TWI641711B - 成膜裝置及成膜方法 - Google Patents

成膜裝置及成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI641711B
TWI641711B TW106108632A TW106108632A TWI641711B TW I641711 B TWI641711 B TW I641711B TW 106108632 A TW106108632 A TW 106108632A TW 106108632 A TW106108632 A TW 106108632A TW I641711 B TWI641711 B TW I641711B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film forming
pressure
sputtering gas
chamber
workpiece
Prior art date
Application number
TW106108632A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201734242A (zh
Inventor
小野大祐
Original Assignee
日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 filed Critical 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司
Publication of TW201734242A publication Critical patent/TW201734242A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI641711B publication Critical patent/TWI641711B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3457—Sputtering using other particles than noble gas ions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548—Controlling the composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C23C14/0042—Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3492—Variation of parameters during sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464—Operating strategies
    • H01J37/347—Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3476—Testing and control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明提供一種成膜裝置及成膜方法，進行將氧保持為適當量、品質良好且品質的不均少的成膜。成膜裝置1包括：作為密閉容器的腔室2，配置著包含成膜材料的靶材231，內部被搬入工件W；排氣裝置25，在工件W的搬入後，將腔室2排氣規定的排氣時間而形成基礎壓力；以及濺鍍氣體導入部27，向排氣成基礎壓力的腔室2的內部導入含氧的濺鍍氣體。濺鍍氣體導入部27根據附著在腔室2的內部的成膜材料的增加所引起的基礎壓力的上升，使導入到腔室2的濺鍍氣體的氧分壓減少。

Description

<title lang="zh">成膜裝置及成膜方法</title><technical-field><p>本發明涉及一種成膜裝置及成膜方法。</p></technical-field><background-art><p>在觸控螢幕（touch panel）等中使用的由玻璃或者塑料樹脂所形成的絕緣性基板等工件上，有時形成氧化銦錫（ITO：Indium Tin Oxide）膜等透明且具有導電性的氧化膜。成膜中使用的是在作為密閉容器的腔室內配置包含成膜材料的靶材的成膜裝置。向腔室內導入含氧的濺鍍氣體，對靶材施加直流電壓而使濺鍍氣體電漿化從而生成離子，使該離子碰撞到靶材。通過將從靶材擊出的材料的粒子堆積於工件上而進行成膜。 [先前技術文獻]</p><p>[專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開昭58-94703號公報</p></background-art><disclosure><p>[發明所要解決的問題] 成膜處理時，成膜材料不僅附著在工件上，還附著在腔室的內壁。如果重複成膜處理，則附著量會增多。從附著在腔室的內壁的成膜材料中釋放逸氣。逸氣中含氧，該氧也因電漿而離子化。因此，如果重複成膜處理則氧量會增加。成膜處理中如果不將氧量保持為適當量，則成膜的ITO膜中，會產生電阻值增加的問題。即，產品的品質不固定，進而存在產生次品的可能性。</p><p>已知如果腔室內的氧增加，則成膜速度會降低。例如，專利文獻1中提出如下技術，即，在腔室內部設置對成膜速度進行測定的測定件，根據成膜速度的降低而對導入到腔室的氧量進行調整。然而，關於成膜速度降低，是在已存在於腔室內的氧的總量超過了適當量的狀態下進行成膜的階段，該階段下即便對導入到腔室的氧量進行調整，也無法否定品質發生不均或產生次品的可能性。</p><p>本發明解決所述課題，目的在於提供一種即便連續進行成膜處理，也可製造出品質良好且品質的不均少的產品的可靠性高的成膜裝置及成膜方法。</p><p>[解決問題的技術手段] 為了達成所述目的，本發明的成膜裝置對工件使用電漿進行成膜，包括：密閉容器，配置著包含成膜材料的靶材，內部被搬入所述工件；排氣裝置，在所述工件的搬入後，將所述密閉容器排氣規定時間而成為基礎壓力；以及濺鍍氣體導入部，對排氣成所述基礎壓力的所述密閉容器的內部，導入含氧的濺鍍氣體，所述濺鍍氣體導入部根據附著在所述密閉容器內部的所述成膜材料的增加所引起的所述基礎壓力的上升，使導入到所述密閉容器的所述濺鍍氣體的氧分壓減少。</p><p>成膜裝置也可包括：壓力計，對所述基礎壓力進行測量；以及控制裝置，根據由所述壓力計測定出的所述基礎壓力，來決定所述濺鍍氣體導入部導入的所述濺鍍氣體的氧分壓。</p><p>成膜裝置也可包括：電源裝置，對所述靶材施加電壓；以及控制裝置，根據基於從所述電源裝置供給到所述靶材的電力的累計量而決定的所述基礎壓力，來決定所述濺鍍氣體導入部導入的所述濺鍍氣體的氧分壓。</p><p><img file="TWI641711B_D0001.tif" he="16" id="i0007" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="32" />成膜裝置也可還包括警報生成部，所述警報生成部在所述基礎壓力超過6×10<sup>-3</sup> [Pa]時生成警報。</p><p>為了達成所述的目的，本發明的成膜方法對工件使用電漿進行成膜，向配置著包含成膜材料的靶材的密閉容器的內部搬入所述工件，在所述工件的搬入後，將所述密閉容器排氣規定時間而形成基礎壓力，對排氣成所述基礎壓力的所述密閉容器的內部導入含氧的濺鍍氣體，根據附著在所述密閉容器內部的所述成膜材料的增加所引起的所述基礎壓力的上升，使導入到所述密閉容器的所述濺鍍氣體的氧分壓減少。</p><p>[發明的效果] 根據本發明的成膜裝置及成膜方法，即便連續進行成膜處理，也可製造出品質良好且品質的不均少的產品。</p></disclosure><mode-for-invention><p>[第一實施方式] [構成] 參照附圖對本發明的第一實施方式進行說明。</p><p>如圖1所示，成膜裝置1在作為密閉容器的腔室2的底部附近，設置著供工件W載置的平臺21。工件W的種類不限於特定者，例如為聚碳酸酯基板。</p><p>平臺（stage）21為圓盤狀，連結於從腔室2的底面延伸的軸（shaft）22而得到支撐。軸22氣密地貫通腔室2的底面，而與外部連通。腔室2中設置著排氣裝置25及壓力計26。排氣裝置25例如為泵，使腔室2的內部一直排氣，且保持為減壓狀態。壓力計26測量腔室2的壓力。</p><p>腔室2中設置著工件W的搬入口20（參照圖2）。搬入口20連接於未圖示的加載互鎖真空室（load lock chamber），工件W從裝置的外部經由加載互鎖真空室而搬入到腔室2的內部。加載互鎖真空室中也具備排氣裝置，在搬入工件W時，將加載互鎖真空室減壓到預先設定的壓力後打開搬入口20，由此能夠減少腔室2的壓力的上升。因為以腔室2的壓力上升的減少為目的，所以預先設定的加載互鎖真空室的壓力低於大氣壓，但高於腔室2的壓力就可以。加載互鎖真空室中具備的排氣裝置的排氣性能也可低於腔室2的排氣裝置25。</p><p>腔室2的上部配置著濺鍍源23。濺鍍源23是堆積於工件W而成為膜的成膜材料的供給源。濺鍍源23包含靶材231、支撐板232及導電構件233，且連接於電源裝置24。</p><p>靶材231例如安裝於腔室2的上表面，以其表面與設置於腔室2的底部附近的平臺21相向的方式配置。靶材231包含成膜材料，可應用周知的任一種成膜材料。例如，在成膜ITO膜的情況下，靶材231使用包含氧化銦錫的靶材。靶材231的形狀例如為圓柱形狀。其中，也可為長圓柱形狀、角柱形狀等其他形狀。</p><p>支撐板232為保持靶材231的與平臺21側相反側的面的構件。導電構件233為將支撐板232與電源裝置24連接的構件。另外，濺鍍源23中視需要設置著磁鐵、冷卻機構等。</p><p>電源裝置24為經由導電構件233及支撐板232而對靶材231施加電壓的構成部。即，電源裝置24通過對靶材231施加電壓，使導入到靶材231的周圍的濺鍍氣體電漿化，而使成膜材料堆積於工件W。本實施方式中的電源裝置24例如為施加高電壓的直流（Direct Current，DC）電源。另外，在進行高頻濺鍍的裝置的情況下，也可設為射頻（Radio Frequency，RF）電源。</p><p>而且，腔室2中設置著濺鍍氣體導入部27。從該濺鍍氣體導入部27向腔室2的內部導入濺鍍氣體。濺鍍氣體不限定為特定的氣體，在ITO膜的成膜中例如可使用氬等惰性氣體與氧的混合氣體。在使用混合氣體的情況下，濺鍍氣體導入部對導入到腔室2的濺鍍氣體中的氬氣與氧的導入分壓進行控制。具體來說，濺鍍氣體導入部27包含氬氣導入部271a與氧導入部272a。氬氣導入部271a與氧導入部272a中分別設置著流量控制計271b、流量控制計272b。流量控制計271b、流量控制計272b通過對氬氣與氧的流量進行測定，而分別控制濺鍍氣體中的氬氣分壓與氧分壓。</p><p>控制裝置4為控制成膜裝置1的各部的動作的裝置。該控制裝置4例如可包含專用的電子電路或以規定的程序進行動作的電腦等。控制裝置4將各部的控制內容編程，且由可程式邏輯控制器（programmable logic controller，PLC）或中央處理器（Central Processing Unit，CPU）等處理裝置執行。因此，能夠應對多種多樣的成膜規格。</p><p>參照假想的功能方塊圖的圖2來說明此種控制裝置4的構成。即，控制裝置4具有機構控制部41、氧分壓決定部42、存儲部43、計時部44、警報生成部45、及輸入輸出控制部46。</p><p>機構控制部41為控制成膜裝置1的各部的機構的處理部。關於控制，例如可列舉加載互鎖真空室的開閉及內部壓力的控制，搬入口20的開閉、排氣裝置25的排氣速度、濺鍍氣體導入部27的時機及導入量的控制，電源裝置24的電壓施加的時機與供給電力量的控制等。</p><p>氧分壓決定部42從測定腔室2的壓力的壓力計26獲取由壓力計26測定出的基礎壓力。氧分壓決定部42參照存儲在存儲部43的最佳氧分壓的數據，而決定與所獲取的基礎壓力對應的最佳氧分壓。基礎壓力為導入濺鍍氣體前的腔室2的壓力，具體來說，為向腔室2搬入工件W而關閉搬入口20後，利用排氣裝置25以預先設定的時間進行了排氣後的壓力。將該預先設定的時間以後稱作“排氣時間t”。最佳氧分壓為濺鍍氣體中的氧分壓的最佳值。</p><p>機構控制部41以濺鍍氣體中的氧分壓成為由氧分壓決定部42決定的最佳氧分壓的方式，生成控制信號並發送到氧導入部272a的流量控制計272b。氧導入部272a的流量控制計272b依據接收到的控制信號來調整氧的流量，以濺鍍氣體中的氧分壓為最佳氧分壓的方式進行控制。另外，本實施方式中，因氬氣分壓為固定，所以氬氣的流量控制計271b基於預先決定的氬氣分壓來調整流量。</p><p>存儲部43存儲本實施方式的控制所需的各種信息，如所述那樣，存儲本實施方式中最佳氧分壓的數據。最佳氧分壓的數據能夠預先進行試驗等而獲得，但存在隨著基礎壓力上升而最佳氧分壓減少的傾向。此處，對隨著基礎壓力的值上升而最佳氧分壓減少的理由進行說明。</p><p>圖3中表示成膜處理中的腔室2內部的壓力的變化。更換工件W而重複進行成膜處理。曲線圖中，由實線表示開始成膜後的腔室2內部未附著ITO膜的初期狀態的壓力的變化，由虛線表示重複成膜而在腔室2內部附著ITO膜的後期狀態的壓力的變化。</p><p>在初期及後期，壓力均整體顯示相同的推移。在將工件W搬入到腔室2的內部時，因在加載互鎖真空室的壓力高於腔室2的壓力的狀態下使搬入口20開放，所以壓力上升（圖中（1））。在關閉搬入口20後，將腔室2以規定的排氣時間t排氣，並減壓到基礎壓力（圖中（2））。然後，通過導入濺鍍氣體，而壓力上升（圖中（3））。成膜處理中以濺鍍氣體的量保持為固定的方式，進行排氣與濺鍍氣體的供給（圖中（4））。成膜完成後，因停止濺鍍氣體的導入，而壓力減少。</p><p>然而，即便在工件W搬入後以相同的排氣時間t排氣的情況下，後期的基礎壓力要高於初期。認為其原因在於，在因成膜而附著在腔室2的內壁的ITO膜，吸附著工件W的搬入時進入的外部空氣或空氣中的水蒸氣等氣體。吸附的氣體在將腔室2減壓到基礎壓力時以逸氣的形式釋放到腔室2的內部。如果重複成膜則附著的ITO膜的量也增加，因而逸氣的量也增加。因此，在以相同排氣時間t排氣的情況下，基礎壓力增高與所釋放的逸氣相應的量。</p><p>因逸氣中含氧，所以只要濺鍍氣體中的氧分壓保持為固定，則濺鍍氣體的氧與逸氣所含的氧之和會逐漸增大。結果，成膜處理時電漿化的氧量會增多。</p><p>如果成膜處理中的氧超過適當量，則產品中的電阻值也增加。圖4是示意性地表示將濺鍍氣體中的氧分壓保持為固定而持續運轉成膜裝置1的情況下的、ITO膜的電阻值的變化的曲線圖。如圖4所示，如果氧分壓保持為固定而持續運轉裝置，則ITO膜的電阻值成比例地增加。如果電阻值為固定以上，則存在將產品判定為次品的可能性。</p><p>然而，如果根據逸氣中的氧的增加量，減少濺鍍氣體的氧分壓，則能夠將成膜處理中的氧保持為適當量，從而抑制電阻值的增加。雖難以測定逸氣中的氧的增加量，但如所述那樣，基礎壓力根據逸氣的量的增加而上升。即，通過使濺鍍氣體中的氧分壓根據能夠由壓力計26測定的基礎壓力的上升而減少，能夠將成膜處理時的氧量保持為適當量。從這種觀點考慮，預先進行試驗等，製作與基礎壓力相應的最佳氧分壓的數據，且保存在存儲部43。</p><p>而且，存儲部43中也可存儲基礎壓力的上限值。如果基礎壓力持續上升，即，逸氣的量持續增加，則僅逸氣所含的氧存在超過成膜處理所需的氧量的可能性。進而，如果腔室2的壓力變得過高，則對ITO膜的密度或均質性造成影響。結果，即便減少濺鍍氣體的氧分壓，也無法防止ITO膜的電阻值的上升。此種<img file="TWI641711B_D0002.tif" he="16" id="i0022" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="32" />情況下，需要進行腔室2內的清掃而將附著在腔室2的內壁的ITO膜去除。上限值宜預先進行試驗等而決定，例如宜設為6×10<sup>-3</sup> [Pa]。</p><p>計時部44為對時間進行計數的計時器。機構控制部41基於由計時部44計數的時間控制工件W的搬入及搬出的時機、濺鍍氣體的導入及停止的時機、電壓施加的時機等。而且，氧分壓決定部42搬入工件W而關閉搬入口20後，由計時部44計數的時間經過規定的排氣時間t後，從壓力計26獲取基礎壓力的測定值。</p><p>警報生成部45在從壓力計26獲取的基礎壓力超過了存儲在存儲部43的上限值時，生成警報。警報例如也可告知基礎壓力的值及需要清掃腔室2內的意旨。</p><p>輸入輸出控制部46為控制與成為控制對象的各部之間的信號的轉換或輸入輸出的界面。</p><p>進而，控制裝置4上連接著輸入裝置47、輸出裝置48。輸入裝置47為用以由操作員經由控制裝置4操作成膜裝置1的開關、觸控螢幕、鍵盤、滑鼠等輸入單元。所述最佳氧分壓的數據可從輸入裝置47輸入所期望的值。</p><p>輸出裝置48為將用以確認裝置的狀態的信息設為能夠由操作員視認的狀態的顯示器、燈、計量表等輸出單元。輸出裝置48例如輸出由警報生成部45生成的警報。</p><p>[動作] 其次，對本實施方式的成膜裝置1的動作及成膜方法進行說明。以下敘述的成膜裝置1的動作通過控制裝置4的機構控制部41而控制。工件W從大氣壓的外部搬入到加載互鎖真空室。將加載互鎖真空室減壓到預先設定的壓力後打開搬入口20，向腔室2的內部搬入工件W。加載互鎖真空室的壓力高於腔室2的壓力，因而打開搬入口20時腔室2的壓力暫時地上升。所搬入的工件W載置於平臺21。工件W的搬入利用未圖示的搬送裝置來進行。載置於平臺21後，關閉搬入口20而使腔室2密閉。腔室2利用排氣裝置25一直排氣，因而通過關閉搬入口20而使腔室2減壓。</p><p>控制裝置4的氧分壓決定部42在關閉搬入口20後，在由計時部44計數的時間經過了規定的排氣時間t的時間點，從壓力計26獲取基礎壓力的值。</p><p>氧分壓決定部42參照存儲部43的最佳氧分壓的數據，決定與從壓力計26獲取的基礎壓力對應的最佳氧分壓的值。機構控制部41基於由氧分壓決定部42決定的最佳氧分壓生成控制信號，並發送到氧導入部272a的流量控制計272b。流量控制計272b以濺鍍氣體中的氧分壓為最佳氧分壓的方式調整流量。</p><p>將濺鍍氣體從濺鍍氣體導入部27導入到腔室2的內部，從電源裝置24對靶材231施加直流電壓。利用直流電壓的施加而濺鍍氣體電漿化，產生離子。如果所產生的離子碰撞到靶材231，則靶材231的成膜材料的粒子飛出。飛出的粒子堆積於載置在平臺21的工件W，由此在工件W上形成薄膜。</p><p>如果成膜處理完成，則停止濺鍍氣體的導入，使搬入口20開放而將成膜的工件W從腔室2內部搬出，並搬入到下一個工件W。關於後續的工件W，以與最初的工件W相同的步驟，依次進行成膜處理。其中，如果重複成膜處理則ITO膜附著於腔室2內部而產生逸氣，因而由壓力計26測定出的基礎壓力的值逐漸上升。氧分壓決定部42參照存儲部43的最佳氧分壓的數據，決定與上升的基礎壓力對應的最佳氧分壓。因此，濺鍍氣體中的氧分壓逐漸減少，因而成膜處理中的氧量保持為適當範圍。由此，即便重複成膜處理，在基礎壓力超過上限值之前也可進行保持膜的品質的成膜。</p><p>在由壓力計26測定的基礎壓力的值超過上限值的情況下，警報生成部45生成警報，並輸出到輸出裝置48。也可在輸出了警報的時間點，使成膜處理中斷，或者在輸出警報後繼續成膜處理。</p><p>[實施例] 所述實施方式的成膜裝置1中，在以下的條件下進行成膜處理。 ・DC電力[kW]：3.5 ・Ar氣體壓力[Pa]：1.46（420 sccm）<img file="TWI641711B_D0003.tif" he="16" id="i0034" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="16" />・O<sub>2</sub> 壓力[Pa]：0.037（12.5 sccm）<img file="TWI641711B_D0003.tif" he="16" id="i0034" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="16" />・成膜壓力（Ar＋O<sub>2</sub> ）[Pa]：1.50 ・放電電壓[V]：398 ・排氣時間[s]：23.4 ・成膜時間[s]：5.2 ・成膜速度[nm/s]：7.7 ・靶材231：氧化銦錫（ITO） ・膜厚[nm]：40 ・工件W：聚碳酸酯基板</p><p>在所述條件下對多塊工件W連續進行成膜處理。各成膜處理<img file="TWI641711B_D0001.tif" he="16" id="i0035" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="32" />中，在將工件W搬入到腔室2內後經過排氣時間的時間點，測定基礎壓力。初期的基礎壓力為2×10<sup>-3</sup> [Pa]，如果重複成膜處理則基礎壓力上升。如圖5的曲線圖所示，根據基礎壓力的上升而使氧分壓減少。</p><p><img file="TWI641711B_D0002.tif" he="16" id="i0036" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="32" /><img file="TWI641711B_D0002.tif" he="16" id="i0036" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="32" /><img file="TWI641711B_D0002.tif" he="16" id="i0036" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="32" />對在2×10<sup>-3</sup> [Pa]、6×10<sup>-3</sup> [Pa]、10×10<sup>-3</sup> [Pa]的基礎壓力下分別進行成膜的工件W，以80℃進行92小時的加熱試驗，測定加熱後<img file="TWI641711B_D0001.tif" he="16" id="i0036" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="32" /><img file="TWI641711B_D0001.tif" he="16" id="i0036" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="32" /><img file="TWI641711B_D0011.tif" he="10" id="i0036" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="17" />的電阻值。將加熱試驗的結果表示於圖6的曲線圖。以基礎壓力6×10<sup>-3</sup> [Pa]進行成膜的ITO膜相對於初期的基礎壓力2×10<sup>-3</sup> [Pa]的電阻增加率低。即，可知通過使濺鍍氣體的氧分壓減少，而成膜處理中的氧保持為適當量。另一方面，基礎壓力10×10<sup>-3</sup><img file="TWI641711B_D0001.tif" he="16" id="i0036" img-content="drawing" img-format="jpg" inline="no" orientation="portrait" wi="32" />[Pa]下，使氧分壓減少，相對於初期的基礎壓力2×10<sup>-3</sup> [Pa]的電阻增加率大。認為其原因在於，逸氣所含的氧因濺鍍氣體的氧分壓的減少而超過能夠調整的量，或腔室2的壓力增高，對膜的密度或均質性造成影響。</p><p>[效果] （1）本實施方式的成膜裝置1包括：作為密閉容器的腔室2，配置著包含成膜材料的靶材231，且內部被搬入工件W；排氣裝置25，在工件W的搬入後，將腔室2排氣規定的排氣時間而成為基礎壓力；以及濺鍍氣體導入部27，向排氣成基礎壓力的腔室2的內部導入含氧的濺鍍氣體。濺鍍氣體導入部27根據附著在腔室2的內部的成膜材料的增加所引起的基礎壓力的上升，而使導入到腔室2的濺鍍氣體的氧分壓減少。</p><p>以通過逸氣的產生而上升的基礎壓力為基準，對濺鍍氣體中的氧的導入分壓進行調整，由此能夠將腔室2內的氧保持為適當量而進行成膜。由此，能夠提供可進行品質良好且品質的不均少的成膜的可靠性高的成膜裝置1及成膜方法。</p><p>成膜裝置1包括：測量基礎壓力的壓力計26，及根據由壓力計26測定出的基礎壓力而決定濺鍍氣體導入部27導入的濺鍍氣體的氧分壓的控制裝置4。壓力計26是為了腔室2的壓力管理而通常設置的壓力計，可容易從壓力計26獲取基礎壓力。由此，不需要高精度儀器等便可控制氧分壓，經濟性高。</p><p>[第二實施方式] 參照附圖對本發明的第二實施方式進行說明。另外，對與第一實施方式的構成要素相同的構成要素，賦予相同的符號而省略詳細說明。</p><p>第二實施方式的成膜裝置1的整體構成與第一實施方式相同。第二實施方式的成膜裝置1的控制裝置4的功能構成表示於圖7。控制裝置4除與第一實施方式相同的構成外，還具備基礎壓力決定部49。第一實施方式中，機構控制部41獲取由壓力計26測定的基礎壓力的值，第二實施方式中，基於從電源裝置24供給到靶材231的累計電力量決定基礎壓力。</p><p>所謂累計電力量，在更換工件W而連續進行成膜處理的情況下，為各成膜處理中從電源裝置24供給到靶材231的電力的累計量。如圖8所示，累計電力量在每次進行重複成膜處理時增加。如第一實施方式中已述那樣，基礎壓力也在每次進行重複成膜處理時增加。即，根據累計電力量的增加，基礎壓力也增加。因此，預先進行試驗等，製作與累計電力量對應的基礎壓力的數據，且存儲在存儲部43。</p><p>如所述那樣，機構控制部41控制電源裝置24中的電壓施加的時機及供給電力量。基礎壓力決定部49從機構控制部41獲取供給電力量而算出累計電力量。然後，參照存儲在存儲部43的基礎壓力的數據，決定與算出的累計電力量對應的基礎壓力。</p><p>氧分壓決定部42參照存儲在存儲部43的最佳氧分壓的數據，決定與由基礎壓力決定部49決定的基礎壓力對應的最佳氧分壓。機構控制部41以濺鍍氣體中的氧分壓成為由氧分壓決定部42決定的最佳氧分壓的方式，生成控制信號並發送到氧導入部272a的流量控制計272b。氧導入部272a的流量控制計272b依據所接收到的控制信號而對導入到腔室2的氧的流量進行調整。</p><p>如所述那樣，第二實施方式中，控制裝置4根據基於從電源裝置24供給到靶材231的累計電力量所決定的基礎壓力，來決定濺鍍氣體導入部27中的濺鍍氣體的氧分壓。即便在依據腔室2內部環境或成膜狀況等的情形，無法測定基礎壓力的情況下，也能夠根據累計電力量決定基礎壓力，能夠與第一實施方式同樣地調整濺鍍氣體的氧分壓，將氧保持為適當量而進行成膜。</p><p>[其他實施方式] 本發明不限定於所述的實施方式。例如，所述成膜裝置1也可應用於具備進行濺鍍等成膜處理與蝕刻等膜處理的多個腔室的多腔室型電漿處理裝置。</p><p>而且，所述實施方式中，對在搬入口20上連接著加載互鎖真空室的例子進行了說明，但不限於此，也可從外部對搬入口20直接搬入工件W。如果不使用加載互鎖真空室，則工件W的搬入時進入的外部的空氣增加，結果存在來自附著在腔室2的內壁的ITO膜的逸氣的量增加的可能性，例如，可延長排氣時間t而排出所進入的外部的空氣。而且，在不使用加載互鎖真空室的情況下，如果打開搬入口20則腔室2的內部上升到大氣壓，因而也可在打開搬入口20的期間使排氣裝置25停止，關閉搬入口後使排氣裝置25運轉而開始排氣。</p><p>以上，對本發明的實施方式及各部的變形例進行了說明，但該實施方式或各部的變形例作為一例而提示，並不意圖限定發明的範圍。所述這些新穎的實施方式能夠由其他各種形態實施，在不脫離發明的主旨的範圍內可進行各種省略、置換、變更。這些實施方式或其變形包含在發明的範圍或主旨中，並且包含在權利要求記載的發明內。</p></mode-for-invention><description-of-drawings><description-of-element><p>1‧‧‧成膜裝置</p><p>2‧‧‧腔室</p><p>20‧‧‧搬入口</p><p>21‧‧‧平臺</p><p>22‧‧‧軸</p><p>23‧‧‧濺鍍源</p><p>231‧‧‧靶材</p><p>232‧‧‧支撐板</p><p>233‧‧‧導電構件</p><p>24‧‧‧電源裝置</p><p>25‧‧‧排氣裝置</p><p>26‧‧‧壓力計</p><p>27‧‧‧濺鍍氣體導入部</p><p>271a‧‧‧氬氣導入部</p><p>272a‧‧‧氧導入部</p><p>271b、272b‧‧‧流量控制計</p><p>4‧‧‧控制裝置</p><p>41‧‧‧機構控制部</p><p>42‧‧‧氧分壓決定部</p><p>43‧‧‧存儲部</p><p>44‧‧‧計時部</p><p>45‧‧‧警報生成部</p><p>46‧‧‧輸入輸出控制部</p><p>47‧‧‧輸入裝置</p><p>48‧‧‧輸出裝置</p><p>49‧‧‧基礎壓力決定部</p><p>W‧‧‧工件</p><p>t‧‧‧排氣時間</p></description-of-element></p><p><p>圖1是示意性地表示本發明的第一實施方式的成膜裝置的構成的圖。 圖2是表示成膜裝置的控制裝置的功能構成的方塊圖。 圖3是表示成膜處理的初期與後期的腔室內部的壓力的變化的曲線圖。 圖4是示意性地表示成膜處理的時間與電阻值的關係的曲線圖。 圖5是表示實施例的與基礎壓力相應的氧分壓的曲線圖。 圖6是表示實施例的基礎壓力與電阻增加率的關係的曲線圖。 圖7是表示本發明的第二實施方式的成膜裝置的控制裝置的功能構成的方塊圖。 圖8是表示累計電力量與基礎壓力的關係的曲線圖。</p></description-of-drawings><bio-deposit></bio-deposit><sequence-list-text></sequence-list-text>

Claims (5)

  1. 一種成膜裝置，對工件使用電漿進行成膜，其特徵在於包括：密閉容器，配置著包含成膜材料的靶材，內部被搬入所述工件；排氣裝置，在所述工件的搬入後，將所述密閉容器排氣規定時間而成為基礎壓力；以及濺鍍氣體導入部，對排氣成所述基礎壓力的所述密閉容器的內部，導入含氧的濺鍍氣體，控制裝置，根據藉由重複成膜使附著在所述密閉容器內部的所述成膜材料增加，伴隨所述成膜材料增加使所述基礎壓力的上升，以使導入到所述密閉容器的所述濺鍍氣體的氧分壓逐漸減少的方式，控制所述濺鍍氣體導入部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其包括：壓力計，對所述基礎壓力進行測量；所述控制裝置根據由所述壓力計測定出的所述基礎壓力，來決定所述濺鍍氣體導入部導入的所述濺鍍氣體的氧分壓。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的成膜裝置，其包括：電源裝置，對所述靶材施加電壓；所述控制裝置根據基於從所述電源裝置供給到所述靶材的電力的累計量而決定的所述基礎壓力，來決定所述濺鍍氣體導入部導入的所述濺鍍氣體的氧分壓。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的成膜裝置，其還包括警報生成部，所述警報生成部在所述基礎壓力超過6×10-3Pa時生成警報。
  5. 一種成膜方法，對工件使用電漿進行成膜，其特徵在於：向配置著包含成膜材料的靶材的密閉容器的內部搬入所述工件；在所述工件的搬入後，將所述密閉容器排氣規定時間而形成基礎壓力；對排氣成所述基礎壓力的所述密閉容器的內部導入含氧的濺鍍氣體；以及根據藉由重複成膜使附著在所述密閉容器內部的所述成膜材料增加，伴隨所述成膜材料增加使所述基礎壓力的上升，使導入到所述密閉容器的所述濺鍍氣體的氧分壓減少。
TW106108632A 2016-03-17 2017-03-16 成膜裝置及成膜方法 TWI641711B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016053446A JP6775972B2 (ja) 2016-03-17 2016-03-17 成膜装置及び成膜方法
JP2016-053446 2016-03-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201734242A TW201734242A (zh) 2017-10-01
TWI641711B true TWI641711B (zh) 2018-11-21

Family

ID=59848328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106108632A TWI641711B (zh) 2016-03-17 2017-03-16 成膜裝置及成膜方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10260145B2 (zh)
JP (1) JP6775972B2 (zh)
KR (1) KR101976254B1 (zh)
CN (1) CN107201503B (zh)
TW (1) TWI641711B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102077224B1 (ko) 2018-08-14 2020-02-13 농업회사법인 한국도시농업 주식회사 생산량 증대를 위한 체인 컨베이어식 무인자동 작물재배장치
KR102219858B1 (ko) 2018-08-27 2021-02-24 농업회사법인 한국도시농업 주식회사 컨베이어형 작물 재배장치의 자율 회전형 관수시스템
KR102143699B1 (ko) 2018-11-23 2020-08-12 (주)케이피 체인 컨베이어식 작물재배장치의 관수시스템
KR20200061256A (ko) 2018-11-23 2020-06-02 김근우 체인 컨베이어식 작물재배장치의 관수 순환시스템
CN114277349A (zh) * 2021-12-28 2022-04-05 无锡展硕科技有限公司 一种新型可调腔室温度的物理气相镀膜设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150354052A1 (en) * 2013-02-20 2015-12-10 University Of West Bohemia In Pilsen High-rate reactive sputtering of dielectric stoichiometric films

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4331856A (en) * 1978-10-06 1982-05-25 Wellman Thermal Systems Corporation Control system and method of controlling ion nitriding apparatus
JPS56133459A (en) * 1980-03-21 1981-10-19 Agency Of Ind Science & Technol Vapor-depositing apparatus
JPS5894703A (ja) 1981-11-30 1983-06-06 松下電器産業株式会社 透明電極の製造方法およびその製造装置
JPH01215976A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Fujitsu Ltd 自己診断機能を具備したスパッタリング装置
JPH01268859A (ja) * 1988-04-20 1989-10-26 Casio Comput Co Ltd 透明導電膜の形成方法および形成装置
KR100207279B1 (ko) * 1996-01-31 1999-07-15 김희용 금속제품의 장식용 발색 제조방법
DE102004014855A1 (de) * 2004-03-26 2004-10-21 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung zum reaktiven Sputtern
JP5570951B2 (ja) * 2009-12-26 2014-08-13 キヤノンアネルバ株式会社 反応性スパッタリング方法及び反応性スパッタリング装置
JP5598407B2 (ja) * 2011-04-05 2014-10-01 株式会社島津製作所 成膜処理装置および成膜方法
JP6101533B2 (ja) * 2013-03-27 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 酸化アルミニウムの成膜方法
JP2015021173A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 日東電工株式会社 成膜装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150354052A1 (en) * 2013-02-20 2015-12-10 University Of West Bohemia In Pilsen High-rate reactive sputtering of dielectric stoichiometric films

Also Published As

Publication number Publication date
US10260145B2 (en) 2019-04-16
JP6775972B2 (ja) 2020-10-28
US20170268098A1 (en) 2017-09-21
TW201734242A (zh) 2017-10-01
CN107201503B (zh) 2020-06-23
KR101976254B1 (ko) 2019-05-07
CN107201503A (zh) 2017-09-26
JP2017166032A (ja) 2017-09-21
KR20170108819A (ko) 2017-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI641711B (zh) 成膜裝置及成膜方法
JP5371238B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6667343B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
TWI728981B (zh) 半導體製造裝置及基板運送方法
JP2008526026A5 (zh)
JP2016103638A (ja) プラズマエッチング装置
JP5623722B2 (ja) プラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法
JP2018186221A (ja) 基板処理装置
JP2006328510A (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP7100098B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
CN110678575B (zh) 成膜装置和成膜方法
JP2011168825A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20240117486A1 (en) Film forming apparatus and film forming method
JP2001250811A (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP6067210B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5533569B2 (ja) プラズマ処理装置および処理方法
JP2007059659A (ja) 半導体製造装置
JP2007031815A (ja) プレーナマグネトロンスパッタ装置およびプレーナマグネトロンスパッタ成膜方法
JPH10199817A (ja) 成膜装置
WO2006129671A1 (ja) 成膜装置及び方法
JP2002246453A (ja) 静電吸着ステージへのパーティクルの付着を検知する方法、静電吸着ステージのクリーニングの要否の判断方法及び基板処理装置
JPH10116817A (ja) ドライエッチング装置およびその管理方法
JP2016211040A (ja) ターゲットアッセンブリ、スパッタリング装置並びにターゲット材の使用限界判定方法
KR20070066708A (ko) 액정 표시 장치 제조용 진공 챔버