TWI646837B - 抗干擾顯示面板和抗干擾線路 - Google Patents

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Abstract

一種抗干擾顯示面板包含源極驅動晶片、切換信號線、多工器和抗干擾線路。源極驅動晶片用於產生資料信號。切換信號線用於傳輸切換信號。多工器用於接收資料信號和切換信號，並用於依據切換信號輸出資料信號。抗干擾線路用於傳輸抗干擾信號。其中，抗干擾線路上形成等效電阻以及等效電容，且等效電阻之電阻值近似於切換信號線所耦接之負載電阻之電阻值，等效電容之電容值近似於切換信號線所耦接之負載電容之電容值。其中，抗干擾信號的電壓會於切換信號的電壓上升時下降，並於切換信號的電壓下降時上升。

Description

抗干擾顯示面板和抗干擾線路
本揭示文件有關一種顯示面板及線路，尤指一種可降低雜訊干擾的抗干擾顯示面板及抗干擾線路。
傳統的顯示面板會將源極驅動晶片搭配上多工器使用，以減少所需要的源極驅動晶片數量。然而，驅動多工器所需的多個切換訊號，會透過電容耦合效應對顯示面板的主動區造成干擾，因而降低了使用者對於顯示面板的使用體驗。
有鑑於此，如何提供可降低雜訊干擾的抗干擾顯示面板與抗干擾線路，實為業界有待解決的問題。
抗干擾顯示面板包含源極驅動晶片、切換信號線、多工器和抗干擾線路。源極驅動晶片用於產生資料信號。切換信號線用於傳輸切換信號。多工器用於接收資料信號和切換信號，並用於依據切換信號輸出資料信號。抗 干擾線路用於傳輸抗干擾信號，抗干擾線路上形成等效電阻以及等效電容，且等效電阻之電阻值近似於切換信號線所耦接之負載電阻之電阻值，等效電容之電容值近似於切換信號線所耦接之負載電容之電容值。其中，抗干擾信號的電壓會於切換信號的電壓上升時下降，並於切換信號的電壓下降時上升。
抗干擾線路用於傳輸抗干擾信號以降低切換信號線上的切換信號造成的耦合效應，該抗干擾線路上形成等效電阻以及等效電容，且該等效電阻的電阻值近似於該切換信號線所耦接之負載電阻的電阻值，該等效電容的電容值近似於該切換信號線所耦接之負載電容的電容值。其中，該抗干擾信號的電壓會於該切換信號的電壓上升時下降，並於該切換信號的電壓下降時上升。
100‧‧‧顯示面板
110‧‧‧源極驅動晶片
120-a~120-n‧‧‧多工器
130‧‧‧控制晶片
140‧‧‧主動區
200‧‧‧抗干擾顯示面板
210‧‧‧抗干擾線路
220-a~220-n‧‧‧多工器
221-a~221-c‧‧‧開關
223-a~223-c‧‧‧組態信號線
230‧‧‧主動區
240-a~240-c‧‧‧切換信號線
410‧‧‧第一區域
420‧‧‧第二區域
430‧‧‧抗干擾單元
501‧‧‧基板
503‧‧‧表面
510‧‧‧半導體層
511‧‧‧第一類型摻雜區
513‧‧‧第二類型摻雜區
520‧‧‧第一絕緣層
530‧‧‧第二絕緣層
540‧‧‧第一導電層
550‧‧‧第二導電層
610‧‧‧電容
DATA-a~DATA-n‧‧‧資料信號
SW-a~SW-c‧‧‧切換信號
XSG‧‧‧抗干擾信號
為讓揭示文件之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1圖為根據本揭示文件一實施例的顯示面板簡化後的功能方塊圖。
第2圖為本揭示文件一實施例的抗干擾顯示面板簡化後的功能方塊圖。
第3圖為第2圖的抗干擾顯示面板的一運作實施例簡化後的時序圖。
第4圖為第2圖的抗干擾線路的一實施例簡化後的局部 俯視圖。
第5圖為第4圖的其中一個抗干擾單元於X-X’直線上簡化後的局部剖面圖。
第6圖為第5圖中的抗干擾單元的一運作實施例簡化後的剖面圖。
以下將配合相關圖式來說明本發明的實施例。在圖式中，相同的標號表示相同或類似的元件或方法流程。
第1圖為根據本揭示文件一實施例的顯示面板100簡化後的功能方塊圖。如第1圖所示，顯示面板100包含一源極驅動晶片110、多個多工器120-a~120-n、一控制晶片130和一主動區140。其中，源極驅動晶片110用於將多個資料信號分別輸出至多工器120-a~120-n。而每個多工器120則用於依據控制晶片130傳來的多個切換信號，將接收到的資料信號輸出至主動區140中一對應的源極信號線，以控制主動區140顯示一顯示畫面。為使圖面簡潔而易於說明，顯示面板100中的其他元件與連接關係並未繪示於第1圖中。
由於前述的切換信號的是週期性的時脈信號，且主動區140和傳遞切換信號的多條信號線之間無法避免地存在著寄生電容，所以切換信號的交流成分會透過電容耦合效應傳遞至主動區140，進而對主動區140的顯示畫面造成干擾。而若主動區140除了顯示功能之外，尚具有偵測 觸控信號的功能，則主動區140所偵測到的觸控信號亦會受到切換信號的干擾。
為解決上述切換信號造成的干擾問題，本揭示文件提出了一種抗干擾顯示面板200。抗干擾顯示面板200的一實施例簡化後的功能方塊圖繪示於第2圖中。如第2圖所示，抗干擾顯示面板200包含一抗干擾線路210、多個多工器220-a~220-n、一主動區230和多個切換信號線240a~240-c。其中切換信號線240a~240-c分別用於傳送切換信號SW-a~SW-c，抗干擾線路210用於傳送一抗干擾信號XSG。
多工器220-a~220-n則分別用於接收資料信號DATA-a~DATA-n，且每個多工器220皆包含多個開關221-a~221-c和多個組態信號線223-a~223-c。開關221-a~221-c的第一端皆用於接收資料信號DATA，開關221-a~221-c的第二端則各自耦接於主動區230中對應的源極信號線。另外，開關221-a的控制端用於透過開關信號線223-a接收切換信號SW-a，開關221-b的控制端用於透過組態信號線223-b接收切換信號SW-b，且開關221-c的控制端用於透過組態信號線223-c接收切換信號SW-c。
多工器220會依據切換信號SW-a~SW-c的電壓準位，對應地將資料信號DATA輸出至開關221-a~221-c所對應的多條源極信號線的其中之一。例如，若切換信號SW1的電壓處於高準位，而切換信號SW2和SW3的電壓皆處於低準位，則開關221會導通而開關223和225則會關 閉，在此情況下，多工器220會將資料信號DATA輸出至開關221所對應的源極信號線。
實作上，抗干擾線路210可設置於開關221-a~221-n和任意一條切換信號線240之間，但並沒有電性連接於多工器220-a~220-n。為了敘述上的簡潔，以下以抗干擾線路210設置於開關221-a~221-n和切換信號線240-c之間為例進行說明。
本案說明書和圖式中使用的元件編號和信號編號中的小寫英文索引a~c以及a~n，只是為了方便指稱個別的元件和信號，並非有意將前述元件和信號置的數量侷限在特定數目。在本案說明書和圖式中，若使用某一元件編號或信號編號時沒有指明該元件編號或信號編號的索引，則代表該元件編號或信號編號是指稱所屬元件群組或信號群組中不特定的任一元件或信號。例如，元件編號220-a指稱的對象是多工器220-a，而元件編號220指稱的對象則是多工器220-a~220-n中不特定的任意多工器220。又例如，信號編號DATA-a指稱的對象是資料信號DATA-a，而信號編號DATA指稱的對象則是資料信號DATA-a~DATA-n中不特定的任意資料信號DATA。再例如，信號編號SW-a指稱的對象是切換信號SW-a，而信號編號SW指稱的對象則是切換信號SW-a~SW-c中不特定的任意切換信號SW。
第3圖為第2圖的抗干擾顯示面板200的一運作實施例簡化後的時序圖。如第3圖所示，切換信號SW-a~SW-c為彼此相位不相同的週期性時脈信號，當切換 信號SW-a~SW-c中任意一者的電壓處於最高準位時，其餘兩者的電壓會處於最低準位。而抗干擾信號XSG的電壓則被設置為在切換信號SW的電壓下降時上升，並在切換信號SW的電壓上升時下降。換言之，當切換信號SW-a~SW-c中任意一者的電壓變化時，抗干擾信號XSG的電壓會對應地反向變化。
請同時參照第2圖與第3圖，由於切換信號線240與主動區230之間存在寄生電容，所以切換信號SW的交流成分會透過電容耦合效應傳遞至主動區230。換言之，當切換信號SW的電壓上升時，切換信號SW的電壓變化會在主動區230引起一正脈衝信號，而當切換信號SW的電壓下降時，切換信號SW的電壓變化則會在主動區230引起一負脈衝信號。
同樣地，由於抗干擾線路210和主動區230之間也存在著寄生電容，所以當抗干擾信號XSG的電壓上升時，抗干擾信號XSG的電壓變化會在主動區230引起一正脈衝信號，而當抗干擾信號XSG的電壓下降時，抗干擾信號XSG的電壓變化則會在主動區230引起一負脈衝信號。
由上述內容可知，當切換信號SW於主動區230引起脈衝信號時，抗干擾信號XSG也會對應地於主動區230引起脈衝信號。並且，只要對抗干擾信號XSG的最高和最低電壓進行設定，便可以使抗干擾信號XSG引起的脈衝信號，近似反向對稱於切換信號SW引起的脈衝信號。如此一來，抗干擾信號XSG引起的脈衝信號與切換信號SW引起的 脈衝信號便會在一定程度上互相抵消，進而減輕了所有切換信號SW-a~SW-c對主動區230造成的干擾。
請注意，為了使抗干擾信號XSG引起的脈衝信號和切換信號SW引起的脈衝信號會近似於反向對稱，需要使抗干擾信號XSG的上升邊緣和下降邊緣的斜率，接近於切換信號SW-a~SW-c的上升邊緣和下降邊緣的斜率。因此，需要使抗干擾線路210上的等效電阻的電阻值和等效電容的電容值，近似於切換信號線240上的負載電阻的電阻值和負載電容的電容值。
第4圖為第2圖的抗干擾線路210的一實施例簡化後的局部俯視圖。如第4圖所示，抗干擾線路210包含有多個第一區域410、多個第二區域420和多個抗干擾單元430。其中，抗干擾線路210與每個組態信號線223的重疊處，皆設置有一個抗干擾單元410。
第一區域410和第二區域420用於在抗干擾線路210上形成一等效電阻，且抗干擾線路210上的等效電阻的電阻值，會近似於切換信號線240上的負載電阻的電阻值。
抗干擾單元430用於在抗干擾線路210上形成一等效電容，且抗干擾線路210上的等效電容的電容值，會近似於切換信號線240上的負載電容的電容值。
抗干擾線路210於第一區域410和第二區域420的導線寬度經過特別設計。第一區域410具有較寬的導線寬度，因此具有較低的阻抗，而第二區域420具有較窄的 導線寬度，因此具有較高的阻抗。藉由將低阻抗的第一區域410和高阻抗的第二區域420交替配置，便可以在抗干擾線路210上形成電阻值近似於切換信號線240的負載電阻的電阻值的等效電阻。
在第4圖的實施例中，開關221-a~221-c是以N型場效電晶體來實現，所以切換信號線240-a~240-c上的負載電容皆具有動態變化的電容值。
具體而言，場效電晶體導通時的閘極電容值，會大於其關斷時的閘極電容值，而切換信號線240-a~240-c各自耦接到開關221-a~221-c的閘極。因此，當開關221由關閉狀態切換為導通狀態時，對應的切換信號線240上的負載電容的電容值便會增加。相對地，當開關221由導通狀態切換為關閉狀態時，對應的切換信號線240上的負載電容的電容值便會減少。
在本實施例中，為了使抗干擾線路210上的等效電容的電容值，能動態匹配於切換信號線240上的負載電容的電容值，每個抗干擾單元430被設置為一可變電容，用於提供抗干擾線路210一動態變化的電容值。關於抗干擾單元430的結構和運作實施例，請參考第5圖、第6圖以及後續說明。
請注意，前述第4圖中的抗干擾線路210的局部俯視圖只是一示範性的實施例，並非侷限本發明的實際實施方式。例如，在某些實施例中，抗干擾單元430只設置於抗干擾線路210與多個組態信號線223的多個重疊處中的部 分重疊處，而不會設置於抗干擾線路210與每個組態信號線223的重疊處。
第5圖為第4圖的其中一個抗干擾單元430於X-X’直線上簡化後的局部剖面圖。如第5圖所示，抗干擾單元430包含一半導體層510、一第一絕緣層520、一第二絕緣層530、一第一導電層540和一第二導電層550。半導體層510設置於一基板501的一表面503上。第一絕緣層520接合於表面503和半導體層510，第二絕緣層530則接合於該第一絕緣層520，並和第一絕緣層520共同包覆第二導電層550。第一導電層540則接合於第二絕緣層530，並透過貫穿第一絕緣層520和第二絕緣層530的一通孔(via hole)部分接合於半導體層510。另外，第二導電層550位於第一導電層540和半導體層510之間。
實作上，可以使用多層不同的絕緣材料來實現第一絕緣層520和/或第二絕緣層530。
請同時參照第4圖和第5圖。第一導電層540構成了抗干擾線路210的表面，用於傳遞抗干擾信號XSG。第二導電層550則是多工器220用於接收切換信號SW的組態信號線223。
換言之，每條組態信號線223皆會貫穿一對應的抗干擾單元430，並且位於抗干擾單元430內部的該部分組態信號線223，用於形成抗干擾單元430的第二導電層550。
半導體層510由一第一類型摻雜區511和一第 二類型摻雜區513組成。第一類型摻雜區511接合於第一導電層540，而第二摻雜區513則位於第一類型摻雜區511、第一絕緣層520和表面503所形成的一封閉區域中，且沒有接合於第一導電層540。
另外，第二導電層550於表面503所形成的一投影會重疊於第二類型摻雜區513，亦即第二類型摻雜區513位於第二導電層550和基板501之間。在本實施例中，第一類型摻雜區511是一N+型的外質半導體層，第二類型摻雜區513則是一無摻雜的本質半導體層。
第一導電層540、第二導電層550、第一絕緣層520、第一類型摻雜區511和第二類型摻雜區513形成了一近似於場效電晶體的結構。第一導電層540相當於場效電晶體的源極電極或汲極電極，第二導電層550和第一絕緣層520分別相當於場效電晶體的閘極電極和閘極絕緣層，第一類型摻雜區511相當於場效電晶體的源極摻雜區或汲極摻雜區，而第二類型摻雜區513則相當於場效電晶體的基體。
在本實施例中，用於形成第一類型摻雜區511的N+型的外質半導體材質，相同於用於形成開關221的源/汲極摻雜區的半導體材質，而用於形成第二類型摻雜區513的本質半導體材質，相同於用於形成開關221的基體(substrate)的半導體材質。因此，前述由第一導電層540、第二導電層550、第一絕緣層520、第一類型摻雜區511和第二類型摻雜區513所形成近似於場效電晶體的結構，會具有與開關221相似的運作特徵。
具體而言，當切換信號SW的電壓大於一特定電壓值而將對應的開關221開啟時，第一類型摻雜區511中的載子便會大量被吸引至第二類型摻雜區513，使得第二類型摻雜區513的電阻值大幅降低，表現出相似於導體的特性。而當切換信號SW的電壓小於前述特定電壓值而將對應的開關221關閉時，因為第一類型摻雜區511中的載子不再被吸引至第二類型摻雜區513，第二類型摻雜區513便會具有相當高的電阻值，表現出相似於絕緣體的特性。換言之，第二類型摻雜區513的電阻值會隨著切換信號SW的電壓上升而下降，並會隨著切換信號SW的電壓下降而上升。
實作上，可以使用製作開關221的源/汲極摻雜區和基體的半導體製程步驟，來實現第一類型摻雜區511和第二類型摻雜區513。
第6圖為第5圖中的抗干擾單元430的一運作實施例簡化後的剖面圖。如第6圖所示，當切換信號SW大於特定電壓並使開關221導通時，第二類型摻雜區513會因來自第一類型摻雜區511的載子的大量注入而表現出相似於導體的特性。因此，會有一電容610形成於第二導電層550和第二類型摻雜區513之間。
具體而言，第二導電層550和第二類型摻雜區513分別形成了電容610的兩個電極，第一絕緣層520則形成了電容610的介電質層。
另一方面，當切換信號SW小於特定電壓並使開關221關閉時，第一類型摻雜區511的載子不再注入第二 類型摻雜區513，使得第二類型摻雜區513表現出相似於絕緣體的特性。此時，第二類型摻雜區513無法作為電容610的電極，電容610也就不會形成於第二導電層550和第二類型摻雜區513之間。
換言之，在開關221導通的情況下，抗干擾單元430會在抗干擾線路210上形成等效電容(即電容610)，藉以增加抗干擾線路210的等效電容值。另外，在開關221關閉的情況下，抗干擾單元430不會在抗干擾線路210上形成等效電容。如此一來，便可以使抗干擾線路210上的等效電容的電容值，動態近似於切換信號線240上的負載電容的電容值。
實作上，可以依據開關221的運作特徵決定用於製作抗干擾單元430的材料。例如，在開關221是由P型場效電晶體所實現某些實施例中，第一類型摻雜區511是P+型的外質半導體層，而第二類型摻雜區513則是無摻雜的本質半導體層。
在前述開關221是由P型場效電晶體所實現的某些實施例中，當切換信號SW小於某一特定電壓並使開關221導通時，第二類型摻雜區513相當於一導體。因此，電容610會形成於第二導電層550和第二類型摻雜區513之間。
另一方面，當切換信號SW大於某一特定電壓並使開關221關閉時，第二類型摻雜區513相當於一絕緣體，無法作為電容610的電極。因此，電容610不會形成於 第二導電層550和第二類型摻雜區513之間。
另外，第一類型摻雜區511和第二類型摻雜區513之間，可以按照製程需求設置摻雜類型與第一類型摻雜區511相同，但是摻雜濃度較低的一第一類型低度摻雜區。
例如，在一些實施例中，第一類型摻雜區511為N+型的外質半導體層，第二類型摻雜區513為無摻雜的本質半導體層，而第一類型摻雜區511和第二類型摻雜區513之間設置有一第一類型低度摻雜區，且第一類型低度摻雜區為N-型的外質半導體層。換言之，在該一些實施例中，第二類型摻雜區513是位於第一類型低度摻雜區、第一絕緣層520、和基板501的表面503形成的一封閉區域中。
在上述的該一些實施例中，由於第一類型低度摻雜區和第一類型摻雜區511的摻雜類型相同，所以當切換信號SW大於某一特定電壓並使開關221導通時，第一類型低度摻雜區和第一類型摻雜區511中相同類型的載子會注入第二類型摻雜區513，使得第二類型摻雜區513相當於一導體。此時，電容610便會形成於第二導電層550和第二類型摻雜區513之間。
另一方面，當切換信號SW小於某一特定電壓並使開關221關閉時，第一類型低度摻雜區和第一類型摻雜區511中相同類型的載子不會注入第二類型摻雜區513，使得第二類型摻雜區513相當於一絕緣體。此時，電容610便不會形成於第二導電層550和第二類型摻雜區513之間。
綜上所述，抗干擾顯示面板200藉由利用抗干 擾線路210傳遞抗干擾信號XSG，能減輕切換信號SW透過電容耦合效應對主動區230造成的干擾。
另外，抗干擾單元430能使抗干擾線路210上的等效電容的電容值，動態近似於切換信號線240上的負載電容的電容值，並使抗干擾線路210上的等效電阻的電阻值，近似於切換信號線240上的負載電阻的電阻值。因此，能使抗干擾信號XSG於主動區230引起的脈衝信號，接近反向對稱於切換信號SW於主動區230引起的脈衝信號。如此一來，便可以進一步提升抗干擾顯示面板200的抗干擾效果。
此外，抗干擾單元430中近似於場效電晶體的結構，可使用與開關221相同的半導體製程實現。因此，大幅降低了以現有製程設備和技術實現抗干擾顯示面板200的困難度。
在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。然而，所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，同樣的元件可能會用不同的名詞來稱呼。說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異做為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍所提及的「包含」為開放式的用語，故應解釋成「包含但不限定於」。另外，「耦接」在此包含任何直接及間接的連接手段。因此，若文中描述第一元件耦接於第二元件，則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學傳輸等信號連接方式而直接地連接於第二元件，或者通過其他元件或連接手段間接地電性或信號連接 至該第二元件。
在此所使用的「及/或」的描述方式，包含所列舉的其中之一或多個項目的任意組合。另外，除非說明書中特別指明，否則任何單數格的用語都同時包含複數格的涵義。
以上僅為本發明的較佳實施例，凡依本發明請求項所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的涵蓋範圍。

Claims (16)

  1. 一種抗干擾顯示面板，包含：一源極驅動晶片，用於產生一資料信號；一切換信號線，用於傳輸一切換信號；一多工器，用於接收該資料信號和該切換信號，並用於依據該切換信號輸出該資料信號；一抗干擾線路，用於傳輸一抗干擾信號，其中，該抗干擾線路上形成一等效電阻以及一等效電容，且該等效電阻之電阻值近似於該切換信號線所耦接之一負載電阻之電阻值，該等效電容之電容值近似於該切換信號線所耦接之一負載電容之電容值；其中，該抗干擾信號的電壓會於該切換信號的電壓上升時下降，並於該切換信號的電壓下降時上升。
  2. 如請求項1所述的抗干擾顯示面板，其中，該抗干擾線路具有不同寬度的一第一區域和一第二區域，用於使該抗干擾線路形成該等效電阻。
  3. 如請求項2所述的抗干擾顯示面板，其中，該第一區域的寬度大於該第二區域的寬度。
  4. 如請求項1所述的抗干擾顯示面板，其中，該抗干擾線路包含一抗干擾單元，用於使該抗干擾線路形成該等效電容，該抗干擾單元包含： 一半導體層，設置於一基板的一表面；一第一絕緣層，接合於該基板的該表面和該半導體層；一第二絕緣層，接合於該第一絕緣層；一第一導電層，部分接合於該半導體層；一第二導電層，位於該半導體層和該第一導電層之間，用於接收該切換信號，其中，該第一絕緣層與該第二絕緣層包覆該第二導電層。
  5. 如請求項4所述的抗干擾顯示面板，其中，該半導體層包含：一第一類型摻雜區，接合於該第一導電層；一第二類型摻雜區，位於該第一類型摻雜區、該第一絕緣層、和該基板的該表面形成的一封閉區域中。
  6. 如請求項4所述的抗干擾顯示面板，其中，該半導體層包含：一第一類型摻雜區，接合於該第一導電層；一第一類型低度摻雜區，接合於該第一類型摻雜區；一第二類型摻雜區，位於該第一類型低度摻雜區、該第一絕緣層、和該基板的該表面形成的一封閉區域中。
  7. 如請求項5或6所述的抗干擾顯示面板，其中，該第二類型摻雜區與該第二導電層於該基板的該表 面的一投影的至少一部分重疊。
  8. 如請求項5或6所述的抗干擾顯示面板，其中，該第二類型摻雜區的一電阻值會隨著該切換信號的電壓上升而下降，並會隨著該切換信號的電壓下降而上升。
  9. 一種抗干擾線路，用於傳輸一抗干擾信號以降低一切換信號線上的一切換信號造成的耦合效應，其中，該抗干擾線路上形成一等效電阻以及一等效電容，且該等效電阻的電阻值近似於該切換信號線所耦接之一負載電阻的電阻值，該等效電容的電容值近似於該切換信號線所耦接之一負載電容的電容值；其中，該抗干擾信號的電壓會於該切換信號的電壓上升時下降，並於該切換信號的電壓下降時上升。
  10. 如請求項9所述的抗干擾線路，其中，該抗干擾線路具有不同寬度的一第一區域和一第二區域，用於使該抗干擾線路形成該等效電阻值。
  11. 如請求項10所述的抗干擾線路，其中，該第一區域的寬度大於該第二區域的寬度。
  12. 如請求項9所述的抗干擾線路，其中， 該抗干擾線路包含一抗干擾單元，用於使該抗干擾線路形成該等效電容值，該抗干擾單元包含：一半導體層，設置於一基板的一表面；一第一絕緣層，接合於該基板的該表面和該半導體層；一第二絕緣層，接合於該第一絕緣層，且該第一絕緣層與該第二絕緣層包覆該切換信號線；一第一導電層，部分接合於該半導體層；一第二導電層，位於該半導體層和該第一導電層之間，用於接收該切換信號，其中，該第一絕緣層與該第二絕緣層包覆該第二導電層。
  13. 如請求項12所述的抗干擾線路，其中，該半導體層包含：一第一類型摻雜區，接合於該第一導電層；一第二類型摻雜區，位於該第一類型摻雜區、該第一絕緣層、和該基板的該表面形成的一封閉區域中。
  14. 如請求項12所述的抗干擾線路，其中，該半導體層包含：一第一類型摻雜區，接合於該第一導電層；一第一類型低度摻雜區，接合於該第一類型摻雜區；一第二類型摻雜區，位於該第一類型低度摻雜區、該第一絕緣層、和該基板的該表面形成的一封閉區域中。
  15. 如請求項13或14所述的抗干擾線路，其中，該第二類型摻雜區與該第二導電層於該基板的該表面的一投影的至少一部分重疊。
  16. 如請求項13或14所述的抗干擾線路，其中，該第二類型摻雜區的一電阻值會隨著該切換信號的電壓上升而降低，並會隨著該切換信號的電壓下降而上升。
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