TWI641025B - 腔室清潔系統 - Google Patents
腔室清潔系統 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI641025B TWI641025B TW106115214A TW106115214A TWI641025B TW I641025 B TWI641025 B TW I641025B TW 106115214 A TW106115214 A TW 106115214A TW 106115214 A TW106115214 A TW 106115214A TW I641025 B TWI641025 B TW I641025B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- chamber
- duct
- cleaning system
- spray holes
- top surface
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Nozzles (AREA)
Abstract
本案提出一種腔室清潔系統,包含一腔室與一導管,該導管被安裝於相鄰該腔室之一主體的一頂表面內側與該主體之一側表面相交的位置,其中該導管具有複數噴灑孔,該等噴灑孔形成於該導管之一外周表面的位置,在該導管的一長度方向上以預定間隔面對該頂表面與該側表面。
Description
本發明實施例係關於一種腔室清潔系統。
在製造例如半導體裝置和平板顯示裝置的積體電路裝置時,必須管理例如粒子的污染源。尤其,在製造需要精細圖案的現代積體電路裝置時,需要徹底地管理污染源。
在設備的製造中,必須管理源自一製程設備的污染源以及源自製造過程的污染源。這是因為如果源自製程設備的上述污染源不被管理,則可能致命地影響製造過程。亦即,在電漿蝕刻中,在蝕刻製程中產生的蝕刻顆粒可以被吸附到一蝕刻腔室的內壁。當不進行用以移除該等蝕刻顆粒的一清潔製程時,該等蝕刻顆粒可能自該蝕刻腔室的內壁脫離,在之後的蝕刻製程中作為污染源,因此在蝕刻製程後進行一清潔製程以移除該等蝕刻顆粒。
因此,該製程腔室的內部應保持清潔以防止污染。為此,一製程設備的腔室包括一設備風扇單元(equipment fan unit,EFU),用於將空氣從該腔室的一個區域送至其相對區域。較佳地,該設備風扇單元形成在一腔室的上部,以將空氣送至其下部。這允許外來的物質由於其重量而向下排放到下部。使用這種設備風扇單元的腔室清潔系統具有未被清潔的一死空間區域,如圖1和2所示。
本發明之一目的在於提供一種腔室清潔系統,其能夠移除一腔室中未被清潔的死空間區域。
根據本發明之一方面,提出一種腔室清潔系統,包含一腔室與一導管,該導管被安裝於相鄰該腔室之一主體的一頂表面內側與該主體之一側表面相交的位置,其中該導管具有複數噴灑孔,該等噴灑孔形成於該導管之一外周表面的位置,在該導管的一長度方向上以預定間隔面對該頂表面與該側表面。
該等噴灑孔可形成於相對該外周表面傾斜30至50度的位置,在該導管的該長度方向上以預定間隔面對該頂表面。
該腔室清潔系統可進一步包含與該等噴灑孔結合的噴嘴。
該腔室清潔系統可進一步包含一設備風扇單元,其形成於該腔室之該主體的一上部部分作為一體。
該導管可包括複數噴灑孔,該等噴灑孔沿著該導管的一外周面以預定的角度間隔形成,且在該導管的該長度方向上間隔形成。
100‧‧‧腔室
200‧‧‧導管
210‧‧‧噴灑孔
220‧‧‧噴嘴
300‧‧‧設備風扇單元
藉由參照附圖詳細描述本發明的示例性實施例,本發明的上述和其它目的、特徵和優點對於本領域之技術人員將變得更加明顯,其中:
〔圖1〕與〔圖2〕係為在一般腔室中由一設備風扇單元造成之氣流的示意圖。
〔圖3〕係為根據本發明一實施例之腔室清潔系統的示意圖。
〔圖4〕係為根據本發明一實施例之一腔室清潔系統移除其一頂表面的透視圖。
〔圖5〕係為根據本發明一實施例之一清潔系統之一導管與其一部分的放大圖。
〔圖6〕係為根據本發明一實施例具有一噴嘴安裝於一清潔系統之導管的示意圖。
〔圖7〕係為根據本發明一實施例從一清潔系統之導管的一噴嘴之氣體噴灑方向的示意圖。
雖然本發明容許進行各種修改和替代形式,但是在此將詳細描述其特定的實施方案。然而,應當理解的是,並非意圖將本發明限制於所揭示的特定形式,相對地,本發明將涵蓋落入本發明之精神和範圍內的所有修改、等效和替代。在圖式的描述中,相似的參考標號表示相似的元件。應當理解的是,儘管術語第一、第二等在此可用於描述各種元件,但這些元件不受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元素與另一個元素區分。本文使用的術語僅用於描述特定實施例,並非意圖限制本發明。除非上下文另有明確指示,如本文所使用的,單數形式「一」、「一個」和「該」也包括複數形式。應當進一步理解的是,術語「包括」、「包含」和/或「具有」在本文中使用時係指定存在所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或組件,但是不排除存在或添加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本領域之技術人員通常理解的相同的含義。應當進一步理解的是,除非在此明確定義,例如在常用詞典中定義的術語應當被解釋為具有與其在相關領域之背景下的含義一致的含義,而不是以理想化或過於形式化的意義來解釋。
在下文中,將參照所附圖式詳細描述本發明的實施例。在圖式的描述中,相似的標號表示相似的元件。
圖3係為根據本發明一實施例之腔室清潔系統的示意圖。圖4係為根據本發明一實施例之一腔室清潔系統移除其一頂表面的透視圖。圖5係為根據本發明一實施例之一清潔系統之一導管與其一部分的放大圖。圖6係為根據本發明一實施例具有一噴嘴安裝於一清潔系統之導管的示意圖。如圖3~圖6所示,根據本發明一實施例之一腔室清潔系統包含一腔室100、一導管200以及一設備風扇單元300,該導管200安裝於靠近該腔室100的一頂表面,該設備風扇單元300安裝於該腔室100上。
該腔室100係用於製造例如一半導體裝置、一平板顯示裝置等的裝置,並被應用於一製程設備。亦即,根據本發明一實施例之清潔系統不是在一基板上而是在一製程腔室上執行一清潔處理。換言之,該清潔處理執行於例如一蝕刻腔室、一薄膜沉積腔室等製程腔室。在使用本發明之清潔系統進行清潔處理中,漂浮在製程腔室中或吸附到製程腔室之內壁的製程副產物從製程腔室中被移除。
該導管200提供一清潔流體至該腔室100。該導管200被安裝於相鄰於該腔室100之一頂表面與一側表面的內側。該清潔流體可包括一清潔氣
體,尤其是一惰性氣體。該導管200可連接於一清潔流體供應線(未繪示)。該清潔流體可從外部通過該清潔流體供應線輸送並噴灑進入該腔室100。
如圖4、圖5所示,複數噴灑孔沿著該導管200的一周面形成。較佳地,該等噴灑孔210以預定間隔連續排列於面對該腔室100之頂表面及該腔室100之側表面的位置。
該等噴灑孔210可設置於相對面對該頂表面的位置,以一預定角傾斜的位置。較佳地,該等噴灑孔可形成於相對該導管200之一外周表面傾斜30至50度的位置,在該導管200的一長度方向上以預定間隔面對該頂表面。
如圖6所示,噴嘴220可被結合至該導管200之該等噴灑孔210。如圖7所示,藉由使用設置於上述角度的該等噴灑孔210,該清潔流體可如一箭頭a所示被噴灑至該腔室100的頂表面,如一箭頭b所示被噴灑至該腔室100的側表面,及如一箭頭c所示被噴灑至該腔室100之頂表面與側表面之間的一空間。因此,該清潔流體被噴灑至如圖1與圖2所示的一死空間區域,以降低該死空間區域的面積。圖3至圖7繪示一實施例,其中該噴灑孔210係沿著該導管200的外周面以預定間隔形成。然而,可以藉由考慮下述該設備風扇單元300的一氣流方向和一死空間區域,選擇性地形成噴射孔210。
根據本發明一實施例之清潔系統可額外地包含該設備風扇單元300。該設備風扇單元300可以採用一傳統的設備風扇單元(EFU)或過濾風扇單元(filter fan unit,FFU)。該設備風扇單元300在該腔室100的上部部分形成為一體是有效的。該設備風扇單元300可包括複數風扇,並且可以完全地安
裝在該腔室100的整個上部部分。當該等風扇被啟動時,該設備風扇單元300傳送空氣至該腔室100的下部以進行清潔。
具有根據本發明一實施例之上述結構的腔室清潔系統可以單獨地使用或與該設備風扇單元300一起使用,以防止一死空間區域存在於腔室100中一清潔流體未噴灑之處。
在根據本發明一實施例之腔室清潔系統中,藉由在一噴灑導管之一頂表面與一側表面上以及該頂表面與該側表面之間形成噴灑孔,並且通過該等噴灑孔噴灑清潔氣體至該腔室之一主體的頂表面邊緣和該主體的側表面的一上部部分,可以顯著減少一腔室之未噴射清潔氣體的死空間區域,且因此提高清潔效率。
雖然已參考所附圖式描述了本發明的實施例,但是本發明不限於上述實施例,並且在本發明的範圍內可以進行各種修改。本領域之技術人員應當理解,可以在不改變本發明的技術精神或基本特徵的情況下以不同的詳細形式實施本發明。因此,此處描述的實施例在所有方面是說明性的,並不限於這些形式。
Claims (6)
- 一種腔室清潔系統,包含:一導管,其噴灑一清潔流體並被安裝於相鄰一腔室之一主體的一頂表面內側與該主體之一側表面相交的位置;其中該導管具有複數噴灑孔,該等噴灑孔形成於該導管之一外周表面的位置,在該導管的一長度方向上以預定間隔面對該頂表面與該側表面。
- 如請求項1所述之腔室清潔系統,其中該等噴灑孔形成於相對該外周表面傾斜30至50度的位置,在該導管的該長度方向上以預定間隔面對該頂表面。
- 如請求項1所述之腔室清潔系統,進一步包含與該等噴灑孔結合的噴嘴。
- 如請求項1所述之腔室清潔系統,進一步包含一設備風扇單元,其形成於該腔室之該主體的一上部部分作為一體。
- 如請求項1所述之腔室清潔系統,其中該導管包括複數噴灑孔,該等噴灑孔沿著該導管的一外周面以預定的角度間隔形成,且在該導管的該長度方向上間隔形成。
- 如請求項1所述之腔室清潔系統,其中該清潔流體包括一清潔氣體與一惰性氣體。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160062992A KR101812707B1 (ko) | 2016-05-23 | 2016-05-23 | 챔버 세정 시스템 |
??10-2016-0062992 | 2016-05-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201806000A TW201806000A (zh) | 2018-02-16 |
TWI641025B true TWI641025B (zh) | 2018-11-11 |
Family
ID=60425947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106115214A TWI641025B (zh) | 2016-05-23 | 2017-05-09 | 腔室清潔系統 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101812707B1 (zh) |
CN (1) | CN107424896B (zh) |
TW (1) | TWI641025B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102104386B1 (ko) * | 2019-01-03 | 2020-04-27 | 주식회사제4기한국 | 고효율 진공플라즈마 세정설비 |
CN111501024A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-08-07 | Tcl华星光电技术有限公司 | 气相沉积装置 |
CN112139092A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-12-29 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种清洗装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201434536A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-16 | Dainippon Screen Mfg | 噴嘴清潔裝置、塗布裝置、噴嘴清潔方法、以及塗布方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100194334B1 (ko) * | 1996-08-08 | 1999-06-15 | 임동현 | 저온 꽃게 세척 및 분리장치 |
US6886491B2 (en) * | 2001-03-19 | 2005-05-03 | Apex Co. Ltd. | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
KR20050102966A (ko) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | 이부락 | 반도체 부품 세척장치 |
KR20110107910A (ko) * | 2010-03-26 | 2011-10-05 | 주식회사 케이씨텍 | 접촉식 세정장치 |
JP2016073934A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置 |
-
2016
- 2016-05-23 KR KR1020160062992A patent/KR101812707B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-05-09 TW TW106115214A patent/TWI641025B/zh active
- 2017-05-12 CN CN201710332832.7A patent/CN107424896B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201434536A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-16 | Dainippon Screen Mfg | 噴嘴清潔裝置、塗布裝置、噴嘴清潔方法、以及塗布方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170132027A (ko) | 2017-12-01 |
CN107424896B (zh) | 2019-12-10 |
CN107424896A (zh) | 2017-12-01 |
TW201806000A (zh) | 2018-02-16 |
KR101812707B1 (ko) | 2017-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI641025B (zh) | 腔室清潔系統 | |
KR101448131B1 (ko) | 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버 | |
TWI573637B (zh) | Cleaning head | |
KR101271259B1 (ko) | 기판의 이물질 제거장치 | |
JP2015099919A (ja) | 基板洗浄装置 | |
CN215940927U (zh) | 排气内部清洗系统 | |
TW202100226A (zh) | 廢氣有害物質去除單元 | |
JP5404545B2 (ja) | エッチング装置 | |
WO2017193653A1 (zh) | 基板处理设备 | |
KR20150088495A (ko) | 파티클의 비산 방지 기능이 구비된 공기 분사식 세정기 | |
KR100930579B1 (ko) | 세정용 노즐 | |
KR20100013651A (ko) | 분사유닛 및 이를 포함하는 기판세정장치 | |
KR20100128424A (ko) | 노트북 세정장치 | |
KR20210093500A (ko) | 다중 흡입구를 갖는 드라이 타입 초음파 클리너 | |
KR101358079B1 (ko) | 송풍 장치 | |
KR20200056045A (ko) | 이류체 분사노즐 | |
JP2008122063A5 (zh) | ||
KR101990583B1 (ko) | 대면적 기판용 기체를 이용한 초음파 건식 세정장치 및 세정방법 | |
TWI524134B (zh) | 化學清潔裝置 | |
TW202023698A (zh) | 用於去除異物的基質處理裝置 | |
JP2002001240A (ja) | スピン処理装置 | |
KR200437869Y1 (ko) | 제진노즐 내의 공기토출구 구조 | |
KR100806045B1 (ko) | 반도체의 습식 공정 스테이션의 모듈 간의 화학증기차단방법 및 차단구조 | |
CN221041047U (zh) | 基板清洗装置 | |
TWI839717B (zh) | 設備前端模組緩衝腔室裝置及具有此裝置的半導體製程裝置 |