CN107201503B - 成膜装置及成膜方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种成膜装置及成膜方法，进行将氧保持为适当量、品质良好且品质的不均少的成膜。成膜装置(1)包括：作为密闭容器的腔室(2)，配置着包含成膜材料的靶材(231)，内部被搬入工件(W)；排气装置(25)，在工件(W)的搬入后，将腔室(2)排气规定的排气时间而形成基础压力；以及溅镀气体导入部(27)，向排气成基础压力的腔室(2)的内部导入含氧的溅镀气体。溅镀气体导入部(27)根据附着在腔室(2)的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升，使导入到腔室(2)的溅镀气体的氧分压减少。

Description

成膜装置及成膜方法

技术领域

本发明涉及一种成膜装置及成膜方法。

背景技术

在触摸屏(touch panel)等中使用的由玻璃或者塑料树脂所形成的绝缘性基板等工件上，有时形成氧化铟锡(ITO：Indium Tin Oxide)膜等透明且具有导电性的氧化膜。成膜中使用的是在作为密闭容器的腔室内配置包含成膜材料的靶材的成膜装置。向腔室内导入含氧的溅镀气体，对靶材施加直流电压而使溅镀气体等离子体化从而生成离子，使该离子碰撞到靶材。通过将从靶材击出的材料的粒子堆积于工件上而进行成膜。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开昭58-94703号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

成膜处理时，成膜材料不仅附着在工件上，还附着在腔室的内壁。如果重复成膜处理，则附着量会增多。从附着在腔室的内壁的成膜材料中释放逸气。逸气中含氧，该氧也因等离子体而离子化。因此，如果重复成膜处理则氧量会增加。成膜处理中如果不将氧量保持为适当量，则成膜的ITO膜中，会产生电阻值增加的问题。即，产品的品质不固定，进而存在产生次品的可能性。

已知如果腔室内的氧增加，则成膜速度会降低。例如，专利文献1中提出如下技术，即，在腔室内部设置对成膜速度进行测定的测定件，根据成膜速度的降低而对导入到腔室的氧量进行调整。然而，关于成膜速度降低，是在已存在于腔室内的氧的总量超过了适当量的状态下进行成膜的阶段，该阶段下即便对导入到腔室的氧量进行调整，也无法否定品质发生不均或产生次品的可能性。

本发明解决所述课题，目的在于提供一种即便连续进行成膜处理，也可制造出品质良好且品质的不均少的产品的可靠性高的成膜装置及成膜方法。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明的成膜装置对工件使用等离子体进行成膜，包括：密闭容器，配置着包含成膜材料的靶材，内部被搬入所述工件；排气装置，在所述工件的搬入后，将所述密闭容器排气规定时间而成为基础压力；以及溅镀气体导入部，对排气成所述基础压力的所述密闭容器的内部，导入含氧的溅镀气体，所述溅镀气体导入部根据附着在所述密闭容器内部的所述成膜材料的增加所引起的所述基础压力的上升，使导入到所述密闭容器的所述溅镀气体的氧分压减少。

成膜装置也可包括：压力计，对所述基础压力进行测量；以及控制装置，根据由所述压力计测定出的所述基础压力，来决定所述溅镀气体导入部导入的所述溅镀气体的氧分压。

成膜装置也可包括：电源装置，对所述靶材施加电压；以及控制装置，根据基于从所述电源装置供给到所述靶材的电力的累计量而决定的所述基础压力，来决定所述溅镀气体导入部导入的所述溅镀气体的氧分压。

成膜装置也可还包括警报生成部，所述警报生成部在所述基础压力超过6×10^-3[Pa]时生成警报。

为了达成所述的目的，本发明的成膜方法对工件使用等离子体进行成膜，向配置着包含成膜材料的靶材的密闭容器的内部搬入所述工件，在所述工件的搬入后，将所述密闭容器排气规定时间而形成基础压力，对排气成所述基础压力的所述密闭容器的内部导入含氧的溅镀气体，根据附着在所述密闭容器内部的所述成膜材料的增加所引起的所述基础压力的上升，使导入到所述密闭容器的所述溅镀气体的氧分压减少。

[发明的效果]

根据本发明的成膜装置及成膜方法，即便连续进行成膜处理，也可制造出品质良好且品质的不均少的产品。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的第一实施方式的成膜装置的构成的图。

图2是表示成膜装置的控制装置的功能构成的方块图。

图3是表示成膜处理的初期与后期的腔室内部的压力的变化的曲线图。

图4是示意性地表示成膜处理的时间与电阻值的关系的曲线图。

图5是表示实施例的与基础压力相应的氧分压的曲线图。

图6是表示实施例的基础压力与电阻增加率的关系的曲线图。

图7是表示本发明的第二实施方式的成膜装置的控制装置的功能构成的方块图。

图8是表示累计电力量与基础压力的关系的曲线图。

[符号的说明]

1：成膜装置

2：腔室

20：搬入口

21：平台

22：轴

23：溅镀源

231：靶材

232：支撑板

233：导电构件

24：电源装置

25：排气装置

26：压力计

27：溅镀气体导入部

271a：氩气导入部

272a：氧导入部

271b、272b：流量控制计

4：控制装置

41：机构控制部

42：氧分压决定部

43：存储部

44：计时部

45：警报生成部

46：输入输出控制部

47：输入装置

48：输出装置

49：基础压力决定部

W：工件

t：排气时间

具体实施方式

[第一实施方式]

[构成]

参照附图对本发明的第一实施方式进行说明。

如图1所示，成膜装置1在作为密闭容器的腔室2的底部附近，设置着供工件W载置的平台21。工件W的种类不限于特定者，例如为聚碳酸酯基板。

平台(stage)21为圆盘状，连结于从腔室2的底面延伸的轴(shaft)22而得到支撑。轴22气密地贯通腔室2的底面，而与外部连通。腔室2中设置着排气装置25及压力计26。排气装置25例如为泵，使腔室2的内部一直排气，且保持为减压状态。压力计26测量腔室2的压力。

腔室2中设置着工件W的搬入口20(参照图2)。搬入口20连接于未图示的加载互锁真空室(load lock chamber)，工件W从装置的外部经由加载互锁真空室而搬入到腔室2的内部。加载互锁真空室中也具备排气装置，在搬入工件W时，将加载互锁真空室减压到预先设定的压力后打开搬入口20，由此能够减少腔室2的压力的上升。因为以腔室2的压力上升的减少为目的，所以预先设定的加载互锁真空室的压力低于大气压，但高于腔室2的压力就可以。加载互锁真空室中具备的排气装置的排气性能也可低于腔室2的排气装置25。

腔室2的上部配置着溅镀源23。溅镀源23是堆积于工件W而成为膜的成膜材料的供给源。溅镀源23包含靶材231、支撑板232及导电构件233，且连接于电源装置24。

靶材231例如安装于腔室2的上表面，以其表面与设置于腔室2的底部附近的平台21相向的方式配置。靶材231包含成膜材料，可应用周知的任一种成膜材料。例如，在成膜ITO膜的情况下，靶材231使用包含氧化铟锡的靶材。靶材231的形状例如为圆柱形状。其中，也可为长圆柱形状、角柱形状等其他形状。

支撑板232为保持靶材231的与平台21侧相反侧的面的构件。导电构件233为将支撑板232与电源装置24连接的构件。另外，溅镀源23中视需要设置着磁铁、冷却机构等。

电源装置24为经由导电构件233及支撑板232而对靶材231施加电压的构成部。即，电源装置24通过对靶材231施加电压，使导入到靶材231的周围的溅镀气体等离子体化，而使成膜材料堆积于工件W。本实施方式中的电源装置24例如为施加高电压的直流(DirectCurrent，DC)电源。另外，在进行高频溅镀的装置的情况下，也可设为射频(RadioFrequency，RF)电源。

而且，腔室2中设置着溅镀气体导入部27。从该溅镀气体导入部27向腔室2的内部导入溅镀气体。溅镀气体不限定为特定的气体，在ITO膜的成膜中例如可使用氩等惰性气体与氧的混合气体。在使用混合气体的情况下，溅镀气体导入部对导入到腔室2的溅镀气体中的氩气与氧的导入分压进行控制。具体来说，溅镀气体导入部27包含氩气导入部271a与氧导入部272a。氩气导入部271a与氧导入部272a中分别设置着流量控制计271b、流量控制计272b。流量控制计271b、流量控制计272b通过对氩气与氧的流量进行测定，而分别控制溅镀气体中的氩气分压与氧分压。

控制装置4为控制成膜装置1的各部的动作的装置。该控制装置4例如可包含专用的电子电路或以规定的程序进行动作的电脑等。控制装置4将各部的控制内容编程，且由可编程逻辑控制器(programmable logic controller，PLC)或中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)等处理装置执行。因此，能够应对多种多样的成膜规格。

参照假想的功能方块图的图2来说明此种控制装置4的构成。即，控制装置4具有机构控制部41、氧分压决定部42、存储部43、计时部44、警报生成部45、及输入输出控制部46。

机构控制部41为控制成膜装置1的各部的机构的处理部。关于控制，例如可列举加载互锁真空室的开闭及内部压力的控制，搬入口20的开闭、排气装置25的排气速度、溅镀气体导入部27的时机及导入量的控制，电源装置24的电压施加的时机与供给电力量的控制等。

氧分压决定部42从测定腔室2的压力的压力计26获取由压力计26测定出的基础压力。氧分压决定部42参照存储在存储部43的最佳氧分压的数据，而决定与所获取的基础压力对应的最佳氧分压。基础压力为导入溅镀气体前的腔室2的压力，具体来说，为向腔室2搬入工件W而关闭搬入口20后，利用排气装置25以预先设定的时间进行了排气后的压力。将该预先设定的时间以后称作“排气时间t”。最佳氧分压为溅镀气体中的氧分压的最佳值。

机构控制部41以溅镀气体中的氧分压成为由氧分压决定部42决定的最佳氧分压的方式，生成控制信号并发送到氧导入部272a的流量控制计272b。氧导入部272a的流量控制计272b依据接收到的控制信号来调整氧的流量，以溅镀气体中的氧分压为最佳氧分压的方式进行控制。另外，本实施方式中，因氩气分压为固定，所以氩气的流量控制计271b基于预先决定的氩气分压来调整流量。

存储部43存储本实施方式的控制所需的各种信息，如所述那样，存储本实施方式中最佳氧分压的数据。最佳氧分压的数据能够预先进行试验等而获得，但存在随着基础压力上升而最佳氧分压减少的倾向。此处，对随着基础压力的值上升而最佳氧分压减少的理由进行说明。

图3中表示成膜处理中的腔室2内部的压力的变化。更换工件W而重复进行成膜处理。曲线图中，由实线表示开始成膜后的腔室2内部未附着ITO膜的初期状态的压力的变化，由虚线表示重复成膜而在腔室2内部附着ITO膜的后期状态的压力的变化。

在初期及后期，压力均整体显示相同的推移。在将工件W搬入到腔室2的内部时，因在加载互锁真空室的压力高于腔室2的压力的状态下使搬入口20开放，所以压力上升(图中(1))。在关闭搬入口20后，将腔室2以规定的排气时间t排气，并减压到基础压力(图中(2))。然后，通过导入溅镀气体，而压力上升(图中(3))。成膜处理中以溅镀气体的量保持为固定的方式，进行排气与溅镀气体的供给(图中(4))。成膜完成后，因停止溅镀气体的导入，而压力减少。

然而，即便在工件W搬入后以相同的排气时间t排气的情况下，后期的基础压力要高于初期。认为其原因在于，在因成膜而附着在腔室2的内壁的ITO膜，吸附着工件W的搬入时进入的外部空气或空气中的水蒸气等气体。吸附的气体在将腔室2减压到基础压力时以逸气的形式释放到腔室2的内部。如果重复成膜则附着的ITO膜的量也增加，因而逸气的量也增加。因此，在以相同排气时间t排气的情况下，基础压力增高与所释放的逸气相应的量。

因逸气中含氧，所以只要溅镀气体中的氧分压保持为固定，则溅镀气体的氧与逸气所含的氧之和会逐渐增大。结果，成膜处理时等离子体化的氧量会增多。

如果成膜处理中的氧超过适当量，则产品中的电阻值也增加。图4是示意性地表示将溅镀气体中的氧分压保持为固定而持续运转成膜装置1的情况下的、ITO膜的电阻值的变化的曲线图。如图4所示，如果氧分压保持为固定而持续运转装置，则ITO膜的电阻值成比例地增加。如果电阻值为固定以上，则存在将产品判定为次品的可能性。

然而，如果根据逸气中的氧的增加量，减少溅镀气体的氧分压，则能够将成膜处理中的氧保持为适当量，从而抑制电阻值的增加。虽难以测定逸气中的氧的增加量，但如所述那样，基础压力根据逸气的量的增加而上升。即，通过使溅镀气体中的氧分压根据能够由压力计26测定的基础压力的上升而减少，能够将成膜处理时的氧量保持为适当量。从这种观点考虑，预先进行试验等，制作与基础压力相应的最佳氧分压的数据，且保存在存储部43。

而且，存储部43中也可存储基础压力的上限值。如果基础压力持续上升，即，逸气的量持续增加，则仅逸气所含的氧存在超过成膜处理所需的氧量的可能性。进而，如果腔室2的压力变得过高，则对ITO膜的密度或均质性造成影响。结果，即便减少溅镀气体的氧分压，也无法防止ITO膜的电阻值的上升。此种情况下，需要进行腔室2内的清扫而将附着在腔室2的内壁的ITO膜去除。上限值宜预先进行试验等而决定，例如宜设为6×10^-3[Pa]。

计时部44为对时间进行计数的计时器。机构控制部41基于由计时部44计数的时间控制工件W的搬入及搬出的时机、溅镀气体的导入及停止的时机、电压施加的时机等。而且，氧分压决定部42搬入工件W而关闭搬入口20后，由计时部44计数的时间经过规定的排气时间t后，从压力计26获取基础压力的测定值。

警报生成部45在从压力计26获取的基础压力超过了存储在存储部43的上限值时，生成警报。警报例如也可告知基础压力的值及需要清扫腔室2内的意旨。

输入输出控制部46为控制与成为控制对象的各部之间的信号的转换或输入输出的接口。

进而，控制装置4上连接着输入装置47、输出装置48。输入装置47为用以由操作员经由控制装置4操作成膜装置1的开关、触摸屏、键盘、鼠标等输入单元。所述最佳氧分压的数据可从输入装置47输入所期望的值。

输出装置48为将用以确认装置的状态的信息设为能够由操作员视认的状态的显示器、灯、计量表等输出单元。输出装置48例如输出由警报生成部45生成的警报。

[动作]

其次，对本实施方式的成膜装置1的动作及成膜方法进行说明。以下叙述的成膜装置1的动作通过控制装置4的机构控制部41而控制。工件W从大气压的外部搬入到加载互锁真空室。将加载互锁真空室减压到预先设定的压力后打开搬入口20，向腔室2的内部搬入工件W。加载互锁真空室的压力高于腔室2的压力，因而打开搬入口20时腔室2的压力暂时地上升。所搬入的工件W载置于平台21。工件W的搬入利用未图示的搬送装置来进行。载置于平台21后，关闭搬入口20而使腔室2密闭。腔室2利用排气装置25一直排气，因而通过关闭搬入口20而使腔室2减压。

控制装置4的氧分压决定部42在关闭搬入口20后，在由计时部44计数的时间经过了规定的排气时间t的时间点，从压力计26获取基础压力的值。

氧分压决定部42参照存储部43的最佳氧分压的数据，决定与从压力计26获取的基础压力对应的最佳氧分压的值。机构控制部41基于由氧分压决定部42决定的最佳氧分压生成控制信号，并发送到氧导入部272a的流量控制计272b。流量控制计272b以溅镀气体中的氧分压为最佳氧分压的方式调整流量。

将溅镀气体从溅镀气体导入部27导入到腔室2的内部，从电源装置24对靶材231施加直流电压。利用直流电压的施加而溅镀气体等离子体化，产生离子。如果所产生的离子碰撞到靶材231，则靶材231的成膜材料的粒子飞出。飞出的粒子堆积于载置在平台21的工件W，由此在工件W上形成薄膜。

如果成膜处理完成，则停止溅镀气体的导入，使搬入口20开放而将成膜的工件W从腔室2内部搬出，并搬入到下一个工件W。关于后续的工件W，以与最初的工件W相同的步骤，依次进行成膜处理。其中，如果重复成膜处理则ITO膜附着于腔室2内部而产生逸气，因而由压力计26测定出的基础压力的值逐渐上升。氧分压决定部42参照存储部43的最佳氧分压的数据，决定与上升的基础压力对应的最佳氧分压。因此，溅镀气体中的氧分压逐渐减少，因而成膜处理中的氧量保持为适当范围。由此，即便重复成膜处理，在基础压力超过上限值之前也可进行保持膜的品质的成膜。

在由压力计26测定的基础压力的值超过上限值的情况下，警报生成部45生成警报，并输出到输出装置48。也可在输出了警报的时间点，使成膜处理中断，或者在输出警报后继续成膜处理。

[实施例]

所述实施方式的成膜装置1中，在以下的条件下进行成膜处理。

·DC电力[kW]：3.5

·Ar气体压力[Pa]：1.46(420sccm)

·O₂压力[Pa]：0.037(12.5sccm)

·成膜压力(Ar+O₂)[Pa]：1.50

·放电电压[V]：398

·排气时间[s]：234

·成膜时间[s]：5.2

·成膜速度[nm/s]：7.7

·靶材231：氧化铟锡(ITO)

·膜厚[nm]：40

·工件W：聚碳酸酯基板

在所述条件下对多块工件W连续进行成膜处理。各成膜处理中，在将工件W搬入到腔室2内后经过排气时间的时间点，测定基础压力。初期的基础压力为2×10^-3[Pa]，如果重复成膜处理则基础压力上升。如图5的曲线图所示，根据基础压力的上升而使氧分压减少。

对在2×10^-3[Pa]、6×10^-3[Pa]、10×10^-3[Pa]的基础压力下分别进行成膜的工件W，以80℃进行92小时的加热试验，测定加热后的电阻值。将加热试验的结果表示于图6的曲线图。以基础压力6×10^-3[Pa]进行成膜的ITO膜相对于初期的基础压力2×10^-3[Pa]的电阻增加率低。即，可知通过使溅镀气体的氧分压减少，而成膜处理中的氧保持为适当量。另一方面，基础压力10×10^-3[Pa]下，使氧分压减少，相对于初期的基础压力2×10^-3[Pa]的电阻增加率大。认为其原因在于，逸气所含的氧因溅镀气体的氧分压的减少而超过能够调整的量，或腔室2的压力增高，对膜的密度或均质性造成影响。

[效果]

(1)本实施方式的成膜装置1包括：作为密闭容器的腔室2，配置着包含成膜材料的靶材231，且内部被搬入工件W；排气装置25，在工件W的搬入后，将腔室2排气规定的排气时间而成为基础压力；以及溅镀气体导入部27，向排气成基础压力的腔室2的内部导入含氧的溅镀气体。溅镀气体导入部27根据附着在腔室2的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升，而使导入到腔室2的溅镀气体的氧分压减少。

以通过逸气的产生而上升的基础压力为基准，对溅镀气体中的氧的导入分压进行调整，由此能够将腔室2内的氧保持为适当量而进行成膜。由此，能够提供可进行品质良好且品质的不均少的成膜的可靠性高的成膜装置1及成膜方法。

成膜装置1包括：测量基础压力的压力计26，及根据由压力计26测定出的基础压力而决定溅镀气体导入部27导入的溅镀气体的氧分压的控制装置4。压力计26是为了腔室2的压力管理而通常设置的压力计，可容易从压力计26获取基础压力。由此，不需要高精度仪器等便可控制氧分压，经济性高。

[第二实施方式]

参照附图对本发明的第二实施方式进行说明。另外，对与第一实施方式的构成要素相同的构成要素，赋予相同的符号而省略详细说明。

第二实施方式的成膜装置1的整体构成与第一实施方式相同。第二实施方式的成膜装置1的控制装置4的功能构成表示于图7。控制装置4除与第一实施方式相同的构成外，还具备基础压力决定部49。第一实施方式中，机构控制部41获取由压力计26测定的基础压力的值，第二实施方式中，基于从电源装置24供给到靶材231的累计电力量决定基础压力。

所谓累计电力量，在更换工件W而连续进行成膜处理的情况下，为各成膜处理中从电源装置24供给到靶材231的电力的累计量。如图8所示，累计电力量在每次进行重复成膜处理时增加。如第一实施方式中已述那样，基础压力也在每次进行重复成膜处理时增加。即，根据累计电力量的增加，基础压力也增加。因此，预先进行试验等，制作与累计电力量对应的基础压力的数据，且存储在存储部43。

如所述那样，机构控制部41控制电源装置24中的电压施加的时机及供给电力量。基础压力决定部49从机构控制部41获取供给电力量而算出累计电力量。然后，参照存储在存储部43的基础压力的数据，决定与算出的累计电力量对应的基础压力。

氧分压决定部42参照存储在存储部43的最佳氧分压的数据，决定与由基础压力决定部49决定的基础压力对应的最佳氧分压。机构控制部41以溅镀气体中的氧分压成为由氧分压决定部42决定的最佳氧分压的方式，生成控制信号并发送到氧导入部272a的流量控制计272b。氧导入部272a的流量控制计272b依据所接收到的控制信号而对导入到腔室2的氧的流量进行调整。

如所述那样，第二实施方式中，控制装置4根据基于从电源装置24供给到靶材231的累计电力量所决定的基础压力，来决定溅镀气体导入部27中的溅镀气体的氧分压。即便在依据腔室2内部环境或成膜状况等的情形，无法测定基础压力的情况下，也能够根据累计电力量决定基础压力，能够与第一实施方式同样地调整溅镀气体的氧分压，将氧保持为适当量而进行成膜。

[其他实施方式]

本发明不限定于所述的实施方式。例如，所述成膜装置1也可应用于具备进行溅镀等成膜处理与蚀刻等膜处理的多个腔室的多腔室型等离子体处理装置。

而且，所述实施方式中，对在搬入口20上连接着加载互锁真空室的例子进行了说明，但不限于此，也可从外部对搬入口20直接搬入工件W。如果不使用加载互锁真空室，则工件W的搬入时进入的外部的空气增加，结果存在来自附着在腔室2的内壁的ITO膜的逸气的量增加的可能性，例如，可延长排气时间t而排出所进入的外部的空气。而且，在不使用加载互锁真空室的情况下，如果打开搬入口20则腔室2的内部上升到大气压，因而也可在打开搬入口20的期间使排气装置25停止，关闭搬入口后使排气装置25运转而开始排气。

以上，对本发明的实施方式及各部的变形例进行了说明，但该实施方式或各部的变形例作为一例而提示，并不意图限定发明的范围。所述这些新颖的实施方式能够由其他各种形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内可进行各种省略、置换、变更。这些实施方式或其变形包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求记载的发明内。

Claims (4)

1.一种成膜装置，对工件使用等离子体进行成膜，其特征在于，包括：

密闭容器，配置着包含成膜材料的靶材，内部被搬入所述工件；

排气装置，在所述工件的搬入后，将所述密闭容器排气规定时间；

溅镀气体导入部，对经所述排气的所述密闭容器的内部，导入含氧的溅镀气体；

压力计，对基础压力进行测量，所述基础压力为经排气所述规定时间后且导入所述溅镀气体之前的所述密闭容器内的压力；以及

控制装置，控制所述溅镀气体导入部，

所述控制装置包括存储部以及氧分压决定部，其中所述存储部存储最佳氧分压的数据，所述最佳氧分压的数据为所述溅镀气体中的氧分压的最佳值；所述氧分压决定部获取由所述压力计测定出的所述基础压力，参照所述最佳氧分压的数据，而决定所述溅镀气体的氧分压的值，

所述控制装置根据所述基础压力的上升，以使所述氧分压的值逐渐减少的方式，来控制所述溅镀气体导入部，其中所述基础压力的上升是随着通过重复所述成膜使附着在所述密闭容器内部的所述成膜材料增加而造成。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，包括：

电源装置，对所述靶材施加电压；

所述控制装置根据基于从所述电源装置供给到所述靶材的电力的累计量而决定的所述基础压力，来决定所述溅镀气体导入部导入的所述溅镀气体的氧分压的值。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，还包括警报生成部，所述警报生成部在所述基础压力超过6×10^-3Pa时生成警报。

4.一种成膜方法，对工件使用等离子体进行成膜，其特征在于：

向配置着包含成膜材料的靶材的密闭容器的内部搬入所述工件；

在所述工件的搬入后，将所述密闭容器排气规定时间；

对经所述排气的所述密闭容器的内部导入含氧的溅镀气体，

其中通过压力计测量基础压力，所述基础压力为经排气所述规定时间后且导入所述溅镀气体前的压力；以及

控制装置预先存储最佳氧分压的数据，获取由所述压力计测定出的所述基础压力，参照所述最佳氧分压的数据，来决定所述溅镀气体的氧分压的值，而导入所述溅镀气体，其中所述最佳氧分压的数据为所述溅镀气体中的氧分压的最佳值，并且

所述控制装置根据所述基础压力的上升，以使所述氧分压的值逐渐减少的方式，来控制所述溅镀气体的导入，其中所述基础压力的上升是随着通过重复所述成膜使附着在所述密闭容器内部的所述成膜材料增加而造成。

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