利要求1所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装还包括：
第一上方电路图案，所述第一上方电路图案设置在所述核心层的上表面上；以及
第一下方电路图案，所述第一下方电路图案设置在所述核心层的下表面上。
3.根据权利要求2所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一下方电路图案的下表面与所述图像传感器芯片的下表面共面。
4.根据权利要求2所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一上方电路图案经由穿过所述核心层的贯通电极电连接至所述第一下方电路图案。
5.根据权利要求2所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装还包括第二上方电路图案，所述第二上方电路图案设置在所述第一绝缘层的与所述核心层相反的上表面上，并且分别连接至所述连接构件和所述第一上方电路图案。
6.根据权利要求5所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层从连接至所述连接构件的所述第二上方电路图案延伸，并且覆盖所述第一绝缘层的经由所述开口露出的内侧壁的整个表面。
7.根据权利要求6所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层和所述第二上方电路图案包含相同的材料。
8.根据权利要求6所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装还包括第一阻焊层，所述第一阻焊层设置在所述第一绝缘层的上表面上，并且覆盖所述第二上方电路图案。
9.根据权利要求8所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一阻焊层在所述保护层的内侧壁的整个表面上方延伸。
10.根据权利要求9所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述透光层使用粘性层被附接至所述第一阻焊层的上表面。
11.根据权利要求5所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装还包括第一阻焊层，所述第一阻焊层设置在所述第一绝缘层的上表面上，并且覆盖所述第二上方电路图案。
12.根据权利要求11所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层从所述第一阻焊层延伸，并且覆盖所述第一绝缘层的经由所述开口露出的内侧壁的整个表面。
13.根据权利要求12所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述透光层使用粘性层被附接至所述第一阻焊层的上表面。
14.根据权利要求5所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装还包括第一阻焊层，所述第一阻焊层设置在所述第一绝缘层的上表面上，并且覆盖所述第二上方电路图案，
其中，所述开口向上延伸并且穿过所述第一阻焊层。
15.根据权利要求14所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层覆盖所述第一绝缘层的内侧壁、连接至所述连接构件的所述第二上方电路图案的内侧壁、以及所述第一阻焊层的经由所述开口露出的内侧壁。
16.根据权利要求15所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述保护层包含粘性材料或底部填充材料。
17.根据权利要求14所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述透光层使用粘性层被附接至所述第一阻焊层的上表面。
18.根据权利要求2所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述核心层的下表面上，并且覆盖所述第一下方电路图案以及所述图像传感器芯片的下表面。
19.根据权利要求18所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装还包括第二下方电路图案，所述第二下方电路图案设置在所述第二绝缘层的与所述核心层相反的下表面上，
其中，所述第二下方电路图案穿过所述第二绝缘层以接触所述第一下方电路图案。
20.根据权利要求19所述的嵌入式图像传感器封装，所述嵌入式图像传感器封装还包括第二阻焊层，所述第二阻焊层设置在所述第二绝缘层的下表面上，并且覆盖所述第二下方电路图案，
其中，所述第二阻焊层具有使所述第二下方电路图案露出的通孔。
21.根据权利要求18所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括相同的材料。
22.根据权利要求21所述的嵌入式图像传感器封装，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的每一个包括含有无机填料并且具有相对低的热膨胀系数的聚合物树脂材料。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104486986B (zh) 2012-07-26 2018-06-01 德普伊辛迪斯制品公司 光不足环境中的连续视频
EP2877080B1 (en) 2012-07-26 2020-07-22 DePuy Synthes Products, Inc. Ycbcr pulsed illumination scheme in a light deficient environment
JP2016519591A (ja) 2013-03-15 2016-07-07 オリーブ・メディカル・コーポレイションＯｌｉｖｅ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ パルスカラー撮像システムにおける超解像度及び色運動アーチファクト補正
US10251530B2 (en) 2013-03-15 2019-04-09 DePuy Synthes Products, Inc. Scope sensing in a light controlled environment
US9777913B2 (en) 2013-03-15 2017-10-03 DePuy Synthes Products, Inc. Controlling the integral light energy of a laser pulse
JP6573960B2 (ja) 2014-03-21 2019-09-11 デピュイ・シンセス・プロダクツ・インコーポレイテッド イメージングセンサ用のカードエッジコネクタ
JP6230124B2 (ja) * 2014-12-05 2017-11-15 太陽誘電株式会社 撮像素子内蔵基板及びその製造方法、並びに撮像装置
CN109698208B (zh) * 2017-10-20 2023-06-30 新加坡有限公司 图像传感器的封装方法、图像传感器封装结构和镜头模组
KR102015910B1 (ko) 2018-01-24 2019-10-23 삼성전자주식회사 팬-아웃 센서 패키지
KR102386468B1 (ko) * 2019-05-10 2022-04-15 한국전자기술연구원 감광성 라미네이트를 이용한 반도체 패키지 및 그 제조방법
CN111787202A (zh) * 2020-07-13 2020-10-16 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组、电子设备以及具有其的车辆
TWI780876B (zh) * 2021-08-25 2022-10-11 旭德科技股份有限公司 封裝載板及封裝結構
WO2023053503A1 (ja) * 2021-09-30 2023-04-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101211945A (zh) * 2006-12-29 2008-07-02 育霈科技股份有限公司 具晶粒接收通孔的半导体影像元件封装结构及其方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7141782B2 (en) 2004-05-24 2006-11-28 Exquisite Optical Technology, Ltd. Image sensor with protective package structure for sensing area
US20080191297A1 (en) * 2007-02-12 2008-08-14 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Wafer level image sensor package with die receiving cavity and method of the same
US20080237764A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Fujifilm Corporation Semiconductor element and method for manufacturing the same
TW200952142A (en) * 2008-06-13 2009-12-16 Phoenix Prec Technology Corp Package substrate having embedded semiconductor chip and fabrication method thereof
TWI384602B (zh) * 2008-06-13 2013-02-01 Unimicron Technology Corp 嵌埋有感光半導體晶片之封裝基板及其製法
US8232633B2 (en) * 2008-09-25 2012-07-31 King Dragon International Inc. Image sensor package with dual substrates and the method of the same
US8450822B2 (en) * 2009-09-23 2013-05-28 International Business Machines Corporation Thick bond pad for chip with cavity package
CN102893593B (zh) * 2010-06-28 2016-11-23 京瓷株式会社 布线基板及摄像装置以及摄像装置模块
CN102339842A (zh) * 2011-10-08 2012-02-01 江阴长电先进封装有限公司 无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法
US8823126B2 (en) * 2012-05-04 2014-09-02 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Low cost backside illuminated CMOS image sensor package with high integration
JP6034725B2 (ja) * 2013-03-05 2016-11-30 太陽誘電株式会社 カメラモジュール
KR20140126598A (ko) * 2013-04-23 2014-10-31 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR102055840B1 (ko) * 2014-02-20 2019-12-17 삼성전자 주식회사 이미지 센서 패키지

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101211945A (zh) * 2006-12-29 2008-07-02 育霈科技股份有限公司 具晶粒接收通孔的半导体影像元件封装结构及其方法

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