TWI645069B - 高頻天線電路及感應耦合電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種高頻天線電路，可一邊抑制匹配電路之發熱、一邊提升具備有分割天線之感應耦合電漿處理裝置之功率效率。
一種高頻天線電路，係用以在感應耦合電漿處理裝置之處理基板的處理室內生成感應耦合電漿者；其特徵在於具有：電漿生成天線，係於該處理室內生成電漿；高頻電源，係對該電漿生成天線供給高頻電力；匹配電路，係介設於該高頻電源與該電漿生成天線之間；複數分割天線，係構成該電漿生成天線，對於通過該匹配電路後之高頻電力進行分配者；以及並聯共振電容器電路，係於該複數分割天線之個別處並聯設置著。

Description

高頻天線電路及感應耦合電漿處理裝置
本發明係關於一種高頻天線電路及感應耦合電漿處理裝置。
伴隨FPD所使用玻璃基板之大型化，對其進行處理之電漿裝置也被逐漸要求大面積之電漿控制。以往以來係將可得到高密度電漿之感應耦合電漿處理裝置用於玻璃基板之處理上，但為了因應於上述要求，乃逐漸採行將天線加以多數分割而可對所分割之每個天線進行控制之方法。
作為分割天線之作法之一，有由以複數天線片所構成之螺旋天線與在該螺旋天線與處理室之間所配置之介電質或是鋁所構成之分割為複數之窗所組合而成者(專利文獻1)，此外，其他作法方面有於所分割的每個鋁窗配置直線天線(同樣為專利文獻1)。
此外，於專利文獻2記載了於天線設置並聯共振電路，來加大流經天線之電流的技術。
先前技術文獻
專利文獻1 日本特開2011-029584號公報
專利文獻2 日本特開2010-135298號公報
但是，對於具備分割天線而從高頻電源經過匹配電路來分配供給電流之感應耦合電漿處理裝置而言，若打算於處理室之內部形成大的感應電場，則必須增大分配於個別分割天線之電流。因此，於匹配電路流經大電流造成匹配電路發熱，功率耗損變大。
為了抑制匹配電路之發熱，只要減少來自高頻電源經由匹配電路而分 配至個別分割天線之分配電流即可，但一旦分配電流變小，則難以於處理室之內部形成充分的感應電場。
本發明係提供一種高頻天線電路以及感應耦合電漿處理裝置，可一邊抑制匹配電路之發熱、一邊對於具備分割天線而從高頻電源經由匹配電路來分配供給電流之感應耦合電漿處理裝置之處理室內部形成充分的感應電場。
本發明之第1態樣之高頻天線電路，係用以在感應耦合電漿處理裝置之處理基板的處理室內生成感應耦合電漿者；其特徵在於具有：電漿生成天線，係於該處理室內生成電漿；高頻電源，係對該電漿生成天線供給高頻電力；匹配電路，係介設於該高頻電源與該電漿生成天線之間；複數分割天線，係構成該電漿生成天線，對於通過該匹配電路後之高頻電力進行分配者；以及並聯共振電容器電路，係於該複數分割天線之個別處並聯設置著。
本發明之第2態樣之感應耦合電漿處理裝置，係於處理基板之處理室內生成感應耦合電漿者；其特徵在於具有：頂板，係設置於該處理室內之上部；電漿生成天線，係設置於該頂板上，由複數分割天線所構成；以及並聯共振電容器電路，係於該複數分割天線之個別處並聯設置著。
依據本發明，可提供一種高頻天線電路以及感應耦合電漿處理裝置，可一邊抑制匹配電路之發熱、一邊提升具備分割天線之感應耦合電漿處理裝置之功率效率。
1‧‧‧處理室
1a‧‧‧接地線
2,2-1~2-4‧‧‧金屬窗
3‧‧‧天線室
3a‧‧‧側壁
4‧‧‧處理室
4a‧‧‧側壁
4b‧‧‧底壁
4c‧‧‧搬出入口
4d‧‧‧排氣口
5‧‧‧支持架
6‧‧‧支持梁
7‧‧‧處理氣體流路
7a‧‧‧處理氣體釋出孔
8‧‧‧處理氣體供給管
9‧‧‧處理氣體供給系統
10‧‧‧絕緣物
11‧‧‧載置台
12‧‧‧絕緣體
13‧‧‧閘閥
14‧‧‧排氣管
15‧‧‧排氣裝置
16‧‧‧高頻天線(電漿生成天線)
16-1~16-25‧‧‧分割天線
17,17-1~17-4‧‧‧供電構件
18‧‧‧高頻電源
19‧‧‧匹配電路
21‧‧‧間隔物
22‧‧‧匹配電路
23‧‧‧偏壓電源
30-1~30-5‧‧‧並聯共振電容器電路
40‧‧‧電流計
50‧‧‧控制部
51‧‧‧使用者介面
52‧‧‧記憶部
C1~C4‧‧‧電容器
C5‧‧‧電容固定型電容器
G‧‧‧被處理基板
L1~L4‧‧‧線圈
L1a~L1d‧‧‧直線天線
L2a~L2d‧‧‧直線天線
L3a~L3d‧‧‧直線天線
L4a~L4d‧‧‧直線天線
N1‧‧‧電流分配點
N2‧‧‧分配點側連接點
N3‧‧‧接地點側連接點
VC1~VC4‧‧‧電容可變型電容器
VCa~VCe‧‧‧電容可變型電容器
圖1係示意顯示本發明之一實施形態之感應耦合電漿處理裝置之截面圖。
圖2A係顯示圖1所示感應耦合電漿處理裝置之金屬窗以及高頻天線之一例之俯視圖。
圖2B係顯示分割為9之情況之金屬窗以及高頻天線之一例之俯視圖。
圖2C係顯示分割為25之情況之金屬窗以及高頻天線之一例之俯視圖。
圖3係顯示本發明之一實施形態之感應耦合電漿處理裝置所具備之高頻天線電路之一電路例之電路圖。
圖4係顯示高頻天線電路之第1變形例之電路圖。
圖5係顯示高頻天線電路之第2變形例之電路圖。
圖6係顯示分割天線之第1變形例之俯視圖。
圖7係顯示具有圖6所示分割天線之感應耦合電漿處理裝置所具備之高頻天線電路之一電路例之電路圖。
圖8係顯示高頻天線電路之第3變形例之電路圖。
圖9係顯示高頻天線電路之第4變形例之電路圖。
圖10係顯示高頻天線電路之第5變形例之電路圖。
圖11係顯示高頻天線電路之第6變形例之電路圖。
圖12係顯示分割天線之第2變形例之俯視圖。
圖13係顯示具有圖12所示分割天線之感應耦合電漿處理裝置所具備之高頻天線電路之一電路例之電路圖。
以下，參見所附圖式針對本發明之實施形態來說明。
圖1係示意顯示本發明之一實施形態之感應耦合電漿處理裝置之截面圖，圖2A係顯示圖1所示感應耦合電漿處理裝置之金屬窗以及高頻天線之一例之俯視圖。此裝置係使用於例如在FPD用玻璃基板上形成薄膜電晶體之際之金屬膜、ITO膜、氧化膜等之蝕刻，或是阻劑膜之電漿清洗(ashing)處理上。此處，在FPD方面係舉例液晶顯示器(LCD)、電致發光(Electro Luminescence；EL)顯示器、電漿顯示器面板(PDP)等。
如圖1所示般，感應耦合電漿處理裝置係具有導電性材料例如內壁面被施以陽極氧化處理(耐酸鋁處理)之鋁所構成之方筒形狀的氣密處理室1。處理室1係利用接地線1a而接地。
處理室1之內部係利用和處理室1為絕緣形成之金屬窗2來上下區劃為天線室3與處理室4。金屬窗2在本例中係構成於處理室1內部所設之頂板，例如以非磁性體之導電性金屬所構成。作為非磁性體之導電性金屬之例為鋁或是含鋁合金。
於天線室3之側壁3a與處理室4之側壁4a之間設有朝處理室1內側突出之支持架5、以及兼做為處理氣體供給用之淋灑框體的十字形狀之支持梁6。當支持梁6兼做為淋灑框體之情況，於支持梁6之內部係形成有相對於被處理基板G之被處理面朝平行延伸之處理氣體流路7。於處理氣體流路7係連通著對處理室4內釋出處理氣體之複數處理氣體釋出孔7a。
於支持梁6之上部係以連通於氣體流路7的方式連接著處理氣體供給管8。處理氣體供給管8係從處理室1之天花板往處理室1之外側貫通，而連接於包含處理氣體供給源以及閥系統等之處理氣體供給系統9。於進行電漿處理之際，處理氣體係從處理氣體供給系統9經由處理氣體供給管8而供給至支持梁6之處理氣體流路7，然後，從處理氣體釋出孔7a釋出到處理室4內部。支持架5、以及支持梁6為導電性材料、較佳為以金屬構成。在金屬例方面為鋁。
金屬窗2在本例係如圖2A所示般分割為四個金屬窗2-1~2-4。於本例中，處理室4之平面形狀為矩形。本例中，支持梁6係以從矩形中心連結於各邊中點的方式以俯視觀看形成為十字形狀，且支持架5係包圍十字形狀之支持梁6周圍。藉此，於支持架5與支持梁6之間以格子狀形成四個開口。四個金屬窗2-1~2-4分別以阻塞四個開口的方式於支持架5以及支持梁6之上經由絕緣物10而被載置。藉此，金屬窗2-1~2-4相對於支持架5、支持梁6、以及處理室1受到絕緣，且金屬窗2-1~2-4彼此也相互絕緣。絕緣物10之材料例係例如陶瓷或聚四氟乙烯(PTFE)。此外，沿著圖2A中所示II線之截面係對應於圖 1所示截面。
於處理室4之底壁4b上配置著載置台11。載置台11係由導電性材料例如表面經過陽極氧化處理之鋁所構成，利用絕緣體12以相對於底壁4b成為絕緣之狀態來配置於底壁4b上。此外，載置台11於本例中係經由匹配電路22來連接於偏壓電源23。於載置台11之載置面上係載置被處理基板G例如LCD玻璃基板。被載置於載置台11之被處理基板G係利用在載置台11內部所設之未圖示靜電夾來吸附保持於載置台11之載置面上。
此外，於處理室4之側壁4a設有用以搬出搬入被處理基板G之搬出入口4c。搬出入口4c係藉由閘閥13而被開閉。
再者，於處理室4之底壁4b設有排氣口4d。排氣口4d係連接著排氣管14。排氣管14係連接於包含真空泵等之排氣裝置15。排氣裝置15係對於處理室4內部經由排氣管14以及排氣口4d來進行排氣。例如，對被處理基板G施以電漿處理之過程中，處理室4之內部係設定於既定真空度例如1.33Pa等低壓。
於天線室3之內部，高頻(RF)天線16係以面向於各個金屬窗2-1~2-4的方式來配置。高頻天線16係利用由絕緣構件所構成之間隔物21以相對於金屬窗2-1~2-4受到絕緣之狀態來受到隔離。高頻天線16係於處理室1之內部、本例中為於處理室4之內部生成電漿之電漿生成天線。
本例之高頻天線16係對應於金屬窗2-1~2-4分割為四，係以相對於每個金屬窗2-1~2-4分別獨立之分割天線16-1~16-4之集合體來構成。本例之分割天線16-1~16-4係如圖2A所示般分別包含有複數直線天線、於本例中為四根直線天線。本例之複數直線天線係以從金屬窗2-1~2-4之一端橫跨金屬窗2-1~2-4到另一端的方式來配置，且分別並聯連接。此外，針對高頻天線電路之電路例將於後述。
於分割天線16-1~16-4分別之一端係連接著供電構件17-1~17-4(圖1僅顯示17-1、17-2)。於分割天線16-1~16-4係從高頻電源18經由匹配電路19以及供電構件17-1~17-4被分配供給高頻電力。高頻電力之頻率之一例為例如13.56MHz。介設於高頻電源18與分割天線16-1~16-4之間的匹配電路19係用以於高頻電源18側與電漿負荷側之間進行阻抗匹配之電路，一般被稱為匹配器。匹配器於其內部具有可變電容器或是可變感應器、或是具備可變電容器以及可變感應器，藉由控制電容器之靜電電容以及感應器之電感，以進行高頻電源18側與電漿負荷側之間的阻抗匹配。
分割天線16-1~16-4分別另一端係例如連接於天線室3之側壁3a或是另外設置之接地電位構件來接地。此時，亦可於分割天線16-1~16-4與天線室3之側壁3a等接地電位構件之間設置終端電容器。
對分割天線16-1~16-4所供給之高頻電力係於處理室4之內部形成感應電場。從氣體釋出孔7a往處理室4內部釋出之處理氣體係藉由在處理室4內部所形成之感應電場來電漿化。
上述感應耦合電漿處理裝置係連接於由電腦所構成之控制部50而受到控制。控制部50係連接著使用者介面51以及記憶部52。使用者介面51包含有製程管理者為了管理感應耦合電漿處理裝置而進行指令輸入操作等之鍵盤、或是以視覺顯示感應耦合電漿處理裝置之運轉狀況的顯示器等。於記憶部52係儲存有所謂的配方，其係為了以控制部50之控制來實現在感應耦合電漿處理裝置所實行之各種處理的控制程式、或是為了因應於處理條件來於感應耦合電漿處理裝置之各構成部實行處理之程式。此外，配方也可記憶於硬碟或半導體記憶體中，也可在被收容於CD-ROM、DVD等可攜式記憶媒體的狀態下安置於記憶部52之既定位置。再者，也可從其他裝置例如經由專用線路來適宜傳送配方。此外，因應需要以來自使用者介面51之指示等而從記憶部52 呼叫出任意配方來於控制部50實行，藉此，在控制部50之控制下以感應耦合電漿處理裝置進行所希望之處理。
圖3係顯示本發明之一實施形態之感應耦合電漿處理裝置所具備之高頻天線電路之一電路例之電路圖。
如圖3所示般，高頻天線電路係具有上述高頻天線(電漿生成天線)16、高頻電源18、以及匹配電路19。高頻天線16係由複數分割天線、於本例中由四個分割天線16-1~16-4所構成。分割天線16-1~16-4係被分配到從高頻電源18通過匹配電路19後之高頻電力。本例之分割天線16-1~16-4中係並聯著複數直線天線。本例中，四根直線天線L1a~L1d、…L4a~L4d係並聯著。此外，直線天線雖非線圈天線，但由於擁有電感成分，故於圖3中係將直線天線L1a~L1d、…L4a~L4d以感應器之形式來顯示。此外，本例之高頻天線電路係具有分別和分割天線16-1~16-4並聯之並聯共振電容器電路30-1~30-4。並聯共振電容器電路30-1~30-4於內部具有電容器C1~C4。藉此，由分割天線16-1~16-4分別和並聯共振電容器電路30-1~30-4分別構成合計四個LC電路。
分割天線16-1~16-4之電感L之值、以及並聯共振電容器電路30-1~30-4之靜電電容C之值係設定在上述LC電路產生並聯共振而於分割天線16-1~16-4流經最大迴路電流之值、或是LC電路接近於並聯共振狀態而於分割天線16-1~16-4流經充分大之迴路電流之值。
並聯共振之式如下述(1)式。
1/LC=ω2…(1)
(1)式中，L為電感，C為靜電電容，ω為角頻率。角頻率ω=2π f(f為頻率)。
以往，具備分割天線、從高頻電源經由匹配電路來分配供給電流之感應耦合電漿處理裝置中，若為了於處理室內部形成大的感應電場而增 大流經個別分割天線之電流，則必須於匹配電路流經大的電流。一旦匹配電路流經大的電流，則會有在匹配電路之內部所設之線圈、電容器因發熱而功率耗損變大之情況。
針對如此之情事，一實施形態之感應耦合電漿處理裝置係於個別之分割天線16-1~16-4分別並聯上並聯共振電容器電路30-1~30-4。使用此等並聯共振電容器電路30-1~30-4來施以電漿處理之際，使得包含分割天線16-1~16-4與並聯共振電容器電路30-1~30-4之LC電路產生並聯共振、或是成為接近於並聯共振之狀態。藉此，於上述LC電路流經迴路電流。於LC電路流經迴路電流之結果，即便壓低流經匹配電路19之電流，仍可於分割天線16-1~16-4流經大的電流。藉由減少流經匹配電路19之電流，則流經於匹配電路19內部所設之線圈Lmatch、電容器C1match、C2match之電流值會變小，而可抑制此等元件發熱。
從而，依據一實施形態之具備分割天線之感應耦合電漿處理裝置，可得到一種可一邊抑制匹配電路之發熱、一邊於具備分割天線而從高頻電源經由匹配電路來分配供給電流之感應耦合電漿處理裝置之處理室之內部形成充分的感應電場之高頻天線電路以及感應耦合電漿處理裝置。
於上述一實施形態，並聯共振電容器電路30-1~30-4所含電容器C1~C4係設定為電容固定型。但是電容器C1~C4不限於電容固定型，也可如圖4所示般為電容可變型電容器VC1~VC4。當使用電容可變型電容器VC1~VC4之情況，則分割天線16-1~16-4可分別獨立，可個別調整並聯共振電容器電路30-1~30-4之靜電電容。因此，可針對個別分割天線16-1~16-4分別調整並聯共振之狀態。
此外，電容可變型電容器VC1~VC4相較於電容固定型電容器C1~C4來得昂貴。因此，當希望壓低感應耦合電漿處理裝置之價格的情況， 只要在並聯共振電容器電路30-1~30-4之電容器方面選擇電容固定型電容器C1~C4即可。
相對於此，當想要對處理室4內部所形成之感應電場之強度進行調整來控制處理室4內部之電漿分布的情況等，只要在並聯共振電容器電路30-1~30-4之電容器方面選擇電容可變型電容器VC1~VC4即可。此外，如圖5所示般，亦可在供電路徑中之電流分配點N1與作為分割天線16-1~16-4與並聯共振電容器電路30-1~30-4之分配點側連接點N2之間設置分配電流控制用之電容可變型電容器VCa~VCd。當設置分配電流控制用電容可變型電容器VCa~VCd之情況，可使得分割天線16-1~16-4獨立，而個別調整對分割天線16-1~16-4所供給之分配電流。藉由調整分配電流也可針對每個分割天線16-1~16-4來調整於處理室4內部所形成之感應電場之強度，例如可控制於處理室4內部所生成之電漿分布。
當然，分配電流控制用電容可變型電容器VCa~VCd可併用圖4所示並聯共振控制用電容可變型電容器VC1~VC4。併用之情況，由於可分別獨立控制分配電流以及並聯共振，而能例如以更高精度來控制電漿分布，此為優點所在。
此外，處理室4內部之電漿分布依據不同應用有最適當分布。例如，於記憶部52中事先記憶對於不同應用可成為最適當電漿分布之電容可變型電容器VC1~VC4之電容值或是電容可變型電容器VCa~VCd之電容值、或是其兩方之電容值，而依照應用來調整電容可變型電容器VC1~VC4或是電容可變型電容器VCa~VCd、或是其兩方之電容值。如此一來，能以一台感應耦合型電漿處理裝置來依據應用而於處理室4內部形成最適當電漿分布來進行電漿處理。
此外，如圖6所示般，分割天線亦可無須依照已分割之金屬窗2-1~2-4來做分割。圖6所示之例，對於金屬窗2-1~2-4係設置了5個分 割天線16-1~16-5。本例中，分割天線16-1~16-4係配置於處理室4之頂板周緣部，分割天線16-5係配置於處理室4之中央部。此外，如圖7之電路圖所示般，分割天線16-1~16-5分別和並聯共振電容器電路30-1~30-5並聯著。
如此般，即便分割天線16-1~16-5並未隨金屬窗2-1~2-4而分割，也可得到上述優點。
此外，圖2A所示分割天線中，亦可如圖8所示般，例如於分割天線16-1~16-4、分割天線16-1~16-4與並聯共振電容器電路30-1~30-4之接地點側連接點N3之間設置電流計40。使用電流計40來監測實際流經分割天線16-1~16-4之電流值，將此監測結果回饋至分配電流控制用電容可變型電容器VCa~VCe，而以例如處理室4之內部電漿分布成為均勻的方式、或是處理室4內部之電漿分布成為應用上最適當分布的方式來調整電容可變型電容器VCa~VCe之電容。
依據此構成，可基於實際流經分割天線16-1~16-4之電流值來控制分配電流，能以更高精度來控制於處理室4內部所生成之電漿分布。
此外，如圖9所示般，當並聯共振電容器電路30-1~30-4具備電容可變型電容器VC1~VC4之情況，也可將電流計40之監測結果回饋至共振狀態控制用電容可變型電容器VC1~VC4。於此情況，可基於實際流經分割天線16-1~16-4之電流值，以處理室4內部之電漿分布成為均勻的方式、或是處理室4內部之電漿分布成為應用上最適當分布的方式來控制由並聯共振電容器電路30-1~30-4以及分割天線16-1~16-4所構成之LC電路之共振狀態，藉此，可控制流經各分割天線之電流。
此外，雖未特別圖示，但也可將電流計40之監測結果回饋至共振狀態控制用電容可變型電容器VC1~VC4與分配電流控制用電容可變型電容器VCa~VCd，來控制上述LC電路之共振狀態以及分配電流之雙方。
於此情況，以處理室4內部之電漿分布成為均勻的方式、或是處理室4內部之電漿分布成為應用上最適當分布的方式進行控制之控制性可更為良好。
此外，於圖8以及圖9中針對分割天線分割為4之情況做了說明，但分割天線即便如圖6所示般分割為5之情況也當然同樣可設置電流計來測定電流值，控制各電容可變型電容器以控制電漿密度之分布。
此外，如圖6所示般，當分割天線分割為頂板之中央部的分割天線16-5與頂板之周緣部的分割天線16-1~16-4之情況，亦可如圖10所示般，例如於接近電流供給部之中央部的分割天線16-5處不設置電容可變型電容器VCe。
同樣地，亦可如圖11所示般，僅將和中央部之分割天線16-5相並聯之並聯共振電容器電路30-5當作電容固定型電容器C5。
如此一來，實際流經中央部之分割天線16-5的電流值可從相對於流經其他分割天線16-1~16-4之電流值的比來決定，可控制對周緣部之分割天線16-1~16-4之分配電流或是各LC電路之共振狀態或是這兩者。因此，可減少電容可變型電容器之數量，能以更簡易之構成來進行基於實際流經分割天線16-1~16-4之電流值的分配電流或是各LC電路之共振狀態或是這兩者的控制，此為優點所在。
此外，圖2B所示將周緣部做分割天線16-1~16-8之8分割而和中央之分割天線16-9合起來在全體上成為3×3之格子狀之9分割的情況、或是圖2C所示以分割天線16-1~16-25之5×5之格子狀來做25分割之情況也同樣地，可將和中央之分割天線16-9或是16-25並聯之電容器當作電容固定型電容器，而將和其他分割天線並聯之電容器當作電容可變型電容器。再者，超過25個而分割為多數並於中央具有分割天線之情況也同樣地可適用上述變形例。此外，當成為基準之電容固定型電容器所並聯之分割天線無須限制於中央之情況，即便為2×2之4 分割或4×4之16分割等分割為偶數而於中央無分割天線之情況，也可適用上述變形例。
此外，於上述實施形態，在處理室4之頂板方面使用了金屬窗2，但處理室4之頂板也可使用介電質窗例如石英製窗。
當處理室4之頂板使用介電質窗2a-1~2a-4之情況，如圖12所示般，分割天線16-1~16-4可不使用直線天線而是使用螺旋天線。於螺旋天線之情況，如圖13之電路圖所示般，分割天線16-1~16-4分別由一根線圈L1~L4所構成。因此，相較於使得複數直線天線並聯之情況，天線數會變少，流經匹配電路19之電流會變小。但是，分割天線16-1~16-4分別從高頻電源18經由匹配電路19而被分配電流之事並無改變。因此，即便分割天線16-1~16-4分別以一根螺旋天線所構成，藉由將並聯共振電容器電路30-1~30-4並聯於螺旋天線上，可進一步減少流經匹配電路19之電流，可得到上述優點。此優點會隨著分割天線之分割數從本實施形態般之“2×2=4”逐漸增加為例如“3×3=9”、“4×4=16”、“5×5=25”…而更為良好。
此外，介電質窗2a-1~2a-4如圖12所示般並未經由絕緣物10而載置於支持架5以及支持梁6之上。
此外，尤其雖未圖示，當頂板係使用介電質窗之情況，介電質窗本身也可不被分割。
如此之圖12、圖13所示之例可和圖4~圖11所示之例來併用。
此外，於本實施形態雖針對分割為4以上之分割天線詳述之，然不限定於此，即便是2分割或是3分割之分割天線之情況，只要是分割為複數者皆可同樣適用。
此外，在感應耦合電漿處理裝置所進行之電漿處理方面可舉出電漿清洗、蝕刻、CVD成膜等。
此外，被處理基板雖使用了FPD基板，然被處理基板為處理半導體晶圓等其他基板之情況也可適用。

Claims (9)

  1. 一種感應耦合電漿處理裝置，係於處理基板之處理室內生成感應耦合電漿者；其特徵在於具有：頂板，係設置於該處理室內之上部，由複數之分割金屬板所構成；電漿生成天線，係設置於該頂板上，由分別對應於該複數之分割金屬板而並聯結合之複數分割天線所構成；高頻電源，係對該電漿生成天線供給高頻電力；匹配電路，係介設於該高頻電源與該電漿生成天線之間；以及並聯共振電容器電路，係於該複數分割天線之個別處並聯設置著，僅以電容器所構成；該分割天線係由並聯連接之複數條直線天線所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之感應耦合電漿處理裝置，其中該並聯共振電容器電路之至少一者係包含和該分割天線並聯之電容固定型電容器。
  3. 如申請專利範圍第1項之感應耦合電漿處理裝置，其中該並聯共振電容器電路之至少一者係包含和該分割天線並聯之共振狀態控制用電容可變型電容器。
  4. 如申請專利範圍第1項之感應耦合電漿處理裝置，係進一步具備有分配電流控制用電容可變型電容器，係設置於對該分割天線分配電流之電流分配點與該分割天線和該並聯共振電容器電路之分配點側的連接點之間。
  5. 如申請專利範圍第3項之感應耦合電漿處理裝置，其中該分割天線係包含有配置於頂板之中央部的分割天線、以及配置於頂板之周緣部的分割天線；該共振狀態控制用電容可變型電容器係設置於在該頂板之周緣部所配置之分割天線處。
  6. 如申請專利範圍第4項之感應耦合電漿處理裝置，其中該分割天線係包含有配置於頂板之中央部的分割天線、以及配置於頂板之周緣部的分割天線；該分配電流控制用電容可變型電容器係設置於在該頂板之周緣部所配置之分割天線處。
  7. 如申請專利範圍第4項之感應耦合電漿處理裝置，其中該分割天線係包含有配置於頂板之中央部的分割天線、以及配置於頂板之周緣部的分割天線；該共振狀態控制用電容可變型電容器以及該分配電流控制用電容可變型電容器係設置於在該頂板之周緣部所配置之分割天線處。
  8. 如申請專利範圍第3項之感應耦合電漿處理裝置，係進一步具備有在該分割天線與接地點之間所設之電流計；將該電流計之監測結果回饋至該共振狀態控制用電容可變型電容器，來控制包含該分割天線與該並聯共振電容器電路之LC電路之共振狀態。
  9. 如申請專利範圍第4項之感應耦合電漿處理裝置，係進一步具備有在該分割天線與接地點之間所設之電流計；將該電流計之監測結果回饋至該分配電流控制用電容可變型電容器，來控制對該分割天線之分配電流。
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